JPH1187507A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH1187507A JPH1187507A JP9357446A JP35744697A JPH1187507A JP H1187507 A JPH1187507 A JP H1187507A JP 9357446 A JP9357446 A JP 9357446A JP 35744697 A JP35744697 A JP 35744697A JP H1187507 A JPH1187507 A JP H1187507A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＣなどの多層配線において、厚みが異なる層
間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、多層配線間のコ
ンタクトを安定に行えるようにする。 【解決手段】第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射
防止膜２を形成し、その上にエッチングストップレイヤ
ーとしての窒化膜８を形成する。その上にＥＣＲプラズ
マＣＶＤなどで層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３上
にコンタクトホール５を形成するためのレジストマスク
４を形成する（同図（ａ））。酸化膜で形成された層間
絶縁膜３を、窒化膜８と十分選択比のある反応性イオン
エッチングにより、十分窒化膜８が露出するまでエッチ
ングする（同図（ｂ））。その後、窒化膜８を反応性エ
ッチングにより除去してコンタクトホール５を形成する
（同図（ｃ））。次に酸素プラズマを使用してレジスト
マスク４をアッシング（灰化）する（同図（ｄ））。そ
の後スパッタリングにより第２層アルミ配線を形成する
（同図（ｅ））。
間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、多層配線間のコ
ンタクトを安定に行えるようにする。 【解決手段】第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射
防止膜２を形成し、その上にエッチングストップレイヤ
ーとしての窒化膜８を形成する。その上にＥＣＲプラズ
マＣＶＤなどで層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３上
にコンタクトホール５を形成するためのレジストマスク
４を形成する（同図（ａ））。酸化膜で形成された層間
絶縁膜３を、窒化膜８と十分選択比のある反応性イオン
エッチングにより、十分窒化膜８が露出するまでエッチ
ングする（同図（ｂ））。その後、窒化膜８を反応性エ
ッチングにより除去してコンタクトホール５を形成する
（同図（ｃ））。次に酸素プラズマを使用してレジスト
マスク４をアッシング（灰化）する（同図（ｄ））。そ
の後スパッタリングにより第２層アルミ配線を形成する
（同図（ｅ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は多層配線構造のＩ
Ｃなどの半導体装置とその製造方法に関する。
Ｃなどの半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路では微細化が進
み、３６５ｎｍや２４８ｎｍの波長の短い光を使用した
フォトリソグラフィーが利用されているが、波長の短い
光を使用した場合焦点深度が浅くなり、プロセスマージ
ンが減少する問題が生じる。そのためフォトリソグラフ
ィーでのマージン確保のためにＳＯＧ（Ｓｐｉｎｏｎ
Ｇｌａｓｓ）やＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等を使用した層間絶
縁膜の平坦化が行われているが、層間絶縁膜の平坦化に
より今度は深さの異なるコンタクトホールが同一チップ
上に形成されることになり、これらの多層配線間のコン
タクトを安定して形成することが重要となっている。
み、３６５ｎｍや２４８ｎｍの波長の短い光を使用した
フォトリソグラフィーが利用されているが、波長の短い
光を使用した場合焦点深度が浅くなり、プロセスマージ
ンが減少する問題が生じる。そのためフォトリソグラフ
ィーでのマージン確保のためにＳＯＧ（Ｓｐｉｎｏｎ
Ｇｌａｓｓ）やＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等を使用した層間絶
縁膜の平坦化が行われているが、層間絶縁膜の平坦化に
より今度は深さの異なるコンタクトホールが同一チップ
上に形成されることになり、これらの多層配線間のコン
タクトを安定して形成することが重要となっている。
【０００３】図４は従来の半導体装置の製造方法につい
て説明した製造工程断面図である。図４において、１は
第１層アルミ配線、２は第１層アルミ配線形成時のレジ
ストマスクを露光する際に第１層アルミ配線から反射を
防ぐための反射防止膜、３は反射防止膜上に形成したプ
ラズマ酸化膜等の層間絶縁膜、４は層間絶縁膜（酸化
膜）にコンタクトホールを形成するためのレジストマス
ク、５はレジストマスクをマスクとして反応性イオンエ
ッチングによって層間絶縁膜３をエッチングして形成し
たコンタクトホール、６は層間絶縁膜３にコンタクトホ
ール５を形成した第２層アルミ配線、７ａは有機系のポ
リマーである。
て説明した製造工程断面図である。図４において、１は
第１層アルミ配線、２は第１層アルミ配線形成時のレジ
ストマスクを露光する際に第１層アルミ配線から反射を
防ぐための反射防止膜、３は反射防止膜上に形成したプ
ラズマ酸化膜等の層間絶縁膜、４は層間絶縁膜（酸化
膜）にコンタクトホールを形成するためのレジストマス
ク、５はレジストマスクをマスクとして反応性イオンエ
ッチングによって層間絶縁膜３をエッチングして形成し
たコンタクトホール、６は層間絶縁膜３にコンタクトホ
ール５を形成した第２層アルミ配線、７ａは有機系のポ
リマーである。
【０００４】以上のように構成された従来例の半導体装
置の製造方法について、図４を用いてさらに詳細に説明
する。まずスパッタリングによって第１層アルミ配線
１、および第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射防
止膜２を形成する。その後リソグラフィー、反応性エッ
チングにより第１層アルミ配線１および反射防止膜２を
形成する。その上に層間絶縁膜３としてＥＣＲプラズマ
ＣＶＤなどの高密度プラズマＣＶＤ法により例えば１μ
ｍ形成し、第１層アルミ配線１との間をボイド無く埋め
込む。下地の第１層アルミ配線１のパターンにより生じ
た層間絶縁膜３の段差をＣＭＰ法によりエッチングし、
平坦化する。層間絶縁膜３上にコンタクトホール５を形
成するためのレジストマスク４を形成する（同図
