KR20210095265A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210095265A KR20210095265A KR1020200008639A KR20200008639A KR20210095265A KR 20210095265 A KR20210095265 A KR 20210095265A KR 1020200008639 A KR1020200008639 A KR 1020200008639A KR 20200008639 A KR20200008639 A KR 20200008639A KR 20210095265 A KR20210095265 A KR 20210095265A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dummy patterns
- patterns
- dummy
- insulating layer
- pattern
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 359
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 21
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008764 WNx Inorganic materials 0.000 description 1
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H01L27/3223—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H01L27/3211—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L51/52—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 화소 구조물 및 상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 반도체 소자를 이루는 물질과 동일한 물질을 함유하며, 적층 구조를 갖는 복수의 더미 패턴들을 포함하고, 상기 더미 패턴들은 서로 다른 층들에서 격자 형상으로 배열되고, 상기 더미 패턴들 각각은 중앙부 및 상기 중앙부를 둘러싸는 테두리부를 포함하며, 상기 더미 패턴들 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 상기 테두리부들이 상기 기판으로부터 상기 화소 구조물의 방향으로 서로 중첩될 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 더미 패턴을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함할 수 있다. 표시 영역에는 반도체 소자들 및 화소 구조물들이 배치될 수 있고, 주변 영역에는 배선들 및 패드 전극 등이 배치될 수 있다. 표시 장치를 제조하는 과정에서 반도체 소자에 포함된 액티브층, 게이트 전극(예를 들어, 패턴) 등을 식각할 경우, 상기 패턴의 크기(예를 들어, 패턴의 폭)가 표시 영역의 중앙부(예를 들어, 제1 영역)와 주변 영역에 인접하여 위치하는 표시 영역(예를 들어, 제2 영역)에서 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 영역에는 상대적으로 많은 반도체 소자들이 배치되기 때문에 식각되는 패턴들이 상대적으로 많을 수 있고, 상기 제2 영역에는 상기 주변 영역과 인접하기 때문에 식각되는 패턴들이 상대적으로 적을 수 있다. 다시 말하면, 제1 영역과 제2 영역에서 패턴의 밀도가 서로 다를 수 있고, 상기 패턴을 식각하는데 사용되는 식각액의 농도가 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에서 상대적으로 낮을 수 있다. 이러한 경우, 제2 영역에서 형성되는 패턴의 크기가 상대적으로 크게 형성될 수 있고, 패턴이 단락될 수 있다.
본 발명의 목적은 더미 패턴을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 화소 구조물 및 상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 반도체 소자를 이루는 물질과 동일한 물질을 함유하며, 적층 구조를 갖는 복수의 더미 패턴들을 포함하고, 상기 더미 패턴들은 서로 다른 층들에서 격자 형상으로 배열되고, 상기 더미 패턴들 각각은 중앙부 및 상기 중앙부를 둘러싸는 테두리부를 포함하며, 상기 더미 패턴들 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 상기 테두리부들이 상기 기판으로부터 상기 화소 구조물의 방향으로 서로 중첩될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 상기 더미 패턴들의 상기 중앙부들은 서로 중첩하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 더미 패턴들과 상기 기판 사이에 배치되고, 격자 형상으로 배열되며, 상기 더미 패턴들의 적어도 일부와 중첩하는 액티브 패턴들을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 더미 패턴들은 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되는 기준 더미 패턴들, 상기 기준 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩하는 하부 더미 패턴들, 상기 하부 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제1 측부 및 상기 제1 측부와 마주보는 제2 측부 및 상기 하부 더미 패턴들 각각의 제1 측부 및 상기 제1 측부와 마주보는 제2 측부와 중첩하도록 배치되는 중간 더미 패턴들 및 상기 중간 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제3 측부 및 상기 제3 측부와 마주보는 제4 측부, 상기 하부 더미 패턴들 각각의 제3 측부 및 상기 제3 측부와 마주보는 제4 측부 및 상기 중간 더미 패턴들 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩하도록 배치되는 상부 더미 패턴들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기준 더미 패턴들, 상기 하부 더미 패턴들, 상기 중간 더미 패턴들 및 상기 상부 더미 패턴들 각각은 동일한 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기준 더미 패턴들 각각에서 상기 제1 측부의 양측부가 상기 제1 및 제2 모서리부들로 정의되고, 상기 제2 측부의 양측부가 상기 제3 및 제4 모서리부들로 정의되며, 상기 제3 측부의 양측부가 상기 제1 및 제3 모서리부들로 정의되고, 상기 제4 측부의 양측부가 상기 제2 및 제4 모서리부들로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 더미 패턴들 각각에서 상기 제1 측부의 양측부가 상기 제1 및 제3 모서리부들로 정의되고, 상기 제2 측부의 양측부가 상기 제2 및 제4 모서리부들로 정의되며, 상기 제3 측부의 양측부가 상기 제1 및 제2 모서리부들로 정의되고, 상기 제4 측부의 양측부가 상기 제3 및 제4 모서리부들로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기준 더미 패턴들과 상기 기판 사이에 배치되고, 격자 형상으로 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들과 중첩하여 위치하는 액티브 패턴들을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자는 액티브층, 상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극을 덮는 제1 층간 절연층, 상기 제1 층간 절연층 상에 배치되는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극을 덮는 제2 층간 절연층, 상기 제2 층간 절연층 상에 배치되는 제3 게이트 전극, 상기 제3 게이트 전극을 덮는 제3 층간 절연층, 상기 제3 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 게이트 절연층은 상기 기판 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 기판 상의 상기 주변 영역에서 상기 액티브 패턴들을 덮고, 상기 제1 층간 절연층은 상기 게이트 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 게이트 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 기준 더미 패턴들을 덮으며, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제1 층간 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 제1 층간 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 하부 더미 패턴들을 덮고, 상기 제3 층간 절연층은 상기 제2 층간 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 제2 층간 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 중간 더미 패턴들을 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브층은 상기 액티브 패턴과 동일한 층에 위치하고, 상기 제1 게이트 전극은 상기 기준 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하며, 상기 제2 게이트 전극은 상기 하부 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하고, 상기 제3 게이트 전극은 상기 중간 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하며, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 상부 더미 패턴들과 동일한 층에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 더미 패턴들은 제1 내지 제n(단, n은 1 이상의 정수) 기준 더미 패턴들, 상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내지 제m(단, m은 1 이상의 정수) 하부 더미 패턴들, 상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내제 제q(단, q는 1 이상의 정수) 중간 더미 패턴들 및 상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내지 제p(단, p는 1 이상의 정수) 상부 더미 패턴들을 포함하고, 상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들 중 제k(단, k는 1과 n 사이의 정수) 기준 더미 패턴의 제1 내지 제4 모서리부들은 상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들 중 제j(단, j는1과 m 사이의 정수), 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들, 상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들 중 제h(단, h는 1과 q 사이의 정수) 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제1 내지 제p 상부 더미 패턴들 중 제g(단, g는 1과 p 사이의 정수) 및 제g+1 상부 더미 패턴들과 중첩할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들 및 상기 제g 상부 더미 패턴은 동일한 행에 위치하며, 상기 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+1 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제g+1 상부 더미 패턴은 동일한 행에 위치하며, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제k 기준 더미 패턴은 동일한 행에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들 및 상기 제h 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며, 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들 및 상기 제k 기준 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j, 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들은 상기 제k 기준 더미 패턴을 둘러쌀 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제k 기준 더미 패턴과 동일한 행에 위치하는 제k+1 기준 더미 패턴의 제1 내지 제4 모서리부들은, 상기 제j+1 및 제j+3 상기 하부 더미 패턴들, 