CN113811081B - 布线基板的制造方法 - Google Patents
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- CN113811081B CN113811081B CN202110581780.3A CN202110581780A CN113811081B CN 113811081 B CN113811081 B CN 113811081B CN 202110581780 A CN202110581780 A CN 202110581780A CN 113811081 B CN113811081 B CN 113811081B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 54
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- -1 TiO 2 and SnO Chemical class 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 229910005331 FeSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020044 NbSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004217 TaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021354 zirconium(IV) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
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Abstract
本公开提供防止在预定的布线图案以外的区域析出金属的布线基板的制造方法。首先，准备带籽晶层基材。所述带籽晶层基材依次具备绝缘性基材、导电性的基底层及设置在具有预定图案的第1区域的导电性的籽晶层。接着，形成覆盖所述籽晶层及所述基底层的绝缘层。接着，对所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区域中形成覆盖所述基底层的残留绝缘层。接着，在所述籽晶层与阳极之间配置含有包含金属离子的水溶液的固体电介质膜，一边使所述固体电介质膜和所述籽晶层压接、一边向所述阳极与所述籽晶层之间施加电压，由此在所述籽晶层的表面形成金属层。之后，除去所述残留绝缘层，对所述基底层进行蚀刻。
Description
技术领域
本发明涉及布线基板的制造方法。
背景技术
以往，在布线基板的制造中，为了形成布线，镀敷法被广泛地使用。但是，镀敷法需要镀敷处理后的水洗，需要处理废液。于是，在专利文献1中，记载了以下的金属覆膜的成膜方法：在阳极与阴极(基材)之间配置固体电介质膜，在阳极与固体电介质膜之间配置包含金属离子的溶液，使固体电介质膜与基材接触，向阳极与基材之间施加电压而使金属在基材的表面析出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-185371号公报
发明内容
发明所要解决的课题
使用专利文献1所记载的方法，在绝缘性基材上形成具有预定的布线图案的布线层的情况下，有时会在预定的布线图案以外的区域析出金属。析出到预定的布线图案以外的区域的金属有时会引起布线间的短路，因此需要除去。但是，难以选择性地将析出到预定的布线图案以外的区域的金属除去。因而，希望防止在预定的布线图案以外的区域析出金属。
于是，本发明提供防止在预定的布线图案以外的区域析出金属的布线基板的制造方法。
用于解决课题的技术方案
根据本发明的一个方案，提供一种布线基板的制造方法，所述布线基板具备绝缘性基材和设置在所述绝缘性基材上的具有预定的布线图案的布线层，所述制造方法依次包括：
