KR20050099027A - 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050099027A
KR20050099027A KR1020040023900A KR20040023900A KR20050099027A KR 20050099027 A KR20050099027 A KR 20050099027A KR 1020040023900 A KR1020040023900 A KR 1020040023900A KR 20040023900 A KR20040023900 A KR 20040023900A KR 20050099027 A KR20050099027 A KR 20050099027A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
auxiliary electrode
auxiliary
lower electrode
electrically connected
Prior art date
Application number
KR1020040023900A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100590259B1 (ko
Inventor
이관희
김은아
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040023900A priority Critical patent/KR100590259B1/ko
Priority to US11/101,176 priority patent/US7427783B2/en
Publication of KR20050099027A publication Critical patent/KR20050099027A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100590259B1 publication Critical patent/KR100590259B1/ko
Priority to US12/195,355 priority patent/US7947519B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과; 상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과; 상기 개구부 상에 형성된 유기막과; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하며, 상기 보조 전극의 에지부의 테이퍼 각은 90°이상인 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.

Description

보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법{Top Emission OLED using Assistant Electrode to prevent IR drop and fabricating the same}
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 사용하여 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하여 대형화가 가능한 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
통상적으로 전면 발광 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)에서는 광을 봉지 기판 방향으로 발광시키기 위하여 투명 캐소드 전극이 사용된다.
일반적으로 상기 투명 캐소드 전극은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전성의 물질이 주로 사용되지만, 캐소드 전극으로써의 역할을 수행하기 위해 유기막과 접하는 쪽에 일함수(work function)가 낮은 금속 물질을 얇게 증착하여 반투명 금속막을 형성하고 상기 반투과 금속막 상에 ITO 또는 IZO를 두껍게 증착하여 사용한다.
상기와 같은 공정에서, 상기 ITO 또는 IZO는 유기막을 형성한 후에 형성되므로, 열이나 플라즈마(plasma)에 의한 유기막의 손상을 최소화하기 위하여 저온 증착에 의하여 형성되어 막질이 나쁘고, 비저항이 높아진다.
그러나, 상기 캐소드 전극의 비저항이 높다는 것은 화소의 위치별로 동일한 캐소드 전압이 인가되는 것이 아니라 전압 강하(IR drop)에 의해 전원이 입력되는 부위에서 가까운 영역과 먼 영역에서 전압 차이가 발생하고 결국 휘도나 화상 특성의 불균일을 일으킬 수 있으며, 또한, 소비 전력이 상승하는 문제점이 발생한다.
또한, 상기한 전압 강하 현상으로 인하여 중대형의 전면 발광 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여 쇼지 데라다 등(shoji terada et al)은 SID2003의 54.5L에 화소 정의막(285) 상에 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극을 형성하는 방법을 도입하였다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명한다.
도 1은 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 도시한 것으로서, 하나의 박막 트랜지스터 및 화소 전극과 캐패시터에 대응되는 부분에 한정하여 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 절연 기판(100)상에 버퍼층(110)이 형성되고, 버퍼층(110)상에 소오스/드레인 영역(121, 125)을 구비한 활성층(120)이 형성되며, 게이트 절연막(130)상에 게이트 전극(141) 및 캐패시터(C)의 하부 전극(147)이 형성된다. 층간 절연막(150)상에는 콘택 홀(151, 155)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(121, 125)과 연결되는 소오스/드레인 전극(161, 165)과 상기 소오스/드레인 전극(161, 165)중 하나, 예를 들면 소오스 전극(161)에 연결되는 캐패시터(C)의 상부 전극(167)이 형성된다.
상기 절연 기판(100) 전면에 보호막(170)이 형성되고, 상기 보호막(170)상에 비어 홀(175)을 통해 상기 소오스/드레인 전극(161, 165)중 하나, 예를 들어 드레인 전극(165)에 연결되는 EL소자의 애노드 전극으로써 화소 전극인 하부 전극(180)이 형성된다. 상기 하부전극(180)을 일부분을 노출시키는 개구부(189)가 구비된 화소 정의막(185)을 형성하고, 상기 개구부(189)내의 하부 전극(180)상에 유기막(190)이 형성되며, 상기 화소 정의막(185) 상에 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(193)이 형성되며, 상기 절연 기판(100) 전면에 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극(195)이 형성된 구조를 갖는다.
