JPH05121489A - 絶 縁 体 表 面 に 形 成 さ れ た 銅 表 面 へ の 無 電 解 ニ ツ ケ ル め つ き 方 法 - Google Patents
絶 縁 体 表 面 に 形 成 さ れ た 銅 表 面 へ の 無 電 解 ニ ツ ケ ル め つ き 方 法Info
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- JPH05121489A JPH05121489A JP3303891A JP30389191A JPH05121489A JP H05121489 A JPH05121489 A JP H05121489A JP 3303891 A JP3303891 A JP 3303891A JP 30389191 A JP30389191 A JP 30389191A JP H05121489 A JPH05121489 A JP H05121489A
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- electroless nickel
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）テー
プやフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）等の電子部品
の銅回路上に無電解ニッケルめっきを行う際の前処理方
法の改良を目的とする。 【構成】 絶縁体上に形成された銅表面に無電解ニ
ッケルめっきを施す工程において、絶縁体表面および銅
表面を酸でエッチングし、触媒付与した後、選択的に触
媒が付与された絶縁体表面を溶解除去する。 【効果】 従来困難であった絶縁体と銅層で形成さ
れた基板の銅層のみに無電解ニッケルめっきを施すこと
が可能になり、複雑な形状を有する銅回路上に金めっき
を施す際の下地層として活用できる等、本発明によって
高い信頼性をもった２層ＴＡＢ等の高性能電子部品を提
供することが可能となる。
プやフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）等の電子部品
の銅回路上に無電解ニッケルめっきを行う際の前処理方
法の改良を目的とする。 【構成】 絶縁体上に形成された銅表面に無電解ニ
ッケルめっきを施す工程において、絶縁体表面および銅
表面を酸でエッチングし、触媒付与した後、選択的に触
媒が付与された絶縁体表面を溶解除去する。 【効果】 従来困難であった絶縁体と銅層で形成さ
れた基板の銅層のみに無電解ニッケルめっきを施すこと
が可能になり、複雑な形状を有する銅回路上に金めっき
を施す際の下地層として活用できる等、本発明によって
高い信頼性をもった２層ＴＡＢ等の高性能電子部品を提
供することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テープ自動ボンディン
グ（ＴＡＢ）テープやフレキシブルプリント回路（ＦＰ
Ｃ）等の電子部品の銅回路上に無電解ニッケルめっきを
行う際の前処理方法の改良に関する。
グ（ＴＡＢ）テープやフレキシブルプリント回路（ＦＰ
Ｃ）等の電子部品の銅回路上に無電解ニッケルめっきを
行う際の前処理方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、民生機器全体が小型薄型の傾向に
あり、これに対応したＴＡＢ技術を含めたベアチップ実
装技術が注目を集めている。ＴＡＢの特徴としては、薄
型．ファインピッチ実装が可能となる、折り曲げて使う
ことにより機器の小型化がはかれる、プリテスト、バー
ンインテストが可能となる、一括のボンディングが出来
るなど多くのものがある。
あり、これに対応したＴＡＢ技術を含めたベアチップ実
装技術が注目を集めている。ＴＡＢの特徴としては、薄
型．ファインピッチ実装が可能となる、折り曲げて使う
ことにより機器の小型化がはかれる、プリテスト、バー
ンインテストが可能となる、一括のボンディングが出来
