TWI623873B - 透明電極層板及含此之觸控螢幕面板 - Google Patents

Abstract

揭露一種透明電極層板，包含：感測電極，包含形成於一第一方向的第一圖型，和形成於一第二方向的第二圖型；橋型電極，配置以電連接該等第二圖型的分離的單元圖型；以及一絕緣層，該絕緣層配置於該等感測電極與該等橋型電極之間，其中，金屬圖型形成在暴露於該第一圖型和該第二圖型之間的該絕緣層上，從而透過最小化對每個位置之反射率的差異，並降低圖型在視覺上的辨識，以獲得高透明度。

Description

透明電極層板及含此之觸控螢幕面板

本發明係關於一種透明電極層板及包括透明電極層板的觸控螢幕面板，且更特別地，係關於一種具有低圖型視覺辨識的透明電極層板及具有透明電極層板的觸控螢幕面板。

通常地，觸控螢幕係配備特殊輸入裝置以接收由使用者手指或觸控筆觸碰螢幕所輸入的位置之螢幕。這樣的觸控螢幕不使用鍵盤但具有多層層板配置，其中當使用者手指或例如觸碰筆(touch pen)或觸控筆(stylus pen)的物體觸碰螢幕所顯示的特定字元或位置時，觸控螢幕辨識位置並直接從螢幕接收資料，以在特定的位置由在其中儲存的軟體實際處理資訊。

為了識別所觸碰的位置，而不會降低在螢幕上顯示的影像的可見性，需要使用感測圖型通常以預定圖型形成所在的透明電極。

作為用於觸控螢幕的透明感測電極，各種結構在相關技術領域係已知的。例如，玻璃-ITO膜-ITO膜(GEF)，玻璃-ITO膜(GIF)，或僅有玻璃(G2)的結構可用於觸控螢幕面板中。

在這當中，GFF是最常用的結構，其並包括實施X-軸及Y-軸所需的兩個膜形成的兩個透明電極 (氧化銦錫，ITO)。GIF包括設置在玻璃後表面的一第一ITO薄膜並使用膜作為一第二ITO(類似常規方法)。G2係對強化玻璃的後表面上的X軸沉積及圖型化ITO薄膜，在其上形成絕緣層，並對Y軸圖型化另一ITO薄膜的方法形成的結構。當功率消耗以GFF、GIF及G2的順序減少時，GFF、GIF及G2的穿透率增加，因此對G2結構的研究正在積極進行。

然而，在G2的結構(其使用圖型化透明電極)，圖型化透明電極的圖型化部分及非圖型化部分(圖型孔)可為視覺上彼此不同的。因此，圖型化部分及非圖型化部分間的反射率差異更大且反射率差異清楚地顯現，因此做為顯示元件的顯現可見性降低。特別係，在電容式觸控面板中，因為圖型化透明電極形成在顯示器的顯示單元的整個表面上，即使圖型化透明電極層，顯示裝置仍需要有良好的外觀。

為了改善這樣的問題，舉例來說，日本專利特許公開號2008-98169揭露了一種透明導電膜，在其中包括兩個具有不同的折射率的層之下塗層形成於透明基片及透明導電層之間。此外，做為其實施例，上述專利進一步揭露透明導電膜，在其中具有1.7的折射率之矽-錫氧化物層(厚度為10nm或更多)，作為低折射率層(厚度為30nm)之具有1.43的折射率之矽氧化物層，以及具有1.95的折射率的ITO膜(厚度為15nm)以此順序依次形成。

然而，因為圖型化部分及非圖型化部分間的反射率差異清楚地顯現於上述專利中所揭露的透明導電膜，改善顯示裝置的外觀仍然是不夠的。

因此，本發明的目的係提供一種因為在每個位置的反射率差異不大而具有低圖型視覺辨識的透明電極層板。

此外，本發明的另一目的係提供一種具有透明電極層板的觸控螢幕面板。

本發明的上述目的將藉由以下特徵來完成：

(1)透明電極層板包括：多個感測電極，包括形成於一第一方向的第一圖型及形成於一第二方向的多個第二圖型；多個橋接電極，被配置以電連接第二圖型的多個分離的單元圖型；以及一絕緣層，被設置在感測電極與橋接電極之間，其中多個金屬圖型形成在第一圖型及第二圖型之間露出的絕緣層上。

