KR20210040203A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210040203A
KR20210040203A KR1020190122099A KR20190122099A KR20210040203A KR 20210040203 A KR20210040203 A KR 20210040203A KR 1020190122099 A KR1020190122099 A KR 1020190122099A KR 20190122099 A KR20190122099 A KR 20190122099A KR 20210040203 A KR20210040203 A KR 20210040203A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
blocking member
disposed
layer
substrate
organic light
Prior art date
Application number
KR1020190122099A
Other languages
English (en)
Inventor
김영대
김진석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190122099A priority Critical patent/KR20210040203A/ko
Priority to US16/896,608 priority patent/US11329120B2/en
Priority to CN202011006742.7A priority patent/CN112599564A/zh
Publication of KR20210040203A publication Critical patent/KR20210040203A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H01L51/5237—
    • H01L27/3244—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L2251/301—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 기판 상의 주변 영역에 배치되고, 화소 구조물을 둘러싸며, 화소 구조물과 인접하여 위치하는 제1 측면, 제1 측면과 반대되는 제2 측면 및 제1 측면과 제2 측면 사이에 위치하는 상면을 포함하는 하부 차단 부재, 하부 차단 부재의 상면 및 제2 측면 상에 배치되고, 하부 차단 부재와 함께 제1 차단 구조물을 구성하는 상부 차단 부재 및 제1 차단 구조물과 기판 사이에 배치되고, 하부 차단 부재의 제2 측면 상에 위치하는 상부 차단 부재의 저면과 접촉하는 금속 부재를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 차단 구조물의 막들뜸 현상을 방지할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 차단 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 기판 및 상부 기판을 플렉서블한 재료로 구성하여 유기 발광 표시 장치의 일부가 벤딩 또는 폴딩될 수 있는 플렉서블 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 예를 들면, 상기 하부 기판은 플렉서블한 기판을 포함할 수 있고, 상부 기판은 박막 봉지 구조물을 포함할 수 있다. 여기서, 박막 봉지 구조물은 무기층 및 유기층이 교번하여 적층되는 구조를 가질 수 있고, 상기 유기층의 리플로우를 방지하기 위해 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 외곽부에는 차단 구조물이 배치될 수 있다. 한편, 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 하부 전극을 제조하는 과정에서 사용되는 식각액이 변경됨에 따라 차단 구조물 아래에 배치되는 절연층의 거침 정도(roughness)가 상대적으로 낮아짐으로써 차단 구조물과 절연층의 접촉면이 감소됨에 따라 접촉 불량이 야기될 수 있고, 결과적으로 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 불량이 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 차단 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물을 둘러싸며, 상기 화소 구조물과 인접하여 위치하는 제1 측면, 상기 제1 측면과 반대되는 제2 측면 및 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치하는 상면을 포함하는 하부 차단 부재, 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재와 함께 제1 차단 구조물을 구성하는 상부 차단 부재 및 상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면과 접촉하는 금속 부재를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 무기 물질을 함유하는 층간 절연층을 더 포함하고, 상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉되지 않도록 상기 금속 부재가 상기 상부 차단 부재의 저면과 상기 층간 절연층 사이에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향인 제1 방향으로 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면으로부터 이격되어 상기 주변 영역에 배치되는 제2 차단 구조물을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되는 제1 전원 배선을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 차단 구조물과 상기 제1 전원 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 상면의 적어도 일부 및 상기 제1 측면 상에 배치되는 연결 전극을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 부재는 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 연결 전극이 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 연결 전극이 상기 금속 부재와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 연결 전극은 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 제1 전원 배선으로부터 상기 제1 방향으로 이격되어 상기 표시 영역에 배치되는 반도체 소자 및 상기 기판 상에서 상기 제1 전원 배선과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 제2 전원 배선을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 구조물은 상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하고, 상기 연결 전극이 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 상부 전극과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극, 상기 제1 차단 구조물 및 상기 제2 차단 구조물 상에 배치되는 제1 무기 박막 봉지층, 상기 제1 무기 박막 봉지층 상에 배치되는 유기 박막 봉지층 및 상기 제1 무기 박막 봉지층 및 상기 유기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 무기 박막 봉지층 및 상기 유기 박막 봉지층과 함께 박막 봉지 구조물을 구성하는 제2 무기 박막 봉지층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물을 둘러싸며, 상기 화소 구조물과 인접하여 위치하는 제1 측면, 상기 제1 측면과 반대되는 제2 측면 및 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치하는 상면을 포함하는 하부 차단 부재, 상기 하부 차단 부재 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재와 함께 제1 차단 구조물을 구성하는 상부 차단 부재 및 상기 하부 차단 부재와 상기 상부 차단 부재 사이에 위치하도록 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 및 상기 상면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 상면을 완전히 덮는 연결 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 연결 전극이 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 연결 전극은 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 부재는 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 무기 물질을 함유하는 층간 절연층을 더 포함하고, 상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉되지 않도록 상기 연결 전극이 상기 상부 차단 부재의 저면과 상기 층간 절연층 사이에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 차단 부재의 상면에 복수의 그루브가 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 금속 부재를 포함함으로써, 상부 차단 부재가 층간 절연층과 직접적으로 접촉하지 않도록 하부 차단 부재의 제2 측면 상에 위치하는 상부 차단 부재의 저면이 금속 부재의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상부 차단 부재와 층간 절연층의 막들뜸 현상이 발생하지 않을 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치가 하부 차단 부재를 완전히 덮는 연결 전극을 포함함으로써, 상부 차단 부재의 저면이 연결 전극과 접촉할 수 있고, 상부 차단 부재가 층간 절연층과 접촉하지 않을 수 있다. 이에 따라, 막들뜸 현상이 발생하지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 도 13 및 14의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 13 및 14의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 표시 영역(10)을 둘러싸는 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 영역(10)은 복수의 화소 영역들(30)을 포함할 수 있다.
