JP2015201606A - 多層基板の製造方法および多層基板 - Google Patents

Abstract

【課題】多層基板の小型化を図りながら、導体パターン間の短絡を抑制することが可能な多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層基板の製造方法は、熱可塑性を有する絶縁基材に導体パターンを形成する工程と、導体パターンが形成された複数の絶縁基材を積層する工程と、積層された絶縁基材を加熱および加圧して一体化する工程と、を備える。導体パターンを形成する工程では、積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターン１２の絶縁基材１１Ａ側の幅よりその反対側の幅を狭くし、導体パターン１３の絶縁基材１１Ｃ側の幅よりその反対側の幅を狭くする。絶縁基材を積層する工程では、絶縁基材１１Ａの導体パターン１２が形成された側の主面と、絶縁基材１１Ｃの導体パターン１３が形成された側の主面とを対向させ、平面視して、導体パターン１３の少なくとも一部を導体パターン１２うち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置する。
【選択図】図４

Description

本発明は、絶縁基材を積層して形成された多層基板の製造方法および多層基板に関する。

従来の多層基板の製造方法として、例えば、特許文献１に記載のものがある。この製造方法では、まず、ポリイミドフィルムの両面に銅箔を貼り付け、ポリイミドフィルムに形成したスルーホールを介して両面の銅箔同士を接続する。次に、両面の銅箔をエッチングすることで平面状コイルを形成する。次に、別のポリイミドフィルムを介して平面状コイルの両面に強磁性体層を積層する。これにより、多層基板の一例である平面インダクタが作製される。

特開４−３６８１０５号公報

特許文献１に記載の多層基板の製造方法では、線状の導体パターンが近接して形成される。積層したポリイミドフィルムを加熱プレスにより一体化する場合、ポリイミド樹脂が流動することで導体パターンが傾き、近接する導体パターン間が短絡するおそれがある。一方、導体パターン間の短絡を避けるために、近接する導体パターンの間隔を広くすると、素子サイズが大きくなってしまう。

本発明の目的は、多層基板の小型化を図りながら、導体パターン間の短絡を抑制することが可能な多層基板の製造方法、および、その製造方法で製造することが可能な多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板の製造方法は、熱可塑性を有する絶縁基材に、電気回路用にパターニングされた導体パターンを形成する工程と、第１絶縁基材および第２絶縁基材を含む導体パターンが形成された複数の絶縁基材を積層する工程と、積層された絶縁基材を加熱および加圧して一体化する工程と、を備える。導体パターンを形成する工程では、積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターンの絶縁基材側の幅よりその反対側の幅を狭くする。絶縁基材を積層する工程では、第１絶縁基材の導体パターンが形成された側の主面と、第２絶縁基材の導体パターンが形成された側の主面とを対向させ、平面視して、第２絶縁基材に形成された導体パターンの少なくとも一部を、第１絶縁基材に形成された導体パターンうち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置する。

この構成では、導体パターンの絶縁基材側の幅よりその反対側の幅が狭いので、第１絶縁基材に形成された導体パターンと、第２絶縁基材に形成された導体パターンとの間隔が広くなる。このため、加熱および加圧の際に絶縁基材が流動しても、第１絶縁基材に形成された導体パターンと、第２絶縁基材に形成された導体パターンとが短絡することを抑制できる。

また、第１絶縁基材に形成された導体パターンと、第２絶縁基材に形成された導体パターンとの間隔を広くするために、導体パターンの配置を変える必要がないので、素子サイズが大きくならない。また、第１絶縁基材に形成された導体パターンと、第２絶縁基材に形成された導体パターンとの間隔を広くするために、導体パターンの断面積を小さくする必要がないので、導体抵抗が小さくならない。

また、第１絶縁基材に形成された導体パターンと、第２絶縁基材に形成された導体パターンとの間隔を広くするとともに、導体パターンと、その導体パターンが形成されている絶縁基材との接触面積を大きくすることができる。このため、導体パターンと、その導体パターンが形成されている絶縁基材との接合強度を高めることができる。

（２）本発明の多層基板の製造方法において、積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターンの幅が広い側の主面は、その反対側の主面に比べて表面粗さが大きいことが好ましい。

