JPH06256960A - 銅被覆アラミド基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、アラミド樹脂フィルムの少なくと
も一面に銅被覆層を形成した銅被覆アラミド基板を得る
に際して、容易且つ密着性よく薄膜の銅被覆を形成した
銅被覆アラミド基板を製造する方法を提供することを目
的とする。 【構成】 アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面に銅
被覆層を形成し銅被覆アラミド基板を製造するに際し、
アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面をヒドラジンと
アルカリ金属水酸化物を含有する水溶液によってエッチ
ング処理し、次いで無電解めっきのための触媒付与処理
を行った後、該面に導電性金属の無電解めっき処理を施
し、さらに必要に応じその上に銅被覆処理を行うことを
特徴とする銅被覆アラミド基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はフレキシブルプリント基
板（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）テー
プなどの素材となる銅被覆アラミド基板の製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年になって電子機器の小型化、高速化
によりＦＰＣやＴＡＢテープにおいても高配線密度化、
高機能化が要求されている。現在この要求に対して耐熱
性の良好なポリイミド樹脂フィルムを絶縁基板材料とし
て用い、その表面に銅被覆を形成した銅被覆ポリイミド
基板がＦＰＣ、ＴＡＢテープ用の基板として使用されて
いる。しかしながら、ポリイミド樹脂は極めて高価な材
料であるために、その使用は高付加価値配線板用の用途
に限定せざるを得なかった。

【０００３】そこで最近ではこのポリイミド樹脂基板に
代わる安価な基板材料としてアラミド樹脂基板が開発さ
れた。アラミド樹脂は耐熱性では、ポリイミド樹脂に比
較して若干劣るものの、引っ張り弾性率がポリイミド樹
脂の３〜４倍と優れており、フィルム基板として用いる
場合にポリイミド樹脂フィルムと同程度の引っ張り弾性
率を得るために必要なフィルム厚さは１／３から１／４
と小さくできるなどの特徴を持っており、基板薄肉化の
要求に応え得る材料として注目されている。

【０００４】アラミド樹脂フィルムをＦＰＣ、ＴＡＢテ
ープ用基板の素材として利用する場合その表面に銅を被
覆する必要があり、従来はアラミド樹脂フィルムと銅箔
を接着剤により貼り合せるラミネート法が採られてい
た。

【０００５】しかしながら、上記したようなラミネート
法によって得られた金属被覆アラミド樹脂基板は、基板
作成時に使用する接着剤の耐薬品性が十分でないために
銅箔をエッチング加工するに際して接着剤の膨潤や不純
物イオンの吸着を招き、特に形成された回路の間隔が狭
小である場合に回路の絶縁不良を起こす恐れがある。ま
た接着剤層の耐熱性がアラミド樹脂の耐熱性よりも低い
ので、基板使用時においてはんだ付け等による高熱によ
って銅層の密着強度が低下してしまうので、アラミド樹
脂の優れた耐熱性を生かすことができなかった。更に、
ラミネート法では銅被覆として銅箔を使用するためにそ
の厚さが限定され、特に厚さ１５μｍ以下となると取り
扱いが困難となるために、このような薄肉の銅箔を貼り
合せた銅被覆アラミド基板の製造は困難であった。

【０００６】一方において、ＦＰＣ、ＴＡＢテープなど
では、高配線密度化、高機能化が求められており、その
ためには銅被覆層の厚みを小さくする傾向にあり、ラミ
ネート法では厚みの低下に限界があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この問題を解決する方
法として、銅層をアラミド樹脂フィルムに接着剤を用い
ることなく直接形成する方法が考えられる。この種の樹
脂フィルム上に直接金属層を形成する方法としては、ス
パッタ法、蒸着法、無電解めっき法等があるが、これら
のうち蒸着法、スパッタ法などは真空設備を使用するな
ど設備的にコストが掛かりすぎ、無電解めっき法による
方法が最も経済的に有利な方法であると考えられる。し
かしながら、現在では未だアラミド樹脂に対する無電解
めっき膜の形成技術は確立しておらず、従ってこのよう
に接着剤を使用せずに無電解めっき法を用いて銅被覆層
を形成した銅被覆アラミド基板は得られていない。