（ａ））。その後、層間絶縁膜３を反応性イオンエッチ
ングにより層間絶縁膜３をエッチングしコンタクトホー
ル５を形成する（同図（ｂ））。次に酸素プラズマを使
用してレジストマスク４をアッシング（灰化）する（同
図（ｃ））。その後スパッタリングにより第２層アルミ
配線を形成する（同図（ｄ））。
置の製造方法について、図４を用いてさらに詳細に説明
する。まずスパッタリングによって第１層アルミ配線
１、および第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射防
止膜２を形成する。その後リソグラフィー、反応性エッ
チングにより第１層アルミ配線１および反射防止膜２を
形成する。その上に層間絶縁膜３としてＥＣＲプラズマ
ＣＶＤなどの高密度プラズマＣＶＤ法により例えば１μ
ｍ形成し、第１層アルミ配線１との間をボイド無く埋め
込む。下地の第１層アルミ配線１のパターンにより生じ
た層間絶縁膜３の段差をＣＭＰ法によりエッチングし、
平坦化する。層間絶縁膜３上にコンタクトホール５を形
成するためのレジストマスク４を形成する（同図
（ａ））。その後、層間絶縁膜３を反応性イオンエッチ
ングにより層間絶縁膜３をエッチングしコンタクトホー
ル５を形成する（同図（ｂ））。次に酸素プラズマを使
用してレジストマスク４をアッシング（灰化）する（同
図（ｃ））。その後スパッタリングにより第２層アルミ
配線を形成する（同図（ｄ））。
【０００５】図５は従来の半導体装置の製造方法で、幅
が異なる第１層アルミ配線がある場合を示し、同図
（ａ）ないし同図（ｄ）は工程順に示したその製造工程
断面図である。図５において、５１はシリコン基板、５
２は第１酸化膜、５３は第１層アルミ配線、５４は第１
層アルミ配線形成時のレジストマスクを露光する際に第
１層アルミ配線から反射を防ぐための反射防止膜、５５
は第２酸化膜、５６はＳＯＧ膜、５７は第３酸化膜、５
８レジストマスク、５９はコンタクトホール、６０は第
層２アルミ配線、７ａは有機系ポリマーである。
が異なる第１層アルミ配線がある場合を示し、同図
（ａ）ないし同図（ｄ）は工程順に示したその製造工程
断面図である。図５において、５１はシリコン基板、５
２は第１酸化膜、５３は第１層アルミ配線、５４は第１
層アルミ配線形成時のレジストマスクを露光する際に第
１層アルミ配線から反射を防ぐための反射防止膜、５５
は第２酸化膜、５６はＳＯＧ膜、５７は第３酸化膜、５
８レジストマスク、５９はコンタクトホール、６０は第
層２アルミ配線、７ａは有機系ポリマーである。
【０００６】以上のように構成された従来例の半導体装
置の製造方法について、図５を用いてさらに詳細に説明
する。まずスパッタリングによってシリコン基板５１上
を被覆した第１酸化膜５２上に膜厚が０．６μｍの第１
層アルミ配線５３と、膜厚が３０ｎｍのＴｉＮの反射防
止膜５４を形成する（同図（ａ））。その後、反応性エ
ッチングによるフォトリソグラフィー（フォトエッチン
グのこと）で第１層アルミ配線５３および反射防止膜５
４をエッチングする。その上に層間絶縁膜を構成する絶
縁膜としてプラズマＣＶＤにより第２酸化膜５５を例え
ば０．３μｍの膜厚で形成し、さらに有機ＳＯＧを回転
塗布した後、４００℃程度で熱硬化させＳＯＧ膜５６を
形成する（同図（ｂ））。この時、表面張力の関係で第
１層アルミ配線５３の線幅の広いＡ部の方が線幅の狭い
Ｂ部より、ＳＯＧ膜の膜厚は厚くなる。つぎに、コンタ
クトホール５９を形成する領域をＳＯＧ膜５６が被覆し
ないように、ドライエッチング法によりＳＯＧ膜５６の
膜厚が厚いＡ部の第２酸化膜５５が露出するまでエッチ
バックする。このとき膜厚の薄いＢ部の第２酸化膜５５
はオーバーエッチングにより除去されてしまう。層間絶
縁膜を構成する絶縁膜として第３酸化膜５７をプラズマ
ＣＶＤ法により例えば０．５μｍの膜厚で形成する。第
３酸化膜５７上にコンタクトホール５９を形成するため
のレジストマスク５８を形成する。その後、レジストマ
スク５８をマスクに層間絶縁膜を構成する第２酸化膜５
５および第３酸化膜５７を反応性イオンエッチングによ
りエッチングし、コンタクトホール５９を形成する（同
図（ｃ））。つぎに酸素プラズマを使用してレジストマ
スク５８をアッシングする。その後スパッタリングによ
り第２層アルミ配線６０を形成する（同図（ｄ））。
置の製造方法について、図５を用いてさらに詳細に説明
する。まずスパッタリングによってシリコン基板５１上
を被覆した第１酸化膜５２上に膜厚が０．６μｍの第１
層アルミ配線５３と、膜厚が３０ｎｍのＴｉＮの反射防
止膜５４を形成する（同図（ａ））。その後、反応性エ
ッチングによるフォトリソグラフィー（フォトエッチン
グのこと）で第１層アルミ配線５３および反射防止膜５
４をエッチングする。その上に層間絶縁膜を構成する絶
縁膜としてプラズマＣＶＤにより第２酸化膜５５を例え
ば０．３μｍの膜厚で形成し、さらに有機ＳＯＧを回転
塗布した後、４００℃程度で熱硬化させＳＯＧ膜５６を
形成する（同図（ｂ））。この時、表面張力の関係で第
１層アルミ配線５３の線幅の広いＡ部の方が線幅の狭い
Ｂ部より、ＳＯＧ膜の膜厚は厚くなる。つぎに、コンタ
クトホール５９を形成する領域をＳＯＧ膜５６が被覆し
ないように、ドライエッチング法によりＳＯＧ膜５６の
膜厚が厚いＡ部の第２酸化膜５５が露出するまでエッチ
バックする。このとき膜厚の薄いＢ部の第２酸化膜５５
はオーバーエッチングにより除去されてしまう。層間絶
縁膜を構成する絶縁膜として第３酸化膜５７をプラズマ
ＣＶＤ法により例えば０．５μｍの膜厚で形成する。第
３酸化膜５７上にコンタクトホール５９を形成するため
のレジストマスク５８を形成する。その後、レジストマ
スク５８をマスクに層間絶縁膜を構成する第２酸化膜５
５および第３酸化膜５７を反応性イオンエッチングによ
りエッチングし、コンタクトホール５９を形成する（同
図（ｃ））。つぎに酸素プラズマを使用してレジストマ
スク５８をアッシングする。その後スパッタリングによ
り第２層アルミ配線６０を形成する（同図（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図４の従
来の構成では以下の問題があった。すなわち、深さの異
なるコンタクトホールを反応性イオンエッチングにて形
成する際、プロセスマージン確保のため、層間絶縁膜３
の膜厚変動、エッチング速度の変動を加味し、オーバー
エッチングする必要がある。オーバーエッチングの際、
比較的深さの浅いコンタクトホールでは第１層アルミ配
線１、反射防止膜２がスパッタリングされ、エッチング
ガス中のＦラジカルなどと反応し、Ａｌ、ＡｌX ＦY 、
Ｔｉ、Ｔｉ x ＦY を含む有機系のポリマー７ａがコンタ
クトホールの側壁に堆積する。その後、酸素プラズマに
よるアッシングを行い、レジストマスクを除去するが、
有機系のポリマー７ａは除去できないため残留する。そ