그러나, 상기의 방법은 보조 전극(193)을 형성하는 과정에서, 화소 정의막(185) 상에 상기 보조 전극(193)으로 사용되는 반투명 금속막을 증착하고 패터닝할 때, 상기 유기막(190)이 손상을 입는 문제점이 있으며, 또한, 상기 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(193)을 형성하기 위해 마스크 공정이 추가되어 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 보조 전극을 사용하여 상부 전극의 전압 강하를 방지하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상부 전극의 전압 강하를 방지하여 휘도 및 화상 특성이 향상되어, 대형화가 가능한 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과; 상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과; 상기 개구부 상에 형성된 유기막과; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하며, 상기 보조 전극의 에지부의 테이퍼 각은 90°이상인 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조 전극의 에지부의 테이퍼 각은 90° 이상 135°이하인 것이 바람직하며, 상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극인 것이 바람직하다.
상기 상부 전극은 상기 보조 전극과 보조 전극의 적어도 한 측면을 통하여 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 상부 전극 물질보다 일함수가 큰 도전성의 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극 및 보조 전극은 비저항이 낮으며 반사율이 우수한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극 및 보조 전극은 단일막 또는 다중막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극 및 보조 전극은 Al, Mo, MoW, Ti, Ag/ITO, Ag/MoW 및 MoW/Al(Nd)/ITO 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 유기막에 비하여 두꺼운 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 하부 전극 및 보조 전극의 두께는 3000Å 이상인 것이 바람직하다.
상기 보조 전극은 선형(linear) 구조로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 보조 전극은 격자(grid) 구조로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 보조 전극은 패드부의 캐소드 인입 단자와 연결되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과; 상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과; 상기 개구부 상에 형성된 유기막과; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하며, 상기 보조 전극의 상부면의 길이는 하부면의 길이 이상인 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 보조 전극의 상부면의 길이는 하부면의 길이 내지 상기 보조 전극의 두께의 2배와 하부면의 길이의 합인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 보조 전극과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 동시에 형성하는 단계와; 상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막을 형성하는 단계와; 상기 개구부 상에 유기막을 형성하는 단계와; 상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 도시한 것으로서, R,G,B 단위 화소에 국한시켜 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 표시 장치(AMOLED)는 각각의 R, G, B 화소 별로 절연 기판(200) 상의 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극(211, 215)과 전기적으로 연결되는 하부 전극(220)과, R, G, B 각 화소의 하부 전극(220) 사이에 형성되며, 상기 하부 전극(220)과 동일층 상에 형성되는 상부 전극 전압 강하 방지를 위한 보조 전극(223)을 구비한다.
또한, 상기 보조 전극(223) 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극(220)의 에지(edge)부에만 형성되어 R, G, B 각 화소 별로 분리되며, 상기 하부 전극(220)의 일부분을 노출시키는 개구부(235)가 형성된 화소 정의막(230)을 구비한다.
또한, 상기 개구부(235)에 의해 노출된 하부 전극(220)과 상기 화소 정의막 상에 형성되며, 상기 보조 전극(223)의 적어도 한 측면에는 형성되지 않는 유기막(240)을 구비한다.
또한, 상기 절연 기판(200) 전면에 형성되며, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(223)의 적어도 한 측면과 전기적으로 연결되는 상부 전극(250)을 구비한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치의 공정 단면도를 도시한 것으로, 캐패시터(C)와 하나의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 EL소자에 한정하여 도시한 것이다.
도 3a를 참조하면, 버퍼층(310)이 형성된 절연 기판(300) 상에 각 R, G, B 화소 별로 소오스/드레인 영역(321, 325)을 구비하는 활성층(320)을 형성한다.
상기 활성층(320)을 형성한 후, 상기 절연 기판(300) 상에 게이트 절연막(330)을 형성하고, 전도성 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(341) 및 캐패시터의 하부 전극(347)을 형성한다.
그런 다음, 층간 절연막(350)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 영역(321, 325)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(351, 355)을 형성한다.
상기 콘택 홀(351, 355)을 형성한 후, MoW 등의 전도성 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 콘택 홀(351, 355)을 통하여 상기 소오스/드레인 영역(321, 325)과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극(361, 365)과, 상기 소오스/드레인 전극(361, 365) 중 어느 하나, 예를 들면 소오스 전극(361)에 연결되는 캐패시터의 상부 전극(367)을 형성하여 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 형성한다.