【０００８】本発明は、アラミド樹脂フィルムの全面ま
たは一面に銅被覆層を形成した銅被覆アラミド基板を得
るに際しての上記の問題点を解決し、容易且つ密着性よ
く薄膜の銅被覆を形成した銅被覆アラミド基板を製造す
る方法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面
に銅被覆層を形成し銅被覆アラミド基板を製造するに際
し、アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面をヒドラジ
ンとアルカリ金属水酸化物を含有する水溶液によってエ
ッチング処理をした後、無電解めっきのための触媒付与
処理を行い、次いで該面に導電性金属の無電解めっき処
理を施し、さらに必要に応じその上に銅被覆処理を行う
ことを特徴とする銅被覆アラミド基板の製造方法であ
る。

【００１０】即ち、アラミド樹脂フィルムに無電解めっ
きによる導電性金属膜を形成するためには、その表面に
無電解めっきが円滑に行われるように触媒付与を行うこ
とが不可欠であるが、そのためにはアラミド樹脂面を親
水性化して触媒付与を容易に行い得るようにする必要が
ある。本発明においてはその触媒付与を確実に行い得る
ようなアラミド樹脂面の新しい親水性化エッチング処理
法を開発し得たものであり、これによって確実な触媒付
与を行い、密着性の優れた無電解めっき膜を形成させる
ことに成功したものである。

【００１１】本発明において、アラミド樹脂フィルム面
のエッチング処理を行うに際して用いられるエッチング
用水溶液としては、抱水ヒドラジンを１〜１５モル／
ｌ、アルカリ金属水酸化物を０．５〜５モル／ｌの割合
で含む水溶液が好ましく、且つエッチング処理に際して
の該水溶液の液温は１０〜５０℃の範囲であることが望
ましい。またエッチング処理後に行われる触媒付与処理
において付与される触媒金属は、パラジウム、銀、銅、
ニッケル、コバルトおよび金のうちの何れか１種である
ことが望ましい。

【００１２】次の無電解めっき処理により該触媒付与面
に形成する導電性金属膜としては、銅膜のほか、ニッケ
ル、コバルトまたはこれらの合金膜が挙げられる。そし
て、該導電性金属膜と必要に応じてその後に行われる銅
被覆処理によって形成される銅被覆との合計の厚みは
０．２〜１５μｍの範囲とするのが望ましく、また導電
性金属膜をニッケル、コバルトまたはそれらの合金によ
って形成した場合は、導電性金属膜の膜厚を０．２〜
０．０２μｍ程度とするのが望ましく、また、該膜中に
含まれる不純物の量は７重量％以下とすることが好まし
い。

【００１３】

【作用】次に本発明についてその詳細および作用につい
て説明する。

【００１４】本発明の銅被覆アラミド基板の製造方法に
おいて、エッチング処理でアラミド樹脂フィルムのエッ
チング液として抱水ヒドラジンとアルカリ金属水酸化物
の混合水溶液を使用するのは、アルカリ金属水酸化物に
よるアラミド樹脂の加水分解および抱水ヒドラジンによ
るアミド結合の切断作用が行われることによってアラミ
ド樹脂フィルム面が親水性化され、その結果、その後に
行われる無電解めっきのための触媒付与処理に際して、
触媒核となる金属をアラミド樹脂フィルム面へ容易に吸
着させることができるからである。

【００１５】アルカリ金属水酸化物としては特に限定さ
れるものでないが、価格や入手の容易性から水酸化ナト
リウムまたは水酸化カリウムが好ましい。液中のアルカ
リ金属水酸化物の濃度が０．５モル／ｌよりも小さい場
合には加水分解が必ずしも十分に行われず、また５モル
／ｌよりも大きい場合には、水溶液の粘性が高くなって
アラミド樹脂表面における処理むらが発生する恐れがあ
るばかりでなく、無電解めっき被膜による金属層の密着
強度が低下してしまう。従ってアルカリ金属水酸化物の
濃度は、０．５〜５モル／ｌの範囲とすることが望まし
い。

【００１６】また水溶液中の抱水ヒドラジンの濃度が１
モル／ｌよりも小さい場合にはアミド結合の切断が十分
に行われず、また１５モル／ｌよりも大きい場合にはエ
ッチングが過度に行われ、例えば１５μｍ以下の厚さの
アラミド樹脂フィルム使用の場合ではエッチング後のフ
ィルム強度が基板として使用するに耐えられなくなる上
に、ヒドラジンのミストが多量に発生するために作業環
境を悪化する。従ってヒドラジンの濃度は１〜１５モル
／ｌの範囲とすることが望ましい。