화소 영역들(30) 각각에는 화소 구조물(예를 들어, 도 2의 화소 구조물(200))이 배치될 수 있다. 상기 화소 구조물들을 통해 표시 영역(10)에서 화상(예를 들어, 영상 이미지)이 표시될 수 있다. 주변 영역(20)에는 배선들(예를 들어, 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선 등), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345) 등이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 배선들은 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향으로 연장되어 상기 화소 구조물들과 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(20)에 제1 차단 구조물(350)이 배치될 수 있고, 제1 차단 구조물(350)의 내측 방향으로 이격되어 제2 차단 구조물(345)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 차단 구조물(345)이 표시 영역(10)을 둘러쌀 수 있고, 제1 차단 구조물(350)이 제2 차단 구조물(345) 및 표시 영역(10)을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 구조물(350)과 제2 차단 구조물(345)은 서로 접촉하지 않을 수 있고, 서로 평행하게 배치될 수 있다. 차단 구조물(400)은 이후 설명될 박막 봉지 구조물에 포함된 유기 박막 봉지층의 누출을 방지할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블한 기판 및 상기 박막 봉지 구조물을 포함함으로써, 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
도 1에 도시된 표시 영역(10), 주변 영역(20) 및 화소 영역(30) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖지만 표시 영역(10), 주변 영역(20) 및 화소 영역(30) 각각의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10), 주변 영역(20) 및 화소 영역(30) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2 및 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 금속 부재(400), 평탄화층(270), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345),화소 구조물(200), 연결 전극(295), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 화소 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있고, 제1 차단 구조물(350)은 하부 차단 부재(360) 및 상부 차단 부재(370)를 포함할 수 있다. 더욱이, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제1 측면(361)과 반대되는 제2 측면(362) 및 제1 측면(361)과 제2 측면(362) 사이에 위치하는 상면(363)을 포함할 수 있고, 제1 측면(361)은 화소 구조물(200)과 인접하여 위치할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소 영역들(30)을 포함하는 표시 영역(10) 및 표시 영역(10)을 둘러싸는 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 화소 영역(30)에서는 화소 구조물(200)을 통해 화상이 표시될 수 있고, 주변 영역(20)에는 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345), 배선들 등이 배치되며 비표시 영역에 해당될 수 있다. 표시 영역(10)에는 복수의 트랜지스터들(예를 들어, 반도체 소자(250)), 복수의 커패시터들, 복수의 배선들 등이 추가적으로 배치될 수도 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 플렉서블한 기판(110) 및 박막 봉지 구조물(450)을 포함함으로써 유기 발광 표시 장치(100)는 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 제1 유기층, 제1 베리어층, 제2 유기층 및 제2 베리어층이 순서대로 적층되는 구성을 가질 수 있다. 상기 제1 베리어층 및 상기 제2 베리어층은 실리콘 산화물과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층은 폴리이미드계 수지와 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 유기층들 각각은 기판이 연성을 갖도록 도울 수 있고, 상기 제1 및 제2 베리어층들 각각은 상기 제1 및 제2 유기층들을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법에 있어서, 기판(110)이 얇고 연성을 갖기 때문에, 기판(110)은 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250), 화소 구조물(200), 박막 봉지 구조물(450) 등)의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 베리어층 상에 버퍼층(115)을 배치한 후, 버퍼층(115) 상에 상기 상부 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 다시 말하면, 기판(110)의 플렉서블한 물성 때문에, 기판(110) 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 제1 유기층, 상기 제1 베리어층, 상기 제2 유기층 및 상기 제2 베리어층이 기판(110)으로 이용될 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수도 있다.
다만, 기판(110)이 4개의 층들을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 단일층 또는 복수의 층들을 포함할 수도 있다.
유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10), 화소 영역(30) 및 주변 영역(20)을 가짐에 따라, 기판(110)도 표시 영역(10), 화소 영역(30) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 상부 구조물로 확산되는 현상을 방지할 수 있고, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층들(115)이 제공되거나 버퍼층(115)이 배치되지 않을 수 있다. 버퍼층(115)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산탄화물(SiOC), 실리콘 탄질화물(SiCN), 알루미늄 산화물(AlO), 알루미늄 질화물(AlN), 탄탈륨 산화물(TaO), 하프늄 산화물(HfO), 지르코늄 산화물(ZrO), 티타늄 산화물(TiO) 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130)이 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 액티브층(130)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층(130)은 소스 영역 및 드레인 영역을 가질 수 있다.
버퍼층(115) 및 액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(170)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150) 및 게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)과 상부 차단 부재(370)는 서로 접촉하지 않을 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 화소 영역(30)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130),게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 기판(110) 상에서 제1 전원 배선(380)으로부터 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향인 제1 방향(D1)으로 이격되어 표시 영역(10)에 배치될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)가 하나의 트랜지스터(예를 들어, 반도체 소자(250))를 포함하는 구성을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 적어도 2개의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 구성을 가질 수도 있다.
