TWI549289B - 有機發光顯示面板及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種有機發光顯示面板及其製作方法，特別是關於一種以噴墨印刷製程製作的有機發光顯示面板及其製作方法。
由於有機發光顯示面板具有主動發光、高對比、薄厚度與廣視角等優點，可望成為新一代平面顯示面板之主流產品。在有機發光顯示面板的製程中，可以利用蒸鍍或噴墨印刷(inkjet printing，以下簡稱IJP)製程將有機發光元件的材料製作於陣列(array)基板上，其中，在IJP製程中，為了使有機材料有良好的成形，需要使用與蒸鍍製程不同的絕緣材料來定義發光區，然而，在IJP製程中使用的絕緣材料會導致後續製作在其上方的間隙物(spacer)發生黏合不良或無法有效固著的情形。習知技術中，為了改善間隙物黏合不良的問題，會選擇將間隙物製作在上蓋基板表面，但此製程必須額外在基板表面製作對位標記再進行合板組裝，使製程成本增加。因此，業界仍須持續研究如何以節省製作成本之方式來製作有機發光顯示面板。
本發明的目的之一在於提供一種有機發光顯示面板及其製作方法，其藉由設計具疏墨性材料的平坦層與間隙物的特定相對位置，以使間隙物能有效固著於陣列基板表面，提高良率。
為達上述目的，本發明之一實施例揭露一種有機發光顯示面板，
其包括基板、平坦層、圖案化之第一導電層、至少一間隙物以及有機發光材料層。其中，基板具有至少一間隙物區與一發光(emission)區，平坦層係覆蓋間隙物區但至少曝露出發光區，且平坦層包括疏墨性材料。圖案化之第一導電層係設於基板表面，其中圖案化之第一導電層包括至少位於發光區內的下電極以及設置於間隙物區之平坦層表面的固位元件，且固位元件與下電極電性絕緣。此外，間隙物係設於固位元件表面，而有機發光材料層設置於發光區內之下電極表面。
為達上述目的，本發明之一實施例揭露一種有機發光顯示面板之製作方法，該方法包括先提供一基板，且基板具有至少一間隙物區、一開關元件區與一發光區，接著於開關元件區形成開關元件，在基板上形成平坦層，平坦層覆蓋間隙物區與開關元件，但至少曝露發光區，且平坦層曝露部分開關元件並包括疏墨性材料。然後，於基板上形成圖案化之第一導電層。圖案化之第一導電層包括下電極與固位元件，其中下電極至少位於發光區內並電連接於開關元件，而固位元件設於間隙物區之平坦層表面，且固位元件與下電極電性絕緣。接著，於固位元件表面形成至少一間隙物。之後，利用噴墨印刷製程形成有機發光材料層，有機發光材料層係設於發光區內並位於下電極表面。
為達上述目的，本發明之另一實施例揭露一種有機發光顯示面板，其包括基板、下電極、至少一間隙物、平坦層以及有機發光材料層。其中，基板具有至少一間隙物區與一發光區，下電極設於基板表面並至少位於發光區內，而間隙物係設於間隙物區。平坦層係設於基板表面並覆蓋間隙物，且平坦層至少曝露出發光區，而有機發光材料層至少設置於發光區內之下電極表面，並且覆蓋部分平坦層。
為達上述目的，本發明之另一實施例揭露一種有機發光顯示面板之製作方法，該方法包括先提供一基板，其具有至少一間隙物區、一開關元件區與一發光區，然後於開關元件區形成開關元件，再於基板上形成下電極，下電極至少位於發光區內並電連接於開關元件。接著，於間隙物區形成至少一間隙物，於基板上形成平坦層，使平坦層覆蓋間隙物與開關元件，但至少曝露出發光區，其中平坦層包括疏墨性材料。然後利用噴墨印刷製程形成有機發光材料層，其至少設於發光區內並位於下電極表面與部分平坦層表面。
由上述可知，本發明係在具疏墨性材料的平坦層上方先製作圖案化之第一導電層，再於圖案化之第一導電層上製作間隙物，或是先製作間隙物之後再於間隙物上側製作具疏墨性材料的平坦層，可以有效避免習知技術中因為將間隙物製作在平坦層上而導致間隙物無法有效固定並容易發生掉落之問題，因此可以提高產品良率。
10、10’‧‧‧有機發光顯示面板
12‧‧‧基板
14‧‧‧間隙物區
16‧‧‧發光區
18‧‧‧開關元件區
20‧‧‧薄膜電晶體
22‧‧‧閘極
24‧‧‧汲極
26‧‧‧源極
28‧‧‧半導體通道層
30‧‧‧平坦層
30a‧‧‧開口
32‧‧‧閘極絕緣層
34‧‧‧圖案化之第一導電層
34’‧‧‧第一導電層
36‧‧‧下電極
38‧‧‧固位元件
40、40’‧‧‧接觸洞
42‧‧‧間隙物
44‧‧‧間隙物材料層
46‧‧‧有機發光材料層
48‧‧‧上電極
50‧‧‧保護層
52‧‧‧第二導電層