【００１７】エッチング処理に際しての処理温度や時間
は求められるエッチングの程度や、水溶液中のアルカリ
金属水酸化物とヒドラジンとの含有割合や、それぞれの
濃度などに依存するので一概に定めることはできない
が、一般的には処理温度１０〜５０℃の範囲で処理時間
を０．５〜５分とすればよい。エッチング処理後に行う
触媒付与処理および無電解めっき処理においては、それ
ぞれ従来から行われる一般的な処理方法を採用すること
ができるが、触媒付与処理後の乾燥温度が１０℃以下で
あると乾燥に時間が掛かりすぎ、また９０℃以上となる
と触媒の活性が低下してしまう恐れがあるので、その乾
燥温度を１０〜９０℃の範囲に定めることが望ましい。

【００１８】触媒付与処理において、アラミド樹脂フィ
ルム面に付与される触媒金属は、パラジウム、金、銀、
銅、ニッケル、コバルトのうちから無電解めっきによっ
て析出される導電性金属の種類に応じて選択される。因
に銅膜やニッケル膜を形成する場合には、触媒はパラジ
ウム系の金属が好ましい。

【００１９】また、無電解めっき処理において、アラミ
ド樹脂フィルムの表面に形成する導電性金属としては、
銅、ニッケル、コバルトまたはこれらの金属の合金のう
ちから選択される。このうち、ニッケル、コバルトおよ
びそれらの合金は、銅に比べてアラミド樹脂に対する密
着性が高く、またその後に行われる銅被覆との密着性も
高いので結果的に銅被覆層の密着性を高めることになる
と共に該導電性金属膜を含めた銅被覆層の合計の厚みを
薄くすることができるので効果的である。

【００２０】また、無電解めっきによって形成するこれ
ら導電性金属膜がニッケル膜、コバルト膜、またはこれ
らの金属の合金膜である場合には、その膜厚は０．０２
〜０. ２μｍ程度とすることが好ましく、また、該膜中
に含まれる燐などの不純物の量を７重量％以下に抑える
ことが望ましい。これは不純物量が７重量％よりも大き
く、また膜厚が０．０２μｍ以下であると、薄すぎて上
記した密着性改善効果が十分に発揮されない。一方膜厚
が０．２μｍ以上であると、その後に行われる銅被覆処
理工程によって銅被覆を形成して得られた銅被覆アラミ
ド基板をこの種の配線基板上に回路形成するために常用
されるサブトラクティブ法やセミアディティブ法によっ
て硫酸−硫酸第二鉄溶液などを用いた基板面における不
要部分の銅被覆層の溶解除去処理を施すに際して、回路
間にこれらの導電性金属膜が残留して回路の短絡を生ず
る恐れがあるからである。

【００２１】また無電解めっきによって銅膜を形成する
場合には、その後行われる銅被覆処理工程を省略するこ
ともできる。銅被覆処理を省略するような場合には、こ
の無電解めっき処理のみにて０．２〜１５μｍの範囲と
すればよく、また無電解めっき後その上にさらに銅被覆
処理を行う場合には、これらの処理によって形成される
金属層はいずれも銅であり同種の金属であるために無電
解めっき処理による銅膜の厚みの制限はなく、無電解め
っきにより形成し得る範囲で任意の厚さにすればよい。
しかしながら銅被覆処理を電気めっき法により行う場合
を考慮すると、この無電解めっき膜が０．２μｍ以下で
あるときは銅膜が薄すぎて被膜抵抗が大きくなって導電
性が不良となり良好な電気めっきが行われなくなるので
０．２μｍ以上にすることが望まれる。

【００２２】これら、無電解めっきによる導電性金属膜
形成後、その上に必要に応じて無電解めっき法または電
気めっき法による銅被覆層の形成を行うが、銅被覆層の
厚みは無電解めっき膜部分を含めた合計で０．２〜１５
μｍの範囲とすることが望ましい。これは得られた銅被
覆アラミド基板を使用して、ＦＰＣやＴＡＢテープ等の
配線板を作成するに際して、上記銅被覆層の厚さが０．
２μｍ未満であると、基板上に配線部形成のための電気
銅めっきを行う場合に上記したような理由により良好な
電気めっきが行われ難く、一方１５μｍより大きくなる
とサブトラクティブ法を採用して銅被覆層をエッチング
して配線部を形成する場合に、エッチング時間が長くな
るために形成される銅配線部におけるサイドエッチング
の幅が大きくなり、配線幅および配線ピッチを小さくと
ることができなくなり、配線の高密度化を果たすことが
できなくなるからである。

