JP3538940B2 - 異方導電性フィルムの製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、フィルム厚み方向に
導電性を示しフィルム面方向に絶縁性を示す異方導電性
フィルムの製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電気製品の高性能化および小形化
にともない、電子回路の微細配線化が進められている。
このため、従来の配線技術であったワイヤーボンディン
グ法やＴＡＢ法（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ法）に代わり、異方導電性フィルムを用いた
配線が採用されている（特開平３−１８２０８３号公報
等）。

【０００３】異方導電性フィルムは、高分子フィルム中
に多数の導電性金属体が埋設され、この導電性金属体の
両端が上記高分子フィルムの両面から露出しているとい
う構造をとるものである。すなわち、図４の断面図に示
すように、高分子フィルム１は、厚み方向に穿設された
多数の貫通孔を備え、この貫通孔に導電性金属体２が埋
設されており、かつ上記導電性金属体２の両端が略半球
状の突起電極部に形成され、この両端の突起電極部は、
高分子フィルム１の両面から突出している。そして、多
数の導電性金属体２は、相互に接触しないように、一定
の間隔（ピッチ）で隔離されている。このような構成を
とることにより、異方導電性フィルムの厚み方向は電気
的に導通した状態となり、かつフィルム面方向は電気的
に絶縁した状態となる。そして、この異方導電性フィル
ムでは、フィルム面方向の絶縁距離を小さくすることが
要求特性であるため、上記導電性金属体の突起電極部の
外径を小さくすることが好ましいとされている。この突
起電極部についてさらに説明すると、異方導電性フィル
ムの拡大断面図である図５に示すように、導電性金属体
２両端の突起電極部２ｅは、導電性金属体２の脱落を防
止するために、その外径が、高分子フィルム１の貫通孔
の開口内径より大きくなるように形成されて、ツメ部２
ｆを備えている。

【０００４】従来において、このような突起電極部付き
導電性金属体を備えた異方導電性フィルムは、図３に示
すようにして作製されている。すなわち、まず、図３
（ａ）に示すように、導電性支持体３ａの上に高分子フ
ィルム１ａを形成する。この導電性支持体３ａは、通
常、銅箔等の金属製フィルムが使用される。そして、同
図（ｂ）に示すように、高分子フィルム１ａに対しレー
ザー４をマスク（図示せず）を介して照射し、フィルム
厚み方向に貫通孔を穿設する。上記マスクは、異方導電
性フィルムの導電性金属体の配置パターンが形成された
ものである。つぎに、同図（ｃ）に示すように、高分子
フィルム１ａの貫通孔から導電性支持体３ａに対してエ
ッチング処理を行い、上記導電性支持体３ａの上記貫通
孔に対応する場所に凹部を形成する。上記エッチング処
理には、例えば、上記導電性支持体３ａを溶解する溶液
が使用される。そして、同図（ｄ）に示すように、導電
性支持体３ａを電極として電気メッキを行い、高分子フ
ィルム１ａの貫通孔内で導電性金属を析出させて導電性
金属体２ｃを形成する。この時、高分子フィルム１ａの
両面から導電性金属体２ｃを突出成長させることによ
り、上記貫通孔の開口内径より大きい外径を有する突起
電極部を形成する。ついで、導電性支持体３ａを除去す
ることにより、同図（ｅ）に示すように、高分子フィル
ム１中に多数の導電性金属体２が埋設された異方導電性
フィルムが得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来製法によ
り、ツメ部が形成された突起電極部を有する導電性金属
体が高分子フィルムに埋設された異方導電性フィルムを
作製することができるが、この従来製法により作製され
るものは、その性能が不充分なものになる。すなわち、
上記従来製法により得られる異方導電性フィルムにおい
て、導電性支持体側の突起電極部の形状が不均一に形成
され、特にその高さが不揃となる。このため、従来製法
により作製された異方導電性フィルムは、電気的接続の
信頼性が悪いという問題がある。また、導電性支持体側
の突起電極部の形状が、偏平な略半球状となるため、ツ
メ部の厚みが薄くなり、欠けやすくなる。このため、異
方導電性フィルムから導電性金属体が脱落しやすくな
り、性能が急激に劣化するという問題が生じる。上記ツ
メ部を厚く形成する方法としては、導電性支持体に対す
るエッチングを充分に行い、凹部を大きく形成する方法
があげられるが、凹部を大きく形成すると突起電極部の
外径が必要以上に大きくなるため、得られる異方導電性
フィルムの導電性金属体の挟ピッチ化を図ることができ
ず、フィルム面方向の絶縁性が悪くなる。

