JPH08227656A - プラズマディスプレイの導電パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電気抵抗値の低減、微細パターン化、はんだ
付けを可能とし、工程が簡便なプラズマディスプレイの
導電パターン形成方法を提供する。 【構成】 基板上に、無電解メッキによって下地金属層
２を形成し、この下地金属層上に所定パターンで絶縁層
３を形成し、この絶縁層の隙間部分、すなわち、下地金
属層が露出している部分に電気メッキにより金属層４を
形成し、絶縁層を除去した後、露出している下地金属層
をエッチング除去して、プラズマディスプレイ用の所望
の導電パターンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマディスプレイの
ための導電パターンの形成方法に係り、特にプラズマデ
ィスプレイ用の電極や引き回しリード等の導電パターン
の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラズマディスプレイ、液晶ディ
スプレイ、エレクトロルミネセントディスプレイ等のフ
ラットディスプレイの開発が目覚ましく、壁掛けディス
プレイ、ハイビジョンディスプレイ等への展開が試みら
れている。

【０００３】フラットディスプレイのうち、プラズマデ
ィスプレイでは、電極が放電空間に露出し、電圧印加時
だけ放電する直流型プラズマディスプレイと、電極が誘
電体層に覆われて放電空間に露出せず誘電体層の作用で
メモリー機能をもつ交流型プラズマディスプレイとがあ
る。さらに、上記の直流型プラズマディスプレイには、
例えば、交流トリガー型直流放電プラズマディスプレイ
があり、この形式のプラズマディスプレイは、表示陽
極、陰極、トリガー電極の３種の電極を備えている。上
記の表示電極は、透明な前面基板上に酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）等の透明導電物質により形成された透明電
極である。また、トリガー電極は、背面基板に所定のパ
ターンで形成され、陰極は、誘電体層を介してトリガー
電極上に所定のパターンで形成される。そして、トリガ
ー電極および陰極は、基板上にスパッタリング法により
形成したクロム層を所定パターンのレジストをマスクと
してエッチングする方法、あるいは、銀ペーストを印刷
する方法等より形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の交流トリガー型直流放電プラズマディスプ
レイでは、表示陽極である透明電極と、陰極やトリガー
電極との電気抵抗値が異なり、かつ、陰極とトリガー電
極を構成するクロムの電気抵抗値が大きいという問題が
あった。一方、銀ペースト印刷によって形成した電極も
電気抵抗値が大きく、銀のマイグレーションが生じて信
頼性が低いという問題があった。

【０００５】また、クロムのエッチングあるいは銀ペー
スト印刷により形成された電極や配線は、いずれも、は
んだ付けができないため、電気抵抗値の低い別の金属
層、例えば、銅層をその上に積層して引き回しリードと
する必要がある。エッチングによりクロム層と銅層の積
層構造の引き回しリードを形成する場合、基板上にスパ
ッタリング法によりクロム層と銅層を積層し、所定パタ
ーンのレジストをマスクとしてクロム層と銅層とをエッ
チングすることになるが、銅層のエッチングとクロム層
のエッチングとの２回のエッチングが必要であり、か
つ、クロムのエッチング時に使用するエッチング液（硝
酸塩）によって、既にエッチングが完了している銅層に
サイドエッチングが生じ、ライン幅１０〜２０μｍ程度
の精細なパターンの形成が困難であるという問題があっ
た。さらに、スパッタリング法による銅層の形成におい
ては、厚く形成すると銅層中に銅の内部応力によりクラ
ックが発生するため、銅層の厚みは２μｍ程度が限度で
あるという問題もあった。

【０００６】一方、銀ペースト印刷による電極形成は、
エッチングによるクロム電極の形成に比べて工程が簡便
であるが、その精度は約１００μｍが限度であり、微細
パターン化は困難である。したがって、銀ペースト印刷
による電極と、エッチング法によるクロム電極とが混在
する場合、プラズマディスプレイ全体としては微細化が
困難であるという問題があった。