상기 소오스/드레인 전극(361, 365)과 캐패시터의 상부 전극(367)을 형성한 다음, 상기 절연 기판(300) 전면에 보호막(370)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(361, 365) 중 어느 하나, 예를 들면 드레인 전극(365)을 노출시키는 비아 홀(375)을 형성한다.
상기 비아 홀(375)을 통하여 상기 드레인 전극(365)과 전기적으로 연결되는 섬 형태의 화소 전극인 하부 전극(380)을 형성함과 동시에, 이후에 형성되는 상부 전극의 전압 강하를 방지하기 위한 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)을 R, G, B 각 화소의 하부 전극(380) 사이에 형성한다.
이때, 상기 하부 전극(380) 및 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)은 적어도 한 에지부의 테이퍼 각이 90°이상인 것이 바람직하다. 즉, 적어도 한 에지부가 역테이퍼 진 구조로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 이후에 형성되는 유기막 형성 시에, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)에 의하여 상기 유기막이 분리될 수 있도록 하기 위함이다.
상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)과 상기 하부 전극(380)은 후속의 공정에서 형성되는 상부 전극 물질보다 일함수가 큰 도전성의 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 캐소드 전극의 전압 강하를 최소화하기 위해 비저항이 낮으며, 후속 공정에서 형성되는 유기막의 반사율을 증대시키기 위해 반사율이 우수한 Al, Mo, MoW, Ti, Ag/ITO, Ag/MoW, MoW/Al(Nd)/ITO 또는 기타 반사막이나 애노드 전극으로 사용될 수 있는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 하부 전극(380) 및 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)은 단일막 또는 다중막으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 하부 전극(380) 및 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)은 이후에 형성되는 유기막에 비하여 충분이 두껍게 형성하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 3000Å 이상 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.
도 3b를 참조하면, 상기 하부 전극(380)의 일부분을 노출시키는 개구부(389)가 형성된 화소 정의막(385)을 형성한다. 이때 상기 화소 정의막(385)은 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383) 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극(380)의 에지부에만 형성되는 것이 바람직하다.
상기 화소 정의막(385)을 형성한 후, 상기 개구부 상에 유기막(390)을 형성한다. 상기 유기막(390)은 그 기능에 따라 여러 층으로 구성될 수 있는데, 일반적으로 발광층(Emitting layer)을 포함하여 정공 주입층(HIL), 정공 전달층(HTL), 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나 이상의 층을 포함하는 다층구조로 이루어진다.
이때, 상기 유기막(390)은 상기 절연 기판(300) 전면에 형성되지만, 상기 보조 전극(383)의 적어도 한 측면에는 형성되지 않는다. 이는 상기 화소 정의막(385)은 어느 정도의 일정 예각을 갖고 형성되어 상기 유기막(390)이 넘어 갈 수 있으나, 상기 보조 전극(383)은 적어도 한 에지부의 테이퍼 각이 90° 이상인 역테이퍼진 구조로 이루어지며, 상기 유기막(390)의 두께에 비하여 충분히 두껍게 형성되기 때문이다.
도 3c를 참조하면, 상기 절연 기판(300) 전면에 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극(395)을 형성한다. 이때, 상기 상부 전극(395)은 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착하여 반투명 금속막을 형성하고, 상기 반투명 금속막 상에 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착하여 형성된 투명 도전막을 형성하여, 반투명 금속막과 투명 도전막의 이층 구조로 이루어진다.
상기 상부 전극(395)은 상기 유기막(390)이 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 적어도 한 측면에는 형성되지 않으므로, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 적어도 한 측면과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 상부 전극(395)이 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(383)의 적어도 한 측면과 전기적으로 연결되므로, 상기 상부 전극(395)의 전압 강하를 방지할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극에 한정한 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)은 적어도 한 에지부의 테이퍼 각 α는 90° 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 α는 90° 내지 135°인 것이 바람직하다. 즉, 적어도 한 에지부가 역 테이퍼진 구조로 이루어진다.
이는 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 에지부의 테이퍼 각 α가 90°이하인 경우에는 유기막 형성 시, 유기막이 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 측면에서 절연되지 않고, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)을 타고 넘어 갈 수 있기 때문이다.
또한, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 에지부의 테이퍼 각 α가 135°이상인 경우에는 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 하부면의 길이 b가 상부면의 길이 a에 비하여 상대적으로 매우 짧아 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)이 무너질 수 있기 때문이다. 또한, 유기 전계 발광 표시 장치의 구동시 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 에지부 상부에 스트레스 및 강한 전계가 발생하는 문제점이 있기 때문이다.