【０００６】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、電気的接続の信頼性の向上、導電性金属体の
脱落防止および挟ピッチ化を図ることが可能な異方導電
性フィルムの製法の提供をその目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の異方導電性フィルムの製法は、下記の
（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるという構成をとる。 （ａ）厚み方向に穿設された多数の貫通孔を備え、かつ
上記貫通孔の一端開口が導電層により閉塞されている高
分子フィルムを準備する工程。 （ｂ）上記導電層を電極とした電気メッキ法により、上
記高分子フィルムの貫通孔内に導電性金属を析出させ、
厚み方向に連続する導電性金属体を形成し、この導電性
金属体の上記貫通孔の他端に対応する他端を、上記貫通
孔他端開口から突出させて上記他端開口内径より大きい
外径を有する突起電極部に形成する工程。 （ｃ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に導電層を
形成する工程。 （ｄ）上記貫通孔の一端開口を閉塞する導電層を除去し
上記導電性金属体の一端側の端面を露呈させる工程。 （ｅ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に形成され
た導電層を電極とした電気メッキ法により、上記高分子
フィルムの貫通孔内に形成された導電性金属体の一端側
露呈端面上に導電性金属を析出させ、上記導電性金属体
の一端を突出させて上記貫通孔の一端開口内径より大き
い外径を有する突起電極部に形成する工程。 （ｆ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に形成され
た導電層を除去する工程。

【０００８】

【作用】すなわち、本発明者らは、異方導電性フィルム
の導電性金属体の突起電極部の形成方法を中心に、一連
の研究を重ねた。その過程で、従来製法の欠点について
詳細に検討したところ、つぎの事実を突き止めた。すな
わち、導電性支持体側に形成される突起電極部の形状が
不均一となるのは、導電性支持体に対するエッチング処
理速度が、場所によって異なるため、形成される凹部の
形状が不均一となるからである。また、突起電極部の形
状が偏平な略半球状の突起電極部となり、ツメ部の厚み
が薄くなるのは、エッチングの進行方向が導電性支持体
と高分子フィルムとの界面方向に進行しやすいため、導
電性支持体に形成される凹部の内部形状が、深さが浅く
幅が広い偏平な略半球状となるからである。そこで、こ
れらの知見に基づき、さらに研究を重ねた結果、従来製
法のように、エッチング処理により導電性支持体に凹部
を形成して、導電性支持体両端の突起電極部を同時に形
成するのではなく、電気メッキ法により上記両端の突起
電極部を一面ずつ別々に形成すれば、突起電極部の形成
条件を均一とすることができるようになって、突起電極
部の形状が均一なものとなり、その高さを揃えることが
可能となることを突き止めた。また、上記突起電極部の
形成方向が、高さ方向にも充分進行するようになり、ツ
メ部の厚みが充分厚くなることを見出し、この発明に到
達した。

【０００９】そして、電気メッキ法と無電解メッキ法を
組み合わせた方法を採用すれば、導電性金属体両端の突
起電極部を簡単かつ高効率で形成することが可能とな
る。また、導電性金属体両端の突起電極部の形状を略半
球状とすれば、電気的接続の信頼性がより一層向上する
ようになる。

【００１０】つぎに、この発明について詳しく説明す
る。

【００１１】この発明の異方導電性フィルムの製法は、
上記（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるものである。これら
の工程について、図面に基づき順を追って説明する。

【００１２】上記工程（ａ）は、厚み方向に穿設された
多数の貫通孔を備え、かつ上記貫通孔の一端開口が導電
層により閉塞されている高分子フィルムを準備する工程
である。

【００１３】このような高分子フィルムは、例えば、図
１（ａ）および同図（ｂ）に示すような方法により作製
することができる。すなわち、まず、同図（ａ）に示す
ように、導電性支持体（導電層）３の上に高分子フィル
ム１ａを形成する。

【００１４】上記高分子フィルム１ａの材料としては、
絶縁性を示すものであれば特に制限するものではなく、
例えば、ポリイミド系樹脂，ポリエステル系樹脂，ポリ
エチレン系樹脂，エポキシ系樹脂等の熱可塑性樹脂ある
いは熱硬化性樹脂があげられる。このなかで、絶縁性，
耐熱性，耐摩耗性等の特性に優れるポリイミド系樹脂が
好ましい。

