JP2023067422A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる配線基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、溶液収容部における固体電解質膜の上方に、シード層の表面が上記陽極に対向し、かつ固体電解質膜の上面に接触するようにシード層付き基材を配置した状態で、陽極と陰極に相当するシード層との間に電圧を印加することにより、金属溶液の金属イオンを含有する液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜し、金属層を形成する形成工程と、を備え、形成工程において、陽極とシード層との間に流れる電流の電流密度及び電圧を印加する成膜時間を、金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とし、液体の滲出量を、金属層の上記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする。【選択図】図２Ｄ
Description
本発明は、配線基板の製造方法に関し、特に、基材と、基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、配線層が、基材の表面に設けられた、配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、シード層に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法に関する。
従来から、陽極と、陽極に対向する基板や基材の表面に設けられたシード層等との間において、固体電解質膜を基板やシード層等に接触させるように配置した状態で、金属溶液の金属イオンを含有する液体を固体電解質膜の外表面側に滲み出させながら、陽極と陰極に相当する基板やシード層等との間に電圧を印加することにより、基板やシード層等に金属イオンが還元された金属層を形成する方法が利用されている。
このような技術として、例えば、特許文献１には、陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部を用い、陽極の上方に固体電解質膜を介して基板を配置して、陽極と陰極に相当する基板との間に電圧を印加することにより、基板に金属皮膜（金属層）を成膜する成膜方法が開示されている。この成膜方法では、陽極の上方に固体電解質膜を配置することで、陽極の下方に固体電解質膜を配置する方法のように固体電解質膜の交換時に金属溶液が溶液収容部から下方に流出することを回避している。電圧を印加すると、収容空間の金属溶液の金属イオンを含有する液体が固体電解質膜の上面側に滲み出し、金属イオンが基板の表面で還元され析出する。これにより、基板の表面に金属皮膜が成膜される。そして、特に、収容空間の金属溶液を加圧することで固体電解質膜を凸形状にし、さらに固体電解質膜に上方から基板の表面を押圧してから電圧を印加することで、金属皮膜を均一に成膜している。
一方、基材と、基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、配線層が、基材の表面に設けられた、配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、シード層に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法において、金属イオンを含有する金属溶液及び固体電解質膜を用い、シード層に金属イオンが還元された金属層を形成する場合には、配線パターンの配線層の隣接する配線どうしが導通して短絡が起こることがないように、基材の表面に略平行となるシード層の表面に垂直な方向に選択的に金属層を形成することが望ましい。しかしながら、この場合には、金属層がシード層の側面の線幅方向に等方的に形成されてしまう問題が起きている。さらに、上記のように収容空間の金属溶液を加圧するとそのような問題が顕著になる。
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる配線基板の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決すべく、本発明の配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、上記基材と、上記基材の表面に設けられた上記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する準備工程と、陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における上記固体電解質膜の上方に、上記シード層の表面が上記陽極に対向し、かつ上記固体電解質膜の上面に接触するように上記シード層付き基材を配置する配置工程と、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する形成工程と、を備え、上記形成工程において、上記陽極と上記シード層との間に流れる電流の電流密度及び上記電圧を印加する成膜時間を、上記金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とし、上記形成工程において、上記液体の滲出量を、上記金属層の上記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする。
さらに、本発明の配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、上記基材と、上記基材の表面に設けられた上記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する準備工程と、陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における上記固体電解質膜の上方に、上記シード層の表面が上記陽極に対向し、かつ上記固体電解質膜の上面に接触するように上記シード層付き基材を配置する配置工程と、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する形成工程と、を備え、上記形成工程において、上記シード層の表面に垂直な方向の上記金属層の厚さＴｆに対する上記シード層の側面の線幅方向の上記金属層の幅Ｗｓの比率の平均値が０．７０以下となるように上記金属層を形成することを特徴とする。
本発明によれば、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる。
以下、本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法について、第１態様と、第２態様とに大別して説明する。なお、実施形態では、特に断りがない限り、「上方」とは、鉛直方向とは反対の方向を指し、「下方」とは、鉛直方向と同一の方向を指す。また、「上面」とは、鉛直方向とは反対の方向を向く面を指し、「下面」とは、鉛直方向と同一の方向を向く面を指す。さらに、「線幅方向」とは、配線パターンの配線の線幅方向であって、基材の表面に平行であり、かつ配線の延伸方向に垂直な方向を指す。
Ａ．第１態様
第１態様に係る配線基板の製造方法について、まず、第１実施形態を例示して概略を説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法のフローチャートである。図２Ａ～図２Ｄは、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す概略工程図である。図２Ａ（ａ）～（ｃ）は、準備工程におけるシード層付き基材の断面、表面、及び裏面をそれぞれ示す概略図である。図２Ｂ～図２Ｄは、液供給工程、配置工程、及び形成工程をそれぞれ示す概略断面図である。図３（ａ）は、図２Ｄに示される配線基板を拡大した概略断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示される配線基板の概略上面図である。
第１態様に係る配線基板の製造方法について、まず、第１実施形態を例示して概略を説明する。図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法のフローチャートである。図２Ａ～図２Ｄは、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示す概略工程図である。図２Ａ（ａ）～（ｃ）は、準備工程におけるシード層付き基材の断面、表面、及び裏面をそれぞれ示す概略図である。図２Ｂ～図２Ｄは、液供給工程、配置工程、及び形成工程をそれぞれ示す概略断面図である。図３（ａ）は、図２Ｄに示される配線基板を拡大した概略断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示される配線基板の概略上面図である。
第１実施形態に係る配線基板の製造方法においては、まず、図１及び図２Ａ（ａ）～（ｃ）に示すように、絶縁性の基材２と、基材２の表面２ｆに設けられたシード層４と、基材２の裏面２ｒに設けられた導体層６と、基材２の表面２ｆのシード層４の配設箇所から裏面２ｒまで貫通するビアホール２ｈに充填されたビア導体８と、を備えるシード層付き基材１を準備する（準備工程Ｓ１）。シード層４は、所定の微細なラインアンドスペースの配線パターンに応じた所定のラインアンドスペースを有し、基材２の表面２ｆに対して平行となる表面４ｆと、基材２の表面２ｆに対して垂直となる側面４ｓとを有している。導体層６は、基材２の裏面２ｒの全体に設けられている。ビア導体８は、シード層４及び導体層６を電気的に接続している。
