KR100826067B1

KR100826067B1 - 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법

Info

Publication number: KR100826067B1
Application number: KR1020067004701A
Authority: KR
Inventors: 다까시 후시에; 노리미찌 안나까; 다께시 가가쯔메
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2003-09-09
Filing date: 2004-09-02
Publication date: 2008-04-29
Also published as: CN100512603C; TW200514488A; US8002959B2; CN1849856B; TWI247567B; JP4134172B2; TWI255677B; CN1849857A; KR100826068B1; EP1667510B1; WO2005027606A1; US20060201201A1; EP1667510A1; CN1849856A; JPWO2005027606A1; EP1667509A4; EP1667510A4; WO2005027605A1; TW200517034A; JPWO2005027605A1

Abstract

양면 배선 글래스 기판의 내열성을 향상시킨다. 양면 배선 글래스 기판(1)의 표리면을 전기적으로 접속하기 위한 관통 구멍(3)에 금속 구리로 이루어지는 구리막층(5)을 충전한다. 구리막층(5)은, 우선 관통 구멍(3) 벽면에 무전해 도금 구리층(5a)을 형성한 후, 전해 도금 구리층(5b)을 형성함으로써 충전한다. 이에 의해, 양면 배선 글래스 기판(1)의 표리면이 확실하게 전기적으로 접속 가능해지는 동시에, 양면 배선 글래스 기판(1) 전체적으로 높은 내열성을 확보하는 것이 가능해진다.

양면 배선 글래스 기판, 관통 구멍, 구리막층, 전해 도금 구리층, 스패터 크롬층

Description

양면 배선 글래스 기판의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE-SIDED PRINTED GLASS BOARD}

본 발명은 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 표리면에 배선을 구비하여 각종 전자 부품이 실장되는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 센서나 스위치 등의 기능 소자를 IC의 제조 기술을 이용하여 칩 상에 구성한 MEMS(Micro Electro Mechanical System)의 개발이 급속히 진행되어, 전자 부품의 비약적인 소형화 및 고성능화가 실현되고 있다. 그에 수반하여, 종래의 각종 전자 부품을 비롯하여, MEMS를 이용한 전자 부품(이하「전자 부품 등」이라 함)을, 저비용으로 신뢰성 높게 고밀도 실장할 수 있는 배선 기판이 요망되고 있다.

종래, 배선 기판으로서는 그 코어 기판 재료에 세라믹 기판, 글래스 에폭시 기판, 글래스 기판 등을 이용한 것이 알려져 있다. 특히, 글래스 기판의 경우에는 포토리소그래피법을 이용하여 구멍이나 홈을 형성할 수 있는 감광성 글래스 기판이 많이 사용되고 있다. 감광성 글래스 기판을 이용한 배선 기판의 예로서는, 예를 들어 포토리소그래피법을 이용하여 감광성 글래스 기판에 형성한 관통 구멍이나 배선용 홈에 스크린 인쇄법에 의해 도체 페이스트를 충전하고, 이와 마찬가지로 형성 된 복수매의 기판을 적층, 소성하여 형성되는 다층 배선 기판이 있다(특허 문헌 1 참조). 감광성 글래스 기판을 이용한 다른 예로서는, 예를 들어 관통 구멍 내벽과 배선에 도금법을 이용하여 도체막을 형성하고, 도체막 형성 후의 관통 구멍 내부 및 배선간에 수지 절연 재료를 형성한 빌드업 다층 배선 기판도 있다(특허 문헌 2 참조).

이러한 전자 부품 등을 실장하는 배선 기판에는, 우선 첫 번째로 전자 부품 등과 배선 기판을 접합할 때에 통상 이용되는 무기계 접합 페이스트의 소성 온도가 400 ℃ 이상으로 매우 고온이 되는 경우가 있으므로, 높은 내열성을 갖고 있는 것이 요구된다. 또한 두 번째로, 소형의 전자 부품 등, 특히 MEMS를 이용한 매우 소형인 것을 다수 실장하기 위해서는, 배선이 고밀도로 형성되어 있는 것이 요구된다. 그리고 세 번째로, 실장 밀도 향상을 위해서는, 배선이 기판 표리면에 형성되어 있는 것이 요구된다.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 소63-128699호 공보(제4 페이지 제2란 제6행 내지 제19행)

특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 제2001-44639호 공보(단락 번호 [0030] 내지 [0084], 도1 내지 도6)

감광성 글래스 기판을 이용한 배선 기판에서는, 그 코어 기판에 내열성이 높은 글래스 기판을 이용하면, 배선 기판으로서의 내열성의 문제를 회피하는 것이 가능하지만, 관통 구멍에의 도체 페이스트의 충전이나 배선의 형성을 스크린 인쇄법에 의해 행하는 경우에는, 관통 구멍 내에 형성된 도체부에 보이드가 발생되거나, 미세한 배선을 고밀도로 형성할 수 없거나 하는 등의 문제가 생길 수 있다. 그로 인해, 내열성이 높은 글래스 기판을 이용하는 동시에, 관통 구멍 내의 도체부나 배선을 포토리소그래피법이나 도금법을 이용하여 형성하여, 내열성과 미세화, 고밀도화에 대응하는 경우가 많아지고 있다. 그러나, 예를 들어 도금법에 의해 관통 구멍 내벽에 얇게 도체막을 형성한 후, 다시 그 내부를 수지로 충전하는 경우, 가령 내열성이 높은 글래스 기판을 이용하고 있어도 배선 기판 전체적으로 내열성이 낮아지는 문제가 생긴다. 이들 문제는, 다층 배선 기판 외에 그 기본적 구조도 되는 단층의 배선 기판을 형성하는 면에서도 동일하도록 발생되어 있다.

본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, 높은 내열성을 갖고 미세한 배선이 표리면에 고밀도로 형성된 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에서는 상기 문제를 해결하기 위해, 글래스 기판의 표리면에 형성된 전기 배선과, 상기 글래스 기판의 표리면에 연통되는, 금속이 충전된 관통 구멍을 갖고, 상기 글래스 기판의 표리면에 형성된 각 상기 전기 배선이, 상기 관통 구멍에 충전된 금속을 거쳐서 전기적으로 도통된 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이며, 상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정과, 무전해 도금법에 의해, 상기 관통 구멍을 형성한 상기 글래스 기판의 표리면에 금속을 충전하는 동시에, 상기 관통 구멍의 중앙부에 상기 글래스 기판의 표리면에 연통하는 공극부를 잔존시키면서 상기 관통 구멍의 측벽부에 금속을 퇴적하는 공정과, 상기 글래스 기판의 한 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부를 절연성 부재로 폐색하는 공정과, 전해 도금법에 의해, 상기 글래스 기판의 다른 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부를 금속으로 폐색하는 공정과, 상기 절연성 부재의 제거 후, 전해 도금법에 의해, 폐색된 상기 다른 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부측으로부터 상기 한쪽의 면의 상기 공극부의 개구부측을 향하여 상기 공극부 내에 금속을 퇴적하여 상기 관통 구멍 전체에 금속을 충전하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 의해 상기 관통 구멍에 충전되는 금속이, 구리, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬, 알루미늄 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 의해 상기 글래스 기판에는 감광성 글래스 기판이 이용되고, 상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정이, 상기 글래스 기판에 포토마스크를 통해 상기 관통 구멍을 형성하는 부분에 잠상이 형성되도록 노광하는 공정과, 노광한 상기 부분을 열처리하여 결정화하는 공정과, 결정화한 상기 부분을 용해 제거하여 상기 관통 구멍을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 의해 무전해 도금법에 의해 퇴적하는 금속과, 전해 도금법에 의해 퇴적하는 금속은 상이한 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 글래스 기판의 표리면에 형성된 전기 배선과, 상기 글래스 기판의 표리면에 연통하는, 금속이 충전된 관통 구멍을 갖고, 상기 글래스 기판의 표리면에 형성된 각 상기 전기 배선이, 상기 관통 구멍에 충전된 금속을 개재하여 전기적으로 도통된 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이며, 상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정과, 상기 글래스 기판의 한 쪽의 면에 전극층을 형성하는 공정과, 전해 도금법에 의해, 상기 전극층이 형성된 상기 한 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부를 금속으로 폐색하는 공정과, 무전해 도금법에 의해, 상기 글래스 기판의 다른 쪽의 면에 금속을 퇴적하는 동시에, 상기 다른 쪽의 면에 개구부를 잔존시키면서 상기 관통 구멍의 측벽부에 금속을 퇴적하는 공정과, 전해 도금법에 의해, 폐색된 상기 한 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부측으로부터 상기 다른 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부측을 향하여 금속을 퇴적하여 상기 관통 구멍 전체에 금속을 충전하는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 상기 관통 구멍에 충전되는 금속이, 구리, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬, 알루미늄 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 상기 글래스 기판에는 감광성 글래스 기판이 이용되고, 상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정이, 상기 글래스 기판에 포토마스크를 통해 상기 관통 구멍을 형성하는 부분에 잠상이 형성되도록 노광하는 공정과, 노광한 상기 부분을 열처리하여 결정화하는 공정과, 결정화한 상기 부분을 용해 제거하여 상기 관통 구멍을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 무전해 도금법에 의해 퇴적되는 금속과 전해 도금법에 의해 퇴적되는 금속은 상이한 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법에 따르면, 관통 구멍에 금속을 충전하도록 하였으므로, 양면 배선 글래스 기판의 표리면을 확실하게 도통시키는 것이 가능해지는 동시에 그 내열성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 전자 부품 등의 접속 신뢰성이 높은 고밀도 실장을 가능하게 하는 양면 배선 글래스 기판을 실현할 수 있다.

