WO2007116806A1 - 低抵抗基板の作製方法 - Google Patents

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Akira Sugimoto
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Pioneer Corporation
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    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina

Definitions

  • the present application relates to a method of manufacturing a low-resistance substrate.
  • An organic EL panel is composed of two electrodes and an organic layer formed between them on a substrate, and the organic layer emits light when an electric field is applied between the two electrodes.
  • at least one of the electrodes needs to be transparent or semi-transparent in order to extract light emitted from the organic layer.
  • a conductive material that acts as an auxiliary electrode for lowering resistance is formed by vapor deposition or the like. (This conductive material is called a “bus line”.) By forming a bus line that also has a conductive material power, it becomes easier for current to flow through the electrode and voltage drop can be prevented.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-277855
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-297584
  • the aperture ratio also decreases when the substrate side force is extracted, and if the thickness is increased, a film is formed when the nosline is deposited on the substrate As the time and film formation rate increased, the substrate might be damaged, and the material used increased, which could lead to an increase in material cost.
  • a main object of the present application is to provide a method for manufacturing a low-resistance substrate for manufacturing a low-resistance substrate effective for a display device or the like.
  • the invention according to claim 1 for solving the above-mentioned problem is characterized in that an installation step of installing a linear object formed by coating a metal with a resin on a substrate, and heating the linear object, A fixing step of dissolving the resin covering the metal and fixing the metal on the substrate; and a film forming an electrode so as to cover the substrate and the metal fixed on the substrate It is characterized by having a process.
  • the invention according to claim 4 for solving the above problems includes a resin layer forming step of forming a resin layer on a substrate, and an installation step of installing a metal on the resin layer. And heating the metal to dissolve the resin layer and fixing the metal on the substrate; and forming an electrode so as to cover the substrate and the metal fixed on the substrate And a film forming process.
  • FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment in a method for producing a low-resistance substrate for a display device.
  • FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment in a method for producing a low-resistance substrate for a display device.
  • FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment in a method for producing a low-resistance substrate for a display device.
  • FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment in a method for producing a low-resistance substrate for a display device.
  • FIG. 5 is a schematic view showing a low-resistance substrate for a display device.
  • FIG. 6 is a schematic view illustrating another example of metal.
  • a method for manufacturing the low-resistance substrate of the present application will be described in detail with reference to FIG. Note that the invention of the present application will be described below as being used when a low-resistance substrate effective for a display device is manufactured. In order to simplify the description, the case where a metal wire is used as an example of metal will be described below.
  • FIG. 1 ( ⁇ ) is a diagram showing the substrate 1 at a stage before the linear object S is installed.
  • the method of the present application it is possible to select any insulator depending on the situation in which the low-resistance substrate R for display device, which is a production target, is not particularly limited, and the required performance. it can.
  • a plastic substrate or a glass substrate can be used.
  • the thickness of the substrate 1 varies depending on the application. Usually, it is about 25 m to 5 mm, particularly preferably 100 m to lmm.
  • an adhesion improving layer made of an organic or inorganic substance may be formed on the substrate 1 (adhesion improving layer forming step), or surface modification treatment for improving adhesion may be performed. (Surface modification treatment process)
  • the adhesion improving layer on the substrate 1 it may be formed by a known forming method such as a coating method or a printing method.
  • the coating method include wet coating methods such as roll coating, flow coating, spray coating, and spin coating, vapor deposition methods such as vapor deposition, sputtering, and CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the adhesion improving layer used in this step include organic substances such as organic silane compounds, urethane resins and epoxy resins, or oxide silicon, silicon nitride, oxide aluminum, titanium oxide and the like. It is possible to appropriately employ intangible materials depending on the application.
  • Laser treatment, corona discharge treatment, UV ozone treatment, laser annealing treatment, etc. can be appropriately employed depending on the application.
  • the resin 3 constituting the linear object S is installed in order to install the linear object S on the substrate 1.
  • the adhesion between the substrate 1 and the resin 3 can be improved, whereby the metal wire 4 can be firmly fixed.
  • the strength of the substrate itself can be improved by the effect of improving the adhesion.
  • FIG. 1B is a diagram in which the linear object S is installed on the substrate 1 in the installation process.
  • the method and position of installing the linear object S on the substrate 1 are not particularly limited, and it depends on the conductivity of the transparent electrode formed thereafter and the size of the substrate 1. If it is installed arbitrarily in the place where the loose bus line is formed.
  • the linear object S has a configuration in which the metal wire 4 is covered with the resin 3.
  • the metal wire 4 is not particularly limited, but is used as an auxiliary electrode (V, so-called bus line) for producing a low resistance substrate used in a display device. Copper, silver, gold, iron, aluminum, molybdenum, chromium, nickel and the like are preferable.