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들, 상기 제h+1 중간 더미 패턴, 제h+2 중간 더미 패턴 및 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들과 중첩할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+2 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j, 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들 및 상기 제g 및 제g+2 상부 더미 패턴들은 동일한 행에 위치하며, 상기 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+3 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 j+2, 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들 및 상기 제g+1 및 제g+3 상부 더미 패턴들은 동일한 행에 위치하며, 상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제h, 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 및 상기 제k 및 제k+1 기준 더미 패턴들은 동일한 행에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며, 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들 및 상기 제k+1 기준 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며, 상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+2 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+2 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제j+1, 제j+3, 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들, 상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 및 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들은 상기 제k+1 기준 더미 패턴을 둘러쌀 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 반도체 소자 및 상기 더미 패턴들을 덮는 평탄화층을 더 포함하고, 상기 화소 구조물은 상기 평탄화층 상의 표시 영역에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역과 인접하는 주변 영역에 배치된 액티브 패턴들 및 더미 패턴 구조물을 포함함으로써 게이트 절연층, 제1 층간 절연층, 제2 층간 절연층 및 제3 층간 절연층의 단차가 깊게 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 액티브 패턴들, 기준 더미 패턴들, 하부 더미 패턴들, 중간 더미 패턴들 및 상부 더미 패턴들 각각을 식각하는 과정에서 사용되는 포토레지스트의 잔여물이 발생하지 않을 수 있고, 표시 영역에 배치된 액티브층, 제1 게이트 전극, 제2 게이트 전극, 제3 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 상기 잔여물에 의해 단락되지 않을 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 표시 영역과 인접하는 주변 영역에 배치된 액티브 패턴들 및 더미 패턴 구조물은 복수의 그루브들을 갖는 와플 형상을 가짐으로써 게이트 절연층, 제1 층간 절연층, 제2 층간 절연층 및 제3 층간 절연층의 단차가 깊게 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 액티브 패턴들, 기준 더미 패턴들, 하부 더미 패턴들, 중간 더미 패턴들 및 상부 더미 패턴들 각각을 식각하는 과정에서 사용되는 포토레지스트의 잔여물이 상기 단차에 남겨지지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 영역에서 액티브층, 제1 게이트 전극, 제2 게이트 전극, 제3 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성 시 상기 잔여물에 의한 불량이 발생하지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2, 3, 4, 5, 6 및 7은 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도들이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 기준 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 도 1의 표시 장치에 포함된 하부 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 도 1의 I-I' 라인 및 도 7의 II-II' 라인들을 따라 절단한 단면도들이다.
도 11은 도 7의 III-III' 라인들을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 도 7의 IV-IV' 라인들을 따라 절단한 단면도이다.
도 13 내지 도 29는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2, 3, 4, 5, 6 및 7은 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도들이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 기준 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 도 1의 표시 장치에 포함된 하부 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 도 1의 I-I' 라인 및 도 7의 II-II' 라인들을 따라 절단한 단면도들이다.
도 11은 도 7의 III-III' 라인들을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 도 7의 IV-IV' 라인들을 따라 절단한 단면도이다.
도 13 내지 도 29는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 가질 수 있다. 여기서, 주변 영역(20)은 표시 영역(10)을 실질적으로 둘러쌀 수 있고(또는 표시 영역(10)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있고), 주변 영역(20)의 일 측에는 구동 신호들(예를 들어, 데이터 신호, 게이트 신호, 발광 제어 신호, 게이트 초기화 신호, 초기화 전압, 전원 전압 등)을 생성하는 외부 장치와 전기적으로 연결되는 패드 전극(470)이 배치될 수 있다. 또한, 표시 영역(10)은 복수의 화소 영역들(30)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 주변 영역(20)은 속이 빈 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(20)은 표시 영역(10)을 노출시키는 개구를 갖는 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.
표시 영역(10)에는 화소 영역들(30)이 전체적으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역들(30) 각각에는 도 10에 도시된 화소 구조물(200), 반도체 소자(250) 등이 배치될 수 있다. 상기 구동 신호들이 화소 구조물(200) 및 반도체 소자(250)에 제공될 수 있고, 화소 구조물(200) 및 반도체 소자(250)를 통해 표시 영역(10)에 영상이 표시될 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 영역(10) 및 화소 영역(30) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10) 및 화소 영역(30) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
또한, 주변 영역(20)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 배선들은 데이터 신호 배선, 게이트 신호 배선, 발광 제어 신호 배선, 게이트 초기화 신호 배선, 초기화 전압 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있다. 상기 배선들은 주변 영역(20)에서 패드 전극(470)과 연결될 수 있고, 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로 연장되어 화소 구조물(200) 및 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상기 구동 신호들이 패드 전극(470) 및 상기 배선들을 통해 화소 구조물(200) 및 반도체 소자(250)에 전달될 수 있다. 더욱이, 주변 영역(20)에는 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등이 배치될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(20)에는 도 2 내지 7에 도시된 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)(예를 들어, 도 10의 더미 패턴 구조물(500))이 배치될 수 있다.
예를 들면, 종래의 표시 장치를 제조하는 과정에서 반도체 소자에 포함된 액티브층, 게이트 전극(예를 들어, 패턴) 등을 식각할 경우, 상기 패턴의 크기(예를 들어, 패턴의 폭)가 표시 영역의 중앙부(예를 들어, 제1 영역)와 주변 영역에 인접하여 위치하는 표시 영역(예를 들어, 제2 영역)에서 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 영역에는 상대적으로 많은 반도체 소자들이 배치되기 때문에 식각되는 패턴들이 상대적으로 많을 수 있고, 상기 제2 영역에는 상기 주변 영역과 인접하기 때문에 식각되는 패턴들이 상대적으로 적을 수 있다. 다시 말하면, 제1 영역과 제2 영역에서 패턴의 밀도가 서로 다를 수 있고, 상기 패턴을 식각하는데 사용되는 식각액의 농도가 상기 제1 영역보다 상기 제2 영역에서 상대적으로 낮을 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에 예비 금속층이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 금속층을 부분적으로 식각하여 패턴이 형성될 수 있고, 상기 주변 영역에는 상기 패턴이 형성되지 않기 때문에 상기 주변 영역에 위치하는 예비 금속층을 모두 식각하기 위해 상기 식각액의 농도가 상대적으로 낮아질 수 있다. 이러한 경우, 상기 주변 영역과 인접한 상기 제2 영역에서 형성되는 패턴의 크기가 상대적으로 크게 형성될 수 있고, 패턴이 단락될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(10)과 인접하는 주변 영역(20)에 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)이 배치될 수 있다. 이러한 경우, 주변 영역(20)과 인접하여 위치하는 반도체 소자(250)를 형성하는 과정에서 주변 영역(20)에 배치된 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)을 동시에 형성하기 때문에 식각액의 농도가 표시 영역(10)의 중앙부와 주변 영역(20)과 인접한 표시 영역(10)에서 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 표시 영역(10)의 상기 중앙부에 배치된 반도체 소자들(250)의 사이의 거리를 고려하여 주변 영역(20)과 인접하여 위치하는 반도체 소자(250)와 주변 영역(20)에 위치하는 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 사이의 거리가 결정될 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(10)의 상기 중앙부에 형성된 반도체 소자(250)와 주변 영역(20)에 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에 형성된 반도체 소자(250)는 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있으며, 주변 영역(20)에 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에서 형성된 반도체 소자(250)의 불량이 발생되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)이 'A' 영역의 주변에만 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)은 표시 영역(10)을 실질적으로 둘러싸도록 주변 영역(20)에 전체적으로 형성되거나 상기 식각액의 농도 차이가 발생되는 부분과 인접한 주변 영역(20)에만 형성될 수도 있다.
