CN104898886A - 一种基板及其制备方法、触控显示屏 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种基板及其制备方法、触控显示屏，涉及触控屏技术领域，可改善后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题。该基板，包括周边区域；所述周边区域包括：依次设置在衬底基板上的白色光阻层和金属遮光层。用于触控显示屏。

Description

一种基板及其制备方法、触控显示屏
技术领域
本发明涉及触控屏技术领域，尤其涉及一种基板及其制备方法、触控显示屏。
背景技术
一体化触控(One Glass Solution，简称OGS)技术是指在盖板玻璃上直接形成氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)材料的触控电极和金属材料的走线，盖板玻璃同时起到保护功能和触控功能的双重作用。
其中，在OGS制成中，位于盖板玻璃的周边区域起到屏蔽走线以及装饰作用的边框材料必须有足够大的光密度(Optical Density，简称OD)数值，以达到完全遮光的效果。
当采用白色光阻材料作为边框材料时，由于其光密度较小，还需要增加一层黑色光阻涂布在白色光阻上，才能达到完全遮光的效果。基于此，为了保证边框区的色度值，需要白色光阻层的厚度达到一定值。然而，由于白色光阻层加黑色光阻层厚度太厚，在后续形成走线过程中，在爬坡(即：经过白色光阻层和黑色光阻层的段差处)时会出现断线、刻蚀残留等问题，从而影响产品良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、触控显示屏，可改善后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种基板，包括周边区域；所述周边区域包括：依次设置在衬底基板上的白色光阻层和金属遮光层。
优选的，所述金属层为钼合金层。
进一步优选的，所述钼合金层为钼钽氧合金层。
进一步优选的，所述钼钽氧合金层的厚度为
进一步优选的，所述白色光阻层的厚度为8-18μm。
基于上述，优选的，所述基板还包括触控区域，所述触控区域包括交叉设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极，所述第二触控电极包括多个采用搭桥方式连接的第二触控子电极；所述第一触控电极和所述第二触控电极相互绝缘。
进一步优选的，所述基板还包括位于所述金属遮光层远离所述衬底基板一侧的平坦层；所述平坦层还位于所述触控区域内，且所述平坦层位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；位于所述触控区域内且与所述搭桥对应的绝缘块与所述平坦层同层设置，其中所述绝缘块用于使所述第一触控电极和所述第二触控电极绝缘。
进一步优选的，所述基板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的金属走线；所述金属走线与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；所述搭桥的材料为金属材料，且所述搭桥与所述金属走线同层设置。
或者，优选的，所述基板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧且位于不同层的金属走线和透明电极走线，所述金属走线和所述透明电极走线一一对应且接触；其中，所述透明电极走线与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；所述搭桥的材料为透明导电材料，且所述搭桥与所述透明电极走线同层设置。
另一方面，提供一种触控显示屏，包括：显示面板和上述的基板。
再一方面，提供一种基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺在衬底基板的周边区域形成白色光阻层；通过一次构图工艺在所述白色光阻层上方形成金属遮光层；通过一次构图工艺在衬底基板的触控区域形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极，相邻所述第二触控子电极断开；通过一次构图工艺形成绝缘块和平坦层；其中，所述绝缘块位于相邻所述第二触控子电极的断开处；所述平坦层位于所述周边区域和所述触控区域内，且位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；通过一次构图工艺形成金属材料的搭桥和金属走线；其中，所述搭桥位于所述绝缘块的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极；所述金属走线位于所述平坦层上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接。
优选的，所述金属遮光层为钼钽氧合金层；形成所述钼钽氧合金层，包括：在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层。
又一方面，提供一种基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺在衬底基板的周边区域形成白色光阻层；通过一次构图工艺在所述白色光阻层上方形成金属遮光层；通过一次构图工艺在衬底基板的触控区域形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极，相邻所述第二触控子电极断开；通过一次构图工艺形成绝缘块和平坦层；其中，所述绝缘块位于相邻所述第二触控子电极的断开处；所述平坦层位于所述周边区域和所述触控区域内，且位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；通过一次构图工艺形成透明导电材料的搭桥和透明电极走线；其中，所述搭桥位于所述绝缘块的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极；所述透明电极走线位于所述平坦层上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；通过一次构图工艺在所述周边区域形成金属走线；其中，所述金属走线和所述透明电极走线一一对应且接触。
