JP5605517B2 - 金属被膜の成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明は金属被膜の成膜装置および成膜方法に係り、特に、基材の表面に均一に薄い金属被膜を成膜することができる金属被膜の成膜装置および成膜方法に関する。
従来から、電子回路基材などを製造する際には、金属回路パターンを形成すべく、基材の表面に金属被膜が成膜される。たとえば、このような金属被膜の成膜技術として、Siなどの半導体基材の表面に、無電解めっき処理などのめっき処理により金属被膜を成膜したり(例えば、特許文献1参照)、スパッタリングなどのPVD法により金属被膜を成膜したりする成膜技術が提案されている。
しかしながら、無電解めっき処理などのめっき処理を行なった場合には、めっき処理後の水洗が必要であり、水洗された廃液を処理する必要があった。また、スパッタリングなどのPVD法により基材表面に成膜を行った場合には、被覆された金属被膜に内部応力が生じるため、膜厚を厚膜化するには制限があり、特に、スパッタリングの場合には、高真空化でしか、成膜できない場合があった。
このような点を鑑みて、例えば、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に配置される固体電解質膜と、陽極と陰極との間に電圧を印加する電源部とを用いた、金属被膜の成膜方法が提案されている(例えば非特許文献1参照)。
ここで、固体電解質膜は、予め基材の表面にその前駆体を含む溶液をスピンコートして硬化させたものであり、この固体電解質膜に被覆すべき金属イオンを含浸させる。そして、陽極に対峙させ、かつ、陰極に電気的に導電するように基材を配置し、陽極と陰極にとの間に電圧を印加することにより、固体電解質の内部に含浸された金属イオンを陰極側に析出させる。これにより、金属イオンの金属からなる金属被膜を成膜することができる。
Fabrication of Silver Patterns on Polyimide Films Based on Solid-Phase Electrochemical Constructive Lithography Using Ion-Exchangeable Precursor Layers Langmuir, 2011, 27 (19), pp 11761-11766
しかしながら、非特許文献1に記載の技術を用いた場合には、基材の表面に、固体電解質膜の前駆体を含む溶液を塗布して、これを硬化させ、さらに、金属イオンを含浸させていた。従って、成膜ごとに、固体電解質膜を作製し、これに被覆すべき金属イオンを含浸しなければならず、連続して複数の基材の表面に、金属被膜を成膜することができなかった。
さらに、固体電解質膜に含浸する金属には限界があるため、析出させることができる金属量に限度があった。これにより、所望の膜厚の金属被膜を得ることができない場合があった。
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、所望の膜厚の金属被膜を、複数の基材の表面に連続して成膜することができる金属被膜の成膜装置およびその成膜方法を提供することにある。
このような点を鑑みて、本発明に係る金属被膜の成膜装置は、前記陽極と、前記陽極と陰極となる基材と、の間において前記陽極の表面に配置された固体電解質膜と、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加する電源部と、を少なくとも備えており、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、該固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出させることにより、前記金属からなる金属被膜を成膜する金属被膜の成膜装置であって、前記陽極は、前記金属イオンを含む溶液が透過し、かつ前記固体電解質膜に前記金属イオンを供給する、多孔質体からなることを特徴とする。
本発明によれば、成膜時に、陽極に固体電解質膜が配置された状態で、固体電解質膜を基材に接触させる。この状態で、陽極と陰極となる基材との間に電源部により電圧を印加することにより、該固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出することができる。この結果、金属イオンの金属からなる金属被膜を基材の表面に成膜することができる。
ここで、陽極は多孔質体であり、この多孔質体からなる陽極は、金属イオンを含む溶液を内部に透過させることができ、透過した溶液(の金属イオン)を、前記固体電解質膜に供給することができる。これにより、成膜時において、多孔質体である陽極を介して、金属イオンを含む溶液を随時供給することができる。供給された金属イオンを含む溶液は、陽極内部を透過して、陽極に隣接する固体電解質膜に接触し、固体電解質膜内に金属イオンが含浸される。
このような結果、固体電解質膜内の金属イオンは、成膜時に析出すると共に、陽極側から供給されることになる。よって、析出させることができる金属量に制限を受けることがなく、所望の膜厚の金属被膜を、複数の基材の表面に連続して成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、成膜装置は、前記陽極に前記金属イオンを含む溶液を供給するための金属イオン供給部を備える。この態様によれば、陽極に、金属イオン供給部からの金属イオンを含む溶液を供給しながら、連続的に金属被膜の成膜を行うことができる。
さらに好ましい態様としては、前記成膜装置は、前記陽極を前記基材に向かって移動させることにより、前記固体電解質膜を成膜される基材に加圧する加圧部を備える。この態様によれば、加圧部により、陽極を介して固体電解質膜を加圧することができるので、電解質膜を成膜領域の基材表面に均一に倣わせて、この表面に金属被膜を被覆することができる。これにより、均一な膜厚かつ均質な金属被膜を基材の表面に成膜することができる。