  • the cross-sectional shape of the metal wire 4 is such that the electrode 5 is formed so as to cover the substrate 1 and the metal wire 4 fixed on the substrate 1 as will be described later.
  • the cross-sectional shape of the metal wire 4 is preferably spherical, elliptical, or the like.
  • the diameter of the metal wire 4 is not particularly limited.
  • the aperture ratio must be large enough not to decrease, and the metal wire must be thick enough not to interfere with visual display.
  • the electrode formed on the metal wire 4 has a diameter that does not break, and specifically, 1 ⁇ m to lmm is preferable, particularly 10 ⁇ m to 200 mm. It is preferably ⁇ m.
  • the metal wire 4 acts as an auxiliary electrode for the electrode, and in particular, when a plastic substrate is used, the substrate If the overall rigidity increases!
  • the resin 3 constituting the linear material S has a role of fixing the metal wire 14 on the substrate 1 by dissolving it (the details of this step will be described later).
  • the material is preferably a thermoplastic resin.
  • specific examples include polyethylene, polypropylene, polystyrene, vinyl chloride, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polyolefin.
  • thermosetting resin or a photocurable resin examples include epoxy resins, polyimide resins, phenol resins and the like.
  • the amount of the resin 3 covering the metal wire 4 is not particularly limited, but an amount that can perform the above-described role is necessary. Specifically, the thickness of the coated resin is preferably about 10 to 50% with respect to the diameter of the metal wire.
  • FIG. 1 (C) shows a case where, in the fixing step, the linear object S is heated to dissolve the resin 3 covering the metal wire 4 and the metal wire 4 is fixed on the substrate 1. It is a figure which shows a state.
  • the heating method of the linear object S includes resistance heating by energizing a metal, heating by hot air or (radiant) heat, heating by bringing a hot wire into contact with a substrate or metal, and the like.
  • a metal heating by hot air or (radiant) heat
  • heating by bringing a hot wire into contact with a substrate or metal and the like.
  • the resin 3 coated with the metal wire 4 is dissolved, and the metal wire 4 can be fixed onto the substrate 1 by being fitted around the metal wire 4.
  • the electrode 5 deposited on the substrate 1 is disconnected. "Become.
  • the resin 3 is dissolved in the substrate 1 to fix the metal wire 4, it is not necessary to form a conductive material by vapor deposition or the like to form a so-called bus line. Warpage will occur.
  • FIG. 1D is a diagram showing a state when the electrode 5 is formed so as to cover the substrate 1 and the metal wire 4 fixed on the substrate 1 in the film forming step.
  • the electrode 5 needs to be transparent or translucent in order to extract light emitted from the organic layer.
  • the electrode 5 can be formed by vapor deposition, sputtering, CVD (Chemical Vapor, etc.).
  • the electrode 5 can be formed by using a conventional method without being limited to these.
  • the electrode 5 used in this process is not particularly limited, and specific examples include transparent electrodes such as ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide), aluminum, chromium, silver, and alloys thereof. These metal electrodes can be suitably used.
  • a cooling step for cooling the metal wire 4 may be performed after the fixing step shown in FIG. 1 (C) and before the film forming step shown in FIG. 1 (D).
  • the metal wire 4 is fixed on the substrate 1 and then fixed by cooling the metal wire 4 before the electrode 5 is formed.
  • the resin 3 that has been applied to the periphery of the metal wire 4 can be quickly cured, and the metal wire 4 can be firmly fixed to the substrate 1.
  • examples of the method for cooling the metal wire 4 include cooling with cold air, cooling by bringing a refrigerant into contact with a substrate or a metal, and the like.
  • FIG. 2 (A) is a diagram showing a state when the resin layer 2 is formed on the substrate 1 in the resin layer forming process performed as a pre-stage of the installation process described in the first embodiment. It is.
  • a known forming method such as a coating method or a printing method may be used.
  • the coating method include roll coating, flow coating, spray coating (spin coating), and the like.
  • the thickness of the resin layer 2 is not particularly limited, but is preferably 5 to 90% with respect to the diameter of the metal wire.
  • the resin layer 2 used in this process include polyethylene, polypropylene, polystyrene, vinyl chloride, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polyethylene.
  • a resin such as riolephine can be appropriately employed depending on the application.
  • the surface of the substrate 1 can be made smooth without any irregularities, which is convenient when installing the linear object S.
  • the resin 3 constituting the linear material S and the resin forming the resin layer 2 are made of the same material, the resin 3 and the resin 3 are dissolved when the resin 3 constituting the linear material S is dissolved. Adhesion with the oil layer 2 can be improved, whereby the metal wire 4 can be firmly fixed. Furthermore, the strength of the substrate itself can be improved by providing such a resin layer 2.
  • the same substrate as that described in the first embodiment can be used.
  • FIG. 3 (A) is a view showing a state when the resin layer 2 is formed on the substrate 1 in the resin layer forming step, and is the same as that described in the second embodiment.