삭제

본 발명의 상기 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점은 본 발명의 예로서 바람직한 실시 형태를 나타내는 첨부한 도면과 관련된 이하의 설명에 의해 명백해질 것이다.

도1은 제1 실시 형태의 양면 배선 글래스 기판의 일예의 단면도이다.

도2는 제1 실시 형태의 노광 공정의 단면도이다.

도3은 제1 실시 형태의 노광 결정화부 제거 공정의 단면도이다.

도4는 제1 실시 형태의 이온 블로킹층 형성 공정의 단면도이다.

도5는 제1 실시 형태의 예비 밀착력 강화층 형성 공정의 단면도이다.

도6은 제1 실시 형태의 무전해 도금 공정의 단면도이다.

도7은 제1 실시 형태의 개구부 폐색 공정의 단면도이다.

도8은 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제1 단면도이다.

도9는 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제2 단면도이다.

도10은 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제3 단면도이다.

도11은 제1 실시 형태의 금속층 제거 공정의 단면도이다.

도12는 제1 실시 형태의 밀착력 강화층 형성 공정의 단면도이다.

도13은 제1 실시 형태의 배선 형성 공정의 단면도이다.

도14는 제2 실시 형태의 전극층 형성 공정의 단면도이다.

도15는 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제1 단면도이다.

도16은 제2 실시 형태의 무전해 도금 공정의 단면도이다.

도17은 제2 실시 형태의 금속층 제거 공정의 제1 단면도이다.

도18은 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제2 단면도이다.

도19는 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제3 단면도이다.

도20은 제2 실시 형태의 금속층 제거 공정의 제2 단면도이다.

[부호의 설명]

1 : 양면 배선 글래스 기판

2 : 감광성 글래스 기판

3 : 관통 구멍

3a : 노광 결정화부

4 : 이온 블로킹층

4a : 스패터 질화 실리콘층

4b : 스패터 산화 실리콘층

5, 6 : 구리막층

5a : 무전해 도금 구리층

5b : 전해 도금 구리층

7 : 밀착력 강화층

7a, 17a, 27a : 스패터 크롬층

7b, 17b, 27b : 스패터 크롬 구리층

7c, 17c, 27c : 스패터 구리층

10 : 점착 테이프

17 : 예비 밀착력 강화층

21 : 결정화 글래스 기판

27 : 전극층

이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

우선, 제1 실시 형태에 대해 설명한다.

양면 배선 글래스 기판(1)에는, 그 코어 기판으로서 감광성 글래스 기판(2)이 이용되고 있다. 이 감광성 글래스 기판(2)에는, 이를 관통하는 관통 구멍(3) 및 그 표리면에 감광성 글래스 기판(2)에 포함되는 알칼리 금속 이온의 누설을 억 제하기 위한 이온 블로킹층(4)이 설치되어 있다. 관통 구멍(3)에는 금속 구리(Cu)로 이루어지는 구리막층(5)이 충전되어 있고, 이 구리막층(5)은 이온 블로킹층(4)도 관통하고 있다. 이온 블로킹층(4) 상 및 구리막층(5) 상에는 배선이 되는 구리막층(6)이 밀착력 강화층(7)을 거쳐서 소정의 배선 패턴으로 형성되어 있고, 구리막층(5)과 그 위에 형성된 일부의 밀착력 강화층(7) 및 구리막층(6)에 의해 양면 배선 글래스 기판(1)의 표면측과 이면측이 전기적으로 접속된 상태로 되어 있다.

여기서, 감광성 글래스 기판(2)은 그 평활성, 경질성, 절연성, 가공성 등의 면에서 배선 기판의 코어 기판 재료로서 우수하다. 또한, 이러한 성질은 소다라임 글래스 등의 화학 강화 글래스, 결정화 글래스, 무알칼리 글래스, 알루미노 실리케이트 글래스 등에서도 마찬가지이며, 이들을 양면 배선 글래스 기판(1)의 코어 기판에 이용하는 것도 가능하다.

이온 블로킹층(4)은 스패터법에 의해 형성된 질화 실리콘(Si₃N₄)층(이하,「스패터 질화 실리콘층」이라 함)(4a) 및 스패터법에 의해 형성된 산화 실리콘(SiO₂)층(이하「스패터 산화 실리콘층」이라 함)(4b)으로 구성되어 있다. 여기서는, 이온 블로킹층(4)은 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 형성된 스패터 질화 실리콘층(4a) 상에 스패터 산화 실리콘층(4b)이 적층된 2층 구조로 되어 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 본 발명에 있어서 이온 블로킹층(4)은 반드시 필수적인 구성 요건은 아니다.

밀착력 강화층(7)은 스패터법에 의해 형성된 크롬(Cr)층(이하「스패터 크롬 층」이라 함)(7a), 스패터법에 의해 형성된 크롬과 구리의 혼합층(이하「스패터 크롬 구리층」이라 함)(7b) 및 스패터법에 의해 형성된 구리층(이하「스패터 구리층」이라 함)(7c)으로 구성되어 있다. 여기서는, 밀착력 강화층(7)은 스패터 산화 실리콘층(4b) 상에 스패터 크롬층(7a), 스패터 크롬 구리층(7b), 스패터 구리층(7c)이 차례로 적층된 3층 구조로 되어 있다.

배선이 되는 구리막층(6)은 스패터 구리층(7c) 상에 형성되고, 그 일부는 밀착력 강화층(7)을 거쳐서 관통 구멍(3)에 충전된 구리막층(5)에 접속되어 있다.

다음에, 상기 양면 배선 글래스 기판(1)의 보다 상세한 구성과 그 제조 방법에 대해 설명한다.

양면 배선 글래스 기판(1)의 제조 공정은, 크게 나누어 관통 구멍 형성 공정, 이온 블로킹층 형성 공정, 관통 구멍 충전 공정, 밀착력 강화층 형성 공정, 배선 형성 공정으로 구성되어 있다.

우선, 관통 구멍 형성 공정에 대해 설명한다. 도2 및 도3은 관통 구멍 형성 공정의 설명도이며, 도2는 제1 실시 형태의 노광 공정의 단면도, 도3은 제1 실시 형태의 노광 결정화부 제거 공정의 단면도이다.

관통 구멍 형성 공정에서는, 우선 감광성 글래스 기판(2)의 표리 한 쪽면측에 관통 구멍(3)을 형성하는 부분(이하「관통 구멍 형성 부분」이라 함)에 대응하는 영역에만 개구부를 갖는 포토마스크(도시하지 않음)를 밀착 배치하고, 이 상태에서 감광성 글래스 기판(2)에 대해 자외선을 조사한다.

감광성 글래스 기판(2)은, 감광성을 나타내는 것이면 특별히 제한은 없다. 감광성 글래스 기판(2)은, 그 감광성 성분으로서 금(Au), 은(Ag), 아산화구리(Cu₂O) 또는 산화 세륨(CeO₂) 중 적어도 1 종류를 포함하고 있는 것이 바람직하고, 2 종류 이상 포함하고 있는 것이 보다 바람직하다. 이러한 감광성 글래스 기판(2)으로서는, 예를 들어 중량 ％로 SiO₂ : 55 ％ 내지 85 ％, 산화 알루미늄(Al₂O₃) : 2 ％ 내지 20 ％, 산화 리튬(Li₂O) : 5 ％ 내지 15 ％, SiO₂ + Al₂O₃ + Li₂O > 85 ％를 기본 성분으로 하고, Au : 0.001 ％ 내지 0.05 ％, Ag : 0.001 ％ 내지 0.5 ％, Cu₂O : 0.001 ％ 내지 1 ％를 감광성 금속 성분으로 하고, 또한 CeO₂ : 0.001 ％ 내지 0.2 ％를 광증감제로서 함유하는 것을 이용할 수 있다.

또한, 포토마스크는 감광성 글래스 기판(2)에 밀착하여 관통 구멍 형성 부분을 선택적으로 노광할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 이러한 포토마스크로서, 예를 들어 투명한 박판 글래스에 크롬막 등의 실질적으로 자외선 등의 노광광을 통과시키지 않는 막으로 차광 패턴을 형성한 것을 이용할 수 있다.