の後、プリクリーンを行い第２層アルミ配線６をスパッ
タリングで堆積するが、有機系のポリマー７ａがコンタ
クトホール５を塞ぎ、コンタクトホール５内部に第２層
アルミ配線６を形成できないことがある。このため、第
１層アルミ配線１と第２層アルミ配線６との間のコンタ
クトが不安定になるという問題があった。
来の構成では以下の問題があった。すなわち、深さの異
なるコンタクトホールを反応性イオンエッチングにて形
成する際、プロセスマージン確保のため、層間絶縁膜３
の膜厚変動、エッチング速度の変動を加味し、オーバー
エッチングする必要がある。オーバーエッチングの際、
比較的深さの浅いコンタクトホールでは第１層アルミ配
線１、反射防止膜２がスパッタリングされ、エッチング
ガス中のＦラジカルなどと反応し、Ａｌ、ＡｌX ＦY 、
Ｔｉ、Ｔｉ x ＦY を含む有機系のポリマー７ａがコンタ
クトホールの側壁に堆積する。その後、酸素プラズマに
よるアッシングを行い、レジストマスクを除去するが、
有機系のポリマー７ａは除去できないため残留する。そ
の後、プリクリーンを行い第２層アルミ配線６をスパッ
タリングで堆積するが、有機系のポリマー７ａがコンタ
クトホール５を塞ぎ、コンタクトホール５内部に第２層
アルミ配線６を形成できないことがある。このため、第
１層アルミ配線１と第２層アルミ配線６との間のコンタ
クトが不安定になるという問題があった。
【０００８】また本来、層間絶縁膜の膜厚が全面に亘っ
て均等であればコンタクトホール形成時に反射防止膜や
第１層アルミ配線が露出することは無い訳であるが、実
際には、図５（ｂ）のように、コンタクトホールが形成
される箇所の第１層アルミ配線の線幅に層間絶縁膜の膜
厚が依存し、線幅が広いと層間絶縁膜の膜厚が厚く、狭
いと膜厚が薄くなり、前記のような問題が発生する。
て均等であればコンタクトホール形成時に反射防止膜や
第１層アルミ配線が露出することは無い訳であるが、実
際には、図５（ｂ）のように、コンタクトホールが形成
される箇所の第１層アルミ配線の線幅に層間絶縁膜の膜
厚が依存し、線幅が広いと層間絶縁膜の膜厚が厚く、狭
いと膜厚が薄くなり、前記のような問題が発生する。
【０００９】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、厚みが異なる層間絶縁膜にコンタクトホールを形成
し、多層配線間のコンタクトを行う場合でも、コンタク
トを安定に行うことができる半導体装置の製造方法を提
供することと、第１層アルミ配線上の層間絶縁膜の膜厚
を一定とする方策を講じることで、コンタクトを安定に
行うことができる半導体装置を提供することにある。
て、厚みが異なる層間絶縁膜にコンタクトホールを形成
し、多層配線間のコンタクトを行う場合でも、コンタク
トを安定に行うことができる半導体装置の製造方法を提
供することと、第１層アルミ配線上の層間絶縁膜の膜厚
を一定とする方策を講じることで、コンタクトを安定に
行うことができる半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、第１層配線上に反射防止膜を形成する工程と、前
記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜
上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にコンタク
トホール形成のためのレジストマスクを形成する工程
と、前記酸化膜を前記窒化膜が露出するまでエッチング
する工程と、前記窒化膜をエッチングして前記コンタク
トホールを形成する工程と、前記レジストマスクをアッ
シングで除去する工程と、前記コンタクトホールを含む
前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を含む工程と
する。
めに、第１層配線上に反射防止膜を形成する工程と、前
記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜
上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にコンタク
トホール形成のためのレジストマスクを形成する工程
と、前記酸化膜を前記窒化膜が露出するまでエッチング
する工程と、前記窒化膜をエッチングして前記コンタク
トホールを形成する工程と、前記レジストマスクをアッ
シングで除去する工程と、前記コンタクトホールを含む
前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を含む工程と
する。
【００１１】また第１層配線上に反射防止膜を形成する
工程と、前記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上
にコンタクトホール形成のためのレジストマスクを形成
する工程と、前記酸化膜と前記窒化膜を前記反射防止膜
が露出するまでエッチングする工程と、露出した前記反
射防止膜を第１層配線が露出するまでエッチングして前
記コンタクトホールを形成する工程と、前記レジストマ
スクをアッシングで除去する工程と、前記コンタクトホ
ールを含む前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を
含む工程とするとよい。
工程と、前記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、
前記窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上
にコンタクトホール形成のためのレジストマスクを形成
する工程と、前記酸化膜と前記窒化膜を前記反射防止膜
が露出するまでエッチングする工程と、露出した前記反
射防止膜を第１層配線が露出するまでエッチングして前
記コンタクトホールを形成する工程と、前記レジストマ
スクをアッシングで除去する工程と、前記コンタクトホ
ールを含む前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を
含む工程とするとよい。
【００１２】前記の製造方法によると、層間絶縁膜であ
る酸化膜をエッチングする時に窒化膜がエッチングスト
ップレイヤー（エッチングを停止させる層のこと）とし
て働くため、酸化膜のオーバーエッチングが生じても、
反射防止膜や第１層アルミ配線がスパッタリングされる
ことなく酸化膜をエッチングすることができる。そのた
め、前記のＡｌ、ＡｌX ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY を含む
有機系のポリマーがコンタクトホールの側壁に堆積する
ことがない。またその後の窒化膜のエッチングでは前記
の有機系のポリマーが形成されないため、結果としてコ
ンタクトホールの側壁にはレジストマスクのアッシング