步骤(a)，准备带籽晶层(seed layer)基材，
所述带籽晶层基材包括：
所述绝缘性基材；
导电性的基底层，其设置在所述绝缘性基材上；以及
导电性的籽晶层，其在具有与所述布线图案相应的预定图案的第1区域中设置在所述基底层上；
步骤(b)，形成绝缘层，所述绝缘层在第1区域中覆盖所述籽晶层并且在第1区域以外的区域即第2区域中覆盖所述基底层；
步骤(c)，至少对第1区域的所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区域中形成覆盖所述基底层的残留绝缘层；
步骤(d)，在所述籽晶层的表面形成金属层，
在该步骤中，在所述籽晶层与阳极之间配置含有包含金属离子的水溶液的固体电介质膜，一边使所述固体电介质膜与所述籽晶层压接、一边向所述阳极与所述籽晶层之间施加电压；
步骤(e)，除去所述残留绝缘层；以及
步骤(f)，对所述基底层进行蚀刻。
发明效果
在本发明的制造方法中，防止在预定的布线图案以外的区域析出金属。
附图说明
图1是示出实施方式的布线基板的制造方法的流程图。
图2是说明形成基底层的步骤的概念图。
图3是说明形成籽晶层的步骤的概念图。
图4是说明形成绝缘层的步骤的概念图。
图5是说明对绝缘层进行蚀刻的步骤的概念图。
图6是说明形成金属层的步骤的概念图。
图7是说明除去残留绝缘层的步骤的概念图。
图8是说明对基底层进行蚀刻的步骤的概念图。
图9是示出在形成金属层的步骤中使用的成膜装置的概略剖视图。
图10是示出使壳体下降到了预定高度的图9所示的成膜装置的概略剖视图。
图11是说明变形方式的布线基板的制造方法中的对绝缘层进行蚀刻的步骤的概念图。
图12是说明变形方式的布线基板的制造方法中的形成金属层的步骤的概念图。
标号说明
1：布线基板；2：布线层；10：带籽晶层基材；11：绝缘性基材；12：基底层；R1：第1区域；R2：第2区域；13：籽晶层；14：金属层；15：绝缘处理基材；16：绝缘层；16a：残留绝缘层；50：成膜装置。
具体实施方式
以下，参照附图，对本公开的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中要参照的附图中，对同一构件或具有同样的功能的构件标注同一标号，有时省略重复的说明。另外，存在为了便于说明而使附图的尺寸比率与实际的比率不同、构件的一部分被从附图省略的情况。另外，在本申请中，使用符号“～”表示的数值范围包含记载于符号“～”前后的数值分别作为下限值及上限值。
如图1所示，实施方式的布线基板的制造方法包括：准备带籽晶层基材的步骤(S1)、形成绝缘层的步骤(S2)、对绝缘层进行蚀刻的步骤(S3)、形成金属层的步骤(S4)、除去残留绝缘层的步骤(S5)及对基底层进行蚀刻的步骤(S6)。以下，对各步骤进行说明。
(1)准备带籽晶层基材的步骤(S1)
首先，如图2所示，在绝缘性基材11上形成基底层12。作为绝缘性基材11，例如能够使用玻璃环氧树脂基材等包含树脂及玻璃的基材、树脂制的基材、玻璃制的基材等。作为在绝缘性基材11中使用的树脂的例子，可举出环氧树脂、ABS树脂、AS树脂、AAS树脂、PS树脂、EVA树脂、PMMA树脂、PBT树脂、PET树脂、PPS树脂、PA树脂、POM树脂、PC树脂、PP树脂、PE树脂、PI(聚酰亚胺)树脂、含有弹性体和PP的聚合物合金树脂、改性PPO树脂、PTFE树脂、ETFE树脂等热塑性树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、硅酮树脂、醇酸树脂等热固性树脂、在环氧树脂中添加了氰酸酯树脂而得到的树脂、液晶聚合物等。优选地，可以使用玻璃环氧树脂基材作为绝缘性基材11。