【０００７】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、電気抵抗値の低減、微細パターン化、は
んだ付けを可能とし、工程が簡便なプラズマディスプレ
イの導電パターン形成方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基板上に無電解メッキにより下地
金属層を形成する第１の工程と、前記下地金属層上に所
定パターンで絶縁層を形成し、前記下地金属層が露出し
ている箇所に電気メッキにより金属層を形成する第２の
工程と、前記絶縁層を除去し、さらに、絶縁層除去によ
って露出した前記下地金属層を除去する第３の工程と、
を有するような構成とした。

【０００９】また、本発明は、前記第３の工程の後に、
前記金属層上に無電解メッキにより表面金属層を形成す
る第４の工程を有するような構成、上記の下地金属層を
ニッケルで形成するような構成、上記の表面金属層をニ
ッケルで形成するような構成、および、上記の金属層を
銅で形成するような構成とした。

【００１０】さらに、本発明は、導電パターンとして表
示領域の電極を形成するような構成、あるいは、導電パ
ターンとして表示領域の電極および表示領域周囲の引き
回しリードを形成するような構成とした。

【００１１】

【作用】基板上に、無電解メッキによって下地金属層が
形成され、この下地金属層は、その上に所定パターンで
絶縁層が形成されるので、この絶縁層の隙間を微細なも
のとすることによって、露出している下地金属層上に電
気メッキにより金属層を微細なパターンで形成でき、絶
縁層を除去した後、露出している下地金属層を除去する
ための１回のエッチングで、所望の導電パターンの形成
が可能となり、銅で形成された金属層は導電パターンの
低電気抵抗化、はんだ付けを可能とし、さらに、金属層
上に形成する表面金属層は、金属層の保護作用をなし、
また、導電パターンとして表示領域の電極のみならず、
表示領域周囲の引き回しリードを形成することにより、
導電パターンはそのまま引き回しリードとして使用でき
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１３】図１は本発明のプラズマディスプレイの導
電パターン形成方法の一例を示す工程図である。図１に
おいて、まず、基板１上に無電解メッキにより下地金属
層２を形成する（図１（Ａ））。無電解メッキによる下
地金属層２の形成例を挙げると、例えば、基板１がガラ
ス基板の場合、水酸化カリウム等によるアルカリ洗浄
（超音波洗浄併用）、脱脂処理（超音波洗浄の併用可）
を行い水洗した後、アミノ化合物を含有する水溶液に浸
漬してガラス基板に被膜を形成する。この被膜はガラス
基板との密着性が極めて高く、かつ、アミノ基を有して
おり、このアミノ基により、触媒としてのパラジウム核
が良好に保持されることになる。次いで、水洗し、ｐＨ
５〜８．５程度に調整した塩化パラジウム溶液に浸漬
し、水洗する。その後、無電解メッキ液に浸漬して下地
金属層２を形成することができる。

【００１４】無電解メッキ用触媒としては、上記のパラ
ジウムの他に、銀、白金、亜鉛、銅、ニッケル等の金
属、これらの合金、金属化合物、あるいは、他の金属中
に上記の金属がある割合で合金化した合金等が挙げら
れ、例えば、パラジウム−銅系、パラジウム−スズ系、
銀−スズ系、銀−銅系等が挙げられる。

【００１５】また、無電解メッキ液は、下地金属層２を
構成する金属に応じて公知の無電解メッキ液から適宜選
択して使用することができる。例えば、ニッケル、コバ
ルト、スズ、金、銅、銀、パラジウム等の金属塩、次亜
リン酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、次亜硫酸ナ
トリウム、水素化ホウ素ナトリウム（ＳＢＨ）、ジメチ
ルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、ホルマリン、ヒドラジン
等の還元剤を含有し、さらに、必要に応じて促進剤、界
面活性剤、ｐＨ調節剤、安定剤、ｐＨ緩衝剤等が添加さ
れた無電解メッキ液を使用することができる。

