JP2002246732A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

配線回路基板の製造方法

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JP2002246732A
JP2002246732A JP2001039326A JP2001039326A JP2002246732A JP 2002246732 A JP2002246732 A JP 2002246732A JP 2001039326 A JP2001039326 A JP 2001039326A JP 2001039326 A JP2001039326 A JP 2001039326A JP 2002246732 A JP2002246732 A JP 2002246732A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 その両面に接続端子部を精度よく形成するこ
とができ、工程数の低減および工程時間の短縮化、さら
には、コストの低減化および生産効率の向上を図ること
のできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 導体層11の一方の面に、第1の感光性
ポリイミド前駆体層12を形成した後、導体層11を所
定の配線回路パターンにパターン化し、次いで、導体層
11の他方の面に、第2の感光性ポリイミド前駆体層1
4を形成する。その後、第1の感光性ポリイミド前駆体
層12および第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、
同時に露光した後、同時に現像してパターン化し、次い
で、これら第1の感光性ポリイミド前駆体層12および
第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、同時にイミド
化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路基板の製
造方法、詳しくは、その両面に接続端子部が形成されて
いるフレキシブル配線回路基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】 その両面に接続端子部が形成されてい
るフレキシブル配線回路基板の製造方法としては、例え
ば、特開2000−156555号公報に記載される方
法が知られている。すなわち、この方法では、まず、図
5(a)に示すように、導体回路用金属箔1の一方の面
に、ポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥して第1ポ
リイミド前駆体層2を形成する。次いで、図5(b)に
示すように、第1ポリイミド前駆体層2に、フォトリソ
グラフ法によりランドアクセス用開孔部3を設けた後、
図5(c)に示すように、導体回路用金属箔1をサブト
ラクティブ法によりパターンニングして、導体回路層4
を形成する。その後、図5(d)に示すように、導体回
路層4の他方の面に、ポリイミド前駆体ワニスを塗布
し、乾燥して第2ポリイミド前駆体層5を形成した後、
図5(e)に示すように、第2ポリイミド前駆体層5
に、フォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部
6を設け、その後、図5(f)に示すように、第1ポリ
イミド前駆体層2および第2ポリイミド前駆体層5をイ
ミド化して、第1ポリイミド絶縁層7および第2ポリイ
ミド絶縁層8を形成する。
【0003】特開2000−156555号公報におい
て、この方法によれば、低い生産コストにおいて、微細
配線パターンでかつ良好な位置精度でカールを抑制しな
がら、フレキシブル配線回路基板を製造できることが記
載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法で
は、第1ポリイミド前駆体層2にフォトリソグラフ法に
よりランドアクセス用開孔部3を設けた後、導体回路用
金属箔1をパターンニングして導体回路層4を形成し、
その後、第2ポリイミド前駆体層5を形成して、その第
2ポリイミド前駆体層5にフォトリソグラフ法によりラ
ンドアクセス用開孔部6を設ける、すなわち、第1ポリ
イミド前駆体層2および第2ポリイミド前駆体層5に、
それぞれ別工程で、フォトリソグラフ法によりランドア
クセス用開孔部3および6をそれぞれ設けるので、両面
にそれぞれ形成されるランドアクセス用開孔部3および
6の位置関係にずれを生じる場合がある。