また、好ましい態様としては、前記成膜時に前記基材の成膜領域を囲うように形成されるとともに、前記電源部の負極と基材とを導通する通電部をさらに備える。この態様によれば、この成膜領域を含む表面が金属からなるまたは金属下地層が形成されている場合には、通電部とこの成膜領域を含む表面を接触させ、通電部周りの成膜領域に、金属を析出することができる。これにより、成膜領域に、均一の電流を流すことができ、所望の形状の、均一な膜厚の金属被膜を被覆することができる。
さらに、この態様において、前記固体電解質膜は、前記基材の成膜領域に応じた形状を有しており、前記陽極には、前記固体電解質膜を囲繞するように絶縁体がさらに配置されており、前記通電部は、該絶縁体の表面から前記基材に向かって突出するように配置された複数の通電用突起からなることが好ましい。
この態様によれば、陽極と通電部とを一体的な構造とすることができるばかりでなく、基材の成膜領域以外の部分には、絶縁体が配置される。この結果、絶縁体と対向する位置の基材の表面には、金属被膜は成膜されず、成膜領域に、所望の形状の金属被膜を成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記通電用突起は、前記加圧部による加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した際に、加圧力により、前記絶縁体の内部に入り込むような構造となっている。
この態様によれば、前記通電用突起は、前記加圧部による加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した状態で、前記絶縁体の内部に入り込む。これにより、通電部である通電用突起の先端が基材の表面に接触するので、通電用突起と基材とを導通させつつ、基材の成膜領域に、固体電解質膜を均一に接触させることができる。この結果、均一な膜厚の金属被膜をより簡単に成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記固体電解質膜と接触する前記陽極の表面は、基材の成膜領域に応じた形状の成膜用表面と、該成膜用表面以外の非成膜用表面とを有しており、前記成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属である。
この態様によれば、成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属であるので、成膜用表面に対向した基材の成膜領域の金属イオンから金属への析出反応性を高めることができる。この結果、成膜用表面に対向した基材の成膜領域にのみ金属を析出させることができる。このようにして、基材の表面にマスキング等を行うことなく、成膜用表面に応じたパターンに金属被膜を成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記固体電解質膜は、水素イオンを含有している。この態様によれば、表面に不動態膜などの酸化膜が形成された基材に対して成膜を行う際または成膜を行う前に、前記電圧の印加により、固体電解質膜に含浸された水素イオンで、酸化膜の酸化物を還元することができる。このような結果、基材表面の酸化物は除去(還元)され、還元された表面により密着性の高い金属被膜を成膜することができる。
本発明として、金属被膜を成膜するに好適な成膜方法をも開示する。本発明に係る成膜方法は、陽極と陰極となる基材との間において前記陽極の表面に固体電解質膜を配置し、前記固体電解質膜を基材に接触させると共に、前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加し、該固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出することにより、前記金属からなる金属被膜を前記基材の表面に成膜する金属被膜の成膜方法であって、前記陽極として、前記金属イオンを含む溶液が透過し、かつ前記固体電解質膜に該金属イオンを供給する、多孔質体を用いることを特徴とする。
本発明によれば、陽極の表面に固体電解質膜を配置し、前記固体電解質膜を前記基材に接触させる。この状態で、陽極と基材との間に、電圧を印加し、固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出することにより、金属被膜を前記基材の表面に成膜することができる。
ここで、この多孔質体からなる陽極を用いることにより、金属イオンを含む溶液をその内部に透過させることができ、透過した溶液を、固体電解質膜に供給することができる。これにより、成膜時において、多孔質体である陽極を介して、金属イオンを含む溶液を随時供給することができる。供給された金属イオンを含む溶液は、陽極内部を透過して、陽極に隣接する固体電解質膜に接触し、固体電解質膜内に金属イオンが含浸される。
このような結果、固体電解質膜内の金属イオンは、成膜時に析出すると共に、陽極側から供給されることになる。よって、析出させることができる金属量に制限を受けることがなく、所望の膜厚の金属被膜を、複数の基材の表面に連続して成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極に、前記金属イオンを含む溶液を供給しながら、前記金属被膜の成膜を行う。この態様によれば、陽極に、金属イオンを含む溶液を供給しながら、連続的に金属被膜の成膜を行うことができる。
さらに好ましい態様としては、前記陽極を前記基材に向かって移動させることにより、前記固体電解質膜を前記基材の成膜領域に加圧する。この態様によれば、陽極を介して固体電解質膜を加圧することができるので、固体電解質膜を成膜領域の基材表面に均一に倣わせて、この表面に金属被膜を被覆することができる。