【００１６】上記のように基板１上に下地金属層２を形
成した後、感光性レジストを下地金属層２上に塗布して
レジスト膜を形成し、所定のマスクを介してレジスト膜
を露光、現像することによって絶縁層３を形成する（図
１（Ｂ））。この絶縁層３によって、形成予定の導電パ
ターンに対応する隙間部分３ａが下地金属層２上に形成
される。尚、絶縁性の感光性レジストは、公知の種々の
感光性レジストから任意に選択して使用することができ
る。

【００１７】次に、この隙間部分３ａ（露出している下
地金属層２上）に電気メッキにより金属層４を形成する
（図１（Ｃ））。この電気メッキでは、下地金属層２の
導電パターンに関係しない箇所に電気接点を設け、銅、
ニッケル、スズ、金、銀、クロム、パラジウム、ロジウ
ム、スズ−鉛等の所望の金属を電析して金属層４とす
る。この金属層４の厚みは、通電時間を調節することに
より任意に設定することができ、例えば、６〜８μｍ程
度の厚膜とした場合であっても、従来のスパッタリング
法により形成される金属膜にみられるようなクラックは
発生しない。このように、絶縁層３の隙間部分３ａ（下
地金属層２の露出部分）に電気メッキによって金属層４
を形成するので、金属層４は隙間部分３ａに対応した微
細なパターンとすることが可能である。

【００１８】次いで、絶縁層３をアルカリ水溶液、アセ
トン等のケトン類、ベンゼン等の芳香族類、イソプロピ
ルアルコール等のアルコール類等により除去し（図１
（Ｄ））、その後、金属層４をマスクとして下地金属層
２をエッチングにより除去することによって、基板１上
に導電パターンが形成される（図１（Ｅ））。

【００１９】下地金属層２のエッチング除去において、
例えば、下地金属層２がニッケルにより形成され、金属
層４が銅により形成されている場合、下地金属層（ニッ
ケル層）２のエッチングにニッケル剥離剤が使用できる
ので、金属層（銅層）４のサイドエッチングの発生がほ
とんどなく、上記の隙間部分３ａに対応した微細な導電
パターン（例えば、ライン幅１０〜２０μｍの導電パタ
ーン）の形成が可能である。また、本発明では、絶縁層
３を除去した後、露出している下地金属層２を除去する
ための１回のエッチングで、所望の導電パターンの形成
が可能であるため、工程が簡便なものとなる。さらに、
上記のように金属層４を銅で形成することによって、形
成された導電パターンは電気抵抗値が０．００１Ω／□
（スパッタリング法で形成したクロムの電気抵抗値は１
Ω／□以上）程度であり、低電気抵抗化が可能である。
また、金属層４を銅で形成することによって、はんだ付
けが可能となり、例えば、ＩＣのベアチップと導電パタ
ーン間をはんだボンディングやワイヤボンディングによ
り接続してガラス基板上に直接ＩＣ実装するＣＯＧ化に
も対応可能となる。

【００２０】また、本発明では導電パターンとして、プ
ラズマディスプレイの表示領域の電極のみならず、表示
領域周囲の引き回しリードや端子も形成することができ
る。図２はプラズマディスプレイの表示領域と表示領域
周囲の配線領域を示す図である。図２において、表示領
域Ａは所定の間隔を設けて交差する表示陽極Ｘ₁ ，Ｘ₂
・・・Ｘ_n と陰極Ｙ₁ ，Ｙ₂ ・・・Ｙ_n からなり、表示
陽極と陰極との交差部は放電セルを構成する。また、図
示例では、表示領域Ａの周囲の配線領域Ｂに、表示陽極
と陰極の端子をそれぞれ４個ずつ１グループにまとめ、
１グループに１６個の放電セルが含まれるような引き回
しリードｌ₁ ，ｌ₂ ，ｌ₃ ，ｌ₄ とＬ₁，Ｌ₂ ，Ｌ₃ ，
Ｌ₄ が形成されている。このようなプラズマディスプレ
イでは、表示領域Ａの表示陽極Ｘ₁ ，Ｘ₂ ・・・Ｘ_n と
陰極Ｙ₁ ，Ｙ₂ ・・・Ｙ_n と、配線領域Ｂの引き回しリ
ードｌ₁ ，ｌ₂ ，ｌ₃ ，ｌ₄ とＬ₁ ，Ｌ₂ ，Ｌ₃ ，Ｌ₄
とを、本発明にしたがって導電パターンとして形成する
ことにより、導電パターンを、電気抵抗が低く、かつ、
はんだ付けが可能な電極と、引き回しリードおよび端子
としてそのまま使用できる。