이와 같이 하여 관통 구멍 형성 부분에 포토마스크를 통해 자외선을 조사한 후, 이 감광성 글래스 기판(2)을 열처리한다. 열처리는, 이용하는 감광성 글래스 기판(2)의 전이점과 굴복점 사이의 온도로 하는 것이 바람직하다. 전이점을 하회하는 온도에서는 열처리 효과가 충분히 얻어지지 않고, 굴복점을 상회하는 온도에서는 감광성 글래스 기판(2)의 수축이 일어나 노광 치수 정밀도가 저하될 우려가 있기 때문이다. 열처리 시간으로서는 30분 내지 5시간 정도로 하는 것이 바람직하 다.

이러한 자외선 조사와 열처리에 의해, 자외선이 조사된 관통 구멍 형성 부분은 결정화되고, 도2에 도시한 바와 같이 감광성 글래스 기판(2)의 관통 구멍 형성 부분에 노광 결정화부(3a)가 형성된다. 그 후, 이 노광 결정화부(3a)가 형성된 감광성 글래스 기판(2)에, 소정 농도의 희불화 수소산 등의 에칭액을 스프레이 등 하면 노광 결정화부(3a)는 선택적으로 용해 제거되고, 도3에 도시한 바와 같이 감광성 글래스 기판(2)에 관통 구멍(3)이 형성된다.

이러한 포토리소그래피법을 이용한 관통 구멍(3)의 형성 방법에 따르면, 감광성 글래스 기판(2)에 종횡비 10 정도의 관통 구멍(3)을 원하는 수만큼 동시에 형성할 수 있다. 예를 들어, 두께 0.3 mm 내지 1.5 mm 정도의 감광성 글래스 기판(2)을 이용한 경우에는, 30 ㎛ 내지 150 ㎛ 정도의 관통 구멍(3)을 원하는 위치에 복수 동시에 형성할 수 있다. 이에 의해, 배선 패턴의 미세화 및 관통 구멍 형성 공정의 효율화를 도모하는 것이 가능해진다. 또한, 배선의 고밀도화를 위해 랜드 폭을 매우 작게 하거나, 혹은 랜드 폭을 제로로 한 랜드리스 구조로 하는 경우에는, 관통 구멍(3) 사이의 공간을 충분히 넒게 확보할 수 있다. 그로 인해, 관통 구멍(3) 사이에도 배선을 형성하는 것이 가능해져, 배선 패턴의 설계 자유도의 확대나 배선 밀도의 향상을 도모하는 것도 가능해진다. 또한, 복수의 관통 구멍(3)을 좁은 피치로 형성함으로써 배선 밀도의 향상을 도모하는 것도 가능해진다.

또한, 감광성 글래스 기판(2)과 같은 감광성을 갖고 있지 않은 다른 글래스 기판을 이용하는 경우에는, 예를 들어 레이저 조사에 의해 관통 구멍을 형성할 수 있다.

다음에, 이온 블로킹층 형성 공정에 대해 설명한다. 도4는 제1 실시 형태의 이온 블로킹층 형성 공정의 단면도이다.

통상, 감광성 글래스 기판(2)에는 리튬이온(Li⁺), 칼륨이온(K⁺) 등의 알칼리 금속 이온이 포함되어 있다. 이들 알칼리 금속 이온이 양면 배선 글래스 기판(1)의 배선 금속에 누설되고 다시 이것에 물이 흡착되면, 전압이 인가되어 있는 회로 사이에 있어서 배선 금속이 이온화하고, 이것이 두 번째 전하를 받아 환원되어 석출되는 이온 마이그레이션이 발생된다. 이 이온 마이그레이션에 의해, 최악의 경우에는 석출된 금속에 의해 한쪽 회로로부터 다른 쪽 회로를 향하는 배선이 형성되어 회로 사이가 단락된다. 이러한 단락 불량은, 배선 간격이 작은 경우에 현저해지고, 미세한 배선을 고밀도로 형성하기 위해서는 이온 마이그레이션을 억지할 필요가 있다. 그로 인해, 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 이온 블로킹층(4)을 형성하여, 감광성 글래스 기판(2)으로부터 구리막층(6)이나 밀착력 강화층(7)에의 알칼리 금속 이온의 누설을 억제한다. 또한, 이온 블로킹층(4)을 형성함으로써, 감광성 글래스 기판(2)의 막 두께가 얇아도 표리면 사이에서 충분한 절연 저항을 확보하는 것이 가능해진다.

이온 블로킹층(4)을 형성하는 경우에는, 우선 감광성 글래스 기판(2)의 표리면 영역에 함유되어 있는 알칼리 금속 이온을 제거하는 탈알칼리 처리를 실시한다. 이 탈알칼리 처리에서는, 감광성 글래스 기판(2)을 예를 들어 황산 수용액 등의 전 해액 중에 침지하고, 감광성 글래스 기판(2)에 전압을 인가하여 그 표리면 영역에 함유되어 있는 알칼리 금속 이온을 전해액 중에 용출시킨다.

이러한 탈알칼리 처리의 종료 후, 도4에 도시한 바와 같이 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 이온 블로킹층(4)을 형성한다. 이 이온 블로킹층(4)에는, 유기계 재료 및 무기계 재료 모두 이용하는 것이 가능하며, 절연성을 갖고, 감광성 글래스 기판(2)과의 팽창 계수차가 작아 내열성, 내습성, 유전율이나 유전정접 등의 전기적 특성이 우수한 것이 바람직하다. 이러한 요건을 만족하는 재료로서는 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 등이 있으며, 핀 홀 등의 결함이 형성되기 어렵고 절연 내압이 높은 점에서 산화 실리콘, 질화 실리콘이 보다 바람직하다. 성막 방법은 스패터법, 진공 증착법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등 특별히 한정되지 않지만, 양호한 밀착성을 얻을 수 있는 점에서 스패터법을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 여기서는, 도4에 도시한 바와 같이 우선 탈알칼리 처리 후의 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 각각 막 두께 0.05 ㎛ 정도의 스패터 질화 실리콘층(4a)을 형성하고, 이 위에 막 두께 0.05 ㎛ 정도의 스패터 산화 실리콘층(4b)을 형성하여 이온 블로킹층(4)을 구성하고 있다.

또한, 여기서는 탈알칼리 처리 후에 이온 블로킹층(4)을 형성하도록 하였지만, 탈알칼리 처리를 행하지 않고 이온 블로킹층(4)을 형성하도록 해도 좋다. 또한, 여기서는 이온 블로킹층(4)을 2층 구조로 하였지만, 이용하는 재질에 따라서 단층 혹은 3층 이상의 구조로 할 수도 있다. 또한, 이온 블로킹층(4)의 형성은 양면 배선 글래스 기판(1)의 사용 환경 혹은 요구 특성 등에 따라서 감광성 글래스 기판(2)의 탈알칼리 처리만 행하고, 생략하는 것도 가능하다.

또한, 이온 블로킹층(4)은 필요 불가결한 것은 아니며, 감광성 글래스 기판(2)에, 다음에 나타내는 바와 같은 결정화 처리를 실시함으로써 불필요해진다. 즉, 결정화 처리에서는, 관통 구멍(3)이 형성된 감광성 글래스 기판(2) 전체에 자외선을 조사하고, 그 후 열처리를 행한다. 이에 의해, 감광성 글래스 기판(2) 전체가 결정화된다. 이 경우, 열처리 온도는 감광성 글래스 기판(2)의 결정화 온도 이상이며, 연화점 이하로 설정하는 것이 바람직하고, 예를 들어 850 ℃, 2시간의 열처리 조건이 바람직하다. 이와 같이 감광성 글래스 기판(2) 전체를 결정화함으로써, 결정화 전에 비해 감광성 글래스 기판(2)에 포함되는 알칼리 금속 이온을 이동하기 어려운 상태로 할 수 있다. 그로 인해, 이온 마이그레이션을 억지할 수 있게 되어 이온 블로킹층(4)의 형성은 불필요해진다. 이하, 관통 구멍(3)의 형성 후에 행하는 감광성 글래스 기판(2) 전체의 결정화 처리 공정을「글래스 기판 개질 공정」이라 한다.

다음에, 관통 구멍 충전 공정에 대해 설명한다. 도5 내지 도11은 관통 구멍 충전 공정의 설명도이며, 도5는 제1 실시 형태의 예비 밀착력 강화층 형성 공정의 단면도, 도6은 제1 실시 형태의 무전해 도금 공정의 단면도, 도7은 제1 실시 형태의 개구부 폐색 공정의 단면도, 도8은 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제1 단면도, 도9는 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제2 단면도, 도10은 제1 실시 형태의 전해 도금 공정의 제3 단면도, 도11은 제1 실시 형태의 금속층 제거 공정의 단면도이다.

