JPH06216200A - ２ 層 ｔ ａ ｂ テ ー プ の 製 造 方 法 - Google Patents
２ 層 ｔ ａ ｂ テ ー プ の 製 造 方 法Info
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- JPH06216200A JPH06216200A JP1943493A JP1943493A JPH06216200A JP H06216200 A JPH06216200 A JP H06216200A JP 1943493 A JP1943493 A JP 1943493A JP 1943493 A JP1943493 A JP 1943493A JP H06216200 A JPH06216200 A JP H06216200A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁体のエッチング加工時の高加工精度
を維持しつつ低コスト化を可能とする２層ＴＡＢの製造
方法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体テープの全面に形成された金属層
の両平面に所望のテープ幅の金属層が確保されるように
テープの長さ方向に金属層の一部を溶解し、得た金属層
の一面をリード形成用金属層とし、対応する反対面を絶
縁体テープエッチングマスク用金属層として用いる。 【効果】 従来困難であった絶縁体部を微細にかつ
精度良く加工された２層ＴＡＢを、リールトゥリール法
等によって連続的に製造することが可能となった。
を維持しつつ低コスト化を可能とする２層ＴＡＢの製造
方法の提供を目的とする。 【構成】 絶縁体テープの全面に形成された金属層
の両平面に所望のテープ幅の金属層が確保されるように
テープの長さ方向に金属層の一部を溶解し、得た金属層
の一面をリード形成用金属層とし、対応する反対面を絶
縁体テープエッチングマスク用金属層として用いる。 【効果】 従来困難であった絶縁体部を微細にかつ
精度良く加工された２層ＴＡＢを、リールトゥリール法
等によって連続的に製造することが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２層ＴＡＢ製造時の基
板構成材料である絶縁体のエッチング法およびエッチン
グ精度の改良に関する。
板構成材料である絶縁体のエッチング法およびエッチン
グ精度の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）はリ
ードフレームとともにＩＣやＬＳＩの実装用フィルムキ
ャリアとして広く用いられている。このＴＡＢの一つに
いわゆる２層ＴＡＢがある。これはスパッタリング法、
蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき法等に
よりポリイミド樹脂等の絶縁体表面に直接銅層を形成し
た基板を用いて製造したものであり、電気的な信頼性が
高い。
ードフレームとともにＩＣやＬＳＩの実装用フィルムキ
ャリアとして広く用いられている。このＴＡＢの一つに
いわゆる２層ＴＡＢがある。これはスパッタリング法、
蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき法等に
よりポリイミド樹脂等の絶縁体表面に直接銅層を形成し
た基板を用いて製造したものであり、電気的な信頼性が
高い。
【０００３】近年この２層ＴＡＢに対してより配線の高
密度化、高加工精度化が求められると共に、より低価格
化が求められ、これらの要求を満たすべく種々の検討が
なされている。これらの問題を解決すべく本発明者は、
絶縁体の全面に金属層を形成し、一平面の金属層をセミ
アディティブ法によってリードを形成するための導通層
として用い、反対平面を絶縁体テープエッチング用マス
クとして用いる２層ＴＡＢの製造方法を提案した。
密度化、高加工精度化が求められると共に、より低価格
化が求められ、これらの要求を満たすべく種々の検討が
なされている。これらの問題を解決すべく本発明者は、
絶縁体の全面に金属層を形成し、一平面の金属層をセミ
アディティブ法によってリードを形成するための導通層
として用い、反対平面を絶縁体テープエッチング用マス
クとして用いる２層ＴＡＢの製造方法を提案した。
【０００４】上記提案方法は、例えばポリイミドフィル
ムの全面に金属層を形成した後、その金属層上にフォト
レジスト層を形成し、片面のフォトレジスト層上にリー
ド形成用のマスクを設け、他面のフォトレジスト層上に
ポリイミドフィルムエッチング用のマスクを設け、両面
同時に露光し、まずリード形成面のレジスト層を現像
し、露出した金属層に電気銅めっきを施すことによって
リードを形成し、リード形成面に残存するレジスト層を