优选的，所述金属遮光层为钼钽氧合金层；形成所述钼钽氧合金层，包括：在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层。
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、触控显示屏，通过在周边区域设置白色光阻层可以起到屏蔽走线和装饰的作用，在此基础上，通过在所述白色光阻层远离所述衬底基板一侧设置所述金属遮光层，可以使周边区域达到完全遮光的效果。其中，由于所述金属遮光层可以做的较薄，因而使得白色光阻层和金属遮光层的整体厚度相对较小，从而可以改善后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题，进而可以提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基板的示意图；
图2a为在图1基础上沿AA′向的剖视示意图一；
图2b为在图1基础上沿AA′向的剖视示意图二；
图3为本发明实施例提供的一种基板的触控区域的俯视结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种基板的俯视结构示意图；
图5a为在图4基础上沿BB′向的剖视示意图一；
图5b为在图4基础上沿BB′向的剖视示意图二；
图6为本发明实施例提供的一种制备基板的流程示意图一；
图7为本发明实施例提供的一种制备基板的流程示意图二。
附图标记：
01-基板；10-触控区域；101-第一触控子电极；102-第二触控子电极；103-搭桥；104-绝缘块；20-周边区域；201-衬底基板；202-白色光阻层；203-金属遮光层；2031-钼钽氧合金层；204-平坦层；2051-金属走线；2052-透明电极走线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种基板01，如图1所示，该基板01包括周边区域20，如图2a和2b所示，所述周边区域20包括：依次设置在衬底基板201上的白色光阻层202和金属遮光层203。
需要说明的是，第一，不对所述衬底基板201的材料进行限定，优选为经过强化的ITO玻璃基板。
第二，本领域技术人员应该明白，在所述白色光阻层202上方设置金属遮光层203，其作用是增加所述周边区域20的光密度。其中，本发明实施例采用金属遮光层203，是基于金属遮光层203的高反射率来提高光线的反射率，从而增加所述周边区域20的光密度。
基于此，本发明实施例不对所述金属遮光层203的材料进行限定，例如可以为金属单质，合金，其中，合金可以至少包括两种金属单质，进一步还可包括非金属，以能增加所述周边区域20的光密度为准。
第三，由于本发明中白色光阻层202的一个作用是起装饰作用，因此，本发明实施例优选从衬底基板202相对所述白色光阻层202和金属遮光层203的另一侧看过去，所述金属遮光层203应该被所述白色光阻层202遮挡，以保证所述金属遮光层203不被露出来，从而保证周边区域20的色度值。
本发明实施例提供了一种基板01，通过在周边区域20设置白色光阻层202可以起到屏蔽走线和装饰的作用，在此基础上，通过在所述白色光阻层202远离所述衬底基板201一侧设置所述金属遮光层203，可以使周边区域20达到完全遮光的效果。其中，由于所述金属遮光层203可以做的较薄，因而使得白色光阻层202和金属遮光层203的整体厚度相对较小，从而可以改善后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题，进而可以提高产品良率。
考虑到钼合金具有良好的导热性，低的膨胀系数，因此，本发明实施例优选所述金属遮光层203为钼合金层。
进一步的，由于钼的氧化物不会污染玻璃基板，因此，优选所述钼合金层为钼钽氧合金层2031。
需要说明的是，现有技术中将白色光阻层做的较厚是因为黑色光阻层的颜色为纯黑色，颜色较深，因而使得所述白色光阻层必须做到一定厚度才能不影响所述白色光阻本身的色纯度。而本发明实施例中采用的钼钽氧合金层2031，其颜色相对纯黑色的黑色光阻层较浅，因而较薄的白色光阻层202就可以遮挡住所述钼钽氧合金层2031，从而可以保证基板的周边区域20的色纯度。
进一步优选的，所述钼钽氧合金层2031的厚度为优选所述钼钽氧合金层2031的厚度为即，采用较小厚度的钼钽氧合金层2031便可以使周边区域20达到完全遮光的效果。
进一步优选的，所述白色光阻层202的厚度为8-18μm，其中，所述白色光阻层202的厚度可以为10μm、12μm、14μm、16μm等，优选所述白色光阻层202的厚度可以为10μm。
通过设置所述钼钽氧合金层2031，可以增加所述周边区域20的光密度，从而使周边区域20达到遮光的效果；并且由于钼钽氧合金层2031的颜色相对黑色光阻颜色较浅，因此可以降低所述白色光阻层202的厚度，从而使得白色光阻层202和金属遮光层203的整体厚度更小(即白色光阻层202和金属遮光层203产生的段差更小)，进而极大的改善了后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题。