【００１５】また、導電層３も特に制限するものではな
く、例えば、銅箔等の金属製の導電層があげられる。

【００１６】そして、導電層３の上に高分子フィルム１
ａを形成する方法も特に制限するものではなく、導電層
３上に上記高分子フィルム１ａの形成材料を押出成形す
る方法や、予め高分子フィルム１ａを形成し、これを導
電層３の上に圧着等の方法により貼着する方法があげら
れる。また、導電層３の上に高分子フィルム１ａが形成
されたものは、市販品を使用してもよい。この市販品と
しては、例えば、フレキシブルプリント配線板（ＦＰ
Ｃ）用銅張積層板があげられる。そして、貫通孔の断面
形状精度の観点から、接着剤層のないＦＰＣ用銅張積層
板が好ましい。また、上記高分子フィルム１ａの厚み
は、貫通孔の孔径精度の観点から、５〜２００μｍが好
ましく、特に好ましくは、１０〜１００μｍである。ま
た、導電層３の厚みは、通常、５μｍ以上、好ましく
は、５〜１００μｍ、特に好ましくは、１０〜５０μｍ
である。

【００１７】つぎに、同図（ｂ）に示すように、導電層
３上の高分子フィルム１ａに対し、孔開け加工を施す。
この孔開け加工としては、例えば、レーザー加工があげ
られ、好ましくは、エキシマレーザー加工である。この
レーザー加工は、異方導電性フィルムの導電性金属体の
配置パターンが形成されたマスク（図示せず）を介し、
レーザー光４を照射するという方法である。これによ
り、高分子フィルム１ａの所定位置に、フィルム厚み方
向に貫通する貫通孔が穿設される。なお、このレーザー
加工において、導電層３は加工されない。また、この貫
通孔は、通常、その内形状が逆円錐台形状となり、レー
ザー照射面側の開口が大きく、またこれと反対面側の開
口が小さく形成される。そして、上記エキシマレーザー
加工の条件は、以下のとおりである。まず、レーザー媒
質として、ＫｒＦ（発振波長２４８ｎｍ），ＡｒＦ（１
９３ｎｍ）等があげられ、好ましくはＫｒＦである。ま
た、発振周波数としては、通常、１〜１０００Ｈｚ、特
に好ましくは３００〜６００Ｈｚである。加工エネルギ
ー密度は、通常、０．１〜１０Ｊ／ｃｍ² 、好ましくは
０．２〜６Ｊ／ｃｍ² 、特に好ましくは０．５〜１Ｊ／
ｃｍ² である。また、ショット数は、高分子フィルムの
厚みと加工エネルギー密度によって異なるが、断面形状
精度および加工時間の観点から、５０〜２００ショット
が好ましい。そして、上記貫通孔の孔径は、通常、１０
〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍ、特に好ま
しくは２０〜４０μｍの範囲である。また、貫通孔相互
の距離（ピッチ）は、通常、１５〜２００μｍ、好まし
くは３０〜１００μｍ、特に好ましくは４０〜８０μｍ
である。

【００１８】つぎに、上記工程（ｂ）は、図１（ｃ）に
示すように、上記導電層３を電極とした電気メッキ法に
より、上記高分子フィルム１ａの貫通孔内に導電性金属
を析出させ、厚み方向に連続する導電性金属体２ａを形
成し、この導電性金属体２ａの上記貫通孔の他端に対応
する他端を、上記貫通孔他端開口から突出させて上記他
端開口内径より大きい外径を有する突起電極部に形成す
る工程である。

【００１９】上記電気メッキ法は、特に制限するもので
はなく、通常の方法が適用できる。また、析出させる導
電性金属も特に制限するものではないが、導電性が優れ
る金が好ましい。この金を使用した電気金メッキを例に
とり、電気メッキ法による導電性金属体２ａの形成につ
いて説明する。

【００２０】すなわち、まず、同図（ｃ）に示すよう
に、必要に応じ、導電層３の裏面に、レジスト層５を形
成する。これは、導電層３の裏面において、導電性金属
が析出するのを防止するためである。このレジスト層５
としては、耐メッキ溶液性の理由から紫外線硬化型レジ
スト層が好ましく、具体的には、プリント基板用メッキ
レジストから形成されるもの等があげられる。また、レ
ジスト層５の形成は、つぎのようにして行われる。すな
わち、スピンコータの回転板上に、導電層３付き高分子
フィルム１ａを上記導電層３を上にして配置し、これを
回転させ、液状レジストを適量滴下させる。そして、膜
厚が均一になるようにレジストを塗布した後、乾燥（通
常、２５℃×１５分）後、紫外線を照射してこれを硬化
させる。

