KR102446425B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판, 기판의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물들, 기판의 주변 영역에 배치되고, 제1 높이를 가지며, 표시 구조물들을 둘러싸는 제1 차단 부재, 표시 영역으로부터 주변 영역으로의 방향으로 제1 차단 부재로부터 이격되고, 제1 차단 부재를 둘러싸며, 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재, 표시 구조물들, 제1 차단 부재 및 제2 차단 부재 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층, 제1 봉지층 상에 배치되고, 제1 차단 부재의 적어도 일부와 중첩되며, 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층 및 제1 및 제2 봉지층들 상에 배치되고, 무기 물질을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 차단 부재들을 포함하는 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근 이러한 표시 장치의 하부 기판과 상부 기판을 플렉서블한 재료로 구성하여, 표시 장치가 벤딩 또는 폴딩될 수 있는 플렉서블 표시 장치가 개발되고 있다. 예를 들면, 하부 기판은 플렉서블한 기판으로 구성될 수 있고, 상부 기판은 박막 봉지 구조물을 가질 수 있다. 상기 박막 봉지 구조물은 수분 또는 습기의 침투를 막기 위해 하부 기판 상에 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층이 교번하여 형성될 수 있다. 박막 봉지 구조물의 형성 과정에서, 유기층의 누출을 막기 위해 하부 기판의 외곽에 적어도 하나의 차단 부재가 배치될 수 있다. 이러한 차단 부재는 표시 구조물을 형성하는 과정에 사용되는 마스크를 지지할 수도 있다. 다만, 차단 부재 상에 마스크가 배치됨으로써, 차단 부재의 상면에 흠집이 날 수 있다. 상기 흠집 때문에 박막 봉지 구조물의 불량이 발생될 수 있고, 플렉서블 표시 장치는 손상될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 차단 부재들을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 차단 부재들을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물들, 상기 기판의 주변 영역에 배치되고, 제1 높이를 가지며, 상기 표시 구조물들을 둘러싸는 제1 차단 부재, 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되고, 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며, 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재, 상기 표시 구조물들, 상기 제1 차단 부재 및 상기 제2 차단 부재 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층, 상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 차단 부재의 적어도 일부와 중첩되며, 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층 및 상기 제1 및 제2 봉지층들 상에 배치되고, 상기 무기 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 요철 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 복수의 리세스를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 차단 부재의 상면으로의 제1 높이 및 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 차단 부재의 상면으로의 제2 높이는 0.6:1 내지 0.8:1의 비율로 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 차단 부재 상에서 상기 제1 봉지층 및 상기 제3 봉지층이 서로 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재는 상기 제2 차단 부재와 접촉하지 않고, 서로 평행하게 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상의 주변 영역에 배치되는 제3 차단 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되어 배치되고, 상기 제1 높이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 높이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제2 높이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 표시 구조물들 사이에 배치되는 반도체 소자들을 더 포함하고, 상기 반도체 소자들 각각은 상기 기판 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 차단 부재는 상기 층간 절연층 상에 배치되는 하부 차단 패턴 및 상기 하부 차단 패턴 상에 배치되는 상부 차단 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 차단 패턴은 상기 하부 차단 패턴을 커버하며 상기 제2 높이를 가지고, 상기 상부 차단 패턴의 저면의 일부는 상기 기판과 접촉하며, 상기 상부 차단 패턴은 상기 하부 차단 패턴을 노출시키지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 차단 패턴은 상기 평탄화층과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 높이는 상기 기판의 상면으로부터 상기 화소 정의막의 상면으로의 높이보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물들 각각은 상기 평탄화층과 상기 화소 정의막 사이에 개재되고, 상기 화소 정의막에 의해 일부가 노출되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 층간 절연층 상의 주변 영역에 배치되고, 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되어 배치되는 제1 전원 전압 배선 및 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 전원 전압 배선으로부터 이격되어 배치되는 제2 전원 전압 배선을 더 포함하고, 상기 제1 차단 부재는 상기 제1 전원 전압 배선 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 주변 영역에서 상기 제1 전원 전압 배선과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전원 전압 배선에는 저전원 전압이 제공되고, 제2 전원 전압 배선에는 고전원 전압이 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 전원 전압 배선들은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 상기 기판의 표시 영역에 표시 구조물들을 형성하는 단계, 상기 기판의 주변 영역에 제1 높이를 가지며 상기 표시 구조물들을 둘러싸는 제1 차단 부재를 형성하는 단계, 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되고, 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며, 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재를 형성하는 단계, 상기 표시 구조물들, 상기 제1 차단 부재 및 상기 제2 차단 부재 상에 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제1 봉지층 상에 상기 제1 차단 부재의 적어도 일부와 중첩되도록 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2 봉지층들 상에 상기 무기 물질을 포함하는 제3 봉지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 예비 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 예비 평탄화층을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 평탄화층 및 상기 주변 영역에 하부 차단 패턴을 형성하는 단계, 상기 하부 차단 패턴 및 상기 평탄화층 상에 예비 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 예비 화소 정의막을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 화소 정의막, 상기 주변 영역에 제1 차단 부재 및 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며 상기 하부 차단 패턴 상에 위치하는 상부 차단 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 예비 화소 정의막은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 부분적으로 제거되고, 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함하며, 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거되고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성되고, 상기 제1 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성되며, 상기 하부 차단 패턴 및 상부 차단 패턴은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 및 상부 차단 패턴은 상기 제2 차단 부재에 해당될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 요철 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 복수의 리세스를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물들을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 반도체 소자들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자를 형성하는 단계는 상기 기판 상에 액티브층들을 형성하는 단계, 상기 기판 상에 상기 액티브층들을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극들을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 상기 게이트 전극들을 덮는 층간 절연층을 형성하는 단계 및 상기 층간 절연층 상에 소스 및 드레인 전극들 및 제1 및 제2 전원 전압 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물들을 형성하는 단계는 상기 층간 절연층 상에 상기 소스 및 드레인 전극들 및 제1 및 제2 전원 전압 배선을 덮는 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 상에 하부 전극들을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 상에 하부 전극들 각각의 일부를 노출시키는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 하부 전극들 상에 발광층들을 형성하는 단계 및 상기 발광층들 및 상기 화소 정의막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 차단 부재의 상면으로의 제1 높이 및 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 차단 부재의 상면으로의 제2 높이는 0.6:1 내지 0.8:1의 비율로 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 예비 화소 정의막을 형성하는 단계 및 상기 예비 화소 정의막을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 화소 정의막, 상기 주변 영역에 제1 차단 부재 및 상기 제1 차단 부재를 둘러싸는 제2 차단 부재를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 예비 화소 정의막은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 부분적으로 제거되고, 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함하며, 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거되고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성되고, 상기 제1 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성되며, 상기 제2 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 높이를 갖는 제1 차단 부재 및 상기 제1 높이 보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재를 포함함으로써, 제1 차단 부재의 상면에 마스크가 접촉되지 않을 수 있다. 이에 따라, 박막 봉지 구조물의 불량을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 22는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 26 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다.
