JPWO2007116806A1 - 低抵抗基板の作製方法 - Google Patents

Abstract

例えば、表示装置等に有効な低抵抗基板を作製するための低抵抗基板の作製方法を提供する。金属を樹脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、前記線形物を加熱することにより、前記金属を被覆している前記樹脂を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように透明電極を成膜する成膜工程と、により低抵抗基板を作製する。

Description

本願は、低抵抗基板の作製方法に関する。

従来から例えば、有機ＥＬパネル等の表示装置は、携帯電話等のディスプレイやカーオーディオ等、種々の電子機器に使用されており、近年では更に、有機ＥＬパネルの大型化が望まれている。

有機ＥＬパネルは基板上に２つの電極とその間に形成された有機層によって構成されており、この２つの電極間に電場を印加することで有機層が発光する。ここで、少なくとも片方の電極は有機層の発光を取り出すために、透明もしくは半透明にする必要があるが、これらの電極は、比較的抵抗が大きいため、電圧低下により輝度にむらが発生するといった問題が生じていた。この問題を解消するために、抵抗を下げるための補助電極として作用する導電性物質を蒸着法などにより形成することが行われている。（この導電性物質は、「バスライン」と呼ばれている。）導電性物質からなるバスラインを形成することにより、電極に電流が流れ易くなり、電圧低下を防止することができる。

このバスラインは有機ＥＬパネルの発光を妨げるものであってはならないため、比較的細い幅にするためにフォトグラフィ法などを用いてパターニングが行われている。このフォトグラフィ工程の有機層への影響が考えられることから、有機層成膜前の基板上に電極・バスラインを形成することが一般的である。現在では更にバスラインの材料や幅・厚みを改良し、バスラインの低抵抗化を図ることにより電圧低下を防止する開発がなされている（特許文献１、２）。
特開２００２−２７７８５５号公報 特開２００３−２９７５８４号公報

近年、画面サイズの大型化に伴って、低抵抗化を更に図る必要性があり、バスラインを低抵抗にするためには、必然的に（膜厚）や線幅を大きくすることが求められる。

しかしながら、バスラインの幅を大きくすると、基板側から光を取り出す際に開口率が下がってしまい、また、厚みを大きくすると、バスラインを基板上に蒸着する際の成膜時間や成膜レートが上昇し、基板がダメージを受ける場合があったり、使用する材料が増えるために、材料コストの上昇を招く恐れがあった。

本願は、このような問題に鑑みなされたものであり、例えば、表示装置等に有効な低抵抗基板を作製するための低抵抗基板の作製方法を提供することを主たる課題とする。

上記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、金属を樹脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、前記線形物を加熱することにより、前記金属を被覆している前記樹脂を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように電極を成膜する成膜工程と、を有することを特徴とする。

また、上記課題を解決するための請求項４に記載の発明は、基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に金属を設置する設置工程と、前記金属を加熱して、前記樹脂層を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板の上に固着された金属を覆うように電極を成膜する成膜工程と、を有することを特徴とする。

表示装置用低抵抗基板の作製方法における第１実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第２実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第３実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第４実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板を示す概略図である。 金属の他の一例について説明する概略図である。

符号の説明

１・・・基板
２・・・樹脂層
３・・・樹脂
４・・・金属
５・・・透明電極
Ｓ・・・線形物

（Ｉ）第１実施形態
本願の低抵抗基板の作製方法について図１を用いて詳細に説明する。なお、本願の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合に用いるものとして以下説明する。また、説明を簡便に行うために金属の一例として、金属ワイヤーを用いる場合について以下説明する。

図１（Ａ）は、線形物Ｓを設置する前段階の基板１を示す図である。

本願の方法は、用いる基板１を特に限定することはなく、作製対象である表示装置用低抵抗基板Ｒが用いられる状況や、求められる性能によって、任意の絶縁体を選択することができる。透明性が必要な場合には、例えば、プラスチック基板やガラス基板を用いることができる。なお、基板１の厚みは、用途に応じて異なるが、通常、２５μｍ〜５ｍｍ程度であり、特に、１００μｍ〜１ｍｍであることが特に好ましい。