(2)如上述(1)所述的透明電極層板，其中金屬圖型滿足下列方程式1：

[方程式1]

0.99≦[(金屬圖型在絕緣層上的面積比) × (金屬圖型的總反射率)＋(1－(金屬圖型在絕緣層上的面積比)) × (金屬圖型以外的部分在絕緣層上的總反射率) / (感測電極與橋接電極的總反射率)]≦1.01

(其中，總反射率係增加一界面(表面)反射率至各別反射率的一值)

(3)如上述(1)所述的透明電極層板，其中金屬圖型係以選自由鉬，銀，鋁，以及銅所組成的群組之至少一金屬所形成。

(4)如上述(1)所述的透明電極層板，其中金屬圖型具有20至300nm的一厚度。

(5)如上述(1)所述的透明電極層板，其中橋型電極通過形成於絕緣層的接觸孔電連接第二圖型。

(6)如上述(1)所述的透明電極層板，其中單元橋型電極包括至少一橋。

(7)如上述(1)所述的透明電極層板，其中單元橋型電極的橋具有2至200mm的一寬度。

(8)如上述(1)所述的透明電極層板，其中橋型電極係由具有較感測電極為高的導電度之一材料所形成。

(9)如上述(1)所述的透明電極層板，其中橋型電極具有20至200nm的一厚度。

(10)如上述(1)所述的透明電極層板，其中橋型電極係由與金屬圖型相同的材料所形成。

(11)如上述(1)所述的透明電極層板，其中單元橋型電極的橋具有2至20mm的一寬度。

(12)如上述(1)所述的透明電極層板，其中感測電極及橋型電極經由與金屬圖型相同的材料形成的一位置偵測線連接至一驅動電路。

(13)如上述(1)所述的透明電極層板，更包括在與透明電極層板的面相對的一面上之一鈍化層，透明電極層板的該面上黏附一透明基板。

(14)如上述(13)所述的透明電極層板，其中該透明基板更包括至少一光學功能層，該光學功能層位於形成該透明電極所在之其一表面的相對的一側。

(15)如上述(14)所述的透明電極層板，其中光學功能層係一抗反射層及一防污染層的至少其中之一層。

(16)一種觸控螢幕面板，其包括如上述(1)至(15)中之任一所述的透明電極層板。

根據本發明的透明電極層板，包括在透明電極層板的每一層的厚度被控制在一預定的範圍，從而藉由最小化對於每個位置反射率的差異及降低該圖型視覺辨識而獲得一高透明度。

由於上述的方面，當透明電極層板應用於G2結構的觸控螢幕面板時，它可藉由表現一高透射率及低反射率而有效地被使用。

100‧‧‧感測電極

110‧‧‧第一圖型

120‧‧‧第二圖型

200‧‧‧橋型電極

300‧‧‧絕緣層

400‧‧‧金屬圖型

500‧‧‧接觸孔

上述本發明的目的、特徵及其他優點由下面的詳細描述並結合所附圖式將被更清楚地理解，其中：

第1圖係說明根據本發明的一實施方式的一透明電極層板之示意平面圖；

第2圖係說明根據本發明的一實施方式的該透明電極層板的一單位晶胞之示意平面圖；以及

第3圖係說明根據本發明的一實施方式的該透明電極層板的每一位置之疊層構造之示意橫剖面圖。

本發明揭露一種透明電極層板，其包括：多個感測電極，其包括形成於一第一方向之第一圖型及形成於一第二方向之第二圖型；多個橋接電極，其被配置以電連接第二圖型的多個分離的單元圖型；以及一絕緣層，其被設置在感測電極與橋接電極之間，其中多個金屬圖型形成在第一圖型及第二圖型之間露出的絕緣層上，從而藉由最小化對於每個位置反射率的差異及降低圖型視覺辨識而獲得一高透明度。

在下文中，參照實施例和比較例，一較佳實施方式將被敘述以更具體的理解本發明。然而，本領域中具有通常知識將理解，這些實施例係被提供以進一步了解本發明的精神，並不限制詳細說明及所附申請專利範圍所揭露欲保護之標的事項。

