JPH05175283A - ２層ｔａｂのリード形成法およびこれに使用するためのフォトマスク - Google Patents
２層ｔａｂのリード形成法およびこれに使用するためのフォトマスクInfo
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- JPH05175283A JPH05175283A JP35516391A JP35516391A JPH05175283A JP H05175283 A JPH05175283 A JP H05175283A JP 35516391 A JP35516391 A JP 35516391A JP 35516391 A JP35516391 A JP 35516391A JP H05175283 A JPH05175283 A JP H05175283A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 厚さのバラツキの少ないリードを得ることの
できるような２層ＴＡＢのリード形成法およびこれに用
いるためのフォトマスクを提供する。 【構成】 表面に接着剤によらず直接金属層が設けられ
た絶縁体を基板とし、該基板の金属層表面に感光性レジ
スト層を設け、該レジスト層にフォトマスクを密接させ
て露光および現像を行なうフォトリソグラフィック手法
によってレジストパターンを形成し、これによって生ず
る金属層露出面に電気めっき法によってめっき金属を電
着してリードを形成するに際し、レジストパターンの形
成によって生ずる金属層の露出部が所定のリード形成部
のほかリード先端部より内部で且つ該先端部より１ｍｍ
以下の位置から爾後の処理によって得られるデバイスホ
ール形成部の中心方向にかけての領域に生ずるようなフ
ォトマスクを使用してレジストパターンの形成を行なっ
た後、該金属層露出部に電気めっきによる金属の電着を
行なう。
できるような２層ＴＡＢのリード形成法およびこれに用
いるためのフォトマスクを提供する。 【構成】 表面に接着剤によらず直接金属層が設けられ
た絶縁体を基板とし、該基板の金属層表面に感光性レジ
スト層を設け、該レジスト層にフォトマスクを密接させ
て露光および現像を行なうフォトリソグラフィック手法
によってレジストパターンを形成し、これによって生ず
る金属層露出面に電気めっき法によってめっき金属を電
着してリードを形成するに際し、レジストパターンの形
成によって生ずる金属層の露出部が所定のリード形成部
のほかリード先端部より内部で且つ該先端部より１ｍｍ
以下の位置から爾後の処理によって得られるデバイスホ
ール形成部の中心方向にかけての領域に生ずるようなフ
ォトマスクを使用してレジストパターンの形成を行なっ
た後、該金属層露出部に電気めっきによる金属の電着を
行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁体上面に接着剤を用
いずに直接金属層を形成した基板を用いて２層ＴＡＢを
製造する工程において、基板の金属層面にフォトリソグ
ラフィックな手法によってパターニング処理を行なった
後、電気めっき法によってリードの形成を行なった場合
に生ずるリード厚みのバラツキを改善する方法およびそ
のために使用するフォトマスクに関するものである。
いずに直接金属層を形成した基板を用いて２層ＴＡＢを
製造する工程において、基板の金属層面にフォトリソグ
ラフィックな手法によってパターニング処理を行なった
後、電気めっき法によってリードの形成を行なった場合
に生ずるリード厚みのバラツキを改善する方法およびそ
のために使用するフォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢはリードフレームとともにＩＣや
ＬＳＩの素子ボンディング実装に際して広く用いられて
いる。従来、ＴＡＢはポリイミド樹脂等の絶縁体に接着
剤を用いて銅箔を貼り合わせた基板を用いた製造する３
層ＴＡＢが主流であった。しかし、この３層ＴＡＢは最
近の電子部品の高密度化に伴う高密度配線化の要求を満
たすには不十分であった。その理由は、３層ＴＡＢはそ
の製造工程中において接着剤層に不純物が吸着されやす
く、高密度配線化の要求を満たすためにリード間隔を狭
めると該不純物の存在によりリード間の電気絶縁性が低
下したり、ボンディングの際に接着剤層が軟化または硬
化してずれを生ずるという問題を生ずるからである。上
記問題点を解決するものとしてポリイミド樹脂上に接着
剤を施すことなく、スパッタリング、蒸着、イオンプレ
ーティング、無電解めっき等によって直接金属層を形成