【００２３】なお、本発明において行われる導電性金属
膜の形成のための無電解めっき処理工程および銅被覆処
理工程において行われる無電解銅めっき処理または電気
銅めっき処理における処理手順は、従来採用される手順
と何等変わることがないのでその詳細な説明は省略す
る。

【００２４】

【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 実施例１ 試料基板材料として３０ｃｍ×３０ｃｍで厚さ５０μｍ
の旭化成工業社製「アラミカ５０Ｒ型」アラミド樹脂フ
ィルムを用い、該試料基板を５モル／ｌの抱水ヒドラジ
ンと３モル／ｌの水酸化カリウムを含有する水溶液中に
２５℃で６０秒間浸漬してその表面を親水性にした後十
分に水洗した。その後、片面をマスキングして触媒金属
としてパラジウムと錫を付着させるために、コロイド系
触媒付与剤である奥野製薬社製「ＯＰＣ−８０キャタリ
ストＭ」を使用して２５℃で５分間の触媒付与処理を施
し、水洗をした後触媒活性化剤として奥野製薬社製「Ｏ
ＰＣ−５５５アクセレーター」を用いて２５℃で７分間
の促進処理を施し、さらに十分な水洗を行った後３０℃
の冷風で乾燥した。この基板について表面に付着した触
媒金属層を調べたところ、明らかにパラジウムおよび錫
が検出された。

【００２５】次にこの基板表面に表１に示す条件で銅の
無電解めっきを行った。

【００２６】

【表１】 （無電解銅めっき液組成） ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ ： １０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ： ３０ｇ／ｌ ３７％ＨＣＨＯ ： ５ｇ／ｌ ジピリジル ： ２０ｍｇ／ｌ ＰＥＧ＃１０００ ： ０．５ｇ／ｌ （無電解めっき条件） 温 度 ： ６５℃ 撹 拌 ： 空気撹拌 時 間 ： １０分間 その結果、基板表面に厚さ０．４μｍの厚さの銅層を有
する銅被覆アラミド基板を得ることができた。

【００２７】次にこの銅被覆アラミド基板における銅層
とアラミド樹脂フィルムとの間の密着強度の測定を行っ
た。測定の手順は次の通りである。

【００２８】銅被覆アラミド基板の銅層面に表２に示す
条件で電気めっきを行い、全体として厚みが３５μｍの
銅層を形成した。

【００２９】

【表２】 （電気銅めっき液組成） ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ ： １２０ｇ／ｌ Ｈ_２ＳＯ_４ ： １５０ｇ／ｌ （電解条件） 温 度 ： ２５℃ 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ^２ 撹 拌 ： 空気撹拌 時 間 ： ９０分間 次に、該銅層表面にレジストとして花見化学工業社製
「ＡＮＯＴＥＣＨ」を、スクリーン印刷により塗布し、
乾燥後塩化第二鉄３５０／ｌ溶液中で不要部分の銅層を
溶解除去し、幅１ｍｍ、長さ１００ｍｍの帯状パターン
を形成した。その後該基板を水平な場所に設置固定し、
銅層の一端を基板に対して直角方向に引き上げ、引き剥
すことによって密着強度の測定を行った。その結果、得
られた密着強度は７５０ｇ／ｃｍであった。

【００３０】以上の結果より、本発明の方法により得ら
れた銅被覆アラミド基板における銅層とアラミド樹脂フ
ィルムとの間の密着強度は良好であり、ＦＰＣ、ＴＡＢ
テープ等の配線基板材料として十分使用可能であること
が判かる。 実施例２ 試料基板として実施例１と同様のアラミド樹脂フィルム
を用いて、実施例１と同様の手順でアラミド樹脂フィル
ム表面のエッチング処理を行った後、触媒金属としてパ
ラジウムを付与するために、アルカリイオン系触媒であ
る奥野製薬社製「ＯＰＣ−５０インデューサー」を使用
して４０℃で６分間の処理を行った後、水洗を行い、次
いで奥野製薬社製「ＯＰＣ−１５０クリスター」を使用
して２５℃で５分間の促進処理を行い、水洗後８０℃の
温風で乾燥した。この基板について表面に付着した触媒
金属を調べたところ、明らかにパラジウムが検出され
た。