54‧‧‧閘極線
56‧‧‧第三導電層
58‧‧‧源極線
60‧‧‧絕緣層
62‧‧‧接觸洞
第1圖為本發明有機發光顯示面板之第一實施例的俯視示意圖。
第2圖為沿著第1圖所示A-A’切線與B-B’切線的剖面示意圖。
第3圖至第6圖為本發明有機發光顯示面板之製作方法之第一實施例的製程示意圖。
第7圖至第8圖為本發明有機發光顯示面板之製作方法的第二實施例的製程示意圖，且第8圖顯示本發明有機發光顯示面板之第二實施例的部分剖面意圖。
請參考第1圖與第2圖，第1圖為本發明有機發光顯示面板之第一實施例的俯視示意圖，而第2圖沿著第1圖所示A-A’切線與B-B’切線的剖
面示意圖。本發明有機發光顯示面板特別適合於利用IJP製程製作有機發光元件材料之應用中。在第一實施例中，本發明有機發光顯示面板10包括一基板12，其表面具有至少一間隙物區14與至少一發光區16，由於一般有機發光顯示面板10是由多個排列成陣列的像素所組成，各像素皆包括至少一開關元件與一有機發光元件設置於基板12上，因此基板12可稱為陣列基板，且基板12另具有至少一開關元件區18設於發光區16之一側。在本實施例中，開關元件舉例為薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)20，其包括閘極22、汲極24、源極26及半導體通道層28，其中汲極24、源極26分別與半導體通道層28相接觸，而半導體通道層28與閘極22之間設有一閘極絕緣層32。半導體通道層28可以由非晶矽材料、多晶矽材料或金屬氧化物半導體材料所構成，但不以此為限。本實施例係以薄膜電晶體20為氧化物TFT為例，因此半導體通道層28的材料舉例包含氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，InGaZnO，以下簡稱IGZO)。
此外，有機發光顯示面板10另包括平坦層30、圖案化之第一導電層34、至少一間隙物42及至少一有機發光材料層46。平坦層30覆蓋了間隙物區14且具有至少一開口30a，平坦層30的開口30a至少曝露出發光區16。根據本實例，有機發光顯示面板10可以利用平坦層30定義出發光區16的位置，亦即後續有機材料或發光元件形成之位置。由於本實施例之有機發光顯示面板10係以IJP製程在發光區16形成至少一種有機材料，因此平坦層30較佳包括疏墨性材料，以使後續形成在發光區16之有機材料可以因具有疏墨特性的平坦層30而呈現圓弧表面，其中平坦層30的材料舉例可含氟光阻材料或其他疏墨性材料。此外，設於基板12表面的圖案化之第一導電層34包括至少一下電極36與至少一固位元件38，其中下電極36至少位於發光區16內，且下電極36的一部分可延伸至開關元件區18而電連接於汲極24。另一方面，固位元件38設於間隙物區14之平坦層30上，覆蓋部分平坦層
30，且固位元件38不連接於下電極36，並且電性絕緣於下電極36。間隙物42設置於間隙物區14，並且設於固位元件38表面，其中間隙物42係由一間隙物材料層44所構成，舉例可包括光阻間隙物材料。有機發光材料層46設置於發光區16內，並位於下電極36的表面。此外，有機發光材料層46可包括不只一層有機材料層，例如可包括電洞注入層(hole injection layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)、發光層(emissive layer，EML)、電子傳輸層(electron transport layer，ETL)及電子注入層(electron injection layer，EIL)，根據本實施例，上述有機材料層之至少其中一種是由IJP製程所製作，例如HIL層、HTL層及EML層，但不以此為限。需注意的是，間隙物材料層44可選擇性地另包括形成於發光區16的部分周圍或全部周圍而覆蓋部分下電極36，在此情況下，後續形成的有機發光材料層46會直接與間隙物材料層44相接觸，因此間隙物材料層44較佳包括(但不限於)含氟光阻材料或其他疏墨性材料，以使以IJP製程製作的部分或全部有機發光材料層46有較良好的成形。需注意的是，由於下電極36不會完全包圍發光區16的周圍，因此間隙物材料層44僅需設於發光區16外圍具有下電極36之部分，即可使有機發光材料層46有良好的成形，而在發光區16外圍沒有設置下電極36的部分，有機發光材料層46會與具疏墨性材料的平坦層30直接相接觸，但不以此為限。