基底层12为了后述的金属层14的形成而具有充分的导电性。作为基底层12的材料的例子，可举出FeSi2、CoSi2、MoSi2、WSi2、VSi2、ReSi1.75、CrSi2、NbSi2、TaSi2、TiSi2、ZrSi2等金属硅化物(silicide，硅化物)(尤其是过渡金属硅化物)、TiO2、SnO、GeO、ITO(氧化铟锡)等导电性金属氧化物、Ti、Al、Cr、Si或含有它们中的至少一种的合金、导电性树脂。另外，基底层12可以在表面具有自然氧化膜。自然氧化膜是指在将物质放置于大气中的情况下在物质的表面自然地形成的氧化膜。在自然氧化膜的例子中，包括在Ti、Al、Cr或含有它们中的至少一种的合金的表面形成的钝化膜及在Si或硅化物的表面形成的SiO2。基底层12从后述的金属层14的面内均匀性的观点来看可以具有20nm以上的厚度，优选具有100μm以上的厚度，从制造成本的观点来看可以具有300nm以下的厚度。
基底层12可以形成于绝缘性基材11的表面(主面)整体。基底层12可以通过任意的方法而形成。例如，能够通过溅射法等PVD(物理气相蒸镀)法、CVD(化学气相蒸镀)法、无电解镀敷法来形成基底层12。
接着，如图3所示，在第1区域R1中，在基底层12的表面形成籽晶层13。第1区域R1是具有与通过实施方式的制造方法制造的布线基板的布线图案相应的预定图案的区域。籽晶层13与基底层12电连接。
籽晶层13的材料只要是导电性即可，没有特别的限定。籽晶层13的材料可以是具有高的耐氧化性的贵金属。例如，籽晶层13可以由选自Pt、Pd、Rh、Cu、Ag、Au中的金属的1种以上形成。籽晶层13从后述的金属层14的面内均匀性的观点来看可以具有20nm以上的厚度，优选具有1000μm以上的厚度，从制造成本的观点来看可以具有1μm以下的厚度，优选具有300nm以下的厚度。
籽晶层13可以通过任意的方法形成。例如，通过在第1区域R1涂布金属颗粒的分散液并将该分散液固化，能够形成籽晶层13。金属颗粒可以包括选自Pt、Pd、Rh、Cu、Ag、Au的金属的1种以上。为了形成微细的布线，金属颗粒优选具有更小的粒径，例如可以具有1nm以上且100nm以下的粒径。另外，金属颗粒也可以具有20nm以下的粒径。由此，金属颗粒的熔点降低，因此，金属颗粒的烧结变得容易。作为分散液的分散介质，能够使用通过加热而挥发的液体，例如癸醇。分散液也可以包含添加剂。作为添加剂的例子，可举出碳数为10～17个的直链脂肪酸盐。作为分散液的涂布方法，可以举出丝网印刷、喷墨印刷、转印印刷等印刷法。对分散液进行固化的方法没有特别的限定。例如，通过加热使分散介质挥发并且将金属颗粒烧结，由此，能够将分散液固化。
也可以通过在基底层12上配置金属掩模并进行真空蒸镀、溅射等而在第1区域R1形成籽晶层13。
此外，第1区域R1可以仅由连续的1个区域构成，也可以包括多个独立的区域。在第1区域R1包括多个独立的区域的情况下，形成于各独立的区域的籽晶层13经由基底层12而电连接。因而，无需针对形成于各独立的区域的每个籽晶层13设置用于在后述的形成金属层的步骤(S4)中使用的引出布线。
这样，得到包括绝缘性基材11、设置在绝缘性基材11上的导电性的基底层12及在第1区域R1中设置在基底层12上的导电性的籽晶层13的带籽晶层基材10。此外，带籽晶层基材10无需自己制作，也可以购买预先制作好的带籽晶层基材。
(2)形成绝缘层的步骤(S2)
如图4所示，在带籽晶层基材10上形成绝缘层16。绝缘层16在第1区域R1中覆盖籽晶层13，并且在第1区域R1以外的区域即第2区域R2中覆盖基底层12。
绝缘层16的材料只要是绝缘性即可，没有特别的限定。作为绝缘层16的材料的例子，可举出SiO2、Al2O3、TiO2、SiOC(碳掺杂氧化硅)等氧化物、聚硅烷、聚硅氮烷、环氧系树脂、丙烯酸酯系树脂。
绝缘层16能够通过CVD法、溅射法、喷雾涂布法、旋涂法、浸涂法等任意的方法而形成。此外，喷雾涂布法是指以下方法：使用超声波振动器将包含金属元素的原料溶液雾化而形成雾，将该雾向基板供给并通过热能等在基板的表面处使其分解和/或反应，由此，在基板的表面形成包含上述金属元素的薄膜。