표시 영역(10)에는 표시 구조물들이 배치될 수 있다. 상기 표시 구조물들을 통해 표시 영역(10)에서 화상(예를 들어, 영상 이미지)이 표시될 수 있다. 주변 영역(20)에는 공통 배선들(예를 들어, 스캔 배선, 데이터 배선, 전원 전압 배선 등)이 배치될 수 있다. 여기서, 공통 배선들은 상기 표시 구조물들에 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(20)에 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)가 배치될 수 있다. 제1 차단 부재(445)는 제1 높이를 가질 수 있으며 상기 표시 구조물들을 둘러쌀 수 있다. 제2 차단 부재(450)는 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 가질 수 있고, 제1 차단 부재(445)를 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 부재(445)는 제2 차단 부재(450)와 접촉하지 않을 수 있고, 서로 평행하게 배치될 수 있다. 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)는 이후 설명될 박막 봉지 구조물에 포함된 유기층의 누출을 방지할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 플렉서블한 기판을 포함할 수 있다. 이와 같이, 표시 장치(100)는 상기 플렉서블한 기판, 상기 박막 봉지 구조물을 포함함으로써, 플렉서블 표시 장치로 기능할 수 있다.
도 1에 도시된 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖지만 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 3은 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 일 예를 나타내는 단면도이며, 도 4는 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 다른 예를 나타내는 단면도이고, 도 5는 도 2의 표시 장치에 포함된 제1 차단 부재의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 5를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 차단 부재(450)는 하부 차단 패턴(452) 및 상부 차단 패턴(454)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에서는 화상이 표시될 수 있고, 주변 영역(20)에서는 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)가 배치될 수 있다. 표시 장치(100)가 플렉서블한 기판(110), 박막 봉지 구조물(400)을 포함함으로써, 플렉서블 표시 장치로 기능할 수 있다.
투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층, 제2 배리어층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 상기 폴리이미드 기판은 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250), 상기 표시 구조물 등)의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층 및 제2 배리어층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 배리어층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상기 상부 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 다시 말하면, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수도 있다. 표시 장치(100)가 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 구비함에 따라, 기판(110)도 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다. 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다.
액티브층(130)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등으로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에는 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450)가 배치될 수 있다.
제1 전원 전압 배선(350)은 층간 절연층(190) 상에서 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향(예를 들어, 제1 방향)으로 제1 차단 부재(445)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전원 전압 배선(350)에는 저전원 전압이 제공될 수 있다. 상부 전극(340)은 제1 전원 전압 배선(350)과 접촉할 수 있고, 상기 저전원 전압이 상부 전극(340)에 인가될 수 있다.