然而，在不同實施例中，間隙物材料層44也可以不設置在發光區16的周圍，因此有機發光材料層46會直接與發光區16周圍的部分下電極36與平坦層30相接觸。再者，有機發光顯示面板10可另包括一上電極48，設置於有機發光材料層46上。在本實施例中，上電極48、有機發光材料層46及下電極36可視為一有機發光元件，下電極36可當作有機發光元件的陽極，而上電極48當作陰極；或是下電極36可當作有機發光元件的陰極，而上電極48當作陽極。此外，當有機發光顯示面板10為頂部發光顯示面板時，下電極36或圖案化之第一導電層34可以包括透明度較低之導電材料，例如包括鋁釹(aluminum neodymium，AlNd)材料，而上電極48
包含透光性較良好的材料，例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)，但不以此為限。另一方面，若有機發光顯示面板10為底部發光顯示面板，則下電極36可包括如ITO等透明導電材料，上電極48可包括透光性較低之導電材料，但不以此為限。
本發明有機發光顯示面板10可另包括保護層50設於基板12表面，其中保護層50位於平坦層30下側，並覆蓋發光區16、間隙物區14以及部分薄膜電晶體20，且保護層50與平坦層30具有接觸洞40曝露出部分汲極24，使下電極36可藉由接觸洞40而電連接於汲極24。保護層50的材料舉例可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)及氧化鋁(AlOx)，但不以此為限。由於本實施例之薄膜電晶體20為氧化物TFT，因此保護層50舉例為氧化鋁。再者，本實施例之閘極22可由一第二導電層52所構成，並且第二導電層52可另包括至少一閘極線54，閘極線54舉例可與間隙物42部分重疊，但不以此為限。此外，汲極24與源極26係由同一第三導電層56所構成，第三導電層56可另包括至少一源極線58，與閘極線54相交但電性絕緣。第二導電層52與第三導電層56可另外分別包括至少一部分設於間隙物區14，位於間隙物42與基板12之間並被保護層50所覆蓋，如第2圖中以符號52與56所標示者。需注意的是，在本發明之變化實施例中，間隙物區14的間隙物42下方可以設有閘極線、源極線、虛設金屬層的其中一種或多種，上述元件之設置係有助於平坦化基板12表面的膜層，然而，在不同實施例中，間隙物42下方也可以不設置任何導電材料層。
請看考第3圖至第6圖，第3圖至第6圖為本發明有機發光顯示面板之製作方法的第一實施例的製程示意圖。請參考第3圖，根據本發明之第一實施例，首先提供基板12，且基板12具有至少一間隙物區14、至少一開關元件區18與至少一發光區16，接著於基板12表面形成圖案化之第二導
電層52，其中第二導電層52包括閘極22設置於開關元件區18，並且，根據第一實施例，第二導電層52另包括一部分設置於間隙物區14。第二金屬層52的材料舉例如鋁、銅、鉬、氮化鉬、鈦及ITO，但不以此為限。然後請參考第4圖，在基板12表面形成閘極絕緣層32，覆蓋第二導電層52，再於閘極絕緣層32上製作半導體材料層，經圖案化後在開關元件區18形成半導體通道層28。其中，閘極絕緣層32的材料舉例為SiOx、SiNx或AlOx，但不以此為限，半導體通道層28的材料可以為任何已知的半導體材料，如前所述，本實施例中半導體通道層28的材料係以金屬氧化物為例，例如IGZO，但不以此為限。
接著，請參考第5圖，在基板12表面形成絕緣層60，經圖案化製程後在絕緣層60中形成二接觸洞62，然後在基板12表面形成圖案化之第三導電層56，其中第三導電層56的材料可包括金屬材料，但不以此為限。圖案化之第三導電層56包括設於開關元件區18的源極26與汲極24，分別藉由一接觸洞62而電連接於半導體通道層28。此外，根據本實施例，圖案化之第三導電層56可選擇性地另包括一部分設置於間隙物區14。在形成源極26與汲極24後，本發明方法係大體上完成開關元件20的製作。圖案化之第三導電層56的製作方式可選擇性地先在絕緣層60上形成整面的導電層，再經由微影暨蝕刻製程來圖案化該導電層以形成源極26與汲極24，其中絕緣層60可用來當作蝕刻製程的蝕刻停止層。此外，絕緣層60的材料舉例為SiOx、SiNx或AlOx，而第三金屬層56的材料舉例如鋁、銅、鉬、氮化鉬、鈦及ITO，但不以此為限。接著，可選擇性地在基板12表面形成保護層50，其覆蓋發光區16、間隙物區14以及部分薄膜電晶體20，其中保護層50的材料如前所述，舉例為SiOx、SiNx或AlOx，但不以此為限。