【0005】また、第1ポリイミド前駆体層2および第
2ポリイミド前駆体層5に、それぞれ別工程で、ランド
アクセス用開孔部3および6をそれぞれ設けるので、工
程数および工程時間の増加を招き、コストの上昇を生じ
る。
【0006】とりわけ、フォトリソグラフ法では、第1
ポリイミド前駆体層2または第2ポリイミド前駆体層5
にフォトレジストフィルムを貼着し、そのフォトレジス
トフィルムを露光および現像して、所定のパターンのエ
ッチングレジストを形成する必要があるため、そのよう
な工程が、第1ポリイミド前駆体層2および第2ポリイ
ミド前駆体層5のそれぞれについてあると、生産効率の
向上を図ることはきわめて困難である。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであって、その目的とするところは、その両面に接
続端子部を精度よく形成することができ、工程数の低減
および工程時間の短縮化、さらには、コストの低減化お
よび生産効率の向上を図ることのできる、配線回路基板
の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の配線回路基板の製造方法は、導体層の一方
の面に、第1の感光性ポリイミド前駆体層を形成する工
程、前記導体層を所定の配線回路パターンにパターン化
する工程、所定の配線回路パターンとされた前記導体層
の他方の面に、第2の感光性ポリイミド前駆体層を形成
する工程、前記第1の感光性ポリイミド前駆体層および
前記第2の感光性ポリイミド前駆体層を、同時に露光し
た後、現像してパターン化する工程、パターン化された
前記第1の感光性ポリイミド前駆体層および前記第2の
感光性ポリイミド前駆体層を、イミド化する工程を含ん
でいることを特徴としている。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の配線回路基板の
製造方法において、フレキシブル配線回路基板の製造方
法の一実施形態を示す工程図である。以下、図1を参照
して、フレキシブル配線回路基板の製造方法の一実施形
態を説明する。
【0010】この製造方法では、まず、図1(a)に示
すように、導体層11の一方の面に、第1の感光性ポリ
イミド前駆体層12を形成する。導体層11としては、
特に限定されず、フレキシブル配線回路基板の導体層と
して通常使用されるものでよく、例えば、銅、金、ステ
ンレス、アルミニウム、ニッケルなどの金属およびこれ
らの合金などの金属箔または金属薄板が用いられる。こ
れらのうち、銅箔および銅の合金箔が好ましく用いられ
る。また、導体層11の厚みは、通常、1〜100μm
である。
【0011】そして、導体層11の一方の面に、第1の
感光性ポリイミド前駆体層12を形成するには、例え
ば、導体層11の一方の面(上面)に、感光性ポリイミ
ド前駆体の溶液を、スピンコータやバーコータなどの公
知の方法により、2〜100μmの厚さで均一に塗工し
た後、例えば、約80〜130℃で、有機溶媒を乾燥さ
せるようにするか、あるいは、予め、感光性ポリイミド
前駆体の溶液から有機溶媒を乾燥させて2〜100μm
の厚さの感光性ポリイミド前駆体のドライフィルムを形
成しておき、このドライフィルムを導体層11に積層す
ればよい。
【0012】感光性ポリイミド前駆体は、後述するよう
に、露光および現像することによってパターン化するこ
とができ、硬化させることによってポリイミドを形成し
得る感光性樹脂組成物であって、好ましくは、感光剤が
配合されるポリアミック酸樹脂が用いられる。
【0013】ポリアミック酸樹脂は、酸二無水物とジア
ミンとを反応させることによって得ることができる。酸
二無水物としては、例えば、3,3' ,4,4' −オキ
シジフタル酸二無水物(ODPA)、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプロ
パン二無水物(6FDA)、エチレングリコールとトリ
メリット酸とのエステル化合物(TMEG)の二無水
物、3,3' ,4,4' −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物(BTDA)、3,3' ,4,4' −ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、2,
2' ,3,3' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2' ,3,3' −ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフ
ェニル)へキサフルオロプロパン二無水物、ビス(2,
3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビ
ス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二
無水物、ピロメリット酸二無水物などが用いられる。そ
れらは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用しても
よい。
【0014】ジアミンとしては、例えば、4,4' −ジ
アミノジフェニルエーテル(DDE)、3,4' −ジア
ミノジフェニルエーテル(34DDE)、3,3' −ジ
アミノジフェニルエーテル、ビスアミノプロピルテトラ
メチルジシロキサン(APDS)、1,3−ビス(3−
アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、1,3−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、m−フェニレンジ
アミン(MPD)、p−フェニレンジアミン(PP
D)、4,4' −ジアミノジフェニルプロパン、3,
3' −ジアミノジフェニルプロパン、4,4' −ジアミ
ノジフェニルメタン、3,3' −ジアミノジフェニルメ
タン、4,4' −ジアミノジフェニルスルフィド、3,
3' −ジアミノジフェニルスルフィド、4,4' −ジア
ミノジフェニルスルホン、3,3' −ジアミノジフェニ
ルスルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、2,2' −ビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン、へキサメチレンジアミン、
1,8−ジアミノオクタン、1,12−ジアミノドデカ
ン、4,4' −ジアミノベンゾフェノン、オキシジアニ
リン、2−メトキシ−1,4−フェニレンジアミンなど
が用いられる。それらは、単独で用いてもよいし、2種
以上を併用してもよい。
【0015】そして、ポリアミック酸樹脂は、これら酸
二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるよう
な割合で、適宜の有機溶媒、例えば、N−メチル−2−
ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒中で、常温常圧の
下、所定の時間反応させることよって、ポリアミック酸
樹脂の溶液として得ることができる。なお、このように
して得られるポリアミック酸樹脂には、必要に応じて、
エポキシ樹脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミド
などを配合してもよい。また、ポリアミック酸樹脂は、
そのイミド化後のガラス転移温度(Tg)が、250℃
以上、さらには、300℃以上であることが好ましい。
【0016】そして、このようなポリアミック酸樹脂の
溶液に、例えば、ジヒドロピリジン誘導体、ジアゾナフ
トキノンスルホン酸エステル誘導体、芳香族ジアジド化
合物などの感光剤を配合して感光性樹脂組成物を調製す
ることにより、感光性ポリイミド前駆体の溶液を得るこ
とができる。
【0017】なお、感光剤としては、その詳細が特開平
6−75376号公報に記載されるジヒドロピリジン誘
導体が好ましく用いられ、また、感光剤の配合割合は、
例えば、酸二無水物とジアミンとの合計、すなわち、ポ
リアミック酸1モル部に対して、通常、0.05〜1モ
ル部の範囲であることが好ましい。
【0018】次いで、図1(b)に示すように、導体層
11を所定の配線回路パターンにパターン化する。導体
層11を所定の配線回路パターンにパターン化するに
は、特に限定されず、公知のパターンニング法を用いる
ことができ、好ましくは、サブトラクティブ法が用いら
れる。サブトラクティブ法では、まず、図2(a)に示
すように、導体層11の他方の面(下面)に、印刷法や
写真法などによって、所定の配線回路パターンに対応さ
せてエッチングレジスト13を形成し、図2(b)に示
すように、導体層11を、このエッチングレジスト13
をレジストとして、公知のエッチング液により化学エッ
チングした後、図2(c)に示すように、エッチングレ
ジスト13を、公知の剥離液により除去すればよい。
【0019】なお、従来の方法に準じて、まず、導体層
11の一方の面に、第1の感光性ポリイミド前駆体層1
2を形成およびパターン化して、後述する第1の開口部
分17を形成し、次いで、導体層11を所定の配線回路