【００２１】そして、上記レジスト層５の厚みは、通
常、１〜５０μｍ、好ましくは２〜２０μｍ、特に好ま
しくは５〜１５μｍである。

【００２２】つぎに、必要に応じて洗浄処理および活性
化処理（酸洗浄処理）を行った後に電気金メッキを行
う。

【００２３】上記洗浄処理は、貫通孔内の異物除去を目
的として行うものであり、通常、超音波洗浄が採用され
る。

【００２４】また、上記活性化処理は、酸を用いて洗浄
することにより導電層表面に形成された酸化皮膜を除去
して純粋な導電層を露呈させるためのものである。上記
酸洗浄に使用される酸としては、例えば、塩酸，硫酸，
りん酸が使用され、好ましくは塩酸である。一般に、こ
の酸洗浄処理は、上記酸性溶液に上記高分子フィルムを
浸漬することにより行われる。

【００２５】そして、上記電気金メッキは、例えば、高
分子フィルム全体を電気金メッキ溶液中に浸漬し、上記
導電層３を陰極として、上記電気金メッキ溶液に電気を
導通させて、高分子フィルム１ａ貫通孔内に金を析出さ
せることにより行われる。これにより、上記貫通孔内に
導電性金属が析出し、貫通孔の内形状に沿った棒状の導
電性金属体２ａが形成され、さらにこの導電性金属体２
ａは成長を続け貫通孔の開放された他端開口から突出
し、上記導電性金属体２ａの上記貫通孔他端開口に対応
する他端が突起電極部となる。この突起電極部の形成
は、その外径が上記貫通孔の他端開口内径より大きくな
り、かつツメ部厚みが充分に厚くなるまで行う。上記電
気金メッキ溶液としては、シアン浴，酸性浴等があげら
れる。このなかで、メッキ速度および均一電着性の理由
から酸性浴を使用することが好ましい。また、上記電気
金メッキ溶液には、添加剤を使用してもよい。この添加
剤としては、Ｉｎ，Ｔｌ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｔ
ｉ等の微量金属や窒素を含む有機物等があげられる。ま
た、上記電気金メッキの電流密度としては、通常、０．
１〜２０Ａ／ｄｍ² 、好ましくは０．１〜１０Ａ／ｄｍ
² 、特に好ましくは０．１〜５Ａ／ｄｍ² である。また
処理時間は、例えば、１Ａ／ｄｍ² の場合、０．２１μ
ｍ／分である。そして、温度条件としては、通常、１０
〜８５℃、好ましくは２０〜８５℃、特に好ましくは４
０〜８０℃である。また、電気金メッキ処理時におい
て、電気金メッキ溶液を攪拌することが好ましい。攪拌
方法としては、例えば、エア攪拌，超音波攪拌，揺動攪
拌，プロペラ攪拌があげられるが、好ましくは揺動攪拌
と超音波攪拌を併用する攪拌法である。

【００２６】このようにして形成される突起電極部の大
きさは、高分子フィルム１ａの貫通孔の内径等により適
宜決定されるものであるが、一般に、高さが、通常５μ
ｍ以上、好ましくは５〜１００μｍ、特に好ましくは５
〜４０μｍである。また、その外径（通常は、略半球形
状の底面の直径）は、通常１０〜１５０μｍ、好ましく
は１５〜７５μｍ、特に好ましくは２０〜６０μｍであ
る。またその形状も、同図に示すマッシュルーム頭部の
ような略半球状が好ましい。

【００２７】つぎに、上記工程（ｃ）は、図１（ｄ）に
示すように、高分子フィルム１ａの貫通孔他端開口の突
起電極部上に導電層６を形成する工程である。この導電
層６は、導電性金属体２ａの一端側に突起電極部を形成
する際の電解メッキ法の陰極となるものである。この導
電層６の形成方法は、特に制限するものではないが、例
えば、無電解メッキ法があげられ、好ましくは無電解銅
メッキ法である。この無電解銅メッキ法により、同図に
示すような連続した導電層６を形成することができる。

