KR19990042092A - 다층 금속 배선 비아홀 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
다층 금속 배선의 비아홀 형성시 발생되는 금속 배선층의 부식을 방지할 수 있는 제조 방법은, 기판 상면에 금속층을 형성하는 단계, 결과물 전면에 제 1 두께를 가지는 제 1 질산화막을 형성하는 단계, 상기 제 1 질산화막이 형성된 결과물 전면에 절연막 및 상기 제 1 질산화막의 두께보다 두꺼운 제 2 두께를 가지는 제 2 질산화막을 순차적으로 형성하는 단계, 감광막 패턴을 이용하여 순차적으로 상기 제 2 질산화막을 건식 식각하고, 상기 산화막의 일부를 습식 식각하고 상기 산화막의 나머지와 상기 평탄화막을 상기 제 1 질산화막을 식각 확인층으로 이용하여 건식 식각하는 단계, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계, 감광막 패턴이 제거된 결과물을 세정하는 단계 및 상기 제 2 질산화막을 건식 식각하여 상기 금속층의 표면을 노출시키는 단계를 구비한다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 다층 금속 배선 기술에 관한 것으로, 특히 다층 금속 배선용 비아홀 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화됨에 따라 배선 설계가 자유롭고 용이하며, 배선 저항 및 전류 용량을 여유있게 설정할 수 있는 다층 금속 배선 제조 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 어스펙트비가 1.0이하인 경우에는 금속 배선간의 수직 연결용인 비아/콘택홀 기술을 사용하며, 최근까지 비아/콘택홀 기술은 알루미늄 스퍼터링 방법을 사용하고 있다. 그러나 점점 고집적화됨에 따라 비아홀의 크기도 축소되면서 알루미늄 박막의 층덮힘 특성이 나빠지고 이에 따른 전류 밀집으로 배선층의 신뢰성이 저하된다.
도 1은 종래의 비아홀을 구비한 다층 금속 배선의 단면도이다. 기판(도시되지 않음)상면에 절연막(1)을 형성한후, 상기 절연막(1) 상면에 알루미늄 합금을 소정 두께로 증착하고 패터닝하여 금속층(2)을 형성한다. 다음 금속층(2) 및 절연막(1)의 상면에 제 1 절연용 산화막(3)과 평탄화용 산화막(4) 및 제 2 절연용 산화막을 순차적으로 형성한다. 다음 감광막 패턴(도시되지 않음)을 이용하여 상기 제 2 절연용 산화막(5)을 습식 식각(6)하고 계속하여 상기 제 2 절연용 산화막(5) 및 평탄화용 산화막(4)과 상기 제 1 절연용 산화막(3)을 건식 식각(7) 하여 비아홀(8)을 형성한다. 다음 감광막 패턴은 통상 하이드록실 아민(hydroxyl amine; NH2-OH)과 모노에타놀 아민(monoethanol amine;NH2-CH2-CH2-OH) 성분이 포함된 용액을 사용하여 제거된다. 이후 초순수를 사용하여 기판을 세정한다.
도 2는 종래의 다른 방법에 따라 비아홀이 형성된 다층 금속 배선의 단면도이다. 기판(도시되지 않음)상에 형성된 절연막(11) 상면에, 약 300Å의 Ti막과 약 1200Å의 TiN막으로된 복합막(12a), Al-0.5wt%Cu, Al-1wt%Si-0.5wt%Cu 및 Al-1wt%Si중의 어느 하나로 구성된 약 5000 내지 8000Å의 알루미늄 합금막(12b)과 약 300Å의 TiN막(12c)을 순차적으로 적층한 후 이들 세층을 동시에 패터닝하여 금속 배선(12)을 형성한다. 다음, 제 1절연용 산화막(13), 평탄화용 산화막(14), 제 2절연용 산화막(15)을 결과물 전면에 순차적으로 형성한 후 사진 식각법을 이용하여 비아홀(18)을 형성한다. 즉 감광막 패턴(도시되지 않음)을 이용하여 도1에서와 같이 습식 식각(16)과 건식 식각(17)을 실시하되 TiN막(12c)를 식각 저지층으로 하여 비아홀을 형성한다. 다음 감광막 패턴은 하이드록실 아민(hydroxyl amine; NH2-OH)과 모노에타놀 아민(monoethanol amine;NH2-CH2-CH2-OH) 성분이 포함된 용액을 사용하여 제거된다. 이후 초순수를 사용하여 기판을 세정한다.
