JP2002158411A

JP2002158411A - 配線回路基板

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Publication number: JP2002158411A
Application number: JP2000353893A
Authority: JP
Inventors: Tadao Okawa; 忠男大川; Shigenori Morita; 成紀森田; Takeshi Yamato; 岳史大和
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-11-21
Filing date: 2000-11-21
Publication date: 2002-05-31
Anticipated expiration: 2020-11-21
Also published as: JP4316786B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化を図ることができながら、かつ、高速
で信号を伝達することのできる配線回路基板を提供する
こと。【解決手段】中間領域１０において、ライン幅Ｌｗお
よび／またはスペース幅Ｓｗがより広く形成され、ま
た、両端領域１１において、ライン幅Ｌｗおよび／また
はスペース幅Ｓｗがより狭く形成されている導体回路パ
ターン４がベース層６上に形成されている回路付サスペ
ンション基板１において、その導体回路パターン４が形
成されるベース層６の中間領域１０をより厚く、両端領
域１１をより薄く形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線回路基板、詳
しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いら
れる配線回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】配線回路基板は、絶縁層上に、所定の
導体回路パターンが形成されているものであって、電子
部品や電子機器などに広く用いられている。特に、近年
では、サスペンション基板に、磁気抵抗素子と、その磁
気抵抗素子によって読み書きされるリード・ライト信号
が伝達されるリード・ライト基板とを接続するための導
体回路パターンが、一体として形成されている回路付サ
スペンション基板が広く普及されつつある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、近年におけ
る記録密度の上昇および装置の小型化に伴なって、回路
付サスペンション基板も、より小型のものが要求されて
きており、そのため、サスペンション基板上に、導体回
路パターンを形成するスペースが、ますます狭くなって
きている。特に、磁気抵抗素子の周辺や、接続端子部の
周辺では、物理的なスペースの制約が大きくなり、その
領域においては、導体回路パターンのライン幅およびス
ペース幅を、他の領域よりも狭くする必要を生じてい
る。

【０００４】しかし、導体回路パターンのライン幅およ
びスペース幅を狭くすると、導体回路パターンのライン
幅およびスペース幅が広い領域と狭い領域との間で、特
性インピーダンスが不一致となって、高速で信号を伝達
する場合に、信号伝達の不良を引き起こす原因となる。

【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであって、その目的とするところは、小型化を図る
ことができながら、かつ、高速で信号を伝達することの
できる配線回路基板を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の配線回路基板は、絶縁層上に、所定の導体
回路パターンが形成されている配線回路基板において、
前記導体回路パターンは、所定のライン幅および／また
はスペース幅で形成されている第１領域と、前記第１領
域より狭い、所定のライン幅および／またはスペース幅
で形成されている第２領域とを有し、前記絶縁層は、前
記第２領域における厚みが、前記第１領域における厚み
より、薄く形成されていることを特徴としている。

【０００７】このような配線回路基板では、第２領域に
おいて、導体回路パターンのライン幅および／またはス
ペース幅が第１領域よりも狭く形成されていても、第２
領域の絶縁層の厚さが、第１領域の絶縁層の厚さよりも
薄く形成されているので、第２領域の導体回路パターン
の特性インピーダンスが、第１領域の導体回路パターン
の特性インピーダンスに対して、大きくなることを低減
することができる。そのため、第２領域の導体回路パタ
ーンのライン幅および／またはスペース幅を、第１領域
の導体回路パターンのライン幅および／またはスペース
幅よりも狭くして、効率的な導体回路パターンの形成に
より、配線回路基板の小型化を図ることができながら、
かつ、第１領域および第２領域の導体回路パターンの特
性インピーダンスの差を少なくして、高速で信号を伝達
することができる。

【０００８】また、本発明の配線回路基板では、前記第
１領域のライン幅および／またはスペース幅が３０〜２
００μｍで、前記第２領域のライン幅および／またはス
ペース幅が８〜５０μｍであることが好ましい。

【０００９】また、本発明の配線回路基板では、前記絶
縁層が、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて形成され
ていることが好ましい。感光性ポリイミド樹脂前駆体を
用いれば、絶縁層の形成時に、露光量を調節することに
より、第１領域および第２領域において厚みの異なる絶
縁層を容易に形成することができる。