した基板を用いてＴＡＢを製造する所謂２層ＴＡＢの開
発が行なわれている。
ＬＳＩの素子ボンディング実装に際して広く用いられて
いる。従来、ＴＡＢはポリイミド樹脂等の絶縁体に接着
剤を用いて銅箔を貼り合わせた基板を用いた製造する３
層ＴＡＢが主流であった。しかし、この３層ＴＡＢは最
近の電子部品の高密度化に伴う高密度配線化の要求を満
たすには不十分であった。その理由は、３層ＴＡＢはそ
の製造工程中において接着剤層に不純物が吸着されやす
く、高密度配線化の要求を満たすためにリード間隔を狭
めると該不純物の存在によりリード間の電気絶縁性が低
下したり、ボンディングの際に接着剤層が軟化または硬
化してずれを生ずるという問題を生ずるからである。上
記問題点を解決するものとしてポリイミド樹脂上に接着
剤を施すことなく、スパッタリング、蒸着、イオンプレ
ーティング、無電解めっき等によって直接金属層を形成
した基板を用いてＴＡＢを製造する所謂２層ＴＡＢの開
発が行なわれている。
【０００３】例えば、ポリイミド樹脂基板の片面に直接
形成法によって厚さ１μｍ程度の銅皮膜を形成した基板
を用いて２層ＴＡＢを得るための製造方法は、該基板の
銅皮膜を下地銅層としてこの表面に所望のリード厚さ以
上の厚さに感光性レジスト層を形成し、該レジスト層に
所望のリードパターンが得られるようにマスキングを施
した後露光および現像する所謂フォトリソグラフィック
手法によるパターニング処理を施し、これによって露出
した下地銅層を陰極として電気銅めっきを施してパター
ン化された複数本の銅リードを所望の厚みに形成し、そ
の後残留するレジスト層を除去した後、さらにこれによ
って露出した下地銅層を溶解除去してさきに形成した複
数本の銅リードをそれぞれ電気的に独立した状態にし、
一方基板のリード形成面とは反対面のポリイミド樹脂側
にも感光性レジスト層を形成して前記とほぼ同様なパタ
ーニング処理を行なって所定のホールパターンを形成
し、これによって生じたポリイミド樹脂の露出部分を溶
解除去することにより、ＩＣやＬＳＩの素子とボンディ
ングさせるためリードの先端部を露出させた形状を有す
るデバイスホールや連続ボンディングに際して基板を送
るためのスプロケットホールなどのホール部の形成を行
なう。
形成法によって厚さ１μｍ程度の銅皮膜を形成した基板
を用いて２層ＴＡＢを得るための製造方法は、該基板の
銅皮膜を下地銅層としてこの表面に所望のリード厚さ以
上の厚さに感光性レジスト層を形成し、該レジスト層に
所望のリードパターンが得られるようにマスキングを施
した後露光および現像する所謂フォトリソグラフィック
手法によるパターニング処理を施し、これによって露出
した下地銅層を陰極として電気銅めっきを施してパター
ン化された複数本の銅リードを所望の厚みに形成し、そ
の後残留するレジスト層を除去した後、さらにこれによ
って露出した下地銅層を溶解除去してさきに形成した複
数本の銅リードをそれぞれ電気的に独立した状態にし、
一方基板のリード形成面とは反対面のポリイミド樹脂側
にも感光性レジスト層を形成して前記とほぼ同様なパタ
ーニング処理を行なって所定のホールパターンを形成
し、これによって生じたポリイミド樹脂の露出部分を溶
解除去することにより、ＩＣやＬＳＩの素子とボンディ
ングさせるためリードの先端部を露出させた形状を有す
るデバイスホールや連続ボンディングに際して基板を送
るためのスプロケットホールなどのホール部の形成を行
なう。
【０００４】一般的に上記の２層ＴＡＢの製造において
使用されるフォトマスクにはガラスや透光性フィルムに
銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けしたり蒸着
して露光パターンを形成したものが使用され、感光性レ
ジストがネガ型であるかポジ型であるかによって露光パ
ターンは反転させたものが用いられる。
使用されるフォトマスクにはガラスや透光性フィルムに
銀等を含む乳剤やクロム等の金属を焼き付けしたり蒸着
して露光パターンを形成したものが使用され、感光性レ
ジストがネガ型であるかポジ型であるかによって露光パ
ターンは反転させたものが用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法によって得
られた２層ＴＡＢは、銅層とポリイミド樹脂との間に接
着剤層が存在せず、従ってリード間の電気絶縁性に優れ
ているために高密度配線が可能となる。しかしながら得
られた２層ＴＡＢのリードを含む銅層は往々にしてその
厚さにバラツキを生じ、特にインナーリード（一般にリ
ードのうち基板の中心方向、即ち内部方向の部分をイン