또한, 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 하부 게이트 구조 및/또는 더블 게이트 구조를 가질 수도 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 금속 부재(400)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 금속 부재(400)는 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에서 최외곽에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 금속 부재(400)는 제1 차단 구조물(350)과 기판(110)(또는, 층간 절연층(190)) 사이에 배치될 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 저면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들면, 금속 부재(400)는 상부 차단 부재(370)가 층간 절연층(190)과 직접적으로 접촉하지 않도록 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362)으로부터 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로의 방향(예를 들어, 제2 방향(D2))으로 돌출될 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 차단 구조물(350)이 표시 영역(10)을 둘러싸는 형상을 가짐에 따라, 금속 부재(400)도 표시 영역(10)을 둘러싸는 폐-루프 형상을 가질 수 있다. 선택적으로, 금속 부재(400)는 상기 폐-루프가 부분적으로 개방된 형상을 가질 수도 있다.
금속 부재(400)는 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 금속 부재(400)는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WN), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiN), 크롬 질화물(CrN), 탄탈륨 질화물(TaN), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnO), 인듐 산화물(InO), 갈륨 산화물(GaO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 금속 부재(400)는 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
예를 들면, 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 하부 전극을 형성하는 공정에서 사용되는 제1 식각액은 인산, 질산, 초산 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 식각액을 이용하여 상기 하부 전극을 식각하는 경우, 상기 제1 식각액에 의해 층간 절연층의 일부가 식각되기 때문에 상기 층간 절연층의 상면의 거침 정도(roughness)가 상대적으로 높을 수 있다(예를 들어, 상기 층간 절연층의 상면이 불균일하거나 또는 요철이 형성됨). 이에 따라, 상기 하부 전극이 형성된 후, 주변 영역에 위치하는 상기 층간 절연층 상에 상기 상부 차단 부재가 배치되더라도 상기 층간 절연층의 상기 상면과 상기 상부 차단 부재의 저면의 접촉 면적이 상대적으로 증가됨으로써 상기 층간 절연층으로부터 상기 상부 차단 부재가 잘 분리되지 않았다.
본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법에 있어서, 하부 전극(290)은 ITO/Ag/ITO가 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. 하부 전극(290)을 식각하는 공정에서, 하부 전극(290)으로부터 Ag 환원되어 Ag 입자가 재석출되는 것을 방지하기 위해 제2 식각액을 이용하여 하부 전극(290)을 식각할 수 있다. 여기서, 상기 제2 식각액은 인산을 제외한 질산, 초산 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 식각액을 이용하여 하부 전극(290)을 식각하는 경우, 상기 제2 식각액에 의해 층간 절연층(190)이 식각되지 않을 수 있다. 다시 말하면, 층간 절연층(190)의 상면의 상기 거침 정도가 상대적으로 낮을 수 있다(예를 들어, 층간 절연층(190)의 상면이 균일하거나 평탄한 상면을 가짐). 이에 따라, 하부 전극(290)이 형성된 후, 주변 영역(20)에 위치하는 층간 절연층(190) 상에 상부 차단 부재(370)를 배치할 경우, 층간 절연층(190)의 상면과 상부 차단 부재(370)의 저면의 접촉 면적이 상대적으로 줄어듦으로써 층간 절연층(190)으로부터 상부 차단 부재(370)가 분리(예를 들어, 막들뜸 현상)될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 금속 부재(400)가 배치된 후, 상부 차단 부재(370)의 저면이 금속 부재(400)와 접촉함으로써 상부 차단 부재(370)와 금속 부재(400) 사이의 접착력이 상대적으로 증가될 수 있다. 예를 들면, 유기 물질을 포함하는 상부 차단 부재(370)가 무기 물질을 포함하는 층간 절연층(190)과의 접착력보다 금속을 포함하는 금속 부재(400)와의 접착력이 상대적으로 클 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)가 금속 부재(400)를 포함함으로써, 상부 차단 부재(370)와 층간 절연층(190) 사이의 상기 막들뜸 현상이 방지될 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에서 금속 부재(400)로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 제1 전원 배선(380)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 전원 배선(380)은 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 제1 전원 배선(380)에는 저전원 전압이 제공될 수 있다. 여기서, 상기 저전원 전압은 연결 전극(295)을 통해 상부 전극(340)에 인가될 수 있다. 예를 들면, 제1 전원 배선(380)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전원 배선(380)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제2 전원 배선(390)이 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 전원 배선(390)은 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접하여 배치될 수 있고, 층간 절연층(190) 상의 제1 전원 배선(380)과 드레인 전극(230)(또는 반도체 소자(250)) 사이에 위치할 수 있다. 또한, 제2 전원 배선(390)에는 상기 저전원 전압보다 상대적으로 높은 전압 레벨을 갖는 고전원 전압이 제공될 수 있다. 여기서, 상기 고전원 전압은 하부 전극(290)에 인가될 수 있다. 예를 들면, 제2 전원 배선(390)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전원 배선(390)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 금속 부재(400), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 소스 전극(210)및 드레인 전극(230)은 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10)에 배치되는 복수의 배선들을 더 포함할 수도 있다. 예를 들면, 제1 전원 배선(380)과 드레인 전극(230) 사이에 상기 배선들이 배치될 수 있다.