さらに好ましい態様としては、前記電圧を印加する電源部の負極と前記基材とを導通する通電部を、前記成膜時に、前記基材の成膜領域を囲うように配置する。この態様によれば、通電部とこの成膜領域の周りの基材表面を接触させ、通電部周りの成膜領域に、金属を析出することができる。これにより、成膜領域に、均一の電流を流すことができ、所望の形状の、均一な膜厚の金属被膜を成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記固体電解質膜に、前記基材の成膜領域に応じた形状のものを用い、前記陽極に、前記固体電解質膜を囲繞するように絶縁体を配置し、前記通電部として、該絶縁体の表面から前記基材に向かって突出するように配置された複数の通電用突起を用いる。この態様によれば、基材の成膜領域以外の部分には、絶縁体が配置されるので、絶縁体と対向する位置の基材の表面には、金属被膜は成膜されず、所望の形状の成膜領域に、金属被膜を成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記通電用突起は、加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した際に、加圧力により、前記絶縁体の内部に入り込むようになっている。この態様によれば、前記通電用突起は、加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した状態で、前記絶縁体の内部に入り込む。これにより、陰極である通電用突起の先端が基材の表面に接触するので、通電用突起と基材とを導通させつつ、基材の成膜領域に、固体電解質膜を均一に接触させることができる。この結果、均一な膜厚の金属被膜をより簡単に成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記固体電解質膜と接触する前記陽極の表面は、基材の成膜領域に応じた形状の成膜用表面と、該成膜用表面以外の非成膜用表面とを有しており、前記成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属である。
この態様によれば、成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属であるので、陽極の成膜用表面と基材間の間において、金属イオンから金属への析出反応性が高まることになる。この結果、成膜用表面に対向した基材の成膜領域に、金属を析出させることができる。このようにして、基材の表面にマスキング等を行うことなく、成膜用表面に応じたパターンに金属被膜を成膜することができる。
さらに好ましい態様としては、前記基材として、表面に酸化膜が形成された基材を用い、前記固体電解質膜に水素イオンを含浸させて、前記陽極と前記陰極となる基材との間に電圧を印加し、前記水素イオンで前記酸化膜の酸化物を還元する。
この態様によれば、基材に成膜を行う際または成膜を行う前に、電圧の印加により、固体電解質膜に含浸された水素イオンで、酸化膜の酸化物を還元することができる。このような結果、基材表面の酸化物は除去(還元)され、還元された表面に成膜した金属被膜は、酸化膜が形成された表面に成膜したものに比べて、基材に対する密着力が高くなる。
本発明によれば、所望の膜厚の金属被膜を、複数の基材の表面に連続して成膜することができる。
以下に本発明の4つの実施形態に係る金属被膜の成膜方法を好適に実施することができる成膜装置について説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る金属被膜の成膜装置の模式的概念図である。図2は、図1に示す金属被膜の成膜装置による成膜方法を説明するための図であり、(a)は、成膜装置の成膜前状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る金属被膜の成膜装置の模式的概念図である。図2は、図1に示す金属被膜の成膜装置による成膜方法を説明するための図であり、(a)は、成膜装置の成膜前状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図1に示すように、本発明に係る成膜装置1Aは、金属イオンから金属を析出させて、該析出した金属からなる金属被膜を基材Bの表面に成膜する装置である。ここで、基材Bは、アルミニウムなどの金属材料からなる基材、または樹脂またはシリコン基材の処理表面に金属下地層が形成されている基材を用いる。
成膜装置1Aは、金属製の陽極11と、金属製の通電部12と、陽極11の表面に配置された固体電解質膜13と、陽極11と、陰極となる基材Bと、の間に(陽極11と通電部12との間に)電圧を印加する電源部14と、を少なくとも備えている。
さらに、陽極11の上面には、金属イオンを含む溶液(以下、金属イオン溶液という)Lを陽極11に供給する、金属イオン供給部15が配置されている。金属イオン供給部15の底部には開口が形成され、その内部空間Sに、陽極11が内壁15aと嵌合した状態で収容可能されている。
金属イオン供給部15の一方側には、金属イオン溶液Lが収納された溶液タンク17が、供給管17aを介して接続されており、その他方側には、使用後の廃液を回収する廃液タンク18が、廃液管18aを介して接続されている。
このように構成することにより、溶液タンク17に収納された金属イオン溶液Lを、供給管17aを介して金属イオン供給部15の内部に供給し、使用後の廃液を廃液管18aを介して廃液タンク18に送ることができる。
また、金属イオン供給部15の内部空間に陽極11が内壁15aと嵌合した状態で収容されているので、内部空間の上方から供給された金属イオン溶液Lを、陽極11に供給することができる。ここで、陽極11は、金属イオン溶液Lが透過し、かつ固体電解質膜に金属イオンを供給する、多孔質体からなる。このような多孔質体としては、(1)金属イオン溶液Lに対して耐食性を有し、(2)陽極として作用可能な導電率を有し、(3)金属イオン溶液Lを透過することができ、(4)後述する加圧部16により加圧することができるものであれば、特に限定されるものではなく、たとえば、発泡チタンなど、めっき金属イオンよりもイオン化傾向が低く(あるいは、電極電位が高く)、開気孔の連続気泡体からなる発泡金属体などを挙げることができる。
また、上述した(3)の条件を満たすものであれば、特に限定されるものではないが、発泡金属体を用いる場合には、気孔率50〜95体積%程度、孔径50〜600μm程度、厚さ0.1〜50mm程度のものが好ましい。