ここで、図示しないが、基板１上に有機物又は無機物からなる密着改善層を形成してもよいし（密着改善層形成工程）、密着性改善のための表面改質処理を行ってよい（表面改質処理工程）。

基板１上に密着改善層を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成方法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプレーコート、スピンコートなどの湿式塗布法や、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの気相成長法等が挙げられる。また、この工程に用いられる密着改善層としては、例えば、有機シラン化合物、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の有機物又は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機物を用途等に応じて適宜採用することができる。また、表面改質処理としては、プラズマ処理、コロナ放電処理、ＵＶオゾン処理、レーザアニール処理などを用途に応じて適宜採用することができる。

このように基板１上に密着改善層を形成したり、表面改質処理を行うことにより、線形物Ｓを基板１上に設置するために線形物Ｓを構成する樹脂３を溶解せしめた際に、基板１と樹脂３との密着性を向上することができ、これにより金属ワイヤー４を強固に固定することができる。さらにまた、このような密着性改善の効果により、基板自体の強度を向上することもできる。

図１（Ｂ）は、設置工程において、線形物Ｓを基板１上に設置した図である。

本願の方法においては、基板１上に線形物Ｓを設置する方法や位置は特に限定されることはなく、この後に形成される透明電極の導電率や基板１の大きさに応じ、いわゆるバスラインを形成したい場所に任意に設置すればよい。

ここで、線形物Ｓは、金属ワイヤー４を樹脂３で被覆した構成を有している。

金属ワイヤー４については特に限定することはないが、表示装置に用いられる低抵抗基板を作製するための補助電極（いわゆるバスライン）として用いられるものであるため、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、モリブテン、クロム、ニッケル等であることが好ましい。また、金属ワイヤー４の断面形状は、後述するように基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５が成膜されるため、金属ワイヤー４と電極５とが接する面が滑らかであることが好ましく、この点を考慮すると、金属ワイヤー４の断面形状は球形、楕円形等であることが好ましい。ここで金属ワイヤー４の断面形状が円形の場合、当該金属ワイヤー４の直径については特に限定されることはない。しかしながら、基板１側から光を取り出す場合には、開口率が下がらない程度の大きさであり、また、その金属ワイヤーが視覚的な表示の妨げにならない太さでなけらばならない。

また、当該金属ワイヤー４の上に形成される電極が断線しない程度の直径であることが必要であり、具体的には、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、特に１０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。

このように、基板1上に金属ワイヤー４を設けることにより、当該金属ワイヤー４が電
極に対し補助電極として作用する他、特にプラスチック基板を用いた場合には、基板全体の剛性が増すという効果も期待できる。

線形物Ｓを構成する樹脂３は、これを溶解せしめることにより基板１上に金属ワイヤー４を固着させる役割を有しており（この工程についての詳細は後述する。）、当該役割を果たすため、その材質は熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等を挙げることができる。

また、固着させるための補助手段として、光や熱による樹脂の硬化を利用してもよい。この場合には熱硬化性樹脂もしくは光硬化性の樹脂を用いることができる。これらの硬化性樹脂として、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、フェノール樹脂等を挙げることができる。

金属ワイヤー４を被覆する樹脂３の量（被覆する樹脂の厚さ）については、特に限定することはないが、前述した役割を果たすことができる程度の量が必要であり、具体的には、被覆する樹脂の厚さは、金属ワイヤーの径に対して１０〜５０％程度が好ましい。

図１（Ｃ）は、固着工程において、線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤ４ーを被覆する樹脂３を溶解せしめ、金属ワイヤー４を基板１上に固着した際の状態を示す図である。