で除去することができない前記の有機系のポリマーは堆
積せず、コンタクトホールが塞がれることもない。その
ため、コンタクトホールの内部を埋め尽くすように第２
層アルミ配線を形成することができる。
る酸化膜をエッチングする時に窒化膜がエッチングスト
ップレイヤー（エッチングを停止させる層のこと）とし
て働くため、酸化膜のオーバーエッチングが生じても、
反射防止膜や第１層アルミ配線がスパッタリングされる
ことなく酸化膜をエッチングすることができる。そのた
め、前記のＡｌ、ＡｌX ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY を含む
有機系のポリマーがコンタクトホールの側壁に堆積する
ことがない。またその後の窒化膜のエッチングでは前記
の有機系のポリマーが形成されないため、結果としてコ
ンタクトホールの側壁にはレジストマスクのアッシング
で除去することができない前記の有機系のポリマーは堆
積せず、コンタクトホールが塞がれることもない。その
ため、コンタクトホールの内部を埋め尽くすように第２
層アルミ配線を形成することができる。
【００１３】基板上に第１酸化膜が形成され、第１酸化
膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反射防
止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成さ
れ、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防止
膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチング
で除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第３
酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された第２酸化
膜および第３酸化膜を貫通するコンタクトホールが形成
され、該コンタクトホールで反射防止膜を介して第１層
配線と接続する第２層配線が形成され、第２層配線と接
続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅で構成する。
膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反射防
止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成さ
れ、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防止
膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチング
で除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第３
酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された第２酸化
膜および第３酸化膜を貫通するコンタクトホールが形成
され、該コンタクトホールで反射防止膜を介して第１層
配線と接続する第２層配線が形成され、第２層配線と接
続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅で構成する。
【００１４】また基板上に第１酸化膜が形成され、第１
酸化膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反
射防止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成
され、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防
止膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチン
グで除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第
３酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された前記反
射防止膜、第２酸化膜および第３酸化膜とを貫通するコ
ンタクトホールが形成され、該コンタクトホールで第１
層配線と接続する第２層配線膜が形成され、第２層配線
と接続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅で構成する
とよい。
酸化膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反
射防止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成
され、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防
止膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチン
グで除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第
３酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された前記反
射防止膜、第２酸化膜および第３酸化膜とを貫通するコ
ンタクトホールが形成され、該コンタクトホールで第１
層配線と接続する第２層配線膜が形成され、第２層配線
と接続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅で構成する
とよい。
【００１５】この第２層配線と接続する箇所の第１層配
線を同一幅の櫛の歯とするとよい。この第２層配線と接
続する箇所の第１層配線の幅が０．５μｍないし１０μ
ｍであるとよい。このように、第２層配線と接続する箇
所の第１層配線の線幅１０μｍ以下にすることで、この
接続箇所の層間絶縁膜を構成するＳＯＧ膜の膜厚を均一
にできる。第１層配線の線幅でＳＯＧ膜の膜厚が変わる
のは第１層配線形状の違いによる表面張力の違いが原因
と考えられる。
線を同一幅の櫛の歯とするとよい。この第２層配線と接
続する箇所の第１層配線の幅が０．５μｍないし１０μ
ｍであるとよい。このように、第２層配線と接続する箇
所の第１層配線の線幅１０μｍ以下にすることで、この
接続箇所の層間絶縁膜を構成するＳＯＧ膜の膜厚を均一
にできる。第１層配線の線幅でＳＯＧ膜の膜厚が変わる
のは第１層配線形状の違いによる表面張力の違いが原因
と考えられる。
【００１６】また前記ＳＯＧ膜と第３酸化膜の代わりに
オゾンＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）ＣＶＤ法により酸化膜を形成するとさらに効果的で