一方、通電部12は、成膜時に金属被膜Fが成膜される基材Bの成膜領域Eを囲うように形成されるとともに、前記電源部の負極と基材とを導通するように構成されている。すなわち、本実施形態に場合には、基材Bの成膜領域Eは、円形であるので、通電部12は、基材Bの成膜領域Eを囲うようにリング状の形状となっている。
さらに、金属イオン供給部15の蓋部15aには、加圧部16が接続されている。加圧部16は、陽極11を基材Bに向かって移動させることにより、固体電解質膜13を基材Bの成膜領域Eに加圧するものである。例えば、加圧部16としては、油圧式または空気式のシリンダなどを挙げることができる。
また、成膜装置1Aは、基材Bを固定し、陽極11および通電部12に対して基材Bのアライメントを調整する基台21と、基台21を介して基材Bの温度調整を行う温度制御部22を備えている。本実施形態では、基台21の上に載置された基材Bを搬送する搬送装置40が設けられている。
金属イオン溶液Lは、たとえば、銅、ニッケル、銀などのイオンを含む水溶液などを挙げることができる。たとえば、銅イオンの場合には、硫酸銅、ピロリン酸銅などを含む溶液を挙げることができる。そして、固体電解質膜13は、固体電解質からなる膜、フィルム等を挙げることができる。
固体電解質膜13は、上述した金属イオン溶液Lに接触させることにより、金属イオンを内部に含浸することができ、電圧を印加したときに通電部側(基材Bの表面)において金属イオン由来の金属が析出するとこができるのであれば、特に限定されるものではない。固体電解質膜の材質としては、たとえばデュポン社製のナフィオン(登録商標)などのフッ素系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリアミック酸膜、旭硝子社製のセレミオン(CMV、CMD,CMFシリーズ)などのイオン交換機能を有した膜を挙げることができる。
以下に本実施形態にかかる成膜方法について説明する。まず、基台21に基材Bを配置し、陽極11および通電部12に対して基材Bのアライメントを調整し、温度制御部22により、基材Bの温度調整を行う。次に、図2(b)に示すように、多孔質体からなる陽極11の表面に固体電解質膜13を配置し、固体電解質膜13を基材Bに接触させると共に、通電部12を基材Bに導通させる。具体的には、通電部12を、成膜時に、金属被膜Fが成膜される基材Bの成膜領域Eを囲うように配置する。
次に、加圧部16を用いて、陽極11を基材Bに向かって移動させることにより、固体電解質膜13を基材Bの成膜領域Eに加圧する。これにより、陽極11を介して固体電解質膜13を加圧することができるので、固体電解質膜13を成膜領域Eの基材Bの表面に均一に倣わせることができる。すなわち、陽極11をバックアップ材として固体電解質膜13を基材に接触(加圧)しながら、より均一な膜厚の金属被膜Fを成膜することができる。
次に、電源部14を用いて、陽極11と陰極となる基材Bとの間に電圧を印加し、固体電解質膜13の内部に含有された金属イオンから金属を基材Bの表面に析出させる。この際、陽極11に、金属イオン溶液Lを供給しながら、金属被膜Fの成膜を行う。
このような結果、多孔質体からなる陽極11を用いることにより、金属イオン溶液Lをその内部に透過させることができ、透過した溶液Lを金属イオンとともに、固体電解質膜13に供給することができる。これにより、成膜時において、多孔質体である陽極11を介して、金属イオン溶液Lを随時供給することができる。供給された金属イオン溶液Lは、陽極11内部を透過して、陽極11に隣接する固体電解質膜13に接触し、固体電解質膜13内に金属イオンが含浸される。
そして、陽極11と、陰極となる基材Bと、の間に電圧を印加することにより、陽極側から供給された金属イオンは、固体電解質膜13内の金属イオンは陽極11側から通電部12側(基材B側)に移動し、固体電解質膜13の内部に含有された金属イオンから金属が通電部側に析出される。これにより、金属被膜Fを基材Bの表面に成膜することができる。
このように、多孔質体である陽極11を介して、金属イオン溶液Lを随時供給することができるので、析出させることができる金属量に制限を受けることがなく、所望の膜厚の金属被膜Fを、複数の基材Bの表面に成膜することができる。
さらに、成膜領域Eを囲うように通電部12を基材Bに接触させたことにより、成膜領域Eに、均一の電流を流すことができ、所望の形状の、均一な膜厚の金属被膜Fを成膜することができる。
また、成膜後の基材Bを搬送装置40により搬送し、未成膜の基材と入れ替え、上述した作業を繰り返すことにより、複数の基材の表面に連続して成膜することができる。
〔第2実施形態〕
図3は、本発明の第2実施形態に係る金属被膜の成膜装置の模式的断面図であり、図4は、図3に示す成膜装置の底面の模式的平面図である。図5は、図3に示す成膜装置の通電部(通電用突起)の構造を説明するための断面図である。図6は、図3に示す成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図3は、本発明の第2実施形態に係る金属被膜の成膜装置の模式的断面図であり、図4は、図3に示す成膜装置の底面の模式的平面図である。図5は、図3に示す成膜装置の通電部(通電用突起)の構造を説明するための断面図である。図6は、図3に示す成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、成膜装置の通電部の構造と、絶縁部材を新たに設けた点である。よって、第1実施形態と共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
図3に示すように、第2実施形態に係る成膜装置1Bは、金属製の多孔質体からなる陽極11と、金属製の通電部12と、陽極11の表面に配置された固体電解質膜13と、陽極11と通電部12との間に電圧を印加する電源部14と、を少なくとも備えている。
金属イオン供給部15の上部には開口が形成されており、第1実施形態と同様の一対の加圧部16,16が接続されている。加圧部16は、陽極11を陰極となる基材Bに向かって移動させることにより、固体電解質膜13を基材Bの成膜領域Eに加圧するものである。図示しないが、第1実施形態と同様に、本実施形態の場合も、金属イオン供給部15に、金属イオン溶液Lが収納された溶液タンクおよび廃液を回収する廃液タンクが接続されている。