제2 전원 전압 배선(470)은 층간 절연층(190) 상에서 상기 제1 방향으로 제1 전원 전압 배선(350)으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전원 전압 배선(470)에는 고전원 전압이 제공될 수 있다. 하부 전극(290)은제2 전원 전압 배선(470)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 고전원 전압이 하부 전극(290)에 인가될 수 있다. 제1 전원 전압 배선(350) 및 제2 전원 전압 배선(470) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 전원 전압 배선(350) 및 제2 전원 전압 배선(470)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 스캔 배선, 데이터 배선, 발광 신호 배선, 초기화 전압 배선 등이 기판(110) 상에 추가적으로 배치될 수도 있다. 상기 배선들은 게이트 전극(170) 또는 소스 및 드레인 전극들(210, 230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 차단 부재(445)는 제1 높이(T1)를 가지며, 상기 표시 구조물, 반도체 소자(250), 제1 전원 전압 배선(350) 및 제2 전원 전압 배선(470)을 둘러쌀 수 있다. 제1 높이(T1)는 층간 절연층(190)의 상면으로부터 제1 차단 부재(445)의 상면까지의 높이에 해당될 수 있다. 또는, 제1 높이(T1)는 기판(110)의 상면으로부터 제1 차단 부재(445)의 상면까지의 높이에 해당될 수도 있다. 제1 차단 부재(445)는 제2 봉지층(370)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있다. 제1 차단 부재(445)는 상부 차단 패턴(454) 및 화소 정의막(310)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 차단 부재(450)는 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로의 방향(예를 들어, 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향)으로 제1 차단 부재(445)로부터 이격될 수 있고, 제1 차단 부재(445)를 둘러싸며, 제1 높이(T1)보다 큰 제2 높이(T2)를 가질 수 있다. 제2 높이(T2)는 층간 절연층(190)의 상면으로부터 제2 차단 부재(450)의 상면까지의 높이에 해당될 수 있다. 또는, 제2 높이(T2)는 기판(110)의 상면으로부터 제2 차단 부재(450)의 상면까지의 높이에 해당될 수도 있다. 제2 차단 부재(450)는 상기 표시 구조물을 형성하는 공정(예를 들어, 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 형성하는 공정)에서 사용되는 마스크를 지지하는 역할 및 제2 봉지층(370)의 누출을 차단하는 역할을 할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 부재(450)는 하부 차단 패턴(452) 및 상부 차단 패턴(454)을 포함할 수 있다. 하부 차단 패턴(452)이 층간 절연층(190) 상에 배치될 수 있고, 하부 차단 패턴(452) 상에 상부 차단 패턴(454)이 배치될 수 있다. 하부 차단 패턴(452)은 평탄화층(270)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있고, 상부 차단 패턴(454)은 제1 차단 부재(445) 및 화소 정의막(310)과 동일한 물질을사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 높이(T1) 및 제2 높이(T2)는 대략 0.6:1 내지 대략 0.8:1의 비율로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 구조물을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크와 접촉하기 위해 제2 차단 부재(450)의 높이는 3.3 마이크로미터일 수 있다. 제2 봉지층(370)의 누출을 차단 및 상기 표시 구조물을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크와 이격되기 위해 제1 차단 부재(445)의 높이는 대략 2.6 마이크로미터일 수 있다. 예를 들면, 상기 마스크와 제1 차단 부재(445)가 접촉하는 경우, 제1 차단 부재(445)의 상면에 흠집이 날 수 있다. 이러한 경우, 상기 흠집 때문에 제1 차단 부재(445) 상에서 박막 봉지 구조물(400)의 불량이 야기될 수 있다. 구체적으로, 제1 차단 부재(445)의 상면의 흠집 때문에 제1 봉지층(385)이 제1 차단 부재(445)의 상면에서 끊어질 수 있고, 상기 끊어진 부분에서 제1 차단 부재(445)와 제2 봉지층(370)이 직접 접촉할 수 있다. 제1 차단 부재(445)와 제2 봉지층(370)은 유기 물질을 포함하기 때문에 수분 또는 습기가 제1 차단 부재(445) 및 제2 봉지층(370)을 통해 표시 영역(10)으로 침투될 수 있다. 결과적으로, 표시 장치(100)는 손상될 수 있다. 제1 차단 부재(445)의 상면에서 제1 봉지층(385)이 끊어짐을 막기 위해 제1 차단 부재(445)의 높이가 제2 차단 부재(450)의 높이보다 작게 형성될 수 있다. 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450) 각각은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450) 각각은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450) 각각은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단 부재(445)의 높이가 제2 차단 부재(450)의 높이보다 작게 형성되기 위해 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)는 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190) 상에 예비 평탄화층이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 평탄화층을 부분적으로 제거하여 주변 영역(20)에 하부 차단 패턴(452) 및 표시 영역(10) 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 하부 차단 패턴(452) 및 평탄화층(270)을 형성한 후, 층간 절연층(190) 상에 전체적으로 예비 화소 정의막이 제2 높이(T2)로 배치될 수 있고, 상기 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 상기 예비 화소 정의막이 부분적으로 제거될 수 있다. 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함할 수 있다. 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거될 수 있고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거될 수 있다. 여기서, 상기 반투과 영역은 상기 슬릿 영역보다 상기 예비 화소 정의막을 더 많이 제거할 수 있다. 즉, 제1 차단 부재(445)의 제1 높이(T1)는 화소 정의막(310)의 상면의 높이보다 클 수 있다. 화소 정의막(310)은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성될 수 있고, 제1 차단 부재(445)는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성될 수 있으며, 상부 차단 패턴(454)은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에서 형성될 수 있고, 이를 제외한 나머지 부분은 개구 영역에 위치할 수 있으며 예비 화소 정의막이 완전히 제거될 수 있다. 이러한 공정에 있어서, 상기 슬릿 영역 아래에 위치하는 제1 차단 부재(445)의 상면은 불균일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 차단 부재(445)의 상면은 복수의 리세스를 포함할 수 있다. 또는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 차단 부재(445)의 상면은 요철 구조를 가질 수도 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230), 제2 전원 전압 배선(470) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에서 제2 전원 전압 배선(470) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부를 덮을 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230), 제2 전원 전압 배선(470) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부를 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230), 제2 전원 전압 배선(470) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부를 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230), 제2 전원 전압 배선(470) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있고, 평탄화층(270) 상의 주변 영역(20)에서 화소 정의막(310)은 평탄화층(270)을 덮으며 제1 전원 전압 배선(350)의 상면과 접촉할 수 있다. 표시 영역(10)에서 하부 전극(290)이 노출된 부분에 발광층(330)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310), 발광층(330) 및 제1 전원 전압 배선(350)의 일부 상에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상부 전극(340)은 제1 전원 전압 배선(350)으로부터 저전원 전압을 공급 받을 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
상부 전극(340), 제1 전원 전압 배선(350), 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450) 상에 박막 봉지 구조물(400)이 배치될 수 있다. 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(385) 상에 제2 봉지층(370)이 배치될 수 있고, 제2 봉지층(370) 상에 제3 봉지층(390)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340), 제1 전원 전압 배선(350), 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450) 상에 제1 봉지층(385)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(385)은 상부 전극(340), 제1 전원 전압 배선(350), 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)를 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340), 제1 전원 전압 배선(350), 제1 차단 부재(445) 및 제2 차단 부재(450)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 봉지층(385)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(385)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(385)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(385) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 일부 상에 제2 봉지층(370)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(370)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 표시 영역(10)에 배치된 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(370) 유기 물질들을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 봉지층(370)은 제1 차단 부재(445)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
주변 영역(20)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370) 상에 제3 봉지층(390)이 배치될 수 있다. 제3 봉지층(390)은 주변 영역(20)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)을 덮으며, 균일한 두께로 주변 영역(20)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제3 봉지층(390)은 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 봉지층(390)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 봉지층(390)은 무기 물질들을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 부재(450) 상에서 제1 봉지층(385) 및 제3 봉지층(390)이 서로 접촉할 수 있다.
