JP6705567B2 - 多層基板、多層基板の実装構造、多層基板の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層基板に関し、特に樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層した積層体と、この積層体に形成される電極とを備える多層基板に関する。また、本発明は、上記多層基板の実装構造、および上記多層基板を備える電子機器に関する。

従来、複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、積層体に形成される電極と、を備える各種多層基板が知られている。例えば、特許文献１には、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、積層体に形成されるコイルと、積層体の表面に形成される電極と、を備えた多層基板が開示されている。

国際公開第２０１５／０７９７７３号

しかし、積層した複数の絶縁基材層を加熱プレスして積層体を形成する際に、樹脂を主材料とする絶縁基材層が流動して、電極の位置ずれが生じる虞がある。特に、積層体の表層付近は、加熱プレス時にプレス機による熱の影響を受けやすく、積層体の表面に設けられる電極は位置ずれを起こしやすい。そのため、多層基板に他の実装部品を実装する場合や、別の実装基板に多層基板を実装する場合に、接合不良や実装位置の位置ずれが生じる虞があった。

これに対して、積層体の表面に形成される電極の位置精度を高めるため、積層体の表面に大きな電極を形成し、電極の必要部分のみ露出するようレジスト等の保護膜を、積層体の表面に形成することが考えられる。しかし、その場合には、保護膜を形成する工程が必要となり、製造工程が増加する。

本発明の目的は、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層の積層体の表面に電極を設けた構成において、積層体の形成時の電極の位置ずれを抑制した多層基板、およびその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、実装電極の位置ずれに起因する接合不良や実装位置に位置ずれ等を抑制した、多層基板の実装構造および実装方法を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
を備え、
前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれることを特徴とする。

樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層して積層体を形成する場合、加熱プレス時の絶縁基材層の流動に伴って、積層体の表面に位置する実装電極は特に位置ずれを生じやすい。一方、この構成によれば、実装電極が第１補助パターンと他の導体パターンとで挟まれるため、加熱プレス時における実装電極近傍の絶縁基材層の過剰な流動は抑制され、加熱プレス時の実装電極の位置ずれが抑制される。

（２）上記（１）において、前記第１補助パターンのうち前記実装電極に対向する部分は、前記実装電極の外形に沿った形状であることが好ましい。この構成によれば、加熱プレス時における実装電極近傍の絶縁基材層の流動が効果的に抑制されるため、加熱プレス時における実装電極の位置ずれが効果的に抑制できる。

（３）上記（１）または（２）において、前記第１補助パターンの面積は、前記実装電極の面積よりも大きいことが好ましい。一般に、面積の小さな導体パターンは加熱プレス時の絶縁基材層の流動によって位置ずれが生じやすい。そのため、この構成によれば、加熱プレス時における第１補助パターン自体の位置ずれを起こり難くできる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記実装電極および前記第１補助パターンをよぎる第１方向における前記第１補助パターンの幅は、前記第１方向における前記実装電極の幅よりも大きいことが好ましい。この構成によれば、加熱プレス時における第１補助パターン自体の第１方向に対する位置ずれを起こり難くできる。そのため、加熱プレス時の実装電極の位置ずれ（特に、実装電極の第１方向に対する位置ずれ）が抑制される。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記実装電極および前記第１補助パターンをよぎる第１方向における前記実装電極と前記第１補助パターンとの間隔は、前記第１方向における前記第１補助パターンの幅よりも小さいことが好ましい。第１補助パターンが実装電極の近傍に配置されているほど、加熱プレス時における絶縁基材層の流動は抑制され、実装電極の位置ずれが抑制される。したがって、この構成により、実装電極と第１補助パターンとの間隔が大きい場合に比べて、加熱プレス時における実装電極の位置ずれを抑制できる。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンのみで挟まれる部分を有することが好ましい。実装電極に近接する第１補助パターン同士で実装電極を挟むことにより、第１補助パターンと他の導体パターンとで実装電極を挟む構成に比べて、加熱プレス時における実装電極近傍の絶縁基材層の流動を効果的に抑制できる。そのため、加熱プレス時の実装電極の位置ずれを効果的に抑制できる。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記導体パターンは、前記積層体の内部に形成される内層パターンと、前記積層体の内部に形成され、前記主面の平面視で、前記内層パターンを囲むように配置される第２補助パターンと、を含むことが好ましい。この構成によれば、加熱プレス時における積層体内部の絶縁基材層の過度な流動が、第２補助パターンによって抑制される。そのため、加熱プレス時の内層パターンの位置ずれが抑制され、内層パターンの位置ずれに起因する浮遊容量の変化や特性変化を抑制できる。

（８）上記（７）において、前記積層体の内部に形成される層間接続導体を備え、前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンは、前記層間接続導体を介して接続されることが好ましい。この構成によれば、第１補助パターンと第２補助パターンとが層間接続導体によって接続されていない場合と比べて、加熱プレス時における第１補助パターンおよび第２補助パターンの位置ずれがさらに抑制される。そのため、加熱プレス時における実装電極および内層パターンの位置ずれがさらに抑制される。

（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記主面に形成される保護層を備え、前記保護層は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンに重ならない構成であってもよい。

（１０）上記（１）から（９）のいずれかにおいて、前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が前記第１補助パターンで囲まれることが好ましい。この構成によれば、加熱プレス時の第１補助パターンによる実装電極近傍での絶縁基材層の流動の抑制効果がさらに高まる。そのため、加熱プレス時の実装電極の位置ずれをさらに抑制できる。

（１１）上記（１０）において、前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記４方が前記第１補助パターンで囲まれることが好ましい。この構成によれば、実装電極の４方のうち３方が第１補助パターンで囲まれる場合よりも、加熱プレス時の第１補助パターンによる実装電極近傍での絶縁基材層の流動の抑制効果がさらに高まる。

（１２）上記（１）から（１１）のいずれかにおいて、前記実装電極の数および前記第１補助パターンの数は複数であり、複数の前記第１補助パターンは、それぞれ異なる実装電極に近接して配置されることが好ましい。１つの第１補助パターンが複数の実装電極に近接している場合、１つの第１補助パターンと複数の実装電極との間がそれぞれ短絡すると、複数の実装電極間が短絡する。一方、この構成によれば、実装電極と第１補助パターンとの間がそれぞれ短絡した場合でも、第１補助パターンを介して複数の実装電極間が短絡する可能性は低い。

（１３）本発明の多層基板の実装構造は、
多層基板と、
前記多層基板が実装され、実装面に接合電極を有する実装基板と、
を備え、
前記多層基板は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
を有し、
前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、
前記第１補助パターンは、前記接合電極に電気的に接続されず、
前記実装電極は、前記接合電極に電気的に接続されることを特徴とする。

この構成によれば、実装電極の位置ずれに起因する接合不良や実装位置の位置ずれ等を抑制した、多層基板の実装構造を実現できる。

（１４）上記（１３）において、前記実装基板の前記実装面のうち前記接合電極が形成される部分は、他の部分よりも突出した凸部であり、前記実装電極と前記接合電極とは対向して配置され、前記多層基板と前記実装基板とは、絶縁異方性導電膜を挟んで接続されることが好ましい。この構成によれば、絶縁異方性導電膜のうち実装電極と接合電極とで挟まれる部分が、実装基板、絶縁異方性導電膜および多層基板を積層して加圧したときに圧力が掛かって導通する。そのため、実装電極と接合電極との電気的な接続が容易である。

（１５）本発明の多層基板の製造方法は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
を備える多層基板の製造方法であって、
前記複数の絶縁基材層のうち前記主面となる絶縁基材層の表面に、前記実装電極と、前記実装電極に近接して配置される前記第１補助パターンを形成する導体パターン形成工程と、
前記導体パターン形成工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより前記積層体を形成する積層体形成工程と、
を有し、
前記実装電極は、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれることを特徴とする。

この製造方法によれば、積層体の形成時に実装電極の位置ずれを抑制した多層基板を容易に製造できる。

（１６）本発明の電子機器の製造方法は、
多層基板と、実装面に接合電極を有する実装基板と、を備える電子機器の製造方法であって、
前記多層基板は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、含む導体パターンと、を有し、
前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、
前記実装面のうち、少なくとも他の部分よりも突出した凸部である前記接合電極の表面に、絶縁異方性導電膜を配置する、異方性部材配置工程と、
前記異方性部材配置工程の後に、前記絶縁異方性導電膜を挟んで前記実装電極が前記接合電極に対向するように、前記実装基板の前記実装面上に前記多層基板を積層する、多層基板配置工程と、
前記多層基板配置工程の後に、前記多層基板と前記実装基板とを積層した方向に加熱プレスして、前記実装電極と前記接合電極とを導通させる、加熱プレス工程と、
を備えることを特徴とする。

この製造方法によれば、多層基板を実装基板に実装する際に、実装電極の位置ずれに起因する接合不良や実装位置の位置ずれ等を抑制した電子機器を容易に実現できる。

本発明によれば、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層の積層体の表面に電極を設けた多層基板において、積層体の形成時の電極の位置ずれを抑制した多層基板を実現できる。

また、本発明によれば、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層の積層体の表面に電極を設けた多層基板の、他の基板に対する実装構造を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。 図２は、多層基板１０１が備える積層体１０の分解斜視図である。 図３は、第１の実施形態に係る電子機器３０１のうち、多層基板１０１と実装基板２０１とが接合する部分を示す断面図である。 図４（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ａの平面図であり、図４（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｂの平面図であり、図４（Ｃ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｃの平面図である。 図５（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３Ａの平面図であり、図５（Ｂ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３Ｂの平面図である。 図６（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４の平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図７は、多層基板１０４が備える積層体１０の分解斜視図である。 図８（Ａ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５Ａの平面図であり、図８（Ｂ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５Ｂの平面図である。 図９（Ａ）は第６の実施形態に係る多層基板１０６の平面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。 図１０は、多層基板１０６が備える積層体１０の分解斜視図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２は、多層基板１０１が備える積層体１０の分解斜視図である。図１（Ａ）および図２では、構造を分かりやすくするため、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂをドットパターンで示している。

多層基板１０１は、積層体１０、導体パターン（実装電極Ｐ１，Ｐ２、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂ、コイル導体３１，３２，３３）および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４を備える。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状の絶縁体であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、積層体１０の第１主面ＶＳ１に形成される導体パターンである。第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂは、第１主面ＶＳ１に形成され、実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接して配置される導体パターンである。コイル導体３１，３２，３３は、積層体１０の内部に形成される導体パターンである。実装電極Ｐ１，Ｐ２、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂおよびコイル導体３１，３２，３３は、例えばＣｕ等の導体パターンである。

本実施形態では、上記コイル導体３１，３２，３３が本発明における「内層パターン」に相当する。また、本発明において「実装電極に近接して配置される」とは、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、実装電極の外形から積層体１０の外縁までの最短距離（Ｗ０）よりも、第１補助パターンが実装電極の近くに配置されていることを言う。すなわち、第１補助パターンと実装電極との間隔（Ｗ１）が、Ｚ軸方向から視て実装電極の外形から積層体の外縁までの最短距離（Ｗ０）よりも短い場合（例えば、図１（Ａ）に示す実装電極Ｐ１と第１補助パターン４１Ａとの間隔Ｗ１と、実装電極Ｐ１の外形から積層体１０の外縁までの最短距離Ｗ０との間に、Ｗ１＜Ｗ０の関係が成り立つ場合）に、第１補助パターンが「実装電極に近接して配置される」と言う。

図２に示すように、積層体１０は、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１４，１３，１２，１１をこの順に積層してなる。複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、それぞれ可撓性を有する矩形の平板である。複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主材料とする熱可塑性樹脂シートである。

絶縁基材層１１の表面には、実装電極Ｐ１，Ｐ２および第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂが形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、長手方向がＹ軸方向に一致する矩形の導体パターンである。第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂは、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。実装電極Ｐ１および第１補助パターン４１Ａは、絶縁基材層１１の第１辺（図２における絶縁基材層１１の左辺）付近に配置されている。実装電極Ｐ２および第１補助パターン４１Ｂは、絶縁基材層１１の第２辺（図２における絶縁基材層１１の右辺）付近に配置されている。なお、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂはダミーパターンである。ここで言う「ダミーパターン」とは、例えば、実装電極と電気的に導通していない導体パターン等のように、回路上主たる機能を有さないパターンを言う。

絶縁基材層１２の表面には、コイル導体３１が形成されている。コイル導体３１は、絶縁基材層１２の外周に沿って巻回される約０．７５ターンの矩形ループ状の導体パターンである。

絶縁基材層１３の表面には、コイル導体３２が形成されている。コイル導体３２は、絶縁基材層１３の外周に沿って巻回される約０．７５ターンの矩形ループ状の導体パターンである。

絶縁基材層１４の表面には、コイル導体３３が形成されている。コイル導体３３は、絶縁基材層１４の外周に沿って巻回される約０．７５ターンの矩形ループ状の導体パターンである。

図２に示すように、実装電極Ｐ１は、絶縁基材層１１に形成される層間接続導体Ｖ１を介して、コイル導体３１の一端に接続されている。コイル導体３１の他端は、絶縁基材層１２に形成される層間接続導体Ｖ２を介して、コイル導体３２の一端に接続されている。コイル導体３２の他端は、絶縁基材層１３に形成される層間接続導体Ｖ３を介して、コイル導体３３の一端に接続されている。コイル導体３３の他端は、絶縁基材層１１，１２，１３に形成される層間接続導体Ｖ４を介して、実装電極Ｐ２に接続されている。

このように、コイル導体３１，３２，３３および層間接続導体Ｖ２，Ｖ３を含んで、約２ターン強の矩形ヘリカル状のコイル３が形成される。コイル３は積層体１０に形成され、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の積層方向（Ｚ軸方向）に沿った巻回軸ＡＸを有する。また、コイル３の一端は実装電極Ｐ１に接続され、コイル３の他端は実装電極Ｐ２に接続されている。

図１（Ａ）に示すように、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂは、それぞれ異なる実装電極に近接して配置されている。具体的には、第１補助パターン４１Ａが実装電極Ｐ１に近接して配置されており、第１補助パターン４１Ｂが実装電極Ｐ２に近接して配置されている。

また、第１補助パターン４１Ａのうち実装電極Ｐ１に対向する部分（図１（Ａ）における第１補助パターン４１Ａの右辺）は、実装電極Ｐ１の外形に沿った形状である。同様に、第１補助パターン４１Ｂのうち実装電極Ｐ２に対向する部分（図１（Ａ）における第１補助パターン４１Ｂの左辺）は、実装電極Ｐ２の外形に沿った形状である。

なお、本発明における「実装電極の外形に沿った形状」とは、第１補助パターンのうち実装電極に対向する部分（外形）と実装電極の外形とが、略相似形であることを言う。具体的に説明すると、「第１補助パターンのうち実装電極に対向する部分が、実装電極の外形に沿った形状である」とは、例えば、第１補助パターンのうち実装電極に対向する部分（外形）と、実装電極の外形とのなす角度が−３０°から＋３０°の範囲内である場合を言う。

また、実装電極Ｐ１は、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、Ｘ軸方向において第１補助パターン４１Ａと他の導体パターン（第１補助パターン以外の導体パターン：実装電極Ｐ２）とで挟まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４１Ｂと他の導体パターン（実装電極Ｐ１）とで挟まれている。

図１（Ａ）に示すように、実装電極Ｐ１および第１補助パターン４１Ａをよぎる第１方向（例えば、Ｘ軸方向）における実装電極Ｐ１と第１補助パターン４１Ａとの間隔（Ｗ１）は、第１方向（Ｘ軸方向）における第１補助パターン４１Ａの幅（Ｗ２）よりも小さい。また、第１方向における実装電極Ｐ２と第１補助パターン４１Ｂとの間隔は、第１方向における第１補助パターン４１Ｂの幅よりも小さい（図示省略）。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層して積層体を形成する場合、積層した複数の絶縁基材層を加熱プレスする際の熱により絶縁基材層が流動して、積層体に形成される導体パターンは位置ずれを生じる虞がある。特に、積層体の表面付近は、加熱プレス時にプレス機による熱の影響を受けやすく、積層体の内側に比べて絶縁基材層の流動が大きくなりやすい。そのため、加熱プレス時の絶縁基材層の流動に伴って、積層体の表面に位置する実装電極は特に位置ずれを生じやすい。一方、本実施形態では、実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接して配置される第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂを備え、実装電極が第１補助パターンと他の導体パターンとで挟まれている。この構成によれば、加熱プレス時における実装電極Ｐ１，Ｐ２近傍の絶縁基材層の過剰な流動は抑制され、加熱プレス時の実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれが抑制される。そのため、多層基板を実装基板等に実装する場合に、実装電極の位置ずれに起因する接合不良や実装位置の位置ずれ等が抑制される。

また、本実施形態のように、複数の絶縁基材層１２，１３，１４にそれぞれ形成される内層パターン（コイル導体３１，３２，３３）が積層方向（Ｚ軸方向）に重なる部分には、加熱プレス時に応力が集中しやすい。すなわち、積層方向に複数の内層パターンが重なる部分とそれ以外の部分とで加熱プレス時に不均一な応力が掛かるため、絶縁基材層の流動が起こりやすい。そのため、本実施形態のように、実装電極Ｐ１，Ｐ２と複数の内層パターンとが積層方向に重なる場合（図１（Ｂ）を参照）には、実装電極の位置ずれが特に起こりやすい。したがって、上記構成による作用効果は、実装電極と複数の内層パターンとが積層方向に重なる場合に特に有効である。

（ｂ）また、本実施形態では、第１補助パターン４１Ａのうち実装電極Ｐ１に対向する部分が、実装電極Ｐ１の外形に沿った形状である。また、第１補助パターン４１Ｂのうち実装電極Ｐ２に対向する部分は、実装電極Ｐ２の外形に沿った形状である。この構成によれば、加熱プレス時における実装電極Ｐ１，Ｐ２近傍の絶縁基材層の流動が効果的に抑制されるため、加熱プレス時における実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれが効果的に抑制できる。

（ｃ）本実施形態では、第１方向（例えば、Ｘ軸方向）における実装電極Ｐ１と第１補助パターン４１Ａとの間隔（Ｗ１）が、第１方向における第１補助パターン４１Ａの幅（Ｗ２）よりも小さい。また、第１方向における実装電極Ｐ２と第１補助パターン４１Ｂとの間隔は、第１方向における第１補助パターン４１Ｂの幅よりも小さい。第１補助パターンが実装電極の近傍に配置されているほど、加熱プレス時における絶縁基材層の流動は抑制され、実装電極の位置ずれが抑制される。したがって、この構成によれば、実装電極と第１補助パターンとの間隔が大きい場合に比べて、加熱プレス時における実装電極の位置ずれを抑制できる。

なお、本実施形態では、「第１方向」がＸ軸方向である例を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明における「第１方向」は、実装電極および第１補助パターンを直線上によぎる方向であれば、Ｘ軸方向以外の方向であってもよい。「第１方向」は、例えばＸ軸方向に対してＸＹ平面上に２０°傾いた方向でもよく、例えばＹ軸方向でもよい。

（ｄ）本実施形態では、積層体１０が、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層してなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の絶縁基材層を一括プレスすることにより、積層体１０を容易に形成できるため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる多層基板を実現できる。

（ｅ）また、本実施形態では、複数の第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂが、それぞれ異なる実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接して配置されている。１つの第１補助パターンが複数の実装電極に近接している場合（後に詳述する第４の実施形態に係る多層基板１０４、または第５の実施形態に係る多層基板１０５Ａを参照）、１つの第１補助パターンと複数の実装電極との間が短絡すると、複数の実装電極間が短絡する。一方、上記構成によれば、実装電極と第１補助パターンとがそれぞれ短絡した場合でも、第１補助パターンを介して複数の実装電極間が短絡する可能性は低い。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。

（１）まず、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を準備し、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４に、それぞれ導体パターン（実装電極Ｐ１，Ｐ２、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂおよびコイル導体３１，３２，３３）を形成する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主材料とする熱可塑性樹脂シートである。

具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の片側主面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、絶縁基材層１１の表面に実装電極Ｐ１，Ｐ２および第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂを形成し、絶縁基材層１２の表面にコイル導体３１を形成し、絶縁基材層１３の表面にコイル導体３２を形成し、絶縁基材層１４の表面にコイル導体３３を形成する。

このように、絶縁基材層１１の表面（積層体の第１主面となる絶縁基材層の表面）に、実装電極Ｐ１，Ｐ２と第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂとを形成するこの工程が、本発明の「導体パターン形成工程」の一例である。

また、複数の絶縁基材層１１，１２，１３には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４がそれぞれ形成される。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は、絶縁基材層１１〜１３にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体Ｖ１〜Ｖ４は、後の加熱プレスの温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

（２）次に、絶縁基材層１４，１３，１２，１１の順に積層する。その後、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の積層方向（Ｚ軸方向）に、積層した絶縁基材層１１〜１４を加熱プレス（一括プレス）することにより、集合基板状態の積層体１０を形成する。

このように、「導体パターン形成工程」の後に、複数の絶縁基材層１１〜１４を積層し、積層した複数の絶縁基材層１１〜１４を加熱プレスすることにより積層体１０を形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。

この製造方法によれば、積層体の形成時に実装電極の位置ずれを抑制した多層基板を容易に製造できる。

また、この製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を一括プレスすることにより、積層体１０を容易に形成できる。そのため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

次に、多層基板１０１の実装構造、および多層基板１０１を備える電子機器について、図を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る電子機器３０１のうち、多層基板１０１と実装基板２０１とが接合する部分を示す断面図である。

電子機器３０１は、多層基板１０１、実装基板２０１および絶縁異方性導電膜１等を備える。実装基板２０１の実装面Ｓ１には、多層基板１０１等が実装されている。実装基板２０１の実装面Ｓ１には他のチップ部品等も実装されているが、図示を省略している。図３に示すように、多層基板１０１の第１主面ＶＳ１は、絶縁異方性導電膜１を挟んで実装基板２０１の実装面Ｓ１に対向する。実装基板２０１は、例えばガラス／エポキシ基板である。

絶縁異方性導電膜１（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）は、半硬化状態のプリプレグ樹脂シートに微細な導電性粒子を分散させたものを、膜状に成型したものである。この絶縁異方性導電膜１は、加圧時に所定圧力以上の圧力が掛った箇所の膜厚が薄くなることで、その箇所で厚み方向に導電性を示す。

実装基板２０１の実装面Ｓ１には、複数の接合電極６１，６２が形成されている。実装基板２０１の実装面Ｓ１のうち接合電極６１，６２が形成される部分は、他の部分よりも突出した凸部となっている。また、積層体１０の第１主面ＶＳ１のうち実装電極Ｐ１，Ｐ２および第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂが形成される部分は、他の部分よりも突出した凸部となっている。図３に示すように、実装電極Ｐ１と接合電極６１とは対向して配置され、実装電極Ｐ２と接合電極６２とは対向して配置されている。

多層基板１０１と実装基板２０１とは、絶縁異方性導電膜１を挟んで接続される。具体的には、実装電極Ｐ１は、接続導体ＣＬ１を介して接合電極６１に電気的に接続され、実装電極Ｐ２は、接続導体ＣＬ２を介して接合電極６２に電気的に接続されている。接続導体ＣＬ１は、実装電極Ｐ１（第１主面ＶＳ１から突出する部分）と接合電極６１（実装面Ｓ１から突出する部分）とで挟まれ、絶縁異方性導電膜１が部分的に加圧されて導通した部分である。接続導体ＣＬ２は、実装電極Ｐ２と接合電極６２とで挟まれ、絶縁異方性導電膜１が部分的に加圧されて導通した部分である。

本実施形態に係る電子機器３０１（多層基板１０１の実装構造）によれば、次のような効果を奏する。

（ｆ）本実施形態では、多層基板を実装基板に実装する際に、実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれに起因する接合不良や実装位置の位置ずれ等を抑制した電子機器３０１を容易に実現できる。

（ｇ）本実施形態では、第１主面ＶＳ１に形成された実装電極Ｐ１，Ｐ２と、実装基板２０１の実装面Ｓ１に形成された接合電極６１，６２とが、絶縁異方性導電膜１を介して接続される。この構成によれば、絶縁異方性導電膜１のうち実装電極（Ｐ１，Ｐ２）と接合電極（６１，６２）とで挟まれる部分が、実装基板２０１、絶縁異方性導電膜１および多層基板１０１を積層して加圧したときに圧力が掛かって導通するため、実装電極と接合電極との電気的な接続が容易である。

（ｈ）実装電極と接合電極とが導電性接合材（例えば、はんだ）を介して接続される場合には、導電性接合材が濡れ拡がって、実装電極と実装電極に近接する第１補助パターンとが短絡（導通）し、特性変化が生じる虞がある。一方、本実施形態では、絶縁異方性導電膜１のうち、実装電極（第１主面ＶＳ１から突出する部分）と接合電極（実装面Ｓ１から突出する部分）とで挟まれる部分のみ導通するため、互いに近接する実装電極と第１補助パターンとの間の絶縁が容易である。

なお、本実施形態では、多層基板１０１と実装基板２０１とが、絶縁異方性導電膜１を挟んで接続される例を示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板１０１は、導電性接合材（例えば、はんだ）を介して実装基板２０１に接続されていてもよい。

また、積層体１０の第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２には、カバーレイフィルムやソルダーレジスト膜等の保護層が形成されていてもよい。但し、積層体１０の第１主面ＶＳ１に保護膜が形成される場合には、第１主面ＶＳ１の平面視で（Ｚ軸方向から視て）、保護膜が第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂに重ならないことが好ましい。保護膜が第１補助パターンに重なる場合、第１補助パターン４１Ａ，４２Ｂおよび保護膜が形成される部分が、実装電極Ｐ１，Ｐ２よりも突出した凸部となる場合があり、絶縁異方性導電膜１を用いた多層基板１０１と実装基板２０１との接続が困難となるためである。

本実施形態に係る電子機器３０１（多層基板１０１の実装構造）は、例えば次に示す製造方法によって製造される。

（１）まず、接合電極６１，６２が形成された実装面Ｓ１を有する実装基板２０１を準備する。接合電極６１，６２が形成された部分は、実装面Ｓ１のうち、他の部分よりも突出した凸部である。

（２）次に、実装基板２０１の実装面Ｓ１上（少なくとも接合電極６１，６２上）に、絶縁異方性導電膜１を積層する。

実装面Ｓ１のうち、少なくとも他の部分よりも突出した凸部である接合電極６１，６２の表面に、絶縁異方性導電膜１を配置するこの工程が、本発明における「異方性部材配置工程」の一例である。

（３）次に、多層基板１０１を準備する。その後、絶縁異方性導電膜１を挟んで実装電極（Ｐ１，Ｐ２）が接合電極（６１，６２）に対向するように、多層基板１０１を実装基板２０１の実装面Ｓ１上に積層する。

「異方性部材配置工程」の後に、絶縁異方性導電膜１を挟んで実装電極が接合電極に対向するように、実装基板２０１の実装面Ｓ１上に多層基板１０１を積層するこの工程が、本発明における「多層基板配置工程」の一例である。

（４）その後、多層基板１０１と実装基板２０１とを積層した方向（図３におけるＺ軸方向）に加熱プレスする。これにより、絶縁異方性導電膜１のうち、実装電極（第１主面ＶＳ１から突出する部分）と接合電極（実装面Ｓ１から突出する部分）とで挟まれる部分のみ導通する。

このように、「多層基板配置工程」の後に、多層基板１０１と実装基板２０１とを積層した方向に加熱プレスして、実装電極と接合電極とを導通させるこの工程が、本発明における「加熱プレス工程」の一例である。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１補助パターンの形状および個数が異なる例を示す。

図４（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ａの平面図であり、図４（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｂの平面図であり、図４（Ｃ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ｃの平面図である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）では、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄ，４１Ｅ，４１Ｆ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄをドットパターンで示している。

多層基板１０２Ａは、第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄをさらに備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄは、積層体１０の第１主面に形成され、実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接して配置されている。第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄは、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。第１補助パターン４１Ｃは、積層体１０の第３辺（図４（Ａ）における積層体１０の上辺）付近に配置され、第１補助パターン４１Ｄは、積層体１０の第４辺（図４（Ａ）における積層体１０の下辺）付近に配置されている。

なお、第１補助パターン４１Ｃのうち実装電極Ｐ１，Ｐ２に対向する部分（図４（Ａ）における第１補助パターン４１Ｃの下辺）は、実装電極Ｐ１，Ｐ２の外形に沿った形状である。同様に、第１補助パターン４１Ｄのうち実装電極Ｐ１，Ｐ２に対向する部分（図４（Ａ）における第１補助パターン４１Ｄの上辺）は、実装電極Ｐ１，Ｐ２の外形に沿った形状である。また、実装電極Ｐ１，Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、Ｙ軸方向において第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄのみで挟まれる部分を有する。

本実施形態に係る多層基板１０２Ａによれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｉ）多層基板１０２Ａでは、実装電極Ｐ１が、Ｘ軸方向において第１補助パターン４１Ａと他の導体パターン（実装電極Ｐ２）とで挟まれた上に、Ｙ軸方向において第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄで挟まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｘ軸方向において第１補助パターン４１Ｂと他の導体パターン（実装電極Ｐ１）とで挟まれた上に、Ｙ軸方向において第１補助パターン４１Ｃ，４１Ｄで挟まれている。そのため、加熱プレス時の実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれがさらに抑制される。

（ｊ）また、多層基板１０２Ａで示したように、実装電極は第１補助パターンのみで挟まれる部分を有することが好ましい。実装電極に近接する第１補助パターン同士で実装電極を挟むことにより、第１補助パターンと他の導体パターンとで実装電極を挟む構成に比べて、加熱プレス時における実装電極近傍の絶縁基材層の流動を効果的に抑制できる。そのため、加熱プレス時の実装電極の位置ずれを効果的に抑制できる。

次に、多層基板１０２Ｂについて説明する。多層基板１０２Ｂは、第１補助パターン４１Ｅ，４１Ｆをさらに備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４１Ｅ，４１Ｆは、積層体１０の第１主面に形成され、実装電極Ｐ１に近接して配置されている。第１補助パターン４１Ｅ，４１Ｆは、Ｙ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。第１補助パターン４１Ｅは、実装電極Ｐ１を挟んで第１補助パターン４１Ａとは反対側（実装電極Ｐ１の＋Ｘ方向）に配置されている。第１補助パターン４１Ｆは、実装電極Ｐ２を挟んで第１補助パターン４１Ｂとは反対側（実装電極Ｐ２の−Ｘ方向）に配置されている。

第１補助パターン４１Ｅのうち実装電極Ｐ１に対向する部分（図４（Ｂ）における第１補助パターン４１Ｅの左辺）は、実装電極Ｐ１の外形に沿った形状である。第１補助パターン４１Ｆのうち実装電極Ｐ２に対向する部分（図４（Ｂ）における第１補助パターン４１Ｆの右辺）は、実装電極Ｐ２の外形に沿った形状である。

実装電極Ｐ１は、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４１Ａ，４１Ｅのみで挟まれる部分を有する。また、実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、Ｙ軸方向において第１補助パターン４１Ｂ，４１Ｆのみで挟まれる部分を有する。

このような構成でも、多層基板１０２Ａと同様の作用効果を奏する。

次に、多層基板１０２Ｃについて説明する。多層基板１０２Ｃは、多層基板１０２Ｃは、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂの替わりに第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄを備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂは、実装電極Ｐ１に近接して配置され、Ｌ字形に屈曲した導体パターンである。第１補助パターン４２Ａは、積層体１０の第１角部（図４（Ｃ）における積層体１０の左上角）付近に配置され、第１補助パターン４２Ｂは、積層体１０の第２角部（図４（Ｃ）における積層体１０の左下角）付近に配置されている。

第１補助パターン４２Ｃ，４２Ｄは、実装電極Ｐ２に近接して配置され、Ｌ字形に屈曲した導体パターンである。第１補助パターン４２Ｃは、積層体１０の第３角部（図４（Ｃ）における積層体１０の右上角）付近に配置され、第１補助パターン４２Ｃは、積層体１０の第４角部（図４（Ｃ）における積層体１０の右下角）付近に配置されている。

実装電極Ｐ１は、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂと他の導体パターン（実装電極Ｐ２）とで挟まれている。また、実装電極Ｐ１は、Ｙ軸方向において第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂのみで挟まれる部分を有する。実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４２Ｃ，４２Ｄと他の導体パターン（実装電極Ｐ１）とで挟まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｙ軸方向において第１補助パターン４２Ｃ，４２Ｄのみで挟まれる部分を有する。

本実施形態に係る多層基板１０２Ｃによれば、上述した効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｋ）多層基板１０２Ｃでは、Ｌ字形に屈曲した導体パターンである第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄを有する。この構成によれば、第１補助パターンが屈曲する部分を有するため（複数の方向に延伸する部分を有しているため）、加熱プレス時における第１補助パターン自体の複数方向に対する位置ずれを起こり難くできる。

なお、実装電極を囲むように複数の第１補助パターンを配置してもよい。例えば、実装電極Ｐ１，Ｐ２間に、第１補助パターン（例えば、上述した第１補助パターン４１Ｅ，４１Ｆ）を配置することにより、実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲むように複数の第１補助パターンを配置してもよい。また、例えば、矩形の実装電極Ｐ１，Ｐ２の各角部に複数の第１補助パターンをそれぞれ配置することにより（例えば、図４（Ｃ）に示す実装電極Ｐ１の右上角部と右下角部に第１補助パターンをそれぞれ配置し、実装電極Ｐ２の左上角部と左下角部に第１補助パターンをそれぞれ配置する）、実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲むように複数の第１補助パターンを配置してもよい。

また、多層基板１０２Ｃでは、Ｌ字形に屈曲した第１補助パターン４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄを備える例を示したが、屈曲した第１補助パターンの形状はＬ字形に限定されるものではない。例えば、屈曲した第１補助パターンの形状は、Ｃ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、実装電極および第１補助パターンの形状が異なる例を示す。

図５（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３Ａの平面図であり、図５（Ｂ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３Ｂの平面図である。図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、第１補助パターン４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃをドットパターンで示している。

多層基板１０３Ａは、実装電極Ｐ１Ａ，Ｐ２Ａおよび第１補助パターン４３Ａ，４３Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

実装電極Ｐ１Ａ，Ｐ２Ａは、積層体１０の第１主面に形成される円形の導体パターンである。第１補助パターン４３Ａ，４３Ｂは、積層体１０の第１主面に形成されるＣ字形（円弧状）の導体パターンである。実装電極Ｐ１Ａおよび第１補助パターン４３Ａは、積層体１０の第１辺（図５（Ａ）における積層体１０の左辺）付近に配置されている。実装電極Ｐ２Ａおよび第１補助パターン４３Ｂは、積層体１０の第２辺（図５（Ａ）における積層体１０の右辺）付近に配置されている。

なお、第１補助パターン４３Ａのうち実装電極Ｐ１Ａに対向する部分（図５（Ａ）における第１補助パターン４３Ａの右周端）は、実装電極Ｐ１Ａの外形に沿った形状である。同様に、第１補助パターン４３Ｂのうち実装電極Ｐ２Ａに対向する部分（図５（Ａ）における第１補助パターン４３Ｂの左周端）は、実装電極Ｐ２Ａの外形に沿った形状である。

実装電極Ｐ１Ａは、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４３Ａと他の導体パターン（実装電極Ｐ２Ａ）とで挟まれている。また、実装電極Ｐ１Ａは、Ｙ軸方向において第１補助パターン４３Ａのみで挟まれる部分を有する。実装電極Ｐ２Ａは、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４３Ｂと他の導体パターン（実装電極Ｐ１Ａ）とで挟まれている。また、実装電極Ｐ２Ａは、Ｙ軸方向において第１補助パターン４３Ｂのみで挟まれる部分を有する。

このような構成でも、多層基板１０３Ａの基本的な構成は第２の実施形態に係る多層基板１０２Ａと同じであることから、多層基板１０２Ａと同様の作用効果を奏する。なお、多層基板１０３Ａでは、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ１Ａ，Ｐ２Ａからなる実装電極形成領域（実装電極Ｐ１Ａ，Ｐ２Ａ、および実装電極Ｐ１Ａと実装電極Ｐ２Ａとで挟まれる部分）が、第１補助パターン４３Ａ，４３Ｂで挟まれている。このような構成により、加熱プレス時における実装電極形成領域全体の絶縁基材層の流動を抑制できる。

次に、多層基板１０３Ｂについて説明する。多層基板１０３Ｂは、第１補助パターン４３Ｂの替わりに第１補助パターン４３Ｃを備える点で、上述した多層基板１０３Ａと異なる。以下、多層基板１０３Ａと異なる部分について説明する。

第１補助パターン４３Ｃは、積層体１０の第１主面に形成される円弧状の導体パターンである。第１補助パターン４３Ｃは、積層体１０の第２辺（図５（Ｂ）における積層体１０の右辺）付近に配置されている。第１補助パターン４３Ｃのうち実装電極Ｐ２Ａに対向する部分（図５（Ｂ）における第１補助パターン４３Ｃの右周端）は、実装電極Ｐ２Ａの外形に沿った形状である。

実装電極Ｐ１Ａは、Ｚ軸方向から視て、Ｘ軸方向において第１補助パターン４３Ａ，４３Ｃのみで挟まれる部分を有し、Ｙ軸方向において第１補助パターン４３Ａのみで挟まれる部分を有する。実装電極Ｐ２Ａは、Ｚ軸方向から視て、Ｙ軸方向において第１補助パターン４３Ｃのみで挟まれる部分を有する。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１補助パターンが１つである例を示す。

図６（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４の平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。図７は、多層基板１０４が備える積層体１０の分解斜視図である。図５（Ａ）および図７では、構造を分かりやすくするため、第１補助パターン４４をドットパターンで示している。

多層基板１０４は、第１補助パターン４１Ａ，４１Ｂの替わりに第１補助パターン４４を備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４４は、積層体１０の第１主面の外周に沿って形成され、実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲むように配置される環状の導体パターンである。第１補助パターン４４は、実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接して配置されている。具体的には、第１補助パターンのうち実装電極Ｐ１に対向する部分（図６（Ａ）における第１補助パターン４４の左側の内周端）が、実装電極Ｐ１の外形に沿った形状である。同様に、第１補助パターン４４のうち実装電極Ｐ２に対向する部分（図６（Ａ）における第１補助パターン４４の右側の内周端）は、実装電極Ｐ２の外形に沿った形状である。

図６（Ａ）に示すように、実装電極Ｐ１は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ１から放射方向の直交４方（＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向）のうち３方（−Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向）が第１補助パターン４４で囲まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ２から放射方向の直交４方のうち３方（＋Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向）が第１補助パターン４４で囲まれている。

なお、本発明において「実装電極が、第１補助パターンで囲まれている」とは、連続する１つの第１補助パターンが、実装電極の外形に沿って配置されていることを言う。すなわち、「実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が、第１補助パターンで囲まれている」とは、連続する１つの第１補助パターンが、実装電極の上記３方に亘って、実装電極の外形に沿って配置されている状態を言う。

本実施形態に係る多層基板１０４によれば、上述した効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｌ）本実施形態の実装電極Ｐ１，Ｐ２は、実装電極Ｐ１，Ｐ２から放射方向の直交４方のうち３方が、第１補助パターン４４で囲まれている。この構成によれば、加熱プレス時の第１補助パターンによる実装電極Ｐ１，Ｐ２近傍の絶縁基材層の流動の抑制効果がさらに高まる。そのため、この構成により、加熱プレス時の実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれをさらに抑制できる。本実施形態では、第１補助パターン４４が連続して実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲んだ構成であるため、加熱プレス時において特に実装面（第１主面。実装領域）全体の絶縁基材層の流動が抑制される。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、実装電極から放射方向の直交４方全てが、第１補助パターンで囲まれた例を示す。

図８（Ａ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５Ａの平面図であり、図８（Ｂ）は第５の実施形態に係る多層基板１０５Ｂの平面図である。図８（Ａ）および図８（Ｂ）では、第１補助パターン４４Ａ，４５Ａ，４５Ｂをドットパターンで示している。

多層基板１０５Ａは、第１補助パターン４４の替わりに第１補助パターン４４Ａを備える点で、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる。以下、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４４Ａは、積層体１０の第１主面の略全面に形成され、実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲むように配置される平面状の導体パターンである。第１補助パターン４４Ａは、実装電極Ｐ１，Ｐ２に近接している。第１補助パターン４４Ａは、実装電極Ｐ１，Ｐ２に応じた位置にそれぞれ矩形の開口を有する。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、第１補助パターン４４Ａの上記開口内に配置される。

図８（Ａ）に示すように、実装電極Ｐ１は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ１から放射方向の直交４方（＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向）全てが第１補助パターン４４Ａで囲まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ２から放射方向の直交４方全てが第１補助パターン４４Ａで囲まれている。

また、図８（Ａ）に示すように、第１補助パターン４４Ａの面積は、各実装電極（実装電極Ｐ１または実装電極Ｐ２）の面積よりも大きい。さらに、実装電極Ｐ１および第１補助パターン４４Ａをよぎる第１方向（Ｘ軸方向）における第１補助パターン４４Ａの幅（Ｗ２）は、第１方向（Ｘ軸方向）における実装電極Ｐ１の幅（Ｗ３）よりも大きい。また、第１方向における第１補助パターン４４Ａの幅は、第１方向における実装電極Ｐ２の幅よりも大きい。

本実施形態に係る多層基板１０５Ａによれば、第４の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｍ）本実施形態の実装電極Ｐ１，Ｐ２は、実装電極Ｐ１，Ｐ２から放射方向の直交４方全てが、第１補助パターン４４Ａで囲まれている。この構成により、実装電極Ｐ１，Ｐ２の４方のうち３方が第１補助パターンで囲まれる場合（第４の実施形態を参照）よりも、加熱プレス時の第１補助パターンによる実装電極Ｐ１，Ｐ２近傍の絶縁基材層の流動の抑制効果がさらに高まる。

（ｎ）また、本実施形態では、第１補助パターン４４Ａの面積が、各実装電極の面積よりも大きい。一般に、面積の小さな導体パターンは加熱プレス時の絶縁基材層の流動によって位置ずれが生じやすい。そのため、この構成によれば、加熱プレス時における第１補助パターン自体の位置ずれを起こり難くできる。

（ｏ）本実施形態では、第１方向（Ｘ軸方向）における第１補助パターン４４Ａの幅（Ｗ２）が、第１方向（Ｘ軸方向）における実装電極Ｐ１の幅（Ｗ３）よりも大きい。また、第１方向における第１補助パターン４４Ａの幅は、第１方向における実装電極Ｐ２の幅よりも大きい。この構成によれば、加熱プレス時における第１補助パターン自体の第１方向に対する位置ずれを起こり難くできるため、加熱プレス時の実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置ずれ（特に、実装電極Ｐ１，Ｐ２の第１方向に対する位置ずれ）が抑制される。

次に、多層基板１０５Ｂについて説明する。多層基板１０５Ｂは、第１補助パターン４４の替わりに第１補助パターン４５Ａ，４５Ｂを備える点で、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる。以下、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる部分について説明する。

第１補助パターン４５Ａは、積層体１０の第１主面に形成され、実装電極Ｐ１を囲む用に配置される環状の導体パターンである。第１補助パターン４５Ａは実装電極Ｐ１に近接して配置されている。第１補助パターン４５Ｂは、積層体１０の第１主面に形成され、実装電極Ｐ２を囲むように配置される環状の導体パターンである。第１補助パターン４５Ｂは実装電極Ｐ２に近接して配置されている。

図８（Ｂ）に示すように、実装電極Ｐ１は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ１から放射方向の直交４方（＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向および−Ｙ方向）全てが第１補助パターン４５Ａで囲まれている。また、実装電極Ｐ２は、Ｚ軸方向から視て、実装電極Ｐ２から放射方向の直交４方全てが第１補助パターン４５Ｂで囲まれている。実装電極Ｐ１を囲む第１補助パターン４５Ａと、実装電極Ｐ２を挟む第１補助パターン４５Ｂとが電気的に独立しているため、実装電極Ｐ１と第１補助パターン４５Ａとの間や、実装電極Ｐ２と第１補助パターン４５Ｂとの間が意図せず導通した場合でも、短絡が生じ難い。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第２補助パターンをさらに備えた多層基板の例を示す。

図９（Ａ）は第６の実施形態に係る多層基板１０６の平面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。図１０は、多層基板１０６が備える積層体１０の分解斜視図である。図９（Ａ）および図１０では、構造を分かりやすくするため、第１補助パターン４４および第２補助パターン５１，５２，５３をドットパターンで示している。

多層基板１０６は、第２補助パターン５１，５２，５３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３をさらに備える点で、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる。以下、第４の実施形態に係る多層基板１０４と異なる部分について説明する。

第２補助パターン５１，５２，５３は、積層体１０の内部に形成される導体パターンである。層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３は、積層体１０の内部に形成される導体である。第２補助パターン５１，５２，５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。なお、第２補助パターン５１，５２，５３も、第１補助パターン４４と同様に、実装電極Ｐ１，Ｐ２と導通していない。

図１０に示すように、積層体１０は、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１４，１３，１２，１１をこの順に積層してなる。

絶縁基材層１１の表面には、実装電極Ｐ１，Ｐ２、第１補助パターン４４が形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は第１の実施形態で説明したものと同じであり、第１補助パターン４４は第４の実施形態で説明したものと同じである。

絶縁基材層１２の表面には、コイル導体３１および第２補助パターン５１が形成されている。第２補助パターン５１は、絶縁基材層１２の外周に沿って形成され、コイル導体３１を囲むように配置される環状の導体パターンである。コイル導体３１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

絶縁基材層１３の表面には、コイル導体３２および第２補助パターン５２が形成されている。第２補助パターン５２は、絶縁基材層１３の外周に沿って形成され、コイル導体３２を囲むように配置される環状の導体パターンである。コイル導体３２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

絶縁基材層１４の表面には、コイル導体３３および第２補助パターン５３が形成されている。第２補助パターン５３は、絶縁基材層１４の外周に沿って形成され、コイル導体３３を囲むように配置される環状の導体パターンである。コイル導体３３は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

第１補助パターン４４は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３を介して第２補助パターン５１，５２，５３に接続されている。具体的には、図１０に示すように、第１補助パターン４４は、絶縁基材層１１に形成される層間接続導体Ｖ１１を介して、第２補助パターン５１に接続される。また、第２補助パターン５１は、絶縁基材層１２に形成される層間接続導体Ｖ１２を介して、第２補助パターン５２に接続される。また、第２補助パターン５２は、絶縁基材層１３に形成される層間接続導体Ｖ１３を介して、第２補助パターン５３に接続される。

また、図９（Ｂ）および図１０等に示すように、第２補助パターン５１，５２，５３は、Ｚ軸方向から視て、内層パターン（コイル導体３１，３２，３３）を囲むように配置されている。

本実施形態に係る多層基板１０６によれば、第４の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｐ）本実施形態では、Ｚ軸方向から視て、内層パターン（コイル導体３１，３２，３３）を囲むように配置される第２補助パターン５１，５２，５３が、積層体１０の内部に形成されている。この構成によれば、加熱プレス時における積層体内部の絶縁基材層の過度な流動が、第２補助パターンによって抑制される。そのため、加熱プレス時の内層パターンの位置ずれが抑制され、内層パターンの位置ずれに起因する浮遊容量の変化や特性変化を抑制できる。

（ｑ）また、本実施形態では、複数の絶縁基材層１２，１３，１４にそれぞれ形成された第２補助パターン５１，５２，５３同士が、層間接続導体Ｖ１２，Ｖ１３によって接続される。この構成によれば、加熱プレス時における第２補助パターン５１，５２，５３自体の位置ずれが抑制されるため、加熱プレス時の内層パターンの位置ずれがさらに抑制される。

（ｒ）さらに、本実施形態では、第１補助パターン４４と第２補助パターン５１，５２，５３とが層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３によって接続される。この構成によれば、第１補助パターンと第２補助パターンとが層間接続導体によって接続されていない場合と比べて、加熱プレス時における第１補助パターン４４および第２補助パターン５１，５２，５３の位置ずれがさらに抑制される。そのため、加熱プレス時における実装電極Ｐ１，Ｐ２および内層パターンの位置ずれはさらに抑制される。なお、加熱プレス時における実装電極Ｐ１，Ｐ２および内層パターンの位置ずれを効果的に抑制するという点では、本実施形態で示したように、実装電極Ｐ１，Ｐ２を囲むように配置される第１補助パターン４４と、内層パターンを囲むように配置される第２補助パターン５１，５２，５３とが接続される構成が好ましい。

また、本実施形態では、第２補助パターンが、内層パターンを囲むように配置された環状の導体パターンである例を示したが、第２補助パターンの形状はこの構成に限定されるものではない。第２補助パターンの形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば直線形、Ｃ字形、Ｙ字形、Ｔ字形、円形、楕円形、多角形等でもよい。但し、加熱プレス時における内層パターンの位置ずれを効果的に抑制する点では、第２補助パターンが内層パターンを囲むように配置される環状の導体パターンであることが好ましい。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体１０が直方体状である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体１０の形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体１０の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、４つの絶縁基材層１１，１２，１３，１４を積層してなる積層体１０の例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体１０を形成する絶縁基材層の積層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、積層体１０を形成する複数の絶縁基材層が熱可塑性樹脂からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の絶縁基材層は、熱硬化性樹脂であってもよい。但し、複数の絶縁基材層が熱可塑性樹脂である場合には、上述したように、一括プレスにより積層体を容易に形成できるため、多層基板の製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。

また、実装電極および第１補助パターンの配置、形状、大きさ、個数等については、以上に示した各実施形態での構成例に限定されるものではなく、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、複数の絶縁基材層の積層方向（Ｚ軸方向）に巻回軸ＡＸを有する約２ターン強の矩形ヘリカル状のコイル３が形成される例を示したが、コイルの形状、ターン数等はこれらに限定されるものではない。コイルの外形、構成およびターン数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイルの外形（巻回軸ＡＸ方向から視たコイルの外形）は、矩形に限定されるものではなく、例えば円形、楕円形等であってもよい。また、コイルの巻回軸は、積層方向（Ｚ軸方向）に沿っている必要はなく、例えばＸ軸方向やＹ軸方向に沿っていてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、積層体１０にコイル３が形成される例を示したが、積層体１０に形成される回路はこれに限定されるものではない。積層体１０には、例えば導体パターンで形成されるキャパシタ、伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）や各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等が形成されていてもよい。すなわち、本発明における「内層パターン」はコイル導体のみに限定されるものではない。また、実装電極および第１補助パターン以外の導体パターンが、積層体１０の表面に形成されていてもよい。

さらに、例えば、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品が、積層体１０に実装されていてもよい。さらに、上記チップ部品が積層体１０の内部に埋設されていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＸ…コイルの巻回軸
ＣＬ１，ＣＬ２…接続導体
Ｐ１，Ｐ１Ａ，Ｐ２，Ｐ２Ａ…実装電極
Ｓ１…実装基板の実装面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３…層間接続導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
Ｗ０…実装電極の外形から積層体の外縁までの最短距離
Ｗ１…実装電極と第１補助パターンとの間隔
１…絶縁異方性導電膜
３…コイル
１０…積層体
１１，１２，１３，１４…絶縁基材層
３１，３２，３３…コイル導体（内層パターン）
４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄ，４１Ｅ，４１Ｆ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ，４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４４，４４Ａ，４５Ａ，４５Ｂ…第１補助パターン
５１，５２，５３…第２補助パターン
６１，６２…接合電極
１０１，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０４，１０５Ａ，１０５Ｂ，１０６…多層基板
２０１…実装基板
３０１…電子機器

Claims (15)

1. 樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
   前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
   を備え、
   前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、前記実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が前記第１補助パターンで囲まれる、多層基板。
2. 前記第１補助パターンのうち前記実装電極に対向する部分は、前記実装電極の外形に沿った形状である、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記第１補助パターンの面積は、前記実装電極の面積よりも大きい、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記実装電極および前記第１補助パターンをよぎる第１方向における前記第１補助パターンの幅は、前記第１方向における前記実装電極の幅よりも大きい、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記実装電極および前記第１補助パターンをよぎる第１方向における前記実装電極と前記第１補助パターンとの間隔は、前記第１方向における前記第１補助パターンの幅よりも小さい、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンのみで挟まれる部分を有する、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記導体パターンは、
   前記積層体の内部に形成される内層パターンと、
   前記積層体の内部に形成され、前記主面の平面視で、前記内層パターンを囲むように配置される第２補助パターンと、
   を含む、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記積層体の内部に形成される層間接続導体を備え、
   前記第１補助パターンおよび前記第２補助パターンは、前記層間接続導体を介して接続される、請求項７に記載の多層基板。
9. 前記主面に形成される保護層を備え、
   前記保護層は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンに重ならない、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記４方が前記第１補助パターンで囲まれる、請求項１から９のいずれかに記載の多層基板。
11. 前記実装電極の数および前記第１補助パターンの数は複数であり、
    複数の前記第１補助パターンは、それぞれ異なる実装電極に近接して配置される、請求項１から１０のいずれかに記載の多層基板。
12. 多層基板と、
    前記多層基板が実装され、実装面に接合電極を有する実装基板と、
    を備え、
    前記多層基板は、
    樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
    前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
    を有し、
    前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、前記実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が前記第１補助パターンで囲まれ、
    前記第１補助パターンは、前記接合電極に電気的に接続されず、
    前記実装電極は、前記接合電極に電気的に接続される、多層基板の実装構造。
13. 前記実装基板の前記実装面のうち前記接合電極が形成される部分は、他の部分よりも突出した凸部であり、
    前記実装電極と前記接合電極とは対向して配置され、
    前記多層基板と前記実装基板とは、絶縁異方性導電膜を挟んで接続される、請求項１２に記載の多層基板の実装構造。
14. 樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
    前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成される第１補助パターンと、を含む導体パターンと、
    を備える多層基板の製造方法であって、
    前記複数の絶縁基材層のうち前記主面となる絶縁基材層の表面に、前記実装電極と、前記実装電極に近接して配置される前記第１補助パターンを形成する導体パターン形成工程と、
    前記導体パターン形成工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより前記積層体を形成する積層体形成工程と、
    を有し、
    前記実装電極は、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、前記実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が前記第１補助パターンで囲まれる、多層基板の製造方法。
15. 多層基板と、実装面に接合電極を有する実装基板と、を備える電子機器の製造方法であって、
    前記多層基板は、
    樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなり、主面を有する積層体と、
    前記主面に形成される実装電極と、前記主面に形成され、前記実装電極に近接して配置される第１補助パターンと、含む導体パターンと、を有し、
    前記実装電極は、前記主面の平面視で、前記第１補助パターンまたは他の導体パターンと、前記第１補助パターンとで挟まれ、前記実装電極から放射方向の直交４方のうち３方が前記第１補助パターンで囲まれ、
    前記実装面のうち、少なくとも他の部分よりも突出した凸部である前記接合電極の表面に、絶縁異方性導電膜を配置する、異方性部材配置工程と、
    前記異方性部材配置工程の後に、前記絶縁異方性導電膜を挟んで前記実装電極が前記接合電極に対向するように、前記実装基板の前記実装面上に前記多層基板を積層する、多層基板配置工程と、
    前記多層基板配置工程の後に、前記多層基板と前記実装基板とを積層した方向に加熱プレスして、前記実装電極と前記接合電極とを導通させる、加熱プレス工程と、
    を備える、電子機器の製造方法。

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