パターンにパターン化する場合には、導体層11をパタ
ーン化する時には、既に、第1の感光性ポリイミド前駆
体層12に第1の開口部分17が形成されており、その
開口部分17から導体層11が露出しているため、導体
層11の両面(上面および下面)にエッチングレジスト
13を形成する必要を生じるが、この方法では、導体層
11をパターン化する時には、第1の感光性ポリイミド
前駆体層12が未だパターン化されていないため、上記
したように、導体層11の他方の面(下面)のみにエッ
チングレジスト13を形成しさえすれば、導体層11を
良好にパターン化することができる。そのため、工程の
簡略化およびコストの低減化をより一層図ることができ
る。
【0020】次いで、図1(c)に示すように、所定の
配線回路パターンとされた導体層11の他方の面に、第
2の感光性ポリイミド前駆体層14を形成する。導体層
11の他方の面に、第2の感光性ポリイミド前駆体層1
4を形成するには、第1の感光性ポリイミド前駆体層1
2の形成と同様に、例えば、導体層11の他方の面(下
面)に、感光性ポリイミド前駆体の溶液を、スピンコー
タやバーコータなどの公知の方法により、2〜100μ
mの厚さで均一に塗工した後、例えば、約80〜130
℃で、有機溶媒を乾燥させるようにするか、あるいは、
予め、感光性ポリイミド前駆体の溶液から有機溶媒を乾
燥させて2〜100μmの厚さの感光性ポリイミド前駆
体のドライフィルムを形成しておき、このドライフィル
ムを導体層11に積層すればよい。なお、第2の感光性
ポリイミド前駆体層14の形成に用いられる感光性ポリ
イミド前駆体は、第1の感光性ポリイミド前駆体層12
の形成に用いた感光性樹脂組成物と同様であってよい。
【0021】次いで、図1(d)に示すように、第1の
感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光性ポリ
イミド前駆体層14を、同時に露光した後、同時に現像
してパターン化する。
【0022】第1の感光性ポリイミド前駆体層12およ
び第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、同時に露光
するには、例えば、図3(a)に示すように、第1の感
光性ポリイミド前駆体層12の上方に、所定のパターン
の第1のフォトマスク15を対向配置するとともに、第
2の感光性ポリイミド前駆体層14の下方に、所定のパ
ターンの第2のフォトマスク16を対向配置して、第1
のフォトマスク15の上方から、活性光線を、第1のフ
ォトマスク15を介して第1の感光性ポリイミド前駆体
層12に照射するとともに、第2のフォトマスク16の
下方から、活性光線を、第2のフォトマスク16を介し
て第2の感光性ポリイミド前駆体層14に照射すればよ
い。
【0023】第1の感光性ポリイミド前駆体層12およ
び第2の感光性ポリイミド前駆体層14に照射する活性
光線は、その露光波長が、300〜450nm、さらに
は、350〜420nmであることが好ましく、その露
光積算光量が、100〜1000mJ/cm、さらに
は、200〜700mJ/cmであることが好まし
い。
【0024】その後、必要により、第1の感光性ポリイ
ミド前駆体層12および第2の感光性ポリイミド前駆体
層14の露光部分を所定の温度に加熱する。活性光線が
照射された第1の感光性ポリイミド前駆体層12および
第2の感光性ポリイミド前駆体層14の露光部分は、例
えば、130℃以上150℃未満で加熱することによ
り、次の現像処理において可溶化(ポジ型)し、また、
例えば、150℃以上180℃以下で加熱することによ
り、次の現像処理において不溶化(ネガ型)する。
【0025】次いで、図3(b)に示すように、第1の
感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光性ポリ
イミド前駆体層14の露光部分を同時に現像する。現像
は、公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの
公知の方法により行なえばよい。現像液としては、例え
ば、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの有機アルカ
リ水溶液や、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ムなどの無機アルカリ水溶液などのアルカリ現像液が用
いられる。
【0026】なお、この方法においては、ネガ型でパタ
ーンを形成することが好ましく、図3においては、ネガ
