JP2004288607A - 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 安定した発光特性をもつ有機ＥＬ発光素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の有機ＥＬ発光素子は支持基板上に設けられた第１電極と、該第１電極に直交して対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極間に配置された有機ＥＬ層とを含む有機ＥＬ発光素子であって、前記第１電極が、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される第１電極部からなり、第１電極の複数の領域がそれぞれ独立して駆動される。本発明の製造方法は、前記第１電極を形成する工程が、（１）支持基板上に第１電極との接続部を有する複数のバス電極を形成する工程、（２）前記バス電極の接続部以外の、前記バス電極の少なくとも一部を覆うように絶縁膜を形成する工程、（３）対応する複数のバス電極のみに接続部で接続するように第１電極を形成する工程とを含む。
【選択図】 図３

Description

本発明は、有機ＥＬ発光素子およびその製造方法に関し、より詳細には、長期にわたり安定した発光特性を維持する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法に関する。

有機ＥＬディスプレイにおける電極構成には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクティブマトリックス駆動方式やパッシブマトリックス駆動方式がある。これらの方式のうち、パッシブマトリックス駆動方式は、電極構成が単純であるため安価に製造できるという利点を有している。

パッシブマトリックス駆動方式において、高画素数、高精細のパネルを形成するためには、ＸＹマトリックス電極構造を構成する電極（走査電極および信号電極）の数を増加させることが必要となる。一定フレーム周波数においてパッシブマトリックス駆動を行う場合、各画素は、１本の走査電極に割り当てられる期間だけ電圧が印加され、発光する。この期間は、走査電極数の逆数であるデューティ比で定義される（デューティ比＝１／走査電極数）ため、走査電極数に逆比例して減少する。従って、デューティ比１／１００のディスプレイにおいて１００Ｃｄ／ｍ^２の面輝度が要求される場合、各画素は１０，０００Ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光することが必要となる。このような輝度を得るためには画素に流れる電流を大きくする必要があるが、一般に、有機発光素子は電流量を大きくすると、輝度半減時間などで示される画像表示の信頼性が低下する傾向がある。

パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置においてデューティ比を大きくする手法として、（１）信号電極をパネル上下で分割し、パネル上下を独立に駆動する方法、（２）１本の走査電極に対し２本の信号電極を櫛歯状に配置し、隣接する２個の画素を構成する方法、（３）同一基板内で下部信号線上の一部に絶縁膜を設け、その上にさらに上部信号線を重畳して配列することにより信号電極を上部と下部で個別駆動する方法、が知られている。さらに、これらの方法を組み合わせた方法も知られている（例えば、特許文献１参照）。これらの方法によれば、電圧を同時に印加できる走査線数を多くすることにより、デューティ比を大きくすることができる。

有機発光素子においても、上述の（１）および（２）の方法を組み合わせた方法が既に知られている（例えば、特許文献２〜５参照）。

上述の（１）および（２）の技術は、１本の走査電極に２本以上の信号電極を櫛歯状に配置するものであるが、配置される全画素の電極を絶縁しなければならず、製造時の歩留まりが低下することが想定される。さらには、走査電極に流れる電流が画素の数の増加に従い大きくなるため、走査側の駆動ＩＣを通常のＩＣより数倍の電流を流せるものに対応させる必要がある。

また、上述の（３）に類似した方法が、例えば特許文献６に開示されている。この技術は特許文献１に記載される方法に類似している点がある。即ち、特許文献６に記載の技術は、パネルを複数のサブパネル領域に分割することを特徴とし、このように分割することで、第１電極がパネル面内で上下方向に複数に分割される。また、この特許文献の信号電極は、第１バス電極と、これに電気的に接続される透光性物質である第１電極とにより構成され、配線を立体的に構成することも開示されている。また、この製造方法として、第１電極を形成した後に、第１バスラインを形成する方法が記述されている。

しかし、この特許文献に記載のような方法で走査電極を分割すると、分割数が増加するに従い走査電極に直交するバスライン数が分割数に比例して増加し、バスライン電極間のスペースが狭くなる。これは、パターンニング不良による隣接バスライン間で短絡不良を発生する確率が高くなり、製造時の歩留まりが低下するという問題がある。

さらに特許文献６に記載の方法に従って走査電極を分割して駆動すると、パネルの点灯時に分割された各領域の境界において輝度が急峻に変化し、目視で電極の境界が認識されてしまうという問題がある。

加えて、特許文献６に記載の方法では、高精細なパネルでは外部駆動回路と接続するための電極ピッチが１００μｍよりも小さくなる。基板間の接続に用いられるフレキシブルプリント基板では、導電部の細線化が難しいという問題もある。

特公平１−５７３５０号公報 特開２０００−２５９１２４号公報 特開２００１−１４２４１５号公報 特開２００１−２１７０８１号公報 特開２００１−３１３１８２号公報 特開２０００−５６７０７号公報

パッシブマトリックス駆動方式では、デューティ比を大きくするという第１の課題と、パッシブマトリックス駆動方式の電極を、歩留まりを低下させることなく簡便に形成するという第２の課題を同時に達成する必要がある。加えて、電極の形成では、表示部分の電極のみでなく、電極の引き出し部や接続部を含めた、電極部の簡便な形成が求められる。特に、高精細で長期にわたって安定した駆動のできる有機ＥＬ発光素子を得るためには上記課題を同時に達成する必要がある。しかし、これまでは、上記の技術的課題を全て達成する有効で具体的な方法は知られていない。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、高精細で長期にわたり安定した発光特性を維持する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は以下に示す有機ＥＬ発光素子およびその製造方法により解決される。
本発明の第１は有機ＥＬ発光素子に関する。第１の実施形態では、該素子は支持基板上に設けられた第１電極と、該第１電極に直交して対向配置された第２電極と、これら第１電極と第２電極間に配置された有機ＥＬ層とを含む有機ＥＬ発光素子であって、前記第１電極が、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される第１電極部からなり、第１電極の複数の領域がそれぞれ独立して駆動される。本発明では、前記第１電極部の複数のバス電極が絶縁膜により絶縁されていることが好ましい。さらに前記バス電極が絶縁膜と交互に積層されており、前記絶縁膜はバス電極と第１電極が接続される接続部に開口部を有していてもよい。
特に本発明では、バス電極が異なる材料で形成されることが好ましい。

本発明の第２は有機ＥＬ発光素子の製造方法に関する。この方法は、支持基板上に、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される複数に分割された第１電極を形成する工程と、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬ発光素子の製造方法であって、前記第１電極を形成する工程が、（１）支持基板上に第１電極との接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、（２）対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程とを含む。本発明の製造方法の第２の実施形態は、前記第１電極を形成する工程が、（１）支持基板上に第１電極との接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、（２）前記バス電極の接続部以外であって、前記バス電極の少なくとも一部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、（３）対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程とを含む。本発明の第３の実施形態では、前記第１電極を形成する工程が、（１）支持基板上に第１電極との接続部を有する１または複数のバス電極を形成する工程と、（２）バス電極の接続部以外であって、前記バス電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、（３）前記（１）および（２）の工程を繰り返し、必要な複数のバス電極を形成する工程と、（４）対応する複数のバス電極のみに接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程とを含む。特に本発明では、バス電極が異なる材料で形成されることが好ましい。さらに本発明では、色変換フィルタを含む有機ＥＬ発光素子およびその製造方法を包含する。

本発明のその他の特徴および効果は以下の本発明の説明で明らかになるであろう。

本発明によれば、第１電極が複数に分割され、これが第１バス電極から第ｎバス電極にそれぞれ接続される。このような構成にすることにより、第１電極と第２電極との間に設けられる有機発光層のうち、各領域に対応して位置する有機発光層部分が、互いに独立して駆動されることとなるので、パッシブマトリックス駆動方式で求められるデューティ比を大きくすることができる。また、本発明では第１電極部の配列も、歩留まりを低下させることなく簡便に形成できる。このため、長期の駆動安定性を確保することができる。このように本発明は、デューティー比を大きくすることと、歩留まりを低下させることなく、電極を簡便に形成することの２つの課題を同時に達成することができる。さらに、本発明の電極構造を有する有機ＥＬ発光素子は、高精細で、長期にわたって安定した発光特性を維持することができる。また、本発明の有機ＥＬ発光素子の製造方法では、上記２つの課題を達成できる有機ＥＬ発光素子の提供が可能となる。

以下に図面を参照しながら本発明を説明する。
本発明はパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ発光素子であって、その第１電極の構造に特徴を有する有機ＥＬ発光素子に関する。本発明の有機ＥＬ発光素子はパッシブマトリックス駆動方式であれば特に限定されないが、例えば図１に示す構造の有機ＥＬ発光素子を挙げることができる。図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、積層タイプのいわゆるボトムエミッション型およびトップエミッション型パッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ発光素子であり、図１（ｃ）は、貼り合わせタイプのトップエミッション型パッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ発光素子である。

具体的には、図１（ａ）に示される有機ＥＬ発光素子１０は、ガラス、セラミックスあるいはポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート等を材料とする支持基板１０２の上に、ブラックマトリックス１０８と、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層（蛍光変換フィルタ層）１１０が備えられている。この上には、これらの色変換フィルタ層を覆う平坦化層１１２が設けられている。この上にパッシベーション層１１４が設けられ、この面上に、色変換フィルタ層の各々に対応する第１電極１０４が備えられている。ここで、平坦化層１１２、パッシベーション層１１４は後述するように種々の高分子膜、無機膜などから作製することができる。

第１電極１０４の上には、これらの電極を覆う有機ＥＬ層１１６（例えば、図１（ｄ）に示されるように、正孔注入層１２４、正孔輸送層１２６、有機発光層１２８、電子注入層１３０など）が積層される。この有機ＥＬ層１１６上には第２電極１０６が設けられている。なお、この有機ＥＬ発光素子は、図示しない封止部材により封止されている。

図１（ｂ）に示される有機ＥＬ発光素子２０は、支持基板１０２の上に、第１電極１０４が備えられている。第１電極１０４の上には、これらの電極を覆う、例えば上記のような有機ＥＬ層１１６が積層され、この有機ＥＬ層１１６上には第２電極１０６が設けられている。第２電極１０６上には、パッシベーション層１１４ａが設けられる。パッシベーション層１１４ａ上には、ブラックマトリックス１０８と、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層（蛍光変換フィルタ層）１１０が備えられている。この有機ＥＬ発光素子は、図示しない封止部材により封止されている。なお、色変換フィルタ層１１０上には、これらを覆うパッシベーション層１１４ｂを設けてもよい。

図１（ｃ）に示される有機ＥＬ発光素子３０は、支持基板１０２上に形成された第１電極１０４と、上述のような有機ＥＬ層１１６と、第２電極１０６を含む有機ＥＬ発光素子と、別途透明基板１１８上に設けられた、ブラックマトリックス１０８、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層（蛍光変換フィルタ層）１１０と、平坦化層１１２ｂ、パッシベーション層１１４ｂを備えた色変換フィルタ基板とを外周封止層１２０を介して対向して貼り合わせたものである。なお、上記有機ＥＬ発光素子はパッシベーション層１１４ａを設けてもよい。

なお、本明細書において、支持基板上に形成される第１電極、有機ＥＬ層および第２電極を合わせて発光部と称する。また、本明細書では、上述のように有機ＥＬ層は、少なくとも有機発光層少なくとも含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を含有するものである。

本発明の有機ＥＬ発光素子の主要な構成要素の材料などは従来の通りであるが、例えば、有機発光層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリデン系化合物などが好ましく使用される。本発明の有機ＥＬ発光素子は第１電極部の配列に特徴を有する。従って有機ＥＬ発光素子の材料などは従来のものを用いることができるが、その概略は、必要に応じて以下で説明する。

図１の例では、色変換フィルタを含む多色有機ＥＬ発光素子を例に挙げたが、本発明は、色変換フィルタを含まない、いわゆるモノクロの有機ＥＬ発光素子も包含する。

本発明のパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ発光素子は、図２に示されるように透明基板１０２上の複数列の第１の電極１０４と、第１電極と交差する複数列の第２の電極１０６が設けられる。図２は、ボトムエミッション型のパッシブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ発光素子を支持基板１０２から見た図である（ただし、色変換フィルタ、バス電極などは省略した）。なお、図２には、有機発光層を含む有機ＥＬ層１１６、第１電極１０４と第２電極１０６との交差領域で構成される画素２０２、この画素２０２が複数個配列することにより形成される表示部分２０４が示されている。第１電極および第２電極を表示部から基板周囲へ延長して形成した接続部分を介して、外部駆動回路と表示部とを接続することにより、表示装置が構成される。本発明では、この第１電極の構造に特徴を有する。以下に図面を参照して電極構造を詳細に説明するが本発明はこれに限定されない。