次に、図１及び図２Ｂに示すように、固相電析法（ＳＥＤ：Solid Electro Deposition）にて金属層を形成する成膜装置１００として、上部に開口部１５ａが設けられ、収容空間Ｇの底面に陽極１３が配置されたハウジング１５と、ハウジング１５の開口部１５ａを覆い、かつ封止するようにハウジング１５の上部に配置した固体電解質膜１７とから構成される溶液収容部２０を備える上方成膜用の成膜装置１００を用意する。その上で、成膜装置１００において、溶液収容部２０の収容空間Ｇに金属イオンを含有する金属溶液Ｌを供給する（液供給工程Ｓ２）。なお、成膜装置１００では、固体電解質膜１７として、所定の金属イオン透過性を有するものが用いられている。
ハウジング１５には、金属溶液Ｌの供給口１５ｆ及び排出口１５ｄが設けられている。溶液収容部２０の収容空間Ｇは、供給口１５ｆ及び排出口１５ｄを除いて、ハウジング１５及び固体電解質膜１７により密閉され、陽極１３とともに金属溶液Ｌを収容する。供給口１５ｆ及び排出口１５ｄは、配管を介してタンク１０１に接続されている。成膜装置１００では、供給口１５ｆの上流側及び排出口１５ｄの下流側にポンプ１０２及び圧力調整弁１０３がそれぞれ設けられている。ポンプ１０２を用いることにより、タンク１０１から送り出される金属溶液Ｌを、供給口１５ｆを介して収容空間Ｇに供給し、収容空間Ｇから排出口１５ｄを介して排出することでタンク１０１に戻すことができる。ポンプ１０２及び圧力調整弁１０３を用いることにより、収容空間Ｇの金属溶液Ｌの液圧を調整できる。液供給工程Ｓ２では、ハウジング１５の収容空間Ｇを固体電解質膜１７で密閉した状態で、ポンプ１０２を用いることにより、収容空間Ｇの空気を排出口１５ｄを介して外部に排出しながら、タンク１０１から供給口１５ｆを介して収容空間Ｇに金属溶液Ｌを供給することで、収容空間Ｇを金属溶液Ｌで満たす。そして、ポンプ１０２及び圧力調整弁１０３を用いることにより、収容空間Ｇの金属溶液Ｌの液圧を、収容空間Ｇの金属溶液Ｌの固体電解質膜１７側の位置の液圧が大気圧となるように調整する。これにより、固体電解質膜１７の上面１７ｔは平坦に維持される。
次に、図１及び図２Ｃに示すように、陽極１３とその上方に配置された固体電解質膜１７との間に金属イオンを含有する金属溶液Ｌが収容された収容空間Ｇが設けられた溶液収容部２０における固体電解質膜１７の上方に、シード層４の表面４ｆが陽極１３に対向し、かつ固体電解質膜１７の上面１７ｔに接触するようにシード層付き基材１を配置する（配置工程Ｓ３）。この際には、図２Ｃに示すように、昇降装置（図示せず）に取付けられた保持用治具２００によりシード層付き基材１を保持するか、あるいは、図示しないが、シード層付き基材１を治具で保持せずに単純に固体電解質膜１７の上面１７ｔに配置することにより、シード層４の表面４ｆが固体電解質膜１７の上面１７ｔの接触面を押圧する接触圧力をシード層付き基材１の自重のみによる圧力以下に調整する。
次に、図１及び図２Ｄに示すように、配置工程Ｓ３によりシード層付き基材１を配置した状態で、陽極１３及びシード層付き基材１の導体層６を電源部１０４の正極及び負極にそれぞれ接続することで、陽極１３と陰極に相当するシード層４との間に電圧を印加する。この場合、金属イオンが金属溶液の他の成分を引き連れて液体として陽極１３側からシード層４（陰極）側に向かって移動する。これにより、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間Ｇから固体電解質膜１７の上面１７ｔ側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層４の表面４ｆで還元することで成膜する。このようにして、固相電析法により、シード層４の表面４ｆに金属層５を形成する（形成工程Ｓ４）。
形成工程Ｓ４では、陽極１３とシード層４との間に流れる電流の電流密度、及び電圧を印加する成膜時間を、電流密度及び成膜時間の積で決まる電気量に応じた量の金属イオンをシード層４の表面４ｆ表面に当該表面に対し垂直な方向にのみ析出することで、金属層５をシード層４の表面４ｆの全体で一律の目標厚さとなるように形成するために必要となる電流密度及び成膜時間（金属層５を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間）とする。そして、上記のように、成膜装置１００では、固体電解質膜１７として、所定の金属イオン透過性を有するものが用いられている。さらに、液供給工程Ｓ２では、収容空間Ｇの金属溶液Ｌの固体電解質膜１７側の位置の液圧が大気圧に調整され、かつ配置工程Ｓ３では、シード層４の表面４ｆが固体電解質膜１７の上面１７ｔの接触面を押圧する接触圧力がシード層付き基材１の自重のみによる圧力以下に調整されている。これにより、形成工程Ｓ４では、金属イオンを含有する液体が収容空間Ｇから固体電解質膜１７の上面１７ｔ側に滲み出る滲出量を、金属層５の目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とする。
以上により、図２Ｄ並びに図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、絶縁性の基材２と、基材２の表面２ｆに設けられた所定の微細なラインアンドスペースの配線パターンの配線層９とを備え、配線層９が、基材２の表面２ｆに設けられた、配線パターンに応じた所定のラインアンドスペースのシード層４と、シード層４の表面４ｆに設けられた金属層５とを有する配線基板１０を製造する。
第１実施形態に係る配線基板の製造方法では、形成工程Ｓ４において、金属イオンを含有する液体が収容空間Ｇから固体電解質膜１７の上面１７ｔ側に滲み出る滲出量を、金属層５の目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下としている。このように、金属イオンを含有する液体の滲出量が抑制されていることで、金属イオンを含有する液体がシード層４の表面４ｆから側面４ｓに回り込むことを抑制できる。このため、液体中の金属イオンが、シード層４の側面４ｓに供給され還元される量を低減できる。よって、シード層４の側面４ｓの線幅方向に金属イオンが析出し成膜されることを抑制し、シード層４の表面４ｆに垂直な方向に選択的に金属イオンを析出し成膜できる。この結果、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層４の表面４ｆに垂直な方向の金属層５の厚さＴｆに対するシード層４の側面４ｓの線幅方向の金属層５の幅Ｗｓの比率（金属層５の横太り量）の平均値が０．７０以下となるように金属層５を形成できる。
従って、第１態様に係る配線基板の製造方法によれば、例えば、第１実施形態のように、シード層の側面の線幅方向に金属層が形成されることを抑制し、シード層の表面に当該表面に対し垂直な方向に選択的に金属層を形成できる。これにより、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる。
続いて、第１態様に係る配線基板の製造方法の各構成について詳細に説明する。
１．準備工程
準備工程においては、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた上記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する。
準備工程においては、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた上記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する。
シード層付き基材としては、絶縁性の基材とシード層とを備えるものであれば特に限定されないが、例えば、第１実施形態に係るシード層付き基材のように、シード層が基材の表面に下地層を介さず設けられ、基材の裏面に設けられた導体層と、基材における表面のシード層の配設箇所から裏面まで貫通するビアホールに充填され、シード層及び導体層を電気的に接続するビア導体とをさらに備え、シード層のスペースで基材の表面が露出するものでもよい。導体層を電源部の負極に接続することで、陽極と陰極に相当するシード層との間に電圧を印加できる。また、シード層付き基材としては、基材の表面に設けられた導電性を有する下地層をさらに備え、シード層が下地層の表面に設けられ、シード層のスペースで下地層の表面が露出するものでもよい。下地層を電源部の負極に接続することで、陽極と陰極に相当するシード層との間に電圧を印加できる。
基材は、絶縁性であれば特に限定されないが、例えば、ガラスエポキシ樹脂からなる基材、ポリイミド樹脂等の可撓性を有するフィルム状の基材、ガラスからなる基材等が好ましく、中でもガラスエポキシ樹脂が特に好ましい。また、基材として、樹脂からなる基材を用いる場合、例えば、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ＰＳ樹脂、ＥＶＡ樹脂、ＰＭＭＡ樹脂、ＰＢＴ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＡ樹脂、ＰＯＭ樹脂、ＰＣ樹脂、ＰＰ樹脂、ＰＥ樹脂、エラストマーとＰＰを含むポリマーアロイ樹脂、変性ＰＰＯ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＥＴＦＥ樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいはフェノール樹脂、メラミン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ジアリルフタレート、シリコーン樹脂、アルキド樹脂等の熱硬化性樹脂や、例えば、エポキシ樹脂にシアネート樹脂を加えた樹脂や、液晶ポリマーなどからなる基材を用いることができる。