ナーリードと称し、リードの基部、即ち基板の外側方向
の部分をアウターリードと称する）とその他の部分とで
は銅層の厚みが著しく異なるためにボンディングに際し
てボンディングずれが生じたりして電気的な信頼性に欠
けるという欠点がある。これは、パターニング処理によ
って露出した金属層に電気めっきを行なう場合に特にイ
ンナーリード先端部付近には電気力線が集中しやすいた
めであり、インナーリード先端部とリード基部との間で
はその厚みに４０％以上の差を生ずることさえある。
られた２層ＴＡＢは、銅層とポリイミド樹脂との間に接
着剤層が存在せず、従ってリード間の電気絶縁性に優れ
ているために高密度配線が可能となる。しかしながら得
られた２層ＴＡＢのリードを含む銅層は往々にしてその
厚さにバラツキを生じ、特にインナーリード（一般にリ
ードのうち基板の中心方向、即ち内部方向の部分をイン
ナーリードと称し、リードの基部、即ち基板の外側方向
の部分をアウターリードと称する）とその他の部分とで
は銅層の厚みが著しく異なるためにボンディングに際し
てボンディングずれが生じたりして電気的な信頼性に欠
けるという欠点がある。これは、パターニング処理によ
って露出した金属層に電気めっきを行なう場合に特にイ
ンナーリード先端部付近には電気力線が集中しやすいた
めであり、インナーリード先端部とリード基部との間で
はその厚みに４０％以上の差を生ずることさえある。
【０００６】本発明は接着剤を用いることなく絶縁体表
面に直接金属層を形成した基板を用いて上記した方法、
即ち、基板の金属層面にフォトリソグラフィック手法に
よるパターニング処理を行なってリード形成を行なうに
際しての上記の問題点を解決し、厚さのバラツキの少な
いリードを得ることのできるような２層ＴＡＢの製造方
法および該方法に用いるためのフォトマスクを提供する
ことを目的とするものである。
面に直接金属層を形成した基板を用いて上記した方法、
即ち、基板の金属層面にフォトリソグラフィック手法に
よるパターニング処理を行なってリード形成を行なうに
際しての上記の問題点を解決し、厚さのバラツキの少な
いリードを得ることのできるような２層ＴＡＢの製造方
法および該方法に用いるためのフォトマスクを提供する
ことを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、表面に金属層が設けられた絶縁体を基板
とし、該基板の金属層表面に感光性レジスト層を設け、
該レジスト層にフォトマスクを密接させて露光および現
像を行なうフォトリソグラフィック手法によってレジス
トパターンを形成し、これによって生ずる金属層露出面
に電気めっきによりめっき金属を電着してリードを形成
するに際し、レジストパターンの形成によって生ずる金
属層の露出部が所定のリード形成部のほかリード先端部
より内部で且つ該先端部より１ｍｍ以下の位置から爾後
の処理によって得られるデバイスホール形成部の中心方
向にかけての領域に生ずるようなフォトマスクを使用し
てレジストパターンの形成を行なった後、該金属層露出
部に電気めっきによる金属の電着を行なうことを特徴と
する２層ＴＡＢのリード形成法およびこれに使用するた
めのフォトマスクである。
めの本発明は、表面に金属層が設けられた絶縁体を基板
とし、該基板の金属層表面に感光性レジスト層を設け、
該レジスト層にフォトマスクを密接させて露光および現
像を行なうフォトリソグラフィック手法によってレジス
トパターンを形成し、これによって生ずる金属層露出面
に電気めっきによりめっき金属を電着してリードを形成
するに際し、レジストパターンの形成によって生ずる金
属層の露出部が所定のリード形成部のほかリード先端部
より内部で且つ該先端部より１ｍｍ以下の位置から爾後
の処理によって得られるデバイスホール形成部の中心方
向にかけての領域に生ずるようなフォトマスクを使用し
てレジストパターンの形成を行なった後、該金属層露出
部に電気めっきによる金属の電着を行なうことを特徴と
する２層ＴＡＢのリード形成法およびこれに使用するた
めのフォトマスクである。
【０００８】
【作用】本発明は上記したように２層ＴＡＢにおけるリ
ード形成時の電気めっきにおいて、基板におけるリード
先端部より内側方向における所定部分にダミーの電着領
域を設けることによってリード先端部に対する電気力線
の集中を避け、これによって先端部と他の部分とにおけ
る電着めっき皮膜の厚さのバラツキを解消させようとす
るものである。
ード形成時の電気めっきにおいて、基板におけるリード
先端部より内側方向における所定部分にダミーの電着領
域を設けることによってリード先端部に対する電気力線