【００２１】本発明のプラズマディスプレイの導電パタ
ーン形成方法は、さらに、上述のように下地金属層２と
金属層４との積層構造を有する導電パターンの金属層４
の表面に、無電解メッキによって表面金属層を形成する
ものである。例えば、フルカラーのプラズマディスプレ
イ用の陰極を図１に示されるように形成し、形成した陰
極の近傍に蛍光体を印刷法、スパッタリング法等により
形成する場合、陰極の金属層（銅層）４の破壊が生じ
る。このため、図３に示されるように金属層（銅層）４
の表面に保護層としての表面金属層５を形成する。この
場合、図１（Ｅ）に示されるように導電パターンが形成
された基板１を、無電解メッキ用触媒を含有する水溶液
に浸漬後、無電解メッキ液に浸漬する。これにより、金
属層４上にのみ触媒が置換し、この箇所のみ選択的に金
属が析出して表面金属層５が形成される。

【００２２】このような表面金属層５は、ニッケル、
金、銀、クロム等により形成することができるが、金属
層（銅層）４が表面金属層５によって覆われることによ
り、導電パターンのはんだ付けが不可能となる場合があ
る。このような場合、例えば、図２に示されるようなプ
ラズマディスプレイ用の導電パターンでは、表示領域Ａ
のみに表面金属層５を形成し、表示領域周囲の配線領域
Ｂに設ける引き回しリードには表面金属層５を形成しな
いことによって、電極の保護と接続箇所のはんだ付けを
可能とすることができる。

【００２３】本発明のプラズマディスプレイの導電パタ
ーン形成方法は、透明基板に形成されている透明電極上
に導電パターンを形成することも可能である。図４は本
発明のプラズマディスプレイの導電パターン形成方法の
他の例を示す図である。図４において、基板１１上に所
定のパターンで形成されている透明電極１２に無電解メ
ッキにより下地金属層１３を形成する（図４（Ａ））。
透明電極１２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透
明導電物質により形成された透明電極である。無電解メ
ッキによる透明電極（ＩＴＯ）１２上への下地金属層１
３の形成例を挙げると、まず、水酸化カリウム等による
アルカリ洗浄（超音波洗浄併用）、脱脂処理（超音波洗
浄併用）を行い水洗した後、フッ化物含有の水溶液に浸
漬して透明電極（ＩＴＯ）１２表面のＳｎをイオン化
（Ｓｎ⁴⁺）して水洗する。次いで、水素化ホウ素ナトリ
ウム溶液中に浸漬してＳｎイオンを還元（Ｓｎ⁴⁺→Ｓｎ
²⁺）する官能化処理を行い、水洗後、塩化パラジウム溶
液に浸漬してｐＨを５〜８．５程度に調整して活性化処
理を行って水洗する。これにより、透明電極（ＩＴＯ）
１２上だけに選択的に無電解メッキの触媒となるパラジ
ウム核が析出される。その後、無電解メッキ液に浸漬し
て金属を析出させることによって下地金属層１３が形成
される。