剥離し、ポリイミドフィルム開孔面のレジスト層を現像
した後露出した両面の金属層を溶解除去することによ
り、リード間の絶縁性を保つと共にポリイミドフィルム
開孔用エッチングレジストを形成し、さらにポリイミド
フィルムをエッチングしデバイスホール、スプロケット
ホールおよびビアホール等を形成した後に該ポリイミド
フィルム開孔用エッチングレジストを除去して２層ＴＡ
Ｂを得るものである。
ムの全面に金属層を形成した後、その金属層上にフォト
レジスト層を形成し、片面のフォトレジスト層上にリー
ド形成用のマスクを設け、他面のフォトレジスト層上に
ポリイミドフィルムエッチング用のマスクを設け、両面
同時に露光し、まずリード形成面のレジスト層を現像
し、露出した金属層に電気銅めっきを施すことによって
リードを形成し、リード形成面に残存するレジスト層を
剥離し、ポリイミドフィルム開孔面のレジスト層を現像
した後露出した両面の金属層を溶解除去することによ
り、リード間の絶縁性を保つと共にポリイミドフィルム
開孔用エッチングレジストを形成し、さらにポリイミド
フィルムをエッチングしデバイスホール、スプロケット
ホールおよびビアホール等を形成した後に該ポリイミド
フィルム開孔用エッチングレジストを除去して２層ＴＡ
Ｂを得るものである。
【０００５】この方法は確かに従来のゴム系レジストを
用いてポリイミドフィルムを加工して２層ＴＡＢ得る方
法より微細にかつより高加工精度でポリイミドフィルム
を加工することを可能とした。そして、絶縁体の全面に
金属層を設けることにより基板作成時の手間の省略より
コストダウンにも一応の効果を上げた。しかしながら、
この程度のコストダウンでは上記要求を満たすには必ず
しも十分なものとなっていない。
用いてポリイミドフィルムを加工して２層ＴＡＢ得る方
法より微細にかつより高加工精度でポリイミドフィルム
を加工することを可能とした。そして、絶縁体の全面に
金属層を設けることにより基板作成時の手間の省略より
コストダウンにも一応の効果を上げた。しかしながら、
この程度のコストダウンでは上記要求を満たすには必ず
しも十分なものとなっていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、絶縁体のエ
ッチング加工時の高加工精度を維持しつつ低コスト化を
可能とする２層ＴＡＢの製造方法の提供を目的とする。
ッチング加工時の高加工精度を維持しつつ低コスト化を
可能とする２層ＴＡＢの製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、リール・ト
ウ・リール方式等の連続方法で２層ＴＡＢを製造するに
際し、絶縁体テープ表面全面に金属層を形成した後、リ
ード形成面とポリイミド開孔面の金属層の導通を切断す
れば、金属層上に形成したフォトレジスト層を両面同時
に現像し、なおかつリード形成のために行う電気銅めっ
きの際にめっき液中にポリイミド開孔面の金属層が露出
しても電気銅めっきが形成されないことを見いだし本発
明を完成させるに至った。
ウ・リール方式等の連続方法で２層ＴＡＢを製造するに
際し、絶縁体テープ表面全面に金属層を形成した後、リ
ード形成面とポリイミド開孔面の金属層の導通を切断す
れば、金属層上に形成したフォトレジスト層を両面同時
に現像し、なおかつリード形成のために行う電気銅めっ
きの際にめっき液中にポリイミド開孔面の金属層が露出
しても電気銅めっきが形成されないことを見いだし本発
明を完成させるに至った。
【０００８】即ち、上記課題を解決するための本発明の
方法は、絶縁体テープ全面に金属層を設けて基板を作成
し、得た基板の金属層表面にレジスト層を形成し、その
後両面のレジスト層にマスクを設け、露光し、現像し、
露出した金属層を溶解除去し、残存するレジスト層を除
去して片面に所望の幅のリード形成用金属層を設け、反
対面に所望の幅の絶縁体テープ開孔用金属層を相互に電
気的に絶縁状態となるように形成し、次いでリード形成
面と絶縁体テープ開孔面上にレジスト層を設け、各面に
それぞれ所望のマスクを設けて両面同時に露光し、両面
同時に現像して各パターンを形成し、リード形成面に露
出した金属層上に電気めっきを施してリードを形成し、
絶縁体テープ開孔面に露出した金属層を溶解除去し、両
面のレジスト層を同時に除去し、次いで絶縁体テープ開
孔面に形成された金属層をエッチングマスクとして絶縁
体テープの所定部を溶解除去し、その後エッチングマス
クとして用いた金属層とリード形成面の金属層とを同時
に溶解除去するものである。
方法は、絶縁体テープ全面に金属層を設けて基板を作成
し、得た基板の金属層表面にレジスト層を形成し、その
後両面のレジスト層にマスクを設け、露光し、現像し、
露出した金属層を溶解除去し、残存するレジスト層を除