第1圖係說明根據本發明的實施方式的透明電極層板之示意平面圖。

參照第1圖，本發明的透明電極層板包括多個感測電極100，多個橋型電極200，一絕緣層300，以及多個金屬圖型400。此外，本發明的透明電極層板可進一步包括多個接觸孔500，且可形成在一透明基板上(見第3圖)。另外，一鈍化層(見第3圖)可被提供於透明基板黏附所在的透明電極層板的面相對的一面上。

如第1圖所示，本發明的透明電極層板中所包括的感測電極100係以一預定圖型形成以提供在一使用者以橋型電極200觸碰的一點之位置資訊。絕緣層300被設置在感測電極100及橋型電極200之間以使它們從彼此電隔離。金屬圖型400形成在感測電極100的第一圖型110及第二圖型120之間的絕緣層300上以減少本發明的透明電極層板的可見性。接觸孔500可在絕緣層300形成以電連接感測電極100及橋型電極200。

如第3圖所示，因為本發明的透明電極層板可具有不同的成層結構，每一位置在反射率、亮度、色度或諸如此類的差異可由於這些取決於其位置不同的成層結構而發生，且因此非所欲地增加圖型可見性。相應地，由於增加的圖型可見性，作為在一傳統的透明電極層板的一透明電極具有一限制。

因此，為了解決上述問題，本發明的透明電極層板包括金屬圖型，其形成於對應該絕緣層的該感測電極間的區域。因此，有可能最小化該感測電極的一圖型部分及一非圖型化部分間的反射率差異。在下文中，根據本發明的透明電極層板將被更詳細的描述。

（透明電極）

在本發明中，透明電極不僅包含由實質透明材料形成的一電極，更包含由於其狹窄地形成的結構而可能無法被視覺辨認的一電極，縱使其材料本身並非透明。如第1圖至第3圖所示，根據本發明實施例的透明電極層板包含多個感測電極100及多個橋型電極200。

感測電極100可包含多個第一圖型及多個第二圖型120。多個第一圖型及多個第二圖型120以彼此不同的方向配置，以提供被使用者觸碰的位置之X與Y坐標上的資訊。例如，這些圖型以一相同的列或行方向配置，但不以此限制之。具體而言，當使用者的手指或物體碰觸透明基板，依據一接觸位置的電容變化被偵測到，並透過第一及第二圖型110及120、橋型電極200及係位置偵測線之多個金屬佈線傳輸至一驅動電路。接著，該電容變化藉由X和Y輸入處理電路（未顯示）被轉換成一電訊號以辨識該接觸位置。

在此情況下，第一及第二圖型110及120必須形成於透明基板中的同一層，且該個別圖型必須彼此電連接以偵測觸碰點。然而，第一圖型110係相互連接，而第二圖型120係以一島型彼此分離，因此額外的多個連接線是需要的，以使第二圖型120相互電連接。

然而，連接線不應被電連接至第一圖型110，因此，連接線必須被形成在與感測電極100不同之一層。因此，橋型電極200被形成在與感測電極圖型100不同之一分別層，以使第二圖型120相互電連接。亦即，橋型電極200具有電連接感測電極100的每一個第二圖型120的功能。

因此，在第2圖及第3圖中， 、 及 等位置分別代表感測電極100被以一預定圖型形成，以偵測碰觸區域的一部分，而 、 及 等位置分別代表橋型電極200被排列以電連接以島型分離之第二圖型120之部分。

於此，橋型電極200必須電性隔絕於感測電極100的第一圖型110。因此，本發明的透明電極層板包含絕緣層300及多個接觸孔500（見第2圖中 ），其將會被詳述如下。

感測電極及橋型電極100及200的厚度並無特別限制但可為，例如，分別在20至200 nm的範圍內。若感測電極及橋型電極100及200的厚度小於20 nm，電阻可能會增加而降低了觸碰敏感性。當其厚度大於200 nm，反射率可能增加而降低了可見性。

