JP2829345B2 - 薄膜基板の製造方法 - Google Patents
薄膜基板の製造方法Info
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック等のコア材の
片面あるいは両面に形成された少なくとも２つの導電パ
ターン間を絶縁層を介在させずにブリッジ状に接続する
ための薄膜基板の製造方法に関する。
片面あるいは両面に形成された少なくとも２つの導電パ
ターン間を絶縁層を介在させずにブリッジ状に接続する
ための薄膜基板の製造方法に関する。
【０００２】従来、薄膜基板に形成した導電パターン間
をブリッジ状に接続する場合には、接続しようとする導
電パターンのそれぞれにワイヤーボンディングによって
細線を接続して行っていた。
をブリッジ状に接続する場合には、接続しようとする導
電パターンのそれぞれにワイヤーボンディングによって
細線を接続して行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したワ
イヤーボンディングによる導電パターン間のブリッジに
あっては、導電パターン間の距離が短くなるとワイヤー
ボンディングによる細線の導電パターンへの接続が困難
となり、最悪の場合にはブリッジ接続することができな
くなるという問題が生じた。
イヤーボンディングによる導電パターン間のブリッジに
あっては、導電パターン間の距離が短くなるとワイヤー
ボンディングによる細線の導電パターンへの接続が困難
となり、最悪の場合にはブリッジ接続することができな
くなるという問題が生じた。
【０００４】本発明は前記した問題点を解決せんとする
もので、その目的とするところは、薄膜基板の導電パタ
ーンの成形時に、該導電パターン間を接続するブリッジ
状導電パターンを形成したことにより、ブリッジのため
のワイヤーボンディングを行う必要がなく、従って、導
電パターン間が狭い場合にもブリッジ接続が行えると共
にブリッジのための手間を全く必要としない薄膜基板の
製造方法を提供せんとするものである。
もので、その目的とするところは、薄膜基板の導電パタ
ーンの成形時に、該導電パターン間を接続するブリッジ
状導電パターンを形成したことにより、ブリッジのため
のワイヤーボンディングを行う必要がなく、従って、導
電パターン間が狭い場合にもブリッジ接続が行えると共
にブリッジのための手間を全く必要としない薄膜基板の
製造方法を提供せんとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜多層基板お
よびその製造方法は、前記した目的を達成せんとするも
ので、その手段は、片面あるいは両面に銅箔の導電パタ
ーンが複数形成されたコア材に第１のレジスト層を形成
する第１の工程と、前記第１のレジスト層に少なくとも
２つの前記導電パターンと連通する孔を形成する第２の
工程と、前記孔を含めた前記第１のレジスト層表面にス
パッタリング手段によってメッキ膜を形成する第３の工
程と、前記メッキ膜表面の前記孔間を接続する孔径の帯
状部分を残してメッキ用レジスト層を形成する第４の工
程と、該メッキ用レジスト層の表面から電気化学メッキ
手段によってメッキを行い前記メッキ膜に重ねてメッキ
層を形成する第５の工程と、前記メッキ用レジスト層を
溶解液によって溶解する第６の工程と、前記第１のレジ
スト層を溶解液によって溶解する第７の工程とからなる
ものである。
よびその製造方法は、前記した目的を達成せんとするも
ので、その手段は、片面あるいは両面に銅箔の導電パタ
ーンが複数形成されたコア材に第１のレジスト層を形成
する第１の工程と、前記第１のレジスト層に少なくとも
２つの前記導電パターンと連通する孔を形成する第２の
工程と、前記孔を含めた前記第１のレジスト層表面にス
パッタリング手段によってメッキ膜を形成する第３の工
程と、前記メッキ膜表面の前記孔間を接続する孔径の帯
状部分を残してメッキ用レジスト層を形成する第４の工
程と、該メッキ用レジスト層の表面から電気化学メッキ
手段によってメッキを行い前記メッキ膜に重ねてメッキ
層を形成する第５の工程と、前記メッキ用レジスト層を
溶解液によって溶解する第６の工程と、前記第１のレジ
スト層を溶解液によって溶解する第７の工程とからなる
ものである。
【０００６】
【作用】前記した如き本発明の薄膜基板の製造方法は、
レジストの塗布、メッキの工程を繰り返し行うことによ
り導電パターン間を接続するブリッジの導電パターンを
形成することができ、従って、導電パターン間を接続す
るブリッジを基板の成形時に製作できるものである。
レジストの塗布、メッキの工程を繰り返し行うことによ
り導電パターン間を接続するブリッジの導電パターンを
