JP2017101300A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂基板Bに形成された下地層Uに、より均一な膜厚の金属皮膜Fを成膜することができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂基板Bの表面Baを複数の成膜領域C1〜C4に分割する工程と、分割した成膜領域C1〜C4ごとに存在する下地層Uの面積を算出する工程と、算出した下地層Uの面積から、成膜領域C1〜C4ごとの金属皮膜の厚みが同じ厚みとなるように、成膜領域C1〜C4ごとの電流値を算出する工程と、分割した成膜領域C1〜C4を順次選択し、選択した成膜領域の下地層Uが露出するように、その他の成膜領域をマスキングし、選択した成膜領域に応じた電流値で、選択した成膜領域に存在する下地層Uに金属皮膜Fを成膜する。【選択図】図4
Description
本発明は、樹脂基板上に形成された複数のランドを有した金属製の下地層に、金属皮膜を成膜する配線基板の製造方法に関する。
従来から、基板の表面に金属イオンを析出させて金属皮膜を成膜する技術が提案されている。このような技術として、例えば、特許文献1には、陽極と、陽極と基板(陰極)の間に配置される固体電解質膜と、陽極と陰極(基板)との間に電圧を印加する電源部とを備えた、金属皮膜の成膜装置が提案されている。
この成膜装置で、基板の表面に金属皮膜を成膜する際には、固体電解質膜を基板に押圧した状態で、陽極と基板との間に電圧を印加して、固体電解質膜の内部に含有された金属溶液に由来した金属イオンを還元することで、金属皮膜が基板の表面に成膜される。
ここで、配線基板を製造する際には、樹脂基板上に配線パターンに応じて形成された金属製の下地層に、金属皮膜が成膜される。特許文献1に示す成膜装置を用いた場合、下地層を電源部に導通した状態で、下地層の全面に固体電解質膜を接触させて、金属皮膜が成膜されることが想定される。
しかしながら、下地層のうち、ランドに相当する部分の形状・大きさが1つの配線パターン内で異なり、樹脂基板の表面においてランドの分布も均一でない。このため、下地層の全面に金属皮膜を成膜しようとした場合、下地層に流れる電流密度が、下地層の部分によってばらついてしまうことがあり、この結果、金属皮膜の膜厚にばらつきが生じてしまう。
本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、樹脂基板上に形成された下地層に、より均一な膜厚の金属皮膜を成膜することができる配線基板の製造方法を提供することにある。
前記課題を解決すべく、本発明に係る配線基板の製造方法は、樹脂基板上に形成された複数のランドを有した金属製の下地層と、陽極との間において、金属イオンが含浸された固体電解質膜を前記下地層に接触させ、前記下地層を陰極として前記下地層と前記陽極との間に電流を流すことで、前記金属イオンに由来した金属皮膜を前記下地層の表面に成膜する配線基板の製造方法であって、前記樹脂基板の表面を複数の成膜領域に分割する工程と、分割した前記成膜領域ごとに存在する下地層の面積を算出する工程と、算出した前記下地層の面積から、前記成膜領域ごとの前記金属皮膜の厚みが同じ厚みとなるように、前記成膜領域ごとの電流値を算出する工程と、分割した前記成膜領域を順次選択し、選択した前記成膜領域の前記下地層が露出するように、その他の前記成膜領域をマスキングし、選択した前記成膜領域に応じた前記電流値で、選択した前記成膜領域に存在する前記下地層に、前記金属皮膜を成膜することを特徴とする。
本発明によれば、樹脂基板の表面を複数に分割した成膜領域ごとに、その成膜領域に応じた電流値で、成膜領域に存在する下地層に金属皮膜を成膜するので、下地層に流れる電流密度のばらつきを抑えることができる。これにより、樹脂基板に形成された下地層に、より均一な膜厚の金属皮膜を成膜することができる。
以下に本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法について、以下の図1〜4を参照しながら、その詳細を説明する。
1.成膜装置1について
図1および図3(a)に示すように、本実施形態では、成膜装置1を用いて、樹脂基板Bの上に形成された複数のランドRを有した金属製の下地層Uの表面に、金属皮膜を成膜することにより、配線基板を製造する。
1.成膜装置1について
図1および図3(a)に示すように、本実施形態では、成膜装置1を用いて、樹脂基板Bの上に形成された複数のランドRを有した金属製の下地層Uの表面に、金属皮膜を成膜することにより、配線基板を製造する。
樹脂基板Bを構成する樹脂は、下地層Uを形成することができる絶縁性を有した樹脂であれば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれの樹脂であってもよい。図3(a)に示すように、樹脂基板Bの表面Baには、銅、ニッケル、銀、または金等の金属製の下地層Uが形成されている。