【００２４】透明電極１２上に下地金属層１３を形成し
た後、感光性レジストを塗布してレジスト膜を形成し、
次いで、下地金属層１３を介して透明電極１２上に位置
するレジスト膜を所定のパターンで露光、現像すること
によって絶縁層１４を形成する（図４（Ｂ））。この絶
縁層１４によって、形成予定の導電パターンに対応する
隙間部分１４ａが透明電極１２上に位置する下地金属層
１３上に形成される。この絶縁性の感光性レジストは、
公知の種々の感光性レジストから任意に選択して使用す
ることができる。

【００２５】次に、この隙間部分１４ａ（露出している
下地金属層１３上）に電気メッキにより金属層１５を形
成する（図４（Ｃ））。この電気メッキによる金属層１
５の形成は、上述の例と同様に行うことができる。この
ように、絶縁層１４の隙間部分１４ａ（下地金属層１３
の露出部分）に電気メッキによって金属層１５を形成す
るので、金属層１５は隙間部分１４ａに対応した微細な
パターンとすることが可能である。

【００２６】次いで、絶縁層１４をアルカリ水溶液、ア
セトン等のケトン類、ベンゼン等の芳香族類、イソプロ
ピルアルコール等のアルコール類等により除去し（図４
（Ｄ））、その後、金属層１５をマスクとして下地金属
層１３をエッチングにより除去することによって、基板
１１の透明電極１２上に微細な導電パターンが形成され
る（図４（Ｅ））。

【００２７】ここで、本発明により導電パターンの形成
を行って作製されたプラズマディスプレイの一例を示
す。図５は交流トリガー型直流放電プラズマディスプレ
イの概略断面図である。図５において、プラズマディス
プレイ２１は、複数の表示陽極を備えた透明な前面基板
２２、バリヤリブ２５を介して表示電極と交差するよう
に配設された複数の陰極２６、誘電体層２７を介して陰
極２６に対向するトリガー電極２８、および背面基板２
９とを備えている。

【００２８】表示陽極は、前面基板２２上に酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電物質により形成された
透明電極２３と、この透明電極上に形成された電極２４
とで構成されている。電極２４は、本発明にしたがって
形成されたものであり、ニッケル層（下地金属層）２４
ａと銅層（金属層）２４ｂの積層体である。また、陰極
２６は、本発明にしたがって形成されたものであり、ニ
ッケル層（下地金属層）２６ａ、銅層（金属層）２６ｂ
および銅層２６ｂを覆うニッケル層（表面金属層）２６
ｃとで構成されている。さらに、トリガー電極２８も本
発明にしたがって形成されたものであり、ニッケル層
（下地金属層）２８ａと銅層（金属層）２８ｂの積層体
である。

【００２９】上記のプラズマディスプレイ２１は、本発
明にしたがって表示電極を形成した前面基板２２と、ト
リガー電極２８を形成し、誘電体層２７をその上に形成
した後、誘電体層２７上に陰極２６と蛍光体３０を形成
した背面基板２９とを、バリヤリブ２５を介して組み合
わせ、表示電極と陰極との交差部分（放電セル）に所定
のガスを封入して作製される。

【００３０】次に、具体的実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。 （実施例１）厚み３ｍｍのガラス基板を７５〜８５ｇ／
ｌ水酸化カリウム溶液（７０〜７５℃）に３〜５分間浸
漬して超音波洗浄を行い、水洗（２段）後に、メルクリ
ーナーＩＴＯ１７０（メルテックス（株）製）を１５ｇ
／ｌ含有する５０〜６０℃の水溶液に５〜１０分間浸漬
して超音波洗浄を併用しながら脱脂を行い、水洗（２
段）した。

【００３１】次に、メルプレートＩＴＯコンディショナ
ー１１０１（メルテックス（株）製）を１０ｍｌ／ｌ含
有する水溶液に室温で１分間浸漬してガラス基板の濡れ
性を向上させ、水洗（２段）後に、エンプレートアクチ
ベータ４４０（メルテックス（株）製）を３０ｍｌ／ｌ
含有し水酸化ナトリウムでｐＨ５．５〜６．５に設定し
た水溶液に室温で１〜３分間浸漬し、水洗（２段）し
た。