の集中を避け、これによって先端部と他の部分とにおけ
る電着めっき皮膜の厚さのバラツキを解消させようとす
るものである。
【０００９】図面は本発明の方法を実施するためのフォ
トマスクの一例を示すものであり、図１は基板表面側、
即ちリード形成側に施されるフォトマスクを、図２は裏
面側に施されるフォトマスクを示す。図において１はダ
ミー電着領域、２はリード、３はスプロケットホール、
４はデバイスホールの各パターンを示すものであり、図
１中に示される黒色部分はパターニング処理によって金
属層が露出する部分である。なお図１中斜線で示す部分
は引出し線を明瞭化するために絶縁体の断面部をもって
示したものである。また同様の目的で一部のインナーリ
ードも省略してある。さらに図２中の黒色部分はパター
ニング処理によって絶縁体層が露出する部分である。
トマスクの一例を示すものであり、図１は基板表面側、
即ちリード形成側に施されるフォトマスクを、図２は裏
面側に施されるフォトマスクを示す。図において１はダ
ミー電着領域、２はリード、３はスプロケットホール、
４はデバイスホールの各パターンを示すものであり、図
１中に示される黒色部分はパターニング処理によって金
属層が露出する部分である。なお図１中斜線で示す部分
は引出し線を明瞭化するために絶縁体の断面部をもって
示したものである。また同様の目的で一部のインナーリ
ードも省略してある。さらに図２中の黒色部分はパター
ニング処理によって絶縁体層が露出する部分である。
【００１０】本発明においては上面に直接金属層を形成
した絶縁体基板の金属層上に感光性レジストを形成した
後、上記したようなダミー電着領域を有するフォトマス
クを使用してフォトリソグラフィック手法によるパター
ニング処理を施すことによってリードの形成を行ない、
しかる後、裏面にも同様な手法によるパターニング処理
を行なって絶縁体層の所定部分を部分的に露出させ、該
露出部分の溶解によるデバイスホール、スプロケットホ
ール等の所定のホール部の形成を行なうことによって２
層ＴＡＢの製造が行なわれる。
した絶縁体基板の金属層上に感光性レジストを形成した
後、上記したようなダミー電着領域を有するフォトマス
クを使用してフォトリソグラフィック手法によるパター
ニング処理を施すことによってリードの形成を行ない、
しかる後、裏面にも同様な手法によるパターニング処理
を行なって絶縁体層の所定部分を部分的に露出させ、該
露出部分の溶解によるデバイスホール、スプロケットホ
ール等の所定のホール部の形成を行なうことによって２
層ＴＡＢの製造が行なわれる。
【００１１】上記のフォトマスクにおいてインナーリー
ド先端部２とダミー電着領域１とを間隔をあけて接する
ことがないようにするのは、爾後の処理によって絶縁体
層を溶解してデバイスホールを形成した時に該ダミー電
着領域１を絶縁体とともに除去するためである。そして
その間隔を１ｍｍ以下としたのは、該間隔が１ｍｍより
大きい場合には電気めっき時の電気力線のインナーリー
ド先端部への集中を十分に緩和できないからである。
ド先端部２とダミー電着領域１とを間隔をあけて接する
ことがないようにするのは、爾後の処理によって絶縁体
層を溶解してデバイスホールを形成した時に該ダミー電
着領域１を絶縁体とともに除去するためである。そして
その間隔を１ｍｍ以下としたのは、該間隔が１ｍｍより
大きい場合には電気めっき時の電気力線のインナーリー
ド先端部への集中を十分に緩和できないからである。
【００１２】本発明においてリード形成面に施されるダ
ミー電着領域の面積、形状は形成されるリードの面積、
特にインナーリード面積に関連して定められるので一概
に定めることはできないが、該ダミー電着領域はデバイ
スホールの開孔時に絶縁体樹脂とともに基板より除去さ
れやすい形状、面積としなければならず、そのためには
少なくともデバイスホール領域内に当てはまるような形
状、面積にする必要がある。
ミー電着領域の面積、形状は形成されるリードの面積、
特にインナーリード面積に関連して定められるので一概
に定めることはできないが、該ダミー電着領域はデバイ
スホールの開孔時に絶縁体樹脂とともに基板より除去さ
れやすい形状、面積としなければならず、そのためには
少なくともデバイスホール領域内に当てはまるような形
状、面積にする必要がある。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 実施例１ 東レ・デュポン社製ポリイミド樹脂（商品名：カプトン
２００Ｈ）の片面（表面側）に厚さ１．０μｍの銅層を
無電解めっき法により形成して、これを下地銅層とし
た。次に東京応化社製ネガ型フォトレジスト（商品名：