층간 절연층(190), 제2 전원 배선(390), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있고, 평탄화층(270)은 제1 전원 배선(380)과 중첩되지 않을 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)의 일부가 제1 전원 배선(380)의 적어도 일부와 중첩할 수도 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 제2 전원 배선(390) 및 소스 및 드레인 전극들(210, 230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 또한, 평탄화층(270)은 드레인 전극(230)의 상면을 노출시키는 콘택홀을 가질 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 및 금속 부재(400)의 일부 상의 주변 영역(20)에 하부 차단 부재(360)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 하부 차단 부재(360)는 금속 부재(400)의 일부와 중첩될 수 있고, 화소 구조물(200)을 둘러쌀 수 있다. 또한, 하부 차단 부재(360)는 유기 박막 봉지층(452)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있고, 하부 차단 부재(360)는 평탄화층(270)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 하부 차단 부재(360)는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 차단 부재(360)는 유기 물질을 포함할 수 있고, 상기 유기 물질은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270), 하부 차단 부재(360) 및 보호 절연층(430)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 상기 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(270), 제1 전원 배선(380), 하부 차단 부재(360)의 상면(363)의 일부 및 제1 측면(361) 상에 연결 전극(295)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 연결 전극(295)은 평탄화층(270) 상에서 하부 전극(290)으로부터 이격되어 제1 방향(D1)과 반대되는 제2 방향(D2)(예를 들어, 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로의 방향)으로 연장될 수 있고, 연결 전극(295)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접한 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 배치될 수 있다. 연결 전극(295)은 주변 영역(20)에서 제2 차단 구조물(345)과 제1 전원 배선(380) 사이에 개재될 수 있으며, 연결 전극(295)의 일부가 하부 차단 부재(360)와 상부 차단 부재(370) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 연결 전극(295)이 제1 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 및 상면(363)의 일부 상에 배치될 수 있다.
연결 전극(295)은 제1 전원 배선(380)과 상부 전극(340)을 전기적으로 연결시킬 수 있고, 연결 전극(295)은 제1 전원 배선(380)으로부터 저전원을 제공받을 수 있으며, 상기 저전원 전압이 상부 전극(340)에 인가될 수 있다. 연결 전극(295)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(295)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)과 연결 전극(295)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 일부, 연결 전극(295)의 일부 및 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
금속 부재(400), 하부 차단 부재(360) 및 연결 전극(295)의 일부 상에 상부 차단 부재(370)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363) 및 제2 측면(362) 상에 배치될 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 저면은 금속 부재(400)와 접촉할 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)와 함께 유기 박막 봉지층(452)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 차단 부재(370)는 유기 물질을 포함할 수 있다.
연결 전극(295) 상의 주변 영역(20)에 제2 차단 구조물(345)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 차단 구조물(345)은 기판(110) 상에서 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361)으로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 연결 전극(295) 중에서 하부에 제1 전원 배선(380)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 차단 구조물(345)은 표시 영역(10)을 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 구조물(345)은 제1 차단 구조물(350)과 함께 유기 박막 봉지층(452)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있다. 제2 차단 구조물(345)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 구조물(345)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310), 제2 차단 구조물(345) 및 상부 차단 부재(370)는 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
이에 따라, 하부 차단 부재(360)및 상부 차단 부재(370)를 포함하는 제1 차단 구조물(350)이 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 차단 구조물(350)은 제2 차단 구조물(345)로부터 제2 방향(D2)으로 이격되어 배치될 수 있고, 제1 차단 구조물(350)은 제2 차단 구조물(345)을 둘러쌀 수 있다.
예를 들면, 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 제조 공정 마진에 따라 상부 차단 부재가 하부 차단 부재의 상면 상에만 배치, 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 제1 측면 상에 배치, 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 제2 측면 상에 배치 또는 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제1 및 제2 측면들 상에 형성될 수 있다. 여기서, 상기 상부 차단 부재가 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 상에만 형성되는 경우, 상기 상부 차단 부재가 상기 층간 절연층과 접촉하지 않을 수 있다. 또한, 상기 상부 차단 부재가 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제1 측면 상에 배치되는 경우, 상기 상부 차단 부재가 상기 층간 절연층과 접촉하지 않을 수 있다. 이러한 경우, 막들뜸 현상이 발생하지 않을 수 있다. 다만, 상기 차단 부재가 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제2 측면 상에 형성되는 경우, 상기 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉할 수 있다. 또한, 상기 차단 부재가 상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제1 및 제2 측면들 상에 형성되는 경우, 상기 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉할 수 있다(예를 들어, 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 연결 전극 상에 형성되기 때문에 상기 막들뜸 현상이 발생하지 않음). 이러한 경우, 상기 막들뜸 현상이 발생할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370) 아래에 배치된 금속 부재(400)를 포함함으로써, 상부 차단 부재(370)가 층간 절연층(190)과 접촉하지 않을 수 있고, 상부 차단 부재(370)와 층간 절연층(190) 사이의 상기 막들뜸 현상이 방지될 수 있다.
발광층(330)은 화소 정의막(310)의 상기 개구에 의해 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치(예를 들어, 박막 봉지 구조물(450)의 상면에서 발광층(330)과 중첩되도록 배치)될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 발광층(330) 및 화소 정의막(310)을 덮으며 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접한 표시 영역(10)에서 연결 전극(295)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 배치될 수 있다.
상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 층간 절연층(190) 등 상에 제1 무기 박막 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 화소 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 무기 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 화소 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 무기 박막 봉지층(451) 상에 유기 박막 봉지층(452)이 배치될 수 있다. 유기 박막 봉지층(452)은 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 제1 무기 박막 봉지층(451)과 함께 화소 구조물(200)을 보호할 수 있다. 유기 박막 봉지층(452) 가요성을 갖는 유기 물질들을 포함할 수 있다.
유기 박막 봉지층(452) 상에 제2 무기 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 유기 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 무기 박막 봉지층(451) 및 유기 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 제1 무기 박막 봉지층(451)과 함께 화소 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 무기 박막 봉지층(453)은 제1 무기 박막 봉지층(451) 및 유기 박막 봉지층(452)과 함께 외부의 충격으로부터 화소 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 상기 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.