  • FIG. 3B is a diagram showing a state when the linear object S is installed on the substrate 1 in the installation process, and is the same as that described in the second embodiment.
  • FIG. 3 (C) shows that in the fixing step, the linear material S is heated to dissolve both the resin 3 covering the metal wire 4 and the resin layer 2 formed on the substrate 1.
  • FIG. 3 is a view showing a state when the metal wire 4 is fixed on the substrate 1 with caulking.
  • both the resin 3 and the resin layer 2 formed on the substrate 1 can be dissolved.
  • the metal wire 4 constituting the linear object S pushes away the dissolved resin 3 and the resin layer 2 and enters into the resin 3 and the resin layer 2, and as a result, the pressed resin 3
  • the periphery of the metal wire 4 can be smoothly covered with the fat 3 and the dissolved rosin layer 2, and finally the metal wire 4 can be fixed onto the substrate 1.
  • the material of the resin layer 2 provided on the substrate 1 is formed of a thermoplastic resin that dissolves by heating.
  • the thermoplastic resin polyethylene, polypropylene, polystyrene, vinyl chloride, acrylic resin, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyolefin, etc. are appropriately selected and used.
  • FIG. 3D is a diagram showing a state when the electrode 5 is formed so as to cover the substrate 1 and the metal wire 4 fixed on the substrate 1 in the film formation step. This is the same as that described in the second embodiment.
  • a cooling process for cooling the metal wire 4 after the fixing process shown in FIG. 3 (C) and before the film forming process shown in FIG. 3 (D) is performed.
  • This cooling step is not an essential step in the present application, but after the metal wire 4 is fixed on the substrate 1 and before the electrode 5 is formed, the metal wire 4 is cooled to fix the metal wire 4.
  • the resin 3 and the resin layer 2 that are familiar to the periphery of the resin 4 are cured, and the metal wire 4 can be firmly fixed to the substrate 1.
  • FIG. 4 (A) is a diagram showing a state when the resin layer 2 is formed on the substrate 1 in the resin layer forming step, and is the same as that described in the second embodiment.
  • FIG. 4B is a diagram showing a state when the metal wire 4 is installed on the resin layer 2 in the installation process, and is the same as that described in the second embodiment.
  • the resin 3 covering the metal wire 4 is provided.
  • FIG. 4 (C) is a diagram showing a state in which the metal wire 4 is heated to melt the resin layer 2 and the metal wire 4 is fixed on the substrate 1 in the fixing step.
  • the resin layer 2 formed on the substrate 1 is dissolved.
  • the metal wire 4 pushes away the melted resin layer 2 and enters the resin layer 2, and the periphery of the metal wire 4 is smoothly covered by the pushed resin layer 2. This is fixed to the substrate 1.
  • FIG. 4D is a diagram showing a state in which the electrode 5 is formed so as to cover the substrate 1 and the metal wire 4 fixed on the substrate 1 in the film forming step. The same as described in the third embodiment.
  • a cooling process for cooling the metal wire 4 after the fixing process shown in FIG. 4 (C) and before the film forming process shown in FIG. 4 (D) is performed. You may have.
  • the low-resistance substrate R for display device can be manufactured.
  • FIG. 5 is a schematic view showing the low resistance substrate R for display device thus manufactured.
  • the low-resistance substrate R for a display device is composed of a substrate resin layer 2, a resin 3, a metal 4, and an electrode 5. According to the low-resistance substrate, a large display Even when used in the apparatus, the conductivity of the electrode 5 can be assisted by the metal 4, and as a result, unevenness in luminance of the display apparatus can be reduced.
  • the force described as being used when the invention of the present application is used for producing a low-resistance substrate effective for a display device.
  • the invention of the present application is not limited to this. It can also be applied to the production of low-resistance substrates effective for lighting and the like.