「ＰＭＥＲ ＨＣ−６００」）を厚さ４５μｍになるよ
うに均一に塗布し、７０℃で３０分間乾燥処理した。一
方これと反対面（裏面側）のポリイミド樹脂面には富士
薬品工業社製ネガ型フォトレジスト（商品名：「ＦＳＲ
−Ｓ」）を厚さ１０μｍになるように均一に塗布し、７
０℃で３０分間乾燥処理した。
２００Ｈ）の片面（表面側）に厚さ１．０μｍの銅層を
無電解めっき法により形成して、これを下地銅層とし
た。次に東京応化社製ネガ型フォトレジスト（商品名：
「ＰＭＥＲ ＨＣ−６００」）を厚さ４５μｍになるよ
うに均一に塗布し、７０℃で３０分間乾燥処理した。一
方これと反対面（裏面側）のポリイミド樹脂面には富士
薬品工業社製ネガ型フォトレジスト（商品名：「ＦＳＲ
−Ｓ」）を厚さ１０μｍになるように均一に塗布し、７
０℃で３０分間乾燥処理した。
【００１４】次に各レジスト層にそれぞれ下記する表１
および表２に示す黒色蒸着パターン面を有するガラス製
フォトマスクを密接して紫外線を「ＰＭＥＲ ＨＣ−６
００」フォトレジスト面に対して１０００ｍＪ／ｃ
ｍ２、「ＦＳＲ−Ｓ」フォトレジスト面に対して１００
ｍＪ／ｃｍ２照射し、その後常法による現像処理を行な
い、表面側の所定部分には下地銅層の露出部を、また裏
面側の所定部分にはポリイミド樹脂の露出部をそれぞれ
に形成した。
および表２に示す黒色蒸着パターン面を有するガラス製
フォトマスクを密接して紫外線を「ＰＭＥＲ ＨＣ−６
００」フォトレジスト面に対して１０００ｍＪ／ｃ
ｍ２、「ＦＳＲ−Ｓ」フォトレジスト面に対して１００
ｍＪ／ｃｍ２照射し、その後常法による現像処理を行な
い、表面側の所定部分には下地銅層の露出部を、また裏
面側の所定部分にはポリイミド樹脂の露出部をそれぞれ
に形成した。
【００１５】
【表１】 （「ＰＭＥＲ ＨＣ−６００」フォトレジスト側のフォトマスク） ａ．リードの形状および配置 インナーリードの幅 ：５０μｍ 隣接するインナーリードの間隔 ：５０μｍ デバイスホールにて対向するインナーリード先端部間の距離 ：８ｍｍ インナーリードの長さ ：１ｍｍ デバイスホールの１辺に配置されるリードの本数 ：７０本 ｂ．リードと同時にインナーリード先端部付近に形成されるダミー電着部領域 の形状および配置 インナーリード先端部からの距離 ：５０μｍ ダミー電着部領域の形状 ：正方形 １辺の長さ ：７．９ｍｍ
【００１６】
【表２】 （「ＦＳＲ−Ｓ」フォトレジスト側のフォトマスク デバイスホールの形状 ： 正方形 デバイスホール１辺の長さ ： １０ｍｍ スプロケットホールの形状 ： 正方形 スプロケットホール各辺の長さ ： １．４ｍｍ×１．４ｍｍ 次に、表面側に露出した下地銅層上に下記する表３に示
す組成のめっき液を使用して、下記する表４に示す条件
で電気銅めっきを施し、リードおよびダミー電着領域に
おけるめっき皮膜の形成を行なった。その後、残留する
「ＰＭＥＲ ＨＣ−６００」フォトレジストを剥離し、
これによって露出した下地銅層を２５℃、２００ｇ／ｌ
の塩化第２鉄溶液に１分間浸漬することによって除去し
た。
す組成のめっき液を使用して、下記する表４に示す条件
で電気銅めっきを施し、リードおよびダミー電着領域に
おけるめっき皮膜の形成を行なった。その後、残留する
「ＰＭＥＲ ＨＣ−６００」フォトレジストを剥離し、
これによって露出した下地銅層を２５℃、２００ｇ／ｌ
の塩化第２鉄溶液に１分間浸漬することによって除去し
た。
【００１７】
【表３】 （電気めっき条件） めっき液組成 ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ： １８０ｇ／ｌ 電解条件 めっき温度 ： ２３℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 撹拌方法 ： 空気およびカソードロッカー めっき時間 ： １時間 以上の処理によって得られたリードの厚みはリード全面
に亘って３５μｍ±５％の範囲内に収まっており、ＴＡ
Ｂのリードとして優れた均一性を示すものであった。
に亘って３５μｍ±５％の範囲内に収まっており、ＴＡ
Ｂのリードとして優れた均一性を示すものであった。
【００１８】その後、該基板のリードを含む表面側全面
に対して保護皮膜として「ＦＳＲ−Ｓ」を厚さ３０μｍ
に塗布して乾燥処理を行ない、次いで該基板を５０℃の
ヒドラジン一水和物液中に５分間浸漬して裏面側に露出
するポリイミド樹脂の溶解を行なってデバイスホールお
よびスプロケットホールを開孔し、次いで先に表面側に
形成した「ＦＳＲ−Ｓ」による保護皮膜を剥離してリー
ド形成と同時に形成されたインナーリード先端付近のダ