관통 구멍 충전 공정에서는, 우선 도5에 도시한 바와 같이 이온 블로킹층(4) 상에 예비 밀착력 강화층(17)을 형성한다. 이 예비 밀착력 강화층(17)은, 관통 구멍(3)에 금속을 충전하기 위해 행하는 후술하는 도금법을 이용한 관통 구멍(3)에의 도금 금속층의 형성시에, 관통 구멍(3)과 동시에 기판 표리면에 형성된 도금 금속층이 박리하는 것을 억지하기 위해 형성된다. 기판 표리면에 형성된 도금 금속층은 이 관통 구멍 충전 공정 중에서 모두 제거되는데, 그 제거 전에 기판 표리면으로부터의 박리가 일어나면, 그 때에 관통 구멍(3)에 형성되어 있는 도금 금속층도 함께 박리되어 도통 불량을 야기할 가능성이 높아지기 때문이다. 관통 구멍(3) 및 기판 표리면에 동시에 형성되는 도금 금속층, 즉 관통 구멍(3)에 충전하는 금속과 이온 블로킹층(4)과의 밀착성이 그다지 좋지 않은 경우에, 이온 블로킹층(4) 상에 예비 밀착력 강화층(17)을 형성하여 도금 금속층의 밀착 강도를 높이고, 그 박리를 억지한다.

예비 밀착력 강화층(17)은, 관통 구멍(3)에 충전하는 금속과 이온 블로킹층(4)의 양방의 밀착성이 양호한 층을 스패터법, 진공 증착법, CVD법 등으로 이온 브로킹층(4) 상에 형성한다. 예를 들어, 예비 밀착력 강화층(17)은 이온 블로킹층(4)과의 밀착성이 양호한 재료로 이루어지는 제1층, 관통 구멍(3)에 충전하는 금속과의 밀착성이 양호한 재료로 이루어지는 제3층 및 제1층의 재료와 제3층의 재료를 모두 포함한 제2층을, 이온 블로킹층(4) 상에 제1층, 제2층, 제3층의 순으로 적층한 3층 구조로 할 수 있다. 제1층과 제3층과의 밀착성을 충분히 얻을 수 있는 경우에는, 제2층을 생략한 2층 구조로 하는 것도 가능하다. 관통 구멍(3)에 충전하 는 금속과 이온 블로킹층(4)의 재질에 따라서는 양방의 밀착성이 좋은 재료를 단층으로 형성한 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, 이온 블로킹층(4)을 형성하지 않는 경우에는, 관통 구멍(3)에 충전하는 금속과 감광성 글래스 기판(2)의 양방의 밀착성이 양호한 층을 예비 밀착력 강화층(17)으로서 형성한다. 이 경우에도, 예비 밀착력 강화층(17)은 단층, 2층 또는 3층 구조로 할 수 있다.

제1 실시 형태에서는, 관통 구멍(3)에 충전하는 금속으로서 구리를 이용하고 있고, 이 경우 예비 밀착력 강화층(17)에는 크롬, 탄탈, 티타늄 등의 금속 재료를 이용할 수 있다. 예비 밀착력 강화층(17)은, 여기서는 크롬을 이용하여 스패터 산화 실리콘층(4b)과의 밀착성이 좋은 스패터 크롬층(17a), 구리와의 밀착성이 좋은 스패터 구리층(17c) 및 그들 사이에 개재시킨 스패터 크롬 구리층(17b)의 3층 구조로 되어 있다. 예비 밀착력 강화층(17)은, 이온 블로킹층(4)을 형성하지 않는 경우, 즉 감광성 글래스 기판(2) 상에 형성하는 경우에도 동일한 구성으로 할 수 있다. 예비 밀착력 강화층(17)을 구성하는 각 금속층의 두께에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 이와 같이 크롬을 이용하는 경우, 스패터 크롬층(17a)의 두께는 0.04 ㎛ 내지 0.1 ㎛ 정도, 중간층인 스패터 크롬 구리층(17b)의 두께는 0.04 ㎛ 내지 0.1 ㎛ 정도이면 충분하다. 또한, 스패터 구리층(17c)의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1.5 ㎛ 정도이면 충분하다.

이와 같이 하여 이온 블로킹층(4) 상에 예비 밀착력 강화층(17)을 형성한 후에, 관통 구멍(3)에 구리를 충전해 간다. 전술한 바와 같이, 관통 구멍(3)에의 구리의 충전에는 도금법을 이용하지만, 본 제1 실시 형태에서는 무전해 도금법과 전 해 도금법을 병용한다. 무전해 도금은, 주로 감광성 글래스 기판(2)의 관통 구멍(3) 벽면을 도전화할 목적으로 이용하고, 전해 도금은 석출 속도의 빠르기 및 피막 내열성의 양호함으로부터 주로 무전해 도금에 의해 관통 구멍(3) 벽면을 도전화한 후에 관통 구멍(3) 내부에 구리를 효율적으로 석출시켜 충전할 목적으로 이용한다.

우선, 도6에 도시한 바와 같이 무전해 도금법에 의해 관통 구멍(3) 벽면에 두께 1 ㎛ 이하의 얇은 구리의 무전해 도금층(이하「무전해 도금 구리층」이라 함)(5a)을 형성한다. 그 때에는, 전술한 바와 같이 관통 구멍(3) 벽면과 함께 기판 표리면에 형성되어 있는 예비 밀착력 강화층(17) 상에도 무전해 도금 구리층(5a)이 형성된다. 이 예비 밀착력 강화층(17)에 의해 기판 표리면으로부터의 무전해 도금 구리층(5a)의 박리가 억지되어 있다.

계속해서, 도7에 도시한 바와 같이 기판 표리면 중 어느 한쪽면측의 관통 구멍(3)의 개구부를 폐색하도록 절연성 점착 테이프(10)를 부착한다. 이하에서는 이 점착 테이프(10)가 부착된 면을 기판 표면으로 하고, 그 반대측의 면을 기판 이면으로 한다. 이 점착 테이프(10)에 의해, 다음 전해 도금 공정에서 구리가 기판 표면에 부착되는 것이 방지된다. 또한, 여기서는 관통 구멍(3)의 개구부를 점착 테이프(10)로 폐색하도록 하였지만, 그 밖의 부재를 이용하여 관통 구멍(3)의 개구부를 폐색하도록 해도 상관없다.

관통 구멍(3)의 기판 표면측의 개구부를 점착 테이프(10)로 폐색한 후에는, 도8에 도시한 바와 같이 전해 도금법에 의해 구리의 전해 도금층(이하「전해 도금 구리층」이라 함)(5b)을 형성하고, 이 전해 도금 구리층(5b)에 의해 관통 구멍(3) 의 기판 이면측의 개구부를 폐색한다. 여기서의 전해 도금은, 예를 들어 도금액인 황산구리 수용액이 들어간 도금욕 중에서 구리판을 양극으로, 기판을 음극으로 하여, 기판 이면측을 구리판에 대향시킨 상태에서 통전하여 행하도록 하는 것이 바람직하다. 이 전해 도금 구리층(5b)의 형성은, 관통 구멍(3)의 직경에도 의존하지만 1 A/dm² 내지 5 A/dm² 정도의 통상보다도 비교적 높은 전류 밀도의 조건하에서 행하도록 한다. 또한, 이 전류 밀도는 도금액 농도에도 의존하므로, 그 값을 적당하게 설정하도록 한다. 일반적으로는, 도금액 농도가 높은 경우에는 낮은 경우에 비해 보다 높은 전류 밀도로 설정할 수 있다. 이러한 전류 밀도 조건하에서 전해 도금을 행함으로써, 관통 구멍(3)의 개구부를 전해 도금 구리층(5b)에 의해 폐색할 수 있다. 이하, 본 도금 과정을「개구부 폐색 도금」이라 한다.

기판 이면측의 개구부를 전해 도금 구리층(5b)으로 폐색한 후에는 점착 테이프(10)를 박리하고, 기판 표면측에 형성되어 있는 무전해 도금 구리층(5a) 및 예비 밀착력 강화층(17)을 제거하여 이온 블로킹층(4)을 노출시킨다. 이들 각 금속층의 제거 방법으로서는, 랩법, 에칭법, 랩법과 에칭법을 병용하는 방법 등이 있다. 그 후, 도9 및 도10에 도시한 바와 같이 전해 도금법에 의해 또한 전해 도금 구리층(5b)을 형성해 가, 관통 구멍(3) 내부에 전해 도금 구리층(5b)을 충전한다. 그 때, 전해 도금은 상기한 전해 도금일 때와 마찬가지로, 예를 들어 황산구리 수용액 중에서 구리판을 양극으로, 기판을 음극으로 하여 통전함으로써 행한다. 단, 여기서는 기판 표면측, 즉 점착 테이프(10)를 박리한 후의 관통 구멍(3)이 폐색되어 있 지 않은 개구부측을 구리판에 대향시킨 상태에서 전해 도금을 행하도록 하는 것이 바람직하다. 여기서의 전해 도금 구리층(5b)의 형성은, 관통 구멍(3)의 직경이나 도금액 농도에 따라서 0.2 A/dm² 내지 0.8 A/dm² 정도의 비교적 낮은 전류 밀도의 조건하에서 행하도록 한다. 이러한 전류 밀도 조건하에서 전해 도금을 행함으로써, 전해 도금 구리층(5b)은 먼저 관통 구멍(3) 내부에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b) 상으로 순차 형성되어 가, 관통 구멍(3)이 모두 금속 구리에 의해 충전되기 전에 그 개구부가 폐색되는 사태를 회피할 수 있게 된다. 또한, 이온 블로킹층(4)은 절연성이므로, 이온 블로킹층(4) 상에 전해 도금 구리층(5b)이 형성되는 일은 없다. 이와 같이, 다른 전류 밀도로 전해 도금을 행함으로써 관통 구멍(3)을 폐색된 개구부측으로부터 금속 구리에 의해 충전하는 것이 가능해진다. 이하, 본 도금 과정을「필링 도금」이라 한다. 또한, 전해 도금 구리층(5b)은 기판 표면측으로도 돌출하여 형성되는 경우가 있지만, 도10에는 그러한 돌출 부분을 랩법 등으로 제거한 후의 상태를 도시하고 있다.