绝缘层16可以具有籽晶层13的厚度以上的厚度。尤其是，绝缘层16可以具有籽晶层13的厚度的2.5倍～10倍的厚度。由此，绝缘层16的表面充分地变为平坦，由此，在后续的对绝缘层16进行蚀刻的步骤(S3)中，会容易形成具有与籽晶层13的厚度实质上相等的厚度的残留绝缘层16a。
(3)对绝缘层进行蚀刻的步骤(S3)
如图5所示，对绝缘层16进行蚀刻，在第1区域R1中使籽晶层13的表面露出，在第2区域R2中形成覆盖基底层12的残留绝缘层16a。这样，得到包括绝缘性基材11、设置在绝缘性基材11上的导电性的基底层12、在第1区域R1中设置在基底层12上的导电性的籽晶层13及在第2区域R2中设置在基底层12上的残留绝缘层16a的绝缘处理基材15。
在本实施方式中，不使用图案化手法，对绝缘层16的整面进行蚀刻。即，在第1区域R1及第2区域R2双方中对绝缘层16进行蚀刻。由此形成的残留绝缘层16a可以具有与籽晶层13的厚度实质上相等的厚度。由此，籽晶层13及残留绝缘层16a的表面的高度对齐，因此，在后续的形成金属层的步骤(S4)中，能够将固体电介质膜52以更均匀的压力压接于籽晶层13及残留绝缘层16a的表面。
此外，如在后述的变形方式中也会说明的那样，第2区域R2中的绝缘层16的蚀刻不是必须的，至少在第1区域R1中对绝缘层16进行蚀刻即可。
绝缘层16的蚀刻可以通过干式蚀刻法及湿式蚀刻法中的任一者来进行。作为干式蚀刻的例子，可举出反应性气体蚀刻法、溅射蚀刻法、等离子体蚀刻法、反应性离子蚀刻(RIE)法、反应性离子束蚀刻法、自由基蚀刻法、光激发蚀刻法、激光辅助蚀刻法、激光烧蚀蚀刻法。在反应性离子蚀刻法中，能够使用电容耦合型等离子体(CCP)、电感耦合型等离子体(ICP)或微波ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体。作为湿式蚀刻的例子，可举出使用了HF等酸或碱的溶液作为蚀刻液的化学蚀刻及将化学蚀刻和机械研磨组合而成的化学机械研磨(CMP)。
在蚀刻中使用的蚀刻气体或蚀刻液可以根据绝缘层16的材质而适当选择。作为蚀刻气体的例子，可举出CF4、SF6、硼、氯、HBr、BCl3。另外，作为蚀刻液，能够使用HF等酸或碱的溶液等。例如，在绝缘层16由SiO2、SiOC、聚硅烷或聚硅氮烷形成的情况下，能够通过使用了CF4气体的反应性离子蚀刻法来对绝缘层16进行蚀刻。另外，在绝缘层16由SiO2或SiOC形成的情况下，能够通过使用了HF溶液的湿式蚀刻来对绝缘层16进行蚀刻。在绝缘层16由环氧系树脂或丙烯酸酯系树脂形成的情况下，能够通过使用了O2/CF4混合气体或O2/SF6/CHF3混合气体的反应性离子蚀刻法或者使用了碱溶液的湿式蚀刻来对绝缘层16进行蚀刻。
(4)形成金属层的步骤(S4)
如图6所示，在籽晶层13的表面形成金属层14。作为金属层14的材料，可举出Cu、Ni、Ag、Au等，优选地，可以是Cu。金属层14例如可以具有1μm以上且100μm以下的厚度。
将在金属层14的形成中使用的成膜装置50的一例在图9及图10中示出。成膜装置50具备以与籽晶层13相对向的方式配置的金属制的阳极51、配置于阳极51与籽晶层13之间的固体电介质膜52及向阳极51与籽晶层13之间施加电压的电源部54。
成膜装置50还具备壳体53。在壳体53中容纳阳极51和包含作为金属层14的材料的金属的离子的水溶液(以下，称作金属溶液)L。如图9所示，壳体53可以在阳极51与固体电介质膜52之间区划容纳金属溶液L的空间。在该情况下，阳极51能够是由与金属层14的材料相同且可溶于金属溶液L的材料(例如Cu)形成的板状构件或由不溶于金属溶液L的材料(例如Ti)形成的板状构件。在阳极51与固体电介质膜52之间容纳金属溶液L的成膜装置50中，能够使固体电介质膜52和绝缘处理基材15以均匀的压力压接，因此能够遍及绝缘处理基材15的整面地在籽晶层13上均匀地形成金属层14。因而，这样的成膜装置50适合于微细的布线图案的形成。