型でパターンニングする態様として示されている。
【0027】これによって、図1(d)に示すように、
第1の感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光
性ポリイミド前駆体層14が、それぞれ所定のパターン
に形成され、このパターン化によって、第1の感光性ポ
リイミド前駆体層12における端子形成部分に、導体層
11の一方の面が露出する第1の開口部分17が形成さ
れるとともに、第2の感光性ポリイミド前駆体層14に
おける端子形成部分に、導体層11の他方の面が露出す
る第2の開口部分18が形成される。
【0028】次いで、図1(e)に示すように、このよ
うにパターン化された第1の感光性ポリイミド前駆体層
12および第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、同
時にイミド化する。イミド化は、例えば、250℃以上
で加熱すればよく、これによって、第1の感光性ポリイ
ミド前駆体層12および第2の感光性ポリイミド前駆体
層14が硬化して、ポリイミドからなる第1の絶縁層1
9および第2の絶縁層20がそれぞれ形成される。な
お、第1の絶縁層19および第2の絶縁層20の厚み
は、通常、1〜50μmである。
【0029】その後、図1(f)に示すように、第1の
絶縁層19の第1の開口部分17と、第2の絶縁層20
の第2の開口部分18とに、第1の接続端子部21およ
び第2の接続端子部22をそれぞれ形成することによ
り、その両面に第1の接続端子部21および第2の接続
端子部22がそれぞれ形成されるフレキシブル配線回路
基板を得ることができる。
【0030】第1の接続端子部21および第2の接続端
子部22は、第1の開口部分17内および第2の開口部
分18内に、例えば、電解めっきや無電解めっきによっ
て、銅、クロム、ニッケル、金、はんだなどのめっき層
を、1層または複数層設けることによって形成すればよ
い。好ましくは、ニッケルめっき層および金めっき層を
順次形成する。
【0031】このようなフレキシブル配線回路基板の製
造方法によれば、第1の感光性ポリイミド前駆体層12
および第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、同時に
露光するので、1回のアライメント操作で、第1の感光
性ポリイミド前駆体層12の第1の開口部分17および
第2の感光性ポリイミド前駆体層14の第2の開口部分
18を位置決めすることができる。そのため、これら第
1の感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光性
ポリイミド前駆体層14を、それぞれ別工程でパターン
化する場合に比べて、第1の開口部分17および第2の
開口部分18の位置関係のずれを生じることがきわめて
少なく、それら第1の開口部分17および第2の開口部
分18の相対的な位置精度を良好に確保することができ
る。そのため、これら第1の開口部分17および第2の
開口部分18にそれぞれ形成される第1の接続端子部2
1および第2の接続端子部22の良好な位置精度を確保
することができ、フレキシブル配線回路基板の接続信頼
性を格段に向上させることができる。
【0032】また、第1の感光性ポリイミド前駆体層1
2および第2の感光性ポリイミド前駆体層14を、同時
にパターン化し、これを同時にイミド化すれば、それぞ
れ別工程でパターン化する場合に比べて、工程数の低減
および工程時間の短縮化、さらには、コストの低減化を
図ることができる。
【0033】とりわけ、従来のようなフォトリソグラフ
法によるパターン化では、フォトレジストフィルムを貼
着して、そのフォトレジストフィルムを露光および現像
して、所定のパターンのエッチングレジストを形成しな
ければならず、パターン化の工程が非常に煩雑となる
が、この方法では、感光性ポリイミド前駆体を用いて第
1の感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光性
ポリイミド前駆体層14を形成するので、同時に露光お
よび現像してパターン化することにより、生産効率の向
上を大幅に図ることができる。
【0034】また、この方法は、端子形成部分をフライ
ングリードとして形成する場合に、特に有効である。す
なわち、フライングリードでは、図4(a)に示すよう
に、第1の絶縁層19の第1の開口部分17および第2
の絶縁層20の第2の開口部分18が、導体層11の複
数の配線パターン11aおよび11bを含むようにして
同一位置において対向状に開口形成される(すなわち、