관통 구멍(3)에의 전해 도금 구리층(5b)의 충전 후, 기판 이면에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b), 무전해 도금 구리층(5a) 및 예비 밀착력 강화층(17)을 제거하여, 도11에 도시한 바와 같이 이온 블로킹층(4)을 노출시킨다. 이들 각 금속층의 제거 방법으로서는, 랩법, 에칭법, 랩법과 에칭법을 병용하는 방법 등이 있다. 이에 의해, 도11에 도시한 바와 같이 관통 구멍(3)에는 무전해 도금 구리층(5a) 및 전해 도금 구리층(5b)이 남아, 관통 구멍(3)에 금속 구리로 이루어지는 구 리막층(5)이 충전된다. 또한, 무전해 도금 구리층(5a)의 형성 후에 전해 도금 구리층(5b)을 형성하여 관통 구멍(3)을 금속 구리로 충전하므로 관통 구멍(3)을 효율적으로 간극없이 충전할 수 있다.

또한, 전술한 글래스 기판 개질 공정을 거친 경우에는 이온 블로킹층(4)이 불필요해지므로, 도11에 있어서는 예비 밀착력 강화층(17)을 제거하였을 때에 이온 블로킹층(4)이 없는 상태, 즉 감광성 글래스 기판(2)을 결정화한 후의 기판이 노출되는 상태가 된다.

다음에, 밀착력 강화층 형성 공정에 대해 설명한다. 도12는 제1 실시 형태의 밀착력 강화층 형성 공정의 단면도이다.

밀착력 강화층 형성 공정에서는, 도12에 도시한 바와 같이 관통 구멍(3)에의 구리막층(5)의 충전 후, 노출된 이온 블로킹층(4) 상에 밀착력 강화층(7)을 형성한다. 이 밀착력 강화층(7)은, 이온 블로킹층(4)과 이후에 배선으로서 형성되는 구리막층(6)과의 밀착력을 확보하기 위한 것이며, 그 재질, 층 구조 및 형성 방법 등은 상기 예비 밀착력 강화층(17)의 경우와 동일하다. 또한, 이온 블로킹층(4)을 형성하지 않는 경우도 마찬가지이다.

그러나, 이 밀착력 강화층(7)은 그 막 두께에 대해서는 다음과 같은 차이점이 있다. 즉, 밀착력 강화층(7)을 구성하는 각 금속층의 두께는, 후술하는 에칭에 의한 배선 패턴 형성시의 사이드 에칭량을 고려하여 가능한 한 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 밀착력 강화층(7)을 구성하는 각 금속층의 두께가 지나치게 얇으면 배선 형성시에 행해지는 처리에 의해 배선 형성 전에 밀착력 강화층(7)이 제거되므로 주의가 필요하다. 예를 들어 밀착력 강화층(7)에 크롬을 이용하는 경우, 스패터 크롬층(7a)의 두께는 0.04 ㎛ 내지 0.1 ㎛ 정도가 바람직하다. 또한, 중간층인 스패터 크롬 구리층(7b)의 두께는 0.04 ㎛ 내지 0.1 ㎛ 정도가 바람직하다. 스패터 구리층(7c)의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1.5 ㎛ 정도가 바람직하다. 이에 의해, 합계 2 ㎛ 이하의 매우 얇은 밀착력 강화층(7)이 형성된다.

다음에, 배선 형성 공정에 대해 설명한다. 도13은 제1 실시 형태의 배선 형성 공정의 단면도이다.

이 배선 형성 공정에서는, 우선 도13에 도시한 바와 같이 밀착력 강화층(7) 상에 전해 도금법을 이용하여 구리막층(6)을 형성한다. 구리막층(6)의 두께는, 밀착력 강화층(7)과 마찬가지로 사이드 에칭량을 고려하여 가능한 한 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 이 구리막층(6)이 지나치게 얇으면 사용 환경에 의해 양면 배선 글래스 기판(1)의 온도 변화가 반복된 경우에, 구리막층(6)의 열팽창 계수와 감광성 글래스 기판(2)의 열팽창 계수의 차이에 의해 구리막층(6)에 금속 피로가 생긴다. 그로 인해, 이러한 금속 피로에 대한 구리막층(6)의 접속 신뢰성을 확보하기 위해, 구리막층(6)은 어느 정도의 두께로 해 둘 필요가 있다. 구리막층(6)의 두께는, 1 ㎛ 내지 20 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하고, 또한 4 ㎛ 내지 7 ㎛ 정도로 하는 것이 보다 바람직하다. 구리막층(6)의 두께가 1 ㎛를 하회하는 경우에는 상기 금속 피로에 의해 구리막층(6)의 단선이 발생될 위험성이 높아지고, 구리막층(6)의 두께가 20 ㎛를 상회하는 경우에는 배선 패턴의 미세화가 어려워진다.

구리막층(6)의 형성 후에는, 포토리소그래피법과 에칭에 의해 배선 패턴을 형성한다. 우선, 포토리소그래피법에 의해 양면 배선 글래스 기판(1)의 배선 패턴에 따른 레지스트 패턴을 형성한다. 계속해서, 레지스트로 피복되어 있지 않은 영역의 구리막층(6), 스패터 구리층(7c), 스패터 크롬 구리층(7b), 스패터 크롬층(7a)을 에칭에 의해 제거하여 배선 패턴을 형성한다. 이에 의해, 도1에 도시한 구성의 양면 배선 글래스 기판(1)을 얻는다. 여기서 이용하는 레지스트 패턴은, 액상 레지스트라도 좋고, 드라이 필름 레지스트라도 좋고, 전착 레지스트라도 좋다. 또한, 레지스트 타입으로서는, 포지티브형, 네거티브형 어느 것이라도 상관없지만, 일반적으로는 포지티브형 레지스트 쪽이 해상성이 높기 때문에, 미세한 배선 패턴의 형성에는 보다 적합하다.

다음에 제2 실시 형태에 대해 설명한다.

제2 실시 형태의 양면 배선 글래스 기판의 구성은, 상기 제1 실시 형태의 양면 배선 글래스 기판(1)과 동일하다. 그러나, 그 제조 방법에 있어서 많은 점에서 상이하다.

제2 실시 형태의 양면 배선 글래스 기판의 제조 공정은, 크게 나누어 관통 구멍 형성 공정, 글래스 기판 개질 공정, 관통 구멍 충전 공정, 밀착력 강화층 형성 공정, 배선 형성 공정으로 구성되어 있다. 이들 공정 중, 관통 구멍 형성 공정, 글래스 기판 개질 공정, 밀착력 강화층 형성 공정 및 배선 형성 공정은 제1 실시 형태와 동일하므로, 이하 관통 구멍 충전 공정에 대해 도14 내지 도20을 이용하여 설명한다.

도14는 제2 실시 형태의 전극층 형성 공정의 단면도, 도15는 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제1 단면도, 도16은 제2 실시 형태의 무전해 도금 공정의 단면도, 도17은 제2 실시 형태의 금속층 제거 공정의 제1 단면도, 도18은 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제2 단면도, 도19는 제2 실시 형태의 전해 도금 공정의 제3 단면도, 도20은 제2 실시 형태의 금속층 제거 공정의 제2 단면도이다.

글래스 기판 개질 공정을 거친 후, 도14에 도시한 바와 같이 우선 전극층(27)을 결정화 글래스 기판(21)의 한쪽면에 형성한다. 또한, 여기서는 이 전극층(27)이 형성된 면을 기판 이면으로 하고, 그 반대측의 면을 기판 표면으로 한다. 전극층(27)의 재료 선정 및 형성 방법은 제1 실시 형태에 있어서의 예비 밀착력 강화층(17)과 동일하다. 예비 밀착력 강화층(17)은, 무전해 도금 구리층(5a)과 이온 블로킹층(4), 혹은 감광성 글래스 기판(2)이나 결정화 후의 기판과의 밀착력 강화를 목적으로 하여 형성되는 것이지만, 전극층(27)은 전해 도금 구리층(5b)을 형성할 때의 전극으로서 작용하는 것이다.

전극층(27)은, 예를 들어 도14에 도시한 바와 같이 스패터 크롬층(27a), 스패터 크롬 구리층(27b) 및 스패터 구리층(27c)의 3층 구조로 할 수 있다. 이 경우, 스패터 크롬층(27a)의 두께는 0.04 내지 0.1 ㎛ 정도, 중간층인 스패터 크롬 구리층(27b)의 두께는 0.04 내지 0.1 ㎛ 정도, 스패터 구리층(27c)의 두께는 0.5 내지 1.5 ㎛ 정도이면 충분하다.