선택적으로, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 내지 제5 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 봉지층들로 적층된 7층 구조로 구성될 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 제1 높이(T1)를 갖는 제1 차단 부재(445) 및 제1 높이(T1)보다 큰 제2 높이(T2)를 갖는 제2 차단 부재(450)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 구조물을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크와 제1 차단 부재(445)의 상면이 접촉되지 않음으로써, 제1 차단 부재(445)의 상면에서 제1 봉지층(385)이 끊어지지 않을 수 있고, 표시 장치(100)는 수분 또는 습기로부터 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다.
도 6 내지 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함하는 기판(510)이 제공될 수 있다. 기판(510)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 사용하여 형성될 수 있다. 기판(510)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층, 제2 배리어층 등으로 구성될 수 있다.
기판(510) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
기판(510) 상의 표시 영역(10)에 액티브층(530)이 형성될 수 있다. 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘) 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530) 상에는 게이트 절연층(550)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 표시 영역(10)에서 액티브층(530)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(550)은 기판(510) 상에서 액티브층(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(530)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(550)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(570)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 7을 참조하면, 게이트 전극(570) 상에는 층간 절연층(590)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(570)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(550) 상에서 전체적으로 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상에서 게이트 전극(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상에서 게이트 전극(570)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(570)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연층(590) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 형성될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 전극(570), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 형성될 수 있다.
층간 절연층(590) 상의 주변 영역(20)에는 제1 전원 전압 배선(750), 제2 전원 전압 배선(870)이 형성될 수 있다.
제1 전원 전압 배선(750)은 층간 절연층(590) 상에서 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로의 방향으로 드레인 전극(630)으로부터 이격되어 형성될 수 있다. 제1 전원 전압 배선(750)에는 저전원 전압이 제공될 수 있다.
제2 전원 전압 배선(870)은 층간 절연층(590) 상에서 제1 전원 전압 배선(750)과 드레인 전극(630) 사이에 형성될 수 있다. 제2 전원 전압 배선(870)에는 고전원 전압이 제공될 수 있다. 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 층간 절연층(590) 상에 예비 평탄화층(675)이 형성될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630), 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870)을 덮으며 층간 절연층(590) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630), 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 예비 평탄화층(675)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 예비 평탄화층(675)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 예비 평탄화층(675)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 평탄화층(615)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 예비 평탄화층(675)을 부분적으로 제거하여 표시 영역(10)에 평탄화층(670) 및 주변 영역(20)에 하부 차단 패턴(852)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630), 제2 전원 전압 배선(870) 및 제1 전원 전압 배선(750)의 일부 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 차단 패턴(852) 및 평탄화층(670)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(690)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 10을 참조하면, 층간 절연층(590) 상에 예비 화소 정의막(715)이 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 하부 차단 패턴(852), 제1 전원 전압 배선(750), 평탄화층(670) 및 하부 전극(690) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 하부 차단 패턴(852), 제1 전원 전압 배선(750), 평탄화층(670) 및 하부 전극(690)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 화소 정의막(715)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 예비 화소 정의막(715)이 하프톤 슬릿 마스크(910)를 사용하여 부분적으로 제거될 수 있다. 여기서, 도 11은 하프톤 슬릿 마스크(910)를 나타내는 평면도이고, 도 12는 하프톤 슬릿 마스크(910)를 나타내는 단면도이다. 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 하프톤 슬릿 마스크(910)는 개구 영역(30), 차광 영역(40), 슬릿 영역(25) 및 반투과 영역(50)을 포함할 수 있다. 개구 영역(30)에는 개구(920)가 형성되어 광이 투과될 수 있고, 차광 영역(40)은 차광 패턴(912)을 통해 광을 차단할 수 있으며, 슬릿 영역(25)은 슬릿 패턴(914) 사이에 위치하는 개구로 일부 광이 투과할 수 있고, 반투과 영역(50)은 반투과 패턴(916)을 통해 광이 일부는 투과하고 일부는 차단될 수 있다. 또한, 하프톤 슬릿 마스크(910)는 개구 영역(30), 차광 영역(40), 슬릿 영역(25) 및 반투과 영역(50)을 둘러싸는 테두리 영역(918)을 더 포함할 수 있다. 테두리 영역(918)은 광을 차단할 수 있으며, 테두리 영역(918)은 차광 패턴(912)과 동일한 기능을 할 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 개구 영역(30)에서 완전히 제거될 수 있고, 차광 영역(40)에서 제거되지 않으며, 반투과 영역(50) 및 슬릿 영역(25)에서 부분적으로 제거될 수 있다. 여기서, 반투과 영역(50)은 슬릿 영역(25)보다 예비 화소 정의막(715)을 더 많이 제거할 수 있다.