【００３１】この基板について実施例１と同様の手順で
０．４μｍの銅層を有する銅被覆アラミド基板を得るこ
とができた。次いで、実施例１と同様の手順でこの銅被
覆アラミド基板における銅層とアラミド樹脂フィルム間
の密着強度の測定を行ったところ、密着強度は７２０ｇ
／ｃｍであった。

【００３２】以上の結果より、本発明の方法により得ら
れた銅被覆アラミド基板における銅層とアラミド樹脂フ
ィルムとの間の密着強度は良好であり、ＦＰＣ、ＴＡＢ
テープ等の配線基板材料として使用するに耐える十分な
ものであることが判かる。 実施例３ 試料基板として実施例１と同様のアラミド樹脂フィルム
を用い、無電解めっきによる銅膜の形成までの工程まで
を実施例１と同様の手順で行い、さらにこの上に実施例
１における表２に示す条件のうち、めっき時間のみを３
０分に換えて電気めっきによる銅被覆処理を行った。こ
の結果アラミド樹脂フィルム上に１２μｍの厚みの銅層
を有する銅被覆アラミド基板が得られた。

【００３３】次いで、該銅被覆アラミド基板における銅
層とアラミド樹脂フィルム間の密着強度を測定するため
に、銅層上に上記のめっき条件でさらに６０分の電気め
っきを行い合計の厚みが３５μｍの銅層を形成し、その
後は実施例１と同様の手順で密着強度の測定を行った。
得られた密着強度は７５０ｇ／ｃｍであった。

【００３４】以上の結果より、本発明の方法により得ら
れた銅被覆アラミド基板における銅層とアラミド樹脂フ
ィルムとの間の密着強度は良好であり、該基板は、ＦＰ
Ｃ、ＴＡＢテープ等の配線基板材料として十分に使用可
能であることが判かる。 実施例４ アラミド樹脂フィルム表面のエッチング処理液として、
１０モル／ｌの抱水ヒドラジンと５モル／ｌの水酸化ナ
トリウムを含有する２５℃の水溶液を使用し、３０秒間
のエッチング処理を行った以外は実施例１と同様の手順
で０．４μｍの銅層を有する銅被覆アラミド基板を作成
した。

【００３５】次いで、該銅被覆アラミド基板の銅層とア
ラミド樹脂フィルムとの間の密着強度を実施例１と同様
の手順で測定した結果、密着強度は８００ｇ／ｃｍであ
った。

【００３６】以上の結果より、本発明の方法により得ら
れた銅被覆アラミド基板における銅層とアラミド樹脂フ
ィルムとの間の密着強度は良好であり、該基板はＦＰ
Ｃ、ＴＡＢテープ等の配線基板材料として十分に使用可
能であることが判かる。 比較例１ アラミド樹脂フィルム表面のエッチング処理液として、
０．５モル／ｌの抱水ヒドラジンと０．５モル／ｌの水
酸化ナトリウムを含有する５０℃の水溶液を使用し、５
分間のエッチング処理を行った以外は実施例１と同様の
手順で銅被覆アラミド基板を作成したところ、無電解め
っきによってアラミド樹脂フィルム上に銅層を形成する
ことができるものの、銅層とアラミド樹脂フィルムの界
面で膨れが多く発生し、満足な銅被覆アラミド基板を得
ることができなかった。

【００３７】以上の結果より、アラミド樹脂フィルム表
面のエッチング処理を本発明の好ましい範囲を逸脱した
条件でエッチング処理した場合には、ＦＰＣ、ＴＡＢテ
ープ作成用材料として満足し得る性能の銅被覆アラミド
基板を得られないことがあることが判かる。 比較例２ アラミド樹脂フィルム表面のエッチング処理液として、
０．１８モル／ｌの抱水ヒドラジンと７モル／ｌの水酸
化ナトリウムを含有する２５℃の水溶液を使用し、１分
間のエッチング処理を行った以外は実施例１と同様の手
順で銅被覆アラミド基板を作成し、次いで、実施例１と
同様の手順でこの銅被覆アラミド基板における銅層とア
ラミド樹脂フィルム間の密着強度の測定を行ったとこ
ろ、密着強度は０．６ｋｇ／ｃｍときわめて低い値を示
した。