図３に本発明の有機ＥＬ発光素子の第１電極の構造の概略を示す。図３（ａ）はこの第１電極の一部分の平面図である。図３（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ、図３（ａ）のａ−ａ’位置での断面図およびｂ−ｂ’位置での断面図を表す。なお、以下の説明で参照する図面は、第１電極の構成のみを説明する目的から、カラーフィルタ層や色変換層を含めた本発明の有機ＥＬ発光素子の他の構成要素は省略した。また、支持基板上に色変換フィルタを形成する場合には、カラーフィルタ層や色変換層、および、これらの層の上に設けられた平坦化層やパッシベーション層などを一体的に、「第１電極基板」とよぶこととする。以下の明細書では、煩雑を避けるため、主にボトムエミッション型有機ＥＬ発光素子について説明する。従って、支持基板上に設けられる第１電極は、上述した第１電極基板の主表面に接して設けられることとなる。しかしながら、本発明は上述のようにパッシブ駆動方式であればどのような光放出形態であってもよい。

図３（ａ）に示されるように、第１電極部は、第１電極基板の上に設けられた表示部３０６と外部駆動回路との接続部３０８、引き出し部３１０とから構成されている。なお、本明細書において、第１電極部とは、第１電極、絶縁膜、バス電極（表示部、引き出し部および外部駆動回路との接続部を含む）を含む第１電極周辺の構造の総称である。表示部３０６は、複数の領域Ａ_１〜Ａ_ｎ（ｎは１以上の整数である。）を有している。この複数の領域には、それぞれ、分割された第１電極１０４_ｎ（ｎは１以上の整数である。）と、その各々に接続される複数のバス電極３０２_ｎ（ｎは１以上の整数である。）がある。複数の領域には、並列に第１電極が形成されている（例えば、Ａ_１の領域には分割された第１電極１０４_ｎ（ｎ＝１）が並列に形成されている。）。バス電極３０２_ｎは、それぞれ、引き出し部３０８を介して外部駆動回路との接続部３０６から外部駆動回路へ接続される。このように、本発明では、第１電極１０４は複数の領域に分割され、それぞれ対応する複数のバス電極により外部駆動回路に接続される。本発明ではバス電極３０２は絶縁膜３０４_ｎ（ｎは１以上の整数である。）により絶縁される。この様子を図３（ｂ）および（ｃ）に示す。なお、本発明の有機ＥＬ発光素子では、第１電極の分割される領域は、２または３（即ち、ｎ＝２または３）であることが好ましい。

図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、本発明の第１電極部の構造をさらに詳細に説明する。第１バス電極３０２_ｎ（ｎ＝１）は第１電極基板上の領域Ａ_１〜Ａ_ｎまで延びている。第１電極１０４ｎ（ｎ＝１）は、領域Ａ_１に並列に設けられており、それぞれ接点Ｓ_１において第１バス電極３０２_ｎ（ｎ＝１）に接している。第１バス電極３０２_ｎ（ｎ＝１）との絶縁をとるため、領域Ａ_２〜Ａ_ｎまで少なくとも第１バス電極上に絶縁膜３０４_ｎ（ｎ＝２）が設けられる。図３（ａ）では、領域Ａ_２〜Ａ_ｎの全面に絶縁膜を形成する例を示した。この絶縁膜上に第２バス電極３０２_ｎ（ｎ＝２）が、領域Ａ_２〜Ａ_ｎまで延びている。第１電極１０４ｎ（ｎ＝２）は、領域Ａ_２に並列に設けられており、それぞれ接点Ｓ_２において第２バス電極３０２_ｎ（ｎ＝２）に接している。このような構造が順次領域Ａ_ｎまで繰り返され、図３に示す本発明の有機ＥＬ発光素子の第１電極部が配列される。

本発明では、バス電極の配列、第１電極とバス電極の接続部の形状、絶縁膜を設ける部分はバス電極間の絶縁不良を起こさず、効率的に第１電極へ電流を供給でき、デューティー比を高めることができるものであれば特に限定されない。図４にバス電極、第１電極とバス電極の接続部の形状、絶縁膜の組み合わせの一例を示したが、本発明はこれに限定されない。図４は、複数に分割された１本の第１電極の部分のみを示し、煩雑を避けるため、図４（ｌ）にのみ符号を付した。

本発明では、バス電極の配列は、図４（ａ）〜（ｃ）、（ｉ）および（ｊ）に示されるように、積層型であってもよく、図４（ｄ）〜（ｆ）および（ｋ）に示されるように並列型であってもよく、または図４（ｇ）、（ｈ）および（ｌ）に示されるように積層型と並列型を併用したものであってもよい。また、バス電極は引き出し部および外部駆動回路との接続部まで延びているが、これらの形状を後述する絶縁膜と併せて、後に詳述するような所定の形態に形成することで、バス電極間の短絡を防止することが可能となり、本発明の有機ＥＬ発光素子の歩留まりを向上させつつ簡便に第１電極部を形成することが可能となる。また、バス電極間の短絡の防止は、長期の安定した駆動を確保するためにも重要である。

本発明では、バス電極の材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ等の金属やこれらの金属の合金を用いることができる。

バス電極３０２_ｎは、引き出し部から離れた箇所（即ちｎ＝１に近づく箇所）へ設けるにつれて比較的電気抵抗の低い材料（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、またはこれらの合金）を用い、引き出し部に近い箇所へ設けるにつれて比較的電気抵抗の高い材料（Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗなど）を用いることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることができる。また、バス電極３０２_ｎは、引き出し部から離れた箇所へ設けるにつれてバス電極の幅および／または膜厚を大きくとり、引き出し部に近い箇所へ設けるにつれてバス電極の幅および／または膜厚を小さくとることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることもできる。このようにすることで、バス電極間の配線抵抗による電圧降下の値を各領域Ａ_ｎでほぼ等しくすることができ、各領域の輝度の差を解消することができる。

絶縁膜は図４（ａ）〜（ｈ）に示されるように第１電極基板上のＡ_１から所定の領域Ａ_ｎまでの全面であって、バス電極３０２_ｎと第１電極１０４_ｎの接続部Ｓ_１、および、外部駆動回路との接続部を除いた全面に形成することができる。また、図４（ｉ）〜（ｌ）のようにバス電極上とその近傍部分であって、バス電極３０２_ｎと第１電極１０４ｎの接続部Ｓ_ｎと外部駆動回路との接続部を除いた部分に形成することが可能である。本発明では、絶縁膜を例えば引き出し部など特定の箇所にも形成することによりバス電極間の短絡を防止することが可能となり、本発明の有機ＥＬ発光素子の歩留まりを向上させつつ簡便に第１電極部を形成することが可能となる。

バス電極が積層型の場合、絶縁膜はバス電極数に応じて複数層形成するが、並列型の場合、複数層の絶縁膜を設ける他に、第１電極基板上に複数のバス電極を全てパターンニングし、その上に所定の接続部を形成した一層の絶縁膜を設けることもできる。

絶縁膜は、バス電極間を絶縁する機能と、接続が意図される分割された第１電極とバス電極以外の、第１電極都バス電極間を絶縁する機能と、バス電極上に形成される有機ＥＬ層との絶縁（例えば有機ＥＬ層の正孔注入層への正孔の注入を防ぐ）機能を有する。

また、本発明では、絶縁膜は、第１電極基板上の一部に形成される場合や、バス電極と第１電極の接続部の開口部などにおいて、絶縁膜の少なくとも側面や端面がテーパー形状に形成されることが好ましい。絶縁膜のテーパー形状の第１電極基板表面となす傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

絶縁膜は、酸化珪素、酸化窒素、酸化窒化珪素および酸化アルミニウムなどの無機酸化物、無機窒化物、これらの混合物やアクリレート等のネガ型のフォトレジスト、ポリイミド材料、ノボラック樹脂を用いることが可能である。本発明ではノボラック樹脂を用いることが好ましい。トップエミッション型の場合、絶縁膜は透明であっても透明でなくてもよいが、ボトムエミッション型の場合には絶縁膜として、例えば酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる。なお、形成方法としては、フォトリソグラフィ法やリフトオフ法によるパターンニング、ドライエッチング法などの技術が応用可能である。

バス電極と第１電極の接続部Ｓ_ｎは、図４（ａ）（ｂ）に代表されるように第１電極の側面４０２にわたってまたは該側面の一部にのみに形成されていてもよい。また図４（ｃ）および（ｄ）などに代表されるように第１電極の端部４０４や、該端部の一部に形成されていてもよい。さらには、図３（ｆ）、（ｈ）、（ｇ）に示されるように、第１電極の内部に第１電極の端部と平行に形成されていてもよい。本発明では、バス電極と第１電極の接続部Ｓは、図４（ａ）、（ｃ）、（ｅ）〜（ｌ）に示されるように、第１電極の側面または端部方向の第１電極の幅にわたって形成されることが好ましい。このようにすることで第１電極に効率よく電流を供給できる。また、本発明では、後に具体的に説明するように、隣接する第１電極に接続されるバス電極は、隣接する第１電極の端面から等距離に設けることが好ましい。このようにすることで第１電極に効率よく電流を供給できる。

第１電極は、図３または図４に示されるように、所望の数に分離される。第１電極を複数に分割することで有機ＥＬ発光素子のデューティー比を高めることができる。第１電極は陽極または陰極として形成することができる。第１電極を陽極として用いる場合、ボトムエミッション型では第１電極は透明であることが必要であり、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いることができる。トップエミッション型の場合も同様の材料を用いることができるが、第１電極は反射機能を持った電極とすることができる。具体的には、ＩＺＯなどの代わりに反射率の高いＮｉやＣｒを紫外線処理して、仕事関数をＩＺＯなどと同等にする。このようにすることにより正孔の注入ができ、所定の反射性金属を陽極として用いることができる。第１電極を陰極として用いる場合、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物が用いられる。

本発明の有機ＥＬ発光素子では、第１電極とバス電極が接続されている接続部、バス電極の配線部分は、有機ＥＬ発光素子の発光に寄与する開口部以外の領域（例えば、第１電極基板のブラックマトリックスに相当する領域など）にあることが好ましい。

次に、第１電極部の構造について図面を参照してさらに具体的に説明する。以下の説明では、上記ｎが２または３の場合を例にとる。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態は、バス電極を積層型で形成する例である。
第１の例を図５に示す。第１の例は、第１電極を２つの領域ＡおよびＢに分割し、領域Ａのバス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例である。図５（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図５（ｂ）および（ｃ）は、図５（ａ）のａ−ａ’断面図、およびｂ−ｂ’断面図である。第１電極（５０２、５０４、５０６）の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第１電極基板の上に設けられた、表示部５０８と、外部駆動回路との接続部５１０および引き出し部５１２とから構成されている。この表示部は、領域Ａ（これらの領域の第１電極を、５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ、とする）と領域Ｂ（これらの領域の第１電極を、５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ、とする）を有し、領域Ａには、図５（ｂ）の断面図に示すように、第１電極基板５１４の主表面に設けられた第１バス電極５１６の上に、絶縁膜５２０を介して第２バス電極５１８が設けられ、さらに、この第２バス電極５１８上に第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）が設けられている。また、領域Ｂには、図５（ｃ）の断面図に示すように、第１電極基板５１４の表面に設けられた第１バス電極５１６の上に第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）が設けられた構造を有する。図５に示される例では、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の側面５２２に沿って設けられている。すなわち、第１電極部は、領域Ａにおいて、第１の補助配線である第１バス電極５１６／絶縁膜５２０／第２の補助配線である第２バス電極５１８／第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）という構造を有し、領域Ｂにおいては第１の補助配線である第１バス電極５１６／第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）という構造を有する。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、互いに独立して駆動される。

本発明では、絶縁膜５２０の少なくとも側面部５２１はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜５２０のテーパー形状の第１電極基板５１４表面となす傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜５２０の上に形成される第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。図６に、絶縁膜５２０の端部形状と第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）の形状を表す断面ＳＥＭ像を示す。この図に示す例では、絶縁膜５２０の端部が第１電極基板の主表面となす傾斜角度は７°以上１０°未満となっている。
また、図７には、上述の第１電極部の配線部分の断面ＳＥＭ像である。この図に示すように、第１電極部の第１バス電極５１６、第２バス電極５１８、絶縁膜５２０、第１電極（５０２、５０４、５０６）は第１電極基板上に断線することなく形成されていることがわかる。

次に、第２の例について図８を参照して説明する。第２の例は、第１電極を２つの領域ＡおよびＢに分割し、第１電極基板上の全面に絶縁膜を設ける場合の例である。図８（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図８（ｂ）および（ｃ）は、図８（ａ）のａ−ａ’断面図、およびｂ−ｂ’断面図である。第１電極（５０２、５０４、５０６）の各々、およびバス電極の配置は第１の例と同じである。第１バス電極５１６と第２バス電極５１８は、絶縁膜５２０により絶縁されている。絶縁膜５２０上に第２バス電極５１８が設けられ、さらに、この第２バス電極５１８上に領域Ａの第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）が設けられる。また、領域Ｂでは、図８（ｃ）の断面図に示すように、第１電極基板５１４の表面に設けられた第１バス電極５１６の上に絶縁膜５２０が設けられており、この絶縁膜には第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）が接触できるように、絶縁膜の一部がパターンニングにより除かれている。このように、本発明では、絶縁膜は領域Ｂにおいて、第１バス電極と第１電極が接触できるように開口部５２４を有する。第２の例では、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の側面５２２に沿って設けられている。