(1) 식으로 알수 있는 바와 같이, 도 1의 비아홀을 형성하는 단계 중 감광막 패턴을 제거하는 데 사용된 화학 용액과 이후의 세정에 사용되는 초순수가 화학 반응을 일으켜 OH-가 발생된다.
RNH2(아민) + H2ORNH3 ++ OH-(1)
이 OH-가 금속 배선(2)의 전기 화학적 부식을 증진시킨다. 따라서 금속 배선(2)이 부식되어 알루미늄의 층덮힘 특성이 저하되어 상부 배선과의 접촉 불량이 생김을 식(2)로부터 알 수 있다.
2Al + 2 OH-+ 6H2O2Al(OH-)4+ 3H2(2)
또한 도 2의 비아홀을 형성하는 단계에서도 감광막 패턴이 도1의 설명에서와 같은 용액으로 제거되고 이후의 세정시 초순수를 사용하며, 식각 저지층의 역할을 하는 TiN막(12c)이 건식 식각(17)에 의해 미세 균열(19)이 생기고 이 균열(19)을 따라 감광제 제거 용액과 초순수와의 반응에 의해 생성된 OH-가 알루미늄 합금층(12b)으로 침투하여 상기 알루미늄 합금막(12b)을 부식시킨다. 따라서 금속 배선(12)과 이후에 형성될 상부 배선과의 접촉 불량이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 다층 금속 배선의 비아홀 형성시 발생되는 금속 배선층의 부식을 방지할 수 있는 제조 방법을 제공함에 있다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따라 형성된 비아홀을 가지는 다층 금속 배선의 단면도들.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예에 따른 다층 금속 비아홀 형성 단계를 나타내는 단면도들.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다층 금속 비아홀 형성 단계를 나타내는 단면도들.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법은, 기판 상면에 금속층을 형성하는 단계, 결과물 전면에 제 1 두께를 가지는 제 1 질산화막을 형성하는 단계, 상기 제 1 질산화막이 형성된 결과물 전면에 절연막 및 상기 제 1 질산화막의 두께보다 두꺼운 제 2 두께를 가지는 제 2 질산화막을 순차적으로 형성하는 단계, 감광막 패턴을 이용하여 순차적으로 상기 제 2 질산화막을 건식 식각하고, 상기 절연막의 일부를 습식 식각하고 상기 절연막의 나머지와 상기 평탄화막을 상기 제 1 질산화막을 식각 확인층으로 이용하여 건식 식각하는 단계, 상기 감광막 패턴을 제거하고 결과물을 세정하는 단계 및 상기 제 2 질산화막을 건식 식각하여 상기 금속층의 표면을 노출시키는 단계를 구비한다.
여기서, 상기 제 1 및 제 2 질산화막은 상기 제 2 두께는 상기 제 1 두께보다 5 내지 10% 더 두껍게 형성하며 구체적으로, 약 1 내지 2Torr, 350 내지 450℃에서 각각 약 500 내지 1000Å 및 500 내지 1100Å로 형성된다. 상기 산화막은 플라즈마 보조 TEOS 산화막이며, 평탄화막은 SOG 또는 오존-TEOS이다. 한편, 감광성 패턴을 제거하는 용액은 아민 성분이 포함된된 용액이며, 금속층은 Ti막과 TiN막으로된 복합막, Al-0.5wt%Cu, Al-1wt%Si-0.5wt%Cu 및 Al-1wt%Si중의 어느 하나로 형성되는 합금층 및 TiN막으로 구성되거나, Al-0.5wt%Cu, Al-1wt%Si-0.5wt%Cu 및 Al-1wt%Si중의 어느 하나로 형성될 수 있다. 제 1 질화막 및 상기 산화막의 식각시 CF4, CHF3가스를 이용하고. 상기 제 2질화막의 식각시 SF6가스를 사용하고 공급 전력을 상기 CF4, CHF3가스를 이용하는 경우의 약 1/3이다.