【００３２】次いで、下記の組成の無電解ニッケルメッ
キ液（メルテックス（株）製メルプレートＮＩ−８６
８）に下記条件で浸漬して、その後、洗浄乾燥してニッ
ケル下地金属層（厚み約０．２μｍ）を形成した。

【００３３】 （無電解ニッケルメッキ液の組成） ・硫酸ニッケル６水塩 …２５ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム１水塩 …３０ｇ／ｌ ・リンゴ酸 …１０ｇ／ｌ ・コハク酸 …２０ｇ／ｌ ・安定剤 …適量 ・水酸化ナトリウム …２５ｇ／ｌ （無電解メッキ条件） ・液温度 ： ８０℃ ・浸漬時間 ： ２分 ・ｐＨ ： ４．８ 次に、ニッケル下地金属層上に感光性レジスト（東京応
化工業（株）製ＯＦＰＲ−８００）をロールコーター法
により塗布し、９０℃、２０分の条件で乾燥してレジス
ト膜（厚み１μｍ）を形成した。

【００３４】次いで、図２に示されるような電極部（線
幅１００μｍ、ピッチ１００μｍ）および引き回しリー
ド部（線幅１００μｍ、ピッチ１００μｍ）を形成する
ためのフォトマスクを介してレジスト膜の露光を行っ
た。露光用の光源は波長３５０ｎｍのランプを用い、平
行光の条件で照射した。その後、アルカリ現像液を用い
て現像を行い、乾燥して線幅１００μｍおよび線幅１０
０μｍの隙間部分を所定箇所に有する絶縁層を形成し
た。

【００３５】次に、このガラス基板の上記隙間部分（ニ
ッケル下地金属層が露出している部分）に下記の条件で
銅を電気メッキして銅金属層（厚み２μｍ）を形成し
た。

【００３６】 （メッキ液の組成） ・硫酸銅５水塩 …９０ｇ／ｌ ・硫酸 …１９０ｇ／ｌ ・塩素 …５０ｍｇ／ｌ ・カパーグリームCLX-A （日本リーロナール（株）製）…５ｍｌ／ｌ ・カパーグリームCLX-C （日本リーロナール（株）製）…５ｍｌ／ｌ （銅電気メッキ条件） ・電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ² ・メッキ時間 ： ６分 ・浴 温 ： ２５℃ ・攪 拌 ： エアー攪拌 その後、絶縁層を１００ｇ／ｌの水酸化ナトリウム溶液
によって除去し、さらに、銅金属層をマスクとしてニッ
ケル下地金属層をメルストリップＭＮ−９５５（メルテ
ックス（株）製）によりエッチング除去して、ニッケ
ル、銅の２層構造の導電パターンを形成した。

【００３７】上記の導電パターンのうち、電極部は線幅
１００μｍであり、また、引き回しリード部は線幅１０
０μｍであり、充分に精細なパターンであることが確認
された。また、この導電パターンの電気抵抗値を下記の
ようにして測定した結果、０．００１Ω／□であり、電
気抵抗が極めて低いことが確認された。

【００３８】（電気抵抗値の測定方法）４点接点法によ
りデジタルマルチメーター（アドバンテスト社製Ｒ６８
７１Ｅ）を用い、ライン幅１００μｍ、ライン長３０ｃ
ｍで測定した。 （実施例２）まず、実施例１と同様にして、ガラス基板
上にニッケル下地金属層と銅金属層の２層構造の電極部
および引き回しリード部からなる導電パターンを形成し
た。

【００３９】次に、このガラス基板を、実施例１にて使
用したのと同組成の無電解ニッケルメッキ液に実施例１
と同条件で浸漬し、その後、洗浄乾燥してニッケル表面
金属層（厚み約０．２μｍ）を形成した。これにより、
銅金属層に接する部分にのみニッケル表面金属層が形成
された。