このように、第２の例では、第１電極部は、領域Ａにおいて、第１の補助配線である第１バス電極５１６／絶縁膜５２０／第２の補助配線である第２バス電極５１８／第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）という構造を有し、領域Ｂにおいては第１の補助配線である第１バス電極５１６／絶縁膜５２０（ただし、第１電極との接触部を除く）／第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）という構造を有する。このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、互いに独立して駆動される。

本発明では、絶縁膜は、少なくとも第１電極とバス電極を接続するための接続部でテーパー形状に形成されることが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

上述のようにバス電極を積層型とする場合、上述の例では、第１電極とバス電極の接続部を第１電極の側面に設ける例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば図９に一例を示すように種々の形状をとることができる（図９は、２つの領域に分割された１本の第１電極の部分のみを示し、煩雑を避けるため、図９（ｉ）にのみ符号を付した。）。

図９（ａ）および（ｆ）に代表されるように、接続部は第１電極の角部分に設けられてもよく、図９（ｂ）〜（ｅ）および（ｇ）〜（ｉ）に代表されるように、第１電極の端部（５２６、５２８、５３０、５３２）に平行に設けられていてもよい。このように平行に接続部を形成する場合、第１電極は、図９（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）および（ｈ）のようにバス電極を覆うように形成してもよく、図９（ｅ）および（ｉ）のようにバス電極に覆わないように形成してもよい。

接続部が、第１電極の端部（５２６、５２８、５３０、５３２）に平行に設けられる場合、接続部は、第１電極の隣接する端面（５２８、５３０）から等しい距離（ｄ）で形成されることが好ましい（例えば図９（ｂ）、（ｅ）、（ｇ）または（ｉ）を参照）。距離（ｄ）が同じである限り、接続部は該端部からどの距離に形成されてもよい。このように接続部を形成と、接続部をこのように形成することにより、デューティーを大きくするために上述のように分割駆動した場合でも分割した領域の境界で輝度が急峻に変化することがないので好ましい。

第１の実施形態では、絶縁膜５２０は、上述のようにバス電極近傍、第１電極基板上の全面など、種々の位置に設けることができる。また図面としては表していないが、絶縁膜５２０を例えば領域Ａのみに形成してもよい。

次に第３の例について説明する。第３の例は、図１０に示すように第１電極を３つの領域Ａ、ＢおよびＣに分割する例である。
図１０（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１０（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、図１０（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’断面図およびｃ−ｃ’断面図である。第１電極（５０２、５０４、５０６）の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第１電極基板の上に設けられた、表示部５０８と、外部駆動回路との接続部５１０および引き出し部５１２とから構成されている。この表示部は、領域Ａ（これらの領域の第１電極を、５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ、とする）と、領域Ｂ（これらの領域の第１電極を、５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ、とする）と、領域Ｃ（これらの領域の第１電極を、５０２Ｃ、５０４Ｃ、５０６Ｃ、とする）とを有し、絶縁膜がこれらの領域ＡおよびＢにわたって、第１電極部の一部に設けられる。

領域Ａには、図１０（ｂ）の断面図に示すように、第１バス電極５１６が第１電極基板５１４の主表面に設けられ、これは第１の絶縁膜１００４に覆われている。この絶縁膜１００４上に第２バス電極５１８が設けられる。さらに、この第２バス電極５１８上に第２の絶縁膜５２０が設けられ、この絶縁膜５２０上に第３バス電極１００２が設けられる。この第３バス電極１００２上に第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）が設けられている。第１の絶縁膜１００４は後述する領域Ｂまで延びており、第２の絶縁膜５２０は、領域Ａのバス電極近傍に設けられている。第３バス電極１００２は領域Ａに形成されている。

領域Ｂには、図１０（ｃ）の断面図に示すように、第１バス電極５１６が第１電極基板５１４の主表面に設けられ、これは第１の絶縁膜１００４に覆われている。この絶縁膜１００４上に第２バス電極５１８が設けられる。さらに、この第２バス電極５１８上に第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）が設けられている。第１の絶縁膜１００４は領域Ｂのバス電極近傍に設けられている。

領域Ｃでは、図１０（ｄ）の断面図に示すように、第１電極基板５１４の表面に設けられた第１バス電極５１６の上に第１電極（５０２Ｃ、５０４Ｃ、５０６Ｃ）が設けられた構造を有する。図１０に示される例では、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の側面５２２に沿って設けられている。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第３バス電極１００２と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｃにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。

第３の例においても、第１の絶縁膜１００４の少なくとも側面部１００６と第２の絶縁膜５２０の少なくとも側面部５２１はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第１電極基板５１４表面となす傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極（５０２、５０４、５０６）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

次に、第４の例について図１１を参照して説明する。第４の例は、第１電極を３つの領域Ａ、ＢおよびＣに分割し、領域ＡおよびＢの全面に絶縁膜を設ける場合の例である。図１１（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１１（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、図１１（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’の断面図およびｃ−ｃ’断面図である。第１電極（５０２、５０４、５０６）の各々、およびバス電極の配置は第３の例と同じである。領域Ａにおいては、図１１（ｂ）に示すように、第１バス電極５１６と第２バス電極５１８は、領域ＡおよびＢに形成された第１の絶縁膜１１０２により絶縁されている。この絶縁膜１１０２上に第２バス電極５１８が設けられ、さらに、この第２バス電極５１８上には第２の絶縁膜５２０が設けられている。この第２の絶縁膜５２０上には第３バス電極１００２が形成され、この第３バス電極上に第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａ）が設けられている。また、領域Ｂでは、図１１（ｃ）に示すように、絶縁膜１１０２上に第２バス電極５１８が設けられ、この第２バス電極５１８上には第１電極（５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂ）が設けられている。また、領域Ｃでは、図１１（ｄ）に示すように、第１電極基板５１４の表面に設けられた第１バス電極５１６の上に第１電極（５０２Ｃ、５０４Ｃ、５０６Ｃ）が設けられている。第４の例では、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の側面５２２Ａ、５２２Ｂ、５２２Ｃに沿って設けられている。

なお、第４の例では絶縁膜１１０２は領域Ｂまで形成したが、本発明では、絶縁膜は第２の例で説明したような領域ＡおよびＢにわたって設けたように領域ＡからＣにわたって設けてもよい。この場合、領域Ｃにおいて第１バス電極と第１電極は絶縁膜１１０２に設けた開口部（図８（Ａ）の５２４に相当）を介して接続される。また、絶縁膜は、少なくとも、第１電極とバス電極を接続するための接続部でテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

本発明では、上述のように接続部は第１電極の隣接する端面から等距離に設けることが好ましい。従って、第４の例は、図１２に示すような構造をとることが好ましい。図１２に示されるように、第１バス電極５１６、第２バス電極５１８および第３バス電極１００３は、各々の第１電極（５０２Ａ、５０４Ａ、５０６Ａと、５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂと、５０２Ｃ、５０４Ｃ、５０６Ｃ）の中間の位置に形成されることが好ましい。このような配置では、第１の絶縁膜１１０２および第２の絶縁膜５２０はそれぞれ領域Ｂの中間および領域Ｃの中間（即ち、第１バス電極および第２バス電極のそれぞれの接続部の位置）まで形成される。

図１０から図１２で示した構造以外にも、例えば先に図９を参照して第１電極を領域ＡおよびＢに分割する例で説明したのと同様に、領域を３分割する場合も種々の構成をとりうる。バス電極、絶縁膜、第１電極の配置などは、図１０から図１２を参照して説明した内容に基づいて図９の例を３分割する場合に拡張して適用すればよい。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態は、バス電極を並列型で形成する例である。第１の例を図１３に示す。この例は、第１電極を２つの領域Ａ、Ｂに分割する例である。図１３（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１３（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ、図１３（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’の断面図およびｃ−ｃ’断面図である。図１３に示されるように、第１電極部は、第１電極基板の上に設けられた表示部１３０２と外部駆動回路との接続部１３０４および引き出し部１３０６とから構成されている。この表示部１３０２は、領域Ａと領域Ｂの２つの領域を有している。図１３の例では、絶縁膜がこれらの領域にわたって、第１電極部の一部に設けられる。このうち、領域Ａには、図１３（ｂ）および（ｃ）の断面図に示すように、第１電極基板１３０８の表面上に第１バス電極１３１０と第２バス電極１３１２とが設けられている。第１バス電極は第１電極の間に形成され、第２バス電極は隣接する第１バス電極間に形成される。第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）は、第１バス電極１３１０の上に形成された絶縁膜１３２０の一部に重なるように、そして第２バス電極と接触するように設けられる。即ち、第２バス電極は第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）の一方の端部１３２２の側で第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）と接触する。絶縁膜１３２０は第１電極間にあり、これに一部重なり、且つ、第１バス電極上を覆うように形成されている。

領域Ｂでは、図１３（ｄ）の断面図に示すように、第１電極基板１３０８の表面上に第１バス電極１３１０が設けられている。第１バス電極は第１電極の間に形成される。第１電極は（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）は、第１バス電極１３１０の上に形成された絶縁膜１３２０の一部に重なるように設けられる。第１バス電極は第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の一方の端部１３２８の側で第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）と接触する。絶縁膜１３２０は第１電極間にあり、これに一部重なり、且つ、第１バス電極上を覆うように形成されている。

本発明では、図１３に示したように、バス電極は第１電極の隣接する端部１３２４、１３２６から等距離の位置で、第１電極に接続されることが好ましい。これは第１の実施形態で説明した通りである。

なお、図１３（ａ）では、この第１電極は第１バス電極上に延在しないように設けられているが、本発明では絶縁膜を設けるので第１電極は第１バス電極上に延在して設けることもできる。このような例は図１４に示される。このような構造をとると、図１４（ａ）に示されるように第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の角部分に第１バス電極を設ける場合に有効である。

この構造の概略を以下に説明する。領域Ａでは、図１４（ｂ）（図１４のａ−ａ’拡大断面図）に示されるように、第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）は、２つの第１バス電極１３１０の間に位置する第２バス電極１３１２の表面を覆うかたちで接続されている。また、領域Ｂでは、図１４（ｃ）（図１４（ａ）のｂ−ｂ’拡大断面図）に示すように、第１電極基板１３０８の表面上に第１バス電極１３１０が設けられ、この第１バス電極１３１０の表面を覆うように、第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の角部分が接続されている。なお、図１４では、第１バス電極と第２バス電極の線幅が異なる場合を示した。第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様にバス電極は、その材料、または、線幅および／または膜厚を適宜選択して、領域間での輝度のばらつきを防止することが好ましい。

図１４に示される例のように、第１電極は、２つの領域（Ａ，Ｂ）を有しており、領域Ａにおける第１電極は、交互に配置されかつ互いに離隔されて設けられた複数の第１バス電極１３１０と複数の第２バス電極１３１２とを備えている。そして、第１バス電極上は領域Ａにおいて絶縁膜１３２０で被覆されている。また、第２バス電極１３１２は、接続部Ｓ_Ａ上で第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）と電気的に接続するように直接設けられている。さらに、第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）は、絶縁膜１３２０の上面であって、第１バス電極の設けられた位置まで延在している。

また、領域Ｂにおける第１の電極は、複数の互いに離隔されて設けられた第１バス電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）を備えており、第１バス電極１３１０の上全面にはこの第１電極の端部１３２６側の角部分が電気的に接続するように直接設けられている。

図１３または図１４に示す第１電極部は、領域Ａにおいては第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）が第２バス電極１３１２に接続され、領域Ｂにおいて、第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）が第１バス電極１３１０に接続されることとなり、第１電極と第２電極との間に設けられる有機ＥＬ層のうち、領域Ａに対応した部分と、領域Ｂに対応した部分が、互いに独立して駆動されることとなる。

第１電極とバス電極の接続位置は、第１の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図１３および図１４に示すもの以外にも、例えば第１電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。また、図１３および図１４の例では絶縁膜は、第１電極基板上の一部、特にバス電極上に設けたが、本発明はこれに限定されず、第１電極基板上の全面に形成することができる。また、このようにすると、例えば、第１バス電極上に第１の絶縁膜を設け、この第１の絶縁膜上に第２バス電極を設けることができ、バス電極を段階的に形成することができる。さらに、図１３および図１４の例以外例でも、絶縁膜の側面部や端面、または絶縁膜の接続部などを形成する部分はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

次に、第２の例について説明する。第２の例は図１５から図１７に示すように、第１電極を領域Ａ、ＢおよびＣに３分割する例である。これらの図では、本発明の好ましい形態である、第１電極とバス電極の接続位置は隣接する第１電極の端面から等距離に形成される場合を示した。しかし、本発明では、上記第１の実施形態で説明したように、接続部の位置および形状は種々の形態をとることができる。

図１５の例では、第１バス電極および第２バス電極上の領域Ａ〜Ｃに絶縁膜を形成する。図１５（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１５（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）は、図１５（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’断面図、ｃ−ｃ’断面図およびｄ−ｄ’断面図である。第１電極（１３１４、１３１６、１３１８）の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第１電極基板の上に設けられた、表示部１３０２と、外部駆動回路との接続部および引き出し部１３０４とから構成されている。この表示部は、領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとを有し、絶縁膜がこれらの領域にわたって、第１電極部の一部に設けられる。