ある。
オゾンＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）ＣＶＤ法により酸化膜を形成するとさらに効果的で
ある。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例の半
導体装置の製造方法であり、同図（ａ）ないし同図
（ｅ）は工程順に示した製造工程断面図である。図１に
おいて、１は第１層アルミ配線、２は第１層アルミ配線
形成時のレジストマスクを露光する際に第１層アルミ配
線から反射を防ぐための反射防止膜、８は第１層アルミ
配線上に形成したプラズマ窒化膜等のエッチングストッ
プレイヤーとしての窒化膜、３は反射防止膜上に形成し
たプラズマ酸化膜等の層間絶縁膜、４は酸化膜にコンタ
クトホールを形成するためのレジストマスク、５はレジ
ストマスクをマスクとして反応性イオンエッチングによ
って層間絶縁膜３をエッチングして形成したコンタクト
ホール、６は層間絶縁膜３にコンタクトホール５を形成
した第２層アルミ配線である。
導体装置の製造方法であり、同図（ａ）ないし同図
（ｅ）は工程順に示した製造工程断面図である。図１に
おいて、１は第１層アルミ配線、２は第１層アルミ配線
形成時のレジストマスクを露光する際に第１層アルミ配
線から反射を防ぐための反射防止膜、８は第１層アルミ
配線上に形成したプラズマ窒化膜等のエッチングストッ
プレイヤーとしての窒化膜、３は反射防止膜上に形成し
たプラズマ酸化膜等の層間絶縁膜、４は酸化膜にコンタ
クトホールを形成するためのレジストマスク、５はレジ
ストマスクをマスクとして反応性イオンエッチングによ
って層間絶縁膜３をエッチングして形成したコンタクト
ホール、６は層間絶縁膜３にコンタクトホール５を形成
した第２層アルミ配線である。
【００１８】この発明の半導体装置の製造方法について
説明する。まずスパッタリングによって第１層アルミ配
線１、および第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射
防止膜２を形成する。その後リソグラフィー、反応性エ
ッチングにより第１層アルミ配線１および反射防止膜２
を形成する。その上にエッチングストップレイヤーとし
てのプラズマ窒化膜を例えば１００ｎｍ形成し、その上
にＥＣＲプラズマＣＶＤなどの高密度プラズマＣＶＤ法
により酸化膜である層間絶縁膜３を例えば１μｍ形成
し、第１層アルミ配線１の間をボイド無く埋め込む。下
地の第１層アルミ配線１のパターンにより生じた層間絶
縁膜３の段差をＣＭＰ法によりエッチングし、平坦化す
る。層間絶縁膜３上にコンタクトホール５を形成するた
めのレジストマスク４を形成する（同図（ａ））。その
後、層間絶縁膜３である酸化膜を、窒化膜８と十分選択
比のある反応性イオンエッチングにより、十分窒化膜８
が露出するまでエッチングする（同図（ｂ））。この場
合に、深さが深いコンタクトホールに合わせてエッチン
グするため、深さが浅いコンタクトホールではオーバー
エッチングになるが、下層の窒化膜８がエッチングスト
ップレイヤー（エッチング時の酸化膜に対する選択比が
高いためにストップレイヤーとなる）として働くため
に、下地の反射防止膜２や第１アルミ配線１がスパッタ
リングされることは無い。そのため、従来技術で説明し
たようなレジストマスク４のアッシングで除去できない
Ａｌ、ＡｌX ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY などの物質を含む
有機系のポリマー７ａは生成されず、アッシング（灰
化）で除去できる有機系のポリマー７が生成され、コン
タクトホールの側壁に堆積する。その後、窒化膜８を反
応性エッチングにより除去してコンタクトホール５を形
成する（同図（ｃ））。次に酸素プラズマを使用してレ
ジストマスク４をアッシングする。このアッシングによ
りレジストマスクおよび有機系のポリマー７が除去され
る（同図（ｄ））。その後スパッタリングにより第２層
アルミ配線６を形成する（同図（ｅ））。
説明する。まずスパッタリングによって第１層アルミ配
線１、および第１層アルミ配線１上にＴｉＮなどの反射
防止膜２を形成する。その後リソグラフィー、反応性エ
ッチングにより第１層アルミ配線１および反射防止膜２
を形成する。その上にエッチングストップレイヤーとし
てのプラズマ窒化膜を例えば１００ｎｍ形成し、その上
にＥＣＲプラズマＣＶＤなどの高密度プラズマＣＶＤ法
により酸化膜である層間絶縁膜３を例えば１μｍ形成
し、第１層アルミ配線１の間をボイド無く埋め込む。下
地の第１層アルミ配線１のパターンにより生じた層間絶
縁膜３の段差をＣＭＰ法によりエッチングし、平坦化す
る。層間絶縁膜３上にコンタクトホール５を形成するた
めのレジストマスク４を形成する（同図（ａ））。その
後、層間絶縁膜３である酸化膜を、窒化膜８と十分選択
比のある反応性イオンエッチングにより、十分窒化膜８
が露出するまでエッチングする（同図（ｂ））。この場
合に、深さが深いコンタクトホールに合わせてエッチン
グするため、深さが浅いコンタクトホールではオーバー
エッチングになるが、下層の窒化膜８がエッチングスト
ップレイヤー（エッチング時の酸化膜に対する選択比が
高いためにストップレイヤーとなる）として働くため
に、下地の反射防止膜２や第１アルミ配線１がスパッタ
リングされることは無い。そのため、従来技術で説明し
たようなレジストマスク４のアッシングで除去できない
Ａｌ、ＡｌX ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY などの物質を含む
有機系のポリマー７ａは生成されず、アッシング（灰
化）で除去できる有機系のポリマー７が生成され、コン
タクトホールの側壁に堆積する。その後、窒化膜８を反
応性エッチングにより除去してコンタクトホール５を形
成する（同図（ｃ））。次に酸素プラズマを使用してレ
ジストマスク４をアッシングする。このアッシングによ
りレジストマスクおよび有機系のポリマー７が除去され
る（同図（ｄ））。その後スパッタリングにより第２層
アルミ配線６を形成する（同図（ｅ））。
【００１９】この半導体装置の製造方法によると、窒化
膜８をコンタクトホール形成のための反応性イオンエッ
チングのエッチングストップレイヤーとして用いること
で、オーバーエッチング時の反射防止膜２や第１層アル
ミ配線１からのスパッタリングを防止できる。このよう
に、反射防止膜２や第１層アルミ配線１をスパッタリン
グしないため、Ａｌ、Ａｌx ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY な
どの物質が有機系のポリマー７に取り込まれず、従っ
て、レジストマスク４の除去のための酸素プラズマによ
るアッシングによって、有機系のポリマー７は完全に除
去される。この有機系のポリマー７の完全除去により、