基于上述，如图3和图4所示，所述基板01还包括触控区域10，所述触控区域10包括交叉设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极101，所述第二触控电极包括多个采用搭桥方式连接的第二触控子电极102；所述第一触控电极和所述第二触控电极相互绝缘。
需要说明的是，第一，所述第二触控电极包括多个采用搭桥方式连接的第二触控子电极102，即为：相邻两个所述第二子电极102断开，其通过搭桥103电连接。
第二，所述第一触控子电极101和第二触控子电极102的材料可以为透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)。所述搭桥103的材料可以为金属导电材料也可以为透明导电材料。此外，所述第一触控子电极101和第二触控子电极102可以同层设置，即通过一次构图工艺形成。
本发明实施例中通过在所述基板01的触控区域10设置第一触控电极和第二触控电极，使得该基板01具有触控功能。
进一步优选的，如图5a和图5b所示，所述基板01还包括位于所述金属遮光层203远离所述衬底基板201一侧的平坦层204；所述平坦层204还位于所述触控区域10内，且所述平坦层10位于所述触控区域10内的边缘距离靠近的所述触控区域10的边缘的长度为10-50μm。其中，该长度例如可以为20μm、30μm、40μm等。
在此基础上，位于所述触控区域10内且与所述搭桥103对应的绝缘块104与所述平坦层204同层设置。其中，如图4所示，所述绝缘块104用于使所述第一触控电极和所述第二触控电极绝缘。
即，通过一次构图工艺既形成所述绝缘块104，也形成所述平坦层204，因而可以避免构图工艺次数的增加。
其中，所述平坦层204，一方面，可以起到使所述金属遮光层203与后续形成的走线绝缘的作用，另一方面，相对所述平坦层204只位于所述周边区域20，使得平坦层204、白色光阻层202和金属遮光层203的整体厚度太厚而导致段差太高，本发明实施例中，由于所述平坦层204不仅位于所述周边区域20，还位于所述触控区域10，因此，可以避免由于所述平坦层204的厚度叠加在所述白色光阻层202和金属遮光层203的厚度上而导致段差过高的问题。
此外，本发明实施例中设置所述平坦层10位于所述触控区域10内的边缘距离靠近的所述触控区域10的边缘的长度为10-50μm，可以避免所述平坦层204覆盖到所述第一触控电极和所述第二触控电极，从而导致触控性能下降。
进一步的，所述平坦层204的厚度可以为1-2μm，优选为1.5μm。
需要说明的是，所述绝缘块104和所述平坦层204的材料可以为有机感光树脂材料，例如有机光刻胶材料。
进一步的，如图4和图5a所示，所述基板01还包括位于所述平坦层204远离所述衬底基板201一侧的金属走线2051；所述金属走线2051与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；所述搭桥103的材料为金属材料，且所述搭桥103与所述金属走线2051同层设置。
即，通过一次构图工艺便可既形成所述搭桥103，又形成所述金属走线2051，避免构图工艺次数的增加。
或者，如图4和图5b所示，所述基板01还包括位于所述平坦层204远离所述衬底基板201一侧且位于不同层的金属走线2051和透明电极走线2052，所述金属走线2051和所述透明电极走线2052一一对应且接触；其中，所述透明电极走线2052与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；所述搭桥103的材料为透明导电材料，且所述搭桥103与所述透明电极走线2052同层设置。
即，通过一次构图工艺便可既形成所述搭桥103，又形成所述透明电极走线2052，避免构图工艺次数的增加。
本发明实施例中，一方面，通过将所述搭桥103的材料设置为透明导电材料，可以避免所述触控区域10开口率的下降，另一方面，相对只有金属走线2051的情况，所述金属走线2051需跨入触控区域10中连接所述第一触控电极或第二触控电极，因而使得所述触控区域10开口率下降，本发明通过设置与所述金属走线2051一一对应的透明电极走线2052，可以使所述透明电极走线2052跨入触控区域10中连接所述第一触控电极或第二触控电极，而所述金属走线2051可以只位于所述周边区域20，因而可以避免开口率的下降，并且可以避免由于透明电极走线2052的材料电阻较大而导致信号延迟的问题。
基于上述，所述基板01还包括设置在最外侧的所述金属走线2051或透明电极走线2052远离所述衬底基板201一侧的保护层。这样，可以避免走线与其他导电材料发生短路。
本发明实施例还提供一种触控显示屏，该触控显示屏包括：显示面板和上述的基板01。
需要说明的是，本发明实施例中不对所述显示面板的类型进行限定，其可以是液晶显示面板，有机电致发光二极管显示面板等，具体在此不做限定。
其中，当所述显示面板为液晶显示面板时，所述显示面板中的阵列基板可以包括薄膜晶体管，与薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极。在此基础上，该阵列基板还可以包括公共电极。其中，对于共平面切换型(In-Plane Switch，简称IPS)阵列基板而言，所述像素电极和所述公共电极同层间隔设置，且均为条状电极；对于高级超维场转换型(Advanced-super Dimensional Switching，简称ADS)阵列基板而言，所述像素电极和所述公共电极不同层设置，其中在上的电极为条状电极，在下的电极为板状电极。基于此，所述显示面板还包括彩膜基板。