【００３８】以上の結果より、アラミド樹脂フィルム表
面のエッチング処理を、本発明の好ましい範囲より高い
含有量で抱水ヒドラジンおよび水酸化アルカリを含むエ
ッチング処理液を使用して行った場合には密着強度が１
ｋｇ／ｌ以下となり、ＦＰＣ、ＴＡＢテープ等の配線基
板作成用材料として満足し得る性能の銅被覆アラミド基
板を得られないことが判かる。 実施例５ 試料基板材料として実施例１と同様のアラミド樹脂フィ
ルムを用い、パラジウムおよび錫による触媒付与および
活性化処理までを実施例１と同様の手順で行った。次
に、この基板について、表３に示す条件でニッケルの無
電解めっきを行ったところ、基板表面に厚さ０．０５μ
ｍの無電解ニッケルめっき被膜を形成することができ
た。また、このニッケル被膜には７重量％の燐が不純物
として含有されていた。

【００３９】

【表３】 （無電解ニッケルめっき液組成） ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ ： ０．１モル／ｌ ＮａＨ_２ＰＯ_２・Ｈ_２Ｏ ： ０．１モル／ｌ クエン酸ナトリウム ： ０．２モル／ｌ ｐＨ ： ９ （無電解めっき条件） 温 度 ： ６０℃ 時 間 ： ３０秒間 次いで、さらにこの基板に実施例１の表１に示したと同
様の条件で銅の無電解めっき処理を行い厚さ０．４μｍ
の銅層を形成した。次いで、この基板について、銅層と
アラミド樹脂間の密着強度および配線形成後の基板にお
けるニッケル膜の残留状況を調べるために、該基板上に
実施例１の表２で示したと同様の条件で銅の電気めっき
処理を行い全体として３５μｍの厚さの銅層を形成し
た。

【００４０】その後、この銅被覆アラミド基板の銅被覆
上にアクリル樹脂系のフォトレジストを１０μｍの厚さ
に塗布し、７０℃で３０分間焼成した後、配線幅が２０
０μｍになるように基板上にマスキングを施し、該フォ
トレジスト層に３００ｍｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射して
露光を行った後現像を行って帯状の回路パターンを形成
した。その後、パターン形成により露出した銅面を表４
に示す条件でエッチング処理を行うことにより配線回路
を形成した。

【００４１】

【表４】 （エッチング液組成） Ｈ_２Ｏ_２ ： １００ｇ／ｌ Ｈ_２ＳＯ_４ ： １５０ｇ／ｌ （処理条件） 温 度 ： ２５℃ 時 間 ： ４分間 撹 拌 ： 揺動撹拌 次いで、４ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて６
０℃で１分間処理して残留レジスト層の剥離除去を行
い、顕微鏡により配線間の観察を行ったところ、配線間
にはニッケル層の残留は認められなかった。また銅被覆
とアラミド樹脂フィルムとの密着強度を測定したとこ
ろ、１１００ｇ／ｃｍと良好な値を示した。

【００４２】これらの結果より、本発明によりアラミド
樹脂フィルムの一面に無電解めっきによって厚さ０．０
５μｍで、不純物の燐の含有量が７％である無電解ニッ
ケル膜を形成した後、その上に銅被覆を形成した銅被覆
アラミド樹脂基板は、その後に形成された配線回路間に
ニッケル層の残留を生ずることなく、また銅被覆は高い
密着強度を有するのでＦＰＣ、ＴＡＢテープ作成用材料
として十分に使用可能であることが判かる。 実施例６ 試料基板として実施例１と同様のアラミド樹脂フィルム
を用い、無電解めっきのための触媒付与および活性化処
理工程までを実施例１と同様の手順で行った後、さらに
表５に示す条件でコバルトの無電解めっきを行った。

【００４３】

【表５】 （無電解コバルトめっき液組成） ＣｏＳｏ_４・７Ｈ_２Ｏ ： ０．０５モル／ｌ ＮａＨ_２ＰＯ_２・Ｈ_２Ｏ ： ０．２モル／ｌ クエン酸ナトリウム ： ０．２モル／ｌ ｐＨ ： １０ （無電解めっき条件） 温 度 ： ６０℃ 時 間 ： ２分間 その結果、アラミド樹脂フィルム上に厚さ０．０３μｍ
の無電解コバルトめっき膜を形成することができた。ま
たこのコバルト被膜には３重量％の燐が不純物として含
有されていた。以後は実施例１と同様の手順で銅層を被
覆し、無電解コバルトめっき層を有する銅被覆アラミド
樹脂基板を作成し、配線回路の形成を行った。