然後請參考第6圖，在基板12上形成平坦層30，其覆蓋於保護
層50，經圖案化製程後，平坦層30會覆蓋間隙物區14與開關元件區18，但至少曝露出發光區16，且平坦層30與保護層50具有接觸洞40，曝露出薄膜電晶體20的部分汲極24。其中，平坦層30包括疏墨性材料，例如為含氟光阻或其他疏墨性材料。接著，於基板12表面形成第一導電層34’，第一導電層34’的一部分會填於接觸洞40中而與汲極24相接觸。
接著，請再參考第2圖，對第一導電層34’進行圖案化製程而形成圖案化之第一導電層34，其包括下電極36與固位元件38，兩者互相絕緣。然後，在基板12表面形成圖案化之間隙物材料層44，其包括至少一間隙物42設置於固位元件38表面，且間隙物材料層44可另包括一部分設置於發光區16的部分周圍，覆蓋在部分下電極36的表面，其中，間隙物材料層44較佳包括含氟光阻材料或其他疏墨性材料。最後，利用IJP製程在發光區16的下電極36表面形成至少一有機材料層，例如形成有機發光材料層46或有機發光材料層46的至少一部分，再選擇性地於有機發光材料層46上形成上電極48，完成有機發光元件的製作。之後，可選擇性地進一步在基板12表面另外設置蓋板(圖未示)，便完成本發明有機發光顯示面板10。
根據本實施例，由於在製作間隙物42之前先在間隙物區14形成固位元件38，因此後續形成的間隙物42係製作於固位元件38表面，而不是直接製作在平坦層30表面，亦即使固位元件38設置在具疏墨性材料的平坦層30與間隙物42之間，此設計使間隙物42能在固位元件38表面有較佳的附著與固定，可以有效避免習知技術中當間隙物42直接製作在平坦層30上而導致容易掉落之問題，也不需改變間隙物42的製程而將其另外製作在蓋板表面，因此可以有效降低製程成本。
本發明之有機發光顯示面板及其製作方法並不以上述實施例為
限。下文將繼續揭示本發明之其它實施例或變化形，然為了簡化說明並突顯各實施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重覆部分作贅述。
請參考第7圖與第8圖，第7圖至第8圖為本發明有機發光顯示面板之製作方法的第二實施例的製程示意圖，且第8圖顯示本發明有機發光顯示面板之第二實施例的部分剖面意圖，其中在第二實施例中，第7圖係接續第5圖的製程。本發明第二實施例與第一實施例的不同處在於係先製作間隙物42再製作平坦層30。如第7圖所示，在製作完薄膜電晶體20與保護層50後，於基板12上形成圖案化之第一導電層34，其中圖案化之第一導電層34包括下電極36，其至少位於發光區內16並藉由保護層50的接觸洞40’而電連接於薄膜電晶體20的汲極24。然後在基板12上形成間隙物材料層44，其包括至少一間隙物42設置於間隙物區14。
然後如第8圖所示，在基板12上形成平坦層30，覆蓋間隙物42、部分保護層50、薄膜電晶體20與部分下電極36，且平坦層30的開口30a係曝露並定義出發光區16。之後，再依序於發光區16製作有機發光材料層46與上電極48，便完成本發明第二實施例之觸控面板10’的製作。其中，有機發光材料層46係以IJP製程所形成，與部分平坦層30相接觸，而平坦層30包括疏墨性材料，使機發光材料層46能具有較佳的表面形狀。
根據本發明之第二實施例，係先於基板12上製作間隙物42，再在間隙物42上製作平坦層30，因此製作在保護層50表面的間隙物42可以有良好的故著性，且由於平坦層30係設置於間隙物42表面，平坦層30可進一步保護間隙物42使其不會從基板12表面掉落。在本實施例中，由於間隙物材料層44不會直接與有機發光材料層46相接觸，因此間隙物材料層44可
以包括各種適合的間隙物材料，例如有機光阻材料，但不以此為限，間隙物材料層44也可以為含氟光阻。此外，本實施例中各膜層的材料可參考第一實施例，因此不再贅述。