【００２８】この無電解銅メッキについて具体的に説明
すると、すなわち、まず、必要に応じ、酸洗浄処理を行
う。この酸洗浄処理は、前述の方法が適用できる。そし
て、無電解メッキの析出核となる無電解メッキ触媒を、
被メッキ物に沈着させる処理であるキャタリスト処理を
行う。上記無電解メッキ触媒としては、通常、パラジウ
ムが使用され、その沈着は物理的吸着により行われる。
このキャタリスト処理の条件としては、温度が、通常、
１０〜５０℃、好ましくは１５〜４０℃、特に好ましく
は２０〜３０℃であり、時間が、通常、０．５〜２０
分、好ましくは１〜１０分、特に好ましくは１〜５分で
ある。ついで、アクセレータ処理を行う。このアクセレ
ータ処理の条件としては、希硫酸または希塩酸に浸漬
し、温度が、通常１０〜５０℃、好ましくは２０〜５０
℃，特に好ましくは３５〜４５℃であり、時間が、通常
０．５〜１０分、好ましくは２〜３分である。そして、
無電解銅メッキ溶液に上記高分子フィルムを浸漬して無
電解銅メッキ処理を行う。上記無電解銅メッキ溶液は、
例えば、主成分として、硫酸銅，キレート剤，還元剤，
ｐＨ調整剤が配合されたものがあげられる。上記キレー
ト剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤ
ＴＡ）があげられ、還元剤としては、例えば、ホルムア
ルデヒドがあげられ、ｐＨ調整剤としては、例えば、水
酸化ナトリウムがあげられる。この無電開銅メッキ処理
の条件としては、温度が、通常３０〜６５℃、好ましく
は４０〜６０℃，特に好ましくは４８〜５５℃である。
そして、処理時間が、通常１〜６０分、好ましくは２〜
２０分，特に好ましくは３〜１０分である。

【００２９】なお、図２（ｅ）に示すように、上記導電
層６の上にレジスト層７を形成することが好ましい。こ
れは、後述する工程（ｅ）での電気メッキ処理の際、上
記導電層６の上に導電性金属が析出するのを防止するた
めである。このレジスト層７の形成は、前述と同様の方
法で行うことができ、またその形成材料や厚み等の条件
も同様である。

【００３０】つぎに、上記工程（ｄ）は、上記貫通孔の
一端開口を閉塞する導電層３を除去し上記導電性金属体
２ａの他端側の端面を露呈させる工程である。この導電
層３の除去の方法は、特に制限するものではない。例え
ば、上記導電層３が銅箔等の導電性金属である場合、こ
れを溶解するエッチング溶液を使用する方法があげられ
る。このエッチング溶液は、導電層３の種類により適宜
決定されるものであるが、例えば、塩化第二銅溶液，塩
化第二鉄溶液等があげられる。また、レジスト層５を形
成している場合は、この導電層３の除去に伴い、これを
除去する必要がある。この除去も、レジスト層５を溶解
するエッチング溶液を使用する方法があげられる。この
レジスト層５を溶解するエッチング溶液は、レジスト層
５の種類により適宜決定されるものであるが、例えば、
トルエン，ケトン，セルソルブ等の溶液や市販の専用剥
離液等があげられる。

【００３１】つぎに、上記工程（ｅ）は、上記貫通孔の
他端開口の突起電極部上に形成された導電層６を電極と
した電気メッキ法により、上記高分子フィルム１ａの貫
通孔内に形成された導電性金属体２ａの一端側露呈端面
上に導電性金属を析出させ、上記導電性金属体２ａの一
端を突出させて上記貫通孔の一端開口内径より大きい外
径を有する突起電極部に形成する工程である。

【００３２】この電気メッキ法による突起電極部の形成
は、上記工程（ｂ）と同様に行うことができる。この工
程（ｅ）により、図２（ｆ）に示すように、高分子フィ
ルム１ａの裏面（レーザー照射面と反対の面）から突出
する突起電極部を、均一形状でかつツメ部の厚みを厚く
して形成することが可能となる。また、従来法のよう
に、導電性支持体にエッチングにより形成された凹部の
内形状が転写されて突起電極部表面が形成されないた
め、突起電極部の表面が高い平滑性を有するようにな
り、電気的接続の信頼性が極めて優れたものとなる。

【００３３】つぎに、上記工程（ｆ）は、上記貫通孔の
他端開口の突起電極部上に形成された導電層６を除去す
る工程である。この導電層６の除去も、前述の工程
（ｄ）と同様の方法で行うことができ、またレジスト層
７が形成されている場合のレジスト層７の除去も、前述
と同様にして行うことができる。

【００３４】このように上記工程（ａ）〜工程（ｆ）を
経ることにより、図２（ｇ）に示すような、異方導電性
フィルムを得ることができる。なお、同図において、１
は高分子フィルムを示し、２は両端が突起電極部に形成
された導電性金属体である。なお、この発明において、
電気的接続の信頼性から、突起電極部の形状は、略半球
状が好ましいが、これに限定するものではない。