  • a metal wire is installed in the depth direction of the substrate (see Fig. 5) as an example of the metal for the purpose of being used as an auxiliary electrode has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the metal material, cross-sectional shape, diameter, etc. This is the same as described above.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

　例えば、表示装置等に有効な低抵抗基板を作製するための低抵抗基板の作製方法を提供する。 　金属を樹脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、前記線形物を加熱することにより、前記金属を被覆している前記樹脂を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように透明電極を成膜する成膜工程と、により低抵抗基板を作製する。

Description

明 細 書
低抵抗基板の作製方法
技術分野
[0001] 本願は、低抵抗基板の作製方法に関する。
背景技術
[0002] 従来から例えば、有機 ELパネル等の表示装置は、携帯電話等のディスプレイや力 一オーディオ等、種々の電子機器に使用されており、近年では更に、有機 ELパネル の大型化が望まれている。
[0003] 有機 ELパネルは基板上に 2つの電極とその間に形成された有機層によって構成さ れており、この 2つの電極間に電場を印加することで有機層が発光する。ここで、少な くとも片方の電極は有機層の発光を取り出すために、透明もしくは半透明にする必要 があるが、これらの電極は、比較的抵抗が大きいため、電圧低下により輝度にむらが 発生するといつた問題が生じていた。この問題を解消するために、抵抗を下げるため の補助電極として作用する導電性物質を蒸着法などにより形成することが行われて いる。（この導電性物質は、「バスライン」と呼ばれている。）導電性物質力もなるバスラ インを形成することにより、電極に電流が流れ易くなり、電圧低下を防止することがで きる。
[0004] このバスラインは有機 ELパネルの発光を妨げるものであってはならないため、比較 的細い幅にするためにフォトグラフィ法などを用いてパターユングが行われている。こ のフォトグラフイエ程の有機層への影響が考えられることから、有機層成膜前の基板 上に電極'バスラインを形成することが一般的である。現在では更にバスラインの材 料や幅'厚みを改良し、バスラインの低抵抗ィ匕を図ることにより電圧低下を防止する 開発がなされている (特許文献 1、 2)。
特許文献 1：特開 2002— 277855号公報
特許文献 2：特開 2003 - 297584号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0005] 近年、画面サイズの大型化に伴って、低抵抗ィ匕を更に図る必要性があり、バスライ ンを低抵抗にするためには、必然的に (膜厚)や線幅を大きくすることが求められる。
[0006] し力しながら、ノ スラインの幅を大きくすると、基板側力も光を取り出す際に開口率 が下がってしまい、また、厚みを大きくすると、ノ スラインを基板上に蒸着する際の成 膜時間や成膜レートが上昇し、基板がダメージを受ける場合があったり、使用する材 料が増えるために、材料コストの上昇を招く恐れがあった。
[0007] 本願は、このような問題に鑑みなされたものであり、例えば、表示装置等に有効な 低抵抗基板を作製するための低抵抗基板の作製方法を提供することを主たる課題と する。
課題を解決するための手段
[0008] 上記課題を解決するための請求項 1に記載の発明は、金属を榭脂で被覆してなる 線形物を基板上に設置する設置工程と、前記線形物を加熱することにより、前記金 属を被覆している前記榭脂を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と 、前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように電極を成膜する成膜ェ 程と、を有することを特徴とする。
[0009] また、上記課題を解決するための請求項 4に記載の発明は、基板上に榭脂層を形 成する榭脂層形成工程と、前記榭脂層上に金属を設置する設置工程と、前記金属 を加熱して、前記榭脂層を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、 前記基板と前記基板の上に固着された金属を覆うように電極を成膜する成膜工程と 、を有することを特徴とする。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]表示装置用低抵抗基板の作製方法における第 1実施形態を示す図である。
[図 2]表示装置用低抵抗基板の作製方法における第 2実施形態を示す図である。
[図 3]表示装置用低抵抗基板の作製方法における第 3実施形態を示す図である。
[図 4]表示装置用低抵抗基板の作製方法における第 4実施形態を示す図である。
[図 5]表示装置用低抵抗基板を示す概略図である。
[図 6]金属の他の一例について説明する概略図である。
符号の説明 1 · "基板
2· · ·樹脂層
3 · · ·樹脂
4· · ·金属
5 · · ·透明電極
S - · ·線形物
発明を実施するための最良の形態
[0012] (I)第 1実施形態
本願の低抵抗基板の作製方法について図 1を用いて詳細に説明する。なお、本願 の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合に用いるものとして以下説 明する。また、説明を簡便に行うために金属の一例として、金属ワイヤーを用いる場 合について以下説明する。
[0013] 図 1 (Α)は、線形物 Sを設置する前段階の基板 1を示す図である。
[0014] 本願の方法は、用いる基板 1を特に限定することはなぐ作製対象である表示装置 用低抵抗基板 Rが用いられる状況や、求められる性能によって、任意の絶縁体を選 択することができる。透明性が必要な場合には、例えば、プラスチック基板やガラス基 板を用いることができる。なお、基板 1の厚みは、用途に応じて異なる力 通常、 25 m〜5mm程度であり、特に、 100 m〜 lmmであることが特に好ましい。
[0015] ここで、図示しないが、基板 1上に有機物又は無機物カゝらなる密着改善層を形成し てもよいし (密着改善層形成工程)、密着性改善のための表面改質処理を行ってよい (表面改質処理工程)。