形成することができ、従って、導電パターン間を接続す
るブリッジを基板の成形時に製作できるものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の製造方法によって製造された
薄膜基板の一実施例を図４と共に説明する。１は例え
ば、厚さ0.1mm 〜0.6mm 程度のセラミック基板等のコア
材、２ａ〜２ｄは該コア材１の片面あるいは両面にエッ
チング手段によって形成された、例えば、厚さ２μ〜４
μの複数本の導電パターン、３は導電パターン２ｂを挟
んで位置する導電パターン２ａ，２ｃ間と、隣接する導
電パターン２ｃ，２ｄ間をブリッジ接続するための、例
えば、厚さ２μ〜４μのブリッジ導電パターンである。
薄膜基板の一実施例を図４と共に説明する。１は例え
ば、厚さ0.1mm 〜0.6mm 程度のセラミック基板等のコア
材、２ａ〜２ｄは該コア材１の片面あるいは両面にエッ
チング手段によって形成された、例えば、厚さ２μ〜４
μの複数本の導電パターン、３は導電パターン２ｂを挟
んで位置する導電パターン２ａ，２ｃ間と、隣接する導
電パターン２ｃ，２ｄ間をブリッジ接続するための、例
えば、厚さ２μ〜４μのブリッジ導電パターンである。
【０００８】すなわち、このブリッジ導電パターン３は
短片３ａが導電パターン２ａに、短片３ｂが導電パター
ン２ｂを挟んで位置する導電パターン２ｃに、また、短
片３ｃが導電パターン２ｄにそれぞれ接続され、かつ、
該短片３ａ〜３ｃは連結片３ｄによって接続されてい
る。そして、連結片３ｄはコア材１に対して、例えば、
２０μ〜４０μ離開した位置に形成されている。
短片３ａが導電パターン２ａに、短片３ｂが導電パター
ン２ｂを挟んで位置する導電パターン２ｃに、また、短
片３ｃが導電パターン２ｄにそれぞれ接続され、かつ、
該短片３ａ〜３ｃは連結片３ｄによって接続されてい
る。そして、連結片３ｄはコア材１に対して、例えば、
２０μ〜４０μ離開した位置に形成されている。
【０００９】次に、前記した構成の薄膜基板の製造方法
について図１と共に説明する。先ず、厚さ２０μ〜４０
μのセラミック基板等のコア材１の片面あるいは両面に
公知のエッチング手段によって厚さ約２μ〜４μの導電
パターン２ａ〜２ｄを必要な本数だけ形成する（図１
ａ）。
について図１と共に説明する。先ず、厚さ２０μ〜４０
μのセラミック基板等のコア材１の片面あるいは両面に
公知のエッチング手段によって厚さ約２μ〜４μの導電
パターン２ａ〜２ｄを必要な本数だけ形成する（図１
ａ）。
【００１０】次いで、前記導電パターン２ａ〜２ｄが形
成された面のコア材１の表面に約厚さ２０μ〜４０μの
溶液によって溶解し、かつ、感光性を有するレジスト層
Ａを塗布する（図１ｂ）。このレジストが乾燥した後
に、孔を開けようとする部分が透明部Ｂ1 〜Ｂ3 となっ
ているフィルムＢを載せ（図１ｃ）、感光することによ
り前記導電パターン２と連通する孔Ａ1 〜Ａ3 を形成す
る（図１ｄ）。
成された面のコア材１の表面に約厚さ２０μ〜４０μの
溶液によって溶解し、かつ、感光性を有するレジスト層
Ａを塗布する（図１ｂ）。このレジストが乾燥した後
に、孔を開けようとする部分が透明部Ｂ1 〜Ｂ3 となっ
ているフィルムＢを載せ（図１ｃ）、感光することによ
り前記導電パターン２と連通する孔Ａ1 〜Ａ3 を形成す
る（図１ｄ）。
【００１１】そして、前記レジスト層Ａの表面にスパッ
タリング法によってチタンとパラジュームの２層膜、チ
タンとタングステンの２層膜、あるいは、ニクロムと金
の２層膜等をメタライジングして約2000〜5000Å厚さの
メッキ膜３′を形成する（図２ａ）。
タリング法によってチタンとパラジュームの２層膜、チ
タンとタングステンの２層膜、あるいは、ニクロムと金
の２層膜等をメタライジングして約2000〜5000Å厚さの
メッキ膜３′を形成する（図２ａ）。
【００１２】この後、メッキ膜３′の表面にメッキ用レ
ジスト膜Ｃを塗布する。次いで、このレジスト膜Ｃが乾
燥した後に、前記メッキ膜３′のブリッジを形成しよう
とする幅の部分が透明に形成されたフィルムを該メッキ
膜３′の上に載せ、感光すると共に現像して前記ブリッ
ジを形成しようとする部分のレジスト膜を除去してメッ
キ膜３′を露出する（図２ｂ）。
ジスト膜Ｃを塗布する。次いで、このレジスト膜Ｃが乾
燥した後に、前記メッキ膜３′のブリッジを形成しよう
とする幅の部分が透明に形成されたフィルムを該メッキ
膜３′の上に載せ、感光すると共に現像して前記ブリッ
ジを形成しようとする部分のレジスト膜を除去してメッ
キ膜３′を露出する（図２ｂ）。
【００１３】次に、電気メッキによって金等の金属をメ
ッキすると、前記露出したメッキ膜３′にメッキ層３″