シード層は、配線層の配線パターンに応じた所定パターンを有し、基材の表面に略平行となる表面と、シード層の表面と基材の表面とを繋ぐ側面とを有する。シード層のパターンは、配線層の配線パターンに応じた所定パターンであれば特に限定されないが、例えば、ラインアンドスペース等が挙げられる。シード層のラインアンドスペースのライン幅（線幅）／スペース幅（線間隔幅）は、特に限定されないが、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下／１００μｍ以上５００μｍ以下が好ましい。ライン幅／スペース幅がこのような範囲の微細な幅である場合には、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる効果が顕著となるからである。ライン幅／スペース幅は、配線基板を平面視したときのシード層の線幅／線間隔である。なお、シード層のライン幅とスペース幅は、同じ寸法に形成されてもよいし、異なる寸法に形成されてもよい。
シード層は、導電性を有し、陽極との間に電圧を印加することにより、金属イオンを表面で還元することで成膜できるものであれば特に限定されないが、例えば、金属を含有するもの等が挙げられる。シード層として、表面に自然酸化膜が形成されない層や層全体に酸化物を含まない層等が好ましい。シード層の材質としては、例えば、銀、銅、金、パラジウム、白金等が好ましく、中でも、銀、銅等が好ましい。シード層の材質として、例えば、銀、銅、金、パラジウム、及び白金からなる群より選択される１種又は２種以上を用いることができる。
シード層の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。シード層の厚さを１０μｍ以上にすることで、シード層の側面の線幅方向に金属層が形成されることを効果的に抑制できるからである。また、シード層の厚さを５０μｍ以下にすることで、シード層の形成に必要な材料費や加工費を抑えることができ、コストメリットを得ることができるからである。
シード層は、例えば、絶縁性の基材や下地層の表面に金属粒子を含有するインクを配置して固化する方法により形成される。インクを絶縁性の基材や下地層の表面に配置する方法としては、特に限定されないが、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷、転写印刷等の様々な印刷法を用いることができる。絶縁性の基材や下地層の表面に配置したインクを固化する方法としては、特に限定されないが、例えば、インクに含有された金属粒子を焼結したり、インクを加熱や乾燥により固化する方法等が挙げられる。なお、シード層を焼結により形成する場合、基材の耐熱温度以下（例えばガラスエポキシ樹脂からなる基材を用いる場合、約２５０℃以下）で焼結を行う。なお、シード層は、インクを用いずに、例えば蒸着法やスパッタリング法によって形成することもできる。
下地層は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、酸化物を表面に含む層が好ましい。酸化物を表面に含む層としては、例えば、表面に自然酸化膜が形成された層、層全体に酸化物を含む層等が挙げられるが、表面に自然酸化膜が形成された層であることが好ましい。なお、自然酸化膜とは、物質を大気中に放置した場合に物質の表面に自然に形成される酸化膜のことをいう。下地層を表面に自然酸化膜が形成される層とする場合、下地層を、例えば、シリサイドにより形成することが好ましい。なお、「シリサイド」とは、金属及びシリコンから構成される化合物のことをいう。シリサイドとしては、遷移金属シリサイド（遷移金属及びシリコンから構成されるシリサイド）を用いることが好ましい。下地層の材質としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＺｒＳｉ２、ＷＳｉ２等の遷移金属シリサイド、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の金属酸化物、Ｔｉ、Ｔｉを含有する合金、ステンレス鋼等のＣｒを含有する合金、導電性樹脂などが好ましく、中でも、ＺｒＳｉ２、ＷＳｉ２等の遷移金属シリサイドが好ましい。下地層の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。下地層は、スパッタリング法の他、例えばＰＶＤ（物理気相成長）法やＣＶＤ（化学気相成長）法等の蒸着法や、めっき法などにより形成される。
２．配置工程
配置工程においては、陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における上記固体電解質膜の上方に、上記シード層の表面が上記陽極に対向し、かつ上記固体電解質膜の上面に接触するように上記シード層付き基材を配置する。
配置工程においては、陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における上記固体電解質膜の上方に、上記シード層の表面が上記陽極に対向し、かつ上記固体電解質膜の上面に接触するように上記シード層付き基材を配置する。
溶液収容部は、陽極と固体電解質膜との間に収容空間が設けられたものであれば特に限定されないが、例えば、第１実施形態に係る溶液収容部のように、上部に開口部が設けられ、底面に陽極が配置されたハウジングと、ハウジングの開口部を覆い、かつ封止するようにハウジングの上部に配置した固体電解質膜とから構成されるものなどが挙げられる。
収容空間の金属溶液は、後述する金属層に含まれる金属を金属イオンの状態で含む溶液である。金属イオンの金属としては、特に限定されないが、例えば、銅、ニッケル、銀、金等が挙げられる。金属溶液は、金属イオンの金属を、硝酸、リン酸、コハク酸、硫酸ニッケル、ピロリン酸等の酸で溶解したものであれば特に限定されないが、例えば、硫酸銅水溶液である。
収容空間の金属溶液の液圧は、形成工程で液体の滲出量を金属層の目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることが可能な液圧に調整する必要がある。収容空間の金属溶液の液圧としては、このような液圧であれば特に限定されないが、例えば、収容空間の金属溶液における固体電解質の上面側端の液圧ができる限り大気圧に近くなるような液圧が好ましく、中でも収容空間の金属溶液における固体電解質の上面側端の液圧が大気圧になるような液圧が好ましい。金属溶液の液圧により液体を滲み出させる駆動力が小さくなるので、形成工程で液体の滲出量を上記範囲とすることが容易となるからである。なお、収容空間の金属溶液の液圧を調整する時には、収容空間の金属溶液が、シード層の表面が固体電解質膜の上面の接触面を押圧する接触圧力により固体電解質膜を介して加圧され、収容空間の金属溶液の液圧が変化することを考慮する必要がある。
収容空間の金属溶液の金属イオンの濃度は、形成工程で陽極とシード層との間に流れる電流の電流密度により金属層の形成が可能となる濃度に調整する必要がある。金属溶液の金属イオンの濃度が電流密度に対して低過ぎる場合には、形成工程で金属イオン以外の成分がシード層の表面で還元され、金属層の形成が不可能となる。このような観点から、金属溶液が硫酸銅（ＩＩ）水溶液である場合には、硫酸銅（ＩＩ）水溶液の銅イオン（Ｃｕ２＋）（金属溶液の金属イオン）の濃度は、例えば、０．１５ｍｏｌ／Ｌ以上が好ましい。
固体電解質膜は、金属溶液に接触させることで金属イオンを含有する液体を内部に含浸することができ、電圧を印加することにより、金属イオンを含有する液体を内部の透過チャネルで移動させることで上面側に滲み出させ、シード層の表面で金属イオンを還元することで金属イオン由来の金属を析出できるのであれば、特に限定されるものではない。固体電解質膜の厚さは、例えば、約５μｍ以上約２００μｍ以下である。固体電解質膜の材質としては、例えば、デュポン社製のナフィオン（登録商標）等のフッ素系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリアミック酸樹脂、旭硝子社製のセレミオン（ＣＭＶ、ＣＭＤ、ＣＭＦシリーズ）等の陽イオン交換機能を有した樹脂などを挙げることができる。また、固体電解質膜としては、形成工程で金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を所定値以下に調整可能な所定の金属イオン透過性を有するものを用いる必要がある。なお、固体電解質膜の金属イオン透過性は、固体電解質膜の透過チャネルの径等で定まる。
シード層の表面が固体電解質膜の上面の接触面を押圧する接触圧力は、形成工程で液体の滲出量を金属層の目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることが可能な圧力に調整する必要がある。接触圧力としては、このような圧力であれば特に限定されないが、できる限り小さい方が好ましく、例えば、シード層付き基材の自重のみによる圧力以下が好ましく、特に０（ゼロ）が好ましい。収容空間の金属溶液が接触圧力により固体電解質膜を介して不要に加圧されないので、形成工程で液体の滲出量を上記範囲とすることが容易となるからである。