금속 배선층 상면 및 감광막 패턴 하부에 질산화막을 형성함으로써, 비아홀 형성 후 감광막 패턴시 사용되는 아민 성분이 포함된 용액과 세정시 사용되는 초순수 사이의 화학 반응에 의한 금속 배선의 부식이 방지된다.
[실시예]
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일실시예를 나타낸 것으로 도 1의 문제점을 해결할 수 있는 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법을 나타낸다.
도 3a에서, 소정의 반도체 소자 예를 들면 트랜지스터가 형성된 반도체 기판(도시되지 않음) 상면에 절연막(31)이 형성된다. 상기 절연막(31) 상부에는 스퍼터링을 이용하여 Al과 0.5wt%Cu으로 구성된 알루미늄 합금으로 구성된 금속 배선(32)을 형성한다. 다음, 약 1 내지 2 Torr, 350 내지 450℃, 200 SCCM의 SiH4, 1200 SCCM의 N2O, 2000 SCCM의 NH3, 3000 SCCM의 N2에 의한 공정 조건으로 약 500 내지 1000Å의 제 1 질산화막(33)을 상기 금속 배선(32) 및 상기 절연막(31)의 상면에 형성한다. 계속 하여, 제 1 질산화막(33) 상면에 약 4000 내지 5000Å의 무기질 SOG(spin on glass)를 도포하고 약 380 내지 420℃에서 약 30분정도 큐어링하여 형성된 또는 약 5000 내지 10000Å의 두께를 갖는 오존 TEOS(tetraethylorthosilicate) 산화막을 증착하고 화학기계연마법으로 약 3000 내지 8000Å 정도를 연마하여 형성된 평탄화용 절연막(34)을 형성하고 상기 평탄화막(34)상면에 약 5000 내지 7000Å의 두께를 가지는 플라즈마 TEOS 산화막(35)과 상기 제 1 질산화막(33) 형성과 동일한 공정 조건으로 제 2 질산화막(36)을 순차적으로 형성한다. 상기 제 2 질산화막(36)의 두께는 상기 제 1 질산화막(33)의 두께보다 약 5 내지 10%정도 더 두껍게 약 550 내지 1100Å으로 형성된다.
도 3b에서, 감광막 패턴(37)을 식각 마스크로 이용하여 제 2 질산화막(36)을 CF4, CHF3가스를 이용한 반응성 이온 식각법에 의해 비등방성 식각(38;건식 식각)하고 플라즈마 보조 TEOS 산화막(35)의 일부(예를 들면 약 2000 내지 4000Å)를 HF용액으로 습식 식각(39)한 다음, 잔여 플라즈마 보조 TEOS 산화막(35)과 평탄화막(34)을 CF4, CHF3가스를 이용한 반응성 이온 식각법에 의해 건식 식각(40) 하여 상기 제 1 질산화막(33)을 노출시킨다. 이후의 금속 배선 형성을 위한 텅스텐 플러그 공정을 채용할 경우에는 습식 식각(39)은 실시되지 않는다.