도 2, 3, 4, 5, 6 및 7은 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도들이고, 도 8은 도 1의 표시 장치에 포함된 기준 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이며, 도 10은 도 1의 표시 장치에 포함된 하부 더미 패턴을 설명하기 위한 평면도이다. 예를 들면, 표시 장치(100)는 적층 구조를 갖는 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)을 포함할 수 있고, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)은 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610)로 구분될 수 있다. 또한, 도 2는 'A' 영역에 배열된 액티브 패턴들(530)을 나타내는 평면도이고, 도 3은 'A' 영역에 배열된 기준 더미 패턴들(570)을 나타내는 평면도이며, 도 4는 'A' 영역에 배열된 하부 더미 패턴들(575)을 나타내는 평면도이고, 도 5는 'A' 영역에 배열된 중간 더미 패턴들(585)을 나타내는 평면도이며, 도 6은 'A' 영역에 배열된 상부 더미 패턴들(610)을 나타내는 평면도이고, 도 7은 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610)이 도시된 평면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 도 10에 도시된 기판(110)을 더 포함할 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 액티브 패턴들(530)이 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 액티브 패턴들(530)은 기판(110) 상의 주변 영역(20)에서 기판(110)의 상면에 평행한 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)을 따라 제1 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
도 3, 7 및 8을 참조하면, 액티브 패턴들(530) 상에 기준 더미 패턴들(570)이 배치될 수 있다. 기준 더미 패턴들(570)은 액티브 패턴들(530) 상에서 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 기준 더미 패턴들(570)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 상기 제1 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기준 더미 패턴들(570) 각각은 액티브 패턴들(530) 각각과 중첩할 수 있고, 액티브 패턴들(530) 및 기준 더미 패턴들(570) 각각은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 기준 더미 패턴들(570) 각각은 제1 측부(570_1), 제2 측부(570_2), 제3 측부(570_3) 및 제4 측부(570_4)를 가질 수 있다. 예를 들면, 기준 더미 패턴들(570) 중 하나의 기준 더미 패턴(570)에 있어서, 제1 측부(570_1)는 좌측부에 위치할 수 있고, 제2 측부(570_2)는 우측부에 위치할 수 있고, 제3 측부(570_3)는 상부에 위치할 수 있고, 제4 측부(570_4)는 하부에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 제1 측부(570_1)와 제2 측부(570_2)는 마주볼 수 있고, 제3 측부(570_3)와 제4 측부(570_4)는 마주볼 수 있다. 또한, 제1 측부(570_1)의 양측부가 제1 모서리부(570_6) 및 제2 모서리부(570_7)로 정의되고, 제2 측부(570_2)의 양측부가 제3 모서리부(570_8) 및 제4 모서리부(570_9)로 정의되며, 제3 측부(570_3)의 양측부가 제1 모서리부(570_6) 및 제3 모서리부(570_8)로 정의되고, 제4 측부(570_4)의 양측부가 제2 모서리부(570_7) 및 제4 모서리부(570_9)로 정의될 수 있다. 다시 말하면, 제1 측부(570_1)와 제3 측부(570_3)가 중첩하는 부분이 제1 모서리부(570_6)로 정의되고, 제1 측부(570_1)와 제4 측부(570_4)가 중첩하는 부분이 제2 모서리부(570_7)로 정의되며, 제2 측부(570_2)와 제3 측부(570_3)가 중첩하는 부분이 제3 모서리부(570_8)로 정의되고, 제2 측부(570_2)와 제4 측부(570_4)가 중첩하는 부분이 제4 모서리부(570_9)로 정의될 수 있다.
도 4, 7 및 9를 참조하면, 기준 더미 패턴들(570) 상에 하부 더미 패턴들(575)이 배치될 수 있다. 하부 더미 패턴들(575)은 기준 더미 패턴들(570) 상에서 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 하부 더미 패턴들(575)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 상기 제1 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 더미 패턴들(575)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제1 모서리부(570_6), 제2 모서리부(570_7), 제3 모서리부(570_8) 및 제4 모서리부(570_9)들과 중첩할 수 있고, 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570) 및 하부 더미 패턴들(575) 각각은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 하부 더미 패턴들(575) 각각은 제1 측부(575_1), 제2 측부(575_2), 제3 측부(575_3) 및 제4 측부(575_4)를 가질 수 있다. 예를 들면, 하부 더미 패턴들(575) 중 하나의 하부 더미 패턴(575)에 있어서, 제1 측부(575_1)는 하부에 위치할 수 있고, 제2 측부(575_2)는 상부에 위치할 수 있고, 제3 측부(575_3)는 우측부에 위치할 수 있고, 제4 측부(575_4)는 좌측부에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 제1 측부(575_1)와 제2 측부(575_2)는 마주볼 수 있고, 제3 측부(575_3)와 제4 측부(575_4)는 마주볼 수 있다. 또한, 제1 측부(575_1)의 양측부가 제1 모서리부(575_6) 및 제3 모서리부(575_8)로 정의되고, 제2 측부(575_2)의 양측부가 제2 모서리부(575_7) 및 제4 모서리부(575_9)로 정의되며, 제3 측부(575_3)의 양측부가 제1 모서리부(575_6) 및 제2 모서리부(575_7)로 정의되고, 제4 측부(575_4)의 양측부가 제3 모서리부(575_8) 및 제4 모서리부(575_9)로 정의될 수 있다. 다시 말하면, 제1 측부(575_1)와 제3 측부(575_3)가 중첩하는 부분이 제1 모서리부(575_6)로 정의되고, 제1 측부(575_1)와 제4 측부(575_4)가 중첩하는 부분이 제3 모서리부(575_8)로 정의되며, 제2 측부(575_2)와 제3 측부(575_3)가 중첩하는 부분이 제2 모서리부(575_7)로 정의되고, 제2 측부(575_2)와 제4 측부(575_4)가 중첩하는 부분이 제4 모서리부(575_9)로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하나의 기준 더미 패턴(570)은 4개의 하부 더미 패턴들(575)과 인접할 수 있다. 또한, 상기 인접한 4개의 하부 더미 패턴들(575)을 제1 내지 제4 하부 더미 패턴들(575)로 정의할 경우, 제1 하부 더미 패턴(575)의 제1 모서리부(575_6)와 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제1 모서리부(570_6)가 중첩할 수 있고, 제2 하부 더미 패턴(575)의 제2 모서리부(575_7)와 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제2 모서리부(570_7)가 중첩할 수 있으며, 제3 하부 더미 패턴(575)의 제3 모서리부(575_8)와 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제3 모서리부(570_8)가 중첩할 수 있고, 제4 하부 더미 패턴(575)의 제4 모서리부(575_9)와 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제4 모서리부(570_9)가 중첩할 수 있다.
도 5 및 7을 참조하면, 하부 더미 패턴들(575) 상에 중간 더미 패턴들(585)이 배치될 수 있다. 중간 더미 패턴들(585)은 하부 더미 패턴들(575) 상에서 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 중간 더미 패턴들(585)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 상기 제1 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 중간 더미 패턴들(585)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제1 및 제2 측부들(570_1, 570_2) 및 하부 더미 패턴들(575) 각각의 제1 및 제2 측부들(575_1, 575_2)과 중첩할 수 있고, 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575) 및 중간 더미 패턴들(585) 각각은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하나의 기준 더미 패턴(570)은 2개의 중간 더미 패턴들(585)과 인접할 수 있다. 또한, 상기 인접한 2개의 중간 더미 패턴들(585)을 제1 및 제2 중간 더미 패턴들(585)로 정의할 경우, 제1 중간 더미 패턴(585)은 제1 하부 더미 패턴(575)의 제1 측부(575_1), 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제1 측부(570_1) 및 제3 하부 더미 패턴(575)의 제2 측부(575_2)와 동시에 중첩할 수 있고, 제2 중간 더미 패턴(585)은 제3 하부 더미 패턴(575)의 제1 측부(575_1), 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제2 측부(570_2) 및 제3 하부 더미 패턴(575)의 제4 측부(575_4)와 동시에 중첩할 수 있다.