此外，較佳是感測電極及橋型電極100及200具有1.8至1.98的折射率。當這些層具有在上述範圍內的折射率，反射率的減少將更可被增強。

在相關領域中已知用於形成透明電極的任何傳統材料可被使用於感測電極及橋型電極100及200而無特別限制。例如，用於形成透明電極的導電材料可包含，氧化銦錫（ITO）、氧化​​銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）、銦鋅錫氧化物（IZTO）、氧化鎘錫（CTO）、聚（3,4 -亞乙基二氧噻吩）（PEDOT）、奈米碳管（CNT）、金屬線等，其可被單獨地、或以其二或更多之結合而使用。較佳地，氧化銦錫（ITO）可以被使用。使用於該金屬線中的金屬並無特別限制但可包括，例如，銀（Ag）、金、鋁、銅、鐵、鎳、鈦、碲、鉻等，其可被單獨地、或以其二或更多之結合而使用。

在本發明中，該橋意指以一單元橋型電極的單線形式形成的一電極，其中根據本發明的單元橋型電極可包含至少一橋。

單元橋型電極的寬度並無特別限制，但可為，例如，2至200 μm，且較佳為2至100 μm。當本發明的透明電極層板應用於一觸碰螢幕面板時，若單元橋型電極的寬度在2至200 μm的範圍內，該圖型的可見性可降低，以提供良好的電阻。

橋型電極200可被更狹窄地形成，以被應用於觸碰螢幕面板以降低邊框的寬度。在此情況下，橋型電極200可以相較於感測電極100具有較高導電度之材料形成。當橋型電極200以相較於感測電極100具有較高導電度之材料形成時，感測電極100的多個第二圖型120可以一較小的區域彼此電連接。

若該橋的寬度降低，電阻可能上升。在此情況下，根據本發明的橋型電極可含有至少兩個如第2圖所示之橋。在此情況下，電阻的上升可被抑制，且每單元區域之橋型電極200的面積比可降低，以降低圖型部分的可見性。

當橋型電極200以相較於感測電極100具有較高導電度之材料形成時，該橋型電極的橋可具有，例如，2至20 μm的寬度，且較佳為2至5 μm，但不以此限制之。當該橋具有2至20 μm的寬度，該圖型的可見性可降低，以提供良好的電阻。

根據本發明的另一觀點，橋型電極200可以與金屬圖型400之相同材料形成，其描述如下。

當橋型電極200以與金屬圖型400之相同材料形成時，沒有需要執行用於形成金屬圖型400的額外程序。在此情況下，程序可藉由在形成橋型電極期間同時形成金屬圖型400而更為簡化。

感測電極及橋型電極100及200可以各式薄膜沉積技術，例如物理氣相沉積（PVD）方法、化學氣相沉積（CVD）方法或其類似者而形成。感測電極及橋型電極100及200可藉由反應濺鍍形成，其係PVD方法的一個例子。

此外，感測電極及橋型電極100及200可以印刷程序形成。為了印刷透明電極，各式印刷方法，諸如凹版平板膠印印刷、反轉膠印印刷、網版印刷、凹版印刷等可在印刷程序期間被使用。特別地，當感測電極及橋型電極100及200由印刷程序製造時，該透明電極可由可印刷塑膠材料製成。例如，這些電極可由奈米碳管（CNT）、導電聚合物及銀奈米線墨水製成。

在本發明中，感測電極及橋型電極100及200的層疊順序並無特別限制。因此，在本發明的另一實施例中，在第3圖中所示之感測電極100及橋型電極200的層疊順序可被改變。例如，並非感測電極100而係橋型電極200首先形成於透明基板上，絕緣層300形成於橋型電極200上，接著感測電極100形成於絕緣層300上。

形成連接第一圖型110、第二圖型120及橋型電極200至驅動電路之位置偵測線的方法並無特別限制。例如，該位置偵測線可以形成感測電極100及橋型電極200之方法的相同方法形成。

較佳地，根據本發明的位置偵測線可以金屬圖型400之相同材料形成。在此情況下，沒有需要執行用於形成金屬圖型400的額外程序。因此，程序可藉由在形成金屬佈線及位置偵測線的期間同時形成金屬電極400而更為簡化。

當所有的橋型電極200及位置偵測線係以金屬圖型400的相同材料形成時，所有位置偵測線及金屬圖型400可在形成橋型電極200的期間同時形成，因而程序效率的改善可被大大地提升。