한편, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 단면 형상을 사다리꼴 형상이라고 할 때, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 상부면의 길이를 a, 하부면의 길이를 b, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 두께를 h, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 에지부의 테이퍼 각 α의 엇각에서 90°를 뺀 각을 α'이라 하면, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 상부면의 길이 a와 하부면의 길이 b는 하기 식과 같은 관계가 성립한다.
식1
b + htanα'≤a≤b + 2htanα' (0°≤α'≤45°)
상기 α'가 0° 내지 45°이므로, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 상부면의 길이 a는 b <= a <= b + 2h 인 것이 바람직하다.
즉, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410) 상부면의 길이 a는 하부면의 길이 b 내지 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(410)의 두께 h의 두 배와 하부면의 길이 b의 합인 것이 바람직하다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치의 평면 구조를 도시한 것이다.
도 5a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 절연 기판(500)의 패드부의 인입 단자(510)와 연결되는 구조를 갖는다.
도 5b를 참조하면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 격자(grid) 형태를 갖으며, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)의 각 격자 내에 화소 전극인 하부 전극(530)이 섬(island) 형태를 갖도록 형성된다. 이때, 상기 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 격자 형태를 갖는 경우에는 캐소드 전압 강하가 보다 적게 된다.
도면의 참조 번호 540은 비아 홀이다.
도 5c를 참조하면, 상기 섬(island) 형태의 하부 전극(530)이 열과 행의 매트릭스 형태로 배열되고, 열 방향으로 배열된 이웃하는 하부 전극(530)의 사이에 라인(line) 형태로 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 형성된다.
도 5d를 참조하면, 열과 행의 매트릭스 형태로 배열된 상기 섬 형태의 이웃하는 하부 전극(530)의 사이에 행 방향으로 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극(520)이 배열된다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 상기 하부 전극과 동시에 형성하여 줌으로써, 추가적인 마스크 공정 없이 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하는 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 형성할 수 있다. 또한, 캐소드 전극의 전압 강하를 방지함으로써, 중대형의 유기 전계 발광 표시 장치를 형성할 수 있는 이점이 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 형성함으로써, 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하여 휘도 및 화상 특성의 불균일을 방지한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극을 하부 전극과 동시에 형성함으로써, 추가적인 마스크 공정 없이 캐소드 버스라인을 형성할 수 있다.
또한, 캐소드 전압 강하를 방지함으로써, 소비 전력이 감소한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 캐소드 전압 강하를 방지함으로써, 중대형의 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 단면도.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극에 한정한 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 보조 전극이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 평면 구조도.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
300; 절연 기판 310; 버퍼층
320; 활성층 330; 게이트 절연막
341; 게이트 전극 347; 캐패시터 하부 전극
350; 층간 절연막 351, 355; 콘택 홀
361, 365; 소오스/드레인 전극 367; 캐패시터 상부 전극
370; 보호막 375; 비아 홀
380; 하부 전극 383; 보조 전극
385; 화소 정의막 389; 개구부
390; 유기막 395; 상부 전극

Claims (23)

  1. 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과;
    상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과;
    상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과;
    상기 개구부 상에 형성된 유기막과;
    상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하며,
    상기 보조 전극의 에지부의 테이퍼 각은 90°이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극의 에지부의 테이퍼 각은 90° 이상 135°이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 전극은 상기 보조 전극과 보조 전극의 적어도 한 측면을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 상부 전극 물질보다 일함수가 큰 도전성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 비저항이 낮으며 반사율이 우수한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 단일막 또는 다중막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 Al, Mo, MoW, Ti, Ag/ITO, Ag/MoW 및 MoW/Al(Nd)/ITO 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 유기막에 비하여 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극의 두께는 3000Å 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 선형(linear) 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 격자(grid) 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극은 패드부의 캐소드 인입 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  14. 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극과;
    상기 하부 전극과 동일층 상에 형성된 보조 전극과;
    상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 화소 정의막과;
    상기 개구부 상에 형성된 유기막과;
    상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하며,
    상기 보조 전극의 상부면의 길이는 하부면의 길이 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 보조 전극의 상부면의 길이는 하부면의 길이 내지 상기 보조 전극의 두께의 2배와 하부면의 길이의 합인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 유기막에 비하여 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극의 두께는 3000Å 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  19. 박막 트랜지스터를 구비하는 상기 절연 기판 상에 보조 전극과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 하부 전극을 동시에 형성하는 단계와;
    상기 보조 전극 상에는 형성되지 않으며, 상기 하부 전극의 에지부에만 형성되어 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막을 형성하는 단계와;
    상기 개구부 상에 유기막을 형성하는 단계와;
    상기 절연 기판 전면에 형성되며, 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상부 전극 전압 강하 방지용 보조 전극이며, 보조 전극의 측면을 통하여 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극은 상기 유기막에 비하여 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 하부 전극 및 보조 전극의 두께는 3000Å 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제 19항에 있어서,
    상기 상부 전극은 상기 보조 전극과 보조 전극의 적어도 한 측면을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