도 13을 다시 참조하면, 예비 화소 정의막(715) 상에 하프톤 슬릿 마스크(910)가 위치할 수 있고, 광(예를 들어. UV)이 하프톤 슬릿 마스크(910) 통해 예비 화소 정의막(715)에 조사될 수 있다.
도 14를 참조하면, 예비 화소 정의막(715)을 부분적으로 제거하여 하프톤 슬릿 마스크(910)의 반투과 영역(50)에서 화소 정의막(710)형성될 수 있고, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 슬릿 영역(25)에서 제1 차단 부재(845)가 형성될 수 있으며, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 차광 영역(40)에서 상부 차단 패턴(854)이 형성될 수 있고, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 개구 영역(30)에서 예비 화소 정의막(715)이 완전히 제거될 수 있다.
즉, 하부 차단 패턴(852) 및 상부 차단 패턴(854)을 포함하는 제2 차단 부재(850)가 제2 높이(T2)로 형성될 수 있고, 제1 차단 부재(845)가 제1 높이(T1)로 형성될 수 있으며, 제1 차단 부재(845)의 제1 높이(T1)는 화소 정의막(710)의 상면의 높이보다 클 수 있다.
이러한 공정에 있어서, 슬릿 영역(25) 아래에 위치하는 제1 차단 부재(845)의 상면은 불균일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단 부재(845)의 상면은 복수의 리세스를 포함할 수 있다(도 3 참조). 또는, 제1 차단 부재(845)의 상면은 요철 구조를 가질 수도 있다(도 4 및 도 5 참조). 이와 같이, 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 각각은 유기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 각각은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제1 마스크(930)가 제2 차단 부재(850)의 상면과 접촉할 수 있다. 이러한 공정에서, 제1 차단 부재(845)의 상면은 제1 마스크(930)와 접촉하지 않을 수 있다. 제1 마스크(930)를 통해 발광층(730)이 형성될 수 있다. 발광층(730)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 제2 마스크(950)가 제2 차단 부재(850)의 상면과 접촉할 수 있다. 이러한 공정에서, 제1 차단 부재(845)의 상면은제2 마스크(950)와 접촉하지 않을 수 있다. 제2 마스크(950)를 통해 상부 전극(740)이 형성될 수 있다. 상부 전극(740)은 화소 정의막(710), 발광층(730) 및 제1 전원 전압 배선(750)의 일부 상에 형성될 수 있다. 상부 전극(740)은 제1 전원 전압 배선(750)으로부터 저전원 전압을 공급 받을 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 전극(690), 발광층(730) 및 상부 전극(740)을 포함하는 표시 구조물이 형성될 수 있다.
도 19를 참조하면, 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 상에 박막 봉지 구조물(800)이 형성될 수 있다. 박막 봉지 구조물(800)은 제1 봉지층(785), 제2 봉지층(770) 및 제3 봉지층(790)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(785) 상에 제2 봉지층(770)이 형성될 수 있고, 제2 봉지층(770) 상에 제3 봉지층(790)이 형성될 수 있다. 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 상에 제1 봉지층(785)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850)를 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(785)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(785)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 봉지층(785) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 일부 상에 제2 봉지층(770)이 형성될 수 있다. 제2 봉지층(770)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 표시 영역(10)에 형성된 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(770) 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 봉지층(770)은 제1 차단 부재(845)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
주변 영역(20)에 배치된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770) 상에 제3 봉지층(790)이 형성될 수 있다. 제3 봉지층(790)은 주변 영역(20)에 형성된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)을 덮으며, 균일한 두께로 주변 영역(20)에 형성된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제3 봉지층(790)은 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 봉지층(790)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 봉지층(790)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 부재(850) 상에서 제1 봉지층(785) 및 제3 봉지층(790)이 서로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 도 2에 도시된 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 20은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 20에 예시한 표시 장치는 제1 차단 부재(447)를 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 20에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 20을 참조하면, 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(447), 제2 차단 부재(450), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 차단 부재(450)는 하부 차단 패턴(452) 및 상부 차단 패턴(454)을 포함할 수 있다.
제1 차단 부재(447)는 제1 전원 전압 배선(750) 상에 배치될 수 있다. 제1 차단 부재(447)는 상기 표시 구조물, 반도체 소자(250) 및 제2 전원 전압 배선(470)을 둘러쌀 수 있다. 제1 높이(T1)는 층간 절연층(190)의 상면으로부터 제1 차단 부재(445)의 상면까지의 높이에 해당될 수 있다. 예를 들어, 제1 높이(T1)는 제1 전원 전압 배선(350)의 높이 및 제1 차단 부재(447)의 높이에 해당될 수 있다.
제1 차단 부재(447)는 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 형성되기 때문에 제1 차단 부재(447)가 제1 전원 전압 배선(350) 상에 배치되더라도 제1 차단 부재(447)의 상면의 높이는 제2 차단 부재(450)의 상면의 높이보다 낮게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 구조물을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크와 제1 차단 부재(447)의 상면이 접촉되지 않을 수 있다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도들이다. 도 21 및 도 22에 예시한 표시 장치들은 제3 차단 부재(455)를 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 21 및 도 22에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 21을 참조하면, 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450), 제3 차단 부재(455), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 차단 부재(450)는 하부 차단 패턴(452) 및 상부 차단 패턴(454)을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 제3 차단 부재(455)가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 차단 부재(455)는 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향으로 제1 차단 부재(445)로부터 이격되어 배치될 수 있고, 제1 높이(T1)를 가질 수 있다. 선택적으로, 도 22에 도시된 바와 같이, 제3 차단 부재(455)는 제1 차단 부재(445)와 제2 차단 부재(450) 사이에서 서로 이격되어 배치될 수 있고, 제1 높이(T1)를 가질 수 있다.