去して片面に所望の幅のリード形成用金属層を設け、反
対面に所望の幅の絶縁体テープ開孔用金属層を相互に電
気的に絶縁状態となるように形成し、次いでリード形成
面と絶縁体テープ開孔面上にレジスト層を設け、各面に
それぞれ所望のマスクを設けて両面同時に露光し、両面
同時に現像して各パターンを形成し、リード形成面に露
出した金属層上に電気めっきを施してリードを形成し、
絶縁体テープ開孔面に露出した金属層を溶解除去し、両
面のレジスト層を同時に除去し、次いで絶縁体テープ開
孔面に形成された金属層をエッチングマスクとして絶縁
体テープの所定部を溶解除去し、その後エッチングマス
クとして用いた金属層とリード形成面の金属層とを同時
に溶解除去するものである。
【０００９】本発明に用いる基板として、絶縁体テープ
としては化学的安定性、機械的強度、電気特性等よりポ
リイミドフィルムが好ましい。また、金属層としては電
気特性、絶縁体テープとの密着強度、無電解めっきの容
易性、経済性等より銅、ニッケル、コバルト、あるいは
これらの金属の合金が好ましく、リードは要求される電
気特性より銅とすることが好ましい。
としては化学的安定性、機械的強度、電気特性等よりポ
リイミドフィルムが好ましい。また、金属層としては電
気特性、絶縁体テープとの密着強度、無電解めっきの容
易性、経済性等より銅、ニッケル、コバルト、あるいは
これらの金属の合金が好ましく、リードは要求される電
気特性より銅とすることが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明の目的である低コスト化を達成するため
にはリールトゥリール等の連続法により２層ＴＡＢを生
産することが最適である。しかし、上記従来法に従え
ば、絶縁体テープ全面に金属層を形成し、これの金属層
の一面をセミアディティブ法によるリード形成のための
導通層とし、他面を絶縁体テープエッチング用マスクと
て用いる場合、両面の導通により金属層上に形成された
レジスト層の現像および剥離を両面同時に行うことがで
きない。と言うのは、上記レジスト層の現像を両面同時
に行った場合、リード形成のために行う電気めっき時に
絶縁体テープ開孔面に形成された金属層の露出している
部分、即ち、デバイスホール、スプロケットホールおよ
びビアホール等を形成するために絶縁体テープのエッチ
ングの前に溶解除去されなければならない部分の金属層
上にも電気銅めっき層が形成されてしまうからである。
本発明において、まず上記金属層のリード形成面側と絶
縁体テープ開孔面側の導通を断絶するのは、この欠点を
解消し、レジスト層の両面同時現像、同時剥離を可能と
し、工程短縮を図り、もって低コスト化を達成するため
である。
にはリールトゥリール等の連続法により２層ＴＡＢを生
産することが最適である。しかし、上記従来法に従え
ば、絶縁体テープ全面に金属層を形成し、これの金属層
の一面をセミアディティブ法によるリード形成のための
導通層とし、他面を絶縁体テープエッチング用マスクと
て用いる場合、両面の導通により金属層上に形成された
レジスト層の現像および剥離を両面同時に行うことがで
きない。と言うのは、上記レジスト層の現像を両面同時
に行った場合、リード形成のために行う電気めっき時に
絶縁体テープ開孔面に形成された金属層の露出している
部分、即ち、デバイスホール、スプロケットホールおよ
びビアホール等を形成するために絶縁体テープのエッチ
ングの前に溶解除去されなければならない部分の金属層
上にも電気銅めっき層が形成されてしまうからである。
本発明において、まず上記金属層のリード形成面側と絶
縁体テープ開孔面側の導通を断絶するのは、この欠点を
解消し、レジスト層の両面同時現像、同時剥離を可能と
し、工程短縮を図り、もって低コスト化を達成するため
である。
【００１１】本発明では絶縁体テープの両面に形成され
た金属層の一部を所望の幅の金属層が確保されるように
絶縁体テープの長さ方向に溶解する。これにより絶縁体
テープの両面に相互に電気的に絶縁された金属層を確保
する。この結果、絶縁体テープをエッチングする工程で
ＴＡＢパターン以外に上記金属層を溶解除去した部分も
溶解除去されることになる。この点は、例えば絶縁体テ
ープに複数列のＴＡＢパターンを設ける場合には、基板
に単列あるいは複数列形成されたＴＡＢを所望の幅を確
保しながら分断する処理をＴＡＢパターン形成のための
絶縁体の溶解除去と同時にできるという利点となる。
た金属層の一部を所望の幅の金属層が確保されるように
絶縁体テープの長さ方向に溶解する。これにより絶縁体
テープの両面に相互に電気的に絶縁された金属層を確保
する。この結果、絶縁体テープをエッチングする工程で
ＴＡＢパターン以外に上記金属層を溶解除去した部分も
溶解除去されることになる。この点は、例えば絶縁体テ
ープに複数列のＴＡＢパターンを設ける場合には、基板