[0016] 基板 1上に密着改善層を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成 方法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプ レーコート、スピンコートなどの湿式塗布法や、蒸着法、スパッタリング法、 CVD (Che mical Vapor Deposition)法などの気相成長法等が挙げられる。また、この工程に用い られる密着改善層としては、例えば、有機シランィ匕合物、ウレタン榭脂、エポキシ榭脂 等の有機物又は、酸ィ匕シリコン、窒化シリコン、酸ィ匕アルミニウム、酸化チタン等の無 機物を用途等に応じて適宜採用することができる。また、表面改質処理としては、プ ラズマ処理、コロナ放電処理、 UVオゾン処理、レーザァニール処理などを用途に応 じて適宜採用することができる。
[0017] このように基板 1上に密着改善層を形成したり、表面改質処理を行うことにより、線 形物 Sを基板 1上に設置するために線形物 Sを構成する榭脂 3を溶解せしめた際に、 基板 1と榭脂 3との密着性を向上することができ、これにより金属ワイヤー 4を強固に 固定することができる。さらにまた、このような密着性改善の効果により、基板自体の 強度を向上することもできる。
[0018] 図 1 (B)は、設置工程において、線形物 Sを基板 1上に設置した図である。
[0019] 本願の方法においては、基板 1上に線形物 Sを設置する方法や位置は特に限定さ れることはなぐこの後に形成される透明電極の導電率や基板 1の大きさに応じ、いわ ゆるバスラインを形成した ヽ場所に任意に設置すればょ 、。
[0020] ここで、線形物 Sは、金属ワイヤー 4を榭脂 3で被覆した構成を有して 、る。
[0021] 金属ワイヤー 4については特に限定することはないが、表示装置に用いられる低抵 抗基板を作製するための補助電極 (V、わゆるバスライン）として用いられるものである ため、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、モリブテン、クロム、ニッケル等であるこ とが好ましい。また、金属ワイヤー 4の断面形状は、後述するように基板 1と基板 1上 に固着された金属ワイヤー 4を覆うように電極 5が成膜されるため、金属ワイヤー 4と 電極 5とが接する面が滑らかであることが好ましぐこの点を考慮すると、金属ワイヤー 4の断面形状は球形、楕円形等であることが好ましい。ここで金属ワイヤー 4の断面 形状が円形の場合、当該金属ワイヤー 4の直径については特に限定されることはな い。し力しながら、基板 1側から光を取り出す場合には、開口率が下がらない程度の 大きさであり、また、その金属ワイヤーが視覚的な表示の妨げにならない太さでなけ らばならない。
[0022] また、当該金属ワイヤー 4の上に形成される電極が断線しない程度の直径であるこ とが必要であり、具体的には、 1 μ m〜lmmが好ましぐ特に 10 μ m〜200 μ mであ ることが好ましい。
[0023] このように、基板 1上に金属ワイヤー 4を設けることにより、当該金属ワイヤー 4が電 極に対し補助電極として作用する他、特にプラスチック基板を用いた場合には、基板 全体の剛性が増すと!、う効果も期待できる。
[0024] 線形物 Sを構成する榭脂 3は、これを溶解せしめることにより基板 1上に金属ワイヤ 一 4を固着させる役割を有しており（この工程についての詳細は後述する。）、当該役 割を果たすため、その材質は熱可塑性榭脂であることが好ましい。具体的には、例え ば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニル、アクリル榭脂、ポリェチ レンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリオレフイン等を挙げることができる。
[0025] また、固着させるための補助手段として、光や熱による樹脂の硬化を利用してもよ い。この場合には熱硬化性榭脂もしくは光硬化性の榭脂を用いることができる。これ らの硬化性榭脂として、エポキシ榭脂ゃポリイミド榭脂、フエノール榭脂等を挙げるこ とがでさる。
[0026] 金属ワイヤー 4を被覆する榭脂 3の量 (被覆する榭脂の厚さ）につ 、ては、特に限定 することはないが、前述した役割を果たすことができる程度の量が必要であり、具体 的には、被覆する榭脂の厚さは、金属ワイヤーの径に対して 10〜50%程度が好まし い。
[0027] 図 1 (C)は、固着工程において、線形物 Sを加熱することにより、金属ワイヤ 4一を被 覆する榭脂 3を溶解せしめ、金属ワイヤー 4を基板 1上に固着した際の状態を示す図 である。
[0028] 線形物 Sの加熱方法としては、金属への通電による抵抗加熱、温風や (輻射)熱に よる加熱、熱線を基板や金属に接触させることによる加熱等が挙げられるが、これら に限定されることはない。線形物 Sを加熱することにより、金属ワイヤー 4を被覆した榭 脂 3を溶解せしめ、金属ワイヤー 4の周囲になじむことにより、金属ワイヤー 4を基板 1 上に固着させることができる。またこのように、基板 1と金属ワイヤー 4の隙間に榭脂 3 が入り込み金属ワイヤー 4と基板 1との間が滑らかな曲線となるため、基板 1上に成膜 する電極 5の断線が生じに《なる。また、基板 1に榭脂 3を溶解して金属ワイヤー 4を 固着させるため、いわゆるバスラインを形成するために導電性物質を蒸着等により形 成する必要がなぐ蒸着等による加熱により基板 1等の反りが生じに《なる。
[0029] 図 1 (D)は、成膜工程において、基板 1と基板 1上に固着された金属ワイヤー 4を覆 うように電極 5を成膜した際の状態を示す図である。 [0030] 電極 5は、有機層の発光を取り出すために、透明若しくは半透明である必要がある
[0031] 電極 5を成膜する方法としては、蒸着法、スパッタリング法や CVD (Chemical Vapor
Deposition)法、ゾル ·ゲル法等があげられる力 これらに限定されることはなぐ従 来用いられて 、る方法を用いて電極 5を成膜することができる。この工程に用いられ る電極 5についても特に限定されることはなぐ具体的には、 ITO (Indium Tin Oxide) 、 IZO (Indium Zinc Oxide)などの透明電極や、アルミニウム、クロム、銀やその合金 などの金属電極を好適に用いることができる。
[0032] ここで、本願の方法においては、図 1 (C)に示す固着工程後、図 1 (D)に示す成膜 工程前に金属ワイヤー 4を冷却する冷却工程を行ってもよい。