제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(455)는 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성될 수 있고, 제1 차단 부재(445) 및 제3 차단 부재(455) 각각은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 차단 부재(445) 및 제3 차단 부재(455) 각각의 상면은 불균일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치가 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(455)를 포함함으로써, 제2 봉지층(370)의 누출을 상대적으로 용이하게 차단할 수 있다.
도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 23에 예시한 표시 장치는 제3 차단 부재(460)를 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 23에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 23을 참조하면, 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450), 제3 차단 부재(460), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 차단 부재(450)는 하부 차단 패턴(452) 및 상부 차단 패턴(454)을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 제3 차단 부재(455)가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 차단 부재(455)는 제1 차단 부재(445)와 제2 차단 부재(450) 사이에서 서로 이격되어 배치될 수 있고, 제2 높이(T2)를 가질 수 있다.
제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(455)는 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성될 수 있고, 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(460) 각각은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에서 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(455) 각각은 제2 높이(T2)를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치가 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(450) 및 제3 차단 부재(460)를 포함함으로써, 제2 봉지층(370)의 누출을 상대적으로 용이하게 차단할 수 있고, 상기 표시 구조물을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크를 상대적으로 용이하게 지지할 수 있다.
도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 24에 예시한 표시 장치는 제2 차단 부재(490)를 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 24에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 24를 참조하면, 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(490), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 차단 부재(490)는 하부 차단 패턴(492) 및 상부 차단 패턴(494)을 포함할 수 있다.
하부 차단 패턴(492)은 제1 높이(T1)를 가질 수 있고, 화소 정의막(310)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 차단 부재(490)는 하부 차단 패턴(492) 및 상부 차단 패턴(494)을 포함할 수 있다. 하부 차단 패턴(492)은 평탄화층(270)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 상부 차단 패턴(494)은 하부 차단 패턴(492)을 커버할 수 있고, 제2 높이(T2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 차단 패턴(494)의 저면의 일부는 기판(110)과 접촉할 수 있고, 상부 차단 패턴(494)은 하부 차단 패턴(492)을 노출시키지 않을 수 있다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 25에 예시한 표시 장치는 제2 차단 부재(456)를 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 25에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 25를 참조하면, 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 제1 전원 전압 배선(350), 제2 전원 전압 배선(470), 표시 구조물, 화소 정의막(310), 제1 차단 부재(445), 제2 차단 부재(456), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제3 봉지층(390)을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상에 예비 평탄화층이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 평탄화층을 부분적으로 제거하여 표시 영역(10) 평탄화층(270)이 형성될 수 있다.
평탄화층(270)을 형성한 후, 층간 절연층(190) 상에 전체적으로 예비 화소 정의막이 제2 높이(T2)로 배치될 수 있고, 상기 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 상기 예비 화소 정의막이 부분적으로 제거될 수 있다. 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함할 수 있다. 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거될 수 있고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거될 수 있다. 여기서, 상기 반투과 영역은 상기 슬릿 영역보다 상기 예비 화소 정의막을 더 많이 제거할 수 있다. 즉, 제1 차단 부재(445)의 제1 높이(T1)는 화소 정의막(310)의 상면의 높이보다 클 수 있다. 화소 정의막(310)은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성될 수 있고, 제1 차단 부재(445)는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성될 수 있으며, 제2 차단 부재(456)는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에서 형성될 수 있고, 이를 제외한 나머지 부분은 개구 영역에 위치할 수 있으며 예비 화소 정의막이 완전히 제거될 수 있다. 이러한 공정에 있어서, 상기 슬릿 영역 아래에 위치하는 제1 차단 부재(445)의 상면은 불균일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 차단 부재(445)의 상면은 복수의 리세스(441)를 포함할 수 있다. 또는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 차단 부재(445)의 상면은 요철 구조를 가질 수도 있다. 또한, 제2 차단 부재(456)는 일체로 형성될 수 있다.
도 26 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 26 내지 31에 예시한 표시 장치의 제조 방법은 제2 차단 부재(855)를 제외하면, 도 6 내지 도 19를 참조하여 설명한 표시 장치의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 26 내지 도 31에 있어서, 도 6 내지 도 19를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 26을 참조하면, 층간 절연층(590) 상에 예비 평탄화층(675)이 형성될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630), 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870)을 덮으며 층간 절연층(590) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630), 제1 전원 전압 배선(750) 및 제2 전원 전압 배선(870)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 예비 평탄화층(675)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 예비 평탄화층(675)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 예비 평탄화층(675)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 예비 평탄화층(675)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 평탄화층(615)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 27을 참조하면, 예비 평탄화층(675)을 부분적으로 제거하여 표시 영역(10)에 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630), 제2 전원 전압 배선(870) 및 제1 전원 전압 배선(750)의 일부 상에 형성될 수 있다.