当所述显示面板为有机电致发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，简称OLED显示面板时，所述显示面板中的阵列基板可以包括薄膜晶体管，与薄膜晶体管的漏极电连接的阳极，还包括阴极和有机材料功能层。其中，有机材料功能层至少包括发光层，进一步还可以包括电子传输层和空穴传输层，在此基础上为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，还可以包括设置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层，以及设置在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层。基于此，所述显示面板还包括封装层，其中所述封装层可以是薄膜封装也可以是基板封装。
本发明实施例还提供了一种基板的制备方法，如图6所示，该方法包括如下步骤：
S10、通过一次构图工艺在衬底基板201的周边区域20形成白色光阻层202。
其中，所述白色光阻层202的厚度可以为8-18μm。
S11、通过一次构图工艺在所述白色光阻层202上方形成金属遮光层203。
其中，所述金属遮光层203为钼合金层。
进一步，所述钼合金层为钼钽氧合金层2031。所述钼钽氧合金层2031的厚度可以为
在此基础上，形成所述钼钽氧合金层2031具体可以是：在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层2031。
此处，氧气和氩气的含量比可以是摩尔分数比，也可以是体积分数比。
S12、通过一次构图工艺在衬底基板201的触控区域10形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极101；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极102，相邻所述第二触控子电极102断开。
S13、通过一次构图工艺形成绝缘块104和平坦层204；其中，所述绝缘块104位于相邻所述第二触控子电极102的断开处；所述平坦层204位于所述周边区域20和所述触控区域10内，且位于所述触控区域10内的边缘距离靠近的所述触控区域10的边缘的长度为10-50μm。
所述平坦层204的厚度可以为1-2μm，优选为1.5μm。
S14、通过一次构图工艺形成金属材料的搭桥103和金属走线2051；其中，所述搭桥103位于所述绝缘块104的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极102；所述金属走线2051位于所述平坦层204上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接。
当然，如图7所示，基板的制备方法还可以包括如下步骤：
S20、通过一次构图工艺在衬底基板201的周边区域20形成白色光阻层202。
其中，所述白色光阻层202的厚度可以为8-18μm。
S21、通过一次构图工艺在所述白色光阻层202上方形成金属遮光层203。
其中，所述金属遮光层203为钼合金层。
进一步，所述钼合金层为钼钽氧合金层2031。所述钼钽氧合金层2031的厚度可以为
在此基础上，形成所述钼钽氧合金层2031具体可以是：在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层2031。
此处，氧气和氩气的含量比可以是摩尔分数比，也可以是体积分数比。
S22、通过一次构图工艺在衬底基板201的触控区域10形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极101；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极102，相邻所述第二触控子电极102断开。
S23、通过一次构图工艺形成绝缘块104和平坦层204；其中，所述绝缘块104位于相邻所述第二触控子电极102的断开处；所述平坦层204位于所述周边区域20和所述触控区域10内，且位于所述触控区域10内的边缘距离靠近的所述触控区域10的边缘的长度为10-50μm。
所述平坦层204的厚度可以为1-2μm，优选为1.5μm。
S24、通过一次构图工艺形成金属材料的搭桥103和金属走线2051；其中，所述搭桥103位于所述绝缘块104的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极102；所述金属走线2051位于所述平坦层204上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接。
S25、通过一次构图工艺在所述周边区域20形成金属走线2051；其中，所述金属走线2051和所述透明电极走线2052一一对应且接触。
对于上述两种方法，需要说明的是，第一，所述衬底基板201可以是经过强化的ITO玻璃基板。
第二，本发明实施例中，根据各膜层材料的不同，所述构图工艺可以包括涂胶、曝光、显影、刻蚀等步骤，也可以包括曝光、显影等步骤(即：构图工艺包括光刻工艺)。
其中，由于白色光阻层202的材料类似于树脂材料，因此，本发明实施例优选形成所述白色光阻层202采用光刻工艺即可。
第三，不对上述S10-S11与S12的顺序进行限定，当然，也不对S20-S21与S22。
本发明实施例提供的基板的制备方法，由于所述金属遮光层203可以做的较薄，因而使得白色光阻层202和金属遮光层203的整体厚度相对较小，从而可以改善后续在形成走线的过程中，出现的断线、刻蚀残留等问题，进而可以提高产品良率。
基于上述，所述方法还包括在最外侧的所述金属走线2051或透明电极走线2052远离所述衬底基板201一侧形成保护层。这样，可以避免走线与其他导电材料发生短路。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种基板，包括周边区域；其特征在于，所述周边区域包括：依次设置在衬底基板上的白色光阻层和金属遮光层。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述金属遮光层为钼合金层。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述钼合金层为钼钽氧合金层。