さらに、図4に示すように、固体電解質膜13は、陽極11と通電部12との間において基材Bの成膜領域Eに応じた形状を有しており、陽極11には、固体電解質膜13を囲繞するように絶縁体19がさらに配置されている。絶縁体19は、電源部14からの電流を電気的に絶縁することができる材質であればよく、たとえば、セラミックスや高分子樹脂などからなる。
さらに、通電部12は、絶縁体19の表面から基材Bに向かって突出するように配置された複数の通電用突起12a,12a…からなる。複数の通電用突起12a,12a…は、成膜時に、金属被膜Fが成膜される基材の成膜領域Eを囲うように配置されている。
図5に示すように、各通電用突起12aは、加圧部16による加圧時に、基材Bに通電用突起12aが接触した際に、加圧力により、絶縁体19の内部に入り込むような構造となっている。具体的には、絶縁体19の内部には、通電用突起12aを収納する収納空間19aが形成されており、通電用突起12aが絶縁体19の表面から突出するような孔部19bが形成されている。
通電用突起12aの軸方向中央には、孔部19bの内径よりも大きいストッパー12bが設けられている。通電用突起12aの基端側には、通電用突起12aを先端側に付勢するための付勢部材(たとえば、バネ)12cが配置されている。さらに、付勢部材12cには、すべての通電用突起12a,12a,…を電気的に導通するための金属製の導通部材12dが設けられている。
このように構成することにより、加圧部16による加圧時に、基材Bに通電用突起12aが接触した際に、加圧力により、すべての通電用突起12aが、絶縁体19の収納空間19aに入り込むことができる。また、加圧が解除されると、付勢部材12cにより、通電用突起12aを先端側に移動して、孔部19bにストッパー12bが係止される。
また、各導通部材12dを設け、そのうちの1つの導通部材12dに電源部14を接続することにより、陽極11と、すべての通電用突起12a,12a,…に対して、電源部14の電圧を印加することができる。
以下に本実施形態にかかる成膜方法について説明する。本実施形態では、基材Bの表面に、スパッタリングなどにより金属下地層(シード層)Aが形成された基材を用いる。本実施形態では、基材Bに形成された金属下地層Aが本発明でいう陰極に相当する。
まず、図5に示すように、多孔質体からなる陽極11の表面に固体電解質膜13を配置し、固体電解質膜13を基材Bに接触させると共に、すべての通電用突起12a,12a,…を基材B(の金属下地層A)に導通させる。具体的には、成膜時に、すべての通電用突起12a,12a,…、金属被膜Fが成膜される基材Bの成膜領域Eを囲うように配置する。
次に、加圧部16を用いて、陽極11を基材Bに向かって移動させることにより、固体電解質膜13を基材B(金属下地層A)の成膜領域Eに加圧する。これにより、陽極11を介して固体電解質膜13を加圧することができるので、固体電解質膜13を成膜領域Eの基材Bの表面に均一に倣わせることができる。この際に、加圧部16による加圧時に、基材Bのシード層Aに、通電用突起12aが接触した際に、この接触状態を維持しつつ、加圧力により、すべての通電用突起12aは、絶縁体19の収納空間19aに入り込むことができる。
次に、電源部14を用いて、陽極11とすべての通電用突起12a,12a,…との間に電圧を印加し、固体電解質膜13の内部に含有された金属イオンから金属を基材表面(金属下地層Aの表面)に析出させる。この際、陽極11に、金属イオン溶液Lを供給しながら、金属被膜Fの成膜を行う。
このような結果、第1実施形態と同様の効果を期待することができるとともに、以下のさらなる効果を期待することができる。すなわち固体電解質膜13に、基材Bの成膜領域に応じた形状のものを用い、陽極には、固体電解質膜13を囲繞するように絶縁体19を配置したので、基材Bの成膜領域以外の部分には、絶縁体19が配置されることになる。この結果、絶縁体19と対向する位置の基材の表面(金属下地層Aの表面)には、金属被膜Fは成膜されず、成膜領域Eに、所望の形状の金属被膜Fを成膜することができる。これにより、金属被膜Fのパターニング精度を高めることができる。
さらに、通電部12として、該絶縁体の表面から前記基材に向かって突出するように配置された通電用突起12a,12a…を用いたので、機械的に陽極11と通電部12とを一体構造にすることができる。これにより、第1実施形態の如く、成膜時に、通電部を基材側に配置しなくてもよい。
さらに、成膜領域Eを囲うように通電用突起12a,12a…を基材Bの表面を接触させたことにより、成膜領域Eに、均一の電流を流すことができ、所望の形状の、均一な膜厚の金属被膜Fを成膜することができる。
さらに、通電用突起12a,12a…は、加圧部16による加圧時に、基材Bに通電用突起が接触した状態で、絶縁体19の収納空間19aに入り込む。これにより、各通電用突起12aの先端が基材の表面に接触した状態を維持されるので、各通電用突起12aと基材Bとの導通を確保することができ。また、基材Bの成膜領域Eに、固体電解質膜13を均一に接触させることができる。この結果、均一な膜厚の金属被膜Fをより簡単に成膜することができる。
〔第3実施形態〕
図7は、本発明の第3実施形態に係る金属被膜の成膜装置による成膜方法を説明するための図であり、(a)は、成膜装置の成膜前状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
図7は、本発明の第3実施形態に係る金属被膜の成膜装置による成膜方法を説明するための図であり、(a)は、成膜装置の成膜前状態を説明するための模式的断面図であり、(b)は、成膜装置の成膜時の状態を説明するための模式的断面図である。
第3実施形態が第1実施形態と異なる点は、成膜装置の通電部および陽極の構造である。よって、第1実施形態と共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