【００１０】そして、本発明の配線回路基板は、回路付
サスペンション基板として好適に用いることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の配線回路基板の
一実施形態として、回路付サスペンション基板の一例を
示す平面図である。図１において、この回路付サスペン
ション基板１は、ハードディスクドライブの磁気抵抗素
子２を実装して、その磁気抵抗素子２を、磁気抵抗素子
２と磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行する時
の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を
保持しながら支持するものであり、磁気抵抗素子２とリ
ード・ライト基板３とを接続するための配線４ａ、４
ｂ、４ｃ、４ｄが、所定の導体回路パターン４として一
体に形成されている。

【００１２】すなわち、この回路付サスペンション基板
１は、支持基板５上に、絶縁層としてのベース層６が形
成されており、そのベース層６上に、所定の導体回路パ
ターン４が形成されている。

【００１３】支持基板５は、長手方向に延びる略矩形板
状をなし、その後端部が、略Ｌ字状に突出形成されてい
る。この支持基板５は、金属箔または金属薄板からな
り、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３
０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２
５〜３００ｍｍのものが好適に用いられる。

【００１４】また、ベース層６は、樹脂などの絶縁体か
らなり、支持基板５上に所定のパターンとして形成され
ている。

【００１５】また、導体回路パターン４は、導体からな
り、その厚さが、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、
５〜１８μｍとして形成されている。

【００１６】また、支持基板５の前端部には、その支持
基板５を切り抜くことによってジンバル（図示せず）が
形成されており、そのジンバルに略矩形状の磁気抵抗素
子２が実装されている。また、支持基板５の前端部であ
って、磁気抵抗素子２と隣接する部分には、磁気抵抗素
子２と各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとを接続するため
の磁気抵抗素子側接続端子部７が形成されている。この
磁気抵抗素子側接続端子部７は、磁気抵抗素子２の前方
であって、支持基板５の長手方向に対して直交する方向
において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応するよ
うに、それぞれ形成されている。

【００１７】また、支持基板５の後端部には、リード・
ライト基板３の各端子部８と各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄとを接続するための外部回路側接続端子部９が形成
されている。この外部回路側接続端子部９は、支持基板
５の略Ｌ字状に突出形成されている部分において、支持
基板５の長手方向に沿う方向で、各配線４ａ、４ｂ、４
ｃ、４ｄに対応するように、それぞれ形成されている。

【００１８】そして、導体回路パターン４として形成さ
れる各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、ベース層６上
に、支持基板５の長手方向に沿って、磁気抵抗素子側接
続端子部７と外部回路側接続端子部９とを接続するよう
にして、互いに所定の間隔を隔てて、平行状に形成され
ている。より具体的には、４つの配線４ａ、４ｂ、４
ｃ、４ｄは、２つの配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび
４ｄ）が１組として引き回されており、支持基板５の前
端部においては、２組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃお
よび４ｄ）が磁気抵抗素子２を挟んで支持基板５の長手
方向に沿って対向状に延び、磁気抵抗素子側接続端子部
７に、その前方側から接続されるように引き回されてい
る。

【００１９】また、支持基板５の後端部では、略Ｌ字状
に突出形成されている部分において、４つの配線４ａ、
４ｂ、４ｃ、４ｄが平行状に延び、略Ｌ字状に屈曲され
た後に、外部回路側接続端子部９に接続されるように引
き回されている。

【００２０】また、支持基板５における前端部と後端部
との間の途中においては、２組の配線（４ａおよび４
ｂ、４ｃおよび４ｄ）が、支持基板５の長手方向と直交
する方向に所定の間隔を隔てて、ベース層６の両端部に
おいて、それぞれ平行状に形成されている。

【００２１】そして、これら各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、
４ｄは、支持基板５における前端部（磁気抵抗素子２が
実装されている周辺）と後端部（略Ｌ字状に突出形成さ
れている部分）との間の第１領域としての中間領域１０
においては、抵抗を低くするために、１組の配線（４ａ
および４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間において、各配線のラ
イン幅Ｌｗが３０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１
２０μｍで、各配線間のスペース幅Ｓｗが３０〜２００
μｍ、好ましくは、５０〜１００μｍとして、次に述べ
る両端領域１１より広く形成されている。

【００２２】一方、支持基板５における前端部および後
端部の第２領域としての両端領域１１においては、その
前端部では、磁気抵抗素子２の周りに引き回して磁気抵
抗素子側接続端子部７に接続する必要があり、また、後
端部では、外部回路側接続端子部９に引き回して接続す
る必要があることから、ベース層６上において物理的な
スペースの制約を受けるので、中間領域１０よりも、各
配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のスペース
幅Ｓｗを狭くしなければならず、そのため、この両端領
域１１では、１組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび
４ｄ）間において、各配線のライン幅Ｌｗが８〜５０μ
ｍ、好ましくは、１０〜４０μｍで、各配線間のスペー
ス幅Ｓｗが８〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍ
として、中間領域１０よりより狭く形成されている。