【００４０】次に、電極部の各電極の近傍にスパッタリ
ング法によって蛍光体をスポット形状（約１００μｍ×
１００μｍ）に複数形成した。この蛍光体形成におい
て、電極部の破壊はまったく見られなかった。 （実施例３）厚み３ｍｍのガラス基板上に、線幅１００
μｍ、ピッチ１００μｍの透明電極をＩＴＯ膜で形成し
た。

【００４１】次に、このガラス基板を７５〜８５ｇ／ｌ
水酸化カリウム溶液（７５℃）に５分間浸漬して超音波
洗浄を行い、水洗後に、メルクリーナー１７０（メルテ
ックス（株）製）を１５ｇ／ｌ含有する５５℃の水溶液
に５分間浸漬して超音波洗浄を併用しながら脱脂を行っ
て水洗（２段）した。

【００４２】次に、コンディショナー４８０Ａ（メルテ
ックス（株）製）を２５ｇ／ｌ、コンディショナー４８
０Ｂ（メルテックス（株）製）を５０ｍｌ／ｌ含有する
水溶液に室温で２分間浸漬してＩＴＯ膜表面のＳｎをイ
オン化し、水洗（２段）した。次いで、水素化ホウ素ナ
トリウムを５ｇ／ｌ含有する水溶液に室温で５分間浸漬
して官能化処理を行い、水洗（２段）した後、アクチベ
ータ４４０（メルテックス（株）製）を３０ｍｌ／ｌ含
有し水酸化ナトリウムでｐＨ５．５に設定した水溶液に
室温で５分間浸漬して水洗（２段）した。この活性化処
理により、ＩＴＯ膜上だけに選択的に無電解メッキの触
媒となるパラジウム核が析出した。

【００４３】次に、下記の組成の無電解ニッケルメッキ
液（メルテックス（株）製メルプレートＮＩ−８６６）
に下記条件で浸漬し、その後、洗浄乾燥して透明電極
（ＩＴＯ膜）上にニッケル下地金属層（厚み約０．５μ
ｍ）を形成した。

【００４４】 （無電解ニッケルメッキ液の組成） ・硫酸ニッケル６水塩 …２５ｇ／ｌ ・次亜リン酸アンモニウム …２５ｇ／ｌ ・乳酸 …４０ｇ／ｌ ・クエン酸 …１５ｇ／ｌ ・安定剤 …適量 ・アンモニア水 …４８ｍｌ／ｌ （無電解メッキ条件） ・液温度 ： ８０℃ ・浸漬時間 ： ５分 ・ｐＨ ： ４．８ 次に、実施例１と同様にしてガラス基板上にレジスト膜
を形成し、電極部（線幅１０μｍ、ピッチ１９０μｍ）
を形成するためのフォトマスクを介してレジスト膜の露
光を行った。露光は実施例１と同条件とし、この露光
後、現像を行い、乾燥して線幅１０μｍの隙間部分をニ
ッケル下地金属層のほぼ中央部に有する絶縁層を形成し
た。

【００４５】次に、このガラス基板に対して実施例１と
同様にして銅を電気メッキし、上記隙間部分に銅金属層
（厚み３μｍ）を形成した。

【００４６】その後、絶縁層を１００ｇ／ｌ水酸化ナト
リウム溶液によって除去し、さらに、銅金属層をマスク
としてニッケル下地金属層をメルストリップＭＮ−９５
５（メルテックス（株）製）によりエッチング除去し
て、ニッケル、銅の２層構造の導電パターンを透明電極
上に形成した。この導電パターンは線幅１０μｍであり
精細なパターンであることが確認された。 （比較例）厚み３ｍｍのガラス基板上に、スパッタリン
グ法によりクロム層（厚み０．１μｍ）および銅層（厚
み１μｍ）を積層して形成した。次に、銅層上に、実施
例１と同様に感光性レジストを塗布してレジスト膜を形
成し、実施例１にて使用したのと同じフォトマスクを介
してレジスト膜の露光を行い、現像、洗浄してレジスト
パターンを形成した。