【００４４】次に、この基板について実施例５と同様に
して、顕微鏡により配線間の観察を行ったところ、配線
間にはニッケル層の残留は認められなかった。また銅被
覆とアラミド樹脂フィルムとの密着強度を測定したとこ
ろ、１０００ｇ／ｃｍと良好な値を示した。 実施例７ アラミド樹脂フィルムの両面にニッケルの無電解めっき
を施した以外は、実施例５と同様の手順でアラミド樹脂
基板を作成し、配線回路を形成した。

【００４５】次にこの基板の両面について実施例１と同
様にして、顕微鏡により配線間の観察を行ったところ、
配線間にはニッケル層の残留は認められなかった。また
両面における銅被覆とアラミド樹脂フィルムとの密着強
度を測定したところ、それぞれ１０５０ｇ／ｃｍと９５
０ｇ／ｃｍと良好な値を示した。

【００４６】これらの結果より、本発明によりアラミド
樹脂フィルムの両面に無電解めっきによって厚さ０．０
５μｍで、不純物の燐の含有量が７％の無電解ニッケル
被膜を形成した銅被覆アラミド樹脂基板は、形成された
配線回路間にニッケル層の残留を生ずることなく、また
銅被覆は高い密着強度を有するのでＦＰＣ、ＴＡＢテー
プ用基板として高い信頼性を有するものであることが判
かる。 比較例３ 触媒付与および活性化処理までを実施例５と同様の手順
で行った基板について、表６に示す条件でニッケルの無
電解めっきを行った。得られた無電解めっき被膜の厚さ
は、０．０３μｍであった。またこのニッケル被膜には
１２重量％の燐が不純物として含まれていた。

【００４７】

【表６】 （無電解ニッケルめっき液組成） ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ ： ０．１モル／ｌ ＮａＨ_２ＰＯ_２・Ｈ_２Ｏ ： ０．１モル／ｌ クエン酸ナトリウム ： ０．１モル／ｌ ｐＨ ： ５．６ （無電解めっき条件） 温 度 ： ６０℃ 時 間 ： １分間 以後の配線回路の形成までの処理を実施例５と同様の手
順で行い、顕微鏡により配線間の観察を行ったところ、
配線間にはニッケルの残留が認められた。

【００４８】以上の結果より、アラミド樹脂フィルム表
面に形成した無電解ニッケル膜の膜厚が０．１μｍ以下
で、不純物含有量が１０％以上のニッケル合金層を有す
る場合には、銅被覆アラミド基板は、銅のエッチング工
程においてニッケル層が残留するので、絶縁抵抗が低下
し、配線基板材料として著しく信頼性に欠けるものとな
ることが判かった。 実施例８（ＴＡＢテープの作成試験） 試料基板として実施例１と同様のアラミド樹脂フィルム
を用い、無電解めっきによる銅膜の形成処理までを実施
例５と同様の手順で行った後、該無電解銅めっき膜上に
実施例１に示された表２の条件のうち、めっき時間のみ
を６０分から３０分に換えて電気銅めっきを行った。

【００４９】以上の処理により、アラミド樹脂フィルム
の一面に０．０５μｍの無電解ニッケルめっき膜を有
し、その上に無電解めっき膜と電気銅めっき膜との合計
で１２μｍの銅被覆を有する銅被覆アラミド樹脂基板が
得られた。

【００５０】次いで、この銅被覆アラミド樹脂基板の銅
被覆上にアクリル樹脂系のフォトレジストを１０μｍの
厚さに塗布し、７０℃で３０分間焼成した後、最小配線
幅が６０μｍのＴＡＢパターン用マスクを基板上にマス
キングし、フォトレジスト層に３００ｍｊ／ｃｍ^２の紫
外線を照射して露光を行った後現像を行った。その後、
パターン形成により露出した銅面を表７に示す条件でエ
ッチング処理を行った。