領域Ａには、図１５（ｂ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０および第２バス電極１３１２が第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１３２０に覆われている。第３バス電極１３３０は第１電極基板１３０８の主表面に設けられる。この第３バス電極１３３０上に第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）が設けられている。絶縁膜１３２０は領域Ａにおいて、第１および第２バス電極近傍に設けられる。第３バス電極は領域Ａに形成されている。図１５の例では、第３バス電極は絶縁膜で覆われていないが、絶縁膜は第３バス電極の接続部を除く、第３バス電極上を覆っていてもよい。領域Ａでは、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部に端面１３２４と平行に設けられている。

領域Ｂでは、図１５（ｃ）および（ｄ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０および第２バス電極１３１２が第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１３２０に覆われている。絶縁膜１３２０はバス電極近傍に設けられている。領域Ｂでは、絶縁膜１３２０から第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の中央部位置に延びた第２バス電極と第１電極が接続している（図１５（ｄ））。

領域Ｃでは、図１５（ｅ）の断面図に示すように、第１電極基板１３０８の表面に設けられた第１バス電極１３１０の上に第１電極（１３１４Ｃ、１３１６Ｃ、１３１８Ｃ）が設けられた構造を有する。領域Ｃでもバス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部に端面１３３２と平行に設けられている。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第３バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｃにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
第２の例においても、絶縁膜１３２０の少なくとも両側面部はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第１電極基板１３０８表面となす傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極（１３１４、１３１６、１３１８）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

次に図１６の例を説明する。この例では、絶縁膜１３２０を第１電極基板上の全面（ただし、バス電極と第１電極の接続部を除く）に設ける。図１６（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１６（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、図１６（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’断面図およびｃ−ｃ’断面図である。外部駆動回路との接続部・引き出し部、表示部（絶縁膜を除く）、第１電極、第１から第３バス電極の配置は図１５の例と同じである。表示部は、領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとを有する。

領域Ａでは、図１６（ｂ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０および第２バス電極１３１２が第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１３２０に覆われている。絶縁膜は、領域Ａにおいて第１電極基板の全面に形成される。第３バス電極は領域Ａに形成される。この第３バス電極１３３０上に第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）が設けられている。図１６の例では、第３バス電極は絶縁膜で覆われていない。領域Ａでは、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部で、第１電極の端面１３２４と平行に設けられている。

領域Ｂでは、図１６（ｃ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０および第２バス電極１３１２が第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１３２０に覆われている。絶縁膜１３２０は第２バス電極と第１電極の接続部を除いて、第１電極基板の全面に設けられる。領域Ｂでは、絶縁膜１３２０の第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の中央部位置に接続部のための開口部が延びており、この開口部で第１電極と第２バス電極が接続している。領域Ｂでもバス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部で、第１電極の端面１３２６、１３２８と平行に設けられている。

領域Ｃでは、図１６（ｄ）の断面図に示すように、第１電極基板１３０８の表面に第１バス電極１３１０と、絶縁膜１３２０が設けられる。領域Ｃでは、絶縁膜は第１バス電極と第１電極（１３１４Ｃ、１３１６Ｃ、１３１８Ｃ）との接続部を除いて、第１電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜上に第１電極（１３１４Ｃ、１３１６Ｃ、１３１８Ｃ）が設けられる。領域Ｃでもバス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部で端面１３３２と平行に設けられている。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第３バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｃにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
この例においても、絶縁膜１３２０は、少なくとも接続部でテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極（１３１４、１３１６、１３１８）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

次に図１７の例を説明する。図１７の例では、第１の絶縁膜１７０２と第２の絶縁膜１３２０の２種類の絶縁膜を用いる。

図１７（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）は、図１７（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’断面図、ｃ−ｃ’断面図およびｄ−ｄ’断面図である。外部駆動回路との接続部・引き出し部、表示部（絶縁膜を除く）、第１電極、第１から第３バス電極の配置は図１５の例と同じである。表示部は、領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとを有する。

領域Ａには、図１７（ｂ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０が第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは第１の絶縁膜１７０２に覆われている。絶縁膜１７０２は、領域Ａにおいて第１電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜１７０２上であって、第１バス電極の近傍に第２バス電極が設けられる。第２バス電極は、第２の絶縁膜１３２０で覆われており、この絶縁膜１３２０は、領域Ａにおいて第１の絶縁膜１７０２上の全面に設けられる。第３バス電極１３３０は第２の絶縁膜１３２０上に設けられる。この第３バス電極１３３０上に第１電極（１３１４Ａ、１３１６Ａ、１３１８Ａ）が設けられている。第３バス電極は領域Ａに形成される。領域Ａでは、バス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部に端面１３２４と平行に設けられている。

領域Ｂでは、図１７（ｃ）および（ｄ）の断面図に示すように、第１バス電極１３１０は第１電極基板１３０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１７０２に覆われている。これらの配置などは、領域Ａで説明した通りである。絶縁膜１７０２上で第１バス電極の近傍に第２バス電極１３１２が設けられる。第２バス電極は領域Ａ〜Ｂにわたって形成される。この第２バス電極上に第２の絶縁膜１３２０が設けられる。領域Ｂで、第２の絶縁膜１３２０には、第１電極（１３１４Ｂ、１３１６Ｂ、１３１８Ｂ）の中央部位置に接続部のための開口部が設けられており、この開口部を介して第１電極と第２バス電極とが接続している（図１７（ｄ））。

領域Ｃでは、図１７（ｅ）の断面図に示すように、第１電極基板１３０８の表面に設けられた第１バス電極１３１０の上に第１電極（１３１４Ｃ、１３１６Ｃ、１３１８Ｃ）が設けられた構造を有する。領域Ｃでは、第１バス電極が領域Ａ〜Ｃにわたって設けられる。この第１バス電極上で領域Ｃの第１電極基板上に第１の絶縁膜１７０２が設けられ、第２の絶縁膜１３２０が第１の絶縁膜上に設けられている。領域Ｃでもバス電極と第１電極の接続部は第１電極の中央部に端面１３３２と平行に設けられている。この接続部は、図１７（ｅ）に示されるように、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の両方を貫くように設けられた開口部に設けられる。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第３バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｃにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。

この例においても、絶縁膜１３２０の、少なくとも接続部が設けられる部分はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第１電極基板１３０８表面となす傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極（１３１４、１３１６、１３１８）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

第１電極とバス電極の接続位置は、第１の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図１５から図１７に示すもの以外にも、例えば第１電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。また、これらの例でも、絶縁膜の側面部や端面、および、絶縁膜の第１電極とバス電極の接続部などはテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

＜第３の実施形態＞
次に第３の実施形態を説明する。第３の実施形態は、バス電極を積層型と並列型を併用して設けるものである。
図１８を参照して、第３の実施形態を説明する。図１８の例は、第１の絶縁膜１８２０と第２の絶縁膜１１８４２の２種類の絶縁膜を用いる。また、第１バス電極と第２バス電極を積層型で形成し、第３バス電極をこれらと並列に形成する例である。

図１８（ａ）は、第１電極部の一部の平面図であり、図１８（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、図１８（ａ）のａ−ａ’断面図、ｂ−ｂ’断面図およびｃ−ｃ’断面図である。第１電極（１８１４、１８１６、１８１８）の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第１電極基板の上に設けられた、表示部１８０２と、外部駆動回路との接続部１８０４および引き出し部１８０６とから構成されている。この表示部は、領域Ａと、領域Ｂと、領域Ｃとを有する。絶縁膜は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が設けられ、第１の絶縁膜が領域Ａから領域Ｃの一部まで、第２の絶縁膜が領域ＡからＢの一部まで設けられる。

領域Ａには、図１８（ｂ）の断面図に示すように、第１バス電極１８１０が第１電極基板１８０８の主表面に設けられ、これは第１の絶縁膜１８４２に覆われている。絶縁膜１８４２は、領域Ａにおいて第１電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜１８４２上であって、第１バス電極の上に第２バス電極１８１２が設けられる。第２バス電極１８１２は、第２の絶縁膜１８２０で覆われており、この絶縁膜１８２０は、領域Ａにおいて第１の絶縁膜１８４２上の全面に設けられる。第３バス電極１８３０は第２の絶縁膜１８２０上に設けられる。この第３バス電極１８３０上に第１電極（１８１４Ａ、１８１６Ａ、１８１８Ａ）が設けられている。第３バス電極は領域Ａに形成される。図１８の例では、第３バス電極１８３０は、第１電極の引き出し部１８０６側で、端面１８２４と平行に設けられる。

領域Ｂでは、図１８（ｃ）の断面図に示すように、第１バス電極１８１０は第１電極基板１８０８の主表面に設けられ、これは絶縁膜１８４２に覆われている。これらの配置などは、領域Ａで説明した通りである。絶縁膜１８４２上で第１バス電極の上に第２バス電極１８１２が設けられる。第２バス電極は領域Ａから領域Ｂの引き出し部１８０６側まで設けられる。この第２バス電極上に第２の絶縁膜１８２０が設けられる。領域Ｂで、第２の絶縁膜１８２０には、第１電極（１８１４Ｂ、１８１６Ｂ、１８１８Ｂ）の引き出し部側の端面１８２６近傍に接続部のための開口部が設けられており、この開口部を介して第１電極と第２バス電極とが接続している。

領域Ｃでは、図１８（ｄ）の断面図に示すように、第１電極基板１８０８の表面で領域Ｃの引き出し部側まで設けられた第１バス電極１８１０の上に第１電極（１８１４Ｃ、１８１６Ｃ、１８１８Ｃ）が設けられた構造を有する。なお、第１バス電極は領域Ａ〜Ｃにわたって設けられる。図１８の例では、第１の絶縁膜は、この第１バス電極の端部１８３２近傍に設けられた接続部まで、領域Ａから形成されている。第１の絶縁膜１８４２は、第１バス電極１８１０と第１電極（１８１４Ｃ、１８１６Ｃ、１８１８Ｃ）の接続部において、開口部または切り欠き部を有し、この部分で第１バス電極１８１０と第１電極（１８１４Ｃ、１８１６Ｃ、１８１８Ｃ）が電気的に接続される。

このような構造の第１電極部を備える有機ＥＬ発光素子は、領域Ａにおける第３バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｂにおける第２バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）と、領域Ｃにおける第１バス電極に接続された第１電極と第２電極（図示せず）との間に配置された有機発光層（図示せず）とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
この例においても、第１の絶縁膜１８４２と第２の絶縁膜１８２０において、少なくとも接続部が設けられる部分はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極（１８１４、１８１６、１８１８）の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

第１電極とバス電極の接続位置は、第１の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図１８に示すもの以外にも、例えば第１電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。また、これらの例でも、絶縁膜の側面部や端面、および、絶縁膜の第１電極とバス電極の接続部などはテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は７°以上３０°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第１電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は７°以上１０°未満である。

上述した各実施形態においても、絶縁膜は、バス電極間を絶縁する機能と、接続が意図される分割された第１電極およびバス電極以外の、第１電極とバス電極間を絶縁する機能と、バス電極上に形成される有機ＥＬ層との絶縁（例えば有機ＥＬ層の正孔注入層への正孔の注入を防ぐ）機能を有する。

以上説明してきたように、本発明の有機ＥＬ発光素子は第１電極を所定の数に分割し、これをバス電極で外部回路と接続することで、分割された領域の第１電極を独立に駆動する。本発明では、有機ＥＬ発光素子の第１の電極を素子の中央で走査線方向に２つに分割（即ち、素子の上下方向に２分割）し、かつ、この２分割した第１電極を上記のような所定数に分割することができる。本発明では、このような構成とすることが好ましい。走査線方向に２つに分割された第１電極の端子（バス電極）を上下２方向から取り出し、外部駆動回路へ接続する。

＜絶縁膜＞
以下に本発明の絶縁膜の形成位置についてバス電極との関係で述べる。本発明では、先に述べてきたように絶縁膜は複数のバス電極間を絶縁するためなどの目的に設けられるが、この目的を達成する限り、有機ＥＬ発光素子の外部駆動回路との接続部、引き出し部、表示部の種々の位置に配置することができる。しかし、本発明では、特定の位置に絶縁膜を設けることによりバス電極の短絡防止、バス電極のピッチの確保など、種々の目的を達成することができ、高精細で長期にわたって安定に駆動する有機ＥＬ発光素子を得ることができる。

本発明では、絶縁膜を引き出し部や外部接続回路との接続部などにも設けることにより上記の効果を発揮させることができる。図１９および図２０は、このような絶縁膜の配設例である。なお、先の図１８に示した例も、絶縁膜を引き出し部１８０６まで形成した例であり、以下に説明する絶縁膜の効果と同一の効果を有する。

図１９および図２０は、バス電極都第１電極の配列のパターンの一例をなしており、且つ絶縁膜を引き出し部１９０４または外部駆動回路との接続部１９０２の一部分まで形成した一例である。従って、以下の例も上記の実施形態の一部であり、バス電極都第１電極の配列のパターンから生じる本発明の効果を併せ持つ。