（絕緣層及接觸孔）

絕緣層300係形成於感測電極100及橋型電極200之間，以使感測電極100絕緣於橋型電極200，以防止其間之電連接。然而如第2及3圖中所示，當橋型電極200電連接於感測電極100的相鄰的第二圖型120時，由於橋型電極200必須與感測電極100電連接，橋型電極200上未形成絕緣層300的一部分是需要的。一般而言，在絕緣層300之區域中，其上未形成絕緣層300的該部分係謂接觸孔500（見第2圖中 ）。因此，第二圖型120及橋型電極在接觸孔500中彼此電連結。

在相關領域中已知的任何傳統絕緣材料可被使用於絕緣層300而無特別限制。例如，絕緣層可使用金屬氧化物諸如氧化矽、包括丙烯酸樹脂的透明感光性樹脂組合物、或熱固性樹脂組合物而以一所欲的圖型形成。

絕緣層可使用，例如，沉積或印刷方法而在感測電極100上形成。

在本發明中，接觸孔500可以絕緣層完全地形成於感測電極100上，並接著多個孔洞形成於絕緣層中的方式（孔洞法）形成、或以絕緣層300在除了感測電極100及橋型電極200彼此電連接的部分外之感測電極100上形成的方式（島狀法）形成。

（金屬圖型）

金屬圖型400形成於第一圖型110及第二圖型120間暴露的絕緣層300上，以扮演藉由降低透明電極之圖型部分及非圖型部分（圖型開口部）間反射率差異來顯著降低透明電極層板的可見性的角色。

具體而言，當該圖型以在非圖型部分具有高反射率之材料形成時，透明電極的圖型部分的反射率的差異將減少，且因此觀察者可能無法辨識其間的反射率的差異。

較佳的，根據本發明的金屬圖型400可被形成以滿足下列方程式1。

[方程式1]

0.99≦[(金屬圖型在絕緣層上的面積比) × (金屬圖型的總反射率)＋(1－(金屬圖型在絕緣層上的面積比)) × (金屬圖型以外的部分在絕緣層上的總反射率) / (感測電極與橋接電極的總反射率)]≦1.01

（其中，總反射率係將一界面（表面）反射率加至各別反射率的一值）

當面積比與金屬圖型400的反射率滿足由方程式1定義之關係時，透明電極的圖型部分與非圖型部分的總反射率光彼此相等，且因此觀察者可能無法辨識透明電極的圖型部分與非圖型部分間的反射率的差異。因此，透明電極層板之可見性的減少可被大大地提升。

感測電極100及橋型電極200之反射率可藉由適當地選擇感測電極100及橋型電極200之厚度、反射率、電極的材料、或其類似者而調整。相似地，金屬圖型400之反射率可藉由適當地選擇厚度、材料、或其類似者而調整。

任何本領域所習知的金屬可用於本發明的金屬圖型400，例如鉬，銀，鋁，銅等，並且較佳用鉬。這些金屬可以單獨使用，或以其兩或更多的組合使用。

金屬圖型400的厚度並沒有特別的限制，但是可能例如在20到300奈米的範圍內，而且較佳地在50到150奈米的範圍之內。當的金屬圖型400的厚度在20〜300奈米的範圍時，該透明電極層板之可見性降低可以藉由提供一個最佳等級的反射率而大幅增加。

金屬圖型400的形成方法沒有特別的限定，且例如可以藉由和形成感測電極100和橋型電極200相同的方法。

(透明基板)

透明基板是構成觸控螢幕面板最外部表面，並且和使用者手指或物件接觸。本發明的透明電極層板是形成於和使用者手指或物件接觸所在表面相對的一側上。如第3圖所示，本發明的透明電極層板在構成感測電極的透明基板上依序形成。

如果需要的話，本發明的透明電極層板還可以包括在該透明基板和感測電極100之間的一個透明介電層。

透明介電層的作用是減少由於不同的位置上的結構差異而導致光學性質上的差異，並由此改善了觸控螢幕面板的光學均勻性。

透明介電層可以使用氧化鈮，氧化矽，氧化鈰，氧化銦，或類似物質，其可以單獨使用或以其兩或更多的任意組合而使用。透明介電層可以透過使用蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法或類似方法而很容易地沉積成為一薄膜形態。