が形成される。これにより、メッキ膜３′とメッキ層
３″とは一体化され、ブリッジ導電パターン３となる
（図２ｃ）。
ッキすると、前記露出したメッキ膜３′にメッキ層３″
が形成される。これにより、メッキ膜３′とメッキ層
３″とは一体化され、ブリッジ導電パターン３となる
（図２ｃ）。
【００１４】次いで、レジスト膜Ｃを剥離してメッキ膜
３′を露出させる（図２ｄ）。この後、露出しているメ
ッキ膜３′をエッチングによって除去するが、このエッ
チングによるメッキ膜３′の溶解において、メッキ層
３″が露出しているが、このメッキ層３″は溶解される
ことはない。または、エッチング液の種類によってメッ
キ膜３′が溶解されることもあるが、メッキ層３″はメ
ッキ膜３′の厚みに比較して相当厚いので、メッキ膜
３′は殆ど影響されることはない（図３ａ）。
３′を露出させる（図２ｄ）。この後、露出しているメ
ッキ膜３′をエッチングによって除去するが、このエッ
チングによるメッキ膜３′の溶解において、メッキ層
３″が露出しているが、このメッキ層３″は溶解される
ことはない。または、エッチング液の種類によってメッ
キ膜３′が溶解されることもあるが、メッキ層３″はメ
ッキ膜３′の厚みに比較して相当厚いので、メッキ膜
３′は殆ど影響されることはない（図３ａ）。
【００１５】さらに、メッキ膜３′のエッチングの後、
全体をレジスト層Ａを溶解し得る溶液内に浸漬して、レ
ジスト層Ａを除去することによって導電パターン２ａ，
２ｃおよび２ｄを接続するブリッジ導電パターン３が形
成できる（図３ｂ）。
全体をレジスト層Ａを溶解し得る溶液内に浸漬して、レ
ジスト層Ａを除去することによって導電パターン２ａ，
２ｃおよび２ｄを接続するブリッジ導電パターン３が形
成できる（図３ｂ）。
【００１６】なお、前記した図１ｄに示す孔Ａ1 〜Ａ3
を形成するのに、レジスト層Ａの特性として溶液に溶解
し、かつ、感光性を有するものを使用した場合について
説明したが、このレジスト層Ａを感光性を有さないレジ
スト層Ｅとした場合には、このレジスト層Ｅの上に感光
性を有するレジスト層Ｆを塗布し、このレジスト層Ｆ上
に孔を開けたい部分Ｆ1 〜Ｆ3 が透明ぶＧ1 〜Ｇ3 とな
っているフィルムＧを載せ（図５ａ）、次いで、感光す
ることによりレジスト層Ｆに孔Ｆ1 〜Ｆ3 を開ける（図
５ｂ）。
を形成するのに、レジスト層Ａの特性として溶液に溶解
し、かつ、感光性を有するものを使用した場合について
説明したが、このレジスト層Ａを感光性を有さないレジ
スト層Ｅとした場合には、このレジスト層Ｅの上に感光
性を有するレジスト層Ｆを塗布し、このレジスト層Ｆ上
に孔を開けたい部分Ｆ1 〜Ｆ3 が透明ぶＧ1 〜Ｇ3 とな
っているフィルムＧを載せ（図５ａ）、次いで、感光す
ることによりレジスト層Ｆに孔Ｆ1 〜Ｆ3 を開ける（図
５ｂ）。
【００１７】そして、レジスト層Ｅのみが溶解される溶
液中に浸漬することにより、レジスト層Ｆに形成された
孔Ｆ1 〜Ｆ3 と連通する孔Ｅ1 〜Ｅ3 が形成されるもの
である（図５ｃ）。次いで、レジスト層Ｆのみが溶解さ
れる溶液によってレジスト層Ｆを溶解することにより、
図１ｃと同じ構成のものを製作できる。従って、前記し
た図１ｄ〜図３ｂの製造工程と同じ方法を採用すること
でブリッジ導電パターン３を製作できるものである。
液中に浸漬することにより、レジスト層Ｆに形成された
孔Ｆ1 〜Ｆ3 と連通する孔Ｅ1 〜Ｅ3 が形成されるもの
である（図５ｃ）。次いで、レジスト層Ｆのみが溶解さ
れる溶液によってレジスト層Ｆを溶解することにより、
図１ｃと同じ構成のものを製作できる。従って、前記し
た図１ｄ〜図３ｂの製造工程と同じ方法を採用すること
でブリッジ導電パターン３を製作できるものである。
【００１８】
【発明の効果】本発明の薄膜基板の製造方法は前記した
ように、レジストの塗布、感光、レジストの溶解および
メッキという公知の工程を繰り返し行うだけでパターン
間のブリッジを基板の製造工程において製作できるの
で、製造方法が簡単で、かつ、ブリッジ導電パターンの
寸法精度を高めることができる等の効果を有するもので
ある。
ように、レジストの塗布、感光、レジストの溶解および
メッキという公知の工程を繰り返し行うだけでパターン
間のブリッジを基板の製造工程において製作できるの
で、製造方法が簡単で、かつ、ブリッジ導電パターンの
寸法精度を高めることができる等の効果を有するもので
ある。
【図１】ａ〜ｄは本発明に係る薄膜基板の製造方法にお
ける製造工程を示す断面図である。
ける製造工程を示す断面図である。
【図２】ａ〜ｄは同じく図１に続く製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図３】ａ〜ｂは同じく図２に続く製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明の製造方法によって製造された薄膜基板