이에 따라, 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 배치될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 박막 봉지 구조물(450)은 3개의 무기 박막 봉지층들 및 2개의 유기 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 4개의 무기 박막 봉지층들 및 3개의 유기 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조를 가질 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 금속 부재(400)를 포함함으로써, 상부 차단 부재(370)가 층간 절연층(190)과 직접적으로 접촉하지 않도록 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 저면이 금속 부재(400)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상부 차단 부재(370)와 층간 절연층(190)의 막들뜸 현상이 발생하지 않을 수 있다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 경질의 유리 기판(105)이 제공될 수 있다. 유리 기판(105) 상에 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 형성될 수 있다. 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 제1 유기층, 제1 베리어층, 제2 유기층 및 제2 베리어층이 순서대로 적층되는 구성을 가질 수 있다. 상기 제1 베리어층 및 상기 제2 베리어층은 실리콘 산화물과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층은 폴리이미드계 수지와 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 기판(110)은 표시 영역(10), 화소 영역(30) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다.
선택적으로, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수도 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(115)이 형성될 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층(115)이 제공되거나 버퍼층(115)이 형성되지 않을 수 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 SiO, SiN, SiON, SiOC, SiCN, AlO, AlN, TaO, HfO, ZrO, TiO 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130)은 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 소스 영역 및 드레인 영역을 가질 수 있다.
버퍼층(115) 및 액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(150) 및 게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 층간 절연층(190) 상의 화소 영역(30)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 금속 부재(400)가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 금속 부재(400)는 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에서 최외곽에 형성될 수 있다. 금속 부재(400)는 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 금속 부재(400)는 Au, Ag, Al, Pt, Ni, Ti, Pd, Mg, Ca, Li, Cr, Ta, W, Cu, Mo, Sc, Nd, Ir, 알루미늄을 함유하는 합금, AlN, 은을 함유하는 합금, WN, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, TiN, CrN, TaN, SrRuO, ZnO, ITO, SnO, InO, GaO, IZO 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에서 금속 부재(400)로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 제1 전원 배선(380)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 전원 배선(380)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 전원 배선(390)이 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 제2 전원 배선(390)은 층간 절연층(190) 상의 제1 전원 배선(380)과 드레인 전극(230)(또는 반도체 소자(250)) 사이에 위치할 수 있다. 제2 전원 배선(390)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 금속 부재(400), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 소스 전극(210)및 드레인 전극(230)은 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190) 상에 예비 전극층이 형성된 후, 상기 예비 전극층을 선택적으로 식각하여 금속 부재(400), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 동시에 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 층간 절연층(190), 제2 전원 배선(390), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 제2 전원 배선(390) 및 소스 및 드레인 전극들(210, 230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연층(190) 및 금속 부재(400)의 일부 상의 주변 영역(20)에 하부 차단 부재(360)가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 하부 차단 부재(360)는 금속 부재(400)의 일부와 중첩될 수 있다. 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제2 측면(362) 및 상면(363)을 포함할 수 있다(도 3 참조). 하부 차단 부재(360)는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 물질은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270), 하부 차단 부재(360) 및 보호 절연층(430)은 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190) 상에 유기층이 전체적으로 형성된 후, 슬릿 마스크, 하프톤 마스크, 하프톤 슬릿 마스크 등을 이용하여 상기 유기층을 부분적으로 제거할 수 있고, 층간 절연층(190) 상에 평탄화층(270) 및 하부 차단 부재(360)가 동시에 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
평탄화층(270), 제1 전원 배선(380), 하부 차단 부재(360)의 상면(363)의 일부 상에 연결 전극(295)이 형성될 수 있다. 다시 말하면, 연결 전극(295)은 평탄화층(270) 상에서 하부 전극(290)으로부터 이격되어 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 연결 전극(295)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접한 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 형성될 수 있다. 연결 전극(295)은 주변 영역(20)에서 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 및 상면(363)의 일부에 형성될 수 있다. 연결 전극(295)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)과 연결 전극(295)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190), 하부 차단 부재(360) 및 평탄화층(270) 상에 예비 전극층을 전체적으로 형성한 후, 상기 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 하부 전극(290) 및 연결 전극(295)이 동시에 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 일부, 연결 전극(295)의 일부 및 평탄화층(270) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
금속 부재(400), 하부 차단 부재(360) 및 연결 전극(295)의 일부 상에 상부 차단 부재(370)가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363) 및 제2 측면(362) 상에 형성될 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 저면은 금속 부재(400)와 접촉할 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 상부 차단 부재(370)는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
연결 전극(295) 상의 주변 영역(20)에 제2 차단 구조물(345)이 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제2 차단 구조물(345)은 기판(110) 상에서 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361)으로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 연결 전극(295) 중에서 하부에 제1 전원 배선(380)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제2 차단 구조물(345)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310), 제2 차단 구조물(345) 및 상부 차단 부재(370)는 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110) 상에 유기층을 전체적으로 형성한 후, 슬릿 마스크, 하프톤 마스크, 하프톤 슬릿 마스크 등을 이용하여 상기 유기층을 부분적으로 제거할 수 있고, 기판(110) 상에 하부 차단 부재(360), 제2 차단 구조물(345) 및 화소 정의막(310)이 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 하부 차단 부재(360)의 상면의 높이가 제2 차단 구조물(345) 및 화소 정의막(310) 각각의 상면의 높이보다 높을 수 있다.
이에 따라, 하부 차단 부재(360)및 상부 차단 부재(370)를 포함하는 제1 차단 구조물(350)이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 발광층(330)은 화소 정의막(310)의 상기 개구에 의해 노출된 하부 전극(290) 상에 형성될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 형성될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 발광층(330) 및 화소 정의막(310)을 덮으며 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 형성될 수 있다.