図１９（ａ）は、第１バス電極１９１６および第２バス電極１９１８の、第１電極との接続部を第１電極の側面に沿って形成し、絶縁膜を引き出し部１９０４から領域Ｂの引き出し部側の部分まで設けた例である。図１９（ｂ）は、第１バス電極１９１６および第２バス電極１９１８の、第１電極との接続部を第１電極の引き出し部側に設けた例である。この例では、絶縁膜は、接続部で第１電極と第１バス電極または第２バス電極が電気的に接触できるように開口部を設ける。

図１９（ａ）および（ｂ）の例では、第１バス電極上に絶縁膜１９１４が形成され、この絶縁膜上に第２バス電極１９１８が形成されている。従って、第１バス電極と第２バス電極は絶縁膜を介して離隔されているため、引き出し部においてバス電極間のピッチは、第１バス電極と第２バス電極を第１電極基板上に並列して設けた場合に比べ、２倍広くとることができる。

図２０（ａ）は、図１９（ｂ）と同様の構成であるが、絶縁膜を、引き出し部と、外部駆動回路との接続部１９０２の一部分まで形成し、第２バス電極の端部を絶縁膜上にとどめたものである。図２０（ｂ）は、絶縁膜を外部駆動回路との接続部１９０２の一部に形成し、第２バス電極の端部を絶縁膜上にとどめた例である。

図２０（ａ）および（ｂ）の例では、第１バス電極上に絶縁膜１９１４が形成され、この絶縁膜上に第２バス電極が形成されている。また、外部駆動回路との接続部も２つの領域（絶縁膜を設けた部分と設けていない部分）に分けられており、接合部を含めてバス電極間ピッチを広くとることができる。従って、隣接したバス電極間でのパターンニング不良による短絡を防止することができる。また、第１バス電極と第２バス電極は絶縁膜を介して離隔されているため、第２バス電極と外部駆動回路のフレキシブルプリント基板との接続に際して、位置ずれがあっても短絡を起こさない。

図２０（ｃ）の例は、図１９（ｂ）の絶縁膜を、第１バス電極と第１電極、および第２バス電極と第１電極の接続部、並びに、外部駆動回路の接続部を除いて全面に設けた例である。この場合も絶縁膜は、図１９で述べた効果を奏する。

以上説明した通り、本発明の有機ＥＬ発光素子は、第１電極の構成に特徴を有する。この他、本発明の有機ＥＬ発光素子は、分割された個々の第１電極の端部を被覆し、かつ、発光領域を規定する目的で絶縁層を形成するようにしてもよい。この場合には、絶縁層として、無機酸化物やアクリレート等のネガ型のフォトレジスト、または、ポリイミド材料を用いることができ、フォトリソグラフィ等の方法でパターンニングを行うことができる。

さらに、第１電極と直交する方向であって、第２電極の間の部分に第２電極分離隔壁を形成するようにしてもよい。この場合には、第２電極分離隔壁にはアクリレート等のネガ型のフォトレジストやノボラック樹脂等のネガ型フォトレジストを用いることができる。第２電極分離隔壁は逆テーパー形状を有しており、有機ＥＬ層や第２電極のパターンニング機能をもつ。

第２電極を目的の形状に成膜するために、その形状に開口部を有するマスクを用いる場合には、上記の第２電極分離隔壁を用いずに有機ＥＬ層や第２電極を成膜することができる。

本発明の有機ＥＬ発光素子では、領域を２つに分割する場合には、バス電極は、第１バス電極のように引き出し部から離れた箇所まで設置するものに、第２バス電極よりも比較的電気抵抗の低い材料（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、またはこれらの合金）を使用し、第２バス電極に、これよりも電気抵抗の高い材料（Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗなど）を用いることにより配線抵抗をほぼ同一にすることができる。また、領域を３つに分割する場合には、第１および第３バス電極は、上述のような関係とし、第２バス電極をこれらの中間の電気抵抗の材料を用いることにより、バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることができる。さらに、バス電極は、バス電極の幅および／または膜厚を第１バス電極で大きくとり、第２バス電極、第３バス電極となるにつれてバス電極の幅および／または膜厚を順次小さくとることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることもできる。このようにすることで、バス電極間の配線抵抗による電圧降下の値を各領域でほぼ等しくすることができ、各領域の輝度の差を解消することができる。

次に、図１に示す本発明の有機ＥＬ発光素子の製造方法を説明する。以下では、多色有機ＥＬ発光素子を例に取り説明するが、いわゆるモノクロ有機ＥＬ発光素子の場合は、色変換フィルタの形成を省略すればよい。また、以下の説明では、第１電極１０４が陽極であり、第２電極１０６が陰極である場合を例にとる。

第１の工程では、色変換フィルタを有する第１電極基板を提供する。本明細書において、色変換フィルタを有する有機ＥＬ発光表示素子または多色有機ＥＬ発光表示素子とは、少なくとも色変換フィルタと有機発光素子を含む有機ＥＬ発光表示素子を意味する。本明細書において色変換フィルタとは、色変換フィルタ層を含み、その他、例えば透明な基板、ブラックマトリックス、平坦化層、パッシベーション層などを任意に含むものである。色変換フィルタ層とはカラーフィルタ、色変換層、およびカラーフィルタと色変換層との積層体の総称である。色変換層は、有機発光層で発光される光を波長分布変換して異なる波長の光として発光するものである。カラーフィルタは、波長分布変換を行わず特定の波長域の光を透過させるものである。また、有機ＥＬ発光素子とは、第１電極、有機発光層および第２電極を少なくとも含む有機エレクトロルミネセンス素子を意味する。有機ＥＬ発光素子は、いずれの発光色のものを用いることができるが、例えば、青色ないし青緑色領域の光や白色光を発する素子を用いることができる。色変換フィルタと有機ＥＬ発光素子の組み合わせとしては、例えば青色ないし青緑色領域の光を発する素子の場合、青色カラーフィルタと、蛍光色素によって緑色領域の光または赤色領域の光に変換する緑色変換フィルタ層および赤色変換フィルタ層を組み合わせることができる。また、白色光を発する素子を用いる場合には、青、緑および赤のカラーフィルタの組み合わせを用いることができるが、カラーフィルタと色変換フィルタの一方または両方を用いることもできる。

本発明では、有機発光表示素子は図１を参照して冒頭に述べた通り、ボトムエミッション型、トップエミッション型の何れの方式であってもよく、色変換フィルタを有機発光素子上に積層したものまたは色変換フィルタと有機発光素子を貼り合わせたものなど種々の形態のものである。また、本発明の多色有機ＥＬ発光表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式である。本発明では、多色有機発光表示素子の色変換フィルタおよび有機発光素子は、さらに平坦化層やパッシベーション層を含むことができる。なお、図１において、多色有機発光表示素子は、複雑化を避けるため一画素として表したが、もちろん複数画素からなる多色有機発光表示素子であってもよい。

以下に、第１の工程を説明する。本工程の第１の実施形態は、図１（ａ）のボトムエミッション方式で積層型のパッシブマトリックス型多色有機発光表示素子である。まず、図１（ａ）の多色有機発光表示素子の製造方法について説明する。この工程では、透明な支持基板１０２上に、ブラックマトリックス１０８をパターン形成し、色変換フィルタ１１０をまず形成する。第１の実施形態では、支持基板１０２として、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板などを用いることができる。あるいはまた、ポリマーフィルムを支持基板１０２として用いてもよい。

具体的な製造方法は、例えば黒色の無機層、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層等を、例えばコーニング社製のガラスのような透明基板上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート法のようなウエットプロセスにより形成することができ、フォトリソグラフィ法等によりパターンニングしてブラックマトリックス１０８を形成することができる。次に、染料または顔料を含有したマトリックス樹脂を、ブラックマトリックス１０８を設けた透明基板１０２上にスピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィ法などによりパターンニングを行うことにより色変換フィルタ１１０を形成する。

また、例えば、マトリックス樹脂は、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂からなる。これを、光および／または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、樹脂を不溶不融化させて、色変換フィルタ層を形成する。

色変換フィルタに使用される染料または顔料には有機蛍光色素がある。例えば、有機ＥＬ層から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、べ一シックバイオレット１１、べーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１３−ブタジエニル］−ピリジウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。有機ＥＬ層から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、または、クマリン色素系染料であるべーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。なお、本発明に用いることができる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料（本明細書中で、前記２つを合わせて有機蛍光色素と総称する）は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために二種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に用いる有機蛍光色素は、色変換フィルタ層に対して、この変換フィルタ層の重量を基準として０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜２重量％の量で含有される。有機蛍光色素の含有量が０．０１重量％未満の場合には、十分な波長変換を行うことができず、その含有量が５％を越える場合には、濃度消光等の効果により色変換効率の低下が起こる。これらの成膜条件は、従来の条件を適用すればよい。

本発明では、続いて平坦化層１１２、パッシベーション層１１４を形成する。これらの形成方法は、例えば、上記の色変換フィルタ層上に、平滑化層を形成するための材料を、スピンコート法等で塗布し、オーブンのような加熱手段でベーキングすることが含まれる。パッシベーション層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により成膜することができる。平坦化層およびパッシベーション層の材料、膜厚、成膜などの諸条件は従来の通りである。例えば、平坦化層などは、当該技術に知られている任意の材料により形成することができる。好ましくは、無機酸化物または窒化物、あるいはポリイミドまたはアクリル樹脂から形成される。パッシベーション層は、例えば、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ、ＡｌＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＴａＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘ等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。また、パッシベーション層として種々のポリマー材料を用いることができる（例えば、イミド変性シリコーン樹脂、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂、フッ素系樹脂、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂など）。

次に、第１電極１０４を含む第１電極部の作製（第２工程）、並びに、有機発光層１１６および第２電極１０６の作製（第３工程）について説明する。

以下に第１電極部の形成について説明するが、上述のように、本発明の第１電極部は、バス電極、分割された第１電極、絶縁膜から形成される。第１電極部の形成を、図面を参照して具体例に基づいて説明する。以下の説明での具体例は、第１電極が２つの領域ＡおよびＢに分割して形成される場合に関する。以下の具体的な製造工程の説明で参照する図面は、各工程が２つの断面図から構成されており、これらは上部が領域Ａ、下部が領域Ｂの部分を表す断面図である。なお、２以上に第１電極を分割する場合には、以下に説明する手順を適宜選択して繰り返し適用することで第１電極部を形成することができる。

まず、積層型でバス電極を形成する場合について、図２１および図２２を参照して説明する。図２１は、図５で説明した積層型の第１電極の製造工程を示すものであり、図２２は、図８で説明した積層型の第１電極部の製造工程を示すものである。

図２１の例では、第１電極基板上５１４に第１バス電極５１６を形成する。この第１バス電極は、外部駆動回路との接続部から表示部（領域Ｂ）まで形成される。この第１バス電極の材料としては、前述の通りＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｌ合金およびこれらの合金等を用いることができる。さらに、第１バス電極は、スパッタ法等の成膜方法により膜形成した後にフォトリソグラフィによりパターンニングを行うことで形成可能であり、リフトオフ法やマスク成膜法等により形成してもよい。

次に、絶縁膜５２０を形成する（図２１（ｂ））。領域Ａのうちの第１バス電極５１６と第２バス電極５１８とが立体的に構成されている領域部分に、少なくとも第１電極５１６の上部を被覆するように形成する。形成方法としては、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどによるパターンニング技術が応用可能である。

この絶縁膜５２０には、無機酸化物やアクリレート等のネガ型のフォトレジストやポリイミド材料を用いることが可能である。本発明では、ノボラック樹脂（特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂）が好ましい。これは、ノボラック樹脂上には第１電極を断線することなく形成可能であること、および、ノボラック樹脂が素子の駆動に充分な絶縁耐圧をもっていることによる。さらに、ノボラック樹脂（特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂）を用いることとすると、絶縁膜の側面や端部の形状（すなわちテーパー形状）が緩やかになる利点がある。また、この絶縁膜５２０の端部が第１電極基板５１４の主表面となす傾斜角度が７°以上３０°未満となるように設計すると、第１電極５０２、５０４、５０６の導電性を充分に確保することができる。熱硬化性成分を含むノボラック樹脂を用いる場合、パターンニングの後のポストベークの温度で絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度を制御することができる。本発明の好ましい範囲とするためには、ポストベーク温度は１７０℃〜２００℃、下記実施例では１８０℃とした。

次に、絶縁膜５２０の上に第２バス電極５１８を形成する（図２１（ｂ））。第２バス電極５１８は、外部駆動回路との接続部から表示部（領域Ａ）まで形成される。この第２バス電極５１８の材料としては、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｌ合金およびこれらの合金等を用いることができ、第１バス電極５１６と同様に、フォトリソグラフィ等によるパターンニングが可能である。