此外，虽然未图示，但阳极51和固体电介质膜52也可以接触。在该情况下，阳极51可以由能够使金属溶液L透过的多孔质体形成，阳极51的与固体电介质膜52接触的面的相反的面可以与容纳金属溶液L的空间接触。
作为固体电介质膜52的材料，例如可举出杜邦公司制的Nafion(注册商标)等氟系树脂、烃系树脂、聚酰胺酸树脂、旭硝子公司制的SELEMION(CMV、CMD、CMF系列)等具有阳离子交换功能的树脂。若使固体电介质膜52与金属溶液L接触，则金属溶液L向固体电介质膜52浸透。其结果，固体电介质膜52在其内部含有金属溶液L。固体电介质膜52例如可以具有约5μm～约200μm的厚度。
金属溶液L以离子的状态含有作为金属层14的材料的金属(例如Cu、Ni、Ag、Au等)。金属溶液L可以包含硝酸根离子、磷酸根离子、琥珀酸根离子、硫酸根离子、焦磷酸根离子。金属溶液L例如是硝酸盐、磷酸盐、琥珀酸盐、硫酸盐、焦磷酸盐等金属的盐的水溶液。
而且，成膜装置50在壳体53的上部具备使壳体53升降的升降装置55。升降装置55例如可以包括油压式或气压式的缸、电动式的致动器、线性导向件、马达等。
壳体53具有供给口53a和排出口53b。供给口53a及排出口53b经由配管64而连接于罐61。由连接于配管64的泵62从罐61送出的金属溶液L从供给口53a向壳体53内流入，经由排出口53b从壳体53排出而返回到罐61。在配管64，在排出口53b的下游处设置有压力调整阀63。通过压力调整阀63及泵62，能够调整壳体53内的金属溶液L的压力。
成膜装置50还具备载置绝缘处理基材15的金属台座56和用于将该绝缘处理基材15的基底层12或籽晶层13与金属台座56电连接的导电构件57。导电构件57可以是覆盖绝缘处理基材15的缘部的一部分并且局部地折弯而与金属台座56接触的金属板。由此，金属台座56经由导电构件57而与基底层12及籽晶层13电连接。此外，也可以是，导电构件57能够相对于绝缘处理基材15装卸。
电源部54的负极经由金属台座56与基底层12及籽晶层13电连接，电源部54的正极与阳极51电连接。
如以下这样，能够使用成膜装置50来形成金属层14。
如图9所示，在金属台座56上的预定位置载置绝缘处理基材15及导电构件57。接着，如图10所示，利用升降装置55使壳体53下降至预定高度。
接着，利用泵62对金属溶液L进行加压。于是，通过压力调整阀63，壳体53内的金属溶液L被保持为预定的压力。另外，固体电介质膜52以仿照绝缘处理基材15的表面、即籽晶层13及残留绝缘层16a的表面的方式变形，与籽晶层13及残留绝缘层16a的表面接触。由此，固体电介质膜52中含有的金属溶液L与籽晶层13及残留绝缘层16a的表面接触。固体电介质膜52被以壳体53内的金属溶液L的压力向籽晶层13及残留绝缘层16a的表面均匀地按压。
通过电源部54，向阳极51与籽晶层13之间施加电压。于是，与籽晶层13接触的金属溶液L中包含的金属离子在籽晶层13的表面被还原，在籽晶层13的表面析出金属。另一方面，在残留绝缘层16a的表面处，不发生金属离子的还原反应，所以不析出金属。由此，在籽晶层13的表面选择性地形成金属层14。此外，向阳极51与籽晶层13之间施加的电压可以适当设定。通过施加更高的电压，能够提高金属的析出速度。另外，也可以对金属溶液L进行加热。由此，能够提高金属的析出速度。
在形成了具有预定厚度的金属层14后，停止阳极51与籽晶层13之间的电压的施加，停止泵62对金属溶液L的加压。然后，使壳体53上升至预定高度(参照图9)，将形成了金属层14的绝缘处理基材15从金属台座56取下。
(5)除去残留绝缘层的步骤(S5)
如图7所示，除去残留绝缘层16a(参照图6)。残留绝缘层16a能够通过蚀刻而除去。
残留绝缘层16a的蚀刻法可以是干式及湿式中的任一者。作为干式蚀刻的例子，可举出反应性气体蚀刻法、溅射蚀刻法、等离子体蚀刻法、反应性离子蚀刻(RIE)法、反应性离子束蚀刻法、自由基蚀刻法、光激发蚀刻法、激光辅助蚀刻法、激光烧蚀蚀刻法。在反应性离子蚀刻法中，能够使用电容耦合型等离子体(CCP)、电感耦合型等离子体(ICP)或微波ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体。
