JPH05167226A - 配線板の製造法 - Google Patents

配線板の製造法

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JPH05167226A
JPH05167226A JP32882991A JP32882991A JPH05167226A JP H05167226 A JPH05167226 A JP H05167226A JP 32882991 A JP32882991 A JP 32882991A JP 32882991 A JP32882991 A JP 32882991A JP H05167226 A JPH05167226 A JP H05167226A
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copper
plating
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copper oxide
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Naoyuki Urasaki
直之 浦崎
Koichi Tsuyama
宏一 津山
Shuichi Hatakeyama
修一 畠山
Akinari Kida
明成 木田
Akishi Nakaso
昭士 中祖
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】パターンめっき法での回路形成において、スル
ーホール回りの過剰なエッチングを防ぎライン断線のな
い微細配線形成を行うこと。 【構成】薄い金属銅層7の上にめっきレジスト8を形成
し回路となる部分にめっきを施した後、めっきレジスト
を剥離し、基板表面の露出している銅表面に、酸化剤を
有する処理液で処理または陽極酸化により酸化銅を形成
させた後、酸化銅層10を10%硫酸水溶液で処理し、
酸化銅を除去すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度配線板の製造法
に関する。
【0002】
【従来の技術】配線板の製造法として、絶縁基板に薄い
下地金属層を形成し、めっきレジスト像形成、めっき、
めっきレジスト除去、クイックエッチングによる回路加
工を行うパタ一ンめっき法が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】パタ一ンめっき法で
は、1〜2μmの下地金属層を有する基板をベ一スにし
ており、この方法における配線の微細・高密度化は、下
地金属層の厚さに依存している。すなわち、エッチング
する下地金属層の厚さが薄いほどエッチング精度が高く
なる。この薄い金属銅層のエッチングには、過硫酸アン
モニウムや過酸化水素/硫酸などのエッチング液が使用
されていたが、スル一ホ一ル回りのエッチングが進みや
すく、断線が生じやすいという欠点があった。本発明
は、薄い金属銅層を精度良くエッチングでき、スル一ホ
一ル回りのライン断線の無い、高密度配線板の製造法を
提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄い金属銅層
の上にめっきレジストを形成し回路となる部分にめっき
を施した後、めっきレジストを剥離し、基板表面の露出
した銅表面に、酸化剤を有する処理液で処理又は陽極酸
化により銅表面に酸化銅を形成させた後、酸化銅層を酸
性の処理液で除去することを特徴とする配線板の製造法
を提供するものである。本発明が適用できる基板として
は、エポキシ樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる基板、ポリ
エチレン、フッ素樹脂、ポリエ一テルサルフォン、ポリ
エ一テルイミド等の熱可塑性樹脂か、らなる基板、NB
R、アクリルゴム、 シリコンゴム、ポリエチレンゴ
ム、ポリイソプレンゴム等のゴム性樹脂からなる基板、
及び前述した熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ゴム性樹脂
等と紙基材、ガラス布、ガラス不織布、無材質フィラ一
等とを複合化したものからなる基板等がある。
【0005】薄い金属銅層の形成法は、特に限定される
ものではなく、無電解銅めっき、無電解銅めっきと電気
銅めっきの併用、酸化処理銅箔の酸化銅を絶縁基板上ヘ
転写し還元処理し金属銅としたもの、真空蒸着法、スパ
ッタリング法などがある。金属銅層の厚みは、好ましく
は0.1〜2μmである。また、薄い金属銅層形成後の
基板表面の回路とならない部分にめっきレジスト像を形
成し、めっきレジスト像がない部分にめっき法で銅を厚
付けし、めっきレジストを剥離した後、基板表面の回路
とならない部分の銅を、酸化剤を有する処理液に接触さ
せた後、酸化銅を塩酸、硫酸等の酸性の処理液で除去す
ることにより配線板とする。
【0006】
【作用】本発明による配線板の製象法はおいて、絶縁材
料上に形成された薄い金属銅層を精度良くエッチングす
ることにより、スル一ホ一ル回りのライン断線のない配
線板を製造することができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明に係る配線板の製造法の一実施
例を図面に基づき説明する。図1に示すように、通常の
配線板に用いる35μmの銅箔lの片面に、以下に示す
組成の処理液を用いて、以下に示す条件で処理して酸化
銅層2を形成する。 組成 NaOH :15g/1 Na3PO4・12H2O :30g/1 NaC102 :8Og/1 純水 :全量で11となる量 条件 液温度 :85℃ 銅箔浸漬時間 :120秒
【0008】上記条件により、酸化銅属を形成した後、
図2に示すように、銅箔の酸化銅層を形成した面に接す
るように複数枚のガラス布−エポキシプリプレグE−6
7(日立化成工業製、商品名)からなる絶縁基材3を配
置し、加熱加圧して積層体構造物とする。そして、通常