るなど多くのものがある。
【０００３】従来ＴＡＢは銅箔とポリイミド樹脂を接着
剤で貼り合わせた基板を加工することによって得られる
３層ＴＡＢが主流であった。しかし、上記のように電子
部品がより高密度化されるようになると存在する接着剤
層への不純物の吸着による電気絶縁性の低下等の問題が
生じるため、最近では接着剤を用いない、いわゆる２層
ＴＡＢの開発が行われている。２層ＴＡＢは、絶縁樹脂
フィルム上にスパッタ法、真空蒸着法のような乾式表面
処理法、または、無電解めっき法のような湿式表面処理
法を用いて金属層を被着させる。通常、絶縁樹脂フィル
ムには電気絶縁性が高くまた熱安定性に優れたポリイミ
ド樹脂が使用され、また被着金属層には銅が使用され
る。このようにして得られた銅ポリイミド基板の銅層に
パターニング処理を施すのであるが、これには、形成さ
れるリードの厚さ以上の厚みに感光性レジストを塗布
し、所望のリードパターンを有するマスキングを用いて
レジストに光を照射し、レジスト上に露光部と非露光部
によるパターンを形成し、その後これを現像し、露光部
または非露光部を選択的に溶解除去して金属層上にレジ
ストパターンを形成する。次いで現像によってレジスト
が除去された部分、即ち銅層が露出した部分に電気めっ
きでレジストの厚さかまたはそれ以下の厚さまで銅を電
析させ、その後残存レジストを溶解除去して回路を形成
し、次いでポリイミド樹脂上にレジストパターンを形成
し、ポリイミド樹脂を溶解してテープ送り用のスプロケ
ットホール、リード後端部を外部回路に接続するための
ＯＬＢホール等を設けて得られるＴＡＢテープを切断し
て得られる。
剤で貼り合わせた基板を加工することによって得られる
３層ＴＡＢが主流であった。しかし、上記のように電子
部品がより高密度化されるようになると存在する接着剤
層への不純物の吸着による電気絶縁性の低下等の問題が
生じるため、最近では接着剤を用いない、いわゆる２層
ＴＡＢの開発が行われている。２層ＴＡＢは、絶縁樹脂
フィルム上にスパッタ法、真空蒸着法のような乾式表面
処理法、または、無電解めっき法のような湿式表面処理
法を用いて金属層を被着させる。通常、絶縁樹脂フィル
ムには電気絶縁性が高くまた熱安定性に優れたポリイミ
ド樹脂が使用され、また被着金属層には銅が使用され
る。このようにして得られた銅ポリイミド基板の銅層に
パターニング処理を施すのであるが、これには、形成さ
れるリードの厚さ以上の厚みに感光性レジストを塗布
し、所望のリードパターンを有するマスキングを用いて
レジストに光を照射し、レジスト上に露光部と非露光部
によるパターンを形成し、その後これを現像し、露光部
または非露光部を選択的に溶解除去して金属層上にレジ
ストパターンを形成する。次いで現像によってレジスト
が除去された部分、即ち銅層が露出した部分に電気めっ
きでレジストの厚さかまたはそれ以下の厚さまで銅を電
析させ、その後残存レジストを溶解除去して回路を形成
し、次いでポリイミド樹脂上にレジストパターンを形成
し、ポリイミド樹脂を溶解してテープ送り用のスプロケ
ットホール、リード後端部を外部回路に接続するための
ＯＬＢホール等を設けて得られるＴＡＢテープを切断し
て得られる。
【０００４】このようにして形成された２層ＴＡＢの銅
表面に、最終的に金めっきを施すが、この際金が銅中へ
拡散するのを防止するために下地めっきとして銅表面
に、ニッケルめっきを施す場合がある。この時、２層Ｔ
ＡＢの銅のパターンがすべて導通がとれている場合は電
気ニッケルめっきにより簡単にニッケルめっきが行える
が、パターンの中に導通がとれていない部分があるとそ
の部分への電気めっきは困難となる。このため、通常は
無電解ニッケルめっきでニッケル層を形成している。
表面に、最終的に金めっきを施すが、この際金が銅中へ
拡散するのを防止するために下地めっきとして銅表面
に、ニッケルめっきを施す場合がある。この時、２層Ｔ
ＡＢの銅のパターンがすべて導通がとれている場合は電
気ニッケルめっきにより簡単にニッケルめっきが行える