在残留绝缘层16a的蚀刻中使用的蚀刻气体或蚀刻液，可以根据残留绝缘层16a的材质而适当选择。作为蚀刻气体的例子，可举出CF4、SF6、硼、氯、HBr、BCl3。另外，作为蚀刻液，能够使用HF等酸或碱的溶液等。例如，在残留绝缘层16a由SiO2、SiOC、聚硅烷或聚硅氮烷形成的情况下，能够通过使用了CF4气体的反应性离子蚀刻法来对残留绝缘层16a进行蚀刻。另外，在残留绝缘层16a由SiO2或SiOC形成的情况下，能够通过使用了HF溶液的湿式蚀刻来对残留绝缘层16a进行蚀刻。在残留绝缘层16a由环氧系树脂或丙烯酸酯系树脂形成的情况下，能够通过使用了O2/CF4混合气体或O2/SF6/CHF3混合气体的反应性离子蚀刻法或者使用了碱溶液的湿式蚀刻来对残留绝缘层16a进行蚀刻。
(6)对基底层进行蚀刻的步骤(S6)
接着，如图8所示，对基底层12(参照图7)进行蚀刻。在基底层12的蚀刻中，金属层14成为掩模，因此，基底层12的位于金属层14的下方的部分(以下，适当称作“残留基底层”)12a不被蚀刻而残留在绝缘性基材11上。由此，在绝缘性基材11上形成包括残留基底层12a、籽晶层13及金属层14的具有预定的布线图案的布线层2。
在基底层12的蚀刻中使用的蚀刻气体或蚀刻液可以根据基底层12的材质而适当选择。作为蚀刻气体的例子，可举出CF4、SF6、硼、氯、HBr、BCl3。另外，作为蚀刻液，能够使用HF等酸或碱的溶液等。例如，在基底层12由硅化物形成的情况下，能够通过使用了CF4气体的反应性离子蚀刻法来对基底层12进行蚀刻。
如以上这样，制造具备绝缘性基材11和设置在绝缘性基材11上的具有预定的布线图案的布线层2的布线基板1。
在本实施方式中，如上所述，通过在第2区域R2形成残留绝缘层16a，在形成金属层14的步骤(S4)中，能够使金属选择性地在籽晶层13的表面析出。即，能够防止在预定的布线图案以外的区域(即，第2区域R2)析出金属。
根据本发明人的深入研究，在第2区域R2不形成残留绝缘层16a的情况下，在形成金属层14的步骤(S4)中，若施加更高的电压、将金属溶液L加热，则第2区域R2中的金属可能会析出。但是，在实施方式的制造方法中，通过形成于第2区域R2的残留绝缘层16a，来防止这样的非意图的金属的析出。因而，在形成金属层14的步骤(S4)中，能够进行高电压施加和/或金属溶液L的加热，由此，能够提高金属的析出速度，缩短布线基板1的制造时间。
另外，在实施方式的制造方法中，由于能够不使用抗蚀剂掩模地制造布线基板1，所以能够实现布线基板1的制造成本的降低及制造时间的缩短。
以上，对本发明的实施方式进行了详述，但本发明不限定于上述实施方式，能够在不脱离权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内进行各种设计变更。
例如，能够进行以下记载的变形。此外，在以下的变形方式的说明中，仅说明与上述实施方式不同的事项，关于与上述实施方式同样的事项省略说明。
在变形方式的布线基板的制造方法中，在对绝缘层进行蚀刻的步骤(S3)中，如图11所示，仅对第1区域R1的绝缘层16(参照图4)进行蚀刻，在第2区域R2形成残留绝缘层16a。绝缘层16的蚀刻可以通过激光加工来进行。另外，在对绝缘层16进行蚀刻后，也可以通过激光照射而将基底层12和籽晶层13烧结。由此，能够使基底层12和籽晶层13的紧贴性提高。
接着，在形成金属层的步骤(S4)中，与上述实施方式同样地形成金属层14。如图12所示，在本变形方式中，金属层14沿着残留绝缘层16a的侧面16b生长。即，金属层14向横向(与绝缘性基材11的表面平行的方向)的生长被残留绝缘层16a抑制。因而，能够高精度地控制形成的金属层14的宽度。