도 3c에서, 감광막 패턴(37)은 아민 성분이 포함된 화학 용액, 예를 들면, 하이드록실 아민(hydroxyl amine; NH2-OH)과 모노에타놀 아민(monoethanol amine;NH2-CH2-CH2-OH) 성분이 포함된 용액을 사용하여 제거된다. 다음 감광막 패턴의 제거에 사용된 화학 용액을 초순수를 사용하여 세정한다. 이후, 제 2 질산화막(36)이 완전히 제거될때가지 SF6가스를 이용한 반응성 이온 식각(41)을 실시하여 전면 식각한다. 제 2 질산화막(36)이 제 1 질산화막(33)의 두께보다 약 5 내지 10% 두겁게 형성되므로 제 1 질산화막(33)의 식각이 확인될 수 있어 제 2 질산화막(36)의 전면 식각에 의해 금속 배선(32)의 표면이 노출되어 비아홀(41)이 완성된다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 관한 것으로, 도 2의 문제점을 해결할 수 있는 다층 금속 배선 비아홀 형성 단계를 나타낸다.
도 4a에서, 소정의 반도체 소자 예를 들면 트랜지스터가 형성된 반도체 기판(도시되지 않음) 상면에 절연막(51)이 형성된다. 상기 절연막(51) 상부에는 스퍼터링을 이용하여 약 300Å의 Ti와 약 1200Å의 TiN으로 구성된 복합막(52a)와 Al과 0.5wt%Cu으로 구성된 합금, Al과 1wt%Si 및 0.5wt%Cu로 된 합금, 및 Al 미과 1wt%Si으로 구성된 합금 중의 어느 하나로 구성된 약 5000 내지 8000Å의 알루미늄 합금막(52b), 약 300Å의 TiN막(52c)으로 구성된 금속 배선(52)을 형성한다. 다음, 약 1 내지 2 Torr, 350 내지 450℃, 200 SCCM의 SiH4, 1200 SCCM의 N2O, 2000 SCCM의 NH3, 3000 SCCM의 N2에 의한 공정 조건으로 약 500 내지 1000Å의 제 1질산화막(53)을 상기 금속 배선(52) 및 상기 절연막(51)의 상면에 형성한다. 계속하여, 제 1질산화막(53) 상면에 약 4000 내지 5000Å의 무기질 SOG를 도포하고 약 380 내지 420℃에서 약 30분 정도 큐어링하여 형성된 또는 약 5000 내지 10000Å의 두께를 갖는 오존 TEOS 산화막을 증착하고 화학기계연마법으로 약 3000 내지 8000Å 정도를 연마하여 형성된 평탄화용 절연막(54)을 형성하고, 상기 평탄화막(54)상면에 약 5000 내지 7000Å의 두께를 가지는 플라즈마 TEOS 산화막(55)과 상기 제 1질산화막(53) 형성과 동일한 공정 조건으로 제 2질산화막(56)을 순차적으로 형성한다. 상기 제 2 질산화막(56)의 두께는 상기 제 1질산화막(53)의 두께보다 약 5 내지 10%정도 더 두껍게 약 500 내지 1100Å으로 형성된다.
도 4b에서, 감광막 패턴(77)을 식각 마스크로 이용하여 제 2 질산화막(56)을 CF4, CHF3가스를 이용한 반응성 이온 식각법에 의해 비등방성 식각(58;건식 식각)하고 플라즈마 보조 TEOS 산화막(55)의 일부(예를 들면 약 2000 내지 4000Å)를 HF용액으로 습식 식각(59)한 다음, 잔여 플라즈마 보조 TEOS 산화막(55)과 평탄화막(54)을 CF4, CHF3가스를 이용한 반응성 이온 식각법에 의해 건식 식각(60) 하여 상기 제 1 질산화막(53)을 노출시킨다. 상기 제 1질산화막(53)은 반응성 이온 식각에 의한 손상으로부터 TiN막(52c)을 보호하는 역할을 한다. 이후의 금속 배선 형성을 위한 텅스텐 플러그 공정을 채용할 경우에는 습식 식각(59)은 실시되지 않는다.