【００２３】そして、この回路付サスペンション基板１
では、支持基板５上に形成されるベース層６の厚みが、
図２に示すように、支持基板５の中間領域１０において
は、６〜２５μｍ、好ましくは、８〜１８μｍの範囲
で、両端領域１１より厚く形成される一方、支持基板５
の両端領域１１においては、図３に示すように、２〜１
８μｍ、好ましくは、３〜１３μｍの範囲で、中間領域
１０より薄く形成されている。

【００２４】このように、ベース層６の厚みが、中間領
域１０では厚く、両端領域１１では薄く形成されている
と、両端領域１１において、導体回路パターン４のライ
ン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗが中間領域１０
よりも狭く形成されていても、両端領域１１のベース層
６の厚さが、中間領域１０のベース層６の厚さよりも薄
く形成されているので、両端領域１１の導体回路パター
ン４の特性インピーダンスが、中間領域１０の導体回路
パターン４の特性インピーダンスに対して、大きくなる
ことを低減することができる。

【００２５】そのため、この回路付サスペンション基板
１では、両端領域１１の導体回路パターン４のライン幅
Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗを、中間領域１０の
導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペ
ース幅Ｓｗよりも狭くして、効率的な導体回路パターン
４の形成により、回路付サスペンション基板１の小型化
を図りながら、かつ、中間領域１０および両端領域１１
の導体回路パターン４の特性インピーダンスの差を少な
くして、高速で信号を伝達できるようにしている。より
具体的には、この回路付サスペンション基板１は、中間
領域１０および両端領域１１の導体回路パターン４の特
性インピーダンスが実質的に一致するように、中間領域
１０の厚さに対する両端領域１１のベース層６の厚さ
が、所定の厚さとなるように形成されることが好まし
く、特性インピーダンスを実質的に一致させるための範
囲としては、中間領域１０および両端領域１１の導体回
路パターン４の特性インピーダンスの差が、±１０％の
範囲であることが好ましい。

【００２６】なお、この回路付サスペンション基板１に
おいては、中間領域１０と両端領域１１と境界の境界領
域１２においては、図１に示すように、各配線のライン
幅Ｌｗおよび各配線間のスペース幅Ｓｗを、中間領域１
０から両端領域１１に向かって、徐々に狭くするととも
に、ベース層６の厚さも、図４に示すように、中間領域
１０から両端領域１１に向かって、徐々に薄く形成して
いる。

【００２７】また、図１ないし図４においては、図示さ
れていないが、この回路付サスペンション基板１には、
実際には、導体回路パターン４上に、カバー層が被覆さ
れている。このカバー層は、樹脂などの絶縁体からな
り、導体回路パターン４上に所定のパターンとして形成
され、通常、その厚さが、１〜３０μｍ、好ましくは、
２〜５μｍとして形成されている。

【００２８】次に、このような回路付サスペンション基
板１を製造する方法の一例について、図５〜図７を参照
して説明する。なお、図５〜図７においては、その右側
に、回路付サスペンション基板１における中間領域１０
を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に直交
する方向に沿う断面の一部（図１におけるＡ−Ａ線断
面）として示し、その左側に、回路付サスペンション基
板１における両端領域１１を、その回路付サスペンショ
ン基板１の長手方向に直交する方向に沿う断面の一部
（図１におけるＢ−Ｂ線断面）として示している。

【００２９】この方法では、まず、図５に示すように、
支持基板５を用意して、その支持基板５上に、所定のパ
ターンおよび厚さでベース層６を形成する。支持基板５
としては、例えば、ステンレス、４２アロイがなどが好
ましく用いられる。また、ベース層６としては、例え
ば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、
ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタ
レート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用い
られる。また、ベース層６は、感光性の合成樹脂を用い
て形成することが好ましく、より具体的には、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体を用いて形成することが好ましい。

【００３０】すなわち、感光性ポリイミド樹脂前駆体を
用いて、支持基板５上に、所定のパターンでベース層６
を形成する場合には、まず、図５（ａ）に示すように、
予め用意された支持基板５上に、図５（ｂ）に示すよう
に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを形成す
る。

【００３１】感光性ポリイミド樹脂前駆体は、例えば、
ポリアミック酸樹脂に、感光剤が配合されてなるもので
あって、ポリアミック酸樹脂は、酸二無水物とジアミン
とを反応させることによって得ることができる。

