JP6447575B2 - 金属皮膜の成膜方法およびその成膜装置 - Google Patents
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Description
1.成膜装置1Aについて
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る金属皮膜の成膜装置1Aの模式的断面図である。本実施形態に係る成膜装置1Aは、金属イオンを還元することで金属を析出させて、析出した金属からなる金属皮膜を基板Bの表面に成膜する装置である。
以下に本実施形態に係る成膜装置1Aを用いた成膜方法を説明する。図1Bは、図1Aに示す成膜装置1Aを用いた基板Bの表面Baへの金属皮膜Fの成膜を説明するための図である。
図2Aは、本発明の第2実施形態に係る金属皮膜の成膜装置1Bの模式的断面図である。第2実施形態に係る成膜装置1Bが、第1実施形態のものと相違する点は、押圧部の構成である。したがって、第2実施形態において、第1実施形態の成膜装置1Aの構成と同じ構成は、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図3Aは、本発明の第3実施形態に係る金属皮膜の成膜装置1Cの模式的断面図である。第3実施形態に係る成膜装置1Cが、第2実施形態のものと相違する点は、昇降装置31の代わりに拘束部50を新たに設けた点である。したがって、第3実施形態において、第2実施形態の成膜装置1Bの構成と同じ構成は、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図4Aは、本発明の第4実施形態に係る金属皮膜の成膜装置1Dの模式的断面図である。図4Bは、第3実施形態において成膜される基板Cの模式的断面図である。第4実施形態では、成膜される基板が、第3実施形態のものとは異なり、薄膜の素材が異なる。したがって、第4実施形態において、第3実施形態の成膜装置1Cの構成と同じ構成は、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
[実施例1]
上述した図4Aに示す成膜装置1Dを用いて金属皮膜を成膜した。まず、基板として、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基板を準備した。ガラスエポキシ基板の寸法は、40mm×50mm×0.8mmである。この基板の表面には、厚さ20μmのレジストが形成されており、レジストから露出した表面には、直径0.6mmの銅ランド(第1導体部)が16個形成されている。具体的には、銅ランドは、レジストにより形成された基板の表面の凹部の底面に形成されている。さらに、図4Bに示すように、基板のガラスエポキシ樹脂からなる裏面には、複数の凹部が形成されており、凹部の底面には、各銅ランドに導通する第2導体部が形成されている。
実施例1と同じようにして、基板に対して銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、図1Aに示す成膜装置1Aを用いて、第1収容室内の陽極を固体電解質膜に接触させ、固体電解質膜を介して、陽極で基板を押圧(加圧)した点と、成膜装置の載置台の第2収容室にチタン板を配置し、薄膜を設けなかった点である。
実施例1と同じようにして、基板に対して銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、図1Aに示す成膜装置1Aを用いて、第1収容室内の陽極を固体電解質膜に接触させ、固体電解質膜を介して、陽極で基板を押圧(加圧)した点である。
実施例1と同じようにして、基板に対して銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、成膜装置の載置台の第2収容室にチタン板を配置し、薄膜を設けなかった点である。
実施例1と同じようにして、基板に対して銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、成膜装置の載置台の第2収容室に導電性のシリコーンゴムを配置し、薄膜を設けなかった点である。
実施例1と同じようにして、基板に対して銅皮膜を成膜した。実施例1と相違する点は、圧力調整弁の設定圧力を調整することにより、成膜時に、金属溶液の液圧を、それぞれ0.1MPa,0.5MPaにした点である。
実施例1では、すべての銅ランドに銅皮膜が形成されていたが、比較例1〜3では、銅ランドに銅皮膜は形成されておらず、比較例4および参考例1、2では、銅皮膜が形成されていない銅ランドが存在した。