[0033] この冷却工程は本願において必須の工程ではないが、基板 1上に金属ワイヤー 4 を固着させた後、電極 5を成膜する前に、金属ワイヤー 4を冷却することにより、固着 させた金属ワイヤー 4の周囲になじませた榭脂 3を素早く硬化させることができ、金属 ワイヤー 4を基板 1に強固に固着させることができる。
[0034] ここで、金属ワイヤー 4を冷却する方法としては、冷風による冷却、冷媒を基板や金 属に接触させることによる冷却等が挙げることができる。
[0035] (Π)第 2実施形態
次に、本願の方法の他の実施形態について説明する。
[0036] なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第 1実施形態で説明したものと同様で あるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。
[0037] 図 2 (A)は、第 1実施形態において説明した設置工程の前段階として施される榭脂 層形成工程において、基板 1上に榭脂層 2を形成した際の状態を示す図である。
[0038] 基板 1上に榭脂層 2を形成する方法としては、塗工法や印刷法等の公知の形成方 法で形成すれば良い。塗工法としては、例えば、ロールコート、フローコート、スプレ 一コート (スピンコート)等が挙げられる。なお、榭脂層 2の厚みは、特に限定すること はないが、金属ワイヤーの径に対して、 5〜90%の厚みであることが好ましい。また、 この工程に用いられる榭脂層 2としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス チレン、塩化ビニル、アクリル榭脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポ リオレフイン等の榭脂を用途等に応じて適宜採用することができる。
[0039] このように基板 1上に榭脂層 2を形成することにより、基板 1の表面を凹凸がなく滑ら 力な状態とすることができるため線形物 Sを設置する際に都合がよい。また、線形物 S を構成する榭脂 3と榭脂層 2を形成する榭脂とを同一材料とすることにより、線形物 S を構成する榭脂 3を溶解せしめた際に、この樹脂と榭脂層 2との密着性を向上するこ とができ、これにより金属ワイヤー 4を強固に固定することができる。さらにまた、このよ うな榭脂層 2を設けることにより基板自体の強度を向上することもできる。
[0040] なお、榭脂層 2が形成される基板 1については、前記第 1実施形態で説明した基板 と同様のものを用いることができる。
[0041] その後の工程を図 2 (B)〜（D)に示すが、第 1実施形態で説明した工程と同様であ るため、ここでの説明は省略する。
[0042] (III)第 3実施形態
本願の発明のさらに別の実施形態について説明する。
[0043] なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第 1実施形態で説明したものと同様で あるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。
[0044] 図 3 (A)は、榭脂層形成工程において、基板 1上に榭脂層 2を形成した際の状態を 示す図であり、第 2実施形態で説明したものと同様である。
[0045] 図 3 (B)は、設置工程において、線形物 Sを基板 1上に設置した際の状態を示す図 であり、第 2実施形態で説明したものと同様である。
[0046] 図 3 (C)は、固着工程において、線形物 Sを加熱することにより、金属ワイヤー 4を被 覆している榭脂 3及び基板 1上に形成された榭脂層 2の両方を溶解せしめ、金属ワイ ヤー 4を基板 1上に固着した際の状態を示す図である。
[0047] 当該実施形態によれば、線形物 Sを加熱することにより、基板 1上に形成された榭 脂 3及び榭脂層 2の両方を溶解せしめることができる。そして、線形物 Sを構成する金 属ワイヤー 4は、溶解された榭脂 3及び榭脂層 2を押し退けて榭脂 3及び榭脂層 2の 中に入り込むこととなり、その結果、押し退けられた榭脂 3及び溶解した榭脂層 2によ つて当該金属ワイヤー 4の周囲を滑らかに覆うことができ、最終的に金属ワイヤー 4を 基板 1上に固着せしめることができる。 [0048] このような方法により金属ワイヤー 4を固定する本実施形態にあっては、基板 1上に 設ける榭脂層 2の材質は、加熱により溶解する熱可塑性榭脂により形成されているこ とが好ましい。例えば、熱可塑性榭脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス チレン、塩化ビニル、アクリル榭脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポ リオレフイン等が適宜選択されて用いられる。
[0049] 図 3 (D)は、成膜工程において、基板 1と基板 1上に固着された金属ワイヤー 4を覆 うように電極 5を成膜した際の状態を示す図であり、第 1、第 2実施形態で説明したも のと同様である。
[0050] なおここで、第 1、第 2実施形態と同様に、図 3 (C)に示す固着工程後、図 3 (D)に 示す成膜工程前に金属ワイヤー 4を冷却する冷却工程を有してもょ 、。この冷却ェ 程は本願において必須の工程ではないが、基板 1上に金属ワイヤー 4を固着した後 、電極 5を成膜する前に、金属ワイヤー 4を冷却することにより、固着させた金属ワイ ヤー 4の周囲になじませた榭脂 3及び榭脂層 2を硬化させて、更に金属ワイヤー 4を 基板 1に強固に固着させることができる。
[0051] (IV)第 4実施形態
さらに、本願の方法の他の実施形態について説明する。
[0052] なお、当該実施形態の基本的な構成は上記第 1実施形態で説明したものと同様で あるため、異なる部分を中心に以下に詳細に説明する。
[0053] 図 4 (A)は、榭脂層形成工程において、基板 1上に榭脂層 2を形成した際の状態を 示す図であり、第 2実施形態で説明したものと同様である。
[0054] 図 4 (B)は、設置工程において、榭脂層 2上に金属ワイヤー 4を設置した際の状態 を示す図であり、第 2実施形態で説明したものと同様である。なお、金属ワイヤー 4を 被覆する榭脂 3は設けられて 、な 、。
[0055] 図 4 (C)は、固着工程において、金属ワイヤー 4を加熱して、榭脂層 2を溶解し、金 属ワイヤー 4を前記基板 1上に固着した状態を示す図である。
[0056] 金属ワイヤー 4を加熱することにより、基板 1上に形成された榭脂層 2が溶解せしめ られる。その結果、金属ワイヤー 4は、溶解した榭脂層 2を押し退けて榭脂層 2の中に 入り込み、その押し退けられた榭脂層 2により金属ワイヤー 4の周囲が滑らかに覆わ れ基板 1に固着される。