도 4c에서, 감광막 패턴(57)은 아민 성분이 포함된 화학 용액, 예를 들면, 하이드록실 아민(hydroxyl amine; NH2-OH)과 모노에타놀 아민(monoethanol amine;NH2-CH2-CH2-OH) 성분이 포함된 용액을 사용하여 제거된다. 다음 감광막 패턴의 제거에 사용된 화학 용액을 초순수를 사용하여 세정한다. 이후, 제 2 질산화막(56)이 완전히 제거될때가지 SF6가스를 이용한 반응성 이온 식각(61)을 실시하여 전면 식각한다. 제 2 질산화막(56)이 제 1 질산화막(53)의 두께보다 약 5 내지 10% 두겁게 형성되므로 제 1 질산화막(53)의 식각이 확인될 수 있어 제 2 질산화막(56)의 전면 식각에 의해 금속 배선의 TiN막(52c)의 표면이 노출되어 비아홀(41)이 완성된다. 여기서 SF6가스를 이용한 반응성 이온 식각시 필요로 하는 공급 전력이 CF4, CHF3가스의 경우에 비해 1/3 수준으로 낮게 설정될 수 있으므로, 제 1 질산화막(53)의 완전 제거에 의해 TiN막(52c)가 손상받지 않는다. 따라서, 제 2 질산화막(56)을 전면 식각하여 TiN막(52c)을 노출시킨 후 세정을 실시해도 종래와 같은 문제는 발생되지 않는다.
도 3a 내지 도 3c의 실시예에서는 감광막 패턴 제거용 화학 용액과 이 화학 용액을 세정하는 초순수와의 반응이 제 1 질산화막(33)에 의해 금속 배선(32)에 영향을 주지 않으므로, 금속 배선의 부식은 발생되지 않는다.
도 4a 내지 도 4c의 실시예에서 알루미늄 합금층(52b) 상부에서 층(52b)을 보호하는 TiN막(52c)의 손상이 없으므로, 감광막 패턴 제거용 화학 용액과 이 화학 용액을 세정하는 초순수와의 반응은 제 1 질산화막(53) 또는 제 1 질산화막(53)과 TiN막(52c)에 의해 금속 배선(32)에 미치지 않게되어, 금속 배선의 부식은 발생되지 않는다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
Claims (7)
- (a) 기판 상면에 금속층을 형성하는 단계,(b) 결과물 전면에 제 1 질산화막을 형성하는 단계,(c) 상기 제 1 질산화막이 형성된 결과물 전면에 절연막 및 상기 제 2 질산화막을 순차적으로 형성하는 단계,(d) 감광막 패턴을 이용하여 상기 제 1 질산화막을 식각 확인층으로 이용하여 상기 제 2 질산화막과 상기 절연막을 식각하는 단계,(e) 상기 감광막 패턴을 제거하고 결과물을 세정하는 단계,(f) 상기 제 1 질산화막 및 상기 제 2 질산화막을 식각하여 상기 금속층의 표면을 노출시키는 단계를 구비하는 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 질산화막의 두께는 상기 제 1 질산화막의 두께의 5 내지 10% 더 두꺼운 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 플라즈마 보조 TEOS 산화막을 포함하는 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 패턴을 제거하는 용액은 아민 성분이 포함된된 용액인 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 Ti막과 TiN막으로된 제 1층, Al-0.5wt%Cu, Al-1wt%Si-0.5wt%Cu 및 Al-1wt%Si중의 어느 하나로 형성되는 제 2층 및 TiN막으로 구성되는 제 3층을 구비하는 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 Al-0.5wt%Cu, Al-1wt%Si-0.5wt%Cu 및 Al-1wt%Si중의 어느 하나로 형성되는 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 질산화막은 약 1 내지 2Torr, 350 내지 450℃에서 각각 약 500 내지 1000Å 및 550 내지 1100Å로 형성되는 다층 금속 배선의 비아홀 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113811081A (zh) * | 2020-06-12 | 2021-12-17 | 丰田自动车株式会社 | 布线基板的制造方法 |
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1997
- 1997-11-25 KR KR1019970062795A patent/KR19990042092A/ko not_active Application Discontinuation
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| CN113811081A (zh) * | 2020-06-12 | 2021-12-17 | 丰田自动车株式会社 | 布线基板的制造方法 |
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