【００４７】次いで、このレジストパターンをマスクと
して、まず、銅層を塩化第二鉄−塩酸溶液によりエッチ
ングして洗浄した。その後、クロム層を硝酸−硝酸セリ
ウム溶液によりエッチングして洗浄し、クロム層と銅層
の積層構造の導電パターンを形成した。

【００４８】上記の導電パターンのうち、電極部は線幅
１０μｍであり、また、引き回しリード部は線幅１００
μｍであり、クロム層のエッチング時に銅層に生じたサ
イドエッチングのために、形成された導電パターンの精
度がフォトマスク精度に比べて大幅に低下したことが確
認された。また、この導電パターンの電気抵抗値を実施
例１と同様にして測定した結果、０．１Ω／□であり、
実施例１に比べて電気抵抗が著しく高いことが確認され
た。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば無
電解メッキによって形成された下地金属層上に所定パタ
ーンで形成した絶縁層の隙間部分（下地金属層の露出部
分）に電気メッキにより金属層を形成し、絶縁層を除去
後、露出している下地金属層を１回のエッチングで除去
して導電パターンを形成するので、工程が簡便であると
ともに、上記の絶縁層の隙間部分に応じた微細パターン
の形成が可能となり、また、金属層を銅で形成すること
により導電パターンの低電気抵抗化およびはんだ付けが
可能となり、金属層上に表面金属層を形成することによ
り金属層の保護がなされ信頼性が向上し、このような導
電パターンは透明電極上にも形成可能であり、さらに、
導電パターンとして表示領域の電極のみならず、表示領
域周囲の引き回しリードを形成することにより、導電パ
ターンがそのまま引き回しリードおよび端子として使用
でき、プラズマディスプレイの製造コストの低減、信頼
性の向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマディスプレイの導電パターン
形成方法の一例を示す工程図である。

【図２】プラズマディスプレイの表示領域と表示領域周
囲の配線領域を示す図である。

【図３】本発明のプラズマディスプレイの導電パターン
形成方法の他の例を示す図である。

【図４】本発明のプラズマディスプレイの導電パターン
形成方法の他の例を示す工程図である。

【図５】本発明により導電パターンの形成を行って作製
されたプラズマディスプレイの一例を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１…基板 ２…下地金属層 ３…絶縁層 ４…金属層 ５…表面金属層 １１…透明基板 １２…透明電極 １３…下地金属層 １４…絶縁層 １５…金属層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に無電解メッキにより下地金属層
   を形成する第１の工程と、 前記下地金属層上に所定パターンで絶縁層を形成し、前
   記下地金属層が露出している箇所に電気メッキにより金
   属層を形成する第２の工程と、 前記絶縁層を除去し、さらに、絶縁層除去によって露出
   した前記下地金属層をエッチング除去する第３の工程
   と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイの
   導電パターン形成方法。
2. 【請求項２】 前記第３の工程の後に、前記金属層上に
   無電解メッキにより表面金属層を形成する第４の工程を
   有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディ
   スプレイの導電パターン形成方法。
3. 【請求項３】 前記下地金属層をニッケルで形成するこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズ
   マディスプレイの導電パターン形成方法。
4. 【請求項４】 前記表面金属層をニッケルで形成するこ
   とを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズ
   マディスプレイの導電パターン形成方法。
5. 【請求項５】 前記金属層を銅で形成することを特徴と
   する請求項１乃至請求項４にいずれかに記載のプラズマ
   ディスプレイの導電パターン形成方法。
6. 【請求項６】 表示領域の電極を形成することを特徴と
   する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマ
   ディスプレイの導電パターン形成方法。
7. 【請求項７】 表示領域の電極および表示領域周囲の引
   き回しリードと端子を形成することを特徴とする請求項
   １乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレ
   イの導電パターン形成方法。