[0057] このように当該実施形態においては、金属ワイヤー 4のみを設置し、基板上に予め 設けられている榭脂層 2を溶解せしめることにより金属ワイヤー 4を基板 1上に固定す る方法である。したがって、基板 1上に設けられる榭脂層 2を形成する材質について は、前記第 3実施形態と同様のものを用いることが好ましい。
[0058] 図 4 (D)は、成膜工程において、基板 1と基板 1上に固着された金属ワイヤー 4を覆 うように電極 5を成膜した状態を示す図であり、第 1〜第 3実施形態で説明したものと 同様である。
[0059] なおここで、第 1〜第 3実施形態と同様に、図 4 (C)に示す固着工程後、図 4 (D)に 示す成膜工程前に金属ワイヤー 4を冷却する冷却工程を有してもよい。
[0060] 以上説明した本願の実施形態によって表示装置用低抵抗基板 Rを作製することが できる。このように作製された表示装置用低抵抗基板 Rを示す概略図を図 5に示す。
[0061] 図 5に示すように、表示装置用低抵抗基板 Rは、基板 榭脂層 2、榭脂 3、金属 4、 電極 5により構成されており、当該低抵抗基板によれば、大型表示装置に用いた場 合であっても電極 5の導電性を金属 4によって補助することができ、その結果表示装 置の輝度のむらを低減することができる。
[0062] なお、第 1〜第 4実施形態にお 、て説明した低抵抗基板の作製方法を用いて作製 した低抵抗基板を用いることにより、上記効果を有する電場発光型光表示装置を作 製することができる。
[0063] また、上述したように本願の発明を表示装置に有効な低抵抗基板を作製する場合 に用いるものとして説明した力 本願の発明はこれに限定されるものではなぐその他 に例えば、太陽電池、照明等に有効な低抵抗基板を作製する場合においても適用 可能である。
[0064] 更に、上述したように補助電極として用いられる目的で、金属の一例として金属ワイ ヤーを基板の奥行き方向（図 5参照）に設置する場合について説明したが、本願発 明はこれに限定されるものではなぐ例えば、図 6のように長さの短い金属を基板の奥 行き方向に列をなすように多数設置することによつても、補助電極としての役割を果 たすことが可能である。この際の金属の材質、断面形状、直径等は金属ワイヤーにお いて説明した場合と同様である。

Claims

請求の範囲
[1] 金属を榭脂で被覆してなる線形物を基板上に設置する設置工程と、
前記線形物を加熱することにより、前記金属を被覆している前記榭脂を溶解し、 前記金属を前記基板上に固着する固着工程と、
前記基板と前記基板上に固着された前記金属を覆うように電極を成膜する成膜ェ 程と、
を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[2] 請求項 1に記載の低抵抗基板の作製方法にお！ヽて、
前記電極は透明もしくは半透明であることを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[3] 請求項 1又は請求項 2に記載の低抵抗基板の作製方法にお ヽて、
前記設置工程の前段階として前記基板上に有機物若しくは無機物からなる密着改 善層を形成する密着改善層形成工程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製 方法。
[4] 請求項 1乃至請求項 3の ヽずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法にお!、て 前記設置工程の前段階として前記基板表面の改質処理工程を有することを特徴と する低抵抗基板の作製方法。
[5] 請求項 1又は請求項 2に記載の低抵抗基板の作製方法にお ヽて、
前記設置工程の前段階として前記基板上に前記榭脂層を形成する榭脂層形成ェ 程を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[6] 請求項 5に記載の低抵抗基板の作製方法にお ヽて、
前記固着工程は、前記線形物を加熱する際更に、前記榭脂層をも溶解することを 特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[7] 基板上に榭脂層を形成する榭脂層形成工程と、
前記榭脂層上に金属を設置する設置工程と、
前記金属を加熱して、前記榭脂層を溶解し、前記金属を前記基板上に固着する固 着工程と、
前記基板と前記基板の上に固着された金属を覆うように透明電極を成膜する成膜 工程と、
を有することを特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[8] 請求項 1乃至請求項 7の ヽずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法にお!、て 前記固着工程後前記成膜工程前に前記金属を冷却する冷却工程を有することを 特徴とする低抵抗基板の作製方法。
[9] 請求項 1乃至請求項 8の 、ずれか一項に記載の低抵抗基板の作製方法を用いて 作製した低抵抗基板を用いたことを特徴とする電場発光型表示装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120138117A1 (en) * 2008-03-20 2012-06-07 Miasole Thermoplastic wire network support for photovoltaic cells
US9620660B2 (en) 2008-03-20 2017-04-11 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Interconnect assembly
US9647160B2 (en) 2011-04-08 2017-05-09 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells
US10026859B2 (en) 2010-10-04 2018-07-17 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Small gauge wire solar cell interconnect
US10056521B2 (en) 2008-03-20 2018-08-21 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Wire network for interconnecting photovoltaic cells