が、パターンの中に導通がとれていない部分があるとそ
の部分への電気めっきは困難となる。このため、通常は
無電解ニッケルめっきでニッケル層を形成している。
【０００５】しかしながら、銅上にニツケルを無電解め
っきする場合は銅上に直接無電解ニッケルめっき被膜を
形成できないためキャタライジングーアクセレレーティ
ング法あるいはセンシタイジングーアクチベーション法
等により銅表面に触媒活性化処理を施す必要がある。し
かしこの方法では、ポリイミド樹脂表面も同時に触媒活
性されるため、２層ＴＡＢ全面に無電解ニッケルめっき
被膜が形成され、回路間の絶縁性が損われる。
っきする場合は銅上に直接無電解ニッケルめっき被膜を
形成できないためキャタライジングーアクセレレーティ
ング法あるいはセンシタイジングーアクチベーション法
等により銅表面に触媒活性化処理を施す必要がある。し
かしこの方法では、ポリイミド樹脂表面も同時に触媒活
性されるため、２層ＴＡＢ全面に無電解ニッケルめっき
被膜が形成され、回路間の絶縁性が損われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、絶縁
体表面に形成された銅表面にのみ、銅との密着性に優れ
かつ銅のポリイミド樹脂に対する密着強度を低下するこ
となく無電解ニッケルめっきを施す方法を提供すること
にある。
体表面に形成された銅表面にのみ、銅との密着性に優れ
かつ銅のポリイミド樹脂に対する密着強度を低下するこ
となく無電解ニッケルめっきを施す方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の方法は、絶縁体上に形成された銅表面に無電
解ニッケルめっきを施す工程において、絶縁体表面およ
び銅表面を酸でエッチングし、触媒付与した後、選択的
に触媒が付与された絶縁体表面を溶解除去するものであ
り、好ましくは絶縁体としてポリイミド樹脂を用いるも
のである。
の本発明の方法は、絶縁体上に形成された銅表面に無電
解ニッケルめっきを施す工程において、絶縁体表面およ
び銅表面を酸でエッチングし、触媒付与した後、選択的
に触媒が付与された絶縁体表面を溶解除去するものであ
り、好ましくは絶縁体としてポリイミド樹脂を用いるも
のである。
【０００８】
【作用】本発明の特徴は、絶縁体表面と銅表面とを同時
に触媒付与し、その後に選択的に触媒付与された絶縁層
を溶解する構成に有り、本発明の構成により初めて銅表
面への選択的な触媒付与の困難性の解消を図るものであ
る。本発明で用いることのできる絶縁層としては、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹
脂がある。これらの樹脂の中でＴＡＢテープ用として主
として用いられポリイミド樹脂が本発明の対象としてと
りわけ適している。
に触媒付与し、その後に選択的に触媒付与された絶縁層
を溶解する構成に有り、本発明の構成により初めて銅表
面への選択的な触媒付与の困難性の解消を図るものであ
る。本発明で用いることのできる絶縁層としては、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹
脂がある。これらの樹脂の中でＴＡＢテープ用として主
として用いられポリイミド樹脂が本発明の対象としてと
りわけ適している。
【０００９】本発明の各単位操作は、それぞれ用いる樹
脂に合せ選択されるが、何れも従来より採用されている
方法で良く、特殊な条件を必要とするものではない。例
えば、絶縁体としてポリイミド樹脂を用いた場合には、
２層ＴＡＢテープを例とすると、２層ＴＡＢテープを過
硫安と硫酸との混合溶液で処理し、その表面を荒し、水
洗後、塩酸溶液で洗浄してアンモニア分を除去し、さら
に水洗後硫酸溶液で処理して塩素イオンを除去し、次い
でキャタライジング液に浸漬し、アクセレーティング液
に浸漬して触媒付与し、次いで水酸化アルカリとヒドラ
ジン１水和物により触媒付与されたポリイミド樹脂表面
を溶解し、該表面と共に付与された触媒を除去する。そ