線形物Ｓの加熱方法としては、金属への通電による抵抗加熱、温風や（輻射）熱による加熱、熱線を基板や金属に接触させることによる加熱等が挙げられるが、これらに限定されることはない。線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤー４を被覆した樹脂３を溶解せしめ、金属ワイヤー４の周囲になじむことにより、金属ワイヤー４を基板１上に固着させることができる。またこのように、基板１と金属ワイヤー４の隙間に樹脂３が入り込み金属ワイヤー４と基板１との間が滑らかな曲線となるため、基板１上に成膜する電極５の断線が生じにくくなる。また、基板１に樹脂３を溶解して金属ワイヤー４を固着させるため、いわゆるバスラインを形成するために導電性物質を蒸着等により形成する必要がなく、蒸着等による加熱により基板１等の反りが生じにくくなる。

図１（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した際の状態を示す図である。

電極５は、有機層の発光を取り出すために、透明若しくは半透明である必要がある。

電極５を成膜する方法としては、蒸着法、スパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ゾル・ゲル法等があげられるが、これらに限定されることはなく、従
来用いられている方法を用いて電極５を成膜することができる。この工程に用いられる電極５についても特に限定されることはなく、具体的には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極や、アルミニウム、クロム、銀やその合金
などの金属電極を好適に用いることができる。

ここで、本願の方法においては、図１（Ｃ）に示す固着工程後、図１（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を行ってもよい。

この冷却工程は本願において必須の工程ではないが、基板１上に金属ワイヤー４を固着させた後、電極５を成膜する前に、金属ワイヤー４を冷却することにより、固着させた金属ワイヤー４の周囲になじませた樹脂３を素早く硬化させることができ、金属ワイヤー４を基板１に強固に固着させることができる。

ここで、金属ワイヤー４を冷却する方法としては、冷風による冷却、冷媒を基板や金属に接触させることによる冷却等が挙げることができる。

（ＩＩ）第２実施形態
次に、本願の方法の他の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図２（Ａ）は、第１実施形態において説明した設置工程の前段階として施される樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図である。

基板１上に樹脂層２を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成方法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプレーコート（スピンコート）等が挙げられる。なお、樹脂層２の厚みは、特に限定することはないが、金属ワイヤーの径に対して、５〜９０％の厚みであることが好ましい。また、この工程に用いられる樹脂層２としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等の樹脂を用途等に応じて適宜採用することができる。

このように基板１上に樹脂層２を形成することにより、基板１の表面を凹凸がなく滑らかな状態とすることができるため線形物Ｓを設置する際に都合がよい。また、線形物Ｓを構成する樹脂３と樹脂層２を形成する樹脂とを同一材料とすることにより、線形物Ｓを構成する樹脂３を溶解せしめた際に、この樹脂と樹脂層２との密着性を向上することができ、これにより金属ワイヤー４を強固に固定することができる。さらにまた、このような樹脂層２を設けることにより基板自体の強度を向上することもできる。

なお、樹脂層２が形成される基板１については、前記第1実施形態で説明した基板と同様のものを用いることができる。

その後の工程を図２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すが、第１実施形態で説明した工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。

（ＩＩＩ）第３実施形態
本願の発明のさらに別の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図３（Ａ）は、樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図３（Ｂ）は、設置工程において、線形物Ｓを基板１上に設置した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図３（Ｃ）は、固着工程において、線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤー４を被覆している樹脂３及び基板１上に形成された樹脂層２の両方を溶解せしめ、金属ワイヤー４を基板１上に固着した際の状態を示す図である。

当該実施形態によれば、線形物Ｓを加熱することにより、基板１上に形成された樹脂３及び樹脂層２の両方を溶解せしめることができる。そして、線形物Ｓを構成する金属ワイヤー４は、溶解された樹脂３及び樹脂層２を押し退けて樹脂３及び樹脂層２の中に入り込むこととなり、その結果、押し退けられた樹脂３及び溶解した樹脂層２によって当該金属ワイヤー４の周囲を滑らかに覆うことができ、最終的に金属ワイヤー４を基板１上に固着せしめることができる。

このような方法により金属ワイヤー４を固定する本実施形態にあっては、基板１上に設ける樹脂層２の材質は、加熱により溶解する熱可塑性樹脂により形成されていることが好ましい。例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が適宜選択されて用いられる。