ミー電着部を除去して２層ＴＡＢを得た。 実施例２ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が１ｍｍであり、正方
形の１辺の長さが６ｍｍである以外は実施例１と同様の
手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層ＴＡ
Ｂに形成されたリードの厚みはリード全面に亘り３５μ
ｍ±１０％の範囲内であり、ＴＡＢのリードとして優れ
た均一性を示すものであった。またダミー電着部は実施
例１と同様何等支障なく除去することができた。 比較例１ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が１．５ｍｍであり、
正方形の１辺の長さが５ｍｍである以外は実施例１と同
様の手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層
ＴＡＢに形成されたリードの厚みは３５μｍ±２０％の
範囲とややバラツキが大きく、ＴＡＢのリードとしては
必ずしも適当ではなかった。 比較例２ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が０ｍｍであり、正方
形の１辺の長さが８ｍｍである以外は実施例１と同様の
手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層ＴＡ
Ｂに形成されたリードの厚みはリード全面に亘り３５μ
ｍ±５％の範囲内であり、ＴＡＢのリードとしては十分
に優れた均一性を示すものであったが、リード形成後に
おける処理でデバイスホールの開孔と「ＦＳＲ−Ｓ」保
護皮膜の剥離を行なった際に、ダミー電着部はリード先
端部に接続したままであり、ＴＡＢとして使用すること
が出来なかった。 比較例３（従来例） 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンにダミー電着部領域を設けない以
外は実施例１同様の手順で２層ＴＡＢの製造を行なっ
た。得られた２層ＴＡＢに形成されたリードの厚みは３
５μｍ±４０％とリード各部が大きくバラツキがあり、
ＴＡＢのリードとしては著しく不適当であった。
に対して保護皮膜として「ＦＳＲ−Ｓ」を厚さ３０μｍ
に塗布して乾燥処理を行ない、次いで該基板を５０℃の
ヒドラジン一水和物液中に５分間浸漬して裏面側に露出
するポリイミド樹脂の溶解を行なってデバイスホールお
よびスプロケットホールを開孔し、次いで先に表面側に
形成した「ＦＳＲ−Ｓ」による保護皮膜を剥離してリー
ド形成と同時に形成されたインナーリード先端付近のダ
ミー電着部を除去して２層ＴＡＢを得た。 実施例２ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が１ｍｍであり、正方
形の１辺の長さが６ｍｍである以外は実施例１と同様の
手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層ＴＡ
Ｂに形成されたリードの厚みはリード全面に亘り３５μ
ｍ±１０％の範囲内であり、ＴＡＢのリードとして優れ
た均一性を示すものであった。またダミー電着部は実施
例１と同様何等支障なく除去することができた。 比較例１ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が１．５ｍｍであり、
正方形の１辺の長さが５ｍｍである以外は実施例１と同
様の手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層
ＴＡＢに形成されたリードの厚みは３５μｍ±２０％の
範囲とややバラツキが大きく、ＴＡＢのリードとしては
必ずしも適当ではなかった。 比較例２ 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンに形成されるダミー電着部領域の
インナーリード先端部からの距離が０ｍｍであり、正方
形の１辺の長さが８ｍｍである以外は実施例１と同様の
手順で２層ＴＡＢの製造を行なった。得られた２層ＴＡ
Ｂに形成されたリードの厚みはリード全面に亘り３５μ
ｍ±５％の範囲内であり、ＴＡＢのリードとしては十分
に優れた均一性を示すものであったが、リード形成後に
おける処理でデバイスホールの開孔と「ＦＳＲ−Ｓ」保
護皮膜の剥離を行なった際に、ダミー電着部はリード先
端部に接続したままであり、ＴＡＢとして使用すること
が出来なかった。 比較例３（従来例） 基板の表面側において、パターニング処理によって得ら