상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 층간 절연층(190) 등 상에 제1 무기 박막 봉지층(451)이 형성될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340), 연결 전극(295), 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 무기 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
도 10 및 2를 참조하면, 제1 무기 박막 봉지층(451) 상에 유기 박막 봉지층(452)이 형성될 수 있다. 유기 박막 봉지층(452) 가요성을 갖는 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
유기 박막 봉지층(452) 상에 제2 무기 박막 봉지층(453)이 형성될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 유기 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 무기 박막 봉지층(451) 및 유기 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 무기 박막 봉지층(453)은 상기 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 형성될 수 있다.
박막 봉지 구조물(450)이 형성된 후 유리 기판(105)이 기판(110)으로부터 박리될 수 있다. 이에 따라, 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 11에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 상부 차단 부재(370)의 형상을 제외하면 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 11에 있어서, 도 1 내지 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 금속 부재(400), 평탄화층(270), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 화소 구조물(200), 연결 전극(295), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 차단 구조물(350)은 하부 차단 부재(360) 및 상부 차단 부재(370)를 포함할 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제1 측면(361)과 반대되는 제2 측면(362) 및 제1 측면(361)과 제2 측면(362) 사이에 위치하는 상면(363)을 포함할 수 있고, 제1 측면(361)은 화소 구조물(200)과 인접하여 위치할 수 있다.
금속 부재(400), 하부 차단 부재(360) 및 연결 전극(295) 상에 상부 차단 부재(370)가 배치될 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)가 노출되지 않도록 하부 차단 부재(360)를 완전히 덮을 수 있다. 다시 말하면, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363), 제1 측면(361) 및 제2 측면(362) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 제1 저면은 연결 전극(295)과 접촉할 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 제2 저면은 금속 부재(400)와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상부 차단 부재(370)의 상기 제1 및 제2 저면들이 무기 절연층(예를 들어, 층간 절연층(190))과 접촉하지 않고, 금속(예를 들어, 금속 부재(400) 및 연결 전극(295))과 접촉함으로써, 하부 차단 부재(360)가 분리되지 않을 수 있다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 12에 예시한 유기 발광 표시 장치(600)는 연결 전극(295)의 형상을 제외하면 도 11을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(500)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12에 있어서, 도 11을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(600)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 금속 부재(400), 평탄화층(270), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 화소 구조물(200), 연결 전극(295), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 차단 구조물(350)은 하부 차단 부재(360) 및 상부 차단 부재(370)를 포함할 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제1 측면(361)과 반대되는 제2 측면(362) 및 제1 측면(361)과 제2 측면(362) 사이에 위치하는 상면(363)을 포함할 수 있고, 제1 측면(361)은 화소 구조물(200)과 인접하여 위치할 수 있다.
평탄화층(270), 제1 전원 배선(380), 하부 차단 부재(360)의 상면(363), 제1 측면(361) 및 제2 측면(362) 상에 연결 전극(295)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 연결 전극(295)은 평탄화층(270) 상에서 하부 전극(290)으로부터 이격되어 제1 방향(D1)과 반대되는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 연결 전극(295)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접한 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 배치될 수 있다. 연결 전극(295)은 주변 영역(20)에서 제2 차단 구조물(345)과 제1 전원 배선(380) 사이에 개재될 수 있으며, 제2 방향(D2)으로 연장하여 연결 전극(295)이 하부 차단 부재(360)와 상부 차단 부재(370) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 연결 전극(295)이 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361), 제2 측면(362) 및 상면(363) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(295)이 금속 부재(400)와 접촉할 수 있다. 다시 말하면, 연결 전극(295)은 하부 차단 부재(360)가 노출되지 않도록 하부 차단 부재(360)를 완전히 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상부 차단 부재(370)의 저면에 전체적으로 연결 전극(295)이 배치됨으로써 상부 차단 부재(370)와 연결 전극(295)의 접착력이 상대적으로 증가될 수 있다. 또한, 연결 전극(295)이 금속 부재(400)에 접촉됨으로써, 연결 전극(295)의 배선 저항이 상대적으로 낮아질 수 있다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(700)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 평탄화층(270), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 화소 구조물(200), 연결 전극(295), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 화소 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 무기 박막 봉지층(451), 유기 박막 봉지층(452) 및 제2 무기 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있고, 제1 차단 구조물(350)은 하부 차단 부재(360) 및 상부 차단 부재(370)를 포함할 수 있다. 더욱이, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제1 측면(361)과 반대되는 제2 측면(362) 및 제1 측면(361)과 제2 측면(362) 사이에 위치하는 상면(363)을 포함할 수 있고, 제1 측면(361)은 화소 구조물(200)과 인접하여 위치할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(700)는 복수의 화소 영역들(30)을 포함하는 표시 영역(10) 및 표시 영역(10)을 둘러싸는 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 화소 영역(30)에서는 화소 구조물(200)을 통해 화상이 표시될 수 있고, 주변 영역(20)에는 제1 차단 구조물(350) 및 제2 차단 구조물(345), 배선들 등이 배치되며 비표시 영역에 해당될 수 있다. 표시 영역(10)에는 복수의 트랜지스터들(예를 들어, 반도체 소자(250)), 복수의 커패시터들, 복수의 배선들 등이 추가적으로 배치될 수도 있다. 유기 발광 표시 장치(700)가 플렉서블한 기판(110) 및 박막 봉지 구조물(450)을 포함함으로써 유기 발광 표시 장치(700)는 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
평탄화층(270), 제1 전원 배선(380), 하부 차단 부재(360) 상에 연결 전극(295)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 연결 전극(295)은 평탄화층(270) 상에서 하부 전극(290)으로부터 이격되어 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 연결 전극(295)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)과 주변 영역(20)의 경계와 인접한 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 배치될 수 있다. 연결 전극(295)은 주변 영역(20)에서 제2 차단 구조물(345)과 제1 전원 배선(380) 사이에 개재될 수 있으며, 제2 방향(D2)으로 연장되어 연결 전극(295)이 하부 차단 부재(360)와 상부 차단 부재(370) 사이에 개재될 수 있다. 즉, 연결 전극(295)이 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361), 제2 측면(362) 및 상면(363) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(295)은 하부 차단 부재(360)가 노출되지 않도록 하부 차단 부재(360)를 완전히 덮을 수 있다.