此外，在本变形方式中，在形成绝缘层的步骤(S2)中，也可以通过将带粘接剂的绝缘性膜粘接于带籽晶层基材10而形成绝缘层16。在该情况下，在除去残留绝缘层16a的步骤(S5)中，能够通过剥离而除去膜状的残留绝缘层16a。即使在形成金属层14的步骤(S4)中在残留绝缘层16a上附着了析出金属，通过将残留绝缘层16a剥离，也能够将析出金属与残留绝缘层16a一起剥离而将其除去。在残留绝缘层16a的剥离后，也可以为了除去基底层12表面的粘接剂残渣而进行等离子体处理。作为绝缘层16使用的绝缘性膜例如可以具有15～20μm的厚度。
【实施例】
以下，通过实施例来具体地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。
实施例1
准备了玻璃基材作为绝缘性基材。在绝缘性基材的表面通过溅射法而形成了厚度300nm的WSi2层作为基底层。接着，使用含有铜纳米颗粒的墨水，通过丝网印刷法，在基底层的表面形成了具有预定的图案的厚度300nm的Cu层作为籽晶层。由此，得到了带籽晶层基材。
通过喷雾涂布法向带籽晶层基材涂布聚硅氮烷，形成了覆盖籽晶层及基底层的绝缘层。
将绝缘层整体通过离子铣削法而蚀刻，使籽晶层的表面露出。在基底层上残留绝缘层，基底层的表面没有露出。
使用图9、图10所示的成膜装置50，在以下的条件下，在籽晶层的表面形成了Cu层作为金属层。
阴极：籽晶层
阳极：无氧铜线
固体电介质膜：Nafion(注册商标)(厚度约8μm)
金属溶液：1.0mol/L的硫酸铜水溶液
将固体电介质膜向籽晶层压靠的压力：1.0MPa
施加电压：0.5V
电流密度：0.23mA/cm2
接着，通过使用了CF4气体的电容耦合型等离子体蚀刻，除去了基底层上的残留绝缘层。而且，将金属层作为掩模，通过使用了CF4气体的电容耦合型等离子体蚀刻，将基底层蚀刻至绝缘性基材的表面露出为止。由此，由残留基底层、籽晶层及金属层构成的预定的布线图案的布线层形成在绝缘性基材上。这样，得到了具备绝缘性基材和布线层的布线基板。
实施例2
除了通过浸涂法向带籽晶层基材涂布环氧丙烯酸酯而形成了覆盖籽晶层及基底层的绝缘层及使用O2/CF4混合气体除去了基底层上的残留绝缘层以外，与实施例1同样地制作了布线基板。
实施例3
除了通过CVD法在带籽晶层基材上形成SiO2膜而形成了覆盖籽晶层及基底层的绝缘层以外，与实施例1同样地制作了布线基板。
实施例4
除了通过溅射法在带籽晶层基材上形成SiO2膜而形成了覆盖籽晶层及基底层的绝缘层的以外，与实施例1同样地制作了布线基板。
比较例
除了没有进行绝缘层的形成及蚀刻以外，与实施例1同样地制作了布线基板。
评价
利用显微镜(倍率：100倍)对比较例的布线基板进行了观察。在与布线图案对应的区域以外的区域中，观察到Cu的析出。即，观察到没有包含于布线层的Cu层。基于显微镜像，使用图像解析软件WinROOF计算了没有包含于布线层的Cu层的面积相对于与布线图案对应的区域以外的区域的面积的比例。Cu层的面积比例是1％。
同样，实施例1～4的布线基板也利用显微镜进行了观察。在与布线图案对应的区域以外的区域中，没有发现Cu的析出。
Claims (3)
1.一种布线基板的制造方法，所述布线基板具备绝缘性基材和设置在所述绝缘性基材上的具有预定的布线图案的布线层，所述制造方法依次包括：
步骤(a)，准备带籽晶层基材，
所述带籽晶层基材包括：
所述绝缘性基材；
导电性的基底层，其设置在所述绝缘性基材上；以及
导电性的籽晶层，其在具有与所述布线图案相应的预定图案的第1区域中设置在所述基底层上；
步骤(b)，形成绝缘层，所述绝缘层在第1区域中覆盖所述籽晶层并且在第1区域以外的区域即第2区域中覆盖所述基底层；
步骤(c)，至少对第1区域的所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区域中形成覆盖所述基底层且具有与所述籽晶层的厚度相等的厚度或比其厚的厚度的残留绝缘层；
步骤(d)，在所述籽晶层的表面形成金属层，