第２層アルミ配線６をコンタクトホール５の内部にまで
渡って形成でき、第１層アルミ配線１と第２層アルミ配
線６間のコンタクトを安定にすることができる。
膜８をコンタクトホール形成のための反応性イオンエッ
チングのエッチングストップレイヤーとして用いること
で、オーバーエッチング時の反射防止膜２や第１層アル
ミ配線１からのスパッタリングを防止できる。このよう
に、反射防止膜２や第１層アルミ配線１をスパッタリン
グしないため、Ａｌ、Ａｌx ＦY 、Ｔｉ、Ｔｉx ＦY な
どの物質が有機系のポリマー７に取り込まれず、従っ
て、レジストマスク４の除去のための酸素プラズマによ
るアッシングによって、有機系のポリマー７は完全に除
去される。この有機系のポリマー７の完全除去により、
第２層アルミ配線６をコンタクトホール５の内部にまで
渡って形成でき、第１層アルミ配線１と第２層アルミ配
線６間のコンタクトを安定にすることができる。
【００２０】尚、窒化膜８の代わりに、層間絶縁膜３で
ある酸化膜に対して十分な選択比が得られる膜であれ
ば、アモルファスシリコンなどの膜であっても同様の効
果が得られるのは言うまでもない。また、コンタクトホ
ール５は第１層アルミ配線１と第２層アルミ配線６とを
接続するビアコンタクトホール（Ｖｉａ Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｈｏｌｅ）のことである。
ある酸化膜に対して十分な選択比が得られる膜であれ
ば、アモルファスシリコンなどの膜であっても同様の効
果が得られるのは言うまでもない。また、コンタクトホ
ール５は第１層アルミ配線１と第２層アルミ配線６とを
接続するビアコンタクトホール（Ｖｉａ Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｈｏｌｅ）のことである。
【００２１】図２はこの発明の第２実施例の半導体装置
の製造方法であり、同図（ａ）ないし同図（ｅ）は工程
順に示した製造工程断面図である。図２は、図１
（ａ）、図１（ｂ）は同一工程であり、異なる点は、図
１（ｂ）の後に、窒化膜８ばかりでなく反射防止膜２に
もコンタクトホール５を開ける工程を付加した点であり
（同図（ｃ））、その後、酸素プラズマを使用してレジ
ストマスク４をアッシングし、除去し（同図（ｄ））、
つぎに、第２アルミ配線６を形成する（同図（ｅ））。
こうすることで、第２アルミ配線６が第１アルミ配線と
直接接続し、図１よりも接続抵抗が小さくなる。尚、反
射防止膜２へのコンタクトホール５の形成は平行平板型
の反応性イオンエッチングにより行われる。エッチング
条件は例えばＣｌ2 を２００ｓｃｃｍ導入し、２５０ｍ
Ｔに保ち、下部電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を
５００Ｗ印加する。また第２層アルミ配線６はスパッタ
リングで形成される。
の製造方法であり、同図（ａ）ないし同図（ｅ）は工程
順に示した製造工程断面図である。図２は、図１
（ａ）、図１（ｂ）は同一工程であり、異なる点は、図
１（ｂ）の後に、窒化膜８ばかりでなく反射防止膜２に
もコンタクトホール５を開ける工程を付加した点であり
（同図（ｃ））、その後、酸素プラズマを使用してレジ
ストマスク４をアッシングし、除去し（同図（ｄ））、
つぎに、第２アルミ配線６を形成する（同図（ｅ））。
こうすることで、第２アルミ配線６が第１アルミ配線と
直接接続し、図１よりも接続抵抗が小さくなる。尚、反
射防止膜２へのコンタクトホール５の形成は平行平板型
の反応性イオンエッチングにより行われる。エッチング
条件は例えばＣｌ2 を２００ｓｃｃｍ導入し、２５０ｍ
Ｔに保ち、下部電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を
５００Ｗ印加する。また第２層アルミ配線６はスパッタ
リングで形成される。
【００２２】図３はこの発明の第３実施例の半導体装置
であり、同図（ａ）は第１層アルミ配線の要部平面図、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した半導体装
置の要部断面図である。図３において、５１はシリコン
基板、５２は第１酸化膜、５３は第１層アルミ配線、５
４は反射防止膜、５５は第２酸化膜、５６はＳＯＧ膜、
５７は第３酸化膜、５９はコンタクトホール、６０は第
２層アルミ配線である。この半導体装置の製造方法は従
来の製造方法である図５とほぼ同じであり、異なる点は
第１層アルミ配線の線幅の広い第１層アルミ配線５３ａ
が櫛の歯７０の形状をしている点である。図３では、第
１層アルミ配線５３と第２層アルミ配線６０とが反射防
止膜５４を介して接続しているが、反射防止膜５４にも
コンタクトホールを開けて直接接続するようにしても勿
論よい。
であり、同図（ａ）は第１層アルミ配線の要部平面図、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した半導体装
置の要部断面図である。図３において、５１はシリコン
基板、５２は第１酸化膜、５３は第１層アルミ配線、５
４は反射防止膜、５５は第２酸化膜、５６はＳＯＧ膜、
５７は第３酸化膜、５９はコンタクトホール、６０は第
２層アルミ配線である。この半導体装置の製造方法は従
来の製造方法である図５とほぼ同じであり、異なる点は
第１層アルミ配線の線幅の広い第１層アルミ配線５３ａ
が櫛の歯７０の形状をしている点である。図３では、第
１層アルミ配線５３と第２層アルミ配線６０とが反射防
止膜５４を介して接続しているが、反射防止膜５４にも
コンタクトホールを開けて直接接続するようにしても勿
論よい。
【００２３】この図３についてさらに詳細に説明する。
但し、説明では反射防止膜５４を省略している。第１層
アルミ配線５３は幅の広い第１層アルミ配線５３ａと幅
の狭い第１層アルミ配線５３ｂで構成されている。幅の
広い第１層アルミ配線５３ａとコンタクトホール５９で
接続される箇所を櫛の歯７０にして、その櫛の歯の線幅
Ｗと狭い第１層アルミ配線５３ｂの線幅Ｄとを後述する
所定の幅とすることで、コンタクトホール５９を形成す
る箇所の層間絶縁膜（第２酸化膜５５と第３酸化膜５７
で構成される）の膜厚を同一にできる。層間絶縁膜の膜
厚がコンタクトホール５９を形成する箇所で均一となる
ため、層間絶縁膜の膜厚が異なる場合のように除去でき
ない有機系のポリマー７ａ（図５（ｃ））は形成されな
い。そのため安定なコンタクトが得られる。また、第１
層アルミ配線５３ａの櫛の歯部７０の線幅Ｗおよび第１
層アルミ配線５３ｂの線幅Ｄは０．５μｍ以上で１０μ
ｍ以下がよい。これは、線幅が０．５μｍより狭いと第
１層アルミ配線と第２層アルミ配線のコンタクト部が小
さくなり過ぎてコンタクトが不十分となる。また１０μ
ｍより広いと、面積効果によりＳＯＧ膜の膜厚にばらつ
きができて、除去できない有機系ポリマー７ａがコンタ