전극층(27)의 형성 후, 도15에 도시한 바와 같이 결정화 글래스 기판(21)의 이면측에 있는 관통 구멍(3)의 개구부를, 개구부 폐색 도금에 의해 전해 도금 구리 층(5b)으로 폐색한다. 이 전해 도금 구리층(5b)을 형성할 때의 전류 밀도 조건은, 제1 실시 형태의 개구부 폐색 도금 조건과 마찬가지로 1 A/dm² 내지 5 A/dm² 정도의 전류 밀도의 조건하에서 행하도록 한다. 또한 전해 도금시에는, 도금욕 중에서 기판 이면측을 양극에 대향시킨 상태로 통전한다.

개구부 폐색 도금 후, 무전해 도금법으로 무전해 도금 구리층(5a)을 형성한다. 도16에 도시한 바와 같이, 무전해 도금 구리층(5a)은 관통 구멍(3)의 측벽부 뿐만 아니라, 결정화 글래스 기판(21)의 표면에도 퇴적된다.

무전해 도금 구리층(5a)을 형성한 후, 도17에 도시한 바와 같이 결정화 글래스 기판(21)의 표면측에 퇴적된 무전해 도금 구리층(5a)을 랩법 등에 의해 제거한다. 계속해서 행해지는 필링 도금시에, 결정화 글래스 기판(21)의 표면측에 전해 도금 구리층(5b)이 퇴적되는 것을 방지하기 위함이다.

계속해서, 도18 및 도19에 도시한 바와 같이 필링 도금에 의해 또한 전해 도금 구리층(5b)을 형성하고, 먼저 관통 구멍(3) 내부에 형성되어 있는 무전해 도금 구리층(5a)이나 전해 도금 구리층(5b)과 함께 관통 구멍(3)을 충전한다. 이 때의 전류 밀도 조건은 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로 0.2 A/dm² 내지 0.8 A/dm² 정도의 비교적 낮은 전류 밀도의 조건하에서 행하도록 한다. 또한, 이 전해 도금시에는 도금욕 중에서 기판 표면측을 양극에 대향시킨 상태로 통전한다. 필링 도금이 종료한 단계에서, 도19에 도시한 바와 같이 전해 도금 구리층(5b)은 기판 표면측으로도 돌출하여 형성되는 경우가 있지만, 이러한 돌출 부분은 랩법을 이용하여 제거한다.

계속해서, 염화제2철을 주성분으로 하는 약품을 이용하여, 기판 이면에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b), 스패터 구리층(27c) 및 스패터 크롬 구리층(27b)의 구리를 에칭에 의해 제거한 후, 페리시안화칼륨을 주성분으로 하는 약품을 이용하여 스패터 크롬 구리층(27b) 및 스패터 크롬층(27a)의 크롬을 에칭에 의해 제거한다. 이와 같이 각 금속층을 제거함으로써, 도20에 도시한 바와 같이 결정화 글래스 기판(21)의 표리면을 노출시키는 동시에, 관통 구멍(3)이 무전해 도금 구리층(5a)과 전해 도금 구리층(5b)으로 충전된 상태를 얻을 수 있다.

이하, 밀착력 강화층 형성 공정, 배선 형성 공정을 거침으로써 도1에 도시한 것과 동일한 구성을 갖는 양면 배선 글래스 기판을 얻을 수 있다.

또한, 이상의 제1 및 제2 실시 형태에서는, 무전해 도금법으로 형성하는 금속과 전해 도금법으로 형성하는 금속이 모두 구리인 경우에 대해 설명하였지만, 예를 들어 전해 도금법으로 형성하는 금속은 구리로 하고, 무전해 도금법으로 형성하는 금속은 니켈(Ni)이나 크롬으로 하는 등과 같이 금속의 종류를 다르게 하는 것도 가능하다.

이하, 실시예를 이용하여 본 발명의 실시 형태에 대해 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 어느 쪽의 실시예에 있어서도, 양면 배선 글래스 기판의 코어 기판이 되는 감광성 글래스 기판으로서, HOYA 가부시끼가이샤제 PEG3(상품명)을 이용하였다. 이 PEG3은, SiO₂ : 78.0 중량 ％, Li₂O : 10.0 중량 ％, Al₂O₃ : 6.0 중량 ％, K₂O : 4.0 중량 ％, Na₂O : 1.0 중량 ％, ZnO : 1.0 중량 ％, Au : 0.003 중량 ％, Ag : 0.08 중량 ％, CeO₂ : 0.08 중량 ％의 조성을 갖고 있다.

<제1 실시예>

상기 제1 실시 형태의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다. 그 제조 공정은, 전술한 바와 같이 관통 구멍 형성 공정, 이온 블로킹층 형성 공정, 관통 구멍 충전 공정, 밀착력 강화층 형성 공정, 배선 형성 공정으로 구성되어 있다. 이하, 공정 순으로 상세하게 설명한다.

(관통 구멍 형성 공정)

감광성 글래스 기판(2) 상에 포토마스크를 밀착시키고, 포토마스크를 통해 관통 구멍 형성 부분에 자외선을 조사하여 노광 부분에 대응하는 잠상을 형성하였다. 포토마스크에는, 석영 글래스 기판 표면에 크롬/산화 크롬층으로 원하는 관통 구멍 배열 패턴이 형성된 것을 사용하였다. 이용한 광원은 딥 UV 램프이고, 조사 에너지는 800 mJ/cm²로 하였다. 그 후, 온도 약 400 ℃로 열처리를 행하여 관통 구멍 형성 부분을 결정화하고, 노광 결정화부(3a)를 형성하였다(도2). 노광 결정화부(3a)를 형성한 후, 희불화수소산(약 10 ％ 용액)을 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 스프레이하여 노광 결정화부(3a)를 용해 제거하고, 직경 약 50 ㎛의 관통 구멍(3)을 형성하였다(도3).

(이온 블로킹층 형성 공정)

관통 구멍(3)이 형성된 감광성 글래스 기판(2)을 약 20 체적 ％의 황산 수용 액에 침지하면서, 이것에 약 20V의 포지티브 전압을 약 10분간 인가하여 감광성 글래스 기판(2)에 탈알칼리 처리를 실시하였다. 이 때의 마이너스 전극으로는 스테인레스를 이용하였다. 탈알칼리 처리를 실시한 후, 통상의 RF 스패터 장치를 사용하여, 감광성 글래스 기판(2)의 표리면에 막 두께 약 0.05 ㎛의 Si₃N₄막을 성막하여 스패터 질화 실리콘층(4a)을 형성한 후, 그 위에 막 두께 약 0.05 ㎛의 SiO₂막을 성막하여 스패터 산화 실리콘층(4b)을 형성하였다(도4).

(관통 구멍 충전 공정)

통상의 DC 스패터 장치를 사용하여, 스패터 산화 실리콘층(4b) 상에 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬막을 성막하여 스패터 크롬층(17a)을 이 스패터 크롬층(17a) 상에 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬 구리 합금막(크롬 : 약 4 ％/구리 : 약 96 ％)을 성막하고, 스패터 크롬 구리층(17b)을 또한 이 스패터 크롬 구리층(17b) 상에 막 두께 약 1.5 ㎛의 구리막을 성막하여 스패터 구리층(17c)을 형성하고, 예비 밀착력 강화층(17)으로 하였다. 또한, 이들 금속막은 대기에 폭로하는 일 없이 연속 성막하였다(도5).

그 후, 무전해 도금법에 의해 막 두께 약 0.3 ㎛의 구리막을 형성하고, 무전해 도금 구리층(5a)을 형성하였다(도6). 이 무전해 도금 프로세스는, 전처리, 소프트 에칭, 프리딥, 촉매 부여, 촉매 활성화, 무전해 도금의 순으로 행하였다.

전처리는, 예비 밀착력 강화층(17) 형성 후의 감광성 글래스 기판(2)을 세정하기 위한 것으로, 시판된 세정액인 멜텍스(MELTEX)사제의 멜플레이트PC-321을 이 용하여 세정하였다.

소프트 에칭은, 예비 밀착력 강화층(17) 표면에 형성된 산화막을 제거하기 위한 것으로, 시판된 소프트 에칭액인 멜텍스사제의 엠플레이트E-462를 이용하여 소프트 에칭하였다.

프리딥은, 다음 프로세스의 촉매욕을 보호하기 위해, 예비 밀착력 강화층(17)이 구비된 감광성 글래스 기판(2)을 프리딥액에 침지하는 것이며, 프리딥액으로서 시판된 멜텍스사제의 엠플레이트PC-236을 이용하였다.

촉매 부여는, 무전해 도금 구리를 석출시키기 위해 촉매를 예비 밀착력 강화층(17)이 구비된 감광성 글래스 기판(2)에 흡착시키는 것이며, 시판의 멜텍스사제의 엠플레이트 액티베이터 444를 이용하여 처리하였다.