具体的には、本実施形態では、下地層Uは、表面が円形のランドRを複数有しており、ランドR同士は、樹脂基板Bの内部で配線Pにより、接続されている。本実施形態では、複数のランドRは、大きさの異なる複数種のランドで構成されている。
図1および図2(a)に示すように、成膜装置1は、金属製の陽極11と、陽極11と陰極となる下地層Uとの間において、陽極11の表面に配置された固体電解質膜13と、陽極11と陰極となる下地層Uとの間に電圧を印加する電源部16と、を備えている。陽極11と下地層Uとの間に電源部16で電圧を印加することにより、成膜時に、陽極11と下地層Uとの間に電流が流れる。
本実施形態では、成膜装置1は、さらにハウジング15を備えており、図2(a)に示すように、陽極11は、銅、ニッケル、銀、または金などの金属のイオンを含む溶液(以下、金属溶液という)Lを陽極11に供給するハウジング15内に収容されている。
陽極11は、板状であり、金属溶液Lが透過し、かつ固体電解質膜に金属イオンを供給する、多孔質体またはメッシュ(網目状部材)からなる。陽極11の材料としては、成膜すべき金属皮膜と同じ材質の可溶性のであることが好ましい。これにより、金属皮膜の成膜速度を高めることができる。例えば、金属皮膜が銅皮膜である場合には、陽極11の材料に無酸素銅板を用いることが好ましい。
固体電解質膜13は、上述した金属溶液Lに接触させることにより、金属イオンを内部に含浸(含有)することができ、電圧を印加したときに樹脂基板Bの下地層Uの表面において金属イオン由来の金属を析出できるのであれば、特に限定されるものではない。固体電解質膜13の膜厚は、100〜200μmである。固体電解質膜の材質としては、たとえばデュポン社製のナフィオン(登録商標)などのフッ素系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリアミック酸樹脂、旭硝子社製のセレミオン(CMV、CMD,CMFシリーズ)などの陽イオン交換機能を有した樹脂を挙げることができる。
成膜される金属皮膜の金属は、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。金属溶液Lは、上述したように成膜すべき金属皮膜の金属をイオンの状態で含有している液であり、その金属に、例えば、ニッケル、亜鉛、銅、クロム、錫、銀、または鉛からなる群より選択される少なくとも1種または2種以上を用いることができる。
本実施形態に係る成膜装置1は、ハウジング15の上部に、加圧装置18を備えている。加圧装置18は、油圧式または空気式のシリンダなどを挙げることができ、陽極11を介して固体電解質膜13で、下地層Uを押圧する装置である。これにより、図2(b)に示すように、下地層Uの表面を固体電解質膜13で均一に加圧しながら、下地層Uに金属皮膜Fを成膜することができる。なお、本実施形態では、加圧装置18で下地層Uを加圧したが、例えば、金属溶液Lの液圧を利用して、固体電解質膜13で下地層Uを加圧してもよい。
本実施形態に係る成膜装置1は、樹脂基板Bを載置する金属台座40を備えており、金属台座40は、電源部16の負極に電気的に接続されている。電源部16の正極は、ハウジング15に内蔵された陽極11に電気的に接続されている(導通している)。樹脂基板Bの下地層Uは、樹脂基板Bの厚さ方向に積層された金属層(図示せず)を介して、樹脂基板の裏面側において、金属台座40に導通している。これにより、樹脂基板Bの下地層Uを電源部16の負極に導通することができる。
さらに、本実施形態では、図1に示すように、マスク材17を用いる。図1に示すマスク材17は、後述する成膜領域C1を露出させ、その他の成膜領域C2〜C4をマスキングするものであり、成膜領域C1に応じた開口17aが形成される。
本実施形態では、図3(a)に示すように、樹脂基板Bの表面を4つの成膜領域C1〜C4に分割しているので、この分割された成膜領域C1〜C4のそれぞれに応じたマスク材17が用いられる。マスク材17は、絶縁性を有し、金属溶液に対して耐食性を有する素材からなる。
なお、全体としてより均一な膜厚の金属皮膜を成膜するためにも、陽極11の面積が樹脂基板Bの表面積より小さいときには、マスク材の開口の面積が、陽極11の面積よりも小さくなるように、成膜領域を設定することが好ましい。なお、マスク材17として、ランドRの位置および形状に合わせた開口を形成したマスク材を用いてもよい。
1−2.配線基板の製造方法について
以下に本実施形態に係る配線基板の製造方法について、図1〜3と共に図4を参照しながら説明する。