３．形成工程
形成工程においては、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する。さらに、上記陽極と上記シード層との間に流れる電流の電流密度及び上記電圧を印加する成膜時間を、上記金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とする。そして、上記液体の滲出量（上記液体が上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出る量）を、上記金属層の上記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とする。
形成工程においては、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する。さらに、上記陽極と上記シード層との間に流れる電流の電流密度及び上記電圧を印加する成膜時間を、上記金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とする。そして、上記液体の滲出量（上記液体が上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出る量）を、上記金属層の上記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とする。
ここで、「金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間」とは、電流密度及び成膜時間の積で決まる電気量に応じた量の金属イオンをシード層の表面に当該表面に対し垂直な方向にのみ析出することで、金属層をシード層の表面の全体で一律の目標厚さとなるように形成するために必要となる電流密度及び成膜時間を指す。そして、「金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量」とは、形成工程において、電流密度及び成膜時間を、金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とする場合において、形成工程におけるシード層の表面の面積１ｃｍ２当たりの液体の滲出量を金属層の目標厚さ［μｍ］で割ることで得られる量を指す。
金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量としては、上記のように０．００２１ｇ／ｃｍ２以下であれば特に限定されないが、中でも０．００１８ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、特に０．０００２６ｇ／ｃｍ２以下が好ましい。シード層の表面に金属層を選択的に成膜できる作用が向上するからである。
金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量をこれらの所定値以下に調整する方法としては、特に限定されないが、例えば、固体電解質膜として、所定の金属イオン透過性を有するものを適宜選択して用いた上で、収容空間の金属溶液における固体電解質の上面側端の液圧を所定値以下に調整することにより、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を調整する方法などが挙げられる。
形成工程としては、後述する第２態様に係る形成工程と同様に、金属層の横太り量の平均値が０．７０以下となるように上記金属層を形成する工程が好ましく、金属層の横太り量は小さいほど好ましい。形成工程としては、金属層の横太り量の平均値が０．３０以下となるように金属層を形成する工程がより好ましく、中でも金属層の横太り量の平均値が０．２０以下となるように金属層を形成する工程が好ましく、特に金属層の横太り量の平均値が０（ゼロ）となるように金属層を形成する工程が好ましい。配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる効果が顕著となるからである。
陽極とシード層との間に電圧を印加することで陽極とシード層との間に流れる電流の電流密度としては、特に限定されないが、例えば、金属溶液が硫酸銅（ＩＩ）水溶液である場合には、５ｍＡ／ｃｍ２以上４００ｍＡ／ｃｍ２以下が好ましい。
４．配線基板の製造方法
第１態様に係る配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、上記準備工程と、上記配置工程と、上記形成工程とを備える。
第１態様に係る配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、上記準備工程と、上記配置工程と、上記形成工程とを備える。
形成工程においては、シード層の表面に金属層を形成することにより、基材の表面に設けられた所定パターンのシード層と、シード層の表面に設けられた金属層とを有する所定の配線パターンの配線層を形成する。
配線層の配線パターンは、特に限定されないが、例えば、ラインアンドスペース等が挙げられる。配線層のラインアンドスペースのライン幅（線幅）／スペース幅（線間隔幅）は、特に限定されないが、通常、シード層のライン幅／スペース幅及び金属層のライン幅（線幅）により決まる。
Ｂ．第２態様
第２態様に係る配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、準備工程と、配置工程と、形成工程とを備える。準備工程及び配置工程については、第１態様に係る準備工程及び配置工程と同様である。形成工程においては、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する。そして、上記シード層の表面に垂直な方向の上記金属層の厚さＴｆに対する上記シード層の側面の線幅方向の上記金属層の幅Ｗｓの比率（本明細書では、「金属層の横太り量」と略すことがある。）の平均値が０．７０以下となるように上記金属層を形成する。第２態様に係る配線基板の製造方法によれば、シード層の表面に当該表面に対し垂直な方向に選択的に金属層を形成できるので、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる。
第２態様に係る配線基板の製造方法は、絶縁性の基材と、上記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、上記配線層が、上記基材の表面に設けられた、上記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、上記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、準備工程と、配置工程と、形成工程とを備える。準備工程及び配置工程については、第１態様に係る準備工程及び配置工程と同様である。形成工程においては、上記配置工程により上記シード層付き基材を配置した状態で、上記陽極と陰極に相当する上記シード層との間に電圧を印加することにより、上記金属溶液の上記金属イオンを含有する液体を上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、上記液体中の上記金属イオンを上記シード層の表面で還元することで成膜し、上記金属層を形成する。そして、上記シード層の表面に垂直な方向の上記金属層の厚さＴｆに対する上記シード層の側面の線幅方向の上記金属層の幅Ｗｓの比率（本明細書では、「金属層の横太り量」と略すことがある。）の平均値が０．７０以下となるように上記金属層を形成する。第２態様に係る配線基板の製造方法によれば、シード層の表面に当該表面に対し垂直な方向に選択的に金属層を形成できるので、配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる。
ここで、「シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率の平均値（金属層の横太り量の平均値）」とは、配線パターンの５箇所以上の異なる箇所で、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出し、平均したものを指す。「シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆ」とは、例えば、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面から当該表面に対し垂直な方向に存在する金属層の厚さの平均値を指す。「シード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓ」とは、例えば、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の側面の線幅方向に存在する金属層の幅（線幅方向の寸法）の平均値を指す。
形成工程としては、金属層の横太り量の平均値が０．７０以下となるように金属層を形成する工程であれば特に限定されず、金属層の横太り量は小さいほど好ましいが、金属層の横太り量の平均値が０．３０以下となるように金属層を形成する工程が好ましく、中でも金属層の横太り量の平均値が０．２０以下となるように金属層を形成する工程が好ましく、特に金属層の横太り量の平均値が０（ゼロ）となるように金属層を形成する工程が好ましい。配線層の配線パターンの隣接する配線どうしの導通を抑制できる効果が顕著となるからである。