図7(a),(b)に示すように、本実施形態では、陽極11に対向する位置に通電部12が配置され、通電部12の上に基材Bが配置されている。固体電解質膜13と接触する陽極の少なくとも表面は、基材Bの成膜領域E1に応じた形状の成膜用表面11aと、成膜用表面11a以外の非成膜用表面11bとを有している。成膜用表面11aの金属は、非成膜用表面11bの金属に比べて酸素過電圧が小さい金属で構成されている。
たとえば、陽極を上述した発泡チタンを用いた場合には、発泡チタンの表面には、不動態膜としてTiO2が形成されることがある。このような場合には、非成膜用表面11bの金属を、TiO2で構成し、成膜用表面11aに、Pt,RuO2などの金属被膜をさらに被覆する。
ここで、Ptの酸素過電圧は0.3Vであり,RuO2の酸素過電圧は0.2Vである。TiO2の酸素過電圧は3.3Vである。すなわち、成膜用表面11を構成するPt,RuO2などの金属は、非成膜用表面11bの表面のTiO2よりも、酸素過電圧が小さい金属である。なお、この酸素過電圧は、今回のプロセスで1mA/cm2の電流を追加した時の電圧を測定して得られたものである。
なお、Pt,RuO2などの金属被膜は、電解メッキ、スパッタリングなどのPVD法、プラズマを利用したCVD法などにより、多孔質体(陽極11)の空孔を塞がないように、その表面に被覆することができる。
このようにして、成膜用表面11aの金属は、非成膜用表面11bの金属に比べて酸素過電圧が小さい金属であるので、成膜時に、成膜用表面11aに対向した基材Bの成膜領域E1の金属イオンから金属への析出反応性を高めることができる。すなわち、本実施形態の場合には、第1実施形態の陽極を用いた場合に比べて、基材Bの成膜領域E1に金属を析出させるための印加電圧を低くすることができる。
この結果、図7(b)に示すように、成膜用表面11aに対向した基材11の成膜領域E1にのみ金属を析出させることができる。このようにして、基材12の非成膜領域E2にマスキング等を行うことなく、成膜用表面11aに応じたパターンに金属被膜Fを成膜することができる。
なお、第1実施形態において、陽極を発泡チタンとした場合、陽極の表面には、不動態膜としてTiO2が形成される。しかしながら、この状態であっても、電源部14の印加電圧を調整することにより(具体的には、第3の実施形態における成膜時の印加電圧よりも高い印加電圧に調整することにより)、金属被膜Fを成膜することができることは勿論のことである。
〔第4実施形態〕
図8は、本発明の第4実施形態に係る金属被膜の成膜装置の前処理工程を説明するための模式的断面図である。第3実施形態が第1実施形態と異なる点は、金属イオン供給部に収容する溶液を金属イオン溶液Lの代わりに、酸水溶液(電解液)を収容した点である。よって、第1実施形態と共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
図8は、本発明の第4実施形態に係る金属被膜の成膜装置の前処理工程を説明するための模式的断面図である。第3実施形態が第1実施形態と異なる点は、金属イオン供給部に収容する溶液を金属イオン溶液Lの代わりに、酸水溶液(電解液)を収容した点である。よって、第1実施形態と共通する構成は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
図8に示す、基材Bとして、たとえば、アルミニウムまたはアルミニウム合金などからなる基材、その他酸化膜BRが形成された基材などを用いる。なお、アルミニウムまたはアルミニウム合金などからなる基材の表面の場合には、基材表面に不動態膜として酸化膜BRが形成されている。
このように、基材Bの表面に酸化膜BRが形成されている場合、この酸化膜BRの上に、成膜された金属被膜Fは、基材Bに対して十分に密着強度を保つことが出来ないことがある。このような場合には、図8に示すように、固体電解質膜13に水素イオンを含浸させて、電源部14で陽極11と陰極となる基材との間に電圧を印加し、水素イオンで酸化膜BRの酸化物MxOyを金属Mに還元する(水素還元処理)。この際に、金属被膜Fの密着強度を保つことができるのであれば、酸化膜の表面の酸化物MxOyを金属M還元すればよい。
このような結果、金属被膜Fの成膜を行う前に、基材Bの表面の酸化物MxOyは除去(還元)することができる。還元された表面に成膜した金属被膜Fは、酸化膜BRが形成された表面に成膜したものに比べて、基材Bに対する密着力が高くなる。なお、電源部14により印加する電圧は、水素ガス発生の理論電圧(1.23V)以上である。
固体電解質膜13への水素イオンの含浸は、金属イオン供給部に収容する溶液を金属イオン溶液Lの代わりに、酸水溶液(酸溶液)を収容することにより達成できる。すなわち、金属イオン供給部に収容された酸水溶液は、多孔質体からなる陽極11の内部に浸透し、陽極11から固体電解質膜13に浸透し、その内部に含浸することができる。
このような酸水溶液は、硫酸、硝酸、塩酸等の水溶液など、pH4以下の溶液を用いる。本実施形態では、酸水溶液を用いたが、金属イオンを含む溶液自体が酸溶液であってもよい。この場合には、成膜を行う際に、金属イオンの還元による金属被膜の形成と水素還元による酸化膜の酸化物の還元を同時に行うことができる。
本発明を以下の実施例により説明する。
[実施例1]
上述した図7に示す装置を用いて金属被膜を成膜した。表面に成膜する基材として、純アルミニウム基材(50mm×50mm×厚さ1mm)を準備し、この表面にNiメッキ被膜を形成し、さらにニッケル被膜の表面に、Auメッキ被膜を形成した。次に、10mm×10mm×1mmの発泡チタンからなる多孔質体(三菱マテリアル製)の表面に、成膜領域に相当する成膜用表面に白金めっきを厚さ3μm被覆した陽極を用いた。
上述した図7に示す装置を用いて金属被膜を成膜した。表面に成膜する基材として、純アルミニウム基材(50mm×50mm×厚さ1mm)を準備し、この表面にNiメッキ被膜を形成し、さらにニッケル被膜の表面に、Auメッキ被膜を形成した。次に、10mm×10mm×1mmの発泡チタンからなる多孔質体(三菱マテリアル製)の表面に、成膜領域に相当する成膜用表面に白金めっきを厚さ3μm被覆した陽極を用いた。