図３（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した際の状態を示す図であり、第１、第２実施形態で説明したものと同様である。

なおここで、第１、第２実施形態と同様に、図３（Ｃ）に示す固着工程後、図３（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を有してもよい。この冷却工程は本願において必須の工程ではないが、基板１上に金属ワイヤー４を固着した後、電極５を成膜する前に、金属ワイヤー４を冷却することにより、固着させた金属ワイヤー４の周囲になじませた樹脂３及び樹脂層２を硬化させて、更に金属ワイヤー４を基板１に強固に固着させることができる。

（ＩＶ）第４実施形態
さらに、本願の方法の他の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図４（Ａ）は、樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図４（Ｂ）は、設置工程において、樹脂層２上に金属ワイヤー４を設置した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。なお、金属ワイヤー４を被覆する樹脂３は設けられていない。

図４（Ｃ）は、固着工程において、金属ワイヤー４を加熱して、樹脂層２を溶解し、金属ワイヤー４を前記基板１上に固着した状態を示す図である。

金属ワイヤー４を加熱することにより、基板１上に形成された樹脂層２が溶解せしめられる。その結果、金属ワイヤー４は、溶解した樹脂層２を押し退けて樹脂層２の中に入り込み、その押し退けられた樹脂層２により金属ワイヤー４の周囲が滑らかに覆われ基板１に固着される。

このように当該実施形態においては、金属ワイヤー４のみを設置し、基板上に予め設けられている樹脂層２を溶解せしめることにより金属ワイヤー４を基板１上に固定する方法である。したがって、基板１上に設けられる樹脂層２を形成する材質については、前記第３実施形態と同様のものを用いることが好ましい。

図４（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した状態を示す図であり、第１〜第３実施形態で説明したものと同様である。

なおここで、第１〜第３実施形態と同様に、図４（Ｃ）に示す固着工程後、図４（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を有してもよい。

以上説明した本願の実施形態によって表示装置用低抵抗基板Ｒを作製することができる。このように作製された表示装置用低抵抗基板Ｒを示す概略図を図５に示す。

図５に示すように、表示装置用低抵抗基板Ｒは、基板１、樹脂層２、樹脂３、金属４、電極５により構成されており、当該低抵抗基板によれば、大型表示装置に用いた場合であっても電極５の導電性を金属４によって補助することができ、その結果表示装置の輝度のむらを低減することができる。

なお、第１〜第４実施形態において説明した低抵抗基板の作製方法を用いて作製した低抵抗基板を用いることにより、上記効果を有する電場発光型光表示装置を作製することができる。

また、上述したように本願の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合に用いるものとして説明したが、本願の発明はこれに限定されるものではなく、その他に例えば、太陽電池、照明等に有効な低抵抗基板を作製する場合においても適用可能である。

更に、上述したように補助電極として用いられる目的で、金属の一例として金属ワイヤーを基板の奥行き方向（図５参照）に設置する場合について説明したが、本願発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図６のように長さの短い金属を基板の奥行き方向に列をなすように多数設置することによっても、補助電極としての役割を果たすことが可能である。この際の金属の材質、断面形状、直径等は金属ワイヤーにおいて説明した場合と同様である。

本願は、低抵抗基板の作製方法に関する。

従来から例えば、有機ＥＬパネル等の表示装置は、携帯電話等のディスプレイやカーオーディオ等、種々の電子機器に使用されており、近年では更に、有機ＥＬパネルの大型化が望まれている。

有機ＥＬパネルは基板上に２つの電極とその間に形成された有機層によって構成されており、この２つの電極間に電場を印加することで有機層が発光する。ここで、少なくとも片方の電極は有機層の発光を取り出すために、透明もしくは半透明にする必要があるが、これらの電極は、比較的抵抗が大きいため、電圧低下により輝度にむらが発生するといった問題が生じていた。この問題を解消するために、抵抗を下げるための補助電極として作用する導電性物質を蒸着法などにより形成することが行われている。（この導電性物質は、「バスライン」と呼ばれている。）導電性物質からなるバスラインを形成することにより、電極に電流が流れ易くなり、電圧低下を防止することができる。