本発明の有機ＥＬ発光素子では、第２バス電極５１８は第１バス電極５１６よりも配線長が短い。このため、第２バス電極５１８の材料としてＭｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｎｉ等の高抵抗金属を用い、第１バス電極５１６の材料にＡｌやＡｌ合金等の低抵抗金属を用いるようにすれば、ディスプレイパネル内での電圧降下を均一にすることが可能となる。これは本発明の利点である。

この第２バス電極５１８の形成に続いて、パターン化した第１電極５０２、５０４、５０６を第１バス電極５１６と第２バス電極５１８上に形成する（図２１（ｃ））。この第１電極５０２、５０４、５０６の材料としては、ＩＴＯ、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、ＡＴＯ等を用いることができ、特に、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物を用いることとすれば、室温成膜により比較的低抵抗な膜が得られ、かつ、弱酸（例えば蓚酸）によるパターンニングが可能となるので好ましい。この第１電極５０２、５０４、５０６は、スパッタ法等の方法で成膜し、フォトリソグラフィによりパターンニングを行うことができる。

図２１の例では、絶縁膜をバス電極近傍に形成したが、同様の手順で絶縁膜を領域Ａ全面に設けることができる。このような場合には、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いればよい。絶縁膜は、引き出し部や外部駆動回路との接続部へも形成することができる。

また、バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第１電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第１電極部を形成することができる。

図２２の例に基づいて、製造工程を説明する。図２２では、絶縁膜５２０を領域ＡおよびＢに形成する。

まず、第１電極基板５１４上に第１バス電極５１６を形成する（図２２（ａ））。第１バス電極の材料および形成方法は、図２１の例で説明した通りである。

次に、絶縁膜５２０を領域Ａから領域Ｂにわたって形成する（図２２（ａ））。絶縁膜は、領域Ｂにおいて、第１バス電極と第１電極５０２Ｂ、５０４Ｂ、５０６Ｂが接触する位置に開口部５２４を形成する。このような開口部を有する絶縁膜は、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどによるパターンニング技術を応用して成膜することが可能である。絶縁膜の材料等は上述の通りであるが、この例では、領域ＡおよびＢに絶縁膜を形成するので、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる。絶縁膜は、引き出し部や外部駆動回路との接続部へも形成することができる。

次に、引き出し部を介して外部駆動回路との接続部から領域Ａにまで第２バス電極を形成する（図２２（ｂ））。形成方法および材料等は図２１で説明した通りである。

次に、この第２バス電極５１８の形成に続いて、パターン化した第１電極５０２、５０４、５０６を第１バス電極５１６と第２バス電極５１８上に形成する（図２２（ｃ））。

バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第１電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第１電極部を形成することができる。

次に並列型の第１電極部の形成工程を、図２３を参照して説明する。図２３は、図１４で説明した並列型の第１電極部の製造工程を示すものである。

まず、第１電極基板１３０８上に第１バス電極１３１０と第２バス電極１３１２を形成する（図２３（ａ））。この第１バス電極と第２バス電極は、外部駆動回路との接続・引き出し部から表示部まで形成される。第１バス電極および第２バス電極の材料および成膜法は図２１および図２２で説明した通りである。なお、第１バス電極と第２バス電極は同じ材料でも異なる材料でもよいが、上述のように第１バス電極を抵抗の小さい材料とし、第２バス電極をより抵抗の大きい材料とすることで、領域間の輝度のばらつきを防止できる。このように第１バス電極と第２バス電極で材料み異なったものを使用する場合には、第１バス電極と第２バス電極を別々に２段階で形成すればよい。

次に絶縁膜１３２０を形成する（図２３（ｂ））。絶縁膜は、少なくとも領域Ａにおいて、第１バス電極１３１０と第１電極１３１２、１３１４、１３１６とが立体的に構成される部分に、第１バス電極１３１０の上部を被覆するように形成する。この絶縁膜１３２０の材料（特に好ましい材料は、ノボラック樹脂（特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂）である）、成膜方法などは、図２１、図２２で説明した通りである。この例においても、絶縁膜１３２０は、テーパー形状に形成することが好ましい。テーパー形状の傾斜角度などは先に説明した通りである。

この例においても、例えば、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる場合には、第１バス電極と第１電極との接続部、および、外部駆動回路との接続部を除いて全面に形成する方法や、第１バス電極と第１電極の接続部および第２バス電極と第１電極の接続部、並びに、外部駆動回路との接続部を除いて全面に形成する方法も可能である。

次に、パターン化した第１電極１３１２、１３１４、１３１６を領域Ａと領域Ｂに形成する。この第１電極の材料としては、図２１および図２２の例で説明した通りである。

図２３の例では、第１バス電極と第２バス電極を第１電極基板上に形成する例を示したが、本発明では、図２１および図２２で説明したような手順に従って、第１バス電極を形成し、次いで絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第２バス電極を形成するというような逐次形成法を用いてもよい。

また、バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第１電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第１電極部を形成することができる。

積層型と並列型を併用する場合の製造工程は、上記の製造工程を適宜組み合わせればよい。例えば図１８に示す例の場合、第１電極基板上に第１バス電極１８１０を形成する。次いで、次に第１の絶縁膜１８４２を形成する。第１の絶縁膜は、例えば引き出し部から領域Ｃの引き出し部に近い側の一部まで形成される。第１の絶縁膜は、第１バス電極と第１電極を電気的に接続するための開口部が形成されるようにパターンニングされている。この第１の絶縁膜上に第２バス電極１８１２を形成する。次いでこの第２バス電極１８１２上には、第２の絶縁膜が、例えば引き出し部から領域Ｂの引き出し部に近い側の一部まで形成される。第２の絶縁膜は、第２バス電極と第１電極を電気的に接続するための開口部が形成されるようにパターンニングされている。次に、第２の絶縁膜上に第３バス電極１８３０を形成する。

次に、この第３バス電極１８３０の形成に続いて、パターン化した第１電極１８１４、１８１６、１８１８を第１バス電極からと第３バス電極に接続するように形成する。

バス電極の形成と絶縁膜の形成を適宜選択して繰り返すことで、第１電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第１電極部を形成することができる。

次に、第３の工程を説明する。
上述のようにして得られた第１電極上に有機発光層１１６を形成する。有機発光層１１６は、抵抗加熱蒸着装置などを用いて、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜すればよい。なお、有機発光層１１６はこの構成に限らず、例えば、以下のような種々の形態をとりうる。それぞれの形態においても、各層は抵抗加熱蒸着装置などを用いて成膜すればよい。以下の例では、第１電極および第２電極を含めた構成を示した。

（Ａ）陽極／有機発光層／陰極
（Ｂ）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（Ｃ）陽極／有機発光層／電子輸送層／陰極
（Ｄ）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子輸送層／陰極
（Ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極
（Ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極

この後、第１電極のラインと垂直なストライプパターンが得られるマスクを用いて第２電極（陰極）１０６を、真空を破らずに形成する。

第１電極、有機発光層および第２電極の材料は上述のような従来より知られたものを用いることができる。例えば、陽極である第１電極は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明電極を用いることができ、陰極である第２電極は、例えば、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物などの材料を用いることができる。有機ＥＬ層の各層の材料は、公知のものが使用できる。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。電子注入層としては、上記電極の欄で説明した仕事関数の小さな材料を使用することができる。また、電子輸送層としては、金属錯体系（Ａｌｑ３）とオキサジアゾール、トリアゾール系化合物等を用いることができる。また、正孔注入層としては、芳香族アミン化合物、スターバースト型アミンや、ベンジジン型アミンの多量体および銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などを用いることができる。正孔輸送層としては、スターバースト型アミン、芳香族ジアミンなどを用いることができる。その他、第１電極、有機発光層および第２電極の膜厚などの諸条件は従来の通りである。

得られた色変換フィルタを含む有機ＥＬ層は、封止工程に供され、封止された有機ＥＬ発光素子となる。封止工程では第２電極を形成した後に、酸化シリコンや、酸化窒化シリコンなどの無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス板、ＳＵＳ板、ポリカーボネートなどのフィルムを、ＵＶ硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いて基板と接着させる方法を用いることができる。封止の条件は従来の通りである。

次に、第２の実施形態の多色有機発光表示素子の製造方法を説明する。第２の実施形態は、図１（ｂ）に示されるトップエミッション方式で積層型の多色有機発光表示素子２０の製造方法である。

第２の実施形態では、支持基板１０２上に第１電極１０４を形成する工程（第１工程）、有機発光層１１６、第２電極１０６、パッシベーション層１１４ａを設けて有機ＥＬ層を形成し（第２工程）、さらにその上に色変換フィルタを形成（第３工程）すればよい。有機発光素子は、支持基板１０２上に第１電極部、有機発光層および第２電極を形成すればよい。この第２電極を形成した後に、従来の手順に従ってパッシベーション層１１４ａをさらに形成する。本実施形態でも第１電極部は第１の実施形態で説明した手順で形成することができる。

次いで、このパッシベーション層上に、スピンコート法およびフォトリソグラフィ法を併用して、ブラックマトリックス１０８、色変換フィルタ層１１０形成する。パッシベーション層および色変換フィルタ層の形成は、従来の方法を適用すればよい。得られた色変換フィルタを含む有機発光素子は、封止工程に供され、封止されて本発明の有機ＥＬ発光素子となる。封止工程では第２電極を形成した後に、酸化シリコンや、酸化窒化シリコンなどの無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス板、ＳＵＳ板、ポリカーボネートなどのフィルムを、ＵＶ硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いて基板と接着させる方法を用いることができる。

次に、第三の実施形態の多色有機発光表示素子の製造方法を説明する。第三の実施形態は、図１（ｃ）に示されるトップエミッション方式で貼り合わせ型の多色有機発光表示素子３０、４０の製造方法である。本実施形態は、パッシブマトリックス型（図１（ｃ））多色有機発光表示素子である。

第三の実施形態では、支持基板１０２上に第１電極１０４を形成する（第１工程）。次いで、有機発光層１１６および第２電極１０６を作製する（第２工程）。

第２電極１０６を設けた後、パッシベーション層１１４ａを従来の手順に従って設ける。

次に、第３工程として、透明基板１１８上に、例えばブラックマトリックス１０８、色変換フィルタ層１１０をスピンコート法およびフォトリソグラフィ法を併用して色変換フィルタ層を形成し、次いで平坦化層１１２ｂ、およびパッシベーション層１１４ｂを形成して色変換フィルタを作製する。次いで、上述のように形成された有機発光素子と色変換フィルタを、ＵＶ硬化接着剤などの外周封止層１２０を用いて接着し、封止すればよい（封止工程）。封止の条件などは従来の条件を用いればよい。以上のようにして図１（ｃ）に示される本発明の有機ＥＬ発光素子を得ることができる。

本発明の有機ＥＬ発光素子について実施例によりさらに詳細に説明する。
以下の説明では、図２４および図２５を参照する。以下の実施例では、有機ＥＬ発光素子は画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍで形成した。本実施例では、図２４に示すように有機ＥＬ発光素子の表示部を２つの領域（領域１：領域Ａ１、Ｂ１と領域２：領域Ａ２、Ｂ２）のように中央で分割し、この分割した領域１と領域２の第１電極を２分割する例である。領域１と領域２の各々に設けられる第１バス電極および第２バス電極は、それぞれ外部駆動回路への接続部２４１０Ａ、２４１０Ｂの上下２方向から取り出す。この実施例に示すような構造とすることにより、本実施例では画面を走査線方向に４つの領域に分割し、デューティー比を１／６０とした。

図２４は、本実施例の有機ＥＬ発光素子の電極構造を表した図であり、この図においてじゃ、煩雑を避けるため絶縁膜を省略した。図２５は、第１電極部に設けられる絶縁膜３４を表した図である。図２４では、２４０４は第１バス電極、２４０２は第２バス電極、２４１０Ａおよび２４１０Ｂは第１バス電極および第２バス電極の接続電極群（外部駆動回路への接続部）を表し、２４１４Ａおよび２４１４Ｂは第１バス電極および第２バス電極の引き出し部を表す。２４１２Ａおよび２４１２Ｂは第２電極の接続電極群である。図２５において、図２５（ａ）は有機ＥＬ発光素子の発光部の平面図であり、図２５（ｂ）および（ｃ）は図２５（ａ）のａ−ａ’断面図およびｂ−ｂ’断面図である。図２５では、絶縁膜は第１電極と、第１バス電極および第２バス電極都の接続部に開口部３６を設けた以外、表示部の全面に設けられている。図２５（ｂ）および（ｃ）では、開口部３６の周囲を４０の部分で表した。開口部は引き出し部および表示部の中央部近傍の位置に形成した例を示した。本発明では、バス電極の配列およびこれらの形成される位置、絶縁膜の配置などに合わせて開口部を適切に設ける。

なお、図２４および図２５では、第１バス電極および第２バス電極は、それぞれ、引き出し部および表示部の中央部近傍の位置まで形成した例を示したが、以下の実施例に示すように第１バス電極および第２バス電極の配列およびこれらの形成される位置は種々の形態をとりうる。また、絶縁膜も種々の形態をとりうる。

この有機ＥＬ発光素子の発光部の基本構成は図１および図２に示したものと同様である。従って、多色有機ＥＬ発光素子の場合、図２４および図２５で示した発光部の第１電極側、または第２電極側に色変換フィルタを設ける。