하부 차단 부재(360) 및 연결 전극(295)의 일부 상에 상부 차단 부재(370)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363) 상에서 제1 방향(D1)으로 연장되어 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 상에 배치될 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 저면은 연결 전극(295)과 접촉할 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)와 함께 유기 박막 봉지층(452)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 차단 부재(370)는 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(700)가 하부 차단 부재(360)를 완전히 덮는 연결 전극(295)을 포함함으로써, 상부 차단 부재(370)의 저면이 연결 전극(295)의 상면과 접촉할 수 있고, 상부 차단 부재(370)가 층간 절연층(190)과 접촉하지 않을 수 있다. 이에 따라, 막들뜸 현상이 발생하지 않을 수 있다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 14에 예시한 유기 발광 표시 장치(800)는 상부 차단 부재(370)의 형상을 제외하면 도 13을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(700)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 14에 있어서, 도 13을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 14를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(800)는 기판(110), 버퍼층(115), 반도체 소자(250), 제1 전원 배선(380), 제2 전원 배선(390), 평탄화층(270), 제1 차단 구조물(350), 제2 차단 구조물(345), 화소 구조물(200), 연결 전극(295), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 차단 구조물(350)은 하부 차단 부재(360) 및 상부 차단 부재(370)를 포함할 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)는 제1 측면(361), 제1 측면(361)과 반대되는 제2 측면(362) 및 제1 측면(361)과 제2 측면(362) 사이에 위치하는 상면(363)을 포함할 수 있고, 제1 측면(361)은 화소 구조물(200)과 인접하여 위치할 수 있다.
연결 전극(295) 상에 상부 차단 부재(370)가 배치될 수 있다. 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)가 노출되지 않도록 하부 차단 부재(360)를 완전히 덮을 수 있다. 다시 말하면, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363) 상에서 제1 방향(D1)으로 연장되어 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 상에 배치될 수 있고, 하부 차단 부재(360)의 상면(363) 상에서 제2 방향(D2)으로 연장되어 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 차단 부재(370)는 하부 차단 부재(360)의 상면(363), 제1 측면(361) 및 제2 측면(362) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 차단 부재(360)의 제1 측면(361) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 제1 저면 및 하부 차단 부재(360)의 제2 측면(362) 상에 위치하는 상부 차단 부재(370)의 제2 저면은 연결 전극(295)과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상부 차단 부재(370)의 상기 제1 및 제2 저면들이 무기 절연층(예를 들어, 층간 절연층(190))과 접촉하지 않고, 금속(예를 들어, 금속 부재(400) 및 연결 전극(295))과 접촉함으로써, 하부 차단 부재(360)가 분리되지 않을 수 있다.
도 15는 도 13 및 14의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재의 일 예를 나타내는 단면도이고, 도 16은 도 13 및 14의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 차단 부재의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 13, 14, 15 및 16을 참조하면, 하부 차단 부재(360)를 제조하는 공정에서 하프톤 슬릿 마스크를 이용하여 하부 차단 부재(360)의 상면을 불균일하게 할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 15에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)의 상면에 복수의 그루브(441)가 형성될 수 있다. 또는, 도 16에 도시된 바와 같이, 하부 차단 부재(360)의 상면에 요철 구조가 형성될 수도 있다. 이러한 경우, 하부 차단 부재(360) 상에 배치되는 연결 전극(295)이 하부 차단 부재(360)의 상면(363)의 프로파일을 따라 배치됨으로써, 하부 차단 부재(360)의 상면(363)과 중첩하여 위치하는 연결 전극(295)에 그루브 또는 요철이 형성될 수 있다. 연결 전극(295)의 상기 그루브 또는 요철 상에 상부 차단 부재(370)가 배치되는 경우, 연결 전극(295)과 상부 차단 부재(370) 사이 접촉 면적이 상대적으로 증가될 수 있다. 이에 따라, 상부 차단 부재(370)가 연결 전극(295)으로부터 박리되지 않을 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역 20: 주변 영역
30: 화소 영역
100, 500, 600, 700, 800: 유기 발광 표시 장치
105: 유리 기판 110: 기판
130: 액티브층 150: 게이트 절연층
170: 게이트 전극 190: 층간 절연층
200: 화소 구조물 210: 소스 전극
230: 드레인 전극 250: 반도체 소자
270: 평탄화층 290: 하부 전극
295: 연결 전극 310: 화소 정의막
330: 발광층 340: 상부 전극
345: 제2 차단 구조물 350: 제1 차단 구조물
360: 하부 차단 부재 370: 상부 차단 부재
380: 제1 전원 배선 390: 제2 전원 배선
400: 금속 부재 450: 박막 봉지 구조물
451: 제1 무기 박막 봉지층 452: 유기 박막 봉지층
453: 제2 무기 박막 봉지층

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 기판;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물;
    상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물을 둘러싸며, 상기 화소 구조물과 인접하여 위치하는 제1 측면, 상기 제1 측면과 반대되는 제2 측면 및 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치하는 상면을 포함하는 하부 차단 부재;
    상기 하부 차단 부재의 상기 상면 및 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재와 함께 제1 차단 구조물을 구성하는 상부 차단 부재; 및
    상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면과 접촉하는 금속 부재를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 무기 물질을 함유하는 층간 절연층을 더 포함하고,
    상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉되지 않도록 상기 금속 부재가 상기 상부 차단 부재의 저면과 상기 층간 절연층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향인 제1 방향으로 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면으로부터 이격되어 상기 주변 영역에 배치되는 제2 차단 구조물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되는 제1 전원 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 차단 구조물과 상기 제1 전원 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 상면의 적어도 일부 및 상기 제1 측면 상에 배치되는 연결 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 상부 차단 부재는 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 연결 전극이 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 연결 전극이 상기 금속 부재와 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 연결 전극은 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 제1 전원 배선으로부터 상기 제1 방향으로 이격되어 상기 표시 영역에 배치되는 반도체 소자; 및
    상기 기판 상에서 상기 제1 전원 배선과 상기 반도체 소자 사이에 배치되는 제2 전원 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 화소 구조물은,
    상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극;
    상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하고,
    상기 연결 전극이 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 상부 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 전극, 상기 제1 차단 구조물 및 상기 제2 차단 구조물 상에 배치되는 제1 무기 박막 봉지층;