촉매 활성화는, 흡착시킨 촉매를 활성화시키는 것이며, 시판된 멜텍스사제의 엠플레이트 PA-360을 이용하여 처리하였다.

무전해 도금은 무전해 도금 구리층(5a)을 형성하기 위한 것이며, 도금액으로서 시판된 멜텍스사제의 멜플레이트 Cu-390을 이용하였다.

무전해 도금 구리층(5a)의 형성 후는, 기판 표면에 점착 테이프(10)를 부착하여 관통 구멍(3)의 기판 표면측의 개구부를 폐색한 후(도7), 개구부 폐색 도금에 의해 구리막을 형성하고, 점착 테이프(10)가 부착되어 있지 않은 기판 이면측의 관통 구멍(3)의 개구부를 전해 도금 구리층(5b)에 의해 폐색하였다(도8). 이용한 전해 도금액은 시판된 것으로, 우에무라 고교 가부시끼가이샤제의 레부코 300(상품 명)이며 황산구리계의 도금액이다. 또한, 이 전해 도금시의 전류 밀도는 3 A/dm²로 하고, 도금욕 중에서 기판 이면측을 양극에 대향시킨 상태에서 통전하였다. 본 조건하에서, 기판 이면의 평탄부에는 막 두께 30 ㎛의 전해 도금 구리층(5b)이 형성되었다.

개구부 폐색 도금 후, 점착 테이프(10)를 박리하고, 우선 점착 테이프(10)를 붙이고 있던 기판 표면의 무전해 도금 구리층(5a) 및 스패터 구리층(17c)을, 랩법에 의해 기계적으로 제거하였다. 그 후, 스패터 크롬 구리층(17b) 및 스패터 크롬층(17a)을, 페리시안화칼륨을 주성분으로 한 약품을 이용하여 에칭에 의해 제거하고, 기판 표면에 이온 블로킹층(4)을 노출시켰다.

그 후, 필링 도금에 의해 또한 전해 도금 구리층(5b)을 형성하고, 먼저 관통 구멍(3) 내부에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b)과 함께 관통 구멍(3)을 충전하였다(도9 및 도10). 이 때 이용한 도금액은, 개구부 폐색 도금시에 이용한 것과 동일하지만, 전류 밀도는 0.5 A/dm²이며, 관통 구멍 폐색 도금시의 전류 밀도에 비해 낮은 전류치로 설정하였다. 또한 필링 도금시에는, 도금욕 중에서 기판 표면측을 양극에 대향시킨 상태에서 통전하였다.

필링 도금 종료 후, 염화제2철을 주성분으로 하는 약품을 이용하여, 기판 이면에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b), 무전해 도금 구리층(5a), 스패터 구리층(17c) 및 스패터 크롬 구리층(17b)의 구리를 에칭에 의해 제거한 후, 페리시안화칼륨을 주성분으로 하는 약품을 이용하여, 스패터 크롬 구리층(17b) 및 스패터 크 롬층(17a)의 크롬을 에칭에 의해 제거하였다. 이에 의해, 이온 블로킹층(4)을 기판 표리면에 노출시키는 동시에, 무전해 도금 구리층(5a) 및 전해 도금 구리층(5b)으로 이루어지는 금속 구리의 구리막층(5)으로 관통 구멍(3)을 충전하였다(도11).

(밀착력 강화층 형성 공정)

통상의 스패터 장치를 사용하여, 노출된 스패터 산화 실리콘층(4b) 상에 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬막을 성막하고, 스패터 크롬층(7a)을 스패터 크롬층(7a) 상에 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬 구리 합금막(크롬 : 약 4 ％/구리 : 약 96 ％)을 성막하고, 스패터 크롬 구리층(7b)을 스패터 크롬 구리층(7b) 상에 막 두께 약 1.5 ㎛의 구리막을 성막하고 스패터 구리층(7c)을 각각 형성하여 밀착력 강화층(7)을 형성하였다. 또한, 이들 막은 대기에 폭로하는 일 없이 연속 성막하였다(도12).

(배선 형성 공정)

전해 도금법에 의해 막 두께 약 5 ㎛의 구리막을 형성하여, 배선이 되는 구리막층(6)을 형성하였다(도13). 이용한 도금액은, 시판된 황산구리 도금액(멜텍스사제 커퍼글림 ST-901)이며, 전류 밀도 조건은 3 A/dm²로 하였다.

구리막층(6)의 표면에, 포지티브형 액상 레지스트 패턴(시프레이사제 마이크로포지트 SJR 5440)을 스핀너로 약 10 ㎛의 두께로 도포한 후, 원하는 배선 패턴이 묘화된 포토마스크를 이용하여 마스크 얼라이너로 노광하였다. 이 때의 노광량은 약 1000 mJ/cm²로 하였다. 계속해서, 현상액(시프레이사제 현상액 2500)을 이용하여 약 1분간 실온에서 딥 현상하고 레지스트 패턴을 형성하였다. 그 후, 40 보메 의 염화제2철 용액을 스프레이하고, 구리막층(6), 스패터 구리층(7c) 및 스패터 크롬 구리층(7b)의 구리 에칭을 행한 후, 레지스트 패턴을 아세톤에 의해 제거하였다. 계속해서, 에칭 후의 구리막층(6)을 금속 레지스트 패턴으로 하여, 페리시안화칼륨을 주성분으로 하는 약품을 이용하여 스패터 크롬 구리층(7b) 및 스패터 크롬층(7a)의 크롬 에칭을 행하여, 선폭 약 20 ㎛, 간격 약 20 ㎛, 랜드폭 약 120 ㎛의 배선 패턴을 형성하였다.

이상의 방법에 의해, 관통 구멍(3)이 무전해 도금법 및 전해 도금법을 병용하여 형성된 금속 구리로 충전된 양면 배선 글래스 기판(1)을 얻었다(도1).

<제2 실시예>

본 실시예는, 제1 실시예의 관통 구멍 충전 공정에 있어서의 무전해 도금법의 조건 및 무전해 도금법으로 형성되는 금속 종류가 다를 뿐이며, 다른 공정은 제1 실시예와 동일하다.

본 실시예에 있어서는, 무전해 도금법에 의해 막 두께 약 0.3 ㎛의 니켈막을 형성하였다. 무전해 도금 프로세스는, 기본적으로 제1 실시예에 기재한 전처리, 소프트 에칭, 프리딥, 촉매 부여, 촉매 활성화, 무전해 도금의 순으로 하는 프로세스와 동일하지만 최후의 무전해 도금 부분이 다르며, 여기서는 니켈막의 무전해 도금용 도금액으로서 멜텍스사제의 멜플레이트 NI-865를 이용하였다.

<제3 실시예>

본 실시예는, 상기 제2 실시 형태의 제조 방법의 구체예이다. 그 제조 공정은, 전술한 바와 같이 관통 구멍 형성 공정, 글래스 기판 개질 공정, 관통 구멍 충 전 공정, 밀착력 강화층 형성 공정, 배선 형성 공정으로 구성되어 있다. 이들 공정 중, 관통 구멍 형성 공정, 밀착력 강화층 형성 공정 및 배선 형성 공정에 대해서는 제1 실시예와 동일하므로, 이하 글래스 기판 개질 공정과 관통 구멍 충전 공정에 대해 상세하게 설명한다.

(글래스 기판 개질 공정)

관통 구멍 형성 공정을 거쳐서, 관통 구멍(3)이 형성된 감광성 글래스 기판(2) 전체에 자외선을 약 700 mJ/cm²로 조사하고, 그 후 온도 약 850 ℃로 약 2시간의 열처리를 행하였다. 이에 의해, 감광성 글래스 기판(2) 전체를 결정화하여, 결정화 글래스 기판(21)을 형성하였다.

(관통 구멍 충전 공정)

관통 구멍 충전 공정에서는, 우선 결정화 글래스 기판(21)의 이면측에, 통상의 스패터 장치를 이용하여, 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬막을 성막하여 스패터 크롬층(27a)을 형성하고, 계속해서 이 스패터 크롬층(27a) 상에 막 두께 약 0.05 ㎛의 크롬 구리 합금막을 성막하여 스패터 크롬 구리층(27b)을 형성하고, 마지막으로 스패터 크롬 구리층(27b) 상에 막 두께 약 1.5 ㎛의 구리막을 성막하여 스패터 구리층(27c)을 형성하고, 전극층(27)을 형성하였다(도14). 또한, 이들 금속막은 대기에 폭로하는 일 없이 연속 성막하였다.

전극층(27)의 형성 후에는, 개구부 폐색 도금에 의해 전해 도금 구리층(5b)을 형성하여, 결정화 글래스 기판(21)의 전극층(27) 형성면측에 있는 관통 구멍(3) 의 개구부를 폐색한다(도15). 이 때의 전해 도금 조건은, 제1 실시예에 나타낸 개구부 폐색 도금 조건과 동일하게 하였다.