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9869918B2 (en) * 2015-01-16 2018-01-16 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic apparatus, electrochromic element, and method of manufacturing electrochromic element

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001144312A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池モジュールの製造方法とその製造装置
JP2004288607A (ja) * 2002-09-06 2004-10-14 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法
JP2005056846A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Lg Electron Inc 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2005116330A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Sony Corp 有機発光素子の製造方法および有機発光素子並びに表示装置
WO2005041217A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
JP2005136050A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Kyocera Corp 配線基板及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3754117A (en) * 1971-12-08 1973-08-21 Anvar Device for corona treatment of a layer of plastic material
US5365657A (en) * 1993-02-01 1994-11-22 Advanced Interconnection Technology Method and apparatus for cutting wire
JPH1056190A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Canon Inc 光起電力素子及びその製造方法
JP2000259096A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Canon Inc 表示デバイス用基板の製造方法および表示デバイス用基板
JP4964369B2 (ja) 2001-03-15 2012-06-27 シャープ株式会社 Ａｇ合金薄膜の形成方法および情報表示素子
JP2003297584A (ja) 2002-04-04 2003-10-17 Asahi Glass Co Ltd 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法
DE10239845C1 (de) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
JP2004103830A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Toppan Printing Co Ltd 配線基板構造ならびに製造方法
JP4646702B2 (ja) 2004-06-03 2011-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びその作製方法
US7733441B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001144312A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池モジュールの製造方法とその製造装置
JP2004288607A (ja) * 2002-09-06 2004-10-14 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法
JP2005056846A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Lg Electron Inc 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2005116330A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Sony Corp 有機発光素子の製造方法および有機発光素子並びに表示装置
WO2005041217A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
JP2005136050A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Kyocera Corp 配線基板及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120138117A1 (en) * 2008-03-20 2012-06-07 Miasole Thermoplastic wire network support for photovoltaic cells
US9620660B2 (en) 2008-03-20 2017-04-11 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Interconnect assembly
US10056521B2 (en) 2008-03-20 2018-08-21 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Wire network for interconnecting photovoltaic cells
US10026859B2 (en) 2010-10-04 2018-07-17 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Small gauge wire solar cell interconnect
US9647160B2 (en) 2011-04-08 2017-05-09 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells

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