여기서, 제1 중간 더미 패턴(585)과 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제1 모서리부(570_6) 및 제1 하부 더미 패턴(575)의 제1 모서리부(575_6)가 중첩하는 부분을 제1 중간 더미 패턴(585)의 제1 모서리부로 정의하고, 제1 중간 더미 패턴(585)과 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제2 모서리부(570_7) 및 제2 하부 더미 패턴(575)의 제2 모서리부(575_7)가 중첩하는 부분을 제1 중간 더미 패턴(585)의 제2 모서리부로 정의하며, 제2 중간 더미 패턴(585)과 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제3 모서리부(570_8) 및 제3 하부 더미 패턴(575)의 제3 모서리부(575_8)가 중첩하는 부분을 제2 중간 더미 패턴(585)의 제3 모서리부로 정의하고, 제2 중간 더미 패턴(585)과 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제4 모서리부(570_9) 및 제4 하부 더미 패턴(575)의 제4 모서리부(575_9)가 중첩하는 부분을 제2 중간 더미 패턴(585)의 제4 모서리부로 정의한다.
도 6 및 7을 참조하면, 중간 더미 패턴들(585) 상에 상부 더미 패턴들(610)이 배치될 수 있다. 상부 더미 패턴들(610)은 중간 더미 패턴들(585) 상에서 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 상부 더미 패턴들(610)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 상기 제1 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 더미 패턴들(610)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제3 및 제4 측부들(570_3, 570_4), 하부 더미 패턴들(575) 각각의 제3 및 제4 측부들(575_3, 575_4) 및 중간 더미 패턴들(585) 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩할 수 있고, 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610) 각각은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 하나의 기준 더미 패턴(570)은 2개의 상부 더미 패턴들(610)과 인접할 수 있다. 또한, 상기 인접한 2개의 상부 더미 패턴들(610)을 제1 및 제2 상부 더미 패턴들(610)로 정의할 경우, 제1 상부 더미 패턴(610)은 제1 하부 더미 패턴(575)의 제3 측부(575_3), 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제3 측부(570_3), 제3 하부 더미 패턴(575)의 제4 측부(575_4), 제1 중간 더미 패턴(585)의 상기 제1 모서리부 및 제2 중간 더미 패턴(585)의 상기 제3 모서리부와 동시에 중첩할 수 있고, 제2 상부 더미 패턴(610)은 제2 하부 더미 패턴(575)의 제3 측부(575_3), 하나의 기준 더미 패턴(570)의 제4 측부(570_4), 제4 하부 더미 패턴(575)의 제4 측부(575_4), 제1 중간 더미 패턴(585)의 상기 제2 모서리부 및 제2 중간 더미 패턴(585)의 상기 제4 모서리부와 동시에 중첩할 수 있다.
다시 말하면, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)은 제1 내지 제n(단, n은 1 이상의 정수) 기준 더미 패턴들(570), 상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들(570) 상에 배치되는 제1 내지 제m(단, m은 1 이상의 정수) 하부 더미 패턴들(575), 상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들(575) 상에 배치되는 제1 내제 제q(단, q는 1 이상의 정수) 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들(585) 상에 배치되는 제1 내지 제p(단, p는 1 이상의 정수) 상부 더미 패턴들(610)을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들(570) 중 제k(단, k는 1과 n 사이의 정수) 기준 더미 패턴(570)의 제1 내지 제4 모서리부들은 상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들(575) 중 제j(단, j는 1과 m 사이의 정수), 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575), 상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들(585) 중 제h(단, h는 1과 q 사이의 정수) 및 제h+1 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제1 내지 제p 상부 더미 패턴들(610) 중 제g(단, g는 1과 p 사이의 정수) 및 제g+1 상부 더미 패턴들(610)과 중첩할 수 있다.
상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제g 상부 더미 패턴(610)이 위치할 수 있고, 상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제g 상부 더미 패턴(610)은 동일한 행에 위치할 수 있으며, 상기 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제g+1 상부 더미 패턴(610)이 위치할 수 있고, 상기 j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제g+1 상부 더미 패턴(610)은 동일한 행에 위치할 수 있으며, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들(585) 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴(570)이 위치할 수 있고, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제k 기준 더미 패턴(570)은 동일한 행에 위치할 수 있다.
상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제h 중간 더미 패턴(585)이 위치할 수 있고, 상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제h 중간 더미 패턴(585)은 동일한 열에 위치할 수 있으며,
상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들(610) 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴(570)이 위치할 수 있고, 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들(610) 및 상기 제k 기준 더미 패턴(570)은 동일한 열에 위치할 수 있으며,
상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴(585)이 위치할 수 있고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴(585)은 동일한 열에 위치할 수 있다.
상기 제j, 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575), 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들(610)은 상기 제k 기준 더미 패턴(575)을 둘러쌀 수 있다.
상기 제k 기준 더미 패턴(570)과 동일한 행에 위치하는 제k+1 기준 더미 패턴(570)의 제1 내지 제4 모서리부들은 상기 제j+1 및 제j+3 상기 하부 더미 패턴들(575), 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575), 상기 제h+1 중간 더미 패턴(585), 제h+2 중간 더미 패턴(585) 및 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들(610)과 중첩할 수 있다.
상기 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제g+2 상부 더미 패턴(610)이 위치할 수 있고, 상기 제j, 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제g 및 제g+2 상부 더미 패턴들(610)은 동일한 행에 위치할 수 있으며, 상기 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제g+3 상부 더미 패턴(610)이 위치할 수 있고, 상기 j+2, 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제g+1 및 제g+3 상부 더미 패턴들(610)은 동일한 행에 위치할 수 있으며, 상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들(585) 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴(570)이 위치할 수 있고, 상기 제h, 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제k 및 제k+1 기준 더미 패턴들(570)은 동일한 행에 위치할 수 있다.
상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴(585)이 위치할 수 있고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴(585)은 동일한 열에 위치할 수 있으며, 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들(610) 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴(570)이 위치할 수 있고, 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들(610) 및 상기 제k+1 기준 더미 패턴(570)은 동일한 열에 위치할 수 있으며, 상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575) 사이에 상기 제h+2 중간 더미 패턴(585)이 위치할 수 있고, 상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575) 및 상기 제h+2 중간 더미 패턴(585)은 동일한 열에 위치할 수 있다.
상기 제j+1, 제j+3, 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들(575), 상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들(585) 및 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들(610)은 상기 제k+1 기준 더미 패턴(570)을 둘러쌀 수 있다.