このバスラインは有機ＥＬパネルの発光を妨げるものであってはならないため、比較的細い幅にするためにフォトグラフィ法などを用いてパターニングが行われている。このフォトグラフィ工程の有機層への影響が考えられることから、有機層成膜前の基板上に電極・バスラインを形成することが一般的である。現在では更にバスラインの材料や幅・厚みを改良し、バスラインの低抵抗化を図ることにより電圧低下を防止する開発がなされている（特許文献１、２）。
特開２００２−２７７８５５号公報 特開２００３−２９７５８４号公報

近年、画面サイズの大型化に伴って、低抵抗化を更に図る必要性があり、バスラインを低抵抗にするためには、必然的に（膜厚）や線幅を大きくすることが求められる。

しかしながら、バスラインの幅を大きくすると、基板側から光を取り出す際に開口率が下がってしまい、また、厚みを大きくすると、バスラインを基板上に蒸着する際の成膜時間や成膜レートが上昇し、基板がダメージを受ける場合があったり、使用する材料が増えるために、材料コストの上昇を招く恐れがあった。

本願は、このような問題に鑑みなされたものであり、例えば、表示装置等に有効な低抵抗基板を作製するための低抵抗基板の作製方法を提供することを主たる課題とする。

上記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、金属を樹脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、前記線形物を加熱することにより前記金属を被覆している前記樹脂を溶解させ、前記溶解した樹脂を前記金属と前記基板の隙間に入り込ませて前記金属と前記基板との間が滑らかになるように前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように透明もしくは半透明の電極を成膜する成膜工程と、を有することを特徴とする。

また、上記課題を解決するための請求項４に記載の発明は、基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に金属を設置する設置工程と、前記金属を加熱して、前記樹脂層を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板の上に固着された金属を覆うように電極を成膜する成膜工程と、を有することを特徴とする。

（Ｉ）第１実施形態
本願の低抵抗基板の作製方法について図１を用いて詳細に説明する。なお、本願の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合に用いるものとして以下説明する。また、説明を簡便に行うために金属の一例として、金属ワイヤーを用いる場合について以下説明する。

図１（Ａ）は、線形物Ｓを設置する前段階の基板１を示す図である。

本願の方法は、用いる基板１を特に限定することはなく、作製対象である表示装置用低抵抗基板Ｒが用いられる状況や、求められる性能によって、任意の絶縁体を選択することができる。透明性が必要な場合には、例えば、プラスチック基板やガラス基板を用いることができる。なお、基板１の厚みは、用途に応じて異なるが、通常、２５μｍ〜５ｍｍ程度であり、特に、１００μｍ〜１ｍｍであることが特に好ましい。

ここで、図示しないが、基板１上に有機物又は無機物からなる密着改善層を形成してもよいし（密着改善層形成工程）、密着性改善のための表面改質処理を行ってよい（表面改質処理工程）。

基板１上に密着改善層を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成方法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプレーコート、スピンコートなどの湿式塗布法や、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの気相成長法等が挙げられる。また、この工程に用いられる密
着改善層としては、例えば、有機シラン化合物、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の有機物又は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン等の無機物を用途等に応じて適宜採用することができる。また、表面改質処理としては、プラズマ処理、コロナ放電処理、ＵＶオゾン処理、レーザアニール処理などを用途に応じて適宜採用することができる。

このように基板１上に密着改善層を形成したり、表面改質処理を行うことにより、線形物Ｓを基板１上に設置するために線形物Ｓを構成する樹脂３を溶解せしめた際に、基板１と樹脂３との密着性を向上することができ、これにより金属ワイヤー４を強固に固定することができる。さらにまた、このような密着性改善の効果により、基板自体の強度を向上することもできる。