に単列あるいは複数列形成されたＴＡＢを所望の幅を確
保しながら分断する処理をＴＡＢパターン形成のための
絶縁体の溶解除去と同時にできるという利点となる。
【００１２】本発明で行う絶縁体表面に形成した金属層
の面間の絶縁方法は特に限定されない。例えば、絶縁体
テープ表面全面に金属層を形成した後、フォトリソグラ
フィー等の手法を用いて金属層の一部をエッチングする
ことによって行うこともできる。
の面間の絶縁方法は特に限定されない。例えば、絶縁体
テープ表面全面に金属層を形成した後、フォトリソグラ
フィー等の手法を用いて金属層の一部をエッチングする
ことによって行うこともできる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる （実施例）長さ100ｍ、幅150mmの東レ・デュポン社製ポ
リイミド樹脂「Kapton 200H」の全面を25℃の30体積％
ヒドラジン一水和物水溶液に２分間浸漬し、水洗した
後、奥野製薬製「OPC-80 キャタリスト M」を用い25℃で５分
間触媒付与を行った後水洗し、奥野製薬製「OPC-555 アク
セレーター」を用い25℃で７分間促進化処理を行い水洗し
た。その後以下に示す条件でポリイミド樹脂全面に無電
解銅めっきを施した。その後得られた基板の銅表面に以
下に示す条件で電気銅めっきを行い、ポリイミド樹脂全
面に厚さ 1 μmの銅被膜を形成して基板を得た。
リイミド樹脂「Kapton 200H」の全面を25℃の30体積％
ヒドラジン一水和物水溶液に２分間浸漬し、水洗した
後、奥野製薬製「OPC-80 キャタリスト M」を用い25℃で５分
間触媒付与を行った後水洗し、奥野製薬製「OPC-555 アク
セレーター」を用い25℃で７分間促進化処理を行い水洗し
た。その後以下に示す条件でポリイミド樹脂全面に無電
解銅めっきを施した。その後得られた基板の銅表面に以
下に示す条件で電気銅めっきを行い、ポリイミド樹脂全
面に厚さ 1 μmの銅被膜を形成して基板を得た。
【００１４】 （無電解銅めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 10 g/l EDTA・2Na ： 30 g/l 37%HCHO ： 5 ml/l PEG#1000 ： 0.5 g/l 2,2'-ヒ゛ヒ゜リシ゛ル ： 10 mg/l
【００１５】 （無電解銅めっき条件） 温 度 ： 65 ℃ 時 間 ： 10 分 攪はん ： 空気で攪はん ｐＨ ： 12.5 （NaOH で調節）
【００１６】 （電気銅めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 80 g/l H2SO4 ： 180 g/l
【００１７】 （電気銅めっき条件） 陰極電流密度 ： 3 A/dm2 温 度 ： 25 ℃ 陽 極 ： 含りん銅 攪 は ん ： 空気および カソードロッカー 時 間 ： 2 分
【００１８】その後東京応化工業社製ネガ型フォトレジ
スト「PMER HC-600」を、基板の銅被膜表面に厚さ３μm
になるように均一に塗布した後70℃で30分間乾燥した。
その後両面のレジスト層に幅方向に、その中央部に、幅
35mm、長さ100ｍの露光部が幅１mmの未露光部を介して
４列できるようなマスクをセットし、50mJ/cm2の紫外線
を照射して露光し、次いでレジスト層の現像を行った。
その後基板を25℃の200g/l塩化第２鉄水溶液に30秒間浸
漬し、露出した銅被膜を溶解除去してリード形成面とポ
リイミド樹脂開孔面の各金属層間の絶縁を確保した。そ
の後、基板上のレジスト層を剥離した。
スト「PMER HC-600」を、基板の銅被膜表面に厚さ３μm
になるように均一に塗布した後70℃で30分間乾燥した。
その後両面のレジスト層に幅方向に、その中央部に、幅
35mm、長さ100ｍの露光部が幅１mmの未露光部を介して
４列できるようなマスクをセットし、50mJ/cm2の紫外線
を照射して露光し、次いでレジスト層の現像を行った。
その後基板を25℃の200g/l塩化第２鉄水溶液に30秒間浸
漬し、露出した銅被膜を溶解除去してリード形成面とポ
リイミド樹脂開孔面の各金属層間の絶縁を確保した。そ
の後、基板上のレジスト層を剥離した。
【００１９】次いで「PMER HC-600」を45μｍの厚さに
リード形成面に、また厚さ３μｍにポリイミド樹脂開孔
面に均一に塗布し70℃で30分間乾燥した。その後リード
形成面の「PMER HC-600」層表面には、インナーリード
部において幅40μｍ、間隔40μｍのリードを有した幅35
mmのＴＡＢが１mmの間隔で長さ方向に連続的に形成され
るようなマスクを、またポリイミド樹脂開孔面の「PMER
HC-600」層表面にはデバイスホール、スプロケットホ