（実施例１）
本実施例は、積層型の無機膜層を適用した場合の本発明の有機ＥＬ発光素子の性能比較例である。以下に、この有機ＥＬ発光素子の作製プロセスを説明する。

［青色フィルターの作製］
透明支持基板１０２としてのコーニングガラス^ＴＭ（１００×１００×０．７ｍｍ）上に、厚さ１．５μｍのブラックマトリックス（富士フイルムアーチ社製、ＣＫ７８００）を形成し、青色フィルター材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタ層１１０Ｂの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［緑色変換フィルタ層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ、塗布溶液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である、透明支持基板１０２上に、スピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルター層１１０Ｇの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［赤色変換フィルター層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ、塗布溶液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタ層のラインパターンが形成済である、透明支持基板１０２上に、スピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタ層１１０Ｒの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［平坦化層（高分子膜層）の作製］
これらの色変換フィルタ層１１０の上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート；ＪＳＲ社製、ＮＮ８１０）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚８μｍで高分子膜層１１２を形成した。このとき、色変換フィルタ層のパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層１０９の上面は平坦であった。

［パッシベーション層（無機膜層）の作製］
室温において、ＤＣスパッタ法によりＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。

［第１バス電極の形成］
第１バス電極２４０２としてＡｌパターンを形成した。第１バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示パネル内の、領域１および領域２の所定部位（本実施例では表示部内の中央部までの領域）まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。この第１バス電極の抵抗率はおよそ８．０×１０^−６Ωｃｍであった。

［絶縁膜の形成］
ノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト（ＪＳＲ社製ＪＥＭ７００Ｒ２）を用い、厚さ１μｍの絶縁膜３４をフォトリソグラフィ法により形成した。ポストベークにより絶縁膜と支持基板１０２とのなす角度（テーパー角）が約１０°となるように制御した。絶縁膜３４と支持基板１０２とがなすテーパー角は、フォトリソグラフィ法によるパターン形成直後は約７０°であるが、ポストベークによりテーパー形状が変化する。表１は、ポストベーク温度とテーパー角との関係をまとめたものである。なお、絶縁膜を第１バス電極と第１電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。

なお、この結果は、何れの温度でのポストベークも６０分間実施して得られたものであり、本実施例では１８０℃で６０分間のポストベークを行っている。

［第２バス電極の形成］
第２バス電極２４０４としてＭｏパターンを形成した。第２バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部の領域Ａの端部から所定の位置（本実施例では領域Ａと領域Ｂの境まで）の位置まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＭｏ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＭｏを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。この第２バス電極２０４の抵抗率はおよそ１．５×１０^−５Ωｃｍであった。

第１バス電極２４０４としてＡｌ、第２バス電極２４０２としてＭｏを用いることにより、何れの電極にもＭｏを用いた場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ５０％に小さくできることが確認できた。

［第１電極の形成］
第１電極２４０６としてＩｎ−Ｚｎ酸化物パターンを形成した。第１電極は表示領域に走査線方向に４つの領域に分割して形成される。ＤＣスパッタ法により、室温でＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を２００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＩｎ−Ｚｎ酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後にシュウ酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５８μｍ、間隙７μｍのパターンを形成した。

［有機発光層および第２電極の作製］
以上の工程に続き、第１電極２４０６を形成した第１電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層１２４、正孔輸送層１２６、有機発光層１２８、電子注入層１３０を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。発光層は４，４′−ビス［２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層はアルミキレート（Ａｌｑ）を２０ｎｍ積層した。

この後、第１電極（２４０６）のラインと垂直に幅０．１６５ｍｍ、空隙０．０３ｍｍギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極（陰極）２４０８を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。

（比較例）
画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍのパネルにおいて、信号線を第１電極のみで形成し、駆動デゥーティ１／２４０のパネルを形成した（比較例１）。また、画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍのパネルにおいて、信号線を第１電極のみで形成し、中央部で分割することにより駆動デゥーティ１／１２０のパネルを形成した（比較例２）。

上述した実施例および比較例１および比較例２で得られた３つのパネルについて、駆動周波数６０Ｈｚの線順次走査、１画素当たりの電流量７５μＡの条件下で、１０００時間の連続駆動を行った後にパネルの平均輝度変化の比較評価を行った。

表２は、この評価の結果を纏めたものである。

この結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ発光素子の輝度は評価前後で変化が認められず、駆動による輝度低下が認められないのに対し、比較例１および比較例２の有機ＥＬ発光素子の輝度は評価前後で顕著な低下が認められる。すなわち、本発明の有機ＥＬ発光素子の構成とすることで、輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。

（実施例２）
以下に、第２の実施例を説明する。この実施例では、有機ＥＬ発光素子は画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍで形成した。第１電極の分割は実施例１と同様であり、デューティー比は１／６０である。本実施例では、第１バス電極と第２バス電極を並列に設ける並列型の例である。並列型の場合、実施例１と同様に第１バス電極上に絶縁膜を形成し、この上に第２バス電極を形成することができる。

以下に、この有機ＥＬ発光素子の各作製プロセスを説明する。

［青色フィルターの作製］
透明支持基板としてコーニングガラス^ＴＭ（５０×５０×１．１ｍｍ）を用い、この上に厚さ１．５μｍのブラックマトリックス（富士フイルムアーチ社製、ＣＫ７８００）を形成し、青色フィルター材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［赤色変換フィルター層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［平坦化層（高分子膜層）の作製］
これらの色変換フィルタの上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート；ＪＳＲ社製、ＮＮ８１０）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚８μｍで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。

［パッシベーション層（無機膜層）の作製］
室温において、ＤＣスパッタ法によりＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。

［第１バス電極の形成］
第１バス電極としてＡｌパターンを形成した。第１バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域１および領域２の所定部位まで（本実施例では表示部内の約１／４までの領域）配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。このようにして形成した第１バス電極（Ａｌ電極）の抵抗率はおよそ８．０×１０^−６Ωｃｍであった。

［絶縁膜の形成］
絶縁膜としてＳｉＯｘ膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを、第１バス電極と第１電極との接合部および外部駆動回路との接合部に形成した。次いで、ＤＣスパッタ法により室温においてＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ形成した後に、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１バス電極と第１電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。

［第２バス電極の形成］
第２バス電極としてＭｏパターンを形成した。第２バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部の端部の位置（引き出し部に近い側）まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＭｏ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＭｏを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。この第２バス電極（Ｍｏ電極）の抵抗率はおよそ１．５×１０^−５Ωｃｍであった。

第１バス電極としてＡｌ、第２バス電極としてＭｏを用いることにより、第１および第２バス電極ともにＭｏを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ５０％に小さくできることが確認できた。

［第１電極の形成］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物パターンを形成した。第１電極は表示領域に走査線方向に４つの領域に分割して形成される。ＤＣスパッタ法により、室温でＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を２００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＩｎ−Ｚｎ酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５８μｍ、間隙７μｍのパターンを形成した。

［有機発光層および第２電極の作製］
以上の工程に続き、第１電極を形成した第１電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。発光層は４，４′−ビス［２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層はアルミキレート（Ａｌｑ）を２０ｎｍ積層した。

この後、第１電極のラインと垂直に幅０．１６５ｍｍ、空隙０．０３ｍｍギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極（陰極）を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。

本実施例では、上記のように第１バス電極と、絶縁膜と、第２バス電極とを順次形成する以外に、図１４を参照して先に説明したように、第１バス電極と第２バス電極を第１電極基板上に形成し、これに絶縁膜を形成し、さらに第１電極を絶縁膜上に形成するような構造をとることもできる（図１４（ｂ）および（ｃ）を併せて参照）。即ち、この例の有機ＥＬ発光素子の領域Ａの第１電極の構成は、第１電極基板上に交互に配置されかつ互いに離隔されて設けられた複数の第１バス電極と複数の第２バス電極とを備えており、第１バス電極の上全面および第２バス電極の上面の一部は絶縁膜で被覆され、この絶縁膜上には第１電極が設けられる。そして、第２バス電極と第１電極とが、絶縁膜に設けられた接続のための開口部を介して電気的に接続される。

なお、この構造を採用する場合の製造プロセスは上述した内容とほぼ同じであるが、この場合には、第１バス電極２４０４と第２バス電極２４０２とを同時に形成することとなる。

本実施例においても、実施例１と同様の駆動試験を行った結果、実施例１と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。

（実施例３）
以下に、第３の実施例を説明する。この実施例では、有機ＥＬ発光素子は画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍで形成した。第１電極の分割は実施例１と同様であり、デューティー比は１／６０である。本実施例では、第１バス電極と第２バス電極を並列に設ける並列型の例である。本実施例の場合、第１バス電極上および本実施例では、絶縁膜を外部駆動回路との接続部の一部に絶縁膜を形成した。このような絶縁膜の例は図２０（ｂ）に示してある。本実施例では、第１バス電極、絶縁膜、第２バス電極は、この順に逐次形成される。

以下に、この有機ＥＬ発光素子の各作製プロセスを説明する。

［青色フィルターの作製］
透明支持基板としてコーニングガラス^ＴＭ（５０×５０×１．１ｍｍ）を用い、この上に厚さ１．５μｍのブラックマトリックス（富士フイルムアーチ社製、ＣＫ７８００）を形成し、青色フィルター材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［赤色変換フィルター層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［平坦化層（高分子膜層）の作製］
これらの色変換フィルタの上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート；ＪＳＲ社製、ＮＮ８１０）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚８μｍで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。

［パッシベーション層（無機膜層）の作製］
室温において、ＤＣスパッタ法によりＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。

［第１バス電極の形成］
第１バス電極としてＡｌパターンを形成した。第１バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域１および領域２の所定部位まで（本実施例では表示部内の中央部までの領域）配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。このようにして形成した第１バス電極（Ａｌ電極）の抵抗率はおよそ８．０×１０^−６Ωｃｍであった。

［絶縁膜の形成］
絶縁膜としてＳｉＯｘ膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを、第１バス電極と第１電極との接合部、および外部駆動回路との接合部に形成した後、ＤＣスパッタ法により室温においてＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ形成した。なお、外部駆動回路との接続部では、絶縁膜は引き出し部に近い方の約中程までに形成される（例えば、図２０（ｂ）参照。）。この後、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１バス電極と第１電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。

［第２バス電極の形成］
第２バス電極としてＭｏパターンを形成した。第２バス電極は外部駆動回路との接続部のほぼ中央部から表示部の約１／４の位置まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＭｏ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＭｏを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。この第２バス電極（Ｍｏ電極）の抵抗率はおよそ１．５×１０^−５Ωｃｍであった。

第１バス電極としてＡｌ、第２バス電極としてＭｏを用いることにより、第１および第２バス電極ともにＭｏを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ５０％に小さくできることが確認できた。

［第１電極の形成］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物パターンを形成した。第１電極は表示領域に走査線方向に４つの領域に分割して形成される。ＤＣスパッタ法により、室温でＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を２００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＩｎ−Ｚｎ酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５８μｍ、間隙７μｍのパターンを形成した。

［有機発光層および第２電極の作製］
以上の工程に続き、第１電極を形成した第１電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。発光層は４，４′−ビス［２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層はアルミキレート（Ａｌｑ）を２０ｎｍ積層した。

この後、第１電極のラインと垂直に幅０．１６５ｍｍ、空隙０．０３ｍｍギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極（陰極）を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。

本実施例においても、実施例１と同様の駆動試験を行った結果、実施例１と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を外部駆動回路との接続部の一部に形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機ＥＬ発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。

（実施例４）
以下に、第４の実施例を説明する。この実施例では、有機ＥＬ発光素子は画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍで形成した。第１電極の分割は実施例１と同様であり、デューティー比は１／６０である。本実施例では、第１バス電極と第２バス電極を並列に設ける並列型の例である。本実施例の場合、第１バス電極上および引き出し部の全面に絶縁膜を形成した。本実施例では、第１バス電極、絶縁膜、次いで第２バス電極を逐次形成する例である。

以下に、この有機ＥＬ発光素子の各作製プロセスを説明する。

［青色フィルターの作製］
透明支持基板としてコーニングガラス^ＴＭ（５０×５０×１．１ｍｍ）を用い、この上に厚さ１．５μｍのブラックマトリックス（富士フイルムアーチ社製、ＣＫ７８００）を形成し、青色フィルター材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［赤色変換フィルター層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［平坦化層（高分子膜層）の作製］
これらの色変換フィルタの上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート；ＪＳＲ社製、ＮＮ８１０）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚８μｍで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。

［パッシベーション層（無機膜層）の作製］
室温において、ＤＣスパッタ法によりＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。

［第１バス電極の形成］
第１バス電極としてＡｌパターンを形成した。第１バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域１および領域２の所定部位まで（本実施例では表示部内の中央部までの領域）配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。このようにして形成した第１バス電極（Ａｌ電極）の抵抗率はおよそ８．０×１０^−６Ωｃｍであった。