配線パターン11aおよび11bの間など、第1の開口
部分17および第2の開口部分18が、導体層11以外
の部分で貫通形成される。)が、例えば、従来の方法に
準じて、まず、導体層11の一方の面に、第1の感光性
ポリイミド前駆体層12を形成およびパターン化して第
1の開口部分17を形成し、次いで、導体層11を所定
の配線回路パターンにパターン化した後に、第2の感光
性ポリイミド前駆体層14を形成する時に、感光性ポリ
イミド前駆体の溶液を塗工しようとしても、図4(b)
に示すように、感光性ポリイミド前駆体の溶液が第1の
開口部分17から漏れてしまい、良好に塗布することが
できないという不具合を生じる。
【0035】しかし、この方法のように、まず、第1の
感光性ポリイミド前駆体層12および第2の感光性ポリ
イミド前駆体層14を形成した後に、同時にパターン化
すれば、図4(c)に示すように、第2の感光性ポリイ
ミド前駆体層14を形成する時には、第1の感光性ポリ
イミド前駆体層12には、未だ第1の開口部分17が形
成されていないので、感光性ポリイミド前駆体の溶液を
良好に塗工することができ、これによって、第2の感光
性ポリイミド前駆体層14を良好に形成することができ
る。
【0036】さらに、この方法は、フライングリードの
形成以外に、フレキシブル配線回路基板における厚さ方
向を貫通する部分を形成する場合にも、上記と同様に有
効である。すなわち、例えば、フレキシブル配線回路基
板には、金型により所定の形状に打ち抜き加工する際の
位置決め用ピンを挿入するための位置決め用の貫通孔を
形成する場合があるが、このような貫通孔を形成する場
合にも、従来の方法に準じて、先に第1の感光性ポリイ
ミド前駆体層12に貫通孔を形成してしまうと、導体層
11のパターン化後に、第2の感光性ポリイミド前駆体
層14を形成する時には、その感光性ポリイミド前駆体
の溶液がその貫通孔から漏れてしまうという不具合を生
じるが、この方法では、第2の感光性ポリイミド前駆体
層14を形成する時には、第1の感光性ポリイミド前駆
体層12には、未だ貫通孔が形成されていないので、感
光性ポリイミド前駆体の溶液を良好に塗工することがで
きる。
【0037】なお、このようにして製造される配線回路
基板は、特に限定されず、各種の電子機器および電子部
品のフレキシブル配線回路基板として広く用いることが
できる。
【0038】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。
【0039】ポリアミック酸樹脂溶液および感光性ポリ
アミック酸樹脂溶液の調製 3,3' ,4,4' −ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物441g、p−フェニレンジアミン138g、4,
4' −ジアミノジフェニルエーテル45gを、N−メチ
ルピロリドン3277g中で反応させて、ポリアミック
酸樹脂溶液を調製した。
【0040】次いで、このポリアミック酸樹脂溶液に、
さらに、1−エチル−3,5−ジメトキシカルボニル−
4−(2−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジ
ン31gを均一に溶解させて、感光性ポリアミック酸樹
脂溶液を調製した。
【0041】実施例1 厚さ18μmの銅箔の一方の面に、上記で得られた感光
性ポリアミック酸樹脂溶液をスピンコータを用いて塗工
し、100℃で10分間乾燥して、厚さ35μmの第1
の感光性ポリアミック酸樹脂層を形成した(図1(a)
参照)。次いで、銅箔を、サブトラクティブ法により所
定の配線回路パターンに形成した後(図1(b)参
照)、銅箔の他方の面に、上記で得られた感光性ポリア
ミック酸樹脂溶液をスピンコータを用いて塗工し、10
0℃で10分間乾燥して、厚さ15μmの第2の感光性
ポリアミック酸樹脂層を形成した(図1(c)参照)。
次いで、第1の感光性ポリアミック酸樹脂層に所定のパ
ターンの第1のフォトマスクを対向配置するとともに、
第2の感光性ポリアミック酸樹脂層に所定のパターンの
第2のフォトマスクを対向配置し、これら第1のフォト
マスクおよび第2のフォトマスクを介して、第1の感光
性ポリアミック酸樹脂層および第2の感光性ポリアミッ
ク酸樹脂層を、同時に露光(露光波長:365nm、露
光積算光量:300mJ/cm)した後、170℃で
3分間加熱した後、有機アルカリからなる現像剤を用い
て同時に現像することにより、第1の感光性ポリアミッ
ク酸樹脂層に第1の開口部分を形成するとともに、第2
の感光性ポリアミック酸樹脂層に第2の開口部分を形成
した(図1(d)参照)。