綜上所述，本發明揭露之有機發光顯示面板及其製作方法避免在具疏墨性材料的平坦層上直接製作間隙物，可以有效避免習知技術中間隙物無法有效固著於陣列基板上的問題，因此無須另外將間隙物製作於上蓋板，進一步省略了對位製程並可有效節省製程成本。本發明之精神包括在製作下電極時，一併於平坦層上方製作固位元件，或是先製作間隙物再製作平坦層。根據本發明之精神，上述揭露內容可以應用於具有共平面型(coplanar)型、蝕刻阻障層(etching stop layer，ES)型及背通道蝕刻(back channel etch，BCE)型氧化物TFT結構之顯示面板中，但不以此為限。由上述可知，本發明所揭露內容能兼顧間隙物的製作良率以及利用具疏墨性材料的平坦層達到使IJP製程中的有機發光材料可以有良好外形之優點，同時改善產品良率與有機發光顯示面板的顯視效果。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10‧‧‧有機發光顯示面板
12‧‧‧基板
14‧‧‧間隙物區
16‧‧‧發光區
18‧‧‧開關元件區
20‧‧‧薄膜電晶體
22‧‧‧閘極
24‧‧‧汲極
26‧‧‧源極
28‧‧‧半導體通道層
30‧‧‧平坦層
30a‧‧‧開口
32‧‧‧閘極絕緣層
34‧‧‧圖案化之第一導電層
36‧‧‧下電極
38‧‧‧固位元件
40‧‧‧接觸洞
42‧‧‧間隙物
44‧‧‧間隙物材料層
46‧‧‧有機發光材料層
48‧‧‧上電極
50‧‧‧保護層
52‧‧‧第二導電層
56‧‧‧第三導電層
60‧‧‧絕緣層
Claims (28)
- 一種有機發光顯示面板，包括：一基板，其具有至少一間隙物(spacer)區與一發光(emission)區；一平坦層，覆蓋該間隙物區但至少曝露該發光區，該平坦層包括疏墨性材料；一圖案化之第一導電層，設於該基板表面，且該圖案化之第一導電層包括：一下電極，至少位於該發光區內；以及一固位元件，設於該間隙物區之該平坦層表面，其中該固位元件與該下電極電性絕緣；至少一間隙物，設於該固位元件表面；以及一有機發光材料層，設於該發光區內之該下電極表面。
- 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該基板另具有一開關元件區，該有機發光顯示面板另包括至少一薄膜電晶體設於該開關元件區，該薄膜電晶體包括一閘極、一汲極、一源極及一半導體通道層，該汲極電連接於該下電極。
- 如請求項2所述之有機發光顯示面板，其另包括一保護層設於該基板表面並位於該平坦層下側，該保護層覆蓋該發光區、該間隙物區以及部分該薄膜電晶體，且該保護層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該汲極，該下電極係藉由該接觸洞而電連接於該汲極。
- 如請求項2所述之有機發光顯示面板，其中該半導體通道層包括金屬氧化物半導體材料。
- 如請求項2所述之有機發光顯示面板，其中該閘極係由一第二導電層所構 成，而該汲極與該源極係由同一第三導電層所構成，且該第二導電層與該第三導電層分別包括至少一部分設於該間隙物區。
- 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該平坦層包括含氟光阻材料。
- 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該間隙物係由光阻間隙物材料所形成。
- 如請求項7所述之有機發光顯示面板，其中該光阻間隙物材料另包括形成於該發光區之周圍而覆蓋部分該下電極，且該光阻間隙物材料包括含氟光阻材料或其他疏墨性材料。
- 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該有機發光材料層之至少一部分材料層係由噴墨印刷(inkjet printing)製程所形成。
- 一種有機發光顯示面板之製作方法，其包括：提供一基板，該基板具有至少一間隙物區、一開關元件區與一發光區；於該開關元件區形成一開關元件，其中該開關元件係為一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括一閘極、一汲極、一源極及一半導體通道層；於該基板表面形成一保護層，該保護層覆蓋該發光區、該間隙物區以及部分該薄膜電晶體；在形成該保護層之後，於該基板上形成一平坦層，覆蓋該間隙物區與該開關元件但至少曝露該發光區，且該平坦層曝露部分該開關元件，其中該平坦層包括疏墨性材料，該保護層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該汲極；於該基板上形成一圖案化之第一導電層，其包括： 一下電極，至少位於該發光區內，該下電極藉由該接觸洞電連接於該開關元件之該汲極；以及一固位元件，設於該間隙物區之該平坦層表面，其中該固位元件與該下電極電性絕緣；於該固位元件表面形成至少一間隙物；以及利用一噴墨印刷製程形成一有機發光材料層，設於該發光區內並位於該下電極表面。