して、無電解ニッケルめっきを施す。
脂に合せ選択されるが、何れも従来より採用されている
方法で良く、特殊な条件を必要とするものではない。例
えば、絶縁体としてポリイミド樹脂を用いた場合には、
２層ＴＡＢテープを例とすると、２層ＴＡＢテープを過
硫安と硫酸との混合溶液で処理し、その表面を荒し、水
洗後、塩酸溶液で洗浄してアンモニア分を除去し、さら
に水洗後硫酸溶液で処理して塩素イオンを除去し、次い
でキャタライジング液に浸漬し、アクセレーティング液
に浸漬して触媒付与し、次いで水酸化アルカリとヒドラ
ジン１水和物により触媒付与されたポリイミド樹脂表面
を溶解し、該表面と共に付与された触媒を除去する。そ
して、無電解ニッケルめっきを施す。
【００１０】因みに、ポリイミド樹脂の溶解条件につい
て述べると、０．５〜１０モル／ｌの水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムのうちの少なくとも１種と、１〜１
５モル／ｌのヒドラジン１水和物を含み、液温２０〜８
０℃の溶解液にポリイミド樹脂を１０秒〜３０分間浸漬
するものであり、従来採用されているものと差はない。
て述べると、０．５〜１０モル／ｌの水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムのうちの少なくとも１種と、１〜１
５モル／ｌのヒドラジン１水和物を含み、液温２０〜８
０℃の溶解液にポリイミド樹脂を１０秒〜３０分間浸漬
するものであり、従来採用されているものと差はない。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる
【００１２】［実施例１］ （工程１）18cm×15cmの大きさの東レ・デュポン社製
「Ｋａｐｔｏｎ ２００Ｈ型」のポリイミド樹脂フィル
ムの片面に厚さ0.3μmの銅箔を無電解めっき法により形
成した。その後、該基板の銅被膜上にアクリル樹脂を主
成分としたネガ型フォトレジスト（以下、アクリル樹脂
系フォトレジストという）を厚さ40μmに均一に塗布
し、次いで乾燥を行った。その後該基板のポリイミド樹
脂側表面にゴムを主成分としたネガ型フォトレジスト
（以下、ゴム系フォトレジストという）を厚さ10μmに
均一に塗布して乾燥した。
「Ｋａｐｔｏｎ ２００Ｈ型」のポリイミド樹脂フィル
ムの片面に厚さ0.3μmの銅箔を無電解めっき法により形
成した。その後、該基板の銅被膜上にアクリル樹脂を主
成分としたネガ型フォトレジスト（以下、アクリル樹脂
系フォトレジストという）を厚さ40μmに均一に塗布
し、次いで乾燥を行った。その後該基板のポリイミド樹
脂側表面にゴムを主成分としたネガ型フォトレジスト
（以下、ゴム系フォトレジストという）を厚さ10μmに
均一に塗布して乾燥した。
【００１３】得られた基板のアクリル樹脂系フォトレジ
スト側に、インナーリード部においてリード幅50μm、
リード間隔50μmのリードが形成されるようにマスキン
グを施し、一方のゴム系フォトレジスト側にはデバイス
ホールおよびスプロケットホールが形成されるようにマ
スキングを施し、それぞれのフォトレジスト層に所定の
強度の紫外線を照射して露光を行った後、現像処理をし
た。次いで上記処理によって露出した無電解銅めっき被
膜上に厚さ35μmの銅を電気めっき法によりめっきを
し、アクリル樹脂系フォトレジストの剥離を行った後、
露出した無電解銅めっき被膜を電気銅めっき被膜をマス
クとして溶解除去した。その後、電気銅めっき被膜およ
び露出したポリイミド樹脂表面にゴム系フォトレジスト
を厚さ15μmに塗布した乾燥させた。上記処理によって
得られた基板をヒドラジン−水和物に50℃で5分間浸漬
してポリイミド樹脂の溶解除去を行い、ゴム系レジスト
を剥離することによってインナーリード部においてリー
ド幅50μm、リード間隔50μmのリードを有する２層ＴＡ
Ｂテープを作製した。
スト側に、インナーリード部においてリード幅50μm、
リード間隔50μmのリードが形成されるようにマスキン