形成工程では、第１態様に係る形成工程と同様に、上記陽極と上記シード層との間に流れる電流の電流密度及び上記電圧を印加する成膜時間を、上記金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とし、上記液体の滲出量（上記液体が上記収容空間から上記固体電解質膜の上面側に滲み出る量）を、上記金属層の上記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることが好ましい。さらに、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量としては、第１態様に係る形成工程と同様に、中でも０．００１８ｇ／ｃｍ２以下が好ましく、特に０．０００２６ｇ／ｃｍ２以下が好ましい。
形成工程においては、シード層の表面に金属層を形成することにより、基材の表面に設けられた所定パターンのシード層と、シード層の表面に設けられた金属層とを有する所定の配線パターンの配線層を形成する。配線層の配線パターンについては、第１態様に係る配線層の配線パターンと同様である。
以下、実施例及び比較例を挙げて、実施形態に係る配線基板の製造方法をさらに具体的に説明する。
１．液体の滲出量の効果の確認
上述した第１実施形態に係る配線基板の製造方法で、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を変化させた場合において、本発明の効果の確認を行った。
上述した第１実施形態に係る配線基板の製造方法で、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を変化させた場合において、本発明の効果の確認を行った。
［実施例１］
第１実施形態に係る配線基板の製造方法を実施した。この際には、まず、準備工程において、シード層付き基材として下記の評価用シード層付き基材を準備した。
第１実施形態に係る配線基板の製造方法を実施した。この際には、まず、準備工程において、シード層付き基材として下記の評価用シード層付き基材を準備した。
（評価用シード層付き基材）
絶縁性の基材：キョウデン社製基材
シード層の厚さ：１８μｍ
シード層のライン幅／スペース幅：１００μｍ～５００μｍ／１００μｍ～５００μｍ（シード層は、３通りのライン幅／スペース幅（１００μｍ／１００μｍ、３００μｍ／３００μｍ、及び５００μｍ／５００μｍ）を含むパターンを有する。）
絶縁性の基材：キョウデン社製基材
シード層の厚さ：１８μｍ
シード層のライン幅／スペース幅：１００μｍ～５００μｍ／１００μｍ～５００μｍ（シード層は、３通りのライン幅／スペース幅（１００μｍ／１００μｍ、３００μｍ／３００μｍ、及び５００μｍ／５００μｍ）を含むパターンを有する。）
次に、液供給工程において、上部に開口部が設けられ、収容空間の底面に陽極が配置されたハウジングと、ハウジングの開口部を覆い、かつ封止するようにハウジングの上部に配置した下記の固体電解質膜とから構成される溶液収容部を備える上方成膜用の成膜装置を用意した。その上で、成膜装置において、溶液収容部の収容空間に下記の金属溶液Ｌを供給した。
（固体電解質膜）
種類：Ａ
材質：デュポン社製のナフィオン（登録商標）
種類：Ａ
材質：デュポン社製のナフィオン（登録商標）
（金属溶液）
種類：硫酸銅（ＩＩ）水溶液
硫酸銅の濃度：１ｍｏｌ／Ｌ（硫酸の濃度：０．２ｍｏｌ／Ｌ）
種類：硫酸銅（ＩＩ）水溶液
硫酸銅の濃度：１ｍｏｌ／Ｌ（硫酸の濃度：０．２ｍｏｌ／Ｌ）
次に、配置工程において、溶液収容部における固体電解質膜の上方に、シード層の表面が陽極に対向し、かつ固体電解質膜の上面に接触するように評価用シード層付き基材を配置した。この際には、シード層付き基材を治具で保持せずに単純に固体電解質膜の上面に配置することにより、シード層の表面が固体電解質膜の上面の接触面を押圧する接触圧力をシード層付き基材の自重のみによる圧力となるようにした。
次に、形成工程において、配置工程により評価用シード層付き基材を配置した状態で、陽極と陰極に相当するシード層との間に電圧を印加した。これにより、上方成膜法により、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜した。このようにして、シード層の表面に金属層を形成した。この際、金属層の形成条件を下記の通りとした。具体的には、金属層の目標厚さを下記の目標厚さとして、陽極とシード層との間に流れる電流の電流密度及び電圧を印加する成膜時間を、金属層を目標厚さに形成するために必要となる下記の電流密度及び成膜時間とした。
（金属層の形成条件）
成膜温度：室温
金属層の目標厚さ：２０μｍ
電流密度：２５ｍＡ／ｃｍ２
成膜時間：４７ｍｉｎ
成膜温度：室温
金属層の目標厚さ：２０μｍ
電流密度：２５ｍＡ／ｃｍ２
成膜時間：４７ｍｉｎ
以上により、絶縁性の基材と、基材の表面に設けられた所定のラインアンドスペースの配線パターンの配線層とを備え、配線層がシード層と金属層とを有する配線基板を製造した。
［実施例２］
固体電解質膜の種類をＢに変更した点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＢに変更した点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［実施例３］
固体電解質膜の種類をＣに変更した点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＣに変更した点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］
実施例１～３の各例での形成工程において、液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させた滲出量を、下記の手順で算出した。
実施例１～３の各例での形成工程において、液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させた滲出量を、下記の手順で算出した。
（液体の滲出量の算出手順）
手順１：精密天秤の上に空のビーカーを置く。
手順２：そのビーカーの中に乾いたキムワイプを入れて、重量を測定する。
手順３：形成工程において、固相電析法により、金属層を形成する。
手順４：形成工程後に、液体の滲出液（評価用シード層付き基材に付着した滲出液及び固体電解質膜に付着した液）をキムワイプで拭取る。
手順５：拭取ったキムワイプを手順２で用いたビーカーに入れて、重量を測定する。
手順６：手順２での測定重量と手順５での測定重量との重量差［ｇ］を、シード層の表面の面積［ｃｍ２］で割ることにより、滲出量［ｇ／ｃｍ２］を算出する。
手順１：精密天秤の上に空のビーカーを置く。
手順２：そのビーカーの中に乾いたキムワイプを入れて、重量を測定する。
手順３：形成工程において、固相電析法により、金属層を形成する。
手順４：形成工程後に、液体の滲出液（評価用シード層付き基材に付着した滲出液及び固体電解質膜に付着した液）をキムワイプで拭取る。
手順５：拭取ったキムワイプを手順２で用いたビーカーに入れて、重量を測定する。
手順６：手順２での測定重量と手順５での測定重量との重量差［ｇ］を、シード層の表面の面積［ｃｍ２］で割ることにより、滲出量［ｇ／ｃｍ２］を算出する。
続いて、上記の手順で算出した液体の滲出量を金属層の目標厚さで割ることにより、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を算出した。下記の表１に、液体の滲出量及び金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を示す。
［金属層の横太り量の平均値の算出］
実施例１～３の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンについて、配線パターンの５箇所以上の異なる箇所で、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出し、平均することで、金属層の横太り量の平均値を算出した。
実施例１～３の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンについて、配線パターンの５箇所以上の異なる箇所で、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出し、平均することで、金属層の横太り量の平均値を算出した。
具体的には、まず、各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで任意の５本の配線（配線１～配線５）を選択した。次に、選択した各配線の延伸方向に垂直な断面写真を撮影した。そして、断面写真を使用し、各配線の延伸方向に垂直な断面において、シード層の左右の側面の箇所について、断面写真が不鮮明で金属層の厚さＴｆ又は幅Ｗｓが計測できない箇所を除き、シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の左の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量（左））と、シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の右の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量（右））と、を算出した。次に、選択した５本の配線で算出した金属層の横太り量（左）及び金属層の横太り量（右）を合計し、合計したデータ数で割ることにより、金属層の横太り量の平均値を算出した。