の断面図である。
の断面図である。
【図５】図１における製造工程ａ〜ｄの他の実施例の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
１ コア材 ２ 導電パターン ３ ブリッジ導電パターン ３′ メッキ膜 ３″ メッキ層 Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｆ レジスト Ｂ Ｇ フィルム
フロントページの続き (72)発明者 須永 秀和 神奈川県横浜市港北区綱島東６丁目７番 ９号 株式会社エイト工業内 (72)発明者 佐藤 弘 神奈川県横浜市港北区綱島東６丁目７番 ９号 株式会社エイト工業内 (72)発明者 和田 淳 神奈川県横浜市港北区綱島東６丁目７番 ９号 株式会社エイト工業内 (56)参考文献 特開 昭53−123870（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−18586（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−313896（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−7064（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−124171（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/46 H05K 3/40
Claims (1)
- 【請求項１】 片面あるいは両面に銅箔の導電パターン
が複数形成されたコア材に第１のレジスト層を形成する
第１の工程と、前記第１のレジスト層に少なくとも２つ
の前記導電パターンと連通する孔を形成する第２の工程
と、前記孔を含めた前記第１のレジスト層表面にスパッ
タリング手段によってメッキ膜を形成する第３の工程
と、前記メッキ膜表面の前記孔間を接続する孔径の帯状
部分を残してメッキ用レジスト層を形成する第４の工程
と、該メッキ用レジスト層の表面から電気化学メッキ手
段によってメッキを行い前記メッキ膜に重ねてメッキ層
を形成する第５の工程と、前記メッキ用レジスト層を溶
解液によって溶解する第６の工程と、前記第１のレジス
ト層を溶解液によって溶解する第７の工程とからなり、
所望の導電パターン間をメッキ膜とメッキ層とで構成さ
れたブリッジ状の導電パターンによって接続するように
したことを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16830792A JP2829345B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 薄膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16830792A JP2829345B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 薄膜基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0690085A JPH0690085A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2829345B2 true JP2829345B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=15865602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16830792A Expired - Fee Related JP2829345B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 薄膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829345B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP16830792A patent/JP2829345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690085A (ja) | 1994-03-29 |
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