하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(690)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 28을 참조하면, 층간 절연층(590) 상에 예비 화소 정의막(715)이 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 하부 차단 패턴(852), 제1 전원 전압 배선(750), 평탄화층(670) 및 하부 전극(690) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 제1 전원 전압 배선(750), 평탄화층(670) 및 하부 전극(690)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 예비 화소 정의막(715)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 화소 정의막(715)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 29를 참조하면, 예비 화소 정의막(715)이 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 부분적으로 제거될 수 있다. 예비 화소 정의막(715) 상에 상기 하프톤 슬릿 마스크가 위치할 수 있고, 광(예를 들어. UV)이 상기 하프톤 슬릿 마스크(910) 통해 예비 화소 정의막(715)에 조사될 수 있다.
도 30을 참조하면, 예비 화소 정의막(715)을 부분적으로 제거하여 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 화소 정의막(710)형성될 수 있고, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 슬릿 영역에서 제1 차단 부재(845)가 형성될 수 있으며, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 차광 영역(40)에서 제1 차단 부재(855)가 형성될 수 있고, 하프톤 슬릿 마스크(910)의 개구 영역(30)에서 예비 화소 정의막(715)이 완전히 제거될 수 있다.
즉, 제2 차단 부재(855)가 제2 높이(T2)로 형성될 수 있고, 제1 차단 부재(845)가 제1 높이(T1)로 형성될 수 있으며, 제1 차단 부재(845)의 제1 높이(T1)는 화소 정의막(710)의 상면의 높이보다 클 수 있다.
이러한 공정에 있어서, 상기 슬릿 영역 아래에 위치하는 제1 차단 부재(845)의 상면은 불균일할 수 있다. 제1 차단 부재(845)의 상면은 복수의 리세스를 포함할 수 있다(도 3 참조). 또는, 제1 차단 부재(845)의 상면은 요철 구조를 가질 수도 있다(도 4 및 도 5 참조). 이와 같이, 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 각각은 유기 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 각각은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 31을 참조하면, 발광층(730)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
상부 전극(740)은 화소 정의막(710), 발광층(730) 및 제1 전원 전압 배선(750)의 일부 상에 형성될 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 전극(690), 발광층(730) 및 상부 전극(740)을 포함하는 발광 구조물이 형성될 수 있다.
상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 상에 박막 봉지 구조물(800)이 형성될 수 있다. 박막 봉지 구조물(800)은 제1 봉지층(785), 제2 봉지층(770) 및 제3 봉지층(790)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(785) 상에 제2 봉지층(770)이 형성될 수 있고, 제2 봉지층(770) 상에 제3 봉지층(790)이 형성될 수 있다. 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850) 상에 제1 봉지층(785)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850)를 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(740), 제1 전원 전압 배선(750), 제1 차단 부재(845) 및 제2 차단 부재(850)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(785)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(785)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 봉지층(785) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 일부 상에 제2 봉지층(770)이 형성될 수 있다. 제2 봉지층(770)은 표시 장치의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 표시 영역(10)에 형성된 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(770) 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 봉지층(770)은 제1 차단 부재(845)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
주변 영역(20)에 배치된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770) 상에 제3 봉지층(790)이 형성될 수 있다. 제3 봉지층(790)은 주변 영역(20)에 형성된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)을 덮으며, 균일한 두께로 주변 영역(20)에 형성된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제3 봉지층(790)은 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 봉지층(790)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 봉지층(790)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 차단 부재(850) 상에서 제1 봉지층(785) 및 제3 봉지층(790)이 서로 접촉할 수 있다. 이에 따라, 도 25에 도시된 표시 장치가 제조될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역 20: 주변 영역
25: 슬릿 영역 30: 개구 영역
40: 차광 영역 50: 반투과 영역
100: 표시 장치 110, 510: 기판
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 740: 상부 전극
350, 750: 제1 전원 전압 배선 400, 800: 박막 봉지 구조물
441: 리세스 445, 447, 845: 제1 차단 부재
450, 456, 850, 855: 제2 차단 부재
452, 492, 852: 하부 차단 패턴 454, 494, 854: 상부 차단 패턴
455, 460: 제3 차단 부재 470, 770: 제2 전원 전압 배선
675: 예비 평탄화층 715: 예비 화소 정의막
910: 하프톤 슬릿 마스크 912: 차광 패턴
914: 슬릿 패턴 916: 반투과 패턴
930: 제1 마스크 950: 제2 마스크

Claims (41)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 절연층;
    상기 절연층 상의 표시 영역에 배치되고, 상부 전극을 포함하는 표시 구조물들;
    상기 절연층 상의 주변 영역에 배치되고, 제1 높이를 가지며, 상기 표시 구조물들을 둘러싸는 제1 차단 부재;
    상기 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되고, 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며, 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재;
    상기 표시 구조물들, 상기 제1 차단 부재 및 상기 제2 차단 부재 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층;
    상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 차단 부재의 적어도 일부와 중첩되며, 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층; 및
    상기 제1 및 제2 봉지층들 상에 배치되고, 상기 무기 물질을 포함하는 제3 봉지층을 포함하고,
    상기 상부 전극과 상기 제1 봉지층은 접촉하고, 상기 제2 차단 부재의 저면 전체는 상기 절연층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 불균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 복수의 리세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 차단 부재의 상면으로의 제1 높이 및 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 차단 부재의 상면으로의 제2 높이는 0.6:1 내지 0.8:1의 비율로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 차단 부재 상에서 상기 제1 봉지층 및 상기 제3 봉지층이 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재는 상기 제2 차단 부재와 접촉하지 않고, 서로 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상의 주변 영역에 배치되는 제3 차단 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되어 배치되고, 상기 제1 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 제3 차단 부재는 상기 제1 차단 부재와 상기 제2 차단 부재 사이에서 서로 이격되어 배치되고, 상기 제2 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 차단 부재들은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 동시에 형성되고, 상기 제1 및 제3 차단 부재들 각각의 상면은 불균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 표시 구조물들 사이에 배치되는 반도체 소자들을 더 포함하고,