전술한 바와 같이, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)은 서로 다른 층들에서 격자 형상으로 배열될 수 있고, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 각각은 중앙부(CP) 및 중앙부(CP)를 둘러싸는 테두리부(EP)를 포함할 수 있으며(도2, 3, 4, 5, 6 참조), 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 테두리부들(EP)이 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 수직하는 제3 방향(D3)으로 서로 중첩될 수 있다. 다시 말하면, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 중앙부들(CP)은 서로 중첩하지 않을 수 있다. 즉, 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)은 복수의 그루브들을 갖는 와플 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 기준 더미 패턴(570)의 제1 측부(570_1), 제2 측부(570_2), 제3 측부(570_3) 및 제4 측부(570_4)가 기준 더미 패턴(570)의 테두리부(EP)로 정의될 수 있고, 기준 더미 패턴(570)의 제1 측부(570_1), 제2 측부(570_2), 제3 측부(570_3) 및 제4 측부(570_4)를 제외한 나머지 부분이 중앙부(CP)로 정의될 수 있다. 또한, 하부 더미 패턴(575)의 제1 측부(575_1), 제2 측부(575_2), 제3 측부(575_3)및 제4 측부(575_4)가 하부 더미 패턴(575)의 테두리부(EP)로 정의될 수 있고, 하부 더미 패턴(575)의 제1 측부(575_1), 제2 측부(575_2), 제3 측부(575_3) 및 제4 측부(575_4)를 제외한 나머지 부분이 중앙부(CP)로 정의될 수 있다. 액티브 패턴(530), 중간 더미 패턴(585) 및 상부 더미 패턴(610) 각각도 상기와 같이 테두리부(EP) 및 중앙부(CP)로 정의될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(10)과 인접하는 주변 영역(20)에 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)이 배치될 수 있다. 이러한 경우, 표시 영역(10)의 중앙부에 형성된 반도체 소자(250)와 주변 영역(20)에 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에 형성된 반도체 소자(250)는 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있으며, 주변 영역(20)에 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에서 형성된 반도체 소자(250)의 불량이 발생되지 않을 수 있다. 또한, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 테두리부들(EP)이 제3 방향(D3)으로 서로 중첩되도록 배치됨으로써, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)을 덮는 절연층들(예를 들어, 도 10의 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205))의 단차가 깊게 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)을 식각하는 과정에서 사용되는 포토레지스트의 잔여물이 발생하지 않을 수 있고, 표시 영역(10)에 배치된 전극들(예를 들어, 도 10의 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제3 게이트 전극(185), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230))이 상기 잔여물에 의해 단락되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)이 4개의 패턴들로 구성되는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 더미 패턴들(570, 575, 585, 610) 중 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 테두리부들(EP)이 제3 방향(D3)으로 서로 중첩되도록 배치되도록 더미 패턴들(570, 575, 585, 610)의 개수가 결정될 수도 있다.
도 10은 도 1의 I-I' 라인 및 도 7의 II-II' 라인들을 따라 절단한 단면도들이고, 도 11은 도 7의 III-III' 라인들을 따라 절단한 단면도이며, 도 12는 도 7의 IV-IV' 라인들을 따라 절단한 단면도이다.
도 10, 11 및 12를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 반도체 소자(250), 화소 구조물(200), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 더미 패턴 구조물(500), 액티브 패턴들(530) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175), 제2 층간 절연층(195), 제3 게이트 전극(185), 제3 층간 절연층(205), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(200)은 하부 전극(290), 유기 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 더미 패턴 구조물(500)은 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610)을 포함할 수 있다.
투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
선택적으로, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 순서대로 적층된 구성을 가질 수 있다. 표시 장치(100)의 제조 방법에 있어서, 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250), 화소 구조물(200) 등)이 배치될 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 기판(110)으로 이용될 수 있다.
표시 장치(100)가 화소 영역(30)을 포함하는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함함으로써, 기판(110)도 표시 영역(10)(또는 화소 영역(30)) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층이 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 반도체 소자(250)로 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층들이 제공될 수 있거나 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 상기 버퍼층은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
액티브층(130)이 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 액티브층(130)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층(130)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
기판(110) 상의 주변 영역(20)에 액티브 패턴들(530)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴들(530)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브 패턴들(530)은 액티브층(130)과 동일한 물질을 함유할 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다.
기판(110), 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮으며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있고, 주변 영역(20)에서 액티브 패턴들(530)을 덮을 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 서로 상이한 물질을 포함하는 복수의 절연층들 갖는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 제1 게이트 전극(170)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치(예를 들어, 액티브층(130)의 상기 채널 영역과 중첩하도록 배치)될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 전극(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 크롬 질화물(CrNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(170)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 주변 영역(20)에 기준 더미 패턴들(570)이 배치될 수 있다. 기준 더미 패턴들(570)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 기준 더미 패턴들(570)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브 패턴들(530)이 위치하는 부분들 상에 각기 배치될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 기준 더미 패턴들(570) 각각은 제1 측부(570_1), 제2 측부(570_2), 제3 측부(570_3) 및 제4 측부(570_4)를 가질 수 있고, 제1 측부(570_1)의 양측부가 제1 모서리부(570_6) 및 제2 모서리부(570_7)로 정의되고, 제2 측부(570_2)의 양측부가 제3 모서리부(570_8) 및 제4 모서리부(570_9)로 정의되며, 제3 측부(570_3)의 양측부가 제1 모서리부(570_6) 및 제3 모서리부(570_8)로 정의되고, 제4 측부(570_4)의 양측부가 제2 모서리부(570_7) 및 제4 모서리부(570_9)로 정의될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기준 더미 패턴들(570)은 제1 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 함유할 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다.
게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570) 상에는 제1 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮으며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있고, 주변 영역(20)에서 기준 더미 패턴들(570)을 덮을 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제1 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 층간 절연층(190)은 서로 상이한 물질을 포함하는 복수의 절연층들 갖는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 제2 게이트 전극(175)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 게이트 전극(175)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 하부 더미 패턴들(575)이 배치될 수 있다. 하부 더미 패턴들(575)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 하부 더미 패턴들(575) 각각의 일부는 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 위치하는 기준 더미 패턴들(570)과 각기 중첩할 수 있다. 또한, 하부 더미 패턴들(575)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제1 모서리부(570_6), 제2 모서리부(570_7), 제3 모서리부(570_8) 및 제4 모서리부(570_9)들과 중첩할 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 하부 더미 패턴들(575) 각각은 제1 측부(575_1), 제2 측부(575_2), 제3 측부(575_3) 및 제4 측부(575_4)를 가질 수 있고, 제1 측부(575_1)의 양측부가 제1 모서리부(575_6) 및 제3 모서리부(575_8)로 정의되고, 제2 측부(575_2)의 양측부가 제2 모서리부(575_7) 및 제4 모서리부(575_9)로 정의되며, 제3 측부(575_3)의 양측부가 제1 모서리부(575_6) 및 제2 모서리부(575_7)로 정의되고, 제4 측부(575_4)의 양측부가 제3 모서리부(575_8) 및 제4 모서리부(575_9)로 정의될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 더미 패턴들(575)은 제2 게이트 전극(175)과 동일한 물질을 함유할 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다.
제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575) 상에는 제2 층간 절연층(195)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 제2 게이트 전극(175)을 덮으며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있고, 주변 영역(20)에서 하부 더미 패턴들(575)을 덮을 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상에서 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상에서 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)을 충분히 덮을 수 있으며, 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제2 층간 절연층(195)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층간 절연층(195)은 서로 상이한 물질을 포함하는 복수의 절연층들 갖는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제2 층간 절연층(195) 상의 표시 영역(10)에 제3 게이트 전극(185)이 배치될 수 있다. 제3 게이트 전극(185)은 제2 층간 절연층(195) 중에서 하부에 제2 게이트 전극(175)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제3 게이트 전극(185)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 게이트 전극(185)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연층(195) 상의 주변 영역(20)에 중간 더미 패턴들(585)이 배치될 수 있다. 중간 더미 패턴들(585)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 중간 더미 패턴들(585) 각각의 일부는 제2 층간 절연층(195) 중에서 하부에 위치하는 기준 더미 패턴들(570) 및 하부 더미 패턴들(575)과 각기 중첩할 수 있다. 또한, 중간 더미 패턴들(585)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제1 및 제2 측부들(570_1, 570_2) 및 하부 더미 패턴들(575) 각각의 제1 및 제2 측부들(575_1, 575_2)과 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 중간 더미 패턴들(585)은 제3 게이트 전극(185)과 동일한 물질을 함유할 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다.