グを施し、一方のゴム系フォトレジスト側にはデバイス
ホールおよびスプロケットホールが形成されるようにマ
スキングを施し、それぞれのフォトレジスト層に所定の
強度の紫外線を照射して露光を行った後、現像処理をし
た。次いで上記処理によって露出した無電解銅めっき被
膜上に厚さ35μmの銅を電気めっき法によりめっきを
し、アクリル樹脂系フォトレジストの剥離を行った後、
露出した無電解銅めっき被膜を電気銅めっき被膜をマス
クとして溶解除去した。その後、電気銅めっき被膜およ
び露出したポリイミド樹脂表面にゴム系フォトレジスト
を厚さ15μmに塗布した乾燥させた。上記処理によって
得られた基板をヒドラジン−水和物に50℃で5分間浸漬
してポリイミド樹脂の溶解除去を行い、ゴム系レジスト
を剥離することによってインナーリード部においてリー
ド幅50μm、リード間隔50μmのリードを有する２層ＴＡ
Ｂテープを作製した。
【００１４】（工程２）工程１でえられた２層ＴＡＢテ
ープを、過硫安５０ｇ／ｌと硫酸２０ｇ／ｌとを含む溶
液に１５秒間浸漬し、水洗した後、１０体積％の塩酸溶
液に１分間浸漬し、水洗し、１０体積％の硫酸溶液に３
０秒間浸漬し、次いで水洗した。
ープを、過硫安５０ｇ／ｌと硫酸２０ｇ／ｌとを含む溶
液に１５秒間浸漬し、水洗した後、１０体積％の塩酸溶
液に１分間浸漬し、水洗し、１０体積％の硫酸溶液に３
０秒間浸漬し、次いで水洗した。
【００１５】（工程３）工程２の処理後、２５℃の奥野
製薬製 OPC-80キャタリストＭ溶液に３０秒間浸漬し、
２５℃の奥野製薬製 OPC-555 アクセレーター溶液に４
５秒間浸漬し、水洗した。
製薬製 OPC-80キャタリストＭ溶液に３０秒間浸漬し、
２５℃の奥野製薬製 OPC-555 アクセレーター溶液に４
５秒間浸漬し、水洗した。
【００１６】（工程４）工程３の処理後、得られたＴＡ
Ｂテープを２モル／ｌの水酸化カリウムと１０モル／ｌ
のヒドラジン−水和物を含む２５℃の水溶液に、激しく
攪拌しながら３０秒間浸漬し、次いで水洗し、次いで以
下に示す無電解ニッケルめっきを銅層に施した。
Ｂテープを２モル／ｌの水酸化カリウムと１０モル／ｌ
のヒドラジン−水和物を含む２５℃の水溶液に、激しく
攪拌しながら３０秒間浸漬し、次いで水洗し、次いで以
下に示す無電解ニッケルめっきを銅層に施した。
【００１７】 （液組成） NiSO4・6H2O ： 0.1M NaH2PO2・H2O ： 0.1M Glycine ： 0.3M
【００１８】 （めっき条件） 液温 ： 80℃ 時間 ： 5分 PH ： 9
【００１９】得られた無電解ニッケルの厚みは1.5μmで
あり、無電解ニッケルめっきは銅表面側にのみ形成さ
れ、ポリイミド樹脂表面には形成されなかった。
あり、無電解ニッケルめっきは銅表面側にのみ形成さ
れ、ポリイミド樹脂表面には形成されなかった。
【００２０】［実施例２］実施例１の工程４で用いる溶
液を０．５モル／ｌの水酸化ナトリウムと１モル／ｌの
ヒドラジン−水和物を含む８０℃の水溶液に、３０分間
浸漬する以外は実施例１と同様にして銅層に無電解ニッ
ケルめっきを施した２層ＴＡＢテープを得た。得られた
無電解ニッケルの厚みは1.5μmであり、無電解ニッケル
めっきは銅表面側にのみ形成され、ポリイミド樹脂表面
には形成されなかった。
液を０．５モル／ｌの水酸化ナトリウムと１モル／ｌの
ヒドラジン−水和物を含む８０℃の水溶液に、３０分間
浸漬する以外は実施例１と同様にして銅層に無電解ニッ
ケルめっきを施した２層ＴＡＢテープを得た。得られた
無電解ニッケルの厚みは1.5μmであり、無電解ニッケル
めっきは銅表面側にのみ形成され、ポリイミド樹脂表面
には形成されなかった。
【００２１】［実施例３］実施例１の工程４で用いる溶
液を５モル／ｌの水酸化カリウムと５モル／ｌの水酸化
ナトリウムと１５モル／ｌのヒドラジン−水和物を含む
２０℃の水溶液に、１０秒間浸漬する以外は実施例１と
同様にして銅層に無電解ニッケルめっきを施した２層Ｔ
ＡＢテープを得た。得られた無電解ニッケルの厚みは1.