在本發明中，需要時可在透明基板上形成多個透明介電層。在這種情況下，該多個透明介電層之每個可以由彼此不同的材料所形成，並且可以具有彼此相互不同的折射率和厚度。

然而，由於本發明的透明電極層板包括形成在其中的金屬圖型500，所以可能在不形成透明介電層的情形下，減少由於在分別位置上的結構差異而導致在光學性質上的差異，及從而可以排除透明介電層。

透明基板可由任何材料製備，只要它具有高耐用性來充分地保護觸控螢幕面板免受外力，並且允許使用者好好地觀看顯示器。在相關技術中用以形成透明基板的材料沒有特別的限制，例如，玻璃，聚醚砜（PES），聚丙烯酸酯（PAR），聚醚酰亞胺（PEI），聚萘二甲酸（PEN），聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET），聚苯硫醚（PPS），聚芳酯，聚酰亞胺，聚碳酸酯（PC），三乙酸纖維素（ TAC），乙酸丙酸纖維素（CAP），或類似物質可以使用。較佳的是使用玻璃，並且更佳的是用經強化的玻璃。

根據本發明的透明基板可以具有適當的厚度，例如0.1至0.7mm。當透明基板具有上述範圍內的厚度時，可以進一步增進本發明透明電極層板的反射率降低。

較佳地，該透明基片具有1.4至1.6的折射率。當透明基板具有上述範圍內的折射率時，可以更進一步增進反射率的減少。

在本發明中，透明基板可以進一步包括至少一個光學功能層，該光學功能層在相對於形成透明電極的其表面的一側。光學功能層可以是一種防污層，例如防反射層，防指紋層或者類似者，其可以單獨或以其兩或更多的組合使用。　　　　　　　

(鈍化層)

為了防止感測電極100和橋型電極200因暴露於外部環境（水，空氣等）而被污染，如果有必要時，本發明的透明電極層板還可以包括位在相對於透明基板黏附所在透明電極層板的面之面上的一鈍化層。

鈍化層可從在絕緣層300所用的材料中選擇任意一項而形成。

根據本發明的鈍化層可具有適當的厚度，例如，2000奈米或更小，且具體地說是0至2000奈米。當鈍化層具有在上述範圍內的厚度時，可以進一步增進反射率降低。

較佳地，鈍化層具有1.4至1.6的折射率。當鈍化層具有在上述範圍內的折射率時，可以進一步增進反射率降低。

(黏著劑層)

為了黏著顯示面板的部分，本發明的透明電極層板可以包括一黏著劑層。黏著劑層的製備是藉由使用透明硬化樹脂組成物並將同者固化（OCR）而得，或將先前形成為薄膜狀的黏著劑壓在該透明電極層板上（OCA）

黏著劑層也可以影響透明電極層板的反射率。因此，為了降低透明電極層板的反射率，黏著劑層較佳的是具有適當的厚度和折射率。例如，黏著劑層可具有0到250微米的厚度以及1至1.6的折射率。當黏著劑層的厚度為0微米時，在透明電極層板有沒有黏著劑層。例如，黏著劑層於非形成黏著劑層所在邊緣部分之實際顯示圖像的透明電極層板部分被形成。在這種情況下，在透明電極層板和顯示面板之間只形成有一個空氣間隙。

如上所述，由於本發明的透明電極層板包含形成於絕緣層300中對應於多個感測電極100之間區域上的金屬圖型400，有可能使得透明電極的圖型部分和無圖型部分之間的反射率差極小化，並顯著改善其透明度。因此，本發明的透明電極層板可藉由將其結合到顯示面板部件而製備成具有優良的透明度之觸控螢幕面板。

在下文中，將說明較佳的實施方式，參照實施例，以對本發明更清楚的理解。然而，對於本領域技術人員而言將顯而易見的是，對這些所提供用於說明之目的實施方式的各種修改和變更而不脫離本發明的範圍和精神，都會是可能的，並且這些修改和變化都包含在如所附申請權利範圍所限定的本發明之中。

範例和對照範例

具有下表1中所示厚度的透明電極層板分別製造成於範例1〜7和對照範例1〜4。之後，第2圖所示的區域 和 之對於每個位置的平均反射率和平均反射率差值進行測定，且其結果顯示於表1中。本文中，平均反射率是指在一個反射率範圍為400nm至700nm的平均值。