固体電解質膜に、膜厚183μmの電解質膜(デュポン社製:ナフィオンN117)を用いた。金属イオン溶液に、1mol/Lの硫酸銅溶液を準備し、電流密度2.5mA/cm2、処理時間30分、陽極の上部より0.1MPaで加圧しながら、成膜を行った。
(結果1)
図1に示すように、成膜用表面に対向する成膜領域には、基材の成膜用表面の形状に応じた銅被膜が形成され、非成膜用表面に対向する非成膜領域には、銅被膜が形成されていなかった(図9参照)。
図1に示すように、成膜用表面に対向する成膜領域には、基材の成膜用表面の形状に応じた銅被膜が形成され、非成膜用表面に対向する非成膜領域には、銅被膜が形成されていなかった(図9参照)。
[実施例2]
図9に示す装置を用いて金属被膜を成膜した。表面に成膜する基材として、実施例1と同じ純アルミニウム基材を準備し、電解液(酸水溶液)として、0.1mol/Lの硫酸水溶液を供給した。次に、陽極と陰極(基材)との間に、電圧2.0Vを印加し、5分間、アルミニウム基材の水素還元処理を行った。次に、水素還元処理をおこなったアルミニウム基材の表面に、金属被膜を成膜した。金属イオン溶液に、1mol/Lの硫酸銅溶液を準備し、電流密度5mA/cm2、処理時10分、陽極の上部より0.1MPaで加圧しながら、成膜を行った。
図9に示す装置を用いて金属被膜を成膜した。表面に成膜する基材として、実施例1と同じ純アルミニウム基材を準備し、電解液(酸水溶液)として、0.1mol/Lの硫酸水溶液を供給した。次に、陽極と陰極(基材)との間に、電圧2.0Vを印加し、5分間、アルミニウム基材の水素還元処理を行った。次に、水素還元処理をおこなったアルミニウム基材の表面に、金属被膜を成膜した。金属イオン溶液に、1mol/Lの硫酸銅溶液を準備し、電流密度5mA/cm2、処理時10分、陽極の上部より0.1MPaで加圧しながら、成膜を行った。
[実施例3]
実施例2と同じように、基材の水素還元処理を行った後、金属被膜を成膜した。実施例2と相違する点は、基材に無酸素銅板を用い、酸化膜厚さ約120nmとなるように酸化処理をおこなった点である。
実施例2と同じように、基材の水素還元処理を行った後、金属被膜を成膜した。実施例2と相違する点は、基材に無酸素銅板を用い、酸化膜厚さ約120nmとなるように酸化処理をおこなった点である。
[実施例4]
実施例2と同じように、実施例1に係る基材の水素還元処理を行った後、金属被膜を成膜した。実施例2と相違する点は、純アルミニウム基材に、Ni−Pメッキを行い、その後、温度40℃、湿度90%、恒温恒湿処理をおこない酸化処理を行った点である。
実施例2と同じように、実施例1に係る基材の水素還元処理を行った後、金属被膜を成膜した。実施例2と相違する点は、純アルミニウム基材に、Ni−Pメッキを行い、その後、温度40℃、湿度90%、恒温恒湿処理をおこない酸化処理を行った点である。
[比較例1〜3]
比較例1では、実施例2と同じように、金属被膜を成膜した。比較例2では、実施例3と同じように、金属被膜を成膜した。比較例3では、実施例4と同じように、金属被膜を成膜した。これらの比較例1〜3が、対応する実施例2〜4と相違する点は、成膜の前処理として、基材の水素還元処理を行っていない点である。
比較例1では、実施例2と同じように、金属被膜を成膜した。比較例2では、実施例3と同じように、金属被膜を成膜した。比較例3では、実施例4と同じように、金属被膜を成膜した。これらの比較例1〜3が、対応する実施例2〜4と相違する点は、成膜の前処理として、基材の水素還元処理を行っていない点である。
(結果2)
実施例2〜4の場合には、銅の析出(電析)により銅被膜が形成されていたが、比較例1〜3の場合には、銅の析出(電析)により銅被膜が形成されているものの、その密着性は十分なものではなかった。実施例2〜4の場合には、基材表面の酸化物は還元されため、還元された表面により密着性の高い金属被膜を成膜することができたと考えられる。
実施例2〜4の場合には、銅の析出(電析)により銅被膜が形成されていたが、比較例1〜3の場合には、銅の析出(電析)により銅被膜が形成されているものの、その密着性は十分なものではなかった。実施例2〜4の場合には、基材表面の酸化物は還元されため、還元された表面により密着性の高い金属被膜を成膜することができたと考えられる。
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
1A,1B:成膜装置、11:陽極、11a:成膜用表面、11b:非成膜用表面、12:通電部、12a:通電用突起、12b:ストッパー、12c:付勢部材、12d:導通部材、13:固体電解質膜、14:電源部、15:金属イオン供給部、15a:蓋部、15b:内壁、16:加圧部、17溶液タンク、17a:供給管、18:廃液タンク、18a:廃液管、19:絶縁体、19a:収納空間、19b:孔部、21:基台、22:温度制御部、40:搬送装置、A;シード層、B:基材(陰極)、E:成膜領域、F:金属被膜、L:金属イオン溶液
Claims (16)
- 陽極と、前記陽極と陰極となる基材と、の間において前記陽極の表面に配置された固体電解質膜と、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加する電源部と、を少なくとも備えており、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、該固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出させることにより、前記金属からなる金属被膜を成膜する金属被膜の成膜装置であって、
前記陽極は、前記金属イオンを含む溶液が透過し、かつ前記固体電解質膜に前記金属イオンを供給する、多孔質体からなることを特徴とする金属被膜の成膜装置。 - 前記成膜装置は、前記陽極に前記金属イオンを含む溶液を供給するための金属イオン供給部を備えることを特徴とする請求項1に記載の金属被膜の成膜装置。
- 前記成膜装置は、前記陽極を前記基材に向かって移動させることにより、前記固体電解質膜を成膜される基材に加圧する加圧部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の金属被膜の成膜装置。