개구부 폐색 도금 후, 무전해 도금법에 의해 관통 구멍(3) 내부에 무전해 도금 구리층(5a)을 형성하였다. 무전해 도금 조건은, 제1 실시예와 동일하게 하였다. 관통 구멍(3) 내부의 무전해 도금 구리층(5a)의 막 두께는 약 3 ㎛였다(도16). 그 후, 랩법에 의해 결정화 글래스 기판(21)의 표면측, 즉 전극층(27)이 형성되어 있지 않은 면측에 부착된 무전해 도금 구리층(5a)을 제거하였다(도17).

결정화 글래스 기판(21)의 표면측에 부착된 무전해 도금 구리층(5a)을 제거한 후, 필링 도금에 의해 관통 구멍(3) 내부에 전해 도금 구리층(5b)을 형성해 가, 관통 구멍(3)을 충전하였다(도18 및 도19). 이 때의 필링 도금 조건은, 제1 실시예에 있어서의 필링 도금 조건과 동일하게 하였다. 기판 표면측으로 돌출한 전해 도금 구리층(5b)(도19)은 랩법을 이용하여 제거하였다.

계속해서, 염화제2철을 주성분으로 하는 약품을 이용하여, 기판 이면에 형성되어 있는 전해 도금 구리층(5b), 스패터 구리층(27c) 및 스패터 크롬 구리층(27b)의 구리를 에칭에 의해 제거한 후, 페리시안화칼륨을 주성분으로 하는 약품을 이용하여, 스패터 크롬 구리층(17b) 및 스패터 크롬층(17a)의 크롬을 에칭에 의해 제거하였다. 이와 같이 각 금속층을 제거한 후, 전극층(27)이 형성되어 있던 결정화 글래스 기판(21)의 면을 랩함으로써 결정화 글래스 기판(21)의 표리면에 무전해 도금 구리층(5a) 또는 전해 도금 구리층(5b)을 노출시켰다(도20).

<제4 실시예>

본 실시예는 제3 실시예의 관통 구멍 충전 공정에 있어서의 무전해 도금법의 조건 및 무전해 도금법으로 형성되는 금속종이 다를 뿐이며, 다른 공정은 제3 실시예와 동일하다.

본 실시예에 있어서는, 무전해 도금법에 의해 막 두께 약 0.3 ㎛의 니켈막을 형성하였다. 무전해 도금 프로세스는, 기본적으로 제1 실시예에 기재한 전처리, 소프트 에칭, 프리딥, 촉매 부여, 촉매 활성화, 무전해 도금의 순으로 행하는 프로세스와 동일하지만 최후의 무전해 도금의 부분이 다르며, 여기서는 니켈막의 무전해 도금용 도금액으로서 멜텍스사제의 멜플레이트 NI-865를 이용하였다.

또한, 이상의 실시예에서는 개구부 폐색 도금과 그에 계속되는 필링 도금에 있어서 동일한 도금액을 이용하였지만, 각각의 도금 과정에 대해 보다 적합한 도금액, 예를 들어 도금액 중의 도금 금속 이온 농도가 다른 도금액 등을 이용하는 것도 가능하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 양면 배선 글래스 기판에서는 그 표리면을 전기적으로 접속하기 위한 관통 구멍을 금속으로 충전하도록 하였으므로, 기판 표리면을 확실하게 도통시키는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명의 양면 배선 글래스 기판은 관통 구멍의 충전재로서 종래와 같은 수지를 이용하지 않으므로, 기판 전체적으로 높은 내열성을 실현할 수 있다. 또한, 관통 구멍에의 금속의 충전에는 도금법을 이용하므로, 관통 구멍을 금속으로 확실하게 충전할 수 있다. 본 발명의 양면 배선 글래스 기판에 의해, 전자 부품 등의 접속 신뢰성이 높은 고밀도 실장이 실현 가능해진다.

또한, 이상의 설명에서는 양면 배선 글래스 기판의 관통 구멍에 충전하는 금속으로서 주로 구리를 이용한 경우를 예로 들어 서술하였지만, 구리 외에 니켈, 은, 금, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬, 알루미늄 등, 실장하는 전자 부품 등을 접합하기 위한 온도 이상의 내열성이 있는 금속이면 문제없이 이용할 수 있다. 또한, 이러한 금속을 2 종류 이상 선택하여 이용할 수도 있다. 이러한 금속 중에서, 특히 구리는 그 융점의 높이, 저항의 낮음, 가격 등의 점에서 관통 구멍에 충전하는 금속으로서 적합하다. 또한, 관통 구멍에 충전하는 금속의 종류에 따라서, 전극층 및 밀착력 강화층의 재질, 층 구조, 형성 방법 등은 적절하게 변경할 수 있다.

본 발명의 관통 구멍을 금속으로 충전하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법은 다층 배선 기판에도 적용 가능하고, 또한 세라믹 기판이나 글래스 에폭시 기판을 코어 기판에 이용한 양면 배선 기판 혹은 다층 배선 기판에도 적용 가능하다.

상기에 대해서는 단순히 본 발명의 원리를 나타낸 것이다. 또한, 다수의 변형 및 변경이 당업자에게 있어서 가능하고, 본 발명은 상기에 나타내고 설명한 정확한 구성 및 응용예에 한정되는 것은 아니며, 대응하는 모든 변형예 및 균등물은 첨부한 청구항 및 그 균등물에 의한 본 발명의 범위라 간주된다.

Claims

글래스 기판의 표리면에 형성된 전기 배선과, 상기 글래스 기판의 표리면에 연통되는, 금속이 충전된 관통 구멍을 갖고, 상기 글래스 기판의 표리면에 형성된 각 상기 전기 배선이, 상기 관통 구멍에 충전된 금속을 거쳐서 전기적으로 도통된 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이며,

상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정과,

무전해 도금법에 의해, 상기 관통 구멍을 형성한 상기 글래스 기판의 표리면에 금속을 충전하는 동시에, 상기 관통 구멍의 중앙부에 상기 글래스 기판의 표리면에 연통하는 공극부를 잔존시키면서 상기 관통 구멍의 측벽부에 금속을 퇴적하는 공정과,

상기 글래스 기판의 한 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부를 절연성 부재로 폐색하는 공정과,

전해 도금법에 의해, 상기 글래스 기판의 다른 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부를 금속으로 폐색하는 공정과,

상기 절연성 부재의 제거 후, 전해 도금법에 의해, 폐색된 상기 다른 쪽의 면의 상기 공극부의 개구부측으로부터 상기 한쪽의 면의 상기 공극부의 개구부측을 향하여 상기 공극부 내에 금속을 퇴적하여 상기 관통 구멍 전체에 금속을 충전하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 관통 구멍에 충전되는 금속이, 구리, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬, 알루미늄 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 글래스 기판에는 감광성 글래스 기판이 이용되고,

상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정이,

상기 글래스 기판에 포토마스크를 통해 상기 관통 구멍을 형성하는 부분에 잠상이 형성되도록 노광하는 공정과,

노광한 상기 부분을 열처리하여 결정화하는 공정과,

결정화한 상기 부분을 용해 제거하여 상기 관통 구멍을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 무전해 도금법에 의해 퇴적하는 금속과, 전해 도금법에 의해 퇴적하는 금속은 상이한 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
글래스 기판의 표리면에 형성된 전기 배선과, 상기 글래스 기판의 표리면에 연통하는, 금속이 충전된 관통 구멍을 갖고, 상기 글래스 기판의 표리면에 형성된 각 상기 전기 배선이, 상기 관통 구멍에 충전된 금속을 개재하여 전기적으로 도통된 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법이며,

상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정과,

상기 글래스 기판의 한 쪽의 면에 전극층을 형성하는 공정과,

전해 도금법에 의해, 상기 전극층이 형성된 상기 한 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부를 금속으로 폐색하는 공정과,

무전해 도금법에 의해, 상기 글래스 기판의 다른 쪽의 면에 금속을 퇴적하는 동시에, 상기 다른 쪽의 면에 개구부를 잔존시키면서 상기 관통 구멍의 측벽부에 금속을 퇴적하는 공정과,

전해 도금법에 의해, 폐색된 상기 한 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부측으로부터 상기 다른 쪽의 면의 상기 관통 구멍의 개구부측을 향하여 금속을 퇴적하여 상기 관통 구멍 전체에 금속을 충전하는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 관통 구멍에 충전되는 금속이, 구리, 니켈, 금, 은, 백금, 팔라듐, 크롬, 알루미늄 중 어느 1 종류 또는 2 종류 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 글래스 기판에는 감광성 글래스 기판이 이용되고,

상기 글래스 기판에 상기 관통 구멍을 형성하는 공정이,

상기 글래스 기판에 포토마스크를 통해 상기 관통 구멍을 형성하는 부분에 잠상이 형성되도록 노광하는 공정과,

노광한 상기 부분을 열처리하여 결정화하는 공정과,

결정화한 상기 부분을 용해 제거하여 상기 관통 구멍을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.
제5항에 있어서, 무전해 도금법에 의해 퇴적되는 금속과 전해 도금법에 의해 퇴적되는 금속은 상이한 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 양면 배선 글래스 기판의 제조 방법.