【００５１】

【表７】 （エッチング液組成） Ｈ_２Ｏ_２ ： １００ｇ／ｌ Ｈ_２ＳＯ_４ ： １５０ｇ／ｌ （処理条件） 温 度 ： ３０℃ 時 間 ： １分間 撹 拌 ： 揺動撹拌 次いで、４ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて６
０℃で１分間処理して残留レジスト層の剥離除去を行っ
た。その結果、最小配線幅が６０μｍのＴＡＢパターン
を基板上に形成することができ、配線間にはニッケルの
残留は認められなかった。また配線回路を形成する銅層
の密着強度も１０００ｇ／ｃｍと十分に高いものであっ
た。

【００５２】その後、この基板の両面にゴム系のフォト
レジストを塗布し、１２０℃で３０分間乾燥し、銅の配
線を形成している側に３０μｍ、アラミド樹脂フィルム
側に１０μｍのレジスト層を形成した後、アラミド樹脂
フィルム側のみに配線先端部に位置するアラミド樹脂フ
ィルムが８ｍｍ×１３ｍｍの範囲で開孔するようなパタ
ーンが得られるマスクでマスキングを施し、フォトレジ
スト層に４００ｍｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射して露光し
た後現像をしてパターン形成を行った。次いでこのパタ
ーン形成により露出したアラミド樹脂フィルムの露出部
分を有効塩素１２％の次亜塩素酸ナトリウムを使用して
８０℃で９０分間処理して溶解した。

【００５３】その結果、最小配線幅が６０μｍの配線回
路を有するＴＡＢ用リードを形成した基板を作成するこ
とができた。

【００５４】以上の結果は、本発明により作成した銅被
覆アラミド樹脂基板は高配線密度ＴＡＢテープ作成用の
基板として十分使用することができることを示してい
る。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によるとき
は、アラミド樹脂フィルム上に接着剤を使用することな
く、容易に無電解めっきによる銅、ニッケル、コバルト
などの導電性金属膜を形成することができ、これによっ
て密着強度が高い薄膜の銅被覆層を形成した銅被覆アラ
ミド樹脂基板を得ることができるので、高配線密度のＦ
ＰＣやＴＡＢテープ作成用の材料としてきわめて有用で
ある。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面
   に銅被覆層を形成して銅被覆アラミド基板を製造するに
   際して、アラミド樹脂フィルムの少なくとも一面をヒド
   ラジンとアルカリ金属水酸化物を含有する水溶液によっ
   てエッチング処理した後、該エッチング面に無電解めっ
   きのための触媒付与処理を行い、次いで該面に導電性金
   属の無電解めっき処理を施し、さらにその上に必要に応
   じ銅被覆処理を施すことを特徴とする銅被覆アラミド基
   板の製造方法。
2. 【請求項２】 エッチング処理に際して用いる水溶液
   は、抱水ヒドラジンを１〜１５モル／ｌ、アルカリ金属
   水酸化物を０．５〜５モル／ｌの割合で含むものであ
   り、且つ該水溶液の液温は１０〜５０℃である請求項１
   記載の銅被覆アラミド基板の製造方法。
3. 【請求項３】 触媒付与処理において施される触媒金属
   は、パラジウム、銀、銅、ニッケル、コバルトおよび金
   のうちの何れか１種である請求項１記載の金属被覆アラ
   ミド基板の製造方法。
4. 【請求項４】 無電解めっき処理によって形成する導電
   性金属膜が銅膜であり、該銅膜と、必要に応じその後に
   行う銅被覆処理により形成される銅被覆との厚さの合計
   が０．２〜１５μｍである請求項１記載の銅被覆アラミ
   ド基板の製造方法。
5. 【請求項５】 無電解めっき処理によって形成する導電
   性金属膜がニッケル、コバルトまたはそれらの合金で、
   その膜厚は０．０２〜０．２μｍであり、該導電性金属
   膜とその後に行われる銅被覆処理により形成される銅被
   膜との合計の厚さが０．２〜１５μｍである請求項１記
   載の銅被覆アラミド基板の製造方法。
6. 【請求項６】 銅被覆処理における銅被覆の形成は、無
   電解めっき法または電気めっき法によって行われる請求
   項１記載の銅被覆アラミド基板の製造方法。
7. 【請求項７】 ニッケル、コバルトまたはそれらの合金
   膜の不純物含有が７重量％以下である請求項５記載の銅
   被覆アラミド基板の製造方法。