この構成では、導体パターンと、その導体パターンが形成されている絶縁基材との接合強度をさらに高めることができる。

（３）本発明の多層基板の製造方法では、複数の絶縁基材は、主成分が実質的に同一である熱可塑性樹脂から形成されることが好ましい。

この構成では、絶縁基材を熱圧着させることができる温度、絶縁基材の熱膨張係数等が互いにほぼ等しくなる。このため、たとえば接着層のような絶縁基材とは異なる材質を介して絶縁基材同士を接合する場合と異なり、加熱および加圧後に、絶縁基材が互いに剥離することを抑制できる。

（４）本発明の多層基板は、導体パターンが形成され、熱可塑性を有する複数の絶縁基材を積層して形成される。導体パターンは、積層方向に垂直な方向から断面視して、その一方の幅が他方の幅より狭くなるように形成されているとともに、積層方向において互いに異なる位置に形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを含む。積層方向に垂直な方向から断面視して、第１導体パターンの幅が狭い側は第２導体パターン側を向き、第２導体パターンの幅が狭い側は第１導体パターン側を向く。平面視して、第２導体パターンの少なくとも一部は、第１導体パターンのうち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている。

この構成では、上述と同様の効果を得ることができる。

（５）本発明の多層基板では、第１導体パターンと第２導体パターンとが接続されることで、コイルが形成されてもよい。

一般的に、高周波帯域で使用される積層インダクタでは、導体パターン間の線間容量の変化が積層インダクタの特性に影響する。本発明の構成では、近接する導体パターン同士の間隔が広くなるので、導体パターンの配置が多少ずれても、線間容量が変化しにくくなる。このため、積層インダクタが高周波帯域で使用される場合でも、積層インダクタの特性のばらつきを抑制することができる。また、一般的に、積層インダクタには、線状の導体パターンが互いに近接するような構造が多く形成される。このため、この構成では本発明の効果が特に顕著となる。

（６）本発明の多層基板では、平面視して、第１導体パターンの所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている第２導体パターンの少なくとも一部は、第１導体パターン側の主面が、所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間の領域内に位置することが好ましい。

この構成では、第１導体パターンと第２導体パターンのとの間隔をさらに広くすることができる。

本発明によれば、多層基板の小型化を図りながら、多層基板に形成された導体パターン間の短絡を抑制することができる。

本実施形態に係る積層インダクタの分解平面図である。 図２（Ａ）は、本実施形態に係る積層インダクタのＡ−Ａ断面図である。図２（Ｂ）は、本実施形態に係る積層インダクタのＢ−Ｂ断面図である。 本実施形態に係る積層インダクタの一部を示すＡ−Ａ断面図である。 本実施形態に係る積層インダクタの製造方法を示すＢ−Ｂ断面図である。 本実施形態の変形例に係る積層インダクタの製造方法を示すＢ−Ｂ断面図である。 本実施形態の変形例に係る積層インダクタの一部を示す断面図である。

本発明の実施形態に係る積層インダクタ１０について説明する。積層インダクタ１０は本発明の多層基板の一例である。図１は積層インダクタ１０の分解平面図である。積層インダクタ１０は矩形平板状の外観形状を有する。積層インダクタ１０は、絶縁基材１１Ａを最上層として、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄがこの順で積層されてなる。絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄは熱可塑性を有する。絶縁基材１１Ａ，１１Ｃには、インダクタを構成する渦巻状の導体パターン１２，１３が形成されている。導体パターン１２は本発明の第１導体パターンの一例である。導体パターン１３は本発明の第２導体パターンの一例である。導体パターン１２，１３は、互いに平行となる複数の直線部分から形成されている。積層インダクタ１０の下面には、外部電極を構成する矩形状の導体パターン１５Ａ，１５Ｂが形成されている。

すなわち、積層インダクタ１０は、導体パターンが形成され、熱可塑性を有する複数の絶縁基材を積層して形成される。導体パターン１２と、導体パターン１３とが接続されることで、コイルが形成されている。

絶縁基材１１Ａの下面には導体パターン１２が形成されている。導体パターン１２は、平面視で、絶縁基材１１Ａの中央を巻回中心として２回巻回されるように形成されている。平面視で、絶縁基材１１Ａの中央には導体パターン１２の第１端部が形成され、絶縁基材１１Ａの隅には導体パターン１２の第２端部が形成されている。

絶縁基材１１Ｂには、積層方向に絶縁基材１１Ｂを貫通する層間接続導体１６Ａ，１６Ｂが形成されている。層間接続導体１６Ａは、平面視で導体パターン１２の第１端部と重なり、導体パターン１２に接続されている。層間接続導体１６Ｂは、平面視で導体パターン１２の第２端部と重なり、導体パターン１２に接続されている。

絶縁基材１１Ｃの上面には導体パターン１３，１４が形成されている。導体パターン１３は、平面視で、絶縁基材１１Ａの中央を巻回中心として１回巻回されるように形成されている。導体パターン１３は、平面視で導体パターン１２に挟まれるように形成されている。平面視で層間接続導体１６Ａに重なるように、導体パターン１３の第１端部が形成されている。層間接続導体１６Ａと導体パターン１３とは接続されている。絶縁基材１１Ｃの隅には導体パターン１３の第２端部が形成されている。導体パターン１４は、矩形状であり、平面視で層間接続導体１６Ｂと重なるように形成されている。導体パターン１４と層間接続導体１６Ｂとは接続されている。

絶縁基材１１Ｃには、積層方向に絶縁基材１１Ｃを貫通する層間接続導体１６Ｃ，１６Ｄが形成されている。層間接続導体１６Ｃは、平面視で導体パターン１３の第２端部と重なり、導体パターン１３に接続されている。層間接続導体１６Ｄは、平面視で導体パターン１４と重なり、導体パターン１４に接続されている。

絶縁基材１１Ｄには、積層方向に絶縁基材１１Ｄを貫通する層間接続導体１６Ｅ，１６Ｆが形成されている。層間接続導体１６Ｅは、平面視で層間接続導体１６Ｃと重なり、層間接続導体１６Ｃとともに一体的に形成されている。層間接続導体１６Ｆは、平面視で層間接続導体１６Ｄと重なり、層間接続導体１６Ｄとともに一体的に形成されている。

絶縁基材１１Ｄの下面には、絶縁基材１１Ｄの長手方向の端部に導体パターン１５Ａ，１５Ｂが形成されている。導体パターン１５Ａは、平面視で層間接続導体１６Ｅと重なり、層間接続導体１６Ｅに接続されている。導体パターン１５Ｂは、平面視で層間接続導体１６Ｆと重なり、層間接続導体１６Ｆに接続されている。

絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄは、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂から形成されている。絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄは、主成分が実質的に同一である熱可塑性樹脂から形成されている。導体パターン１２〜１４，１５Ａ，１５Ｂは銅箔等の導電性材料から形成されている。層間接続導体１６Ａ〜１６Ｄは、絶縁基材に形成した貫通孔に導電ペーストを充填して硬化することにより形成されている。

図２（Ａ）は積層インダクタ１０のＡ−Ａ断面図である。絶縁基材１１Ａの下面には、導体パターン１２（図１参照）の一部である導体パターン１２Ａ〜１２Ｄが形成されている。絶縁基材１１Ｃの上面には、導体パターン１３の一部である導体パターン１３Ａ，１３Ｂが形成されている。導体パターン１２Ａ〜１２Ｄ，１３Ａ，１３Ｂは絶縁基材１１Ｂに押し込まれている。

導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとは互いに近接している。導体パターン１３Ａは、導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間に入り込むように形成されている。導体パターン１２Ａ，１２Ｂの断面は、絶縁基材１１Ａ側の辺が長辺となり、絶縁基材１１Ｂ側の辺が短辺となる台形形状を有している。導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとに挟まれた領域は、導体パターン１３Ａ側から絶縁基材１１Ａ側に向けて先細になっている。導体パターン１３Ａの断面は、絶縁基材１１Ｃ側の辺が長辺となり、絶縁基材１１Ｂ側の辺が短辺となる台形形状を有している。導体パターン１２Ｃ，１２Ｄ，１３Ｂは、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａと同様に形成されている。

すなわち、導体パターンは、積層方向に垂直な方向から断面視して、その一方の幅が他方の幅より狭くなるように形成されているとともに、積層方向において互いに異なる位置に形成された導体パターン１２（図１参照）と導体パターン１３とを含む。積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターン１２の幅が狭い側は導体パターン１３側を向き、導体パターン１３の幅が狭い側は導体パターン１２側を向いている。平面視して、導体パターン１３の少なくとも一部は、導体パターン１２のうち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている。