図４は、実施例１～３の各例で製造した配線基板の配線層のラインアンドスペースの配線パターンで選択した５本の配線（配線１～配線５）の断面写真を、各配線で算出した金属層の横太り量（左）及び金属層の横太り量（右）と一緒に示す表である。そして、下記の表１に、実施例１～３の各例で製造した配線基板の配線層のラインアンドスペースの配線パターンで算出した金属層の横太り量の平均値を示す。
［評価］
上記の表１及び図４に示すように、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．００２１ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．７０以下となった。また、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．００１８ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．３０以下となった。金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．０００２６ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．２０以下となった。
上記の表１及び図４に示すように、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．００２１ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．７０以下となった。また、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．００１８ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．３０以下となった。金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が０．０００２６ｇ／ｃｍ２以下である場合には金属層の横太り量の平均値が０．２０以下となった。
なお、比較のために、実施例１～３の各例で使用したシード層付き基材及び金属溶液を使用し、シード層付き基材を金属溶液に直接浸漬することで、実施例１～３の各例と同様の金属層の形成条件で、金属層をシード層の表面に形成する浸漬めっきを行い、配線層がシード層と金属層とを有する配線基板を製造した。その結果、配線層の配線パターンで選択した５本の配線での金属層の横太り量は、それぞれ「０．９５」、「０．９９」、「０．９５」、「０．９５」、及び「０．９９」となり、それらの平均値は約１となった。通常の浸漬めっきでは、金属層がシード層の表面に垂直な方向及び側面の線幅方向に等方的に形成されることが確認できた。
２．上方成膜法の効果の確認
第１実施形態のように、上方成膜用の成膜装置において、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜する方法（上方成膜法）を実施するとともに、後述する下方成膜用の成膜装置において、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の下面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜する方法（下方成膜法）を実施した。それらの結果から、上方成膜法の効果を確認した。
第１実施形態のように、上方成膜用の成膜装置において、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜する方法（上方成膜法）を実施するとともに、後述する下方成膜用の成膜装置において、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の下面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜する方法（下方成膜法）を実施した。それらの結果から、上方成膜法の効果を確認した。
［実施例４］
シード層付き基材として下記の評価用シード層付き基材を使用し、固体電解質膜の種類をＤに変更し、金属溶液として下記の金属溶液を使用し、金属層の形成条件を下記の通りとした点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
シード層付き基材として下記の評価用シード層付き基材を使用し、固体電解質膜の種類をＤに変更し、金属溶液として下記の金属溶液を使用し、金属層の形成条件を下記の通りとした点を除いて、実施例１と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
（評価用シード層付き基材）
絶縁性の基材：キョウデン社製基材
シード層の厚さ：１８μｍ
シード層のライン幅／スペース幅：１００μｍ～５００μｍ／１００μｍ～５００μｍ（シード層は、３通りのライン幅／スペース幅（１００μｍ／１００μｍ、３００μｍ／３００μｍ、及び５００μｍ／５００μｍ）を含むパターンを有する。）
絶縁性の基材：キョウデン社製基材
シード層の厚さ：１８μｍ
シード層のライン幅／スペース幅：１００μｍ～５００μｍ／１００μｍ～５００μｍ（シード層は、３通りのライン幅／スペース幅（１００μｍ／１００μｍ、３００μｍ／３００μｍ、及び５００μｍ／５００μｍ）を含むパターンを有する。）
（金属溶液）
種類：硫酸銅（ＩＩ）水溶液
硫酸銅の濃度：１ｍｏｌ／Ｌ（硫酸の濃度：０．２ｍｏｌ／Ｌ）
種類：硫酸銅（ＩＩ）水溶液
硫酸銅の濃度：１ｍｏｌ／Ｌ（硫酸の濃度：０．２ｍｏｌ／Ｌ）
（金属層の形成条件）
成膜温度：室温
金属層の目標厚さ：２０μｍ
電流密度：２５ｍＡ／ｃｍ２
成膜時間：４７ｍｉｎ
成膜温度：室温
金属層の目標厚さ：２０μｍ
電流密度：２５ｍＡ／ｃｍ２
成膜時間：４７ｍｉｎ
［比較例１］
固体電解質膜の種類をＥに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＥに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例２］
固体電解質膜の種類をＦに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＦに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例３］
固体電解質膜の種類をＧに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＧに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例４］
固体電解質膜の種類をＨに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＨに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例５］
固体電解質膜の種類をＩに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＩに変更した点を除いて、実施例４と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例６］
まず、準備工程において、シード層付き基材として実施例４と同様の評価用シード層付き基材を準備した。次に、液供給工程において、下部に開口部が設けられ、収容空間の上面に陽極が配置されたハウジングと、ハウジングの開口部を覆い、かつ封止するようにハウジングの下部に配置した固体電解質膜とから構成される溶液収容部を備える下方成膜用の成膜装置を用意した。この際、固体電解質膜として、種類がＪである点を除いて実施例４と同様の固体電解質膜を用いた。その上で、成膜装置において、溶液収容部の収容空間に実施例４と同様の金属溶液Ｌを供給した。
まず、準備工程において、シード層付き基材として実施例４と同様の評価用シード層付き基材を準備した。次に、液供給工程において、下部に開口部が設けられ、収容空間の上面に陽極が配置されたハウジングと、ハウジングの開口部を覆い、かつ封止するようにハウジングの下部に配置した固体電解質膜とから構成される溶液収容部を備える下方成膜用の成膜装置を用意した。この際、固体電解質膜として、種類がＪである点を除いて実施例４と同様の固体電解質膜を用いた。その上で、成膜装置において、溶液収容部の収容空間に実施例４と同様の金属溶液Ｌを供給した。
次に、配置工程において、溶液収容部における固体電解質膜の下方に、シード層の表面が陽極に対向するように、かつ固体電解質膜の下面に接触するように評価用シード層付き基材を配置した。
次に、形成工程において、配置工程により評価用シード層付き基材を配置した状態で、陽極と陰極に相当するシード層との間に電圧を印加した。これにより、下方成膜法により、金属溶液の金属イオン及び他の成分を含有する液体を収容空間から固体電解質膜の下面側に滲み出させ、液体中の金属イオンをシード層の表面で還元することで成膜した。このようにして、シード層の表面に金属層を形成した。この際、金属層の形成条件を実施例４と同様とした。
以上により、絶縁性の基材と、基材の表面に設けられた所定のラインアンドスペースの配線パターンの配線層とを備え、配線層がシード層と金属層とを有する配線基板を製造した。
［比較例７］