れるレジストパターンにダミー電着部領域を設けない以
外は実施例１同様の手順で２層ＴＡＢの製造を行なっ
た。得られた２層ＴＡＢに形成されたリードの厚みは３
５μｍ±４０％とリード各部が大きくバラツキがあり、
ＴＡＢのリードとしては著しく不適当であった。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明の方法によると
きは絶縁体上に接着剤によらず直接金属層を形成した基
板を用いて２層ＴＡＢの製造を行なう場合に、形成され
るリーヂの厚さを均一にできる。よって、得られた２層
ＴＡＢはＩＣやＬＳＩの素子とボンディングする際にボ
ンディングずれを生ずることがなく、また電気特性や機
械的特性に信頼性の高いものが得られる。
きは絶縁体上に接着剤によらず直接金属層を形成した基
板を用いて２層ＴＡＢの製造を行なう場合に、形成され
るリーヂの厚さを均一にできる。よって、得られた２層
ＴＡＢはＩＣやＬＳＩの素子とボンディングする際にボ
ンディングずれを生ずることがなく、また電気特性や機
械的特性に信頼性の高いものが得られる。
【図１】本発明において基板の表面側に使用するフォト
マスクの一例を示す一部断面平面図である。
マスクの一例を示す一部断面平面図である。
【図２】本発明において基板の裏面側に使用するフォト
マスクの一例を示す平面図である。
マスクの一例を示す平面図である。
１ ダミー電着部パターン ２ リードパターン ２ａ 同上先端部 ３ スプロケットホールパターン ４ デバイスホールパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に金属層が設けられた絶縁体を基板
とし、該基板の金属層表面に感光性レジスト層を設け、
該感光性レジスト層に所定のパターンを有するフォトマ
スクを密接させて露光および現像を行なってレジストパ
ターンを形成し、これによって生ずる金属層露出面に電
気めっき法によりめっき金属を電着してリードを形成す
るに際し、レジストパターンの形成によって生ずる金属
層の露出部が所定のリード形成部のほかリード先端部よ
り内方で且つ該リード先端部より１ｍｍ以下の位置から
爾後の処理によって得られるデバイスホール形成部の中
心方向にかけての領域に生ずるようにレジストパターン
を形成した後、該金属層露出部に電気めっきによる金属
の電着を行なうことを特徴とする２層ＴＡＢのリード形
成法。 - 【請求項２】 所定のリードパターンおよびリード先端
部より内方で且つ該先端部より１ｍｍ以下の位置から、
デバイスホール形成部の中心方向にかけての領域にダミ
ー電着層を形成するためのダミー電着領域パターンを設
けてなる請求項１の２層ＴＡＢのリード形成法に使用す
るためのフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35516391A JPH05175283A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ２層ｔａｂのリード形成法およびこれに使用するためのフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35516391A JPH05175283A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ２層ｔａｂのリード形成法およびこれに使用するためのフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175283A true JPH05175283A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18442310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35516391A Pending JPH05175283A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | ２層ｔａｂのリード形成法およびこれに使用するためのフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175283A (ja) |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35516391A patent/JPH05175283A/ja active Pending
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