図１（Ｂ）は、設置工程において、線形物Ｓを基板１上に設置した図である。

本願の方法においては、基板１上に線形物Ｓを設置する方法や位置は特に限定されることはなく、この後に形成される透明電極の導電率や基板１の大きさに応じ、いわゆるバスラインを形成したい場所に任意に設置すればよい。

ここで、線形物Ｓは、金属ワイヤー４を樹脂３で被覆した構成を有している。

金属ワイヤー４については特に限定することはないが、表示装置に用いられる低抵抗基板を作製するための補助電極（いわゆるバスライン）として用いられるものであるため、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、モリブテン、クロム、ニッケル等であることが好ましい。また、金属ワイヤー４の断面形状は、後述するように基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５が成膜されるため、金属ワイヤー４と電極５とが接する面が滑らかであることが好ましく、この点を考慮すると、金属ワイヤー４の断面形状は球形、楕円形等であることが好ましい。ここで金属ワイヤー４の断面形状が円形の場合、当該金属ワイヤー４の直径については特に限定されることはない。しかしながら、基板１側から光を取り出す場合には、開口率が下がらない程度の大きさであり、また、その金属ワイヤーが視覚的な表示の妨げにならない太さでなけらばならない。

また、当該金属ワイヤー４の上に形成される電極が断線しない程度の直径であることが必要であり、具体的には、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、特に１０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。

このように、基板1上に金属ワイヤー４を設けることにより、当該金属ワイヤー４が電
極に対し補助電極として作用する他、特にプラスチック基板を用いた場合には、基板全体の剛性が増すという効果も期待できる。

線形物Ｓを構成する樹脂３は、これを溶解せしめることにより基板１上に金属ワイヤー４を固着させる役割を有しており（この工程についての詳細は後述する。）、当該役割を果たすため、その材質は熱可塑性樹脂であることが好ましい。具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等を挙げることができる。

また、固着させるための補助手段として、光や熱による樹脂の硬化を利用してもよい。この場合には熱硬化性樹脂もしくは光硬化性の樹脂を用いることができる。これらの硬化性樹脂として、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、フェノール樹脂等を挙げることができる。

金属ワイヤー４を被覆する樹脂３の量（被覆する樹脂の厚さ）については、特に限定することはないが、前述した役割を果たすことができる程度の量が必要であり、具体的には、被覆する樹脂の厚さは、金属ワイヤーの径に対して１０〜５０％程度が好ましい。

図１（Ｃ）は、固着工程において、線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤ４ーを被覆する樹脂３を溶解せしめ、金属ワイヤー４を基板１上に固着した際の状態を示す図である。

線形物Ｓの加熱方法としては、金属への通電による抵抗加熱、温風や（輻射）熱による加熱、熱線を基板や金属に接触させることによる加熱等が挙げられるが、これらに限定されることはない。
線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤー４を被覆した樹脂３を溶解せしめ、金属ワイヤー４の周囲になじむことにより、金属ワイヤー４を基板１上に固着させることができる。またこのように、基板１と金属ワイヤー４の隙間に樹脂３が入り込み金属ワイヤー４と基板１との間が滑らかな曲線となるため、基板１上に成膜する電極５の断線が生じにくくなる。また、基板１に樹脂３を溶解して金属ワイヤー４を固着させるため、いわゆるバスラインを形成するために導電性物質を蒸着等により形成する必要がなく、蒸着等による加熱により基板１等の反りが生じにくくなる。

図１（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した際の状態を示す図である。

電極５は、有機層の発光を取り出すために、透明若しくは半透明である必要がある。

電極５を成膜する方法としては、蒸着法、スパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ゾル・ゲル法等があげられるが、これらに限定されることはなく、従
来用いられている方法を用いて電極５を成膜することができる。この工程に用いられる電極５についても特に限定されることはなく、具体的には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極や、アルミニウム、クロム、銀やその合金
などの金属電極を好適に用いることができる。

ここで、本願の方法においては、図１（Ｃ）に示す固着工程後、図１（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を行ってもよい。