【００３２】酸二無水物としては、例えば、３，３’，
４，４’−オキシジフタル酸二無水物、３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリ
ット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物などが用いられ、また、ジアミンとして、例えば、
ｐ−フェニレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、ビスアミノプロピルテトラメチル
ジシロキサン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル
などが用いられる。

【００３３】そして、ポリアミック酸樹脂は、これら酸
二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるよう
な割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒中で、常温常圧の
下、所定の時間反応させることよって、ポリアミック酸
樹脂の溶液として得ることができる。さらに、このよう
なポリアミック酸樹脂には、必要に応じて、エポキシ樹
脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミドなどを配合
してもよい。

【００３４】感光剤としては、例えば、１，４−ジヒド
ロピリジン誘導体が好ましく用いられ、例えば、１−エ
チル−３，５−ジメトキシカルボニル−４−（２−ニト
ロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジンなどが用いら
れる。また、このような感光剤は、酸二無水物とジアミ
ンとの合計、すなわち、ポリアミック酸１モルに対し
て、通常、０．１〜１．０モルの範囲で配合される。

【００３５】そして、支持基板５上に、感光性ポリイミ
ド樹脂前駆体の皮膜６ｐを形成するには、例えば、支持
基板５上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さ
で公知の方法により塗工した後、乾燥させるようにする
か、あるいは、予め、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一
定の厚さでドライフィルムとして形成しておき、このド
ライフィルムを支持基板５上に積層すればよい。

【００３６】次いで、図５（ｃ）に示すように、感光性
ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを、フォトマスク１４
を介して露光させ、次いで、図５（ｄ）に示すように、
必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像す
ることにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐ
を、中間領域１０ではより厚く、両端領域１１ではより
薄くなるようなパターンとして形成する。

【００３７】露光のための照射光は、その露光波長が、
３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍで
あることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜３
０００ｍＪ／ｃｍ^２、さらには、２００〜１５００ｍＪ
／ｃｍ^２であることが好ましい。また、照射された感光
性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐの露光部分は、例え
ば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、
次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例え
ば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、
次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現
像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用
いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行な
えばよい。

【００３８】なお、この方法においては、ネガ型で現像
することが好ましく、図５においては、ネガ型でパター
ンニングする態様として示されている。

【００３９】そして、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮
膜６ｐを、中間領域１０ではより厚く、両端領域１１で
はより薄くなるように形成するには、より具体的には、
部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスク１
４を用いて、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを
露光することが好ましい。このようなフォトマスク１４
を用いれば、階調露光によって、簡易かつ確実に、より
厚い中間領域１０と、より薄い両端領域１１とを同時に
形成することができる。

【００４０】すなわち、図５に示すように、ネガ型でパ
ターンニングする場合には、感光性ポリイミド樹脂前駆
体の皮膜６ｐにおける中間領域１０を形成する部分への
光を透過させるための透過部１４ａと、両端領域１１を
形成する部分への光の照射量を低減させるための半透過
部１４ｂと、皮膜６ｐを除去する部分への光の照射を遮
光するための遮光部１４ｃとを有するフォトマスク１４
を用いて、このフォトマスク１４を、透過部１４ａが中
間領域１０を形成する部分に、半透過部１４ｂが両端領
域１１を形成する部分に、また、遮光部１４ｃが支持基
板５におけるベース層６が形成されない部分に、それぞ
れ対応するように配置して、このフォトマスク１４を介
して感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを露光すれ
ばよい。

【００４１】このようなフォトマスク１４は、透過部１
４ａおよび遮光部１４ｃを、例えば、ガラス板などの透
明板から公知の構成によって形成するとともに、半透過
部１４ｂを、例えば、フォトマスク１４における両端領
域１１に対応する部分の表面を微細に荒らすことによ
り、その表面での乱反射成分を増加させて、その部分に
おける透過光成分を減少させるように構成するか、ある
いは、例えば、フォトマスク１４における両端領域１１
に対応する部分の表面に、照射光を吸収するフィルムを
貼着して、その部分における透過光成分を減少させるよ
うに構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク１４
における両端領域１１に対応する部分の表面に、光透過
部分および遮光部分のパターンを形成して、その部分に
おける透過光成分を減少させるように構成すればよい。

【００４２】さらに、ガラス板などの透明板からなるフ
ォトマスク１４において、透過部１４ａを除いて、照射
光を遮光する金属薄膜を形成することにより、遮光部１
４ｃを形成するとともに、上記の金属薄膜よりも厚みの
薄い金属薄膜を形成することにより、半透過部１４ｂを
形成して、その部分における透過光成分を減少させるよ
うに構成してもよい。すなわち、このようなフォトマス
ク１４は、例えば、所定のパターンに対応するように透
過部１４ａおよび遮光部１４ｃが形成されたフォトマス
ク１４（従来のフォトマスク）において、半透過部１４
ｂを、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属
薄膜を蒸着またはめっきにより形成することにより形成
することができる。

【００４３】このような透過部１４ａ、半透過部１４ｂ
および遮光部１４ｃを有するフォトマスク１４を用いれ
ば、１回の露光により、確実に、中間領域１０に対応す
る部分に照射光を照射できるとともに、両端領域１１に
対応する部分に照射量を低減して照射することができる
ので、簡易かつ確実に、中間領域１０および両端領域１
１を形成することができる。

【００４４】なお、上記したフォトマスク１４のうちで
は、半透過部１４ｂを、光透過部分および遮光部分のパ
ターンとして形成するものが好ましく用いられる。この
ようなフォトマスク１４は、例えば、ガラスなどの透明
板の全面に、クロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっき
した後、その金属薄膜をレーザーや電子ビームなどを用
いてパターン化することにより、透過部１４ａおよび遮
光部１４ｃとともに、半透過部１４ｂを形成することに
より得ることができる。

【００４５】例えば、半透過部１４ｂとして、光透過部
分および遮光部分の金属薄膜のパターンを、６μｍ以下
のピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）の縞状
の繰り返しパターンとして形成すれば、露光波長が、上
記したように３００〜４５０ｎｍの場合には、その照射
光が両端領域１１を形成する部分に均一に照射され、両
端領域１１における皮膜６ｐの厚みを均一に形成するこ
とができる。なお、半透過部１４ｂの平均透過率は、１
０〜８０％、好ましくは、１５〜５０％であることが好
ましい。

【００４６】なお、このような中間領域１０と両端領域
１１との形成において、境界領域１２は、上記したよう
に、中間領域１０から両端領域１１に向かって徐々に薄
く形成する場合には、フォトマスク１４を、透過部１４
ａから半透過部１４ｂに向かって、光を徐々に遮光する
ように形成すればよい。

【００４７】さらに、中間領域１０および両端領域１１
を形成する方法としては、上記した以外に、例えば、パ
ターンが異なる複数のフォトマスクを用いて、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐにおける中間領域１０を
形成する部分を常に露光しつつ、両端領域１１を形成す
る部分を、露光する時と、露光しない時との、少なくと
も２回以上の露光を順次行なうようにしてもよい。

【００４８】また、ポジ型でパターンニングする場合に
は、フォトマスク１４を、照射光を遮光する遮光板によ
って構成し、中間領域１０に対応する部分では、照射光
をすべて遮光させるとともに、両端領域１１に対応する
部分では、照射光を所定の割合で透過させるように構成
すればよい。

【００４９】そして、この方法では、図５（ｄ）に示す
ように、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐをイミ
ド化して、ポリイミド樹脂からなるベース層６を形成す
る。イミド化は、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６
ｐを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することに
よって硬化させればよい。これによって、中間領域１０
がより厚く、両端領域１１がより薄い、ポリイミド樹脂
からなるベース層６が形成される。

【００５０】次いで、このベース層６上に、所定の導体
回路パターン４を形成する。導体回路パターンを形成す
る導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、
またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が
用いられる。また、所定の導体回路パターン４は、ベー
ス層６の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディ
ティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニ
ング法によって、所定のパターンとして形成すればよ
い。

【００５１】サブトラクティブ法では、まず、ベース層
６の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層
を積層し、次いで、この導体層上に、所定の導体回路パ
ターン４に対応させてエッチングレジストを形成し、こ
のエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッ
チングして、その後に、エッチングレジストを除去する
ことにより、導体回路パターン４を形成する。

【００５２】また、アディティブ法では、まず、ベース
層６上に、所定の導体回路パターン４と逆パターンでめ
っきレジストを形成して、次いで、ベース層６における
めっきレジストが形成されていない表面に、めっきによ
り、所定の導体回路パターン４を形成し、その後に、め
っきレジストを除去するようにする。

【００５３】また、セミアディティブ法では、まず、ベ
ース層６上に下地となる導体の薄膜を形成して、次い
で、この下地上に、所定の導体回路パターン４と逆パタ
ーンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっ
きレジストが形成されていない表面に、めっきにより、
所定の導体回路パターン４を形成し、その後に、めっき
レジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下
地を除去するようにする。