固体電解質膜の種類をＫに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＫに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例８］
固体電解質膜の種類をＬに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＬに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例９］
固体電解質膜の種類をＭに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＭに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例１０］
固体電解質膜の種類をＮに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＮに変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［比較例１１］
固体電解質膜の種類をＯ（オ―）に変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
固体電解質膜の種類をＯ（オ―）に変更した点を除いて、比較例６と同様に配線基板の製造方法を実施することで配線基板を製造した。
［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］
実施例４及び比較例１～１１の各例での形成工程において、液体を収容空間から固体電解質膜の上面側又は下面側に滲み出させた滲出量を、上記「１．液体の滲出量の効果の確認 ［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］」の項目での手順と同様の手順で算出した。続いて、上記の手順で算出した液体の滲出量を金属層の目標厚さで割ることにより、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を算出した。下記の表２に、液体の滲出量及び金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を示す。
実施例４及び比較例１～１１の各例での形成工程において、液体を収容空間から固体電解質膜の上面側又は下面側に滲み出させた滲出量を、上記「１．液体の滲出量の効果の確認 ［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］」の項目での手順と同様の手順で算出した。続いて、上記の手順で算出した液体の滲出量を金属層の目標厚さで割ることにより、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を算出した。下記の表２に、液体の滲出量及び金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量を示す。
［金属層の横太り量の算出］
実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンの任意の１箇所で、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出した。具体的には、まず、各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで任意の１本の配線を選択した。次に、選択した１本の配線の延伸方向に垂直な断面写真を撮影した。そして、断面写真を使用し、配線の延伸方向に垂直な断面において、シード層の左右の一方の側面の箇所について、シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出した。図５は、実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで選択した１本の配線の断面写真を示す表である。下記の表２に、実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで選択した１本の配線の１箇所で算出した金属層の横太り量を示す。そして、図６は、実施例４及び比較例１～１１について算出された金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量及び金属層の横太り量の関係を示すグラフである。
実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンの任意の１箇所で、配線の延伸方向に垂直な断面でのシード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出した。具体的には、まず、各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで任意の１本の配線を選択した。次に、選択した１本の配線の延伸方向に垂直な断面写真を撮影した。そして、断面写真を使用し、配線の延伸方向に垂直な断面において、シード層の左右の一方の側面の箇所について、シード層の表面に垂直な方向の金属層の厚さＴｆに対するシード層の側面の線幅方向の金属層の幅Ｗｓの比率（金属層の横太り量）を算出した。図５は、実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで選択した１本の配線の断面写真を示す表である。下記の表２に、実施例４及び比較例１～１１の各例で製造した配線基板のラインアンドスペースの配線パターンで選択した１本の配線の１箇所で算出した金属層の横太り量を示す。そして、図６は、実施例４及び比較例１～１１について算出された金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量及び金属層の横太り量の関係を示すグラフである。
［評価］
上記の表２、図５、及び図６に示すように、上方成膜法では、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が約０．００１ｇ／ｃｍ２以下となる場合には、金属層の横太り量が顕著に低減して０となっており、金属層がシード層の表面に垂直な方向に選択的に形成されることが確認できた。一方、下方成膜法では、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量にかかわらず、金属層の横太り量は約１となっており、金属層がシード層の表面に垂直な方向及び側面の線幅方向に等方的に形成されることが確認できた。これは、下方成膜法では、金属溶液の金属イオンを含有する液体を収容空間から固体電解質膜の下面側に滲み出させるため、液体がシード層の側面に供給され易いためであると考えられる。
上記の表２、図５、及び図６に示すように、上方成膜法では、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量が約０．００１ｇ／ｃｍ２以下となる場合には、金属層の横太り量が顕著に低減して０となっており、金属層がシード層の表面に垂直な方向に選択的に形成されることが確認できた。一方、下方成膜法では、金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量にかかわらず、金属層の横太り量は約１となっており、金属層がシード層の表面に垂直な方向及び側面の線幅方向に等方的に形成されることが確認できた。これは、下方成膜法では、金属溶液の金属イオンを含有する液体を収容空間から固体電解質膜の下面側に滲み出させるため、液体がシード層の側面に供給され易いためであると考えられる。
３．参考：液体の滲出量の算出方法の精度の評価
上記「１．液体の滲出量の効果の確認 ［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］」の項目での手順によって、液体の滲出量を算出する方法での精度を評価した。具体的には、以下の手順で評価した。
上記「１．液体の滲出量の効果の確認 ［金属層の目標厚さ１μｍ当たりの液体の滲出量の算出］」の項目での手順によって、液体の滲出量を算出する方法での精度を評価した。具体的には、以下の手順で評価した。
手順１：マイクロピペットで６０μＬの純水を採取し、ビーカーに滴下する。
手順２：ビーカーに滴下された純水の重量を計量器により測定する。
手順３：手順１及び２の操作を１０回繰り返して、マイクロピペットによる採取純水の計量器による測定重量の平均を求め、マイクロピペットで採取される純水の重量のばらつきを評価する。
手順４：マイクロピペットで６０μＬの純水を採取し、キョウデン基板に滴下する。
手順５：予め重量を測定したキムワイプにより、キョウデン基板に滴下された純水を拭取る。
手順６：拭取ったキムワイプの重量を測定する。
手順７：キムワイプの予め測定した重量と手順６での測定重量との重量差から採取純水の重量を測定する。
手順８：手順４～７の操作を１０回繰り返して、マイクロピペットによる採取純水のキムワイプによる測定重量の平均を求め、キムワイプによる純水の重量の測定方法のばらつきを評価する。
手順２：ビーカーに滴下された純水の重量を計量器により測定する。
手順３：手順１及び２の操作を１０回繰り返して、マイクロピペットによる採取純水の計量器による測定重量の平均を求め、マイクロピペットで採取される純水の重量のばらつきを評価する。
手順４：マイクロピペットで６０μＬの純水を採取し、キョウデン基板に滴下する。
手順５：予め重量を測定したキムワイプにより、キョウデン基板に滴下された純水を拭取る。