在该步骤中，在所述籽晶层与阳极之间配置含有包含金属离子的水溶液的固体电介质膜，一边使所述固体电介质膜和所述籽晶层压接、一边向所述阳极与所述籽晶层之间施加电压；
步骤(e)，除去所述残留绝缘层；以及
步骤(f)，对所述基底层进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，
在所述步骤(c)中，
对第1区域及第2区域的所述绝缘层进行蚀刻。
3.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法，
在所述步骤(c)中，
仅对第1区域的所述绝缘层进行蚀刻。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-102110 | 2020-06-12 | ||
| JP2020102110A JP7424218B2 (ja) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113811081A CN113811081A (zh) | 2021-12-17 |
| CN113811081B true CN113811081B (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=78826275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110581780.3A Active CN113811081B (zh) | 2020-06-12 | 2021-05-24 | 布线基板的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11425823B2 (zh) |
| JP (1) | JP7424218B2 (zh) |
| CN (1) | CN113811081B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP7306337B2 (ja) * | 2020-06-25 | 2023-07-11 | トヨタ自動車株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| JP2022127486A (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-31 | トヨタ自動車株式会社 | 配線基板の製造方法 |
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| JP2021066921A (ja) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
2020
- 2020-06-12 JP JP2020102110A patent/JP7424218B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-24 CN CN202110581780.3A patent/CN113811081B/zh active Active
- 2021-06-04 US US17/339,529 patent/US11425823B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113811081A (zh) | 2021-12-17 |
| JP2021197424A (ja) | 2021-12-27 |
| US20210392753A1 (en) | 2021-12-16 |
| JP7424218B2 (ja) | 2024-01-30 |
| US11425823B2 (en) | 2022-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |