WO2020218267A1

WO2020218267A1 - 伝送線路基板および電子機器

Info

Publication number: WO2020218267A1
Application number: PCT/JP2020/017127
Authority: WO
Inventors: 永井　智浩
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2019-04-22
Filing date: 2020-04-21
Publication date: 2020-10-29
Also published as: CN216818591U

Abstract

伝送線路基板（１０１）は、線路部（ＴＬ）および接続部（ＣＮ１，ＣＮ２）を有する。また、伝送線路基板（１０１）は、積層体（１０）と、積層体（１０）に形成される第１信号線（ＳＬ１）、グランド導体（Ｇ１１～Ｇ１３）、グランド導体（Ｇ２１～Ｇ２３）とを備える。線路部（ＴＬ）には、第１信号線（ＳＬ１）、第１・第２グランド導体を含んだストリップラインが構成される。線路部（ＴＬ）は、第１領域（Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ）と第２領域（Ｆ２）とを有する。第１信号線（ＳＬ１）は、第２領域（Ｆ２）に位置する第２部分の線幅が、第１領域（Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ）に位置する第１部分の線幅よりも細い。第２領域（Ｆ２）における第１グランド導体と第２グランド導体との間隔は、第１領域（Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ）よりも狭い。

Description

伝送線路基板および電子機器

　本発明は、複数の基材層を積層して形成される積層体にストリップラインが設けられた伝送線路基板、およびそれを備える電子機器に関する。

　従来、複数の基材層を積層して形成される積層体にストリップラインが設けられた伝送線路基板が知られている。

　例えば、特許文献１には、複数の基材層を積層して形成される積層体と、積層体に形成された複数の導体パターン（信号線、信号線を間に挟む第１グランド導体および第２グランド導体）と、を備える伝送線路基板が示されている。上記伝送線路基板では、線路部に外形幅（線幅）が他の部分よりも広い幅広部と、外形幅が他の部分よりも狭い幅狭部とが設けられており、線路部の経路上に他の部材（例えば、回路基板に実装された部品等）がある場合でも、この幅狭部によって他の部材を回避できる。

特開２０１４－３０１７２号公報

　しかし、相対的に外形幅の狭い幅狭部で他の部材を回避した場合には、線路部の信号線が他の部材に近接することになるため、上記信号線が他の部材に電磁界結合しやすくなる虞がある。

　本発明の目的は、線路部に他の部材を回避するための第２領域（幅狭部）を設けた構成において、他の部材との電磁界結合を抑制した伝送線路基板、およびそれを備える電子機器を提供することにある。

　本発明の伝送線路基板は、
　線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
　積層された複数の基材層を有する積層体と、
　前記積層体に形成される第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体と、
　を備え、
　前記線路部には、前記第１信号線と、前記第１信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟む前記第１グランド導体および前記第２グランド導体と、を含んだストリップラインが構成され、
　前記線路部は、前記第１領域と、前記第１領域よりも外形幅の狭い第２領域と、を有し、
　前記第１信号線は、前記第２領域に位置する第２部分の線幅が、前記第１領域に位置する第１部分の線幅よりも細く、
　前記第２領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔よりも狭いことを特徴とする。

　本発明では、線路部の第２領域（幅狭部）における第１グランド導体と第２グランド導体との間隔が、第１領域（幅広部）における第１グランド導体と第２グランド導体との間隔よりも狭い。この構成によれば、第２領域における第１グランド導体と第２グランド導体との間隔が狭く、第２領域における第１信号線から生じる電磁界が第１グランド導体および第２グランド導体によって遮蔽されるため、第２領域から外部に放射される電磁界を抑制できる。そのため、第２領域の幅方向で他の部材を回避しつつ伝送線路基板を回路基板等に接続した場合、すなわち、第２領域の幅方向に他の部材が近接する場合でも、第２領域に近接する他の部材との電磁界結合を抑制できる。

　本発明の電子機器は、
　線路部および接続部を有する伝送線路基板と、前記伝送線路基板が接続される回路基板と、他の部材と、を備え、
　前記伝送線路基板は、
　　積層された複数の基材層を有する積層体と、
　　前記積層体に形成される第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体と、
　を有し、
　　前記線路部には、伝送方向に延伸する前記第１信号線と、前記第１信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟む前記第１グランド導体および前記第２グランド導体と、を含んだストリップラインが構成され、
　　前記線路部は、前記第１領域と、前記第１領域よりも外形幅の狭い第２領域と、を有し、
　　前記第１信号線は、前記第２領域に位置する第２部分の線幅が、前記第１領域に位置する第１部分の線幅よりも細く、
　　前記第２領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔よりも狭く、
　前記伝送線路基板は、前記接続部が前記回路基板に接続され、
　前記線路部の前記第２領域は、前記伝送線路基板が前記回路基板に接続された状態で、前記伝送方向に直交する幅方向において前記他の部材を回避するように配置され、前記伝送線路基板の他の部分よりも前記他の部材に近接することを特徴とする。

　この構成によれば、第２領域（幅狭部）の幅方向で他の部材を回避し、第２領域が他の部材に近接した状態で伝送線路基板を回路基板に接続する構成でも、伝送線路基板と他の部材との電磁界結合を抑制した電子機器を実現できる。

　本発明によれば、線路部に他の部材を回避するための第２領域（幅狭部）を設けた構成において、他の部材との電磁界結合を抑制した伝送線路基板、およびそれを備える電子機器を実現することにある。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。図２は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は図１（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。図４は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。図５は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の平面図である。図６（Ａ）は図５におけるＤ－Ｄ断面図であり、図６（Ｂ）は遷移領域ＴＲ１付近の拡大平面図である。図７（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。図８は、第３の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。図９は、図８における拡大表示部ＺＰ１の断面図である。図１０は、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４Ａの平面図である。図１１（Ａ）は図１０におけるＦ－Ｆ断面図であり、図１１（Ｂ）は図１０におけるＧ－Ｇ断面図である。図１２（Ａ）は第４の実施形態の変形例である伝送線路基板１０４Ｂの第１領域Ｆ１Ａにおける断面図であり、図１２（Ａ）は伝送線路基板１０４Ｂの第２領域Ｆ２における断面図である。図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る伝送線路基板１０５の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）における拡大表示部ＺＰ２の拡大平面図である。図１４（Ａ）は第６の実施形態に係る伝送線路基板１０６Ａの平面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）におけるＨ－Ｈ断面図である。図１５（Ａ）は第６の実施形態の変形例である伝送線路基板１０６Ｂの平面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）におけるＩ－Ｉ断面図である。図１６は、第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７の断面図である。図１７は、第７の実施形態に係る電子機器３０３の断面図である。図１８は、第８の実施形態に係る伝送線路基板１０８の断面図である。

　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用・効果については実施形態毎には逐次言及しない。

　《第１の実施形態》
　図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。図２は、伝送線路基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は図１（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。

　本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば、単一の回路基板上に実装される電子部品、または複数の回路基板同士を接続するケーブルである。

　伝送線路基板１０１は、接続部ＣＮ１，ＣＮ２および線路部ＴＬを有する。接続部ＣＮ１，ＣＮ２は、他の回路基板に接続される部分である。後に詳述するように、線路部ＴＬには、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間を繋ぐストリップラインが構成されている。伝送線路基板１０１では、接続部ＣＮ１、線路部ＴＬおよび接続部ＣＮ２が、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。

　伝送線路基板１０１は、積層体１０、導体パターン（第１信号線ＳＬ１、グランド導体Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３，Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ２３、中間導体３１，３２、中間グランド導体４１，５１，５２，５３、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２、グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３，ＶＧ４等を備える。

　積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。外部電極Ｐ１１およびグランド電極ＰＧ１は、接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１に形成されており、外部電極Ｐ１２およびグランド電極ＰＧ２は、接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１に形成されている。第１信号線ＳＬ１、グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３，Ｇ２１～Ｇ２３、中間グランド導体４１，５１～５３および層間接続導体Ｖ１～Ｖ４，ＶＧ１～ＶＧ４は、積層体１０の内部に形成されている。

　本実施形態では、グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３が本発明の「第１グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２１～Ｇ２３が本発明の「第２グランド導体」に相当する。

　積層体１０は、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５および保護層１がこの順に積層されて形成されている。複数の基材層１１～１５は、それぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板である。複数の基材層１１～１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

　基材層１１の表面には、グランド導体Ｇ２１，Ｇ２３が形成されている。グランド導体Ｇ２１は、基材層１１の長手方向の中央付近から第１端（図２おける基材層１１の左端）までの略全面に形成される導体パターンである。グランド導体Ｇ２３は、基材層１１の長手方向の中央付近から第２端（図２における基材層１１の右端）までの略全面に形成される導体パターンである。グランド導体Ｇ２１，Ｇ２３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　基材層１２の表面には、グランド導体Ｇ２２および複数の中間グランド導体５１が形成されている。グランド導体Ｇ２２は、基材層１２の長手方向（Ｘ軸方向）の中央付近に配置されるＵ字形の導体パターンである。複数の中間グランド導体５１は、基材層１２の長手方向の両端付近にそれぞれ配置される矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ２２および中間グランド導体５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、基材層１２には、複数の層間接続導体ＶＧ１が形成されている。層間接続導体ＶＧ１は、例えば、基材層１２に形成された貫通孔に樹脂材料を含む導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

　基材層１３の表面には、第１信号線ＳＬ１および複数の中間グランド導体４１，５２が形成されている。第１信号線ＳＬ１は、略伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の中間グランド導体４１は、基材層１３の長手方向の中央付近に配置される台形の導体パターンである。複数の中間グランド導体５２は、基材層１３の長手方向の両端付近にそれぞれ配置される矩形の導体パターンである。第１信号線ＳＬ１および中間グランド導体４１，５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、基材層１３には、複数の層間接続導体ＶＧ２が形成されている。層間接続導体ＶＧ２は、例えば基材層１３に形成された貫通孔に樹脂材料を含む導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

　基材層１４の表面には、グランド導体Ｇ１２、中間導体３１，３２および複数の中間グランド導体５３が形成されている。グランド導体Ｇ１２は、基材層１４の長手方向の中央付近に配置されるＵ字形の導体パターンである。中間導体３１は、基材層１４の長手方向の第１端（図２における基材層１４の左端）付近に配置される矩形の導体パターンであり、中間導体３２は、基材層１４の長手方向の第２端（図２における基材層１４の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。複数の中間グランド導体５３は、基材層１４の長手方向の両端付近にそれぞれ配置される矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ１２、中間導体３１，３２および中間グランド導体５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、基材層１４には、層間接続導体Ｖ２，Ｖ４および複数の層間接続導体ＶＧ３が形成されている。層間接続導体Ｖ２，Ｖ４，ＶＧ３は、例えば基材層１４に形成された貫通孔に樹脂材料を含む導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

　基材層１５の表面には、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体Ｇ１１，Ｇ１３が形成されている。外部電極Ｐ１１は、基材層１５の第１端（図２における基材層１５の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ１２は、基材層１５の第２端（図２における基材層１５に右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ１１は、基材層１５の長手方向の中央付近から第１端までの略全面に形成される導体パターンである。グランド導体Ｇ１３は、基材層１５の長手方向の中央付近から第２端までの略全面に形成される導体パターンである。外部電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体Ｇ１１，Ｇ１３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、基材層１５に、層間接続導体Ｖ１，Ｖ３および複数の層間接続導体ＶＧ４が形成されている。層間接続導体Ｖ１，Ｖ３，ＶＧ４は、例えば基材層１５に形成された貫通孔に樹脂材料を含む導電性ペーストを充填し、加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

　保護層１は、基材層１５の表面に形成される保護膜であり、平面形状が基材層１５と略同じである。保護層１は、矩形の開口ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＧ１，ＡＧ２を有する。開口ＡＰ１１，ＡＧ１は、保護層１の第１端（図２における保護層１の左端）付近に配置されており、開口ＡＰ１２，ＡＧ２は、保護層１の第２端（図２における保護層１の右端）付近に配置されている。具体的には、開口ＡＰ１１は外部電極Ｐ１１の位置に応じた位置に形成されており、開口ＡＰ１２は外部電極Ｐ１２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１５の表面に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＡＰ１１から外部電極Ｐ１１が外部に露出し、上記開口ＡＰ１２から外部電極Ｐ１２が外部に露出する。また、基材層１５の表面に保護層１が形成された場合に、上記開口ＡＧ１からグランド導体Ｇ１１の一部が外部に露出し、上記開口ＡＧ２からグランド導体Ｇ１３の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＡＧ１から露出するグランド導体Ｇ１１の一部がグランド電極ＰＧ１に相当し、開口ＡＧ２から露出するグランド導体Ｇ１３の一部がグランド電極ＰＧ２に相当する。

　図２に示すように、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２は電気的に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１１が、中間導体３１および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して、第１信号線ＳＬ１の一端に接続され、第１信号線ＳＬ１の他端が、中間導体３２および層間接続導体Ｖ３，Ｖ４を介して、外部電極Ｐ１２に接続されている。また、図１（Ｂ）および図２に示すように、グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３，Ｇ２１～Ｇ２３は、互いに電気的に接続されている。具体的には、グランド導体Ｇ１１は、中間グランド導体５１～５３および層間接続導体ＶＧ１～ＶＧ４を介して、グランド導体Ｇ２１に接続されている。グランド導体Ｇ１３は、中間グランド導体５１～５３および層間接続導体ＶＧ１～ＶＧ４を介して、グランド導体Ｇ２３に接続されている。グランド導体Ｇ１２は、層間接続導体ＶＧ４を介して、グランド導体Ｇ１１，Ｇ１３にそれぞれ接続されている。また、グランド導体Ｇ２２は、層間接続導体ＶＧ１を介して、グランド導体Ｇ２１，Ｇ２３にそれぞれ接続されている。さらに、グランド導体Ｇ１２，Ｇ２２は、中間グランド導体４１および層間接続導体ＶＧ２，ＶＧ３を介して、互いに接続されている。

　また、伝送線路基板１０１の線路部ＴＬには、第１信号線ＳＬ１と、第１信号線ＳＬ１を積層方向（Ｚ軸方向）に挟む第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３）および第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１～Ｇ２３）と、を含んだストリップラインが構成されている。

　また、伝送線路基板１０１の線路部ＴＬは、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ、第２領域Ｆ２および遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２を有する。第１領域Ｆ１Ａ、遷移領域ＴＲ１、第２領域Ｆ２、遷移領域ＴＲ２および第１領域Ｆ１Ｂは、＋Ｘ方向のこの順に配置されている。第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂは、相対的に外形幅（Ｙ軸方向の線幅）が広い幅広部であり、第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも外形幅（線幅。Ｙ軸方向の幅）が狭い幅狭部である。伝送線路基板１０１の第２領域Ｆ２は、幅方向（伝送方向に直交する方向。例えば、Ｙ軸方向）の一方側（図１（Ａ）における伝送線路基板１０１の上側）のみ切り欠かれた構造である（図３（Ｂ）における切り欠き部ＮＰを参照）。遷移領域ＴＲ１は、第１領域Ｆ１Ａと第２領域Ｆ２との間に位置し、第１領域Ｆ１Ａから第２領域Ｆ２へ遷移する部分を含む部分である。遷移領域ＴＲ２は、第１領域Ｆ１Ｂと第２領域Ｆ２との間に位置し、第１領域Ｆ１Ｂから第２領域Ｆ２へ遷移する部分を含む部分である。

　図１（Ｂ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、第２領域Ｆ２における第１グランド導体（グランド導体Ｇ１２）と第２グランド導体（グランド導体Ｇ２２）との間隔は（Ｄ２）、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂにおける第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１，Ｇ１３）と第２グランド導体（グランド導体Ｇ１３，Ｇ２３）との間隔（Ｄ１）よりも狭い（Ｄ２＜Ｄ１）。なお、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、第２領域Ｆ２における第１信号線ＳＬ１の端部、第１グランド導体の端部および第２グランド導体の端部を通る２直線のなす角（α２）は、第１領域Ｆ１Ａにおける第１信号線ＳＬ１の端部、第１グランド導体の端部および第２グランド導体の端部を通る２直線のなす角（α１）よりも小さい（α２＜α１）。また、第１信号線ＳＬ１は、第２領域Ｆ２に位置する第２部分（第１信号線ＳＬ１のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）の線幅が、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する第１部分（第１信号線ＳＬ１のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）の線幅よりも細い。このような構成により、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂにおける特性インピーダンスと、第２領域Ｆ２における特性インピーダンスとが略一致する。

　図１（Ｂ）に示すように、第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３）は、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で、第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１～Ｇ２３）側に近接している。具体的には、第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１，Ｇ１３）は、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で、他の部分よりも第２グランド導体（Ｇ２１～Ｇ２２）側に位置する第１グランド導体（グランド導体Ｇ１２）に接続されている。

　また、第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１～Ｇ２３）は、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で、第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３）側に近接している。具体的には、第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１，Ｇ２３）は、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で、他の部分よりも第１グランド導体（Ｇ１１～Ｇ１３）側に位置する第２グランド導体（グランド導体Ｇ２２）に接続されている。

　なお、本実施形態に係る第１信号線ＳＬ１は、第１部分（第１信号線ＳＬ１のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）と第２部分（第１信号線ＳＬ１のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）とが、Ｚ軸方向の同じ層に配置されている。すなわち、第１信号線ＳＬ１の第１部分および第２部分は直接接続されており、層間接続導体に接続されていない。

　本実施形態に係る伝送線路基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、線路部ＴＬの第２領域Ｆ２における第１グランド導体（グランド導体Ｇ１２）と第２グランド導体（グランド導体Ｇ２２）との間隔（Ｄ２）が、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂにおける第１グランド導体と第２グランド導体（グランド導体Ｇ１１，Ｇ２１、またはグランド導体Ｇ１３，Ｇ２３）との間隔（Ｄ１）よりも狭い（Ｄ２＜Ｄ１）。この構成によれば、第２領域Ｆ２における第１信号線ＳＬ１から生じる電磁界が第１グランド導体および第２グランド導体によって遮蔽されるため、第２領域Ｆ２から外部に放射される電磁界を抑制できる。そのため、第２領域Ｆ２の幅方向で他の部材（例えば、図４に示す部品８３等）を回避しつつ伝送線路基板１０１を回路基板等に接続する場合、すなわち、第２領域Ｆ２に他の部材が近接する場合でも、他の部材との電磁界結合が抑制される。

（ｂ）また、本実施形態では、線路部ＴＬにおける第１信号線ＳＬ１が、積層方向にベタ状の第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３）とベタ状の第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１～Ｇ２３）とで挟まれている。この構成によれば、積層方向から視て第１信号線ＳＬ１に重なる部分に複数の開口部が形成された梯子状のグランド導体で、第１信号線を挟んだ構造のストリップラインと比較して、電磁界の遮蔽効果が高まる。

（ｃ）本実施形態では、第１信号線ＳＬ１の第１部分（第１信号線ＳＬ１のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）および第２部分（第１信号線ＳＬ１のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）は、Ｚ軸方向の同じ層に配置され、直接接続されている。第１信号線ＳＬ１の第１部分と第２部分とが層間接続導体を介して接続される場合、積層体１０を形成する際（複数の基材層を積層する際）の位置ずれによって、第１部分（または第２部分）と層間接続導体との位置関係にばらつきが生じることがある。この場合、第１部分と第２部分との間で反射損失が生じる虞がある。一方、上記構成によれば、積層体を形成する際の位置ずれに伴って生じる反射損失を抑制することができる。また、上記構成によれば、第１信号線ＳＬ１の第１部分および第２部分が層間接続導体を介して接続された場合と比較して、第１信号線ＳＬ１の導体損失を低減できる。

　なお、本発明における「接続部」とは、伝送線路基板の外部電極等を、別基板（他の回路基板や他の伝送線路基板等）に接続する部分であって、別基板へ信号を伝送する部分を言う。本発明の「接続部」とは、直接外部基板にはんだ実装する場合や、コネクタを実装する場合が想定されるため、例えば、外部電極を有し、周辺部分よりも幅の広い部分を言う。

　本実施形態に係る伝送線路基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

（１）まず、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を準備する。基材層１１～１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

（２）その後、複数の基材層１１～１５に、導体パターン（第１信号線ＳＬ１、グランド導体Ｇ１１～Ｇ１３，Ｇ２１～Ｇ２３、中間導体３１，３２、中間グランド導体４１，５１～５３、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２）をそれぞれ形成する。具体的には、基材層１１～１５の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、基材層１１の表面にグランド導体Ｇ２１，Ｇ２３を形成し、基材層１２の表面にグランド導体Ｇ２２および中間グランド導体５１を形成し、基材層１３の表面に第１信号線ＳＬ１および中間グランド導体４１，５２を形成する。また、基材層１４の表面に中間導体３１，３２、グランド導体Ｇ１２および中間グランド導体５３を形成し、基材層１５の表面に外部電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド導体Ｇ１１，Ｇ１３を形成する。

（３）また、基材層１２～１５に、層間接続導体Ｖ１～Ｖ４および複数の層間接続導体ＶＧ１～ＶＧ４をそれぞれ形成する。これら層間接続導体は、複数の基材層１２～１５にそれぞれ孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレス処理によって導電性ペーストを固化させることにより設ける。

（４）次に、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５の順に積層し、積層した複数の基材層１１～１５を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体を形成する。

（５）その後、積層体の表面（基材層１５側の面）に保護層１を形成して伝送線路基板１０１（積層体１０）を得る。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

　上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１～１５を積層して加熱プレス（一括プレス）することで、積層体１０を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

　また、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させるため、層間接続導体を形成する工程を削減できる。

　伝送線路基板１０１は例えば次のように用いられる。図４は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。

　電子機器３０１は、伝送線路基板１０１、回路基板２０１および部品８１，８２，８３等を備える。なお、電子機器３０１は上記以外の構成も備えるが、図４では図示省略している。回路基板２０１は、例えばガラス／エポキシ基板である。部品８１，８２，８３等は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子、インピーダンス整合回路、または他の伝送線路基板等である。

　回路基板２０１は主面ＰＳ１を有する。図示省略するが、回路基板２０１の主面ＰＳ１には、複数の基板側電極が形成されている。

　伝送線路基板１０１は、第１主面ＶＳ１が回路基板２０１の主面ＰＳ１に対向した状態で、回路基板２０１に面実装されている。具体的には、伝送線路基板の電極（外部電極Ｐ１１，Ｐ１２およびグランド電極ＰＧ１，ＰＧ２）が、はんだ等の導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極にそれぞれ接合される。同様に、部品８１～８３も導電性接合材を介して回路基板２０１に接合される。

　図４に示すように、線路部ＴＬの第２領域Ｆ２は、伝送線路基板１０１が回路基板２０１に接続された状態で、幅方向（Ｙ軸方向）おいて部品８３を回避するように配置されている。言い換えれば、第２領域Ｆ２は、図３（Ｂ）に示す切り欠き部ＮＰで部品８３を回避し、切り欠き部ＮＰ内に部品８３が配置された状態となっている。なお、第２領域Ｆ２は、伝送線路基板１０１のうち他の部分よりも部品８３に近接した部分である。

　この構成によれば、第２領域Ｆ２によって他の部材（部品８３）を回避しつつ、第２領域Ｆ２が他の部材に近接した状態で伝送線路基板を回路基板に接続する構成であっても、伝送線路基板と他の部材との電磁界結合を抑制した電子機器３０１を実現できる。

　なお、本実施形態では、回路基板２０１に実装された部品８１が「他の部材」である例を示したが、本発明の「他の部材」はこれに限定されるものではない。本発明の「他の部材」は、例えば、筐体の一部や他の構造物等でもよい。また、「他の部材」の材料は、電磁界結合するのであれば、導体に限定されず誘電体などでもよい。

　《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、第１グランド導体と第２グランド導体との間隔が、遷移領域で階段的に狭くなる伝送線路基板の例を示す。

　図５は、第２の実施形態に係る伝送線路基板１０２の平面図である。図６（Ａ）は図５におけるＤ－Ｄ断面図であり、図６（Ｂ）は遷移領域ＴＲ１付近の拡大平面図である。図６（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、第１信号線ＳＬ１Ａをドットパターンで示している。

　伝送線路基板１０２は、積層体１０Ａ、第１信号線ＳＬ１Ａおよびグランド導体Ｇ１４，Ｇ２４等を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０２の他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

　以下、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる部分について説明する。

　伝送線路基板１０２の第２領域Ｆ２は、幅方向（Ｙ軸方向）の両側（図５における第２領域Ｆ２の上側および下側）が切り欠かれた構造である。積層体１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。第１信号線ＳＬ１Ａおよびグランド導体Ｇ１４，Ｇ２４は、積層体１０Ａの内部に形成されている。積層体１０Ａは、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７および保護層１がこの順に積層されて形成されている。基材層１１～１７および保護層１の主材料は、第１の実施形態で説明した基材層１１～１５および保護層１とそれぞれ同じである。

　グランド導体Ｇ１４は本発明の「第１グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２４は本発明の「第２グランド導体」に相当する。

　基材層１１の表面にはグランド導体Ｇ２１等が形成されている。グランド導体Ｇ２１の構成は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

　基材層１２の表面にはグランド導体Ｇ２４が形成されている。グランド導体Ｇ２４は、基材層１２の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ２４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、基材層１２には、層間接続導体ＶＧ１が形成されている。

　基材層１３の表面には、グランド導体Ｇ２２等が形成されている。グランド導体Ｇ２２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。また、基材層１３には、層間接続導体ＶＧ２が形成されている。

　基材層１４の表面には、第１信号線ＳＬ１Ａ等が形成されている。第１信号線ＳＬ１Ａは、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。

　基材層１５の表面には、グランド導体Ｇ１２等が形成されている。グランド導体Ｇ１２は第１の実施形態で説明したものと同じである。

　基材層１６の表面には、グランド導体Ｇ１４等が形成されている。グランド導体Ｇ１４は、基材層１６の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ１４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、基材層１６には、層間接続導体ＶＧ５が形成されている。

　基材層１７の表面には、グランド導体Ｇ１１等が形成されている。グランド導体Ｇ１１は第１の実施形態で説明したものと同じである。基材層１７には、層間接続導体ＶＧ６が形成されている。

　図６（Ａ）に示すように、グランド導体Ｇ１１は、層間接続導体ＶＧ６を介してグランド導体Ｇ１４に接続されており、グランド導体Ｇ１４は、層間接続導体ＶＧ５を介してグランド導体Ｇ１２に接続されている。グランド導体Ｇ２１は、層間接続導体ＶＧ１を介してグランド導体Ｇ２４に接続されており、グランド導体Ｇ２４は、層間接続導体ＶＧ２を介してグランド導体Ｇ２２に接続されている。図示省略するが、グランド導体Ｇ１２，Ｇ２２は層間接続導体等を介して互いに接続されている。

　図６（Ａ）に示すように、本実施形態では、第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１４）と第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ２４）との間隔が、遷移領域ＴＲ１で段階的に狭くなっている。また、図６（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１Ａの線幅は、遷移領域ＴＲ１で段階的に狭くなっている。図示省略するが、遷移領域ＴＲ２も同様の構成となっている。このように、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２（第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂから第２領域Ｆ２へと変化する部分）で、第１グランド導体と第２グランド導体との間隔および第１信号線ＳＬ１Ａの線幅を、段階的に変化させることで、特性インピーダンスの急激な変化を抑制でき、反射損失を低減できる。

　《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、線路部に１つの第１領域と２つの第２領域とを有した伝送線路基板の例を示す。

　図７（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３の平面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）におけるＥ－Ｅ断面図である。

　伝送線路基板１０３は、積層体１０Ｂ、第１信号線ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ１３および層間接続導体Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８，Ｖ９等を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０３の他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

　伝送線路基板１０３の線路部ＴＬは、第１領域Ｆ１、第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂおよび遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２を有する。第２領域Ｆ２Ａ、遷移領域ＴＲ１、第１領域Ｆ１、遷移領域ＴＲ２および第２領域Ｆ２Ｂは、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。

　積層体１０Ｂは、長手方向がＸ軸方向に一致する略クランク形の平板である。第１信号線ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ１３、層間接続導体Ｖ５～Ｖ９は、積層体１０Ｂの内部に形成されている。積層体１０Ｂは、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５，１６および保護層１がこの順に積層されて形成されている。基材層１１～１６は、長手方向がＸ軸方向に一致する略クランク形の樹脂平板である。基材層１１～１６および保護層１の主材料は、第１の実施形態で説明した基材層１１～１５および保護層１とそれぞれ同じである。

　基材層１２の裏面には、グランド導体Ｇ２１が形成されている。グランド導体Ｇ２１は、基材層１１の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。また、基材層１２には層間接続導体ＶＧ１が形成されている。

　基材層１３の裏面には、第１信号線ＳＬ１２およびグランド導体Ｇ２２等が形成されている。第１信号線ＳＬ１２は、基材層１３の長手方向の中央よりも第２端（図７（Ｂ）における基材層１３の右端）寄りの位置に配置された、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体Ｇ２２は、基材層１３の第２端付近に配置される矩形の導体パターンである。図示省略するが、基材層１３の長手方向の中央よりも第１端（図７（Ｂ）における基材層１３の左側）寄りの位置にも、同様の第１信号線およびグランド導体が配置されている。また、基材層１３には層間接続導体Ｖ５，Ｖ６，ＶＧ２等が形成されている。

　基材層１４の裏面には、第１信号線ＳＬ１１、中間導体３２および中間グランド導体５１等が形成されている。第１信号線ＳＬ１１は、基材層１４の中央付近に配置された、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。中間導体３２および中間グランド導体５１は、いずれも基材層１４の第２端（図７（Ｂ）における基材層１４の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。図示省略するが、基材層１４の第１端（図７（Ｂ）における基材層１４の左側）付近にも、同様の中間導体および中間グランド導体が配置されている。また、基材層１４には層間接続導体Ｖ７，ＶＧ３等が形成されている。

　基材層１５の裏面には、第１信号線ＳＬ１３、グランド導体Ｇ１２および中間グランド導体５２等が形成されている。第１信号線ＳＬ１３は、基材層１５の第２端（図７（Ｂ）における基材層１５の右端）付近に配置された、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体Ｇ１２は、基材層１５の長手方向の中央よりも第２端寄りの位置に配置された矩形の導体パターンである。中間グランド導体５２は、基材層１５の第２端付近に配置された矩形の導体パターンである。図示省略するが、基材層１５の第１端（図７（Ｂ）における基材層１５の左側）付近にも、同様の第１信号線、グランド導体および中間グランド導体が配置されている。また、基材層１５には層間接続導体Ｖ８，ＶＧ４等が形成されている。

　基材層１６の表面には、外部電極Ｐ１２およびグランド導体Ｇ１１，Ｇ１３等が形成されている。外部電極Ｐ１２は、基材層１６の第２端（図７（Ｂ）における基材層１６の右端）付近に配置された矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ１１は、基材層１６の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。グランド導体Ｇ１３は、基材層１６の第２端付近に配置される矩形の導体パターンである。図示省略するが、基材層１６の第１端（図７（Ｂ）における基材層１６の左側）付近にも、同様の外部電極（Ｐ１１）およびグランド導体が配置されている。また、基材層１６には層間接続導体Ｖ９，ＶＧ５等が形成されている。

　外部電極Ｐ１１，Ｐ１２は、第１信号線ＳＬ１１，ＳＬ１２、中間導体３２および層間接続導体Ｖ５～Ｖ７等を介して、電気的に接続されている。具体的には、図７（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１１の一端は、層間接続導体Ｖ５を介して、第１信号線ＳＬ１２の一端に接続されている。第１信号線ＳＬ１２の他端は、中間導体３２および層間接続導体Ｖ６，Ｖ７を介して、第１信号線ＳＬ１３の一端に接続されている。第１信号線ＳＬ１３の他端は、層間接続導体Ｖ８，Ｖ９を介して、外部電極Ｐ１２に接続されている。図示省略するが、第１信号線ＳＬ１１の他端は、中間導体および層間接続導体を介して、外部電極Ｐ１１に接続されている。

　伝送線路基板１０３が備える複数のグランド導体は、中間グランド導体および層間接続導体を介して、互いに電気的に接続されている。具体的には、グランド導体Ｇ１１，Ｇ１３は、層間接続導体ＶＧ４，ＶＧ５を介してグランド導体Ｇ１２に接続されている。グランド導体Ｇ２１は、層間接続導体ＶＧ１を介してグランド導体Ｇ２２に接続されている。グランド導体Ｇ１３は、中間グランド導体５１，５２および層間接続導体ＶＧ２，ＶＧ３，ＶＧ４，ＶＧ５を介してグランド導体Ｇ２２に接続されている。

　図７（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１１（第１領域Ｆ１に位置する第１部分）および第１信号線ＳＬ１２（第２領域Ｆ２Ｂに位置する第２部分）は、積層方向（Ｚ軸方向）のそれぞれ異なる層に配置されている。

　伝送線路基板１０３は例えば次のように用いられる。図８は、第３の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す正面図である。図９は、図８における拡大表示部ＺＰ１の断面図である。

　電子機器３０２は、伝送線路基板１０３および回路基板２０２等を備える。なお、電子機器３０２は上記以外の構成も備えるが、図８および図９では図示省略している。伝送線路基板１０３は、線路部ＴＬに積層方向（Ｚ軸方向）に曲げられた曲げ部を有する。具体的には、曲げ部は線路部ＴＬの第１領域Ｆ１に位置している。

　回路基板２０２は、主面ＰＳ１１，ＰＳ１２を有する。図８に示すように、主面ＰＳ１１，ＰＳ１２は、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面である。回路基板２０２の主面ＰＳ１１には基板側電極ＥＰ１１，ＥＧ１が形成されており、回路基板２０２の主面ＰＳ１２には基板側電極ＥＰ１２，ＥＧ２が形成されている。

　伝送線路基板１０３は、第１領域Ｆ１が積層方向（Ｚ軸方向）に曲げられた状態で、回路基板２０２に実装されている。具体的には、伝送線路基板１０３の外部電極Ｐ１１は、導電性接合材を介して、回路基板２０２の基板側電極ＥＰ１１に接合され、伝送線路基板１０３のグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材を介して、回路基板２０２の基板側電極ＥＧ１に接合されている。また、伝送線路基板１０３の外部電極Ｐ１２は、導電性接合材を介して、回路基板２０２の基板側電極ＥＰ１２に接合され、伝送線路基板１０３のグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材を介して、回路基板２０２の基板側電極ＥＧ２に接合されている。

　このように、伝送線路基板１０３は、曲げられているため（塑性変形されているため）、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面を有した回路基板２０２への実装が容易となる。

　線路部ＴＬをＺ軸方向に曲げた場合（線路部ＴＬが曲げ部を有する場合）、曲げ部近傍のＺ軸方向の厚みに変化が生じる。なお、第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂは、第１領域Ｆ１よりも第１グランド導体と第２グランド導体との間隔が狭いため、第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２ＢをＺ軸方向に曲げた場合（第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに曲げ部が位置する場合）には、特性インピーダンスが大幅に変化する虞がある。そのため、線路部ＴＬが曲げ部を有する場合には、曲げ部が第１領域Ｆ１に位置することが好ましい。

　なお、本実施形態では、接続部ＣＮ１，ＣＮ２、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの厚み（Ｚ軸方向の厚み）が全て同じである例を示したが、この構成に限定されるものではない。接続部の厚み、第１領域の厚み、および第２領域の厚みはそれぞれ異なっていてもよい。但し、第１領域をＺ軸方向に曲げた場合に、第１領域の曲げに伴って第２領域が変形することに起因した特性変化を抑制するため、第２領域の厚みは第１領域よりも厚いことが好ましい。

　また、本実施形態では、第１信号線ＳＬ１１（第１領域Ｆ１に配置される第１部分）および第１信号線ＳＬ１２（第２領域Ｆ２Ｂに配置される第２部分）が、Ｚ軸方向のそれぞれ異なる層に配置されている。具体的には、図９に示すように、第２部分（第１信号線ＳＬ１２）が、第１部分（第１信号線ＳＬ１１）よりも第１主面ＶＳ１（伝送線路基板１０３の実装面）から離れた位置に配置される。この構成によれば、第２部分を回路基板２０１に形成された導体７２から離間させることができ、第２部分と回路基板２０１の導体７２との電磁界結合が抑制される。

　《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、第２信号線をさらに備える伝送線路基板の例を示す。

　図１０は、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４Ａの平面図である。図１１（Ａ）は図１０におけるＦ－Ｆ断面図であり、図１１（Ｂ）は図１０におけるＧ－Ｇ断面図である。

　伝送線路基板１０４Ａは、積層体１０Ｃ、第２信号線ＳＬ２、グランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ１２Ａ，Ｇ２１Ａ，Ｇ２２Ａおよび外部電極Ｐ２１，Ｐ２２等を備える点で、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と異なる。伝送線路基板１０４Ａの他の構成については、伝送線路基板１０１と実質的に同じである。

　積層体１０Ｃは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。第２信号線ＳＬ２およびグランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ１２Ａ，Ｇ２１Ａ，Ｇ２２Ａは、積層体１０Ｃの内部に形成されている。外部電極Ｐ２１は、接続部ＣＮ１の第１主面（ＶＳ１）に形成されており、外部電極Ｐ２２は、接続部ＣＮ２の第１主面（ＶＳ１）に形成されている。図１０に示すように、外部電極Ｐ１１，Ｐ２１は＋Ｙ方向に配列されており、外部電極Ｐ１２，Ｐ２２は＋Ｙ方向に配列されている。

　グランド導体Ｇ１１Ａは本発明の「第１グランド導体」「第３グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２１Ａは本発明の「第２グランド導体」「第４グランド導体」に相当する。また、グランド導体Ｇ１２Ａは本発明の「第１グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２２Ａは本発明の「第２グランド導体」に相当する。

　基材層１１の表面には、グランド導体Ｇ２１Ａが形成されている。グランド導体Ｇ２１Ａは、基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。

　基材層１２の表面にはグランド導体Ｇ２２Ａが形成されている。グランド導体Ｇ２２Ａは、基材層１２の長手方向の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。また、基材層１２には層間接続導体ＶＧ１２が形成されている。

　基材層１３の表面には第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２が形成されている。第１信号線ＳＬ１は第１の実施形態で説明したものと同じである。第２信号線ＳＬ２は、線路部（ＴＬ）において第１信号線ＳＬ１に並走する線状の導体パターンである。第２信号線ＳＬ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　基材層１４の表面にはグランド導体Ｇ１２Ａが形成されている。グランド導体Ｇ１２Ａは、基材層１４の長手方向の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。

　基材層１５の表面にはグランド導体Ｇ１１Ａおよび外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２）が形成されている。グランド導体Ｇ１１Ａは、基材層１５の表面の略全面に形成される導体パターンである。

　図示省略するが、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２は電気的に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１１は、層間接続導体等を介して第１信号線ＳＬ１の一端に接続され、第１信号線ＳＬ１の他端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ１２に接続されている。図示省略するが、外部電極Ｐ２１，Ｐ２２は電気的に接続されている。具体的には、外部電極Ｐ２１は、層間接続導体等を介して第２信号線ＳＬ２の一端に接続され、第２信号線ＳＬ２の他端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ２２に接続されている。

　図１１（Ｂ）に示すように、グランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ１２Ａは、層間接続導体ＶＧ１１を介して電気的に接続されており、グランド導体Ｇ２１Ａ，Ｇ２２Ａは、層間接続導体ＶＧ１２を介して電気的に接続されている。図示省略するが、グランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ２１Ａは層間接続導体等を介して電気的に接続されており、グランド導体Ｇ１２Ａ，Ｇ２２Ａは層間接続導体等を介して電気的に接続されている。

　図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、伝送線路基板１０４Ａの線路部ＴＬには、第１信号線ＳＬ１と、第１信号線ＳＬ１を積層方向（Ｚ軸方向）に挟む第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ１２Ａ）および第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１Ａ，Ｇ２２Ａ）と、を含んだストリップラインが構成されている。また、線路部ＴＬには、第２信号線ＳＬ２と、第２信号線ＳＬ２を積層方向に挟む第３グランド導体（グランド導体Ｇ１１Ａ）および第４グランド導体（グランド導体Ｇ２１Ａ）と、を含んだストリップラインが構成されている。

　図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、第２領域Ｆ２における第１グランド導体（グランド導体Ｇ１２Ａ）と第２グランド導体（グランド導体Ｇ２２Ａ）との間隔（Ｄ２）は、第１領域Ｆ１Ａにおける第１グランド導体と第２グランド導体との間隔（Ｄ１）よりも狭い（Ｄ２＜Ｄ１）。一方、第３グランド導体（グランド導体Ｇ１１Ａ）と第４グランド導体（グランド導体Ｇ２１Ａ）との間隔は、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂおよび第２領域Ｆ２ともに同じである（Ｄ３≒Ｄ４）。

　また、第１信号線ＳＬ１の第２部分（第１信号線ＳＬ１のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）の線幅は、第１信号線ＳＬ１の第１部分（第１信号線ＳＬ１のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）の線幅よりも細い。一方、第２信号線ＳＬ２の第３部分（第２信号線ＳＬ２のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）の線幅と、第４部分（第２信号線ＳＬ２のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）の線幅はともに略同じである。

　伝送線路基板１０４Ａでは、第２領域Ｆ２が幅方向（Ｙ軸方向）に一方側（図１１（Ｂ）における伝送線路基板１０４Ａの左側。切り欠き部ＮＰを参照）のみ切り欠かれた構造である。この場合、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）等に示すように、第２領域Ｆ２の幅方向のうち切り欠かれた側（幅方向の一方側。第２領域Ｆ２の幅方向において他の部材に近接する側）のみ、第１グランド導体と第２グランド導体との間隔を第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも狭く、且つ、信号線の線幅を第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも細くしてもよい。

　次に、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４Ａの変形例について説明する。図１２（Ａ）は第４の実施形態の変形例である伝送線路基板１０４Ｂの第１領域Ｆ１Ａにおける断面図であり、図１２（Ａ）は伝送線路基板１０４Ｂの第２領域Ｆ２における断面図である。

　伝送線路基板１０４Ｂは、グランド導体Ｇ２１Ｂを備える点で、伝送線路基板１０４Ａと異なる。伝送線路基板１０４Ｂの他の構成については、伝送線路基板１０４Ａと実質的に同じである。

　図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示すように、グランド導体Ｇ２１Ｂは基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。

　図１２（Ｂ）に示すように、第１グランド導体（グランド導体Ｇ１１Ａ，Ｇ１２Ａ）は、遷移領域（第１領域から第２領域へと変化する部分）で第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１）側に近接している。一方、第２グランド導体（グランド導体Ｇ２１Ｂ）は、遷移領域で第１グランド導体側に近接してはいない。

　このような構成でも、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１と同様の作用・効果を奏する。

　なお、本実施形態では、第２信号線ＳＬ２の第３部分（第２信号線ＳＬ２のうち第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂに位置する部分）と第４部分（第２信号線ＳＬ２のうち第２領域Ｆ２に位置する部分）の線幅が略同じであり、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂにおける第３グランド導体と第４グランド導体との間隔が第２領域Ｆ２と同じである例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、第２信号線ＳＬ２の第４部分の線幅が、第３部分の線幅よりも細く、且つ、第２領域Ｆ２における第３グランド導体と第４グランド導体との間隔が第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも狭い構成でもよい。その構成によれば、第２領域Ｆ２における第２信号線ＳＬ２と、第２領域Ｆ２に近接する他の部材との電磁界結合が抑制される。また、第３グランド導体および第４グランド導体のいずれか一方または両方が、遷移領域で他方側に近接した構成でもよい。さらに、第３グランド導体と第４グランド導体との間隔は、遷移領域で、第１領域から第２領域に向かって段階的に狭くなっていてもよい。

　さらに、本実施形態のように第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２が互いに並走している場合には、第１信号線ＳＬ１と第２信号線ＳＬ２とのアイソレーションを高めるため、第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２の間に中間グランド導体や層間接続導体を配置してもよい。

　《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、３つの信号線を備える伝送線路基板を示す。

　図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る伝送線路基板１０５の平面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）における拡大表示部ＺＰ２の拡大平面図である。図１３（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃおよび第２信号線ＳＬ２をドットパターンで示している。

　伝送線路基板１０５は、第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃ、外部電極Ｐ１３，Ｐ１４等をさらに備える点で、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４Ａと異なる。伝送線路基板１０５の他の構成については、伝送線路基板１０４Ａと実質的に同じである。

　以下、第４の実施形態に係る伝送線路基板１０４Ａと異なる部分について説明する。

　第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃは、積層体１０Ｃの内部に形成されている。外部電極Ｐ１３は、接続部ＣＮ１の第１主面（ＶＳ１）に形成されており、外部電極Ｐ１４は、接続部ＣＮ２の第１主面（ＶＳ１）に形成されている。図１３（Ａ）に示すように、外部電極Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ１３は＋Ｙ方向に配列されており、外部電極Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ１４は＋Ｙ方向に配列されている。

　第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｂは、略伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。第２信号線ＳＬ２は、線路部（ＴＬ）において第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃに並走する線状の導体パターンである。図１３（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１Ｂ、第２信号線ＳＬ２および第１信号線ＳＬ１Ｃは、＋Ｙ方向に配列されている。第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃおよび第２信号線ＳＬ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　図１３（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃは、遷移領域ＴＲ１で、第１領域Ｆ１Ａから第２領域Ｆ２に向かってテーパー状に（線幅が徐々に狭く）なっている。図示省略するが、遷移領域ＴＲ２でも同様の構成となっている。

　なお、本実施形態では、第１信号線ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃのみが、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂから第２領域Ｆ２に向かってテーパー状になっている例を示したが、これに限定されるものではない。第２信号線ＳＬ２も、遷移領域ＴＲ１，ＴＲ２で第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂから第２領域Ｆ２に向かってテーパー状になっていてもよい。また、第１信号線の数は３以上でもよく、第２信号線の数が複数でもよい。

　《第６の実施形態》
　第６の実施形態では、第１信号線と第２信号線とが積層方向に配置された伝送線路基板について示す。

　図１４（Ａ）は第６の実施形態に係る伝送線路基板１０６Ａの平面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）におけるＨ－Ｈ断面図である。

　伝送線路基板１０６Ａは、積層体１０Ｄ、第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２Ｃ、第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃ、グランド導体Ｇ１１Ｃ，Ｇ２１Ｃ，Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，ＶＧ３１，ＶＧ３２、外部電極Ｐ２１，Ｐ２２等を備える点で、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる。伝送線路基板１０６Ａの他の構成については、伝送線路基板１０３と実質的に同じである。

　以下、第３の実施形態に係る伝送線路基板１０３と異なる部分について説明する。

　積層体１０Ｄは、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７および保護層１がこの順に積層されて形成されている。第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２Ｃ、第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃ、グランド導体Ｇ１１Ｃ，Ｇ２１Ｃ，Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１，ＶＧ３１，ＶＧ３２は、積層体１０Ｄの内部に形成されている。外部電極Ｐ２１は、接続部ＣＮ１の第１主面（ＶＳ１）に形成されており、外部電極Ｐ２２は、接続部ＣＮ２の第１主面（ＶＳ１）に形成されている。外部電極Ｐ２１，Ｐ１１は＋Ｘ方向に配列されており、外部電極Ｐ１２，Ｐ２２は＋Ｘ方向に配列されている。

　グランド導体Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ３３は本発明の「第１グランド導体」「第３グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ１１Ｃは本発明の「第２グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２１Ｃは本発明の「第４グランド導体」に相当する。本実施形態では、「第１グランド導体」「第３グランド導体」が共通するグランド導体Ｇ３１～Ｇ３３である。

　基材層１１の表面にはグランド導体Ｇ２１Ｃが形成されている。グランド導体Ｇ２１Ｃは基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。

　基材層１２の表面には第２信号線ＳＬ２２Ｃ等が形成されている。第２信号線ＳＬ２２Ｃは、基材層１２の長手方向の中央よりも第２端（図１４（Ｂ）における基材層１２の右側）寄りの位置に配置された、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。図示省略するが、基材層１２の長手方向の中央よりも第１端（図１４（Ｂ）における基材層１２の左側）寄りの位置にも、同様の第２信号線が配置されている。

　基材層１３の表面には第２信号線ＳＬ２１Ｃおよびグランド導体Ｇ３３が形成されている。第２信号線ＳＬ２１Ｃは基材層１３の長手方向の中央付近に配置された、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体Ｇ３３は、基材層１３の長手方向の中央よりも第２端（図１４（Ｂ）における基材層１３の右側）付近の略全面に形成される導体パターンである。図示省略するが、基材層１３の長手方向の中央よりも第１端（図１４（Ｂ）における基材層１３の左側）寄りの位置にも、同様のグランド導体が配置されている。また、基材層１３には層間接続導体Ｖ２１が形成されている。

　基材層１４の表面にはグランド導体Ｇ３１が形成されている。グランド導体Ｇ３１は基材層１４の長手方向の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。また、基材層１４には層間接続導体ＶＧ３２が形成されている。

　基材層１５の表面には、第１信号線ＳＬ１１Ｃおよびグランド導体Ｇ３２が形成されている。第１信号線ＳＬ１１Ｃは、基材層１５の長手方向の中央付近に配置された、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体Ｇ３２は基材層１５の長手方向の中央よりも第２端（図１４（Ｂ）における基材層１５の右側）付近の略全面に形成される導体パターンである。図示省略するが、基材層１５の長手方向の中央よりも第１端（図１４（Ｂ）における基材層１５の左側）付近にも、同様のグランド導体が配置されている。また、基材層１５には層間接続導体ＶＧ３１が形成されている。

　基材層１６の表面には第１信号線ＳＬ１２Ｃが形成されている。第１信号線ＳＬ１２Ｃは、基材層１６の長手方向の中央よりも第２端（図１４（Ｂ）における基材層１６の右側）寄りの位置に配置された、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。図示省略するが、基材層１６の長手方向の中央よりも第１端（図１４（Ｂ）における基材層１６の左側）寄りの位置にも、同様の第１信号線が配置されている。また、基材層１６には層間接続導体Ｖ１１が形成されている。

　基材層１７の表面にはグランド導体Ｇ１１Ｃおよび外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２）が形成されている。グランド導体Ｇ１１Ｃは、基材層１７の表面の略全面に形成される導体パターンである。

　外部電極Ｐ１１，Ｐ１２は、第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２Ｃおよび層間接続導体Ｖ１１等を介して、電気的に接続されている。具体的には、図１４（Ｂ）に示すように、第１信号線ＳＬ１１Ｃの一端は、層間接続導体Ｖ１１を介して、第１信号線ＳＬ１２Ｃの一端に接続されている。図示省略するが、第１信号線ＳＬ１２の他端は、中間導体および層間接続導体を介して、外部電極Ｐ１２に接続されている。また、第１信号線ＳＬ１１Ｃの他端は、他の第１信号線、中間導体および層間接続導体を介して、外部電極Ｐ１１に接続されている。また、外部電極Ｐ２１，Ｐ２２は、第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃおよび層間接続導体Ｖ２１等を介して、電気的に接続されている。具体的には、図１４（Ｂ）に示すように、第２信号線ＳＬ２１Ｃの一端は、層間接続導体Ｖ２１を介して、第２信号線ＳＬ２２Ｃの一端に接続されている。図示省略するが、第２信号線ＳＬ２２Ｃの他端は、中間導体および層間接続導体を介して、外部電極Ｐ２２に接続されている。また、第２信号線ＳＬ２１Ｃの他端は、他の第２信号線、中間導体および層間接続導体を介して、外部電極Ｐ２１に接続されている。

　伝送線路基板１０６Ａが備える複数のグランド導体は、中間グランド導体および層間接続導体を介して、互いに電気的に接続されている。具体的には、グランド導体Ｇ３１は、層間接続導体ＶＧ３１を介してグランド導体Ｇ３２に接続されている。また、グランド導体Ｇ３１は、層間接続導体ＶＧ３２を介してグランド導体Ｇ３３に接続されている。図示省略するが、グランド導体Ｇ１１Ｃは、層間接続導体等を介して、グランド導体Ｇ３１，Ｇ３２に接続されており、グランド導体Ｇ２１Ｃは、層間接続導体等を介して、グランド導体Ｇ３１，Ｇ３２に接続されている。

　図１４（Ｂ）に示すように、第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃは、線路部において第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２ＣとはＺ軸方向の異なる層に配置されている。また、グランド導体Ｇ３１～Ｇ３３（第１グランド導体および第３グランド導体）は、線路部において互いに異なる位置に配置された第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２Ｃおよび第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃ間に配置されている。

　本実施形態で示したように、第１信号線ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１２Ｃおよび第２信号線ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２２Ｃは、積層方向に配置されていてもよい。

　なお、本実施形態では、図１４（Ｂ）に示すように、第１領域Ｆ１に配置されたグランド導体Ｇ３１を、遷移領域ＴＲ２で２つのグランド導体Ｇ３２，Ｇ３３に分岐した構成である。これにより、第２領域Ｆ２Ｂにおける導体比率が高まるため、積層体１０Ｄが樹脂を主材料とする素体である場合に第２領域Ｆ２Ｂを曲がり難くできる。そのため、第１グランド導体と第２グランド導体との間隔（または第３グランド導体と第４グランド導体との間隔）が第１領域Ｆ１よりも狭い第２領域Ｆ２Ｂが（意図せず）変形することに起因する、特性インピーダンスの変動を抑制できる。

　次に、第６の実施形態に係る伝送線路基板１０６Ａの変形例について説明する。図１５（Ａ）は第６の実施形態の変形例である伝送線路基板１０６Ｂの平面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）におけるＩ－Ｉ断面図である。

　伝送線路基板１０６Ｂは、第１信号線ＳＬ１１Ｄ、第２信号線ＳＬ２１Ｄ、グランド導体Ｇ１１Ｄ，Ｇ１２Ｄ，Ｇ２１Ｄ，Ｇ２２Ｄ，Ｇ３１Ｄおよび層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ２１等を備える点で、伝送線路基板１０６Ａと異なる。伝送線路基板１０６Ｂの他の構成については、伝送線路基板１０６Ａと実質的に同じである。

　以下、伝送線路基板１０６Ａと異なる部分について説明する。

　グランド導体Ｇ３１Ｄは本発明の「第１グランド導体」「第３グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ１１Ｄ，Ｇ１２Ｄは本発明の「第２グランド導体」に相当し、グランド導体Ｇ２１Ｄ，Ｇ２２Ｄは本発明の「第４グランド導体」に相当する。

　基材層１１の表面にはグランド導体Ｇ２１Ｄが形成されている。グランド導体Ｇ２１Ｄは基材層１１の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。

　基材層１２の表面にはグランド導体Ｇ２２Ｄが形成されている。グランド導体Ｇ２２Ｄは、基材層１１の長手方向の中央よりも第２端（図１５（Ｂ）における基材層１２の右側）付近の略全面に形成される導体パターンである。図示省略するが、基材層１２の長手方向の中央よりも第１端（図１５（Ｂ）における基材層１２の左側）付近には、同様のグランド導体が配置されている。また、基材層１２には層間接続導体ＶＧ２１が形成されている。

　基材層１３の表面には第２信号線ＳＬ２１Ｄが形成されている。第２信号線ＳＬ２１Ｄは、基材層１３の長手方向の両端付近に達する、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。基材層１４の表面にはグランド導体Ｇ３１Ｄが形成されている。グランド導体Ｇ３１Ｄは基材層１４の表面の略全面に形成される導体パターンである。基材層１５の表面には第１信号線ＳＬ１１Ｄが形成されている。第１信号線ＳＬ１１Ｄは、基材層１５の長手方向の両端付近に達する、伝送方向に延伸する線状の導体パターンである。

　基材層１６の表面にはグランド導体Ｇ１２Ｄが形成されている。グランド導体Ｇ１２Ｄは、基材層１６の長手方向の中央よりも第２端（図１５（Ｂ）における基材層１６の右側）付近の略全面に形成される導体パターンである。図示省略するが、基材層１６の長手方向の中央よりも第１端（図１５（Ｂ）における基材層１６の左側）付近にも、同様のグランド導体が配置されている。

　基材層１７の表面にはグランド導体Ｇ１１Ｄが形成されている。グランド導体Ｇ１１Ｄは、基材層１７の長手方向の中央付近に配置された矩形の導体パターンである。また、基材層１７には層間接続導体ＶＧ１１が形成されている。

　外部電極Ｐ１１，Ｐ１２は、電気的に接続されている。図示省略するが、第１信号線ＳＬ１１Ｄの一端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ１１に接続され、第１信号線ＳＬ１１Ｄの他端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ１２に接続される。また、外部電極Ｐ２１，Ｐ２２は、電気的に接続されている。図示省略するが、第２信号線ＳＬ２１Ｄの一端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ２１に接続され、第２信号線ＳＬ２１Ｄの他端は、層間接続導体等を介して外部電極Ｐ２２に接続される。

　伝送線路基板１０６Ａが備える複数のグランド導体は、互いに電気的に接続されている。具体的には、グランド導体Ｇ１１Ｄは、層間接続導体ＶＧ１１を介してグランド導体Ｇ１２Ｄに接続されている。また、グランド導体Ｇ２１Ｄは、層間接続導体ＶＧ２１を介してグランド導体Ｇ２２Ｄに接続されている。図示省略するが、グランド導体Ｇ１１Ｄ，Ｇ１２Ｄは、層間接続導体等を介して、グランド導体Ｇ３１Ｄに接続されており、グランド導体Ｇ２１Ｄ，Ｇ２２Ｄは、層間接続導体等を介してグランド導体Ｇ３１Ｄに接続されている。

　本実施形態では、第１信号線ＳＬ１１Ｄの第１部分（第１信号線ＳＬ１１Ｄのうち第１領域Ｆ１に位置する部分）および第２部分（第１信号線ＳＬ１１Ｄのうち第２領域Ｆ２Ｂに位置する部分）が、層間接続導体を介して接続される構成ではなく、Ｚ軸方向の同じ層に配置されている。第１信号線の第１部分と第２部分とが層間接続導体を介して接続される場合（伝送線路基板１０６Ａを参照）、積層体を形成する際（複数の基材層を積層する際）の位置ずれによって、第１部分（または第２部分）と層間接続導体との位置関係にばらつきが生じ、第１部分と第２部分との間で反射損失（伝送ロス）が生じる虞がある。一方、上記構成によれば、積層体を形成する際の位置ずれに伴って生じる反射損失を抑制できる。

　《第７の実施形態》
　図１６は、第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７の断面図である。図１６に示すように、第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７は、第１の実施形態に係る伝送線路基板１０１に対して、第２領域Ｆ２Ｅを備える点で異なる。伝送線路基板１０７の他の構成は、伝送線路基板１０１と同様である。

　積層体１０Ｅにおける第２領域Ｆ２Ｅでの厚みは、第１領域Ｆ１Ａ、Ｆ１Ｂの厚みよりも小さい。言い換えれば、第２領域ＦＥ２は、主面ＶＳ１から凹む凹部ＣＡＶ１を有する。凹部ＣＡＶ１の底は、第２領域Ｆ２Ｅに形成されたグランド導体Ｇ１２である。

　保護膜１は、凹部ＣＡＶ１の内壁面を覆っている。これにより、グランド導体Ｇ１２は、保護膜１によって外部に露出しない。

　なお、伝送線路基板１０１と同様に、第２領域Ｆ２Ｅの幅は、第１領域Ｆ１Ａ、Ｆ１Ｂの幅よりも短くてもよく、同じであってもよい。

　図１７は、第７の実施形態に係る電子機器３０３の断面図である。図１７に示すように、電子機器３０３は、伝送線路基板１０７、および、回路基板２０３を備える。

　伝送線路基板１０７は、凹部ＣＡＶ１を有する側の主面ＶＳ１が回路基板２０３の表面に対向するように、配置される。伝送線路基板１０７のグランド電極ＰＧ１は、回路基板２０３のランド電極２３１に、はんだ等の導電性接合材によって接続する。伝送線路基板１０７のグランド電極ＰＧ２は、回路基板２０３のランド電極２３２に、はんだ等の導電性接合材によって接続する。伝送線路基板１０７の外部電極Ｐ１２は、回路基板２０３のランド電極２３３に、はんだ等の導電性接合材によって接続する。

　回路基板２０３における伝送線路基板１０７の実装面には、電子部品２４０が実装されている。電子部品２４０は、伝送線路基板１０７の凹部ＣＡＶ１に収容されている。言い換えれば、伝送線路基板１０７は、電子部品２４０と重なる位置に、凹部ＣＡＶ１を有する。

　このような構成によって、電子機器３０３では、電子部品２４０と重なる位置に、伝送線路基板１０７を配置でき、この重なる部分において、電子機器３０３が厚くなることを抑制できる。さらに、この構成では、電子部品２４０は、伝送線路基板１０７のグランド導体Ｇ１１、グランド導体Ｇ１２、グランド導体Ｇ１３、および、層間接続導体ＶＧ４からなるグランド導体群によって囲まれる。これにより、電子部品２４０から発生するノイズは、グランド導体群によって遮断され、例えば、第１信号線ＳＬ１に漏洩しない。

　また、この構成では、凹部ＣＡＶ１の底面、すなわち、グランド導体Ｇ１２が保護層１に覆われているので、電子部品２４０とグランド導体Ｇ１２との短絡を抑制できる。なお、保護層１は、凹部ＣＡＶ１の少なくとも一部を覆っている構成であってもよいが、上述の理由により、底面の全面を覆っていることが好ましい。また、凹部ＣＡＶ１の底は、グランド導体Ｇ１２に限るものでなく、積層体１０Ｅの基材層であってもよい。

　また、上述の構成では、凹部ＣＡＶ１に電子部品２４０を配置する態様を示した。しかしながら、凹部ＣＡＶ１に、別の伝送線路基板を通してもよい。

　《第８の実施形態》
　図１８は、第８の実施形態に係る伝送線路基板１０８の断面図である。図１８に示すように、第８の実施形態に係る伝送線路基板１０８は、第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７に対して、第２領域Ｆ２Ｆを備える点で異なる。伝送線路基板１０８の他の構成は、伝送線路基板１０７と同様である。

　伝送線路基板１０８は、第２領域Ｆ２Ｆにおいて、積層体１０Ｆの主面ＶＳ２側に、凹部ＣＡＶ２をさらに備える。凹部ＣＡＶ２の底は、第２領域Ｆ２Ｆに形成されたグランド導体Ｇ２２である。

　積層体１０Ｆの主面ＶＳ２側には、保護層１Ａが形成されている。保護層１Ａは、主面ＶＳ１側の保護層１と同様の構成であり、凹部ＣＡＶ２の内壁面を覆っている。

　このような構成では、凹部ＣＡＶ２内にも、電子部品や別の伝送線路基板を、収容したり通したりすることができる。

　なお、上述の第７の実施形態に係る伝送線路基板１０７および第８の実施形態に係る伝送線路基板１０８では、第２領域Ｆ２Ｅ、Ｆ２Ｆを、上述の図８に示すような曲げ部に用いることも可能である。第２領域Ｆ２Ｅ、Ｆ２Ｆは、第１領域Ｆ１Ａ、Ｆ１Ｂと比較して、厚みが小さいので、第１領域Ｆ１Ａ、Ｆ１Ｂよりも曲げ易い。

　また、上述の各実施形態において、第２領域では、グランド導体は、開口（部分的に導体の非形成部）を有することが好ましい。例えば、グランド導体は、メッシュ形状であることが好ましい。メッシュ形状とは、平行に並び、それぞれ所定の幅を有する複数の導体パターンからなる形状、それぞれに所定の幅を有する複数の導体パターンが互いに交差する形状等である。このような構成によって、グランド導体と信号線との容量結合、グランド導体同士の容量結合を抑制できる。また、上述のように、第２領域を曲げ部に用いる場合に、より曲がり易い構成を実現できる。

　《その他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、接続部に設けられた外部電極が、導電性接合材を介して回路基板の基板側電極に接合された例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路基板の接続部には、例えばコネクタ（プラグ）が設けられていてもよく、回路基板のレセプタクルに接続される構成でもよい。

　以上に示した各実施形態では、２つの接続部ＣＮ１，ＣＮ２および１つの線路部ＴＬを有する伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路基板が有する接続部の数および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、接続部の数および線路部の数は１つでもよい。例えば、伝送線路基板がアンテナを有する場合、＋Ｘ方向にアンテナ、線路部ＴＬおよび接続部の順に配置される構造でもよい。

　以上に示した各実施形態では、伝送線路基板が備える積層体が略矩形または略クランク形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形等でもよい。

　また、以上に示した各実施形態では、１つの保護層および５～７つの基材層を積層して形成される積層体を備える伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体に含まれる基材層の積層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、積層体において保護層は必須ではない。

　以上に示した各実施形態では、積層体が、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層を有する例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の基材層は、熱硬化性樹脂からなるシートでもよい。また、複数の基材層は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックシートでもよい。また、積層体は、複数の樹脂の複合積層体でもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。さらに、積層体は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有していてもよい。

　また、伝送線路基板に形成される回路は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。伝送線路基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで構成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが構成されていてもよい。また、伝送線路基板には、ストリップラインの伝送線路に加えて、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップ、ミアンダ、コプレーナ等）が構成されていてもよい。さらに、伝送線路基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

　以上に示した各実施形態では、線路部に１～３つの伝送線路が構成された伝送線路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路の数は、伝送線路基板の回路構成によって適宜変更可能であり、４つ以上でもよい。なお、以上に示した各実施形態（第４・第５の実施形態）では、それぞれ異なるシステム（異なる周波数帯）で利用される２つ以上の伝送線路を備えた伝送線路基板を示したが、これに限定されるものではない。２つ以上の伝送線路を備える場合には、これら２つ以上の伝送線路はそれぞれ同一のシステム（同一の周波数帯）で利用されていてもよい。

　最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＧ１，ＡＧ２，ＡＰ１１，ＡＰ１２…開口
ＣＡＶ１，ＣＡＶ２…凹部
ＣＮ１，ＣＮ２…接続部
ＴＬ…線路部
ＮＰ…切り欠き部
Ｆ１，Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ…第１領域
Ｆ２，Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ，Ｆ２Ｅ，Ｆ２Ｆ…第２領域
ＴＲ１，ＴＲ２…遷移領域
Ｇ１１，Ｇ１１Ａ，Ｇ１１Ｃ，Ｇ１１Ｄ，Ｇ１２，Ｇ１２Ａ，Ｇ１２Ｄ，Ｇ１３，Ｇ１４，Ｇ２１，Ｇ２１Ａ，Ｇ２１Ｂ，Ｇ２１Ｃ，Ｇ２２，Ｇ２２Ａ，Ｇ２２Ｄ，Ｇ２３，Ｇ２４，Ｇ３１，Ｇ３１Ｄ，Ｇ３２，Ｇ３３…グランド導体
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ２１，Ｐ２２…外部電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
ＥＧ１，ＥＧ２，ＥＰ１１，ＥＰ１２…（回路基板の）基板側電極
ＰＳ１，ＰＳ１１，ＰＳ１２…回路基板の主面
ＳＬ１，ＳＬ１Ａ，ＳＬ１Ｂ，ＳＬ１Ｃ，ＳＬ１１，ＳＬ１１Ｃ，ＳＬ１１Ｄ，ＳＬ１２，ＳＬ１２Ｃ，ＳＬ１２，ＳＬ１３…第１信号線
ＳＬ２，ＳＬ２１Ｃ，ＳＬ２１Ｄ，ＳＬ２２Ｃ…第２信号線
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８，Ｖ９，Ｖ１１，Ｖ２１，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３，ＶＧ４，ＶＧ５，ＶＧ６，ＶＧ１１，ＶＧ２１，ＶＧ３１，ＶＧ３２…層間接続導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
ＺＰ１，ＺＰ２…拡大表示部
１…保護層
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ…積層体
１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７…基材層
３１，３２…中間導体
４１，５１，５２，５３…中間グランド導体
７２…導体
８１，８２，８３…部品
１０１，１０２，１０３，１０４Ａ，１０４Ｂ，１０５，１０６Ａ，１０６Ｂ、１０７、１０８…伝送線路基板
２０１，２０２、２０３…回路基板
２４０…電子部品
３０１，３０２、３０３…電子機器

Claims

　線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
　積層された複数の基材層を有する積層体と、
　前記積層体に形成される第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体と、
　を備え、
　前記線路部には、前記第１信号線と、前記第１信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟む前記第１グランド導体および前記第２グランド導体と、を含んだストリップラインが構成され、
　前記線路部は、第１領域と、前記第１領域よりも外形幅の狭い第２領域と、を有し、
　前記第１信号線は、前記第２領域に位置する第２部分の線幅が、前記第１領域に位置する第１部分の線幅よりも細く、
　前記第２領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔よりも狭い、
　伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第１信号線は、前記遷移領域で、前記第１領域から前記第２領域に向かって線幅が徐々に狭くなる、請求項１に記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第１グランド導体は、前記遷移領域で前記第２グランド導体側に近接する、請求項１または２に記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第２グランド導体は、前記遷移領域で前記第１グランド導体側に近接する、請求項１から３のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記遷移領域で、前記第１領域から前記第２領域に向かって段階的に狭くなる、請求項３または４に記載の伝送線路基板。
　前記第１信号線の前記第１部分および前記第２部分は、前記積層方向の同じ層に配置され、直接接続されている、請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記第１信号線の前記第１部分および前記第２部分は、前記積層方向のそれぞれ異なる層に配置されている、請求項１から５のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記積層方向に曲げられた曲げ部を有する、請求項１から７のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記曲げ部は前記線路部の前記第１領域に位置する、請求項８に記載の伝送線路基板。
　前記積層体に形成される第２信号線、第３グランド導体および第４グランド導体をさらに備え、
　前記第２信号線は、前記線路部において前記第１信号線に並走し、
　前記線路部には、前記第２信号線と、前記第２信号線を前記積層方向に挟む前記第３グランド導体および前記第４グランド導体と、を含んだストリップラインが構成される、請求項１から９のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記第２信号線は、前記線路部において前記第１信号線と前記積層方向の同じ層に配置されている、請求項１０に記載の伝送線路基板。
　前記第２信号線は、前記線路部において前記第１信号線とは前記積層方向の異なる層に配置され、
　前記第１グランド導体および前記第３グランド導体は、前記線路部において前記積層方向の互いに異なる位置に配置された前記第１信号線および前記第２信号線間に配置される、請求項１０に記載の伝送線路基板。
　前記第１グランド導体および前記第３グランド導体は、共通するグランド導体である、請求項１２に記載の伝送線路基板。
　前記第２信号線は、前記第２領域に位置する第４部分の線幅が、前記第１領域に位置する第３部分の線幅よりも細く、
　前記第２領域における前記第３グランド導体と前記第４グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第３グランド導体と前記第４グランド導体との間隔よりも狭い、請求項１０から１３のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第２信号線は、前記遷移領域で、第１領域から前記第２領域に向かって線幅が徐々に狭くなる、請求項１４に記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第３グランド導体は、前記遷移領域で前記第４グランド導体側に近接する、請求項１０から１５のいずれかに記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する遷移領域を有し、
　前記第４グランド導体は、前記遷移領域で前記第３グランド導体側に近接する、請求項１０から１６のいずれかに記載の伝送線路基板。
　線路部および接続部を有する伝送線路基板と、前記伝送線路基板が接続される回路基板と、他の部材と、を備え、
　前記伝送線路基板は、
　　積層された複数の基材層を有する積層体と、
　　前記積層体に形成される第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体と、
　を有し、
　　前記線路部には、伝送方向に延伸する前記第１信号線と、前記第１信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟む前記第１グランド導体および前記第２グランド導体と、を含んだストリップラインが構成され、
　　前記線路部は、第１領域と、前記第１領域よりも外形幅の狭い第２領域と、を有し、
　　前記第１信号線は、前記第２領域に位置する第２部分の線幅が、前記第１領域に位置する第１部分の線幅よりも細く、
　　前記第２領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔よりも狭く、
　前記伝送線路基板は、前記接続部が前記回路基板に接続され、
　前記線路部の前記第２領域は、前記伝送線路基板が前記回路基板に接続された状態で、前記伝送方向に直交する幅方向において前記他の部材を回避するように配置され、前記伝送線路基板の他の部分よりも前記他の部材に近接する、電子機器。
　線路部および接続部を有する伝送線路基板であって、
　積層された複数の基材層を有する積層体と、
　前記積層体に形成される第１信号線、第１グランド導体および第２グランド導体と、
　を備え、
　前記線路部には、前記第１信号線と、前記第１信号線を前記複数の基材層の積層方向に挟む前記第１グランド導体および前記第２グランド導体と、を含んだストリップラインが構成され、
　前記線路部は、第１領域と、前記第１領域よりも薄い第２領域と、を有し、
　前記第１信号線は、前記第２領域に位置する第２部分の線幅が、前記第１領域に位置する第１部分の線幅よりも細く、
　前記第２領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔は、前記第１領域における前記第１グランド導体と前記第２グランド導体との間隔よりも狭い、
　伝送線路基板。
　前記第１グランド導体および前記第２グランド導体の少なくとも一方はメッシュ形状である、請求項１９に記載の伝送線路基板。
　前記線路部は、前記第２領域に、前記第１グランド導体を底にする第１凹部および前記第２グランド導体を底にする第２凹部の少なくとも一方を有する、
　請求項１９または請求項２０に記載の伝送線路基板。
　前記第１凹部を有し、前記第１グランド導体は前記第１凹部の外形に沿って屈曲する、
　請求項２１に記載の伝送線路基板。
　前記第１グランド導体の外形に沿って屈曲する保護膜を有する、
　請求項２２に記載の伝送線路基板。
　請求項２１および請求項２３のいずれかに記載の伝送線路基板と、
　前記伝送線路基板が実装される回路基板と、
　前記回路基板と前記伝送線路基板との間に配置される部材と、を備え、
　前記部材は、前記第１凹部に収容されている、
　電子機器。
　前記部材は、ノイズを発生する電子部材である、
　請求項２４に記載の電子機器。
　前記部材は、前記伝送線路基板とは別の伝送線路基板である、
　請求項２４に記載の電子機器。