    상기 제1 무기 박막 봉지층 상에 배치되는 유기 박막 봉지층; 및
    상기 제1 무기 박막 봉지층 및 상기 유기 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 무기 박막 봉지층 및 상기 유기 박막 봉지층과 함께 박막 봉지 구조물을 구성하는 제2 무기 박막 봉지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 기판;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물;
    상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물을 둘러싸며, 상기 화소 구조물과 인접하여 위치하는 제1 측면, 상기 제1 측면과 반대되는 제2 측면 및 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치하는 상면을 포함하는 하부 차단 부재;
    상기 하부 차단 부재 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재와 함께 제1 차단 구조물을 구성하는 상부 차단 부재; 및
    상기 하부 차단 부재와 상기 상부 차단 부재 사이에 위치하도록 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 및 상기 상면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 상면을 완전히 덮는 연결전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제1 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 연결 전극이 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 연결 전극은 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 상부 차단 부재가 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 배치되고, 상기 하부 차단 부재의 상기 제2 측면 상에 위치하는 상기 상부 차단 부재의 저면은 상기 연결 전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 상부 차단 부재는 상기 하부 차단 부재가 노출되지 않도록 상기 하부 차단 부재를 완전히 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물과 상기 기판 사이에 배치되고, 무기 물질을 함유하는 층간 절연층을 더 포함하고,
    상기 상부 차단 부재의 저면이 상기 층간 절연층과 접촉되지 않도록 상기 연결 전극이 상기 상부 차단 부재의 저면과 상기 층간 절연층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 하부 차단 부재의 상면에 복수의 그루브가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
KR1020190122099A 2019-10-02 2019-10-02 유기 발광 표시 장치 KR20210040203A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190122099A KR20210040203A (ko) 2019-10-02 2019-10-02 유기 발광 표시 장치
US16/896,608 US11329120B2 (en) 2019-10-02 2020-06-09 Organic light emitting diode display device
CN202011006742.7A CN112599564A (zh) 2019-10-02 2020-09-23 有机发光二极管显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190122099A KR20210040203A (ko) 2019-10-02 2019-10-02 유기 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210040203A true KR20210040203A (ko) 2021-04-13

Family

ID=75180138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190122099A KR20210040203A (ko) 2019-10-02 2019-10-02 유기 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11329120B2 (ko)
KR (1) KR20210040203A (ko)
CN (1) CN112599564A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4050673A4 (en) * 2019-10-21 2022-11-02 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6391917B2 (ja) * 2013-07-03 2018-09-19 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置及びその製造方法
TWI549289B (zh) * 2014-02-26 2016-09-11 友達光電股份有限公司 有機發光顯示面板及其製作方法
KR101943687B1 (ko) 2015-06-19 2019-01-30 삼성에스디아이 주식회사 유기발광표시장치
CN104898886A (zh) * 2015-06-19 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制备方法、触控显示屏
KR102424375B1 (ko) * 2015-06-29 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2017147165A (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102605957B1 (ko) * 2016-02-23 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102651136B1 (ko) * 2016-04-12 2024-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180051318A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102632615B1 (ko) * 2016-12-05 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102408164B1 (ko) 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102456123B1 (ko) 2017-12-04 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102538983B1 (ko) * 2018-01-11 2023-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108508643A (zh) * 2018-04-03 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN108766983A (zh) * 2018-05-29 2018-11-06 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
KR102551790B1 (ko) * 2018-06-29 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11329120B2 (en) 2022-05-10
US20210104592A1 (en) 2021-04-08
CN112599564A (zh) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102538983B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10937838B2 (en) Organic light emitting display device
KR102446425B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102178471B1 (ko) 대면적 투명 유기발광 다이오드 표시장치
KR102504436B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101890469B1 (ko) 표시장치 및 그 제조 방법
KR102525343B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102082366B1 (ko) 유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법
KR102523340B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11751457B2 (en) Organic light emitting display device including organic pattern on sidewall of substrate and method of manufacturing organic light emitting display device
KR102591727B1 (ko) 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102265610B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR101622563B1 (ko) 상부발광 방식 유기전계 발광소자
KR20220030492A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20050099027A (ko) 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210040203A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102211967B1 (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 및 유기 발광 표시 장치
KR102525989B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20210095265A (ko) 표시 장치
KR102707562B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220105249A (ko) 표시 장치