4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述钼钽氧合金层的厚度为
5.根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述白色光阻层的厚度为8-18μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基板，其特征在于，所述基板还包括触控区域，所述触控区域包括交叉设置的第一触控电极和第二触控电极，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极，所述第二触控电极包括多个采用搭桥方式连接的第二触控子电极；所述第一触控电极和所述第二触控电极相互绝缘。
7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述基板还包括位于所述金属遮光层远离所述衬底基板一侧的平坦层；
所述平坦层还位于所述触控区域内，且所述平坦层位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；
位于所述触控区域内且与所述搭桥对应的绝缘块与所述平坦层同层设置，其中所述绝缘块用于使所述第一触控电极和所述第二触控电极绝缘。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述基板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的金属走线；所述金属走线与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；
所述搭桥的材料为金属材料，且所述搭桥与所述金属走线同层设置。
9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述基板还包括位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧且位于不同层的金属走线和透明电极走线，所述金属走线和所述透明电极走线一一对应且接触；其中，所述透明电极走线与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；
所述搭桥的材料为透明导电材料，且所述搭桥与所述透明电极走线同层设置。
10.一种触控显示屏，其特征在于，包括：显示面板和权利要求1-9任一项所述的基板。
11.一种如权利要求8所述的基板的制备方法，其特征在于，包括：
通过一次构图工艺在衬底基板的周边区域形成白色光阻层；
通过一次构图工艺在所述白色光阻层上方形成金属遮光层；
通过一次构图工艺在衬底基板的触控区域形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极，相邻所述第二触控子电极断开；
通过一次构图工艺形成绝缘块和平坦层；其中，所述绝缘块位于相邻所述第二触控子电极的断开处；所述平坦层位于所述周边区域和所述触控区域内，且位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；
通过一次构图工艺形成金属材料的搭桥和金属走线；其中，所述搭桥位于所述绝缘块的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极；所述金属走线位于所述平坦层上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属遮光层为钼钽氧合金层；
形成所述钼钽氧合金层，包括：
在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；
通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层。
13.一种如权利要求9所述的基板的制备方法，其特征在于，
通过一次构图工艺在衬底基板的周边区域形成白色光阻层；
通过一次构图工艺在所述白色光阻层上方形成金属遮光层；
通过一次构图工艺在衬底基板的触控区域形成交叉且相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极包括多个直接连接的第一触控子电极；所述第二触控电极包括多个第二触控子电极，相邻所述第二触控子电极断开；
通过一次构图工艺形成绝缘块和平坦层；其中，所述绝缘块位于相邻所述第二触控子电极的断开处；所述平坦层位于所述周边区域和所述触控区域内，且位于所述触控区域内的边缘距离靠近的所述触控区域的边缘的长度为10-50μm；
通过一次构图工艺形成透明导电材料的搭桥和透明电极走线；其中，所述搭桥位于所述绝缘块的上方且用于电连接相连所述第二触控子电极；所述透明电极走线位于所述平坦层上方且用于与所述第一触控电极或第二触控电极电连接；
通过一次构图工艺在所述周边区域形成金属走线；其中，所述金属走线和所述透明电极走线一一对应且接触。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属遮光层为钼钽氧合金层；
形成所述钼钽氧合金层，包括：
在氩气环境下，采用溅射工艺溅射钼钽，并通入氧气，形成钼钽氧合金薄膜；其中，所述氧气和氩气的含量在1:9-2:8之间；
通过一次构图工艺，形成所述钼钽氧合金层。
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