    상기 반도체 소자들 각각은,
    상기 기판 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극; 및
    상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층;
    상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치되는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 차단 부재는,
    상기 층간 절연층 상에 배치되는 하부 차단 패턴; 및
    상기 하부 차단 패턴 상에 배치되는 상부 차단 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 상부 차단 패턴은 상기 하부 차단 패턴을 커버하며 상기 제2 높이를 가지고, 상기 상부 차단 패턴의 저면의 일부는 상기 층간 절연층과 접촉하며, 상기 상부 차단 패턴은 상기 하부 차단 패턴을 노출시키지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 하부 차단 패턴은 상기 평탄화층과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 높이는 상기 기판의 상면으로부터 상기 화소 정의막의 상면으로의 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  22. 제 17 항에 있어서, 상기 표시 구조물들 각각은,
    상기 평탄화층과 상기 화소 정의막 사이에 개재되고, 상기 화소 정의막에 의해 일부가 노출되는 하부 전극; 및
    상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 배치되는 발광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 층간 절연층 상의 주변 영역에 배치되고, 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되어 배치되는 제1 전원 전압 배선; 및
    상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 상기 제1 전원 전압 배선으로부터 이격되어 배치되는 제2 전원 전압 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 주변 영역에서 상기 제1 전원 전압 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 제1 전원 전압 배선에는 저전원 전압이 제공되고, 제2 전원 전압 배선에는 고전원 전압이 제공되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  26. 제 23 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전원 전압 배선들은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  27. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    무기 물질을 포함하는 절연층을 상기 기판 상에 형성하는 단계;
    상기 절연층 상의 표시 영역에 상부 전극을 포함하는 표시 구조물들을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상의 주변 영역에 제1 높이를 가지며 상기 표시 구조물들을 둘러싸는 제1 차단 부재를 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 상기 제1 차단 부재로부터 이격되고, 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며, 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 갖는 제2 차단 부재를 형성하는 단계;
    상기 표시 구조물들, 상기 제1 차단 부재 및 상기 제2 차단 부재 상에 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 제1 봉지층 상에 상기 제1 차단 부재의 적어도 일부와 중첩되도록 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 봉지층들 상에 상기 무기 물질을 포함하는 제3 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 상부 전극과 상기 제1 봉지층은 접촉하고, 상기 제2 차단 부재의 저면 전체는 상기 절연층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 예비 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 예비 평탄화층을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 평탄화층 및 상기 주변 영역에 하부 차단 패턴을 형성하는 단계;
    상기 하부 차단 패턴 및 상기 평탄화층 상에 예비 화소 정의막을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 화소 정의막을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 화소 정의막, 상기 주변 영역에 제1 차단 부재 및 상기 제1 차단 부재를 둘러싸며 상기 하부 차단 패턴 상에 위치하는 상부 차단 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 예비 화소 정의막은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 부분적으로 제거되고, 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함하며, 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거되고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성되고, 상기 제1 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성되며, 상기 하부 차단 패턴 및 상부 차단 패턴은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 하부 및 상부 차단 패턴들은 상기 제2 차단 부재에 해당되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 불균일한 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제 31 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제 31 항에 있어서, 상기 제1 차단 부재의 상면은 복수의 리세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제 27 항에 있어서, 상기 표시 구조물들을 형성하는 단계 이전에,
    상기 기판 상에 반도체 소자들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 반도체 소자들을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 액티브층들을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 액티브층들을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극들을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 상에 상기 게이트 전극들을 덮는 층간 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 층간 절연층 상에 소스 및 드레인 전극들 및 제1 및 제2 전원 전압 배선들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 표시 구조물들을 형성하는 단계는,
    상기 층간 절연층 상에 상기 소스 및 드레인 전극들 및 제1 및 제2 전원 전압 배선을 덮는 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 평탄화층 상에 하부 전극들을 형성하는 단계;
    상기 평탄화층 상에 하부 전극들 각각의 일부를 노출시키는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극들 상에 발광층들을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층들 및 상기 화소 정의막 상에 상기 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  38. 제 27 항에 있어서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 차단 부재의 상면으로의 제1 높이 및 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 차단 부재의 상면으로의 제2 높이는 0.6:1 내지 0.8:1의 비율로 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  39. 제 27 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 차단 부재들을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 예비 화소 정의막을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 화소 정의막을 부분적으로 제거하여 상기 표시 영역에 화소 정의막, 상기 주변 영역에 제1 차단 부재 및 상기 제1 차단 부재를 둘러싸는 제2 차단 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 예비 화소 정의막은 하프톤 슬릿 마스크를 사용하여 부분적으로 제거되고, 상기 하프톤 슬릿 마스크는 개구 영역, 차광 영역, 슬릿 영역 및 반투과 영역을 포함하며, 상기 예비 화소 정의막은 상기 개구 영역에서 완전히 제거되고, 상기 차광 영역에서 제거되지 않으며, 상기 반투과 영역 및 상기 슬릿 영역에서 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  41. 제 40 항에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 하프톤 슬릿 마스크의 반투과 영역에서 형성되고, 상기 제1 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 슬릿 영역에서 형성되며, 상기 제2 차단 부재는 상기 하프톤 슬릿 마스크의 차광 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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