【００３５】つぎに、上記工程（ｃ）の導電層の形成
と、上記工程（ｅ）の電気メッキ法は、前述の方法とは
別の方法でも実施することができる。すなわち、図７に
示すように、高分子フィルム１ａの貫通孔内に形成され
た導電性金属体２ａの他端側の突起電極部（貫通孔の他
端開口に対応する）に、導電性支持体（導電層）１０を
接触させてこれを陰極とし、またスプレーノズル８を陽
極とし、上記突起電極部側と反対の高分子フィルム面
（導電性金属体２ａの一端が露呈している面）に対し、
上記スプレーノズル８から電気メッキ溶液９を吹き付け
る。このような吹き付け電気メッキ法でも、突起電極部
を形成することが可能である。また、この吹き付け電気
メッキ法によれば、導電層の形成工程や、この上に形成
するレジスト層の形成工程等が簡略化されるため、製造
効率が向上するようになる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、この発明の異方導電性フ
ィルムの製法は、高分子フィルム両面の突起電極部を、
電気メッキ法により一面ずつ別工程で形成する製法であ
る。このようにすることにより、得られる異方導電性フ
ィルムの導電性金属体の両端の突起電極部の形状が均一
となり高さも揃ったものとなる。また、従来の製法のよ
うに、導電性支持体にエッチングにより形成された凹部
の内形状粗面が突起電極部表面に転写されず、突起電極
部の表面が光沢ある平滑面となることから、この突起電
極部の接点性能が高いものとなる。これらのことから、
この発明により得られる異方導電性フィルムは、電気的
接続の信頼性が極めて優れたものとなる。そして、上記
突起電極部のツメ部厚みも充分なものとなるため、上記
ツメ部の欠けが発生しなくなり、導電性金属体の脱落が
防止されるようになる。したがって、この発明の異方導
電性フィルムは、優れた性能を長期間維持するようにな
る。さらに、この発明の異方導電性フィルムの製法は、
特別な設備や特殊な装置を必要としない、簡単な製法で
あるため、容易に実施することが可能である。また、吹
き付け電気メッキ法等の方法を採用すれば、製造効率の
向上を図ることも可能となる。

【００３７】つぎに、実施例について説明する。

【００３８】

【実施例１】すなわち、まず、図１（ａ）に示すよう
な、ポリイミドフィルム（エスパネックス，新日鐵化学
社製）を準備した。このポリイミドフィルムは、厚み３
５μｍの圧延銅箔３の上に厚み２５μｍのポリイミドフ
ィルム１ａが形成されたものである。

【００３９】つぎに、このポリイミドフィルム１ａに対
し、前述の方法により、図１（ｂ）に示すようにして、
エキシマレーザーによる孔開け加工を行った。このレー
ザー加工の条件は以下のとおりである。

【００４０】エキシマレーザー装置：三菱エキシマワー
クシステム，三菱電機社製 レーザー媒質 ：ＫｒＦ（発振波長２４８ｎｍ） 発振周波数 ：６００Ｈｚ 加工エネルギー密度 ：１．０Ｊ／ｃｍ² ショット数 ：１００ショット

【００４１】上記レーザー孔開け加工により、ポリイミ
ドフィルム１ａに、レーザー照射面側の開口内径が３０
μｍで、これと反対面側の開口内径が１５μｍの貫通孔
を、縦横のピッチ４５μｍで一辺３０ｍｍの正方形の領
域に穿設した。

【００４２】つぎに、図１（ｃ）に示すように、銅箔３
の裏面に厚み８μｍの紫外線硬化型レジスト層５（イー
グルＮＴ−９０，シプレイファーイースト社製）を形成
し、６０秒の超音波洗浄を行い、ついで、活性化処理
（酸洗浄処理）を１０体積％濃度の塩酸を用いで３０秒
間行った。そして、上記銅箔３を電極として、前述の方
法により、電気金メッキ処理を行い、一端が突起電極部
に形成された導電性金属体２ａを高分子フィルム１ａの
貫通孔内に形成した。なお、上記導電性金属体２ａの突
起電極部の高さは８μｍである。また、上記電気金メッ
キの条件は、下記のとおりである。

【００４３】 電気金メッキ溶液組成：シアン化金カリウム ８ｇ／ｌ 酸性金メッキ用添加剤 ５００ｍｌ／ｌ （オーキッドＧＳ−２１，金属加工技術研究所社製） 温 度 ：６０℃ 攪 拌 ：揺動攪拌と超音波攪拌との併用 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ² 時 間 ：１９０分

【００４４】そして、前述のように、酸洗浄処理，キャ
タリスト処理，アクセレーター処理，無電解メッキ処理
を行い、図１（ｃ）に示すように、上記突起電極部の上
に厚み３μｍの銅製導電層６を形成した。上記各処理の
条件は以下のとおりである。