【００５４】これらのパターンニング法のなかでは、図
６に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いら
れる。すなわち、セミアディティブ法では、まず、図６
（ａ）に示すように、支持基板５およびベース層６の全
面に、下地１５となる導体の薄膜を形成する。下地１５
の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好
ましく用いられる。また、下地１５となる導体は、クロ
ムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例
えば、支持基板５およびベース層６の全面に、クロム薄
膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する
ことが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１００〜
６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åである
ことが好ましい。

【００５５】次いで、図６（ｂ）に示すように、その下
地１５上に、所定の導体回路パターン４と逆パターンの
めっきレジスト１６を形成する。めっきレジスト１６
は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知
の方法により、所定のレジストパターンとして形成すれ
ばよい。次いで、図６（ｃ）に示すように、ベース層６
におけるめっきレジスト１６が形成されていない部分
に、めっきにより、所定の導体回路パターン４を形成す
る。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでも
よいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電
解銅めっきが好ましく用いられる。

【００５６】そして、図６（ｄ）に示すように、めっき
レジスト１６を、例えば、化学エッチング（ウェットエ
ッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によ
って除去した後、図６（ｅ）に示すように、めっきレジ
スト１６が形成されていた下地１５を、同じく、化学エ
ッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング
法により除去する。これによって、ベース層６上に所定
の導体回路パターン４が形成される。

【００５７】このようにして形成される導体回路パター
ン４は、上記したように、中間領域１０においては、１
組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間におい
て、各配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のス
ペース幅Ｓｗがより広く、両端領域１１においては、１
組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間におい
て、各配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のス
ペース幅Ｓｗがより狭く形成される。

【００５８】次いで、図７に示すように、導体回路パタ
ーン４の表面を金属皮膜１７により保護した後、この導
体回路パターン４を、樹脂などの絶縁体からなるカバー
層１３により被覆する。すなわち、まず、図７（ａ）に
示すように、導体回路パターン４の表面、および、支持
基板５の表面に、金属皮膜１７を形成する。この金属皮
膜１７は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッ
ケル薄膜として形成することが好ましく、その厚みは、
導体回路パターン４の表面が露出しない程度であればよ
く、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度である。

【００５９】次いで、導体回路パターン４を被覆するた
めのカバー層１３を、所定のパターンとして形成する。
カバー層１３を形成するための絶縁体としては、ベース
層６と同様の樹脂が用いられ、上記と同様に、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体を用いて形成することが好ましい。

【００６０】そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂前
駆体を用いて、カバー層１３を形成する場合には、図７
（ｂ）に示すように、ベース層６および金属皮膜１７上
に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、その全面に
塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８
０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド
樹脂前駆体の皮膜１３ｐを形成し、次に、図７（ｃ）に
示すように、その皮膜１３ｐを、フォトマスク１８を介
して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱
した後、現像することにより、皮膜１３ｐによって、導
体回路パターン４が被覆されるようにパターン化する。
なお、この露光および現像の条件は、ベース層６を露光
および現像する条件と同様の条件でよい。また、ネガ型
でパターンを得ることが好ましく、図７においては、ネ
ガ型でパターンニングする態様として示されている。

【００６１】なお、このパターン化においては、図示し
ないが、磁気抵抗素子側接続端子部７および外部回路側
接続端子部９が形成される部分には、その導体回路パタ
ーン４が露出する開口部が形成されるようにする。

【００６２】そして、このようにしてパターン化された
ポリイミド樹脂前駆体の皮膜１３ｐを、図７（ｄ）に示
すように、例えば、最終的に３００℃以上に加熱するこ
とによって、イミド化（硬化）させ、これによって、ポ
リイミド樹脂からなるカバー層１３を、導体回路パター
ン４上に形成する。なお、カバー層１３の厚みは、例え
ば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。

【００６３】次いで、図７（ｅ）に示すように、支持基
板５上に形成されている金属皮膜１７を剥離するととも
に、図示しないが、磁気抵抗素子側接続端子部７および
外部回路側接続端子部９においては、カバー層１３が開
口されることにより露出している金属皮膜１７を剥離す
る。

【００６４】その後、図示しないが、磁気抵抗素子側接
続端子部７および外部回路側接続端子部９に、例えば、
電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうこと
により、ニッケルめっき層上に金めっき層を形成すると
ともに、支持基板５を、化学エッチングなど公知の方法
によって、ジンバルなどの所定の形状に切り抜き、洗浄
および乾燥することにより、図１に示すような回路付サ
スペンション基板１を得る。