具有厚度為0.7mm的玻璃（折射率：1.51，消光係數：0）作為透明基板，ITO膜（折射率：1.8，消光係數：0.014）作為感測電極，以及丙烯酸類的絕緣材料（折射指數：1.51，消光係數：0）作為絕緣層，鈍化層分別使用於各層，如表1所示是基於波長550nm的光的反射率和消光係數。

金屬圖型以具有厚度為50或150nm的鉬所形成。

橋型電極以：範例1、3和7，和對照範例1、2和4中的ITO膜（折射率：0.014：1.8，消光係數）和在其它範例和對照範例中的鉬所形成。

然後，在範例7和8，及對照範例4之中橋型電極，絕緣層和感測電極依序形成；在其他的範例和對照範例中的感測電極，絕緣層和橋型電極依序形成。

在表1黏著劑層中的空氣是指黏著劑層不形成於顯示圖像的部分，且黏著劑層僅形成在邊框邊緣部件上。

為了代表性地描述在表1中的範例1，鉬的反射率和在區域 的最外表面的反射率經測定分別為57％和4％，且因此，金屬圖型的總反射率為61％（厚度為50nm和150nm的都相同）。此外，在沒有該絕緣層上的金屬圖型的部分的總反射率量測為8.1％。在區域 的平均反射率是藉由使用量測值和金屬圖型的面積比率計算。其他範例和對照範例中的反射率是用與範例1相同的方法量測。

在每個區域中，由於面積最廣的區域 給予圖型的可見性最大的影響，而其他區域的影響是較小的，圖型的可見性是由區域 和 之間的反射率差做比較。

參閱表1，由於範例1〜7中所備製的透明電極層板具有形成於其上的金屬圖型，在區域 和 之間的反射率的差只有0.1％左右，且因此該圖型不被暴露於使用者。

然而，對於對照範例1〜4中所備製的透明電極層板，在區域 和 之間的反射率差為1.2％或1.3％，是顯著的大，且因此該該圖型被暴露於使用者。

Claims (15)

1. 一種透明電極層板，包含：一感測電極，包含形成於一第一方向的第一圖型，和形成於一第二方向的第二圖型；一橋型電極，該橋型電極用以電連接該等第二圖型的分離的單元圖型；一絕緣層，該絕緣層配置於該感測電極與該橋型電極之間；以及一金屬圖型，其形成在暴露於該第一圖型和該第二圖型之間的該絕緣層上；其中該金屬圖型滿足以下方程式1：[方程式1]0.99≦[(該絕緣層上該金屬圖型的面積比率)×(該金屬圖型之總反射率)+(1-(該絕緣層上該金屬圖型的面積比率))×(該絕緣層上沒有該金屬圖型之部分的總反射率)]/(該感測電極和該橋型電極的總反射率)≦1.01其中，該總反射率是加一界面(表面)反射率於該各別反射率的一值。
2. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該金屬圖型是由選自鉬、銀、鋁和銅所組成群組之至少一者的金屬所形成。
3. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該金屬圖型具有一厚度為20至300奈米。
4. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極係透過形成於該絕緣層的該接觸孔而電連接該等第二圖型。
5. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極包含至少一橋。
6. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極之該橋具有一寬度為2至200微米。
7. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極係由具有導電度高於該感測電極的一材料所形成。
8. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極具有一厚度為20至200奈米。
9. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該橋型電極係由和該金屬圖型相同的材料所形成。
10. 如申請專利範圍第9項所述的透明電極層板，其中該橋型電極之該橋具有一寬度為2至20微米。
11. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，其中該感測電極和該橋型電極係透過以和該金屬圖型相同材料所形成的一位置偵測線而連接於一驅動電路。
12. 如申請專利範圍第1項所述的透明電極層板，更包含一鈍化層，該鈍化層位於一透明基板黏附所在之該透明電極層板之該表面的相對的一表面。
13. 如申請專利範圍第12項所述的透明電極層板，其中該透明基板更包括至少一光學功能層，該光學功能層在該透明電極形成所在之其一表面的相對的一邊。
14. 如申請專利範圍第13項所述的透明電極層板，其中該光學功能層是一抗反射層和一防污染層的至少其中之一。
15. 一觸控螢幕面板，包含如申請專利範圍第1項至第14項任一項所述的透明電極層板。