【0042】その後、これら第1の感光性ポリアミック
酸樹脂層および第2の感光性ポリアミック酸樹脂層を、
400℃で加熱することにより、イミド化し、厚さ25
μmの第1の絶縁層および厚さ10μmの第2の絶縁層
を形成した後(図1(e)参照)、第1の開口部分およ
び第2の開口部分に、ニッケルめっき層および金めっき
層を順次形成することにより、第1の接続端子部および
第2の接続端子部をそれぞれ形成した(図1(f)参
照)。これによって、その両面に第1の接続端子部およ
び第2の接続端子部が形成されるフレキシブル配線回路
基板を得た。
【0043】比較例1 厚さ18μmの銅箔の一方の面に、上記で得られたポリ
アミック酸樹脂溶液をスピンコータを用いて塗工し、1
00℃で10分間乾燥して、厚さ35μmの第1のポリ
アミック酸樹脂層を形成した(図4(a)参照)。次い
で、第1のポリアミック酸樹脂層に、フォトレジストフ
ィルムを貼着して、そのフォトレジストフィルムを露光
および現像して、所定のパターンのエッチングレジスト
を形成した。その後、このエッチングレジストをレジス
トとして、第1のポリアミック酸樹脂層を化学エッチン
グすることにより、第1のポリアミック酸樹脂層に第1
の開口部分を形成した(図4(b)参照)。
【0044】次いで、銅箔を、サブトラクティブ法によ
り所定の配線回路パターンに形成した後(図4(c)参
照)、その銅箔の他方の面に、上記で得られたポリアミ
ック酸樹脂溶液をスピンコータを用いて塗工し、100
℃で10分間乾燥して、厚さ15μmの第2のポリアミ
ック酸樹脂層を形成した(図4(d)参照)。次いで、
第2のポリアミック酸樹脂層に、フォトレジストフィル
ムを貼着して、そのフォトレジストフィルムを露光およ
び現像して、所定のパターンのエッチングレジストを形
成した。その後、このエッチングレジストをレジストと
して、第2のポリアミック酸樹脂層を化学エッチングす
ることにより、第2のポリアミック酸樹脂層に第2の開
口部分を形成した(図4(e)参照)。
【0045】その後、これら第1のポリアミック酸樹脂
層および第2のポリアミック酸樹脂層を、400℃で加
熱することにより、イミド化し、厚さ25μmの第1の
絶縁層および厚さ10μmの第2の絶縁層を形成した後
(図4(f)参照)、第1の開口部分および第2の開口
部分に、ニッケルめっき層および金めっき層を順次形成
することにより、第1の接続端子部および第2の接続端
子部をそれぞれ形成した。これによって、その両面に第
1の接続端子部および第2の接続端子部が形成されるフ
レキシブル配線回路基板を得た。
【0046】評価 実施例1および比較例1で得られたフレキシブル配線回
路基板について、第1の接続端子部および第2の接続端
子部の位置関係を観察したところ、実施例1は比較例1
に比べて良好な位置精度を有し、位置関係のずれが全く
なかった。
【0047】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の配線回路基
板の製造方法によれば、第1の感光性ポリイミド前駆体
層および第2の感光性ポリイミド前駆体層を、同時に露
光し、現像することによってパターン化し、次いで、こ
れをイミド化するので、第1の感光性ポリイミド前駆体
層および第2の感光性ポリイミド前駆体層を、それぞれ
別工程でパターン化する場合に比べて、それら第1の感
光性ポリイミド前駆体層および第2の感光性ポリイミド
前駆体層にそれぞれ形成されるパターンの位置関係のず
れを生じることがきわめて少なく、それらパターンの相
対的な位置精度を良好に確保することができる。そのた
め、それらパターンにそれぞれ形成される接続端子部の
良好な位置精度を確保することができ、フレキシブル配
線回路基板の接続信頼性を格段に向上させることができ
る。
【0048】また、第1の感光性ポリイミド前駆体層お
よび第2の感光性ポリイミド前駆体層を、同時にパター
ン化すれば、それぞれ別工程でパターン化する場合に比
べて、工程数の低減および工程時間の短縮化、さらに
は、コストの低減化を図ることができる。
【0049】とりわけ、従来のようなフォトリソグラフ
法によるパターン化では、フォトレジストフィルムを貼
着して、そのフォトレジストフィルムを露光および現像
して、所定のパターンのエッチングレジストを形成しな
ければならず、パターン化の工程が非常に煩雑となる
が、この方法では、感光性ポリイミド前駆体を用いて第
1の感光性ポリイミド前駆体層および第2の感光性ポリ
イミド前駆体層を形成するので、同時にパターン化する
ことにより、生産効率の向上を大幅に図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態