- 如請求項10所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該半導體通道層包括金屬氧化物半導體材料。
- 如請求項10所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該平坦層包括含氟光阻材料。
- 如請求項10所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該間隙物係由光阻間隙物材料所形成。
- 如請求項13所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該光阻間隙物材料另包括形成於該發光區之周圍而覆蓋部分該下電極，且該光阻間隙物材料包括含氟光阻材料或其他疏墨性材料。
- 一種有機發光顯示面板，包括：一基板，其具有至少一間隙物區與一發光區；一下電極，設於該基板表面並至少位於該發光區內；以及至少一間隙物，設於該間隙物區；一平坦層，設於該基板表面並覆蓋該間隙物，且該平坦層至少曝露該發光 區；以及一有機發光材料層，至少設於該發光區內之該下電極表面並覆蓋部分該平坦層。
- 如請求項15所述之有機發光顯示面板，其中該基板另具有一開關元件區，該有機發光顯示面板另包括至少一薄膜電晶體設於該開關元件區，該薄膜電晶體包括一閘極、一汲極、一源極及一半導體通道層，且該汲極電連接於該下電極。
- 如請求項16所述之有機發光顯示面板，其另包括一保護層設於該基板表面並位於該平坦層下側，該保護層覆蓋該發光區、該間隙物區以及部分該薄膜電晶體，且該保護層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該汲極，該下電極係藉由該接觸洞而電連接於該汲極。
- 如請求項16所述之有機發光顯示面板，其中該半導體通道層包括金屬氧化物半導體材料。
- 如請求項16所述之有機發光顯示面板，其中該閘極係由一第二導電層所構成，而該汲極與該源極係由同一第三導電層所構成，且該第二導電層與該第三導電層分別包括至少一部分設於該間隙物區。
- 如請求項15所述之有機發光顯示面板，其中該平坦層包括含氟光阻材料或其他疏墨性材料。
- 如請求項15所述之有機發光顯示面板，其中該間隙物係由光阻間隙物材料所形成，且該光阻間隙物材料包括有機光阻材料或含氟光阻材料。
- 如請求項15所述之有機發光顯示面板，其中該有機發光材料層之至少一部分材料層係由噴墨印刷製程所形成。
- 一種有機發光顯示面板之製作方法，其包括：提供一基板，該基板具有至少一間隙物區、一開關元件區與一發光區；於該開關元件區形成一開關元件；於該基板上形成一下電極，至少位於該發光區內，該下電極電連接於該開關元件；於該間隙物區形成至少一間隙物；於該基板上形成一平坦層，覆蓋該間隙物與該開關元件但至少曝露該發光區，其中該平坦層包括疏墨性材料；以及利用一噴墨印刷製程形成一有機發光材料層，該有機發光材料層至少設於該發光區內並位於該下電極表面與部分該平坦層表面。
- 如請求項23所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該開關元件係為一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括一閘極、一汲極、一源極及一半導體通道層。
- 如請求項24所述之有機發光顯示面板之製作方法，其另包括在形成該間隙物之前，先於該基板表面形成一保護層，該保護層覆蓋該發光區、該間隙物區以及部分該薄膜電晶體，且該保護層具有一接觸洞曝露出部分該汲極，該下電極係藉由該接觸洞而電連接於該汲極。
- 如請求項24所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該半導體通道層包括金屬氧化物半導體材料。
- 如請求項23所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該平坦層包括含氟光阻材料。
- 如請求項23所述之有機發光顯示面板之製作方法，其中該間隙物係由光阻間隙物材料所形成，且該光阻間隙物材料包括有機光阻材料或含氟光阻材料。
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