まず、図4に示すように、ステップS31において、樹脂基板Bの表面Baを分割する。具体的には、図3(a)に示すように、分割線L1とこれと直交する分割線L2により、樹脂基板Bの表面Baを4つの成膜領域C1〜C4に分割する。
以下に本実施形態に係る配線基板の製造方法について、図1〜3と共に図4を参照しながら説明する。
まず、図4に示すように、ステップS31において、樹脂基板Bの表面Baを分割する。具体的には、図3(a)に示すように、分割線L1とこれと直交する分割線L2により、樹脂基板Bの表面Baを4つの成膜領域C1〜C4に分割する。
次に、ステップS32に進み、成膜領域C1〜C4ごとに存在する下地層Uの表面積を算出する。本実施形態では、下地層Uの表面積は、成膜領域C1〜C4ごとに存在するランドRの総面積である。
次に、ステップS33に進み、算出した成膜領域C1〜C4ごとの下地層Uの面積から、成膜領域C1〜C4ごとの金属皮膜の厚みが同じ厚みとなるように、成膜領域C1〜C4ごとの電流値を算出する。具体的には、金属皮膜の厚みは、単位面積当たりの電流値(電流密度)に依存するため、成膜領域ごとに、以下に示す式(1)および式(2)から、電流値を算出する。
ここで、以下の式(2)に示すめっき速度定数は、銅の価数が1価の場合には0.4407(μm・dm2/A・分)、銅の価数が2価の場合には0.2203(μm・dm2/A・分)であり、銅の価数を2価、電流効率を100%とする。
金属析出量=(原子量×電流値×成膜時間)/(金属の原子価×96500)…(1)
金属皮膜の厚み=めっき速度定数×電流密度×時間×電流効率…(2)
金属析出量=(原子量×電流値×成膜時間)/(金属の原子価×96500)…(1)
金属皮膜の厚み=めっき速度定数×電流密度×時間×電流効率…(2)
次に、ステップ34〜S35を繰り返す。これにより、成膜領域C1〜C4を順次選択し、選択した成膜領域の下地層が露出するように、その他の成膜領域をマスキングし、選択した成膜領域に応じた電流値で、選択した成膜領域に存在する下地層Uに金属皮膜を成膜する。
具体的には、まず、樹脂基板Bを金属台座40に載置し、ステップS34で、成膜領域C1を選択し、図1および図3(b)に示すように、成膜領域C1が露出するように、その他の成膜領域C2〜C4をマスク材17でマスキングする。マスク材17は、樹脂基板Bから浮き上がらないように、接着剤または粘着剤で固定されている。上述したように、マスク材17には、成膜領域C1の面積に応じた開口17aが形成されているので、樹脂基板Bの表面Baのうち、成膜領域C1のみを露出させることができる。
次に、ステップS35で、選択した成膜領域C1に応じた電流値で、選択した成膜領域C1に存在する下地層Uに金属皮膜Fを成膜する。具体的には、図2(b)に示すように、加圧装置18を用いて、固体電解質膜13を下地層Uに接触させ、電源部16で陽極11と下地層U(陰極)との間に、ステップS33で算出した電流値で所定時間(成膜時間)電流を流す。これにより、固体電解質膜13に含有していた金属イオンが、下地層Uの表面で還元されて、成膜領域C1の下地層Uの表面に金属皮膜Fを成膜することができる。
次に、ステップS34に戻り、マスク材17を取り外し、成膜領域C2を選択し、成膜領域C2以外の成膜領域C1,C3,C4を、別のマスク材でマスキングする。次に、ステップS35に進み、選択した成膜領域C2に応じた電流値で電流を流し、選択した成膜領域C2に存在する下地層Uに金属皮膜Fを成膜する。成膜領域C3、C4についても、同様の方法で、成膜領域C3、C4に存在する下地層Uに金属皮膜Fを成膜する。
このようにして、樹脂基板Bの表面を4つに分割した成膜領域C1〜C4ごとに、その成膜領域C1〜C4に応じた電流値で、成膜領域C1〜C4に存在する下地層に金属皮膜を成膜するので、下地層Uに流れる電流密度のばらつきを抑えることができる。これにより、樹脂基板Bに形成された下地層Uに、より均一な膜厚の金属皮膜Fを成膜することができる。
本発明を以下の実施例により説明する。
[実施例]
3種類の複数のランドからなる銅製の下地層が形成されたエポキシ樹脂製の樹脂基板を準備した。下地層は、円形状の大ランド(面積0.8mm2)が145個、円形状の中ランド(0.5mm2)が110個、四角形状の小ランド(面積0.3mm2)が20個、で構成され、下地層の総面積は、175.58mm2である。
3種類の複数のランドからなる銅製の下地層が形成されたエポキシ樹脂製の樹脂基板を準備した。下地層は、円形状の大ランド(面積0.8mm2)が145個、円形状の中ランド(0.5mm2)が110個、四角形状の小ランド(面積0.3mm2)が20個、で構成され、下地層の総面積は、175.58mm2である。
次に、樹脂基板の表面を4の成膜領域C1〜C4に分割した。各成膜領域C1〜C4に存在する下地層の面積を算出した。成膜領域C1〜C4ごとのランド数と下地層の面積を求めた。この結果を表1に示す。