제2 층간 절연층(195), 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585) 상에는 제3 층간 절연층(205)이 배치될 수 있다. 제3 층간 절연층(205)은 제2 층간 절연층(195) 상의 표시 영역(10)에서 제3 게이트 전극(185)을 덮으며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있고, 주변 영역(20)에서 중간 더미 패턴들(585)을 덮을 수 있다. 예를 들면, 제3 층간 절연층(205)은 제2 층간 절연층(195) 상에서 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)을 덮으며, 균일한 두께로 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제3 층간 절연층(205)은 제2 층간 절연층(195) 상에서 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)을 충분히 덮을 수 있으며, 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수도 있다. 제3 층간 절연층(205)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 층간 절연층(205)은 서로 상이한 물질을 포함하는 복수의 절연층들 갖는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제3 층간 절연층(205) 상의 표시 영역(10)에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175), 제2 층간 절연층(195), 제3 게이트 전극(185), 제3 층간 절연층(205), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다.
다만, 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 하부 게이트 구조를 가질 수도 있다.
또한, 표시 장치(100)가 하나의 반도체 소자를 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 장치(100)는 적어도 하나의 반도체 소자, 적어도 하나의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.
더욱이, 반도체 소자(250)가 3개의 게이트 전극을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 적어도 하나의 게이트 전극을 가질 수도 있다. 이러한 경우, 액티브 패턴들(530)이 기준 더미 패턴들(570)과 완전히 중첩하지 않을 수 있고, 기준 더미 패턴들(570)의 각각의 제1 내지 제4 모서리부들(570_6, 570_7, 570_8, 570_9) 중 하나와 중첩할 수 있다.
제3 층간 절연층(205) 상의 주변 영역(20)에 상부 더미 패턴들(610)이 배치될 수 있다. 상부 더미 패턴들(610)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 다시 말하면, 상부 더미 패턴들(610) 각각의 일부는 제3 층간 절연층(205) 중에서 하부에 위치하는 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575) 및 중간 더미 패턴들(585)과 각기 중첩할 수 있다. 또한, 상부 더미 패턴들(610)은 기준 더미 패턴들(570) 각각의 제3 및 제4 측부들(570_3, 570_4), 하부 더미 패턴들(575) 각각의 제3 및 제4 측부들(575_3, 575_4) 및 중간 더미 패턴들(585) 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 더미 패턴들(610)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 함유할 수 있고, 동일한 층에 위치할 수 있다.
이에 따라, 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610)을 포함하는 더미 패턴 구조물(500)이 배치될 수 있다.
제3 층간 절연층(205), 상부 더미 패턴들(610), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 제3 층간 절연층(205) 상의 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며 주변 영역(20)으로 연장될 수 있고, 주변 영역(20)에서 상부 더미 패턴들(610)을 덮을 수 있다. 평탄화층(270)은 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에서 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 제3 층간 절연층(205) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에서 균일한 두께로 상부 더미 패턴들(610), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 평탄화층(270)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)에 접속될 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시키며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있다. 선택적으로, 화소 정의막(310)은 표시 영역(10)에만 배치되고, 주변 영역(20)에는 배치되지 않을 수도 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
유기 발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 유기 발광층(330)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 유기 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 유기 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 유기 발광층(330) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 유기 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 배치될 수 있다.
상부 전극(340) 상에 봉지 기판이 배치될 수도 있다. 상기 봉지 기판은 기판(110)과 대향할 수 있다. 상기 봉지 기판은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 기판은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 봉지 기판은 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 박막 봉지 구조물로 대체될 수 있다. 여기서, 상기 박막 봉지 구조물은 제1 무기 절연층, 유기 절연층 및 제2 무기 절연층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상부 전극(340)의 프로파일을 따라 가요성을 갖는 상기 제1 무기 절연층이 배치될 수 있고, 상기 제1 무기 절연층 상에 가요성을 갖는 유기 절연층이 배치될 수 있으며, 상기 유기 절연층 상에 가요성을 갖는 제2 무기 절연층이 배치될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(10)과 인접하는 주변 영역(20)에 배치된 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴 구조물(500)을 포함함으로써 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 단차가 깊게 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610) 각각을 식각하는 과정에서 사용되는 포토레지스트의 잔여물이 발생하지 않을 수 있고, 표시 영역(10)에 배치된 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제3 게이트 전극(185), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 상기 잔여물에 의해 단락되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치를 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것을 아니다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 표시 장치(100)는 액정 표시 장치(liquid crystal display device LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device FED), 플라즈마 표시 장치(plasma display device PDP) 또는 전기 영동 표시 장치(electrophoretic image display device EPD)를 포함할 수도 있다.
도 13 내지 도 29는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2, 13, 14 및 15를 참조하면, 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 기판(110)은 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다.
액티브층(130)이 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
기판(110) 상의 주변 영역(20)에 액티브 패턴들(530)이 형성될 수 있다. 액티브 패턴들(530)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 액티브 패턴들(530)은 액티브층(130)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110) 상에 예비 액티브층이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 액티브층을 부분적으로 식각하여 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)이 동시에 형성될 수 있다.
기판(110), 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530) 상에는 게이트 절연층(150)이 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130) 및 액티브 패턴들(530)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 SiOx, SiNx, SiOxNy, SiOxCy, SiCxNy, AlOx, AlNx, TaOx, HfOx, ZrOx, TiOx 등을 포함할 수 있다.
도 3, 16, 17 및 18을 참조하면, 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 제1 게이트 전극(170)이 형성될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 전극(170)은 Au, Ag, Al, Pt, Ni, Ti, Pd, Mg, Ca, Li, Cr, Ta, W, Cu, Mo, Sc, Nd, Ir, 알루미늄을 함유하는 합금, AlNx, 은을 함유하는 합금, WNx, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, TiNx, CrNx, TaNx, SrRuxOy, ZnOx, ITO, SnOx, InOx, GaOx, IZO 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 주변 영역(20)에 기준 더미 패턴들(570)이 형성될 수 있다. 기준 더미 패턴들(570)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 기준 더미 패턴들(570)은 액티브 패턴들(530)과 각기 중첩되도록 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기준 더미 패턴들(570)은 제1 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150) 상에 제1 예비 전극층이 전체적으로 형성된 후, 상기 제1 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)이 동시에 형성될 수 있다.
게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570) 상에는 제1 층간 절연층(190)이 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170) 및 기준 더미 패턴들(570)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도19, 20, 21 및 22를 참조하면, 제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 제2 게이트 전극(175)이 형성될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 하부 더미 패턴들(575)이 형성될 수 있다. 하부 더미 패턴들(575)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 하부 더미 패턴들(575) 각각의 일부는 기준 더미 패턴들(570)과 각기 중첩하도록 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 더미 패턴들(575)은 제2 게이트 전극(175)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연층(190) 상에 제2 예비 전극층이 전체적으로 형성된 후, 상기 제2 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)이 동시에 형성될 수 있다.
제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575) 상에는 제2 층간 절연층(195)이 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상에서 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(175) 및 하부 더미 패턴들(575)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 층간 절연층(195)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도23, 24, 25 및 26을 참조하면, 제2 층간 절연층(195) 상의 표시 영역(10)에 제3 게이트 전극(185)이 형성될 수 있다. 제3 게이트 전극(185)은 제2 층간 절연층(195) 중에서 하부에 제2 게이트 전극(175)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제3 게이트 전극(185)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 층간 절연층(195) 상의 주변 영역(20)에 중간 더미 패턴들(585)이 형성될 수 있다. 중간 더미 패턴들(585)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 중간 더미 패턴들(585) 각각의 일부는 기준 더미 패턴들(570) 및 하부 더미 패턴들(575)과 각기 중첩하도록 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 중간 더미 패턴들(585)은 제3 게이트 전극(185)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(195) 상에 제3 예비 전극층이 전체적으로 형성된 후, 상기 제3 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)이 동시에 형성될 수 있다.
제2 층간 절연층(195), 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585) 상에는 제3 층간 절연층(205)이 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제3 층간 절연층(205)은 제2 층간 절연층(195) 상에서 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)을 덮으며, 균일한 두께로 제3 게이트 전극(185) 및 중간 더미 패턴들(585)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제3 층간 절연층(205)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7, 27, 28 및 29를 참조하면, 제3 층간 절연층(205) 상의 표시 영역(10)에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175), 제2 층간 절연층(195), 제3 게이트 전극(185), 제3 층간 절연층(205), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다.