- 前記成膜時に前記基材の成膜領域を囲うように形成されるとともに、前記電源部の負極と基材とを導通する通電部をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の金属被膜の成膜装置。
- 前記固体電解質膜は、前記基材の成膜領域に応じた形状を有しており、
前記陽極には、前記固体電解質膜を囲繞するように絶縁体がさらに配置されており、
前記通電部は、該絶縁体の表面から前記基材に向かって突出するように、前記絶縁体に配置された複数の通電用突起であることを特徴とする請求項4に記載の金属被膜の成膜装置。 - 前記通電用突起は、前記加圧部による加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した際に、加圧力により、前記絶縁体の内部に入り込むような構造となっていることを特徴とする請求項5に記載の金属被膜の成膜装置。
- 前記固体電解質膜と接触する前記陽極の表面は、基材の成膜領域に応じた形状の成膜用表面と、該成膜用表面以外の非成膜用表面とを有しており、前記成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の金属被膜の成膜装置。
- 前記固体電解質膜は、水素イオンを含有していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の金属被膜の成膜装置。
- 陽極と、陰極となる基材と、の間において前記陽極の表面に固体電解質膜を配置し、前記固体電解質膜を基材に接触させると共に、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加し、該固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出することにより、前記金属からなる金属被膜を前記基材の表面に成膜する金属被膜の成膜方法であって、
前記陽極として、前記金属イオンを含む溶液が透過し、かつ前記固体電解質膜に前記金属イオンを供給する、多孔質体を用いることを特徴とする金属被膜の成膜方法。 - 前記陽極に、前記金属イオンを含む溶液を供給しながら、前記金属被膜の成膜を行うことを特徴とする請求項9に記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記陽極を前記基材に向かって移動させることにより、前記固体電解質膜を前記基材に加圧することを特徴とする請求項9または10に記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記電圧を印加する電源部の負極と前記基材とを導通する通電部を、前記成膜時に、前記基材の成膜領域を囲うように配置することを特徴とする請求項11に記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記固体電解質膜に、前記基材の成膜領域に応じた形状のものを用い、前記陽極には、前記固体電解質膜を囲繞するように絶縁体を配置し、前記通電部として、該絶縁体の表面から前記基材に向かって突出するように配置された複数の通電用突起を用いることを特徴とする請求項12に記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記通電用突起は、加圧時に、前記基材に前記通電用突起が接触した際に、加圧力により、前記絶縁体の内部に入り込むようになっていることを特徴とする請求項13に記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記固体電解質膜と接触する前記陽極の表面は、基材の成膜領域に応じた形状の成膜用表面と、該成膜用表面以外の非成膜用表面とを有しており、前記成膜用表面の金属は、前記非成膜用表面の金属に比べて酸素過電圧が小さい金属であることを特徴とする請求項9〜11のいずれかに記載の金属被膜の成膜方法。
- 前記基材として、表面に酸化膜が形成された基材を用い、
前記固体電解質膜に水素イオンを含浸させて、前記陽極と前記陰極となる基材との間に電圧を印加し、前記水素イオンで前記酸化膜の酸化物を還元することを特徴とする請求項9〜15のいずれかに記載の金属被膜の成膜方法。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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JPWO2013125643A1 JPWO2013125643A1 (ja) | 2015-07-30 |
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ID=49005820
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US10047452B2 (ja) |
EP (1) | EP2818585B1 (ja) |
JP (1) | JP5605517B2 (ja) |
KR (1) | KR101623677B1 (ja) |
CN (1) | CN104011269B (ja) |
WO (1) | WO2013125643A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015092012A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-05-14 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜用ニッケル溶液およびこれを用いた成膜方法 |
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---|---|---|---|---|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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