次に、成膜領域C1〜C4の面積から、成膜領域C1〜C4ごとの銅皮膜の厚みが同じ厚みとなるように、厚み40μm、成膜時間40分の条件で、成膜領域C1〜C4ごとの電流値を算出した。この結果を表1に示す。
次に、成膜領域C1〜C4を1つずつ選択し、選択した成膜領域以外の成膜領域を、マスク材(3M製、PTFEフィルム5490)でマスキングする。そして図1に示す成膜装置を用いて、表1に示す電流値で、接触荷重1kN、成膜温度45℃、成膜時間40分の条件で、成膜領域C1〜C4ごとに存在する下地層の表面に、固体電解質膜を接触させ、銅皮膜を成膜した。
銅溶液として、1.0mol/Lの硫酸銅水溶液を準備し、陽極に、銅メッシュ((株)ニコラ社製:CU−118016)板を用い、固体電解質膜に、膜厚183μmの電解質膜(デュポン社製:ナフィオンN117)を用いた。
[比較例]
実施例1と同じように、配線基板を製造した。実施例1と相違する点は、成膜領域を分割せずに(すなわちマスキングを行わず)、電流値87.79mA、接触荷重1kN、成膜温度45℃、成膜時間40分の条件で、すべてのランドに対して同時に銅皮膜を成膜した。
実施例1と同じように、配線基板を製造した。実施例1と相違する点は、成膜領域を分割せずに(すなわちマスキングを行わず)、電流値87.79mA、接触荷重1kN、成膜温度45℃、成膜時間40分の条件で、すべてのランドに対して同時に銅皮膜を成膜した。
マイクロスコープにより、銅皮膜の表面を観察し、銅皮膜の被覆率を確認した。被覆率は、銅皮膜の成膜面積をランドの総面積(下地層の面積)で割ることにより算出した。この結果、実施例の場合には、すべての成膜領域で、銅皮膜にピンホールがなく、被覆率は100%であった。一方、比較例の場合には、被覆率が97%であり、ピンホールが存在していた。
1:成膜装置、11:陽極、13:固体電解質膜、15:ハウジング、16:電源部、17:マスク材、17a:開口、18:加圧装置、40:金属台座、B:樹脂基板、C1〜C4:成膜領域、F:金属皮膜、L:金属溶液、L1,L2:分割線、P:配線、R:ランド、U:下地層
Claims (1)
- 樹脂基板上に形成された複数のランドを有した金属製の下地層と、陽極との間において、金属イオンが含浸された固体電解質膜を前記下地層に接触させ、前記下地層を陰極として前記下地層と前記陽極との間に電流を流すことで、前記金属イオンに由来した金属皮膜を前記下地層の表面に成膜する配線基板の製造方法であって、
前記樹脂基板の表面を複数の成膜領域に分割する工程と、
分割した前記成膜領域ごとに存在する下地層の面積を算出する工程と、
算出した前記下地層の面積から、前記成膜領域ごとの前記金属皮膜の厚みが同じ厚みとなるように、前記成膜領域ごとの電流値を算出する工程と、
分割した前記成膜領域を順次選択し、選択した前記成膜領域の前記下地層が露出するように、その他の前記成膜領域をマスキングし、選択した前記成膜領域に応じた前記電流値で、選択した前記成膜領域に存在する前記下地層に、前記金属皮膜を成膜することを特徴とする配線基板の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236490A JP2017101300A (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 配線基板の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019056142A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置 |
US11035049B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-06-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming method for metal film and film forming apparatus for metal film |
US11490528B2 (en) | 2019-09-18 | 2022-11-01 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing wiring board, and wiring board |
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- 2015-12-03 JP JP2015236490A patent/JP2017101300A/ja active Pending
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