제3 층간 절연층(205) 상의 주변 영역(20)에 상부 더미 패턴들(610)이 형성될 수 있다. 상부 더미 패턴들(610)은 격자 형상으로 배열될 수 있다. 상부 더미 패턴들(610) 각각의 일부는 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575) 및 중간 더미 패턴들(585)과 각기 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 더미 패턴들(610)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제3 층간 절연층(205) 상에 제4 예비 전극층이 전체적으로 형성된 후, 상기 제4 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 상부 더미 패턴들(610)이 동시에 형성될 수 있다.
이에 따라, 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610)을 포함하는 더미 패턴 구조물(500)이 형성될 수 있다.
제3 층간 절연층(205), 상부 더미 패턴들(610), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 전체적으로 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에서 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시키며 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로 연장될 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
유기 발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 형성될 수 있다. 유기 발광층(330)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 유기 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 유기 발광층(330) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 유기 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 형성될 수 있다.
상부 전극(340) 상에 봉지 기판이 형성될 수도 있다. 상기 봉지 기판은 기판(110)과 대향할 수 있다. 상기 봉지 기판은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료를 사용하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 도 1 내지 10에 도시된 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)의 제조 방법에 있어서, 표시 영역(10)과 인접하는 주변 영역(20)에 형성된 액티브 패턴들(530) 및 더미 패턴 구조물(500)은 복수의 그루브들을 갖는 와플 형상을 가짐으로써 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195) 및 제3 층간 절연층(205)의 단차가 깊게 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 액티브 패턴들(530), 기준 더미 패턴들(570), 하부 더미 패턴들(575), 중간 더미 패턴들(585) 및 상부 더미 패턴들(610) 각각을 식각하는 과정에서 사용되는 포토레지스트의 잔여물이 상기 단차에 남겨지지 않을 수 있다. 이에 따라, 표시 영역(10)에서 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제3 게이트 전극(185), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 형성 시 상기 잔여물에 의한 불량이 발생하지 않을 수 있다.
예를 들면, 상기 포토레지스트의 잔여물이 상기 단차에 남겨지는 경우, 제조 과정에서 상기 잔여물이 표시 영역(10)으로 이동하여 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제3 게이트 전극(185), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 형성을 방해할 수 있다. 이러한 경우, 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제3 게이트 전극(185), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 상기 잔여물에 의해 단락될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역
20: 주변 영역
30: 화소 영역 100: 표시 장치
110: 기판 130: 액티브층
150: 게이트 절연층 170: 제1 게이트 전극
175: 제2 게이트 전극 185: 제3 게이트 전극
190: 제1 층간 절연층 195: 제2 층간 절연층
205: 제3 층간 절연층 200: 화소 구조물
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 310: 화소 정의막
330: 유기 발광층 340: 상부 전극
470: 패드 전극 500: 더미 패턴 구조물
530: 액티브 패턴들 570: 기준 더미 패턴들
575: 하부 더미 패턴들 585: 중간 더미 패턴들
610: 상부 더미 패턴들 CP: 중앙부
EP: 테두리부
30: 화소 영역 100: 표시 장치
110: 기판 130: 액티브층
150: 게이트 절연층 170: 제1 게이트 전극
175: 제2 게이트 전극 185: 제3 게이트 전극
190: 제1 층간 절연층 195: 제2 층간 절연층
205: 제3 층간 절연층 200: 화소 구조물
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 310: 화소 정의막
330: 유기 발광층 340: 상부 전극
470: 패드 전극 500: 더미 패턴 구조물
530: 액티브 패턴들 570: 기준 더미 패턴들
575: 하부 더미 패턴들 585: 중간 더미 패턴들
610: 상부 더미 패턴들 CP: 중앙부
EP: 테두리부
Claims (20)
- 표시 영역 및 주변 영역을 갖는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상에 배치되는 화소 구조물; 및
상기 기판 상의 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 반도체 소자를 이루는 물질과 동일한 물질을 함유하며, 적층 구조를 갖는 복수의 더미 패턴들을 포함하고,
상기 더미 패턴들은 서로 다른 층들에서 격자 형상으로 배열되고, 상기 더미 패턴들 각각은 중앙부 및 상기 중앙부를 둘러싸는 테두리부를 포함하며, 상기 더미 패턴들 중 상기 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 더미 패턴들의 상기 테두리부들이 상기 기판으로부터 상기 화소 구조물의 방향으로 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 서로 다른 층들에서 인접하여 위치하는 상기 더미 패턴들의 상기 중앙부들은 서로 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 더미 패턴들과 상기 기판 사이에 배치되고, 격자 형상으로 배열되며, 상기 더미 패턴들의 적어도 일부와 중첩하는 액티브 패턴들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 더미 패턴들은,
제1 간격으로 서로 이격하여 배열되는 기준 더미 패턴들;
상기 기준 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩하는 하부 더미 패턴들;
상기 하부 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제1 측부 및 상기 제1 측부와 마주보는 제2 측부 및 상기 하부 더미 패턴들 각각의 제1 측부 및 상기 제1 측부와 마주보는 제2 측부와 중첩하도록 배치되는 중간 더미 패턴들; 및
상기 중간 더미 패턴들 상에 배치되고, 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들 각각의 제3 측부 및 상기 제3 측부와 마주보는 제4 측부, 상기 하부 더미 패턴들 각각의 제3 측부 및 상기 제3 측부와 마주보는 제4 측부 및 상기 중간 더미 패턴들 각각의 제1 내지 제4 모서리부들과 중첩하도록 배치되는 상부 더미 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 4 항에 있어서, 상기 기준 더미 패턴들, 상기 하부 더미 패턴들, 상기 중간 더미 패턴들 및 상기 상부 더미 패턴들 각각은 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 기준 더미 패턴들 각각에서,
상기 제1 측부의 양측부가 상기 제1 및 제2 모서리부들로 정의되고,
상기 제2 측부의 양측부가 상기 제3 및 제4 모서리부들로 정의되며,
상기 제3 측부의 양측부가 상기 제1 및 제3 모서리부들로 정의되고,
상기 제4 측부의 양측부가 상기 제2 및 제4 모서리부들로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 하부 더미 패턴들 각각에서,
상기 제1 측부의 양측부가 상기 제1 및 제3 모서리부들로 정의되고,
상기 제2 측부의 양측부가 상기 제2 및 제4 모서리부들로 정의되며,
상기 제3 측부의 양측부가 상기 제1 및 제2 모서리부들로 정의되고,
상기 제4 측부의 양측부가 상기 제3 및 제4 모서리부들로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 기준 더미 패턴들과 상기 기판 사이에 배치되고, 격자 형상으로 상기 제1 간격으로 서로 이격하여 배열되며, 상기 기준 더미 패턴들과 중첩하여 위치하는 액티브 패턴들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 반도체 소자는,
액티브층;
상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 배치되는 제1 게이트 전극;
상기 제1 게이트 전극을 덮는 제1 층간 절연층;
상기 제1 층간 절연층 상에 배치되는 제2 게이트 전극;
상기 제2 게이트 전극을 덮는 제2 층간 절연층;
상기 제2 층간 절연층 상에 배치되는 제3 게이트 전극;
상기 제3 게이트 전극을 덮는 제3 층간 절연층; 및
상기 제3 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 9 항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 상기 기판 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 기판 상의 상기 주변 영역에서 상기 액티브 패턴들을 덮고,
상기 제1 층간 절연층은 상기 게이트 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 게이트 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 기준 더미 패턴들을 덮으며,
상기 제2 층간 절연층은 상기 제1 층간 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 제1 층간 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 하부 더미 패턴들을 덮고,
상기 제3 층간 절연층은 상기 제2 층간 절연층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로 연장되고, 상기 제2 층간 절연층 상의 상기 주변 영역에서 상기 중간 더미 패턴들을 덮는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 9 항에 있어서, 상기 액티브층은 상기 액티브 패턴과 동일한 층에 위치하고, 상기 제1 게이트 전극은 상기 기준 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하며, 상기 제2 게이트 전극은 상기 하부 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하고, 상기 제3 게이트 전극은 상기 중간 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하며, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 상부 더미 패턴들과 동일한 층에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 더미 패턴들은,
제1 내지 제n(단, n은 1 이상의 정수) 기준 더미 패턴들;
상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내지 제m(단, m은 1 이상의 정수) 하부 더미 패턴들;
상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내제 제q(단, q는 1 이상의 정수) 중간 더미 패턴들; 및
상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들 상에 배치되는 제1 내지 제p(단, p는 1 이상의 정수) 상부 더미 패턴들을 포함하고,
상기 제1 내지 제n 기준 더미 패턴들 중 제k(단, k는1과 n 사이의 정수) 기준 더미 패턴의 제1 내지 제4 모서리부들은,
상기 제1 내지 제m 하부 더미 패턴들 중 제j(단, j는 1과 m 사이의 정수), 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들, 상기 제1 내지 제q 중간 더미 패턴들 중 제h(단, h는 1과 q 사이의 정수) 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제1 내지 제p 상부 더미 패턴들 중 제g(단, g는 1과 p 사이의 정수) 및 제g+1 상부 더미 패턴들과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j 및 제j+1 하부 더미 패턴들 및 상기 제g 상부 더미 패턴은 동일한 행에 위치하며,