5μmであり、無電解ニッケルめっきは銅表面側にのみ形
成され、ポリイミド樹脂表面には形成されなかった。
液を５モル／ｌの水酸化カリウムと５モル／ｌの水酸化
ナトリウムと１５モル／ｌのヒドラジン−水和物を含む
２０℃の水溶液に、１０秒間浸漬する以外は実施例１と
同様にして銅層に無電解ニッケルめっきを施した２層Ｔ
ＡＢテープを得た。得られた無電解ニッケルの厚みは1.
5μmであり、無電解ニッケルめっきは銅表面側にのみ形
成され、ポリイミド樹脂表面には形成されなかった。
【００２２】［比較例１］実施例１に示した工程２の処
理後、工程３、工程４は行わず、無電解ニッケルめっき
を施したが、銅表面、ポリイミド樹脂表面とも無電解ニ
ッケルめっき被膜は形成されなかった。
理後、工程３、工程４は行わず、無電解ニッケルめっき
を施したが、銅表面、ポリイミド樹脂表面とも無電解ニ
ッケルめっき被膜は形成されなかった。
【００２３】［比較例２］実施例１に示した工程４にお
いて、ポリイミド樹脂の溶解液として、2Mの水酸化カリ
ウムを用いた以外は実施例１と同様の手順で無電解ニッ
ケルめっきを行ったところ、銅表面、ポリイミド樹脂と
もに無電解ニッケルめっき被膜が析出した。
いて、ポリイミド樹脂の溶解液として、2Mの水酸化カリ
ウムを用いた以外は実施例１と同様の手順で無電解ニッ
ケルめっきを行ったところ、銅表面、ポリイミド樹脂と
もに無電解ニッケルめっき被膜が析出した。
【００２４】［比較例３］実施例１に示した工程４にお
いて、ポリイミド樹脂の溶解液として、10Mのヒドラジ
ン−水和物居て溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で無電解ニッケルめっきを行ったところ、銅表面およ
びポリイミド樹脂表面の一部に無電解ニッケルめっき被
膜が析出し、回路間の短絡が発生した。
いて、ポリイミド樹脂の溶解液として、10Mのヒドラジ
ン−水和物居て溶液を用いた以外は実施例１と同様の手
順で無電解ニッケルめっきを行ったところ、銅表面およ
びポリイミド樹脂表面の一部に無電解ニッケルめっき被
膜が析出し、回路間の短絡が発生した。
【００２５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、従来困難であっ
た絶縁体と銅層で形成された基板の銅層のみに無電解ニ
ッケルめっきを施すことが可能になり、複雑な形状を有
する銅回路上に金めっきを施す際の下地層として活用で
きる等、本発明によって高い信頼性をもった２層ＴＡＢ
等の高性能電子部品を提供することが可能となる。
た絶縁体と銅層で形成された基板の銅層のみに無電解ニ
ッケルめっきを施すことが可能になり、複雑な形状を有
する銅回路上に金めっきを施す際の下地層として活用で
きる等、本発明によって高い信頼性をもった２層ＴＡＢ
等の高性能電子部品を提供することが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁体上に形成された銅表面に無電解
ニッケルめっきを施す工程において、絶縁体表面および
銅表面を酸でエッチングし、触媒付与した後、選択的に
触媒が付与された絶縁体表面を溶解除去することを特徴
とする絶縁体表面に形成された銅表面への無電解ニッケ
ルめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3303891A JPH05121489A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 絶 縁 体 表 面 に 形 成 さ れ た 銅 表 面 へ の 無 電 解 ニ ツ ケ ル め つ き 方 法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3303891A JPH05121489A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 絶 縁 体 表 面 に 形 成 さ れ た 銅 表 面 へ の 無 電 解 ニ ツ ケ ル め つ き 方 法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121489A true JPH05121489A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17926511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3303891A Pending JPH05121489A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 絶 縁 体 表 面 に 形 成 さ れ た 銅 表 面 へ の 無 電 解 ニ ツ ケ ル め つ き 方 法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114150297A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-03-08 | 北京卫星制造厂有限公司 | 一种高体分铝基碳化硅复合材料表面化学镀镍方法 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP3303891A patent/JPH05121489A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114150297A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-03-08 | 北京卫星制造厂有限公司 | 一种高体分铝基碳化硅复合材料表面化学镀镍方法 |
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