ールおよび外径120μｍのビアホールが100個有した幅35
mmのＴＡＢが１mm間隔で長さ方向に連続的に形成される
ようなマスクをセットし、両面のマスクの位置あわせを
行った後、リード形成面の「PMER HC-600」層には800mJ
/cm2、またポリイミド樹脂開孔面の「PMER HC-600」層
には50mJ/cm2 の紫外線を照射した後レジスト層の現像
を両面同時に行った。その後以下に示した条件でリード
形成面側に露出した銅表面に電気銅めっきを行いリード
を形成した。
リード形成面に、また厚さ３μｍにポリイミド樹脂開孔
面に均一に塗布し70℃で30分間乾燥した。その後リード
形成面の「PMER HC-600」層表面には、インナーリード
部において幅40μｍ、間隔40μｍのリードを有した幅35
mmのＴＡＢが１mmの間隔で長さ方向に連続的に形成され
るようなマスクを、またポリイミド樹脂開孔面の「PMER
HC-600」層表面にはデバイスホール、スプロケットホ
ールおよび外径120μｍのビアホールが100個有した幅35
mmのＴＡＢが１mm間隔で長さ方向に連続的に形成される
ようなマスクをセットし、両面のマスクの位置あわせを
行った後、リード形成面の「PMER HC-600」層には800mJ
/cm2、またポリイミド樹脂開孔面の「PMER HC-600」層
には50mJ/cm2 の紫外線を照射した後レジスト層の現像
を両面同時に行った。その後以下に示した条件でリード
形成面側に露出した銅表面に電気銅めっきを行いリード
を形成した。
【００２０】 （電気銅めっき液の組成） CuSO4・5H2O ： 80 g/l H2SO4 ： 180 g/l
【００２１】 （電気銅めっき条件） 陰極電流密度 ： 3 A/dm2 温 度 ： 25 ℃ 陽 極 ： 含りん銅 攪 は ん ： 空気および カソードロッカー 時 間 ： 1 時間
【００２２】上記電気銅めっきの際、ポリイミド樹脂開
孔面側に露出した銅被膜には電気銅めっきは形成されな
かった。その後基板を200g/lの塩化第２鉄水溶液に25℃
で30秒間浸漬しポリイミド樹脂開孔面側に露出した銅被
膜を溶解除去した。その後「PMER HC-600」層の剥離処
理を両面同時に行い、基板をヒドラジン一水和物に50℃
で５分間浸漬し、露出した部分のポリイミド樹脂を溶解
し、デバイスホール、スプロケットホールおよびビアホ
ールを形成した。また上記処理により、基板は幅150mm
から幅35mmの４列に分断された。
孔面側に露出した銅被膜には電気銅めっきは形成されな
かった。その後基板を200g/lの塩化第２鉄水溶液に25℃
で30秒間浸漬しポリイミド樹脂開孔面側に露出した銅被
膜を溶解除去した。その後「PMER HC-600」層の剥離処
理を両面同時に行い、基板をヒドラジン一水和物に50℃
で５分間浸漬し、露出した部分のポリイミド樹脂を溶解
し、デバイスホール、スプロケットホールおよびビアホ
ールを形成した。また上記処理により、基板は幅150mm
から幅35mmの４列に分断された。
【００２３】その後ポリイミド樹脂開孔面の銅被膜とリ
ード間に残留する銅被膜とを溶解するために、各基板を
25℃の200 g/l塩化第２鉄水溶液に30秒間浸漬した。こ
れによりリード間の絶縁が確保でき、幅 35 mm の２層
ＴＡＢを４列得ることができた。以上述べた処理はすべ
てリールトゥリール法による連続処理で行うことができ
た。得られた２層ＴＡＢのビアホールの外径を測定した
ところ、最大で 124μm、最小で 118 μm、平均 123 μ
mでありこれは要求される寸法精度を充分満足するもの
である。
ード間に残留する銅被膜とを溶解するために、各基板を
25℃の200 g/l塩化第２鉄水溶液に30秒間浸漬した。こ
れによりリード間の絶縁が確保でき、幅 35 mm の２層
ＴＡＢを４列得ることができた。以上述べた処理はすべ
てリールトゥリール法による連続処理で行うことができ
た。得られた２層ＴＡＢのビアホールの外径を測定した
ところ、最大で 124μm、最小で 118 μm、平均 123 μ
mでありこれは要求される寸法精度を充分満足するもの
である。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、従来困難であった絶縁
体部を微細にかつ精度良く加工された２層ＴＡＢを、リ
ールトゥリール法等によって連続的に製造することが可
能となり、生産性、経済性に優れるばかりでなく、本発
明で得られたＴＡＢを用いることによってより高密度な
ＴＡＢ実装を高い信頼性で行うことが可能となる。また
本発明は２層ＴＡＢ以外の製品に対しても応用が可能で
あり、その波及効果は極めて大きい。
体部を微細にかつ精度良く加工された２層ＴＡＢを、リ
ールトゥリール法等によって連続的に製造することが可