상기 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+1 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제g+1 상부 더미 패턴은 동일한 행에 위치하며,
상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제k 기준 더미 패턴은 동일한 행에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j 및 제j+2 하부 더미 패턴들 및 상기 제h 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며,
상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들 사이에 상기 제k 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들 및 상기 제k 기준 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며,
상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 제j, 제j+1, 제j+2 및 제j+3 하부 더미 패턴들, 상기 제h 및 제h+1 중간 더미 패턴들 및 상기 제g 및 제g+1 상부 더미 패턴들은 상기 제k 기준 더미 패턴을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제k 기준 더미 패턴과 동일한 행에 위치하는 제k+1 기준 더미 패턴의 제1 내지 제4 모서리부들은,
상기 제j+1 및 제j+3 상기 하부 더미 패턴들, 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들, 상기 제h+1 중간 더미 패턴, 제h+2 중간 더미 패턴 및 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 - 제 16 항에 있어서, 상기 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+2 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j, 제j+1 및 제j+4 하부 더미 패턴들 및 상기 제g 및 제g+2 상부 더미 패턴들은 동일한 행에 위치하며,
상기 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제g+3 상부 더미 패턴이 위치하고, 상기 j+2, 제j+3 및 제j+5 하부 더미 패턴들 및 상기 제g+1 및 제g+3 상부 더미 패턴들은 동일한 행에 위치하며,
상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제h, 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 및 상기 제k 및 제k+1 기준 더미 패턴들은 동일한 행에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 16 항에 있어서, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+1 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+1 및 제j+3 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+1 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며,
상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들 사이에 상기 제k+1 기준 더미 패턴이 위치하고, 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들 및 상기 제k+1 기준 더미 패턴은 동일한 열에 위치하며,
상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들 사이에 상기 제h+2 중간 더미 패턴이 위치하고, 상기 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들 및 상기 제h+2 중간 더미 패턴은 동일한 열에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 16 항에 있어서, 상기 제j+1, 제j+3, 제j+4 및 제j+5 하부 더미 패턴들, 상기 제h+1 및 제h+2 중간 더미 패턴들 및 상기 제g+2 및 제g+3 상부 더미 패턴들은 상기 제k+1 기준 더미 패턴을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 반도체 소자 및 상기 더미 패턴들을 덮는 평탄화층을 더 포함하고,
상기 화소 구조물은,
상기 평탄화층 상의 표시 영역에 배치되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200008639A KR20210095265A (ko) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 표시 장치 |
| US17/000,402 US11489024B2 (en) | 2020-01-22 | 2020-08-24 | Display device |
| EP20193994.9A EP3855503A1 (en) | 2020-01-22 | 2020-09-02 | Display device |
| CN202011536096.5A CN113161386A (zh) | 2020-01-22 | 2020-12-23 | 显示设备 |
| US17/958,301 US20230028400A1 (en) | 2020-01-22 | 2022-09-30 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200008639A KR20210095265A (ko) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210095265A true KR20210095265A (ko) | 2021-08-02 |
Family
ID=72340216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200008639A KR20210095265A (ko) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 표시 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11489024B2 (ko) |
| EP (1) | EP3855503A1 (ko) |
| KR (1) | KR20210095265A (ko) |
| CN (1) | CN113161386A (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021141196A (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置、および表示装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NZ264880A (en) | 1993-11-16 | 1995-09-26 | Ppg Industries Inc | Grey glass containing iron and cobalt oxides |
| JPH0968718A (ja) | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Pioneer Video Corp | 反射型液晶表示装置 |
| JP2003302916A (ja) | 1997-06-17 | 2003-10-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
| JP3767154B2 (ja) | 1997-06-17 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
| JP2000231113A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2003289072A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Sharp Corp | 平坦化膜を有する基板及び表示装置用基板、並びにそれら基板の製造方法 |
| JP4512976B2 (ja) | 2003-12-10 | 2010-07-28 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100700642B1 (ko) | 2004-12-13 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| JP5621283B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2013213899A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| KR20160093749A (ko) | 2015-01-29 | 2016-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102481468B1 (ko) * | 2018-01-04 | 2022-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210024286A (ko) * | 2019-08-21 | 2021-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| CN112714959B (zh) * | 2019-08-27 | 2024-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-01-22 KR KR1020200008639A patent/KR20210095265A/ko unknown
- 2020-08-24 US US17/000,402 patent/US11489024B2/en active Active
- 2020-09-02 EP EP20193994.9A patent/EP3855503A1/en active Pending
- 2020-12-23 CN CN202011536096.5A patent/CN113161386A/zh active Pending
-
2022
- 2022-09-30 US US17/958,301 patent/US20230028400A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3855503A1 (en) | 2021-07-28 |
| US11489024B2 (en) | 2022-11-01 |
| US20210225960A1 (en) | 2021-07-22 |
| US20230028400A1 (en) | 2023-01-26 |
| CN113161386A (zh) | 2021-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10651265B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| TWI651877B (zh) | 顯示裝置 | |
| US9966566B2 (en) | Method of manufacturing display device with block members having different heights | |
| US9761838B2 (en) | Display device having a conductive line with at least one opening | |
| US10651258B2 (en) | Organic light emitting display device with improved aperture ratio | |
| EP2966689B1 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
| JP4139346B2 (ja) | 平板表示装置及びその製造方法 | |
| US10916608B2 (en) | Flexible organic light emitting display device having a block structure | |
| US9825109B2 (en) | Display device | |
| KR102618593B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20220077276A1 (en) | Electronic device, display apparatus, display substrate and manufacturing method therefor | |
| KR102545527B1 (ko) | 투명표시장치 | |
| CN109859649B (zh) | 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置 | |
| KR20190073636A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20190118221A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20200004475A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20180003965A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20230028400A1 (en) | Display device | |
| JP7493577B2 (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 | |
| WO2021192242A1 (ja) | 表示装置の製造方法、および表示装置 | |
| KR102525989B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20210040203A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102484892B1 (ko) | 투명표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102678860B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US11630632B2 (en) | Pixel arrangement of display device and tiled display including the same |