この冷却工程は本願において必須の工程ではないが、基板１上に金属ワイヤー４を固着させた後、電極５を成膜する前に、金属ワイヤー４を冷却することにより、固着させた金属ワイヤー４の周囲になじませた樹脂３を素早く硬化させることができ、金属ワイヤー４を基板１に強固に固着させることができる。

ここで、金属ワイヤー４を冷却する方法としては、冷風による冷却、冷媒を基板や金属に接触させることによる冷却等が挙げることができる。

（ＩＩ）第２実施形態
次に、本願の方法の他の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図２（Ａ）は、第１実施形態において説明した設置工程の前段階として施される樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図である。

基板１上に樹脂層２を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成方法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプレーコート（スピンコート）等が挙げられる。なお、樹脂層２の厚みは、特に限定することはないが、金属ワイヤーの径に対して、５〜９０％の厚みであることが好ましい。また、この工程に用いられる樹脂層２としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等の樹脂を用途等に応じて適宜採用することができる。

このように基板１上に樹脂層２を形成することにより、基板１の表面を凹凸がなく滑らかな状態とすることができるため線形物Ｓを設置する際に都合がよい。また、線形物Ｓを構成する樹脂３と樹脂層２を形成する樹脂とを同一材料とすることにより、線形物Ｓを構成する樹脂３を溶解せしめた際に、この樹脂と樹脂層２との密着性を向上することができ、これにより金属ワイヤー４を強固に固定することができる。さらにまた、このような樹脂層２を設けることにより基板自体の強度を向上することもできる。

なお、樹脂層２が形成される基板１については、前記第1実施形態で説明した基板と同
様のものを用いることができる。

その後の工程を図２（Ｂ）〜（Ｄ）に示すが、第１実施形態で説明した工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。

（ＩＩＩ）第３実施形態
本願の発明のさらに別の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図３（Ａ）は、樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図３（Ｂ）は、設置工程において、線形物Ｓを基板１上に設置した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図３（Ｃ）は、固着工程において、線形物Ｓを加熱することにより、金属ワイヤー４を被覆している樹脂３及び基板１上に形成された樹脂層２の両方を溶解せしめ、金属ワイヤー４を基板１上に固着した際の状態を示す図である。

当該実施形態によれば、線形物Ｓを加熱することにより、基板１上に形成された樹脂３及び樹脂層２の両方を溶解せしめることができる。そして、線形物Ｓを構成する金属ワイヤー４は、溶解された樹脂３及び樹脂層２を押し退けて樹脂３及び樹脂層２の中に入り込むこととなり、その結果、押し退けられた樹脂３及び溶解した樹脂層２によって当該金属ワイヤー４の周囲を滑らかに覆うことができ、最終的に金属ワイヤー４を基板１上に固着せしめることができる。

このような方法により金属ワイヤー４を固定する本実施形態にあっては、基板１上に設ける樹脂層２の材質は、加熱により溶解する熱可塑性樹脂により形成されていることが好ましい。例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が適宜選択されて用いられる。

図３（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した際の状態を示す図であり、第１、第２実施形態で説明したものと同様である。

なおここで、第１、第２実施形態と同様に、図３（Ｃ）に示す固着工程後、図３（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を有してもよい。この冷却工程は本願において必須の工程ではないが、基板１上に金属ワイヤー４を固着した後、電極５を成膜する前に、金属ワイヤー４を冷却することにより、固着させた金属ワイヤー４の周囲になじませた樹脂３及び樹脂層２を硬化させて、更に金属ワイヤー４を基板１に強固に固着させることができる。

（ＩＶ）第４実施形態
さらに、本願の方法の他の実施形態について説明する。

なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第１実施形態で説明したものと同様であるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。

図４（Ａ）は、樹脂層形成工程において、基板１上に樹脂層２を形成した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。

図４（Ｂ）は、設置工程において、樹脂層２上に金属ワイヤー４を設置した際の状態を示す図であり、第２実施形態で説明したものと同様である。なお、金属ワイヤー４を被覆する樹脂３は設けられていない。