【００６５】この方法のように、感光性ポリイミド樹脂
前駆体を用いて、ベース層６を形成すれば、露光量を調
節することにより、中間領域１０および両端領域１１に
おいて厚みの異なるベース層６を容易に形成することが
できる。

【００６６】そして、このようにして得られる回路付サ
スペンション基板１では、上記したように、ベース層６
の厚みが、中間領域１０では厚く、両端領域１１では薄
く形成されるので、両端領域１１において、導体回路パ
ターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗ
が中間領域１０よりも狭く形成されていても、両端領域
１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスが、中
間領域１０の導体回路パターン４の特性インピーダンス
に対して、大きくなることを低減することができ、これ
によって、効率的な導体回路パターン４の形成による回
路付サスペンション基板１の小型化を図ることができな
がら、中間領域１０および両端領域１１の導体回路パタ
ーン４の特性インピーダンスの差を少なくして、高速で
信号を伝達することができる。

【００６７】なお、以上の説明において、回路付サスペ
ンション基板１は、支持基板５が、長手方向に延びる略
矩形板状をなし、その後端部が、略Ｌ字状に突出形成さ
れているが、その形状は何ら限定されることはない。ま
た、ベース層６の厚みも、中間領域１０および両端領域
１１に限らず、その形状によって、適宜変更すればよ
く、例えば、導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび
／またはスペース幅Ｓｗが、３態様以上として形成され
る場合には、各態様についてのライン幅Ｌｗおよび／ま
たはスペース幅Ｓｗに対応して、ベース層６の厚みを調
整することによって、それらの特性インピーダンスの差
が少なくするように、好ましくは、実質的に一致するよ
うに、形成すればよい。

【００６８】また、以上の説明では、回路付サスペンシ
ョン基板を例にとって説明したが、本発明の配線回路基
板は、何らこれに限定されることはなく、通常使用され
る配線回路基板であれば、いずれ配線回路基板であって
も、適用することができる。

【００６９】

【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。

【００７０】実施例１厚さ２０μｍの長手方向に延びるステンレス箔（図５
（ａ）参照）上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工し
た後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸
樹脂の皮膜を形成した（図５（ｂ）参照）。次いで、長
手方向中間領域の透過率が１００％で両端領域の透過率
が４０％である所定形状のフォトマスクを介して、皮膜
を露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ^２）させ（図
５（ｃ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、ア
ルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜を
ネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化さ
れたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱し
て、硬化（イミド化）させ、これによって、両端領域の
厚さが８μｍ、中間領域の厚さが１５μｍのポリイミド
樹脂からなるベース層を形成した（図５（ｄ）参照）。

【００７１】次いで、ステンレス箔およびベース層の全
面に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄
膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後（図６
（ａ）参照）、所定の導体回路パターンと逆パターンの
めっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形
成し（図６（ｂ）参照）、電解銅めっきにより、ベース
層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、
所定の導体回路パターンを形成した（図６（ｃ）参
照）。その後、めっきレジストを、化学エッチングによ
って除去した後（図６（ｄ）参照）、めっきレジストが
形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチ
ングにより除去した（図６（ｅ）参照）。

【００７２】なお、この導体回路パターンは、厚さ２０
μｍで、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される
４本の配線パターンとし、中間領域における１組の配線
のライン幅が１００μｍ、スペース幅が５０μｍで、両
端領域における１組の配線のライン幅が５０μｍ、スペ
ース幅が１５μｍとして形成した。

【００７３】次いで、導体回路パターンの表面、およ
び、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによ
って、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル皮膜を形成した
後（図７（ａ）参照）、ニッケル皮膜およびベース層の
上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０
℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を
形成した（図７（ｂ）参照）。

【００７４】次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光
（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ ^２）させ（図７
（ｃ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アル
カリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によ
って導体回路パターンが被覆されるようにパターン化し
た。次いで、パターン化されたポリアミック酸樹脂の皮
膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、こ
れによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバ
ー層を、導体回路パターン上に形成した（図７（ｄ）参
照）。なお、このカバー層の形成においては、導体回路
パターンにおける磁気抵抗素子側接続端子部および外部
回路側接続端子部には、カバー層を被覆しないようにし
た。