【００４５】〔酸洗浄処理〕 酸 ：１０体積％濃度塩酸 時間：２分

【００４６】 〔キャタリスト処理〕 キャタリスト溶液組成：パラジウム触媒溶液 ４０ｍｌ／ｌ （キャタリストＣ，奥野製薬工業社製） １５体積％濃度塩酸 温 度 ：２５℃ 時 間 ：２分

【００４７】〔アクセレーター処理〕 アクセレーター処理液：１００ｍｌ／ｌ塩酸 温 度 ：３５℃ 時 間 ：２分

【００４８】〔無電解銅メッキ処理〕 無電解銅メッキ溶液：金属銅２．６ｇ／ｌ （ＯＰＣカッパーＨ，奥野製薬工業社製） 温 度 ：５５℃ 時 間 ：１０分

【００４９】つぎに、上記銅箔３の裏面に形成した紫外
線硬化型レジスト層５を溶剤（イーグルＮＴ−９０，イ
ーグルファーイースト社製）を用いて溶解除去し、つい
で、図２（ｅ）に示すように、上記突起電極部の上に形
成された銅製導電層６の上に、前述の方法により厚み８
μｍの紫外線硬化型レジスト層７（イーグルＮＴ−９
０，シプレイファーイースト社製）を形成した。また、
図２（ｆ）に示すように、上記銅箔３を塩化第二銅溶液
で溶解除去し、前述の電気金メッキ処理を施し、導電性
金属体の他端側の露呈端面上で導電性金属を析出して高
さ６μｍの突起電極部を形成した。この電気金メッキ処
理の条件は、前述と同様である。

【００５０】そして、上記銅製導電層６およびレジスト
層７を前述と同様にして除去し、図２（ｇ）に示すよう
な異方導電性フィルムを作製した。この異方導電性フィ
ルムの各箇所のサイズを、図６に基づき詳細に説明する
と、導電性金属体２１相互のピッチＰが４５μｍであ
り、導電性金属体２の二つの突起電極部の外径（底面の
直径）は、ｄ₁ が２３μｍであり、ｄ₄ が３２μｍであ
る。また、高分子フィルム１の貫通孔のレーザー照射面
側の開口内径ｄ₂ は３０μｍであり、これと反対面側の
開口内径ｄ₃ は１５μｍである。また、高分子フィルム
１のレーザー照射面側の突起電極部の高さｈ₁ は８μｍ
であり、これと反対面側の突起電極部の高さｈ₂ は６μ
ｍである。

【００５１】このようにして得られた実施例１品の異方
導電性フィルムの導電性金属体両端に形成された突起電
極部の形状について、金属顕微鏡を用いて断面観察して
形態を評価した。その結果、上記突起電極部は、マッシ
ュルーム頭部のような略半球状に形成され、その表面は
光沢のある平滑面であった。また、ツメ部の厚みも充分
なものであった。そして、各突起電極部の形状は、均一
に形成されており、特に、高さが揃っていた。つぎに、
この異方導電性フィルムについて、電気抵抗測定用のプ
ローブおよび回路基体に接続し、電気的接続の信頼性に
ついて評価した結果、電気的接続の信頼性は優れたもの
であった。また、この評価の際に、突起電極部のツメ部
の欠けは発生せず、導電性金属体の脱落がなかった。

【００５２】

【実施例２】前に述べた吹き付け電気金メッキ法によ
り、導電性金属体の他端を突起電極部となるように形成
した。すなわち、実施例１と同様にして、上記工程
（ａ），（ｂ），（ｄ）により、高分子フィルム１ａの
貫通孔内に、一端が突起電極部となった導電性金属体２
ａを形成した。この導電性金属体の他端側の端面は露呈
している。そして、図７に示すように、導電支持体（チ
タン−白金極板）１０を上記突起電極部に接触させ、こ
れを電気金メッキ法の陰極とし、スプレーノズル８を陽
極として、導電性金属体２ａの露呈端面側の高分子フィ
ルム１ａのフィルム面に対し、電気金メッキ溶液を吹き
付けた。

【００５３】そして、この吹き付け電気金メッキによ
り、導電性金属体２ａの他端を突起電極部に形成し、目
的とする異方導電性フィルムを作製した。この異方導電
性フィルムの各箇所のサイズを、図６に基づき詳細に説
明すると、導電性金属体２相互のピッチＰが４５μｍで
あり、導電性金属体２の二つの突起電極部の外径（底面
の直径）は、ｄ₁ が２２であり、ｄ₄ が３２μｍであ
る。また、高分子フィルム１の貫通孔のレーザー照射面
側の開口内径ｄ₂ ３０μｍであり、これと反対面側の開
口内径ｄ₃ は１５μｍである。また、高分子フィルム１
のレーザー照射面側の突起電極部の高さｈ₁ は８μｍで
あり、これと反対面側の突起電極部の高さｈ ₂ は６．５
μｍである。