クトホール５９の側壁に形成される場合も生ずる。ま
た、ＳＯＧ膜５６の代わりにオゾンＴＥＯＳ酸化膜を利
用しても同様の効果が得られる。このオゾンＴＥＯＳ酸
化膜はＳＯＧ膜のように流動性があり同様の製造法で酸
化膜を形成でき、また効果も同じように期待できる。
但し、説明では反射防止膜５４を省略している。第１層
アルミ配線５３は幅の広い第１層アルミ配線５３ａと幅
の狭い第１層アルミ配線５３ｂで構成されている。幅の
広い第１層アルミ配線５３ａとコンタクトホール５９で
接続される箇所を櫛の歯７０にして、その櫛の歯の線幅
Ｗと狭い第１層アルミ配線５３ｂの線幅Ｄとを後述する
所定の幅とすることで、コンタクトホール５９を形成す
る箇所の層間絶縁膜（第２酸化膜５５と第３酸化膜５７
で構成される）の膜厚を同一にできる。層間絶縁膜の膜
厚がコンタクトホール５９を形成する箇所で均一となる
ため、層間絶縁膜の膜厚が異なる場合のように除去でき
ない有機系のポリマー７ａ（図５（ｃ））は形成されな
い。そのため安定なコンタクトが得られる。また、第１
層アルミ配線５３ａの櫛の歯部７０の線幅Ｗおよび第１
層アルミ配線５３ｂの線幅Ｄは０．５μｍ以上で１０μ
ｍ以下がよい。これは、線幅が０．５μｍより狭いと第
１層アルミ配線と第２層アルミ配線のコンタクト部が小
さくなり過ぎてコンタクトが不十分となる。また１０μ
ｍより広いと、面積効果によりＳＯＧ膜の膜厚にばらつ
きができて、除去できない有機系ポリマー７ａがコンタ
クトホール５９の側壁に形成される場合も生ずる。ま
た、ＳＯＧ膜５６の代わりにオゾンＴＥＯＳ酸化膜を利
用しても同様の効果が得られる。このオゾンＴＥＯＳ酸
化膜はＳＯＧ膜のように流動性があり同様の製造法で酸
化膜を形成でき、また効果も同じように期待できる。
【００２４】
【発明の効果】この発明によると、エッチングストップ
レイヤーとしての窒化膜を反射防止膜上に被覆すること
によって、反射防止膜や第１層アルミ配線をスパッタリ
ングせずに層間絶縁膜である酸化膜のみをエッチングし
てコンタクトホールが形成されるので、レジストマスク
のアッシングで除去できない有機系のポリマー、即ち、
エッチングガスと反射防止膜、第１層アルミ配線とが反
応してできる物質を含む有機系のポリマーは、コンタク
トホールの側壁に堆積しない。そのため、レジストマス
クのアッシング後、コンタクトホールが塞がれることは
なく、コンタクトホールの内部に渡って第２層アルミ配
線を形成することができ、第１層アルミ配線と第２層ア
ルミ配線の間のコンタクトを安定化させることができ
る。特に、コンタクトホールが複数個ありそれぞれ深さ
が異なる場合、浅いコンタクトホールがオーバーエッチ
ングになるが、その場合でも、エッチングガスと反射防
止膜、第１層アルミ配線とが反応してできる物質を含む
有機系のポリマーはコンタクトホールの側壁に堆積せ
ず、安定なコンタクトが得られる。
レイヤーとしての窒化膜を反射防止膜上に被覆すること
によって、反射防止膜や第１層アルミ配線をスパッタリ
ングせずに層間絶縁膜である酸化膜のみをエッチングし
てコンタクトホールが形成されるので、レジストマスク
のアッシングで除去できない有機系のポリマー、即ち、
エッチングガスと反射防止膜、第１層アルミ配線とが反
応してできる物質を含む有機系のポリマーは、コンタク
トホールの側壁に堆積しない。そのため、レジストマス
クのアッシング後、コンタクトホールが塞がれることは
なく、コンタクトホールの内部に渡って第２層アルミ配
線を形成することができ、第１層アルミ配線と第２層ア
ルミ配線の間のコンタクトを安定化させることができ
る。特に、コンタクトホールが複数個ありそれぞれ深さ
が異なる場合、浅いコンタクトホールがオーバーエッチ
ングになるが、その場合でも、エッチングガスと反射防
止膜、第１層アルミ配線とが反応してできる物質を含む
有機系のポリマーはコンタクトホールの側壁に堆積せ
ず、安定なコンタクトが得られる。
【００２５】また、第２層アルミ配線と接続する箇所の
第１層アルミ配線の線幅を揃えることで、層間絶縁膜の
膜厚を均一にできて、反射防止膜や第１層アルミ配線を
スパッタせずに第２酸化膜のみエッチングしてコンタク
トホールを形成できる。そのため、エッチングガスと反
射防止膜、第１層アルミ配線とが反応してできる物質を
含む有機系のポリマーはコンタクトホールの側壁に堆積
せず、安定なコンタクトが得られる。
第１層アルミ配線の線幅を揃えることで、層間絶縁膜の
膜厚を均一にできて、反射防止膜や第１層アルミ配線を
スパッタせずに第２酸化膜のみエッチングしてコンタク
トホールを形成できる。そのため、エッチングガスと反
射防止膜、第１層アルミ配線とが反応してできる物質を
含む有機系のポリマーはコンタクトホールの側壁に堆積
せず、安定なコンタクトが得られる。
【図１】この発明の第１実施例で、半導体装置の製造方
法について説明した製造工程断面図
法について説明した製造工程断面図
【図２】この発明の第２実施例で、半導体装置の製造方
法について説明した製造工程断面図
法について説明した製造工程断面図
【図３】この発明の第３実施例の半導体装置であり、
（ａ）は第１層アルミ配線の要部平面図、（ｂ）は
（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した半導体装置の要部断面図
（ａ）は第１層アルミ配線の要部平面図、（ｂ）は
（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した半導体装置の要部断面図
【図４】従来の半導体装置の製造方法について説明した
製造工程断面図
製造工程断面図
【図５】従来の半導体装置の製造方法で、幅が異なる第
１層アルミ配線がある場合を示し、（ａ）ないし（ｄ）
は工程順に示したその製造工程断面図
１層アルミ配線がある場合を示し、（ａ）ないし（ｄ）
は工程順に示したその製造工程断面図
１ 第１層アルミ配線 ２ 反射防止膜 ３ 層間絶縁膜（酸化膜） ４ レジストマスク ５ コンタクトホール ６ 第２層アルミ配線 ７ 有機系のポリマー ７ａ 有機系のポリマー ８ 窒化膜 ５１ シリコン基板 ５２ 第１酸化膜 ５３ 第１層アルミ配線 ５３ａ 線幅の広い第１層アルミ配線 ５３ｂ 線幅の狭い第１層アルミ配線 ５４ 反射防止膜 ５５ 第２酸化膜 ５６ ＳＯＧ膜 ５７ 第３酸化膜 ５８ レジストマスク ５９ コンタクトホール ６０ 第２層アルミ配線 ７０ 櫛の歯 Ｗ 線幅 Ｄ 線幅
Claims (7)
- 【請求項１】第１層配線上に反射防止膜を形成する工程
と、前記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、前記
窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にコ
ンタクトホール形成のためのレジストマスクを形成する