能となり、生産性、経済性に優れるばかりでなく、本発
明で得られたＴＡＢを用いることによってより高密度な
ＴＡＢ実装を高い信頼性で行うことが可能となる。また
本発明は２層ＴＡＢ以外の製品に対しても応用が可能で
あり、その波及効果は極めて大きい。
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁体テープ全面に金属層を設けた基板を
用いてリール・トウ・リール方式等の連続方法で２層Ｔ
ＡＢを製造するに際し、絶縁体テープの全面に形成され
た金属層の両平面に所望のテープ幅の金属層が確保され
るようにテープの長さ方向に金属層の一部を溶解し、得
た金属層の一面をリード形成用金属層とし、対応する反
対面を絶縁体テープエッチングマスク用金属層として用
いることを特徴とする２層ＴＡＢテープの製造方法。 - 【請求項２】リール・トウ・リール方式等の連続方法で
２層ＴＡＢを製造するに際し、絶縁体テープ全面に金属
層を設けて基板を作成し、得た基板の金属層表面にレジ
スト層を形成し、その後両面のレジスト層にマスクを設
け、露光し、現像し、露出した金属層を溶解除去し、残
存するレジスト層を除去して片面に所望の幅のリード形
成用金属層を設け、反対面に所望の幅の絶縁体テープ開
孔用金属層を相互に電気的に絶縁状態となるように形成
し、次いでリード形成面と絶縁体テープ開孔面上にレジ
スト層を設け、各面にそれぞれ所望のマスクを設けて両
面同時に露光し、両面同時に現像して各パターンを形成
し、リード形成面に露出した金属層上に電気めっきを施
してリードを形成し、絶縁体テープ開孔面に露出した金
属層を溶解除去し、両面のレジスト層を同時に除去し、
次いで絶縁体テープ開孔面に形成された金属層をエッチ
ングマスクとして絶縁体テープの所定部を溶解除去し、
その後エッチングマスクとして用いた金属層とリード形
成面の金属層とを同時に溶解除去することを特徴とする
２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項３】絶縁体テープがポリイミド樹脂であること
を特徴とする請求項１または２記載の２層ＴＡＢの製造
方法。 - 【請求項４】金属層が銅、ニッケル、コバルト、あるい
はこれらの金属の合金であることを特徴とする請求項１
〜３記載のいずれかの２層ＴＡＢの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1943493A JPH06216200A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | ２ 層 ｔ ａ ｂ テ ー プ の 製 造 方 法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1943493A JPH06216200A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | ２ 層 ｔ ａ ｂ テ ー プ の 製 造 方 法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216200A true JPH06216200A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11999186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1943493A Pending JPH06216200A (ja) | 1993-01-13 | 1993-01-13 | ２ 層 ｔ ａ ｂ テ ー プ の 製 造 方 法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216200A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246732A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-13 JP JP1943493A patent/JPH06216200A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246732A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
| JP4570799B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-10-27 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
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