［絶縁膜の形成］
絶縁膜としてノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト（ＪＳＲ社製ＪＥＭ７００Ｒ２）をフォトリソグラフィ法により形成した。なお、絶縁膜は、第１バス電極上と引き出し部の全面に形成した。実施例１と同様に、ポストベークにより絶縁膜の端部および側面部のテーパー形状を傾斜角度が約１０°となるように制御した。

［第２バス電極の形成］
第２バス電極としてＭｏパターンを形成した。第２バス電極は外部駆動回路との接続部のほぼ中央部から表示部の約１／４の位置まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＭｏ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＭｏを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅７μｍのパターンを形成した。この第２バス電極（Ｍｏ電極）の抵抗率はおよそ１．５×１０^−５Ωｃｍであった。

第１バス電極としてＡｌ、第２バス電極としてＭｏを用いることにより、第１および第２バス電極ともにＭｏを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ５０％に小さくできることが確認できた。

［第１電極の形成］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物パターンを形成した。第１電極は表示領域に走査線方向に４つの領域に分割して形成される。ＤＣスパッタ法により、室温でＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を２００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＩｎ−Ｚｎ酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５８μｍ、間隙７μｍのパターンを形成した。

［有機発光層および第２電極の作製］
以上の工程に続き、第１電極を形成した第１電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。発光層は４，４′−ビス［２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層はアルミキレート（Ａｌｑ）を２０ｎｍ積層した。

この後、第１電極のラインと垂直に幅０．１６５ｍｍ、空隙０．０３ｍｍギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極（陰極）を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。

本実施例においても、実施例１と同様の駆動試験を行った結果、実施例１と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を引き出し部にも形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機ＥＬ発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。

（実施例５）
以下に、第５の実施例を説明する。この実施例では、有機ＥＬ発光素子は画素数３２０×２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．１９５ｍｍで形成した。第１電極の分割は実施例１と同様であり、デューティー比は１／６０である。本実施例では、第１バス電極と第２バス電極を積層型で形成する例である。また、本実施例では、第１バス電極と第２バス電極の線幅が異なるように形成した。本実施例の場合、第１バス電極上および引き出し部の全面に絶縁膜を形成した。

以下に、この有機ＥＬ発光素子の各作製プロセスを説明する。

［青色フィルターの作製］
透明支持基板としてコーニングガラス^ＴＭ（５０×５０×１．１ｍｍ）を用い、この上に厚さ１．５μｍのブラックマトリックス（富士フイルムアーチ社製、ＣＫ７８００）を形成し、青色フィルター材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［赤色変換フィルター層の作製］
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂（Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５、新日鐵化学（株）製）１００重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅０．５７ｍｍ、ピッチ０．１９５ｍｍ、膜厚１０μｍのラインパターンを得た。

［平坦化層（高分子膜層）の作製］
これらの色変換フィルタの上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート；ＪＳＲ社製、ＮＮ８１０）をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚８μｍで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。

［パッシベーション層（無機膜層）の作製］
室温において、ＤＣスパッタ法によりＳｉＯｘ膜を３００ｎｍ成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。

［第１バス電極の形成］
第１バス電極としてＡｌパターンを形成した。第１バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域１および領域２の所定部位まで（本実施例では表示部内の中央部までの領域）配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅１０μｍのパターンを形成した。このようにして形成した第１バス電極（Ａｌ電極）の抵抗率はおよそ８．０×１０^−６Ωｃｍであった。

［絶縁膜の形成］
絶縁膜としてノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト（ＪＳＲ社製ＪＥＭ７００Ｒ２）をフォトリソグラフィ法により形成した。なお、絶縁膜は、第１バス電極上と引き出し部の全面に形成した。実施例１と同様に、ポストベークにより絶縁膜の端部および側面部のテーパー形状を傾斜角度が約１０°となるように制御した。

［第２バス電極の形成］
第２バス電極として第１バス電極と同じ材料であるＡｌをパターン形成した。第２バス電極は外部駆動回路との接続部から表示部の端部（領域Ａの引き出し部近傍）の位置まで配線される。ＤＣスパッタ法により、室温でＡｌ膜を３００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＡｌを用い、スパッタガスとしてＡｒを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５μｍのパターンを形成した。本実施例では、第１バス電極の配線長は約４４ｍｍであり、第２バス電極の配線長は約２２ｍｍであった。従って配線幅をそれぞれ１０μｍおよび５μｍとしたことにより、第１バス電極と第２バス電極の配線抵抗はほぼ等しくなった。

［第１電極の形成］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物パターンを形成した。第１電極は表示領域に走査線方向に４つの領域に分割して形成される。ＤＣスパッタ法により、室温でＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を２００ｎｍ形成した。スパッタターゲットにはＩｎ−Ｚｎ酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅５５μｍ、間隙１０μｍのパターンを形成した。

［有機発光層および第２電極の作製］
以上の工程に続き、第１電極を形成した第１電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。発光層は４，４′−ビス［２，２′−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層はアルミキレート（Ａｌｑ）を２０ｎｍ積層した。

この後、第１電極のラインと垂直に幅０．１６５ｍｍ、空隙０．０３ｍｍギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極（陰極）を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）下において、封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。

本実施例においても、実施例１と同様の駆動試験を行った結果、実施例１と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を引き出し部にも形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機ＥＬ発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。

以上の実施例から、本発明の有機ＥＬ発光素子のデューティー比は１／６０である。一方、同じ精細度の有機ＥＬ発光素子を、単純に２分割し、信号線を発光素子の２方向から取り出すだけの配線構造では、デューティー比は１／１２０となる。従って、本発明の有機ＥＬ発光素子は、従来のものと比べて輝度半減期によって定義される寿命が約２倍となった。また、上記実施例の有機ＥＬ発光素子は、４分割された信号線の境界において輝度の変化もほぼ連続的に変化しており、目視で輝度差を認識することはできなかった。これは、４分割された信号線の境界において信号線の抵抗値、即ち電圧降下がほぼ連続的に変化することによる。さらに、上記実施例で示されるように、絶縁膜を外部駆動回路との接続部や引き出し部にも形成することにより、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機ＥＬ発光素子の電極部の短絡を起こすことはない。

上記実施例では、多色有機ＥＬ発光素子の例を示したが、色変換フィルタを設ける手順を省略することにより、いわゆるモノクロ有機ＥＬ発光素子を得ることができる。

（ａ）〜（ｃ）は、本発明の有機ＥＬ発光素子の概略断面図であり、（ｄ）は有機発光層の層構造の一例を示す図である。 本発明の有機ＥＬ発光素子の概略平面図である。 本発明の第１電極部を表す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のａ−ａ’断面図であり、（ｃ）は（ａ）のｂ−ｂ’断面図である。 （ａ）〜（ｌ）は本発明の第一電極部の配線の例を示す図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’およびｂ−ｂ’断面図である。 第１電極部の絶縁膜の端部形状と透明導電膜の形状を説明するための断面ＳＥＭ像である。 第１電極部の配線部分の断面ＳＥＭ像である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’およびｂ−ｂ’断面図である。 （ａ）〜（ｉ）は本発明の第一電極部の配線の例を示す図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’およびｃ−ｃ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’およびｃ−ｃ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’およびｃ−ｃ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’およびｂ−ｂ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’、ｃ−ｃ’およびｄ−ｄ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’およびｃ−ｃ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’、ｃ−ｃ’およびｄ−ｄ’断面図である。 本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ（ａ）のａ−ａ’、ｂ−ｂ’およびｃ−ｃ’断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の有機ＥＬ素子の第１電極部の絶縁膜の形成例を示す図である。 （ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明の有機ＥＬ素子の第１電極部の絶縁膜の形成例を示す図である。 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の有機ＥＬ発光素子の第１電極部の構造を示す平面図である。 （ａ）本発明の有機ＥＬ発光素子の第１電極部（絶縁膜部分を含む）の構造を示す平面図である。（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ（ａ）のａ−ａ’およびｂ−ｂ’断面の一部を表す図である。

符号の説明

１０、２０、３０、４０ 多色有機発光表示素子
１０２ 支持基板
１０４ 第一電極
１０６ 第二電極
１０８ ブラックマトリックス
１１０ 色変換フィルタ層
１１２ 平坦化層
１１４ パッシベーション層
１１６ 有機発光層
１１８ 封止部材
１２０ 外周封止層
３０２ｎ バス電極
３０４ｎ 絶縁膜

Claims (23)

1. 支持基板上に設けられた第１電極と、該第１電極に直交して対向配置された第２電極と、これら第１電極と第２電極間に配置された有機ＥＬ層とを含む有機ＥＬ発光素子であって、前記第１電極が、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される第１電極部からなり、第１電極の複数の領域がそれぞれ独立して駆動されることを特徴とする有機ＥＬ発光素子。
2. 前記第１電極部の複数のバス電極が絶縁膜により絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光素子。
3. 前記バス電極が絶縁膜と少なくとも一部で交互に積層されており、前記絶縁膜はバス電極と第１電極が接続される接続部に開口部を有することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光素子。
4. 前記複数のバス電極が支持基板上に形成され、該複数のバス電極の少なくとも一部を覆って絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光素子。
5. 前記絶縁膜がノボラック樹脂、ポリイミドおよびアクリル系樹脂から選択される高分子材料、または、酸化珪素、酸化窒素、酸化窒化珪素および酸化アルミニウムから選択される無機材料からなることを特徴とする請求項２から４に記載の有機ＥＬ発光素子。
6. バス電極と複数に分割された第１電極の接続部が複数に分割された第１電極間の隣接する端部から等距離にあることを特徴とする請求項１から５に記載の有機ＥＬ発光素子。
7. 前記複数のバス電極が、外部駆動回路への接続部と引き出し部を含み、前記絶縁膜が、これらの領域の少なくとも一部に形成され、前記複数のバス電極の各々が絶縁膜と交互に積層されていることを特徴とする請求項２から６に記載の有機ＥＬ発光素子。
8. 前記第１電極がインジウム、スズ、亜鉛の酸化物またはこれらの混合酸化物よりなる材料から選択され、前記複数のバス電極がＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる金属から選択されることを特徴とする請求項１から７に記載の有機ＥＬ発光素子。
9. 前記複数のバス電極が少なくとも一部で異なる金属から選択されることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ発光素子。
10. 第１電極とバス電極が接続されている接続部が有機ＥＬ発光素子の発光に寄与する開口部以外の領域にあることを特徴とする請求項１から９に記載の有機ＥＬ発光素子。
11. 第１電極が２または３に分割されていることを特徴とする請求項１から１０に記載の有機ＥＬ発光素子。
12. 支持基板上に、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される複数に分割された第１電極を形成する工程と、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬ発光素子の製造方法であって、前記第１電極を形成する工程が、
    （１）支持基板上に第１電極との接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、
    （２）対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程と
    を含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子の製造方法。
13. 支持基板上に、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される複数に分割された第１電極を形成する工程と、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬ発光素子の製造方法であって、前記第１電極を形成する工程が、
    （１）支持基板上に第１電極との接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、
    （２）前記バス電極の接続部以外であって、前記バス電極の少なくとも一部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
    （３）対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程と
    を含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子の製造方法。
14. 支持基板上に、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される複数に分割された第１電極を形成する工程と、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬ発光素子の製造方法であって、前記第１電極を形成する工程が、
    （１）支持基板上に第１電極との接続部を有する１または複数のバス電極を形成する工程と、
    （２）バス電極の接続部以外であって、前記バス電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
    （３）前記（１）および（２）の工程を繰り返し、必要な複数のバス電極を形成する工程と、
    （４）対応する複数のバス電極のみに接続部で接続するように、分割された第１電極を形成する工程と
    を含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子の製造方法。
15. 前記絶縁膜が、リフトオフ法、ドライエッチング法またはフォトリソグラフィ法により形成されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
16. 前記絶縁膜がノボラック樹脂、ポリイミドおよびアクリル系樹脂から選択される高分子材料、または、酸化珪素、酸化窒素、酸化窒化珪素および酸化アルミニウムから選択される無機材料からなることを特徴とする請求項１３から１５に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
17. 前記第１電極がインジウム、スズ、亜鉛の酸化物またはこれらの混合酸化物よりなる材料から選択され、前記複数のバス電極がＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる金属から選択されることを特徴とする請求項１２から１６に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
18. 前記複数のバス電極が少なくとも一部で異なる金属から選択されることを特徴とする請求項１７に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
19. 前記バス電極数および第１電極の分割数が２または３であることを特徴とする請求項１２から１８に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
20. 前記絶縁膜がテーパー形状に形成され、該テーパー形状の傾斜角度が７°以上３０°未満であることを特徴とする。請求項２から１１に記載の有機ＥＬ発光素子。
21. 前記第１電極側または第２電極側に色変換フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１から１１に記載の有機ＥＬ発光素子。
22. 前記（１）の工程が、基板上に色変換フィルタを形成する工程を含み、該色変換フィルタ上にバス電極を形成することを特徴とする請求項１２から１９に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。
23. 前記有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程の後に、第２電極側に色変換フィルタを形成する工程を含むことを特等とする請求項１２から１９に記載の有機ＥＬ発光素子の製造方法。