KR1020040023900A 2004-04-07 2004-04-07 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 KR100590259B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040023900A KR100590259B1 (ko) 2004-04-07 2004-04-07 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11/101,176 US7427783B2 (en) 2004-04-07 2005-04-06 Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode
US12/195,355 US7947519B2 (en) 2004-04-07 2008-08-20 Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040023900A KR100590259B1 (ko) 2004-04-07 2004-04-07 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050099027A true KR20050099027A (ko) 2005-10-13
KR100590259B1 KR100590259B1 (ko) 2006-06-19

Family

ID=37278240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040023900A KR100590259B1 (ko) 2004-04-07 2004-04-07 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100590259B1 (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100821723B1 (ko) * 2006-10-02 2008-04-15 (주)케이디티 다 방향 전원인가 유기 발광 소자
KR100835919B1 (ko) * 2006-07-31 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100899428B1 (ko) * 2008-01-28 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
US8860012B2 (en) 2011-12-02 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Textile-type organic light-emitting device and method of manufacturing the same
KR20160026363A (ko) * 2014-08-31 2016-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10297656B2 (en) 2015-11-23 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20200031432A (ko) * 2018-09-14 2020-03-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110911580A (zh) * 2019-11-13 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制备方法
KR20200049223A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111244326A (zh) * 2020-01-22 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200121414A (ko) 2019-04-15 2020-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102659331B1 (ko) 2019-12-31 2024-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100835919B1 (ko) * 2006-07-31 2008-06-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100821723B1 (ko) * 2006-10-02 2008-04-15 (주)케이디티 다 방향 전원인가 유기 발광 소자
KR100899428B1 (ko) * 2008-01-28 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
US8710508B2 (en) 2008-01-28 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US8860012B2 (en) 2011-12-02 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Textile-type organic light-emitting device and method of manufacturing the same
KR20160026363A (ko) * 2014-08-31 2016-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10297656B2 (en) 2015-11-23 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
US10950683B2 (en) 2015-11-23 2021-03-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
US11430860B2 (en) 2015-11-23 2022-08-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20200031432A (ko) * 2018-09-14 2020-03-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200049223A (ko) * 2018-10-31 2020-05-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110911580A (zh) * 2019-11-13 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制备方法
CN110911580B (zh) * 2019-11-13 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制备方法
CN111244326A (zh) * 2020-01-22 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100590259B1 (ko) 2006-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7947519B2 (en) Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode and method of fabricating the same
US8164252B2 (en) Organic light emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
JP4832781B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8455893B2 (en) Light-emitting apparatus and production method thereof
EP2747062A2 (en) Organic light emitting diode display
US20060022583A1 (en) Flat panel display device and fabrication method thereof
US8212258B2 (en) Display device and method for manufacturing display device
US20050057460A1 (en) Organic electroluminescent display device
KR100651936B1 (ko) 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
TWI514561B (zh) 主動式矩陣有機發光二極體
JP4488557B2 (ja) Ｅｌ表示装置
KR100590259B1 (ko) 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2005056846A (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
KR100761111B1 (ko) 탑―이미션 방식의 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR20050111152A (ko) 양방향 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR100552966B1 (ko) 보조 전극을 사용하여 상부 전극 전압 강하를 방지하는전면 발광 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20190091395A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4614051B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
KR100617193B1 (ko) 양방향 유기 ｅｌ 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
KR100504512B1 (ko) 탑-이미션 방식의 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
KR100721552B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US20230320142A1 (en) Display device and manufacturing method of display device
KR100546663B1 (ko) 탑-이미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR100595210B1 (ko) 탑-이미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
US20230284509A1 (en) Display device manufacturing method and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130530

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee