JP2022127486A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022127486A JP2022127486A JP2021025668A JP2021025668A JP2022127486A JP 2022127486 A JP2022127486 A JP 2022127486A JP 2021025668 A JP2021025668 A JP 2021025668A JP 2021025668 A JP2021025668 A JP 2021025668A JP 2022127486 A JP2022127486 A JP 2022127486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- seed layer
- insulating
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 4
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 10
- -1 1.75 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021359 Chromium(II) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005331 FeSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020044 NbSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004217 TaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000005480 straight-chain fatty acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003890 succinate salts Chemical class 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N tetraethylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)CC VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910021354 zirconium(IV) silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/101—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by casting or moulding of conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
- C25D17/14—Electrodes, e.g. composition, counter electrode for pad-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
- C25D5/06—Brush or pad plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer or layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0597—Resist applied over the edges or sides of conductors, e.g. for protection during etching or plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0713—Plating poison, e.g. for selective plating or for preventing plating on resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1173—Differences in wettability, e.g. hydrophilic or hydrophobic areas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた所定の配線パターンを有する配線層と、を備える配線基板の製造方法であって、
(a)パターン付き基材を準備するステップであって、
ここで、前記パターン付き基材が、
前記絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に設けられた、前記配線パターンに応じた所定パターンを有する第1の部分及び第1の部分以外の部分である第2の部分からなる、導電性のシード層と、
前記シード層の第2の部分上に設けられた絶縁層と、を備える、ステップと、
(b)前記シード層の第1の部分上に、前記絶縁層よりも大きい厚みを有する金属層を形成するステップであって、
ここで、前記パターン付き基材と陽極との間に、金属イオンを含む溶液を含有する樹脂膜を配置し、前記樹脂膜と前記シード層とを圧接させながら、前記陽極と前記シード層との間に電圧を印加する、ステップと、
(c)前記絶縁層、及び前記シード層の第2の部分を除去するステップと、
を含む、方法が提供される。
以下、適宜図面を参照して実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図面において、同一の部材又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率が説明の都合上実際の比率とは異なったり、部材の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、本願において、記号「~」を用いて表される数値範囲は、記号「~」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む。
a)シード層の形成(S11)
まず、図3に示すように、絶縁性基材11上にシード層13を形成する。
図4に示すように、シード層13上に絶縁層16を形成する。すなわち、シード層13の第1の部分R1及び第2の部分R2上に絶縁層16を形成する。
シード層13の第1の部分R1上の絶縁層16にレーザービームを照射して、レーザーアブレーションによりシード層13の第1の部分R1上の絶縁層16を除去する。それにより、図5に示すように、シード層13の第1の部分R1が露出する。一方で、シード層13の第2の部分R2上の絶縁層16は残留する。絶縁層16へのレーザービームの照射は、絶縁層16をレーザービームで走査することにより行ってよい。
図6に示すように、シード層13の第1の部分R1上に金属層14を形成する。金属層14の材料としては、Cu、Ni、Ag、Au等が挙げられ、好ましくはCuであってよい。金属層14は、絶縁層16よりも大きい厚みを有する。また、金属層14は、例えば1~100μmの厚みを有してよい。
図7に示すように、絶縁層16を除去し、次いで、図8に示すように、シード層13の第2の部分R2を除去する。それにより、絶縁性基材11の主面11a上に、シード層13の第1の部分R1及び金属層14を含む、所定の配線パターンを有する配線層2が形成される。
本発明は、上記実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができる。例えば、以下の変形が可能である。
本変形形態において、パターン付き基材10を準備するステップ(S1)は、図11に示すように、シード層13を形成するステップ(S11)と、絶縁層16を形成するステップ(S14)と、絶縁層16にレーザービーム(レーザー光)を照射するステップ(S15)と、シード層13の第1の部分R1上の絶縁層16を除去するステップ(S16)を含む。上述した実施形態では、絶縁層16にレーザービームを照射するステップ(S13)において、レーザーアブレーションによりシード層13の第1の部分R1上の絶縁層16を除去したが、本変形形態では、レーザービームを用いたフォトリソグラフィー(レーザーフォトリソグラフィー)により、シード層13の第1の部分R1上の絶縁層16を除去する。
本変形形態では、上述したレーザーアブレーション及びレーザーフォトリソグラフィーの代わりに、その他のパターニング法(例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、転写印刷等の印刷法、フォトリソグラフィー)が、絶縁層16のパターニング法として適用される。
本変形形態では、パターン付き基材を準備するステップ(S1)において、図12に示すようなパターン付き基材10を準備する。図12において、絶縁層16は、シード層13の第2の部分R2上に形成された主絶縁層16aと、主絶縁層16a上に形成された撥水層16bとを備える。撥水層16bの表面の水の接触角は、90度超、特に120度以上であってよい。それにより、金属層を形成するステップ(S2)において、絶縁層16上に金属が析出する可能性を低減することができる。
絶縁性基材としてガラスエポキシ基材(ガラス繊維強化エポキシ積層材)を用意した。絶縁性基材の主面に、シード層として、500nmの厚みを有する銅膜をスパッタ法により形成した。シード層上に、絶縁層として、1.5~3μmの厚みを有する熱可塑性のノボラック樹脂の層をスピンコート法により形成した。絶縁層の所定の領域を、スポット状のレーザービーム(波長355nm、パルス幅7ps)で1回走査して、L/Sが5μmであるパターン付き基材を得た。
陽極:無酸素銅線
樹脂膜:ナフィオン(登録商標)(厚み約8μm)
金属溶液:1.0mol/Lの硫酸銅水溶液
樹脂膜をシード層に押し当てる圧力:1.0MPa
電流密度:0.23mA/cm2
7μmの厚みを有する熱可塑性のドライフィルムをシード層に貼り付けることにより絶縁層を形成したこと以外は実施例1と同様にして配線基板を作製した。
12.5μmの厚みを有する熱硬化性のポリイミドフィルムをシード層に貼り付けることにより絶縁層を形成したこと以外は実施例1と同様にして、パターン付き基材を作製した。パターン付き基材の断面を、SEMで観察した。レーザービームで走査した領域において、絶縁層が残存し、シード層が十分に露出していないことが確認された。すなわち、絶縁層を選択的に除去することができなかった(この結果は、表1中「×」で示される)。
シード層の厚みを表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして、配線基板を作製した。
シード層の厚みを表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして、パターン付き基材を作製した。パターン付き基材の断面を、SEMで観察した。レーザービームで走査した領域において、絶縁層だけでなくシード層も除去され、十分な厚さを有するシード層は残存しなかった。すなわち、絶縁層を選択的に除去することができなかった。
絶縁層に照射するレーザービームの波長及びパルス幅を表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして、配線基板を作製した。
絶縁層に照射するレーザービームの波長及びパルス幅を表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして、配線基板を作製した。
絶縁層に照射するレーザービームの波長及びパルス幅を表1に記載の通りとしたこと以外は実施例2と同様にして、パターン付き基材を作製した。パターン付き基材の断面を、SEMで観察した。レーザービームで走査した領域において、絶縁層が残存し、シード層が十分に露出していないことが確認された。すなわち、絶縁層を選択的に除去することができなかった。
絶縁層として、1.5~3μmの厚みを有する熱硬化性のエポキシ樹脂の層をスピンコート法により形成したこと、及び絶縁層に照射するレーザービームのパルス幅を表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして配線基板を作製した。
絶縁層として、1.5~3μmの厚みを有する熱硬化性のポリイミド樹脂の層をスピンコート法により形成したこと以外は実施例7と同様にして配線基板を作製した。
絶縁層に照射するレーザービームの波長を表1に記載の通りとしたこと以外は実施例1と同様にして、配線基板を作製した。
レーザーフォトリソグラフィーにより所定の領域の絶縁層を消失させたこと以外は、実施例1と同様にして、配線基板を作製した。なお、レーザーフォトリソグラフィーは、具体的には、絶縁層の所定の領域をスポット状の連続波レーザービーム(波長436nm)で1回走査して露光し、次いで、現像液で所定の領域の絶縁層を溶解させて除去することにより行った。また、Cu層を形成した後、絶縁層を除去する前に、断面SEM観察を行った。断面SEM写真を図13に示す。絶縁層の厚みを超える厚みを有するCu層が形成されたことが確認された。Cu層は、いずれの高さ(厚み方向の位置)においても略一定の幅(水平方向の寸法)を有していた。
Claims (11)
- 絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に設けられた所定の配線パターンを有する配線層と、を備える配線基板の製造方法であって、
(a)パターン付き基材を準備するステップであって、
ここで、前記パターン付き基材が、
前記絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に設けられた、前記配線パターンに応じた所定パターンを有する第1の部分及び第1の部分以外の部分である第2の部分からなる、導電性のシード層と、
前記シード層の第2の部分上に設けられた絶縁層と、を備える、ステップと、
(b)前記シード層の第1の部分上に、前記絶縁層よりも大きい厚みを有する金属層を形成するステップであって、
ここで、前記パターン付き基材と陽極との間に、金属イオンを含む溶液を含有する樹脂膜を配置し、前記樹脂膜と前記シード層とを圧接させながら、前記陽極と前記シード層との間に電圧を印加する、ステップと、
(c)前記絶縁層、及び前記シード層の第2の部分を除去するステップと、
を含む、方法。 - 前記ステップ(a)が、
前記シード層の第1の部分及び第2の部分上に、前記絶縁層を形成することと、
第1の部分上の前記絶縁層にレーザービームを照射して、第1の部分上の前記絶縁層を除去することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記シード層の厚さが、80nm以上である、請求項2に記載の方法。
- 前記レーザービームが、580nm以下の波長及び15ps以下のパルス幅を有する、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記レーザービームが、1ps以下のパルス幅を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記レーザービームが、400nm以下の波長を有する、請求項4又は5に記載の方法。
- 前記絶縁層の厚さが、12.5μm未満である、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ステップ(a)が、
前記シード層の第1の部分及び第2の部分上に前記絶縁層を形成することと、
第1の部分上又は第2の部分上のいずれかの前記絶縁層にレーザービームを照射することと、
第1の部分上の前記絶縁層を現像液で溶解して除去することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記絶縁層が、前記シード層の第2の部分上に設けられた主絶縁層、及び前記主絶縁層上に設けられた撥水層を備える、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記撥水層の表面の水の接触角が90度超である、請求項9に記載の方法。
- 前記樹脂膜が固体電解質膜である、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021025668A JP2022127486A (ja) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 配線基板の製造方法 |
KR1020220002557A KR102598378B1 (ko) | 2021-02-19 | 2022-01-07 | 배선 기판의 제조 방법 |
EP22150683.5A EP4048037A1 (en) | 2021-02-19 | 2022-01-10 | Method for manufacturing wiring board |
CN202210049035.9A CN114980536B (zh) | 2021-02-19 | 2022-01-17 | 布线基板的制造方法 |
TW111102163A TW202234958A (zh) | 2021-02-19 | 2022-01-19 | 配線基板的製造方法 |
US17/672,067 US11785721B2 (en) | 2021-02-19 | 2022-02-15 | Method for manufacturing wiring board |
BR102022002973-3A BR102022002973A2 (pt) | 2021-02-19 | 2022-02-16 | Método para fabricar placa de cablagem |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021025668A JP2022127486A (ja) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022127486A true JP2022127486A (ja) | 2022-08-31 |
Family
ID=79288063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021025668A Pending JP2022127486A (ja) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11785721B2 (ja) |
EP (1) | EP4048037A1 (ja) |
JP (1) | JP2022127486A (ja) |
KR (1) | KR102598378B1 (ja) |
CN (1) | CN114980536B (ja) |
BR (1) | BR102022002973A2 (ja) |
TW (1) | TW202234958A (ja) |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4432855A (en) * | 1982-09-30 | 1984-02-21 | International Business Machines Corporation | Automated system for laser mask definition for laser enhanced and conventional plating and etching |
US4877644A (en) | 1988-04-12 | 1989-10-31 | Amp Incorporated | Selective plating by laser ablation |
US20020197492A1 (en) * | 2001-06-25 | 2002-12-26 | Ling Hao | Selective plating on plastic components |
GB0400982D0 (en) * | 2004-01-16 | 2004-02-18 | Fujifilm Electronic Imaging | Method of forming a pattern on a substrate |
WO2006033315A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Ibiden Co., Ltd. | めっき方法及びめっき装置 |
JP4665531B2 (ja) | 2005-01-27 | 2011-04-06 | 日立電線株式会社 | 配線板の製造方法 |
US7998323B1 (en) * | 2006-06-07 | 2011-08-16 | Actus Potentia, Inc. | Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces |
JP2008258483A (ja) | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2011138869A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 |
US20140014401A1 (en) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. | Circuit device and method for making the same |
KR20160101931A (ko) * | 2013-12-27 | 2016-08-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
JP6217465B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2017-10-25 | 富士通株式会社 | 配線構造の作製方法、配線構造、及びこれを用いた電子機器 |
JP6265163B2 (ja) | 2015-04-02 | 2018-01-24 | トヨタ自動車株式会社 | 配線パターンの形成方法および配線パターン形成用のエッチング処理装置 |
JP6665990B2 (ja) | 2015-06-02 | 2020-03-13 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法 |
JP2017011147A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 配線板および配線板の製造方法 |
JP2017011148A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 配線板の製造方法 |
JP2017017168A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 住友ベークライト株式会社 | 配線板の製造方法 |
KR102081191B1 (ko) * | 2016-06-24 | 2020-02-26 | 에이피시스템 주식회사 | 전주도금법을 이용한 미세 금속 마스크 제조방법 |
US10849233B2 (en) * | 2017-07-10 | 2020-11-24 | Catlam, Llc | Process for forming traces on a catalytic laminate |
JP7171059B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2022-11-15 | 株式会社クオルテック | 電子部品の製造方法 |
JP6967039B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2021-11-17 | 帝人株式会社 | めっき隔膜、めっき方法及びめっき装置 |
JP7238712B2 (ja) | 2019-09-18 | 2023-03-14 | トヨタ自動車株式会社 | 配線基板の製造方法および配線基板 |
US11705332B2 (en) * | 2020-03-30 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist layer surface treatment, cap layer, and method of forming photoresist pattern |
JP7424218B2 (ja) | 2020-06-12 | 2024-01-30 | トヨタ自動車株式会社 | 配線基板の製造方法 |
-
2021
- 2021-02-19 JP JP2021025668A patent/JP2022127486A/ja active Pending
-
2022
- 2022-01-07 KR KR1020220002557A patent/KR102598378B1/ko active IP Right Grant
- 2022-01-10 EP EP22150683.5A patent/EP4048037A1/en active Pending
- 2022-01-17 CN CN202210049035.9A patent/CN114980536B/zh active Active
- 2022-01-19 TW TW111102163A patent/TW202234958A/zh unknown
- 2022-02-15 US US17/672,067 patent/US11785721B2/en active Active
- 2022-02-16 BR BR102022002973-3A patent/BR102022002973A2/pt not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR102022002973A2 (pt) | 2022-08-23 |
US11785721B2 (en) | 2023-10-10 |
KR20220118903A (ko) | 2022-08-26 |
US20220272847A1 (en) | 2022-08-25 |
KR102598378B1 (ko) | 2023-11-03 |
CN114980536A (zh) | 2022-08-30 |
EP4048037A1 (en) | 2022-08-24 |
CN114980536B (zh) | 2024-03-08 |
TW202234958A (zh) | 2022-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5605517B2 (ja) | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 | |
US6869712B2 (en) | Ion exchange system structure with a microtextured surface, method of manufacture, and method of use thereof | |
WO2014156310A1 (ja) | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 | |
JP7238712B2 (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
CN101023545B (zh) | 燃料电池隔板、燃料电池用电极结构、制造该隔板与该电极结构的方法以及包含该隔板与该电极结构的高分子电解质燃料电池 | |
US20210392753A1 (en) | Method for producing wiring substrate | |
JP2022127486A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
US11696410B2 (en) | Method for producing wiring substrate | |
JP5849941B2 (ja) | 金属被膜の成膜装置および成膜方法 | |
KR102548962B1 (ko) | 배선 기판의 제조 방법 | |
KR101209685B1 (ko) | 연료전지용 분리판 및 그 표면처리방법 | |
JP2010053400A (ja) | 電解装置用多孔質導電体の製造方法 | |
JP2009146821A (ja) | 燃料電池用電解質膜及び燃料電池用電解質膜の製造方法 | |
Yousef et al. | Plated through-hole vias in a porous polyimide foil for flexible printed circuit boards | |
JP2023112533A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2013089584A (ja) | 燃料電池用セパレータの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240625 |