【００７５】その後、ステンレス箔の表面と、導体回路
パターンの磁気抵抗素子側接続端子部および外部回路側
接続端子部とに形成されているニッケル皮膜を剥離し
（図７（ｅ）参照）、その磁気抵抗素子側接続端子部お
よび外部回路側接続端子部に、電解ニッケルめっきと電
解金めっきとを順次行ない、厚さ２μｍのニッケルめっ
き層および厚さ１μｍの金めっき層を形成するととも
に、支持基板を、化学エッチングなど公知の方法によっ
て、ジンバルなどの所定の形状に切り抜き、洗浄および
乾燥することにより、回路付サスペンション基板を得
た。なお、この回路付サスペンション基板は、図１に示
す態様のものに相当する。

【００７６】この回路付サスペンション基板において、
中間領域および両端領域の特性インピーダンスを、タイ
ム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法によって
測定したところ、中間領域および両端領域の特性インピ
ーダンスはいずれも６０Ωであり、両者の差は０Ωであ
った。

【００７７】比較例１ベース層を、厚さ１５μｍの均一な層として形成した以
外は、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンシ
ョン基板を作製した。

【００７８】この回路付サスペンション基板において、
中間領域および両端領域の特性インピーダンスをＴＤＲ
法によって測定したところ、中間領域の特性インピーダ
ンスが６０Ωであるところ、両端領域の特性インピーダ
ンスが７５Ωであり、両者の差が１５Ωであった。

【００７９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の配線回路基
板によれば、第２領域の導体回路パターンのライン幅お
よび／またはスペース幅を、第１領域の導体回路パター
ンのライン幅および／またはスペース幅よりも狭くし
て、効率的な導体回路パターンの形成により、配線回路
基板の小型化を図ることができながら、かつ、第１領域
および第２領域の導体回路パターンの特性インピーダン
スの差を少なくして、高速で信号を伝達することができ
る。そのため、回路付サスペンション基板として好適に
用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形
態を示す平面図である。

【図２】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、中間領域における支持基板の長手方向に沿う方向の
断面図である。

【図３】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、両端領域における支持基板の長手方向に沿う方向の
断面図である。

【図４】図１に示す回路付サスペンション基板におけ
る、境界領域における支持基板の長手方向に沿う方向の
断面図である。

【図５】支持基板を用意して、その支持基板上に、所定
のパターンおよび厚さでベース層を形成する工程を示す
断面図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、
（ｂ）は、その支持基板上に、感光性ポリイミド樹脂前
駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フ
ォトマスクを介して露光させて、現像することにより、
所定のパターンとする工程、（ｄ）は、パターン化され
た皮膜を硬化させて、ベース層を形成する工程を示す。

【図６】ベース層上に、所定の導体回路パターンを形成
する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板お
よびベース層に、下地を形成する工程、（ｂ）は、下地
上に、所定の導体回路パターンと逆パターンのめっきレ
ジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース層におけるめ
っきレジストが形成されていない部分に、電解めっきに
より、所定の導体回路パターンを形成する工程、（ｄ）
は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、下地を
除去する工程を示す。

【図７】導体回路パターンの表面を金属皮膜により保護
した後、カバー層により被覆する工程を示す断面図であ
って、（ａ）は、導体回路パターンの表面に、金属皮膜
を形成する工程、（ｂ）は、ベース層および金属皮膜上
に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工
程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光
させて、現像することにより、その皮膜をパターン化す
る工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させ
て、カバー層を形成する工程、（ｅ）は、支持基板に形
成されている金属皮膜を剥離する工程を示す。

【符号の説明】

１回路付サスペンション基板４導体回路パターン６ベース層１０中間領域１１両端領域Ｌｗライン幅Ｓｗスペース幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大和岳史大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 5E315 AA03 BB01 BB16 CC01 DD13 GG22 5E338 AA01 AA12 AA16 AA18 BB63 BB75 CC01 CD14 EE11 EE22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層上に、所定の導体回路パターンが
形成されている配線回路基板において、前記導体回路パターンは、所定のライン幅および／またはスペース幅で形成されて
いる第１領域と、前記第１領域より狭い、所定のライン幅および／または
スペース幅で形成されている第２領域とを有し、前記絶縁層は、前記第２領域における厚みが、前記第１領域における厚
みより、薄く形成されていることを特徴とする、配線回
路基板。
【請求項２】前記第１領域のライン幅および／または
スペース幅が３０〜２００μｍで、前記第２領域のライ
ン幅および／またはスペース幅が８〜５０μｍであるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】前記絶縁層が、感光性ポリイミド樹脂前
駆体を用いて形成されていることを特徴とする、請求項
１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】回路付サスペンション基板であることを
特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路
基板。