工程と、前記酸化膜を前記窒化膜が露出するまでエッチ
ングする工程と、前記窒化膜をエッチングして前記コン
タクトホールを形成する工程と、前記レジストマスクを
アッシングで除去する工程と、前記コンタクトホールを
含む前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】第１層配線上に反射防止膜を形成する工程
と、前記反射防止膜上に窒化膜を形成する工程と、前記
窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にコ
ンタクトホール形成のためのレジストマスクを形成する
工程と、前記酸化膜と前記窒化膜を前記反射防止膜が露
出するまでエッチングする工程と、露出した前記反射防
止膜を第１層配線が露出するまでエッチングして前記コ
ンタクトホールを形成する工程と、前記レジストマスク
をアッシングで除去する工程と、前記コンタクトホール
を含む前記酸化膜上に第２層配線を形成する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】基板上に第１酸化膜が形成され、第１酸化
膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反射防
止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成さ
れ、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防止
膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチング
で除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第３
酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された第２酸化
膜および第３酸化膜を貫通するコンタクトホールが形成
され、該コンタクトホールで反射防止膜を介して第１層
配線と接続する第２層配線が形成され、第２層配線と接
続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅とすることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】基板上に第１酸化膜が形成され、第１酸化
膜上に第１層配線と反射防止膜とが積層され、該反射防
止膜上と露出した第１酸化膜上に第２酸化膜が形成さ
れ、第２酸化膜上にＳＯＧ膜が形成され、前記反射防止
膜上の第２酸化膜が露出するまでＳＯＧ膜をエッチング
で除去し、第２酸化膜上および前記反射防止膜上に第３
酸化膜が形成され、第１層配線上に形成された前記反射
防止膜、第２酸化膜および第３酸化膜とを貫通するコン
タクトホールが形成され、該コンタクトホールで第１層
配線と接続する第２層配線膜が形成され、第２層配線と
接続する箇所の第１層配線の幅を所定の幅とすることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】第２層配線と接続する箇所の第１層配線を
同一幅の櫛の歯とすることを特徴とする請求項３または
４記載の半導体装置。 - 【請求項６】第２層配線と接続する箇所の第１層配線の
幅が０．５μｍないし１０μｍであることを特徴とする
請求項３または４記載の半導体装置。 - 【請求項７】前記ＳＯＧ膜と第３酸化膜の代わりにオゾ
ンＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）
酸化膜を形成することを特徴とする請求項３または４記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35744697A JP3695106B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-191389 | 1997-07-16 | ||
| JP19138997 | 1997-07-16 | ||
| JP35744697A JP3695106B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187507A true JPH1187507A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3695106B2 JP3695106B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=26506669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35744697A Expired - Lifetime JP3695106B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-12-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3695106B2 (ja) |
Cited By (4)
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| KR100383756B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| KR100400035B1 (ko) * | 2001-02-21 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 균일한 접촉 저항을 갖는 콘택을 구비한 반도체 소자 및그의 제조방법 |
| KR100596900B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 비아콘택 형성방법 |
| JP2011044589A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH07161720A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08203891A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08293490A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置のヴィアホールの形成方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35744697A patent/JP3695106B2/ja not_active Expired - Lifetime
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