の各工程を示す要部断面図であって、(a)は、導体層
の一方の面に、第1の感光性ポリイミド前駆体層を形成
する工程、(b)は、導体層を所定の配線回路パターン
にパターン化する工程、(c)は、所定の配線回路パタ
ーンとされた導体層の他方の面に、第2の感光性ポリイ
ミド前駆体層を形成する工程、(d)は、第1の感光性
ポリイミド前駆体層12および第2の感光性ポリイミド
前駆体層14を、同時に露光した後、同時に現像してパ
ターン化する工程、(e)は、パターン化された第1の
感光性ポリイミド前駆体層および第2の感光性ポリイミ
ド前駆体層を、同時にイミド化する工程、(f)は、第
1の絶縁層の第1の開口部分と、第2の絶縁層の第2の
開口部分とに、第1の接続端子部および第2の接続端子
部をそれぞれ形成する工程を示す。
【図2】図1(b)の導体層を所定の配線回路パターン
にパターン化する工程において、導体層をサブトラクテ
ィブ法によってパターン化する工程を示す要部断面図で
あって、(a)は、導体層上に、所定の配線回路パター
ンに対応させてエッチングレジストを形成する工程、
(b)は、導体層を、エッチングレジストをレジストと
して化学エッチングする工程、(c)は、エッチングレ
ジストを除去する工程を示す。
【図3】図1(d)の第1の感光性ポリイミド前駆体層
および第2の感光性ポリイミド前駆体層を、同時に露光
した後、同時に現像してパターン化する工程において、
(a)は、第1の感光性ポリイミド前駆体層の上方に、
第1のフォトマスクを対向配置するとともに、第2の感
光性ポリイミド前駆体層の下方に、第2のフォトマスク
を対向配置して、それら第1の感光性ポリイミド前駆体
層および第2の感光性ポリイミド前駆体層を露光する工
程、(b)は、第1の感光性ポリイミド前駆体層および
第2の感光性ポリイミド前駆体層を同時に現像する工程
を示す。
【図4】図1に示す方法おいて、端子形成部分をフライ
ングリードとして形成する場合の説明図であって、
(a)は、端子形成部分がフライングリードとして形成
されている、図1(e)に示す工程に相当する要部斜視
図である。(b)は、第1の感光性ポリイミド前駆体層
を形成およびパターン化して第1の開口部分を形成し、
導体層を所定の配線回路パターンにパターン化した後、
第2の感光性ポリイミド前駆体層を形成する場合におけ
る、第2の感光性ポリイミド前駆体層を形成する前の状
態の要部平面図である。(c)は、第1の感光性ポリイ
ミド前駆体層および第2の感光性ポリイミド前駆体層を
形成した後に、同時にパターン化する場合における、第
2の感光性ポリイミド前駆体層を形成する前の状態の要
部平面図である。
【図5】従来の配線回路基板の製造方法の一実施形態の
各工程を示す要部断面図であって、(a)は、導体回路
用金属箔の一方の面に、第1ポリイミド前駆体層を形成
する工程、(b)は、第1ポリイミド前駆体層に、フォ
トリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける
工程、(c)は、導体回路用金属箔をサブトラクティブ
法によりパターンニングして、導体回路層を形成する工
程、(d)は、導体回路層の他方の面に、第2ポリイミ
ド前駆体層を形成する工程、(e)は、第2ポリイミド
前駆体層に、フォトリソグラフ法によりランドアクセス
用開孔部を設ける工程、(f)は、第1ポリイミド前駆
体層および第2ポリイミド前駆体層をイミド化して、第
1ポリイミド絶縁層および第2ポリイミド絶縁層を形成
する工程を示す。
【符号の説明】
11 導体層 12 第1の感光性ポリイミド前駆体層 14 第2の感光性ポリイミド前駆体層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導体層の一方の面に、第1の感光性ポリ
    イミド前駆体層を形成する工程、 前記導体層を所定の配線回路パターンにパターン化する
    工程、 所定の配線回路パターンとされた前記導体層の他方の面
    に、第2の感光性ポリイミド前駆体層を形成する工程、 前記第1の感光性ポリイミド前駆体層および前記第2の
    感光性ポリイミド前駆体層を、同時に露光した後、現像
    してパターン化する工程、 パターン化された前記第1の感光性ポリイミド前駆体層
    および前記第2の感光性ポリイミド前駆体層を、イミド
    化する工程を含んでいることを特徴とする、配線回路基
    板の製造方法。
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