Claims (7)
- 陽極と、陰極である基板との間に固体電解質膜を配置し、載置台に載置された前記基板の表面に前記固体電解質膜を接触させた状態で、前記陽極と前記基板との間に、電圧を印加することにより、前記固体電解質膜に含有した金属イオンを還元し、前記基板の表面に前記金属イオン由来の金属を析出させて、前記基板の表面に金属皮膜を成膜する金属皮膜の成膜方法であって、
前記陽極と前記固体電解質膜との間に前記金属イオンを含む金属溶液が配置され、前記固体電解質膜を介して前記金属溶液が前記基板の表面に配置されるように、前記金属溶液を、ハウジングの第1収容室内に前記固体電解質膜で封止した状態にし、
前記金属皮膜が成膜される表面と反対側に位置する前記基板の裏面に、可撓性を有した薄膜を介して流体が配置されるように、前記流体を、前記載置台の第2収容室内に前記薄膜で封止した状態にし、
前記基板を前記載置台に載置した状態で、前記載置台と前記ハウジングとを相対的に移動させて前記固体電解質膜と前記薄膜との間に前記基板を挟み込み、
挟み込んだ状態の前記基板に、前記固体電解質膜および前記薄膜を押圧することにより、前記固体電解質膜および前記薄膜を、前記基板の前記表面および前記裏面に倣わせて、前記金属皮膜の成膜を行い、
前記基板の表面に、前記金属皮膜が成膜される複数の第1導体部が形成され、前記基板の裏面または前記基板の側面に、前記各第1導体部に導通した第2導体部が形成されており、
前記薄膜に、前記基板が載置される面に少なくとも導電性を有した薄膜を用い、
前記薄膜を前記基板の裏面に押圧することにより、前記薄膜を前記第2導体部に接触させ、前記薄膜と前記陽極との間に前記電圧を印加することにより、前記第1導体部に前記金属皮膜を成膜することを特徴とする金属皮膜の成膜方法。 - 前記固体電解質膜および前記薄膜の押圧を、前記第1収容室内の金属溶液の圧力または前記第2収容室内の前記流体の圧力を増加させることにより行うことを特徴とする請求項1に記載の金属皮膜の成膜方法。
- 前記固体電解質膜と前記薄膜との間に前記基板を挟み込んだ状態で、前記ハウジングと前記載置台との相対的な変位を拘束し、
前記変位を拘束した状態で、前記固体電解質膜および前記薄膜の押圧を行いながら、前記金属皮膜の成膜を行うことを特徴とする請求項2に記載の金属皮膜の成膜方法。 - 前記基板の裏面には凹部が形成されており、該凹部の底面に前記第2導体部が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の金属皮膜の成膜方法。
- 陽極と、前記陽極と陰極である基板との間に配置され、金属イオンを含有する固体電解質膜と、前記陽極と前記基板との間に電圧を印加する電源部と、前記基板を載置する載置台と、を備え、前記固体電解質膜に接触した前記基板の表面に前記金属イオン由来の金属を析出させて、前記基板の表面に金属皮膜を成膜する金属皮膜の成膜装置であって、
前記成膜装置は、金属イオンを含む金属溶液を収容する第1収容室が形成されたハウジングをさらに備えており、前記陽極と前記固体電解質膜との間に前記金属溶液が配置され、前記固体電解質膜を介して前記金属溶液が前記基板の表面に配置されるように、前記第1収容室には前記金属溶液が前記固体電解質膜で封止されており、
前記載置台には、流体を収容する第2収容室が形成されており、前記金属皮膜が成膜される表面と反対側に位置する前記基板の裏面に、可撓性を有した薄膜を介して流体が配置されるように、前記第2収容室内には前記流体が前記薄膜で封止されており、
前記ハウジングおよび前記載置台の少なくとも一方は、前記固体電解質膜と前記薄膜との間に前記基板を挟み込むことが可能なように、移動自在となっており、
前記成膜装置は、前記固体電解質膜と前記薄膜との間に挟み込まれた状態の基板に、前記固体電解質膜および前記薄膜を押圧する押圧部をさらに備え、
前記薄膜は、前記基板が載置される面に少なくとも導電性を有した薄膜であることを特徴とする金属皮膜の成膜装置。 - 前記押圧部は、前記第1収容室内の前記金属溶液を加圧するポンプ、または前記第2収容室内の前記流体を加圧するポンプであることを特徴とする請求項5に記載の金属皮膜の成膜装置。
- 前記成膜装置は、前記固体電解質膜と前記薄膜との間に前記基板を挟み込んだ状態で、前記ハウジングと前記載置台との相対的な変位を拘束する拘束部をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の金属皮膜の成膜装置。
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