手順６：拭取ったキムワイプの重量を測定する。
手順７：キムワイプの予め測定した重量と手順６での測定重量との重量差から採取純水の重量を測定する。
手順８：手順４～７の操作を１０回繰り返して、マイクロピペットによる採取純水のキムワイプによる測定重量の平均を求め、キムワイプによる純水の重量の測定方法のばらつきを評価する。
図７は、マイクロピペットによる採取純水の計量器による測定重量の平均、及びマイクロピペットによる採取純水のキムワイプによる測定重量の平均を示すグラフである。図７に示すように、マイクロピペットによる採取純水の計量器による測定重量の平均、及びマイクロピペットによる採取純水のキムワイプによる測定重量の平均にはほとんど差がないため、上記手順によって、液体の滲出量を算出する方法での精度には問題がないことを確認できた。
４．参考：シード層の表面の面積及び液体の滲出量の関係の確認
実施形態に係る配線基板の製造方法を、シード層の表面の面積を変化させて実施し、シード層の表面の面積と、金属溶液の金属イオンを含有する液体が収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出る滲出量との関係を確認した。図８は、シード層の表面の面積及び液体の滲出量の関係を示すグラフである。
実施形態に係る配線基板の製造方法を、シード層の表面の面積を変化させて実施し、シード層の表面の面積と、金属溶液の金属イオンを含有する液体が収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出る滲出量との関係を確認した。図８は、シード層の表面の面積及び液体の滲出量の関係を示すグラフである。
５．参考：金属溶液を加圧する加圧力及び液体の滲出量の関係の確認
実施形態に係る溶液収容部を用いて、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力を変化させて、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力と、金属溶液の金属イオンを含有する液体が収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出る滲出量の関係を確認した。図９は、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力及び液体の滲出量の関係を示すグラフである。
実施形態に係る溶液収容部を用いて、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力を変化させて、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力と、金属溶液の金属イオンを含有する液体が収容空間から固体電解質膜の上面側に滲み出る滲出量の関係を確認した。図９は、収容空間の金属溶液を加圧する加圧力及び液体の滲出量の関係を示すグラフである。
以上、本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法について詳述したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
１ シード層付き基材
２ 絶縁性の基材
２ｆ 表面
２ｒ 裏面
４ シード層
４ｆ 表面
４ｓ 側面
５ 金属層
６ 導体層
８ ビア導体
９ 配線層
１０ 配線基板
１００ 成膜装置
１３ 陽極
１５ ハウジング
１５ａ 開口部
１５ｆ 供給口
１５ｄ 排出口
１７ 固体電解質膜
１７ｔ 上面
２０ 溶液収容部
Ｇ 収容空間
Ｌ 金属溶液
１０１ タンク
１０２ ポンプ
１０３ 圧力調整弁
２００ 保持用治具
２ 絶縁性の基材
２ｆ 表面
２ｒ 裏面
４ シード層
４ｆ 表面
４ｓ 側面
５ 金属層
６ 導体層
８ ビア導体
９ 配線層
１０ 配線基板
１００ 成膜装置
１３ 陽極
１５ ハウジング
１５ａ 開口部
１５ｆ 供給口
１５ｄ 排出口
１７ 固体電解質膜
１７ｔ 上面
２０ 溶液収容部
Ｇ 収容空間
Ｌ 金属溶液
１０１ タンク
１０２ ポンプ
１０３ 圧力調整弁
２００ 保持用治具
Claims (6)
- 絶縁性の基材と、前記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、前記配線層が、前記基材の表面に設けられた、前記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、前記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、
前記基材と、前記基材の表面に設けられた前記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する準備工程と、
陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における前記固体電解質膜の上方に、前記シード層の表面が前記陽極に対向し、かつ前記固体電解質膜の上面に接触するように前記シード層付き基材を配置する配置工程と、
前記配置工程により前記シード層付き基材を配置した状態で、前記陽極と陰極に相当する前記シード層との間に電圧を印加することにより、前記金属溶液の前記金属イオンを含有する液体を前記収容空間から前記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、前記液体中の前記金属イオンを前記シード層の表面で還元することで成膜し、前記金属層を形成する形成工程と、を備え、
前記形成工程において、前記陽極と前記シード層との間に流れる電流の電流密度及び前記電圧を印加する成膜時間を、前記金属層を目標厚さに形成するために必要となる電流密度及び成膜時間とし、
前記形成工程において、前記液体の滲出量を、前記金属層の前記目標厚さ１μｍ当たり０．００２１ｇ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記形成工程において、前記液体の前記滲出量を、前記金属層の前記目標厚さ１μｍ当たり０．００１８ｇ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
- 前記形成工程において、前記液体の前記滲出量を、前記金属層の前記目標厚さ１μｍ当たり０．０００２６ｇ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
- 絶縁性の基材と、前記基材の表面に設けられた所定の配線パターンの配線層とを備え、前記配線層が、前記基材の表面に設けられた、前記配線パターンに応じた所定パターンのシード層と、前記シード層の表面に設けられた金属層とを有する配線基板を製造する方法であって、
前記基材と、前記基材の表面に設けられた前記シード層とを備えるシード層付き基材を準備する準備工程と、
陽極とその上方に配置された固体電解質膜との間に金属イオンを含有する金属溶液が収容された収容空間が設けられた溶液収容部における前記固体電解質膜の上方に、前記シード層の表面が前記陽極に対向し、かつ前記固体電解質膜の上面に接触するように前記シード層付き基材を配置する配置工程と、
前記配置工程により前記シード層付き基材を配置した状態で、前記陽極と陰極に相当する前記シード層との間に電圧を印加することにより、前記金属溶液の前記金属イオンを含有する液体を前記収容空間から前記固体電解質膜の上面側に滲み出させ、前記液体中の前記金属イオンを前記シード層の表面で還元することで成膜し、前記金属層を形成する形成工程と、を備え、
前記形成工程において、前記シード層の表面に垂直な方向の前記金属層の厚さＴｆに対する前記シード層の側面の線幅方向の前記金属層の幅Ｗｓの比率の平均値が０．７０以下となるように前記金属層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記形成工程において、前記Ｔｆに対する前記Ｗｓの比率の平均値が０．３０以下となるように前記金属層を形成することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
- 前記形成工程において、前記Ｔｆに対する前記Ｗｓの比率の平均値が０．２０以下となるように前記金属層を形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021178645A JP2023067422A (ja) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2021178645A JP2023067422A (ja) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023067422A true JP2023067422A (ja) | 2023-05-16 |
Family
ID=86326360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021178645A Pending JP2023067422A (ja) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023067422A (ja) |
-
2021
- 2021-11-01 JP JP2021178645A patent/JP2023067422A/ja active Pending
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