【００５４】このようにして得られた実施例２品の異方
導電性フィルムの導電性金属体両端に形成された突起電
極部の形状について、実施例１と同様の方法により形態
を評価した。その結果、上記突起電極部は、マッシュル
ーム頭部のような略半球状に形成され、その表面は光沢
のある平滑面であった。また、ツメ部の厚みも充分なも
のであった。そして、各突起電極部の形状は、均一に形
成されており、特に、高さが揃っていた。つぎに、この
異方導電性フィルムについて、実施例１と同様の方法に
より電気的接続の信頼性について評価した結果、電気的
接続の信頼性は優れたものであった。また、この評価の
際に、突起電極部のツメ部の欠けは発生せず、導電性金
属体の脱落がなかった。そして、この実施例では、吹き
付け電気メッキ法を採用したことから、導電層の形成工
程や、この上に形成するレジスト層の形成工程が簡略化
されて、製造効率が向上した。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、導電層の上に高分子フィルムが形成
された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、上記高分子
フィルムに対しレーザーで孔開け加工を行い貫通孔を形
成する状態を示す断面図であり、（ｃ）は、上記貫通孔
内に導電性金属体を形成し、その一端を突起電極部に形
成する状態を示す断面図であり、（ｄ）は、上記突起電
極部上に導電層を形成する状態を示す断面図である。

【図２】（ｅ）は、上記突起電極部の上に形成された導
電層の上にレジスト層を形成した状態を示す断面図であ
り、（ｆ）は、上記（ａ）の導電層を除去した状態を示
す断面図であり、（ｇ）は、上記突起電極部上の導電層
およびこの上に形成されたレジスト層を除去した状態を
示す断面図である。

【図３】（ａ）は、導電層の上に高分子フィルムが形成
された状態を示す断面図であり、（ｂ）は、上記高分子
フィルムに対しレーザーで孔開け加工を行い貫通孔を形
成する状態を示す断面図であり、（ｃ）は、エッチング
処理により上記導電層に凹部を形成する状態を示す断面
図であり、（ｄ）は、上記高分子フィルムの貫通孔内に
導電性金属体を形成した状態を示す断面図であり、
（ｅ）は、上記導電層を除去した状態を示す断面図であ
る。

【図４】異方導電性フィルムの構造を示す断面図であ
る。

【図５】上記異方導電性フィルムの拡大断面図である。

【図６】この発明の一実施例により得られた異方導電性
フィルムの断面図である。

【図７】吹き付け電気メッキ法により、突起電極部を形
成する状態を示す模式図である。

フロントページの続き (72)発明者 篠原 英樹 愛知県小牧市大字北外山字哥津3600 東 海ゴム工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−40218（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−101710（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226055（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−235935（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01B 13/00 501 C08J 7/06

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるこ
   とを特徴とする異方導電性フィルムの製法。 （ａ）厚み方向に穿設された多数の貫通孔を備え、かつ
   上記貫通孔の一端開口が導電層により閉塞されている高
   分子フィルムを準備する工程。 （ｂ）上記導電層を電極とした電気メッキ法により、上
   記高分子フィルムの貫通孔内に導電性金属を析出させ、
   厚み方向に連続する導電性金属体を形成し、この導電性
   金属体の上記貫通孔の他端に対応する他端を、上記貫通
   孔他端開口から突出させて上記他端開口内径より大きい
   外径を有する突起電極部に形成する工程。 （ｃ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に導電層を
   形成する工程。 （ｄ）上記貫通孔の一端開口を閉塞する導電層を除去し
   上記導電性金属体の一端側の端面を露呈させる工程。 （ｅ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に形成され
   た導電層を電極とした電気メッキ法により、上記高分子
   フィルムの貫通孔内に形成された導電性金属体の一端側
   露呈端面上に導電性金属を析出させ、上記導電性金属体
   の一端を突出させて上記貫通孔の一端開口内径より大き
   い外径を有する突起電極部に形成する工程。 （ｆ）上記貫通孔の他端開口の突起電極部上に形成され
   た導電層を除去する工程。
2. 【請求項２】 上記突起電極部の形状が、略半球状であ
   る請求項１記載の異方導電性フィルムの製法。