の配線板製造工程で用いられているNCドリルマシンで
所望の位置に貫通孔4を設けた後、図4に示すようはア
ルカリエッチャントを用いて銅箔1を化学的に除去し、
酸化銅層2のみを残す、その後、還元処理液(NaOH
5g/1,ジメチルアミンボラン 5g/1,液温5
5℃)に浸漬して、図5に示すように、酸化銅層2を極
薄銅箔5の還元する。この構造物を塩化パラジウムを含
む処理液に浸漬して、表面にめっき触媒を付着させた
後、無電解銅めっき液であるCUST−201(日立化
成エ業製、商品名)溶液に室温で浸漬し、図6に示すよ
うに無電解銅めっき層7を形成する。この無電解銅めっ
き層7の表面にドライフィルムレジストであるH−F4
50(日立化成工業製、商品名)をラミネ一トし、露
光、現像してめっきレジスト像8を形成する。その後、
以下の条件で電気銅めっきを行い、図7に示すようにパ
タ一ン銅めっき層9を形成する。
【0009】 組成 CuSO4・5H2O 8Og/1 H2SO4 180g/1 塩素イオン 50ppm 光沢剤 カパ一グリ一ム (メルテックス社製) 条件 電流密度 2.5A/dm2 液温 30℃ 陽極 含りん銅
【0010】電気銅めっき後、めっきレジスト8を剥離
し、以下に示す組成の処理液を用いて、以下に示す条件
で処理して図8に示すように酸化銅層10を形成する。 組成 NaOH :20g/1 Na3PO4・12H2O :30g/1 NaC102 :8Og/1 純水 :全量で11となる量 条件 液温度 :85℃ 銅箔浸漬時間 :120秒 上記条件により、酸化銅層10を形成した後、10%硫
酸水溶液の浸漬し酸化銅層10を除去し図9に示すよう
応配線板とする。なお必要であれば、酸化銅処理/硫酸
処理を複数回繰返しても良い。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、量産性に優れたウエッ
ト処理により、銅配線の細りや断線なしに徴細配線が形
成できるため、高密度配線化の適したパタ一ンめっき法
による配線板を高歩留りで安価に製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図2】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図3】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図4】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図5】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図6】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図7】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図8】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【図9】本発明の一実施例の工程を説明するための断面
図である。
【符号の説明】
1 銅箔 2 酸化銅 3 絶縁基材 4 貴通孔 5 極薄銅箔 6 パラジウム 7 無電解銅めっき層 8 めっきレジヌト 9 パタ一ン銅めっき層 l0 酸化銅層
フロントページの続き (72)発明者 木田 明成 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】薄い金属銅層の上にめっきレジストを形成
    し回路となる部分にめっきを施した後、めっきレジスト
    を剥離し、基板表面の露出している銅表面に、酸化剤を
    有する処理液で処理又は陽極酸化により、銅表面に酸化
    銅を形成させた後、酸化銅を酸性の処理液で除去するこ
    とを特徴とする配線板の製造法。
JP32882991A 1991-12-12 1991-12-12 配線板の製造法 Expired - Lifetime JP2626382B2 (ja)

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JP32882991A JP2626382B2 (ja) 1991-12-12 1991-12-12 配線板の製造法

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JP32882991A JP2626382B2 (ja) 1991-12-12 1991-12-12 配線板の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05167226A true JPH05167226A (ja) 1993-07-02
JP2626382B2 JP2626382B2 (ja) 1997-07-02

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ID=18214552

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003101240A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 高密度プリント配線板の製造方法。

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003101240A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 高密度プリント配線板の製造方法。

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Publication number Publication date
JP2626382B2 (ja) 1997-07-02

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