図４（Ｃ）は、固着工程において、金属ワイヤー４を加熱して、樹脂層２を溶解し、金属ワイヤー４を前記基板１上に固着した状態を示す図である。

金属ワイヤー４を加熱することにより、基板１上に形成された樹脂層２が溶解せしめられる。その結果、金属ワイヤー４は、溶解した樹脂層２を押し退けて樹脂層２の中に入り込み、その押し退けられた樹脂層２により金属ワイヤー４の周囲が滑らかに覆われ基板１に固着される。

このように当該実施形態においては、金属ワイヤー４のみを設置し、基板上に予め設けられている樹脂層２を溶解せしめることにより金属ワイヤー４を基板１上に固定する方法である。したがって、基板１上に設けられる樹脂層２を形成する材質については、前記第３実施形態と同様のものを用いることが好ましい。

図４（Ｄ）は、成膜工程において、基板１と基板１上に固着された金属ワイヤー４を覆うように電極５を成膜した状態を示す図であり、第１〜第３実施形態で説明したものと同様である。

なおここで、第１〜第３実施形態と同様に、図４（Ｃ）に示す固着工程後、図４（Ｄ）に示す成膜工程前に金属ワイヤー４を冷却する冷却工程を有してもよい。

以上説明した本願の実施形態によって表示装置用低抵抗基板Ｒを作製することができる。このように作製された表示装置用低抵抗基板Ｒを示す概略図を図５に示す。

図５に示すように、表示装置用低抵抗基板Ｒは、基板１、樹脂層２、樹脂３、金属４、電極５により構成されており、当該低抵抗基板によれば、大型表示装置に用いた場合であっても電極５の導電性を金属４によって補助することができ、その結果表示装置の輝度のむらを低減することができる。

なお、第１〜第４実施形態において説明した低抵抗基板の作製方法を用いて作製した低抵抗基板を用いることにより、上記効果を有する電場発光型光表示装置を作製することができる。

また、上述したように本願の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合に用いるものとして説明したが、本願の発明はこれに限定されるものではなく、その他に例えば、太陽電池、照明等に有効な低抵抗基板を作製する場合においても適用可能である。

更に、上述したように補助電極として用いられる目的で、金属の一例として金属ワイヤーを基板の奥行き方向（図５参照）に設置する場合について説明したが、本願発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図６のように長さの短い金属を基板の奥行き方向に列をなすように多数設置することによっても、補助電極としての役割を果たすことが可能である。この際の金属の材質、断面形状、直径等は金属ワイヤーにおいて説明した場合と同様である。

表示装置用低抵抗基板の作製方法における第１実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第２実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第３実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板の作製方法における第４実施形態を示す図である。 表示装置用低抵抗基板を示す概略図である。 金属の他の一例について説明する概略図である。

符号の説明

１・・・基板
２・・・樹脂層
３・・・樹脂
４・・・金属
５・・・透明電極
Ｓ・・・線形物

Claims (9)

1. 金属を樹脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、
   前記線形物を加熱することにより、前記金属を被覆している前記樹脂を溶解し、
   前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、
   前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように電極を成膜する成膜工程と、
   を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
2. 請求項１に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記電極は透明もしくは半透明であることを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記設置工程の前段階として前記基板上に有機物若しくは無機物からなる密着改善層を形成する密着改善層形成工程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記設置工程の前段階として前記基板表面の改質処理工程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
5. 請求項１又は請求項２に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記設置工程の前段階として前記基板上に前記樹脂層を形成する樹脂層形成工程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
6. 請求項５に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記固着工程は、前記線形物を加熱する際更に、前記樹脂層をも溶解することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
7. 基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
   前記樹脂層上に金属を設置する設置工程と、
   前記金属を加熱して、前記樹脂層を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、
   前記基板と前記基板の上に固着された金属を覆うように透明電極を成膜する成膜工程と、
   を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法において、
   前記固着工程後前記成膜工程前に前記金属を冷却する冷却工程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法を用いて作製した低抵抗基板を用いたことを特徴とする電場発光型表示装置。

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