より詳細には、導体パターン１２、１３は、積層方向に垂直な方向から断面視して台形形状に形成されている。導体パターン１２、１３には、積層方向に垂直な方向から断面視して、該導体パターンが形成された絶縁基材側からその反対側に向けてテーパが付けられている。絶縁基材１１Ａの主面のうち導体パターン１２が形成された主面と、絶縁基材１１Ｃの主面のうち導体パターン１３が形成された主面とは対向している。平面視して、絶縁基材１１Ｃに形成された導体パターン１３Ａは、絶縁基材１１Ａに形成された導体パターン１２Ａ，１２Ｂの間に配置されている。平面視して、絶縁基材１１Ｃに形成された導体パターン１３Ｂは、絶縁基材１１Ａに形成された導体パターン１２Ｃ，１２Ｄの間に配置されている。

図２（Ｂ）は積層インダクタ１０のＢ−Ｂ断面図である。絶縁基材１１Ａの下面には、導体パターン１２（図１参照）の一部である導体パターン１２Ａ，１２Ｃ〜１２Ｅが形成されている。絶縁基材１１Ｃの上面には、導体パターン１３の一部である導体パターン１３Ａ，１３Ｃが形成されている。導体パターン１２Ａ，１２Ｃ〜１２Ｅ，１３Ａは絶縁基材１１Ｂに押し込まれている。導体パターン１３Ｃの一部分は絶縁基材１１Ｂに押し込まれ、導体パターン１３Ｃの他の部分は絶縁基材１１Ｃに押し込まれている。

導体パターン１２Ｅの断面は、絶縁基材１１Ａ側の辺が長辺となり、絶縁基材１１Ｂ側の辺が短辺となる台形形状を有している。導体パターン１３Ｃの断面は、絶縁基材１１Ｃ側から絶縁基材１１Ｂ側に向けて先細になっている。導体パターン１３Ａは、導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｅとの間に入り込むように形成されている。導体パターン１２Ｅと導体パターン１３Ｃとは層間接続導体１６Ａにより接続されている。

図３は、積層インダクタ１０の一部を示すＡ−Ａ断面図である。導体パターン１３Ａの断面における長辺の長さをＷ_１とし、導体パターン１３Ａの断面における短辺の長さをＷ_２とする。絶縁基材１１Ａ側における導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間隔をＷ_３とし、導体パターン１３Ａ側における導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間隔をＷ_４とする。長さＷ_２は長さＷ_１に比べて短くなっている。間隔Ｗ_４は間隔Ｗ_３に比べて広くなっている。間隔Ｗ_３は長さＷ_２に比べて広くなっている。すなわち、平面視して、導体パターン１２（図１参照）の所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている導体パターン１３の少なくとも一部は、導体パターン１２側の主面が、所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間の領域内に位置する。

図４は、積層インダクタ１０の製造方法を示すＢ−Ｂ断面図である。この製造方法では、熱可塑性を有する絶縁基材に、電気回路用にパターニングされた導体パターンを形成する。次に、絶縁基材１１Ａおよび絶縁基材１１Ｃを含む導体パターンが形成された複数の絶縁基材を積層する。次に、積層された絶縁基材を加熱および加圧して一体化する。すなわち、積層された絶縁基材を加熱しながら同時に加圧することにより一体化する。絶縁基材１１Ａは本発明の第１絶縁基材の一例である。絶縁基材１１Ｃは本発明の第２絶縁基材の一例である。

具体的には、まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁基材１１Ａの片面全面に、銅箔等からなる導体箔２１を貼り付ける。次に、図４（Ｂ）に示すように、所定形状にパターニングしたレジストを導体箔２１の表面に形成し、導体箔２１のうちレジストが形成されていない部分をエッチングする。これにより、絶縁基材１１Ａに導体パターン１２が形成される。この際、導体パターン１２Ａ，１２Ｅの断面が台形形状となるように、導体パターン１２を形成する。すなわち、導体パターン１２を形成する工程では、積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターン１２の絶縁基材１１Ａ側の幅よりその反対側の幅を狭くする。

次に、図４（Ｃ）に示すように、導体パターン１２を形成した工程と同様の工程により、絶縁基材１１Ｃに導体パターン１３を形成し、絶縁基材１１Ｄに導体パターン１５Ａ，１５Ｂを形成する。また、レーザ加工やエッチング等により絶縁基材１１Ｂの所定箇所に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電ペースト２２を充填する。導電ペースト２２は、例えば、スズや銅を主成分とした導電性材料からなる。

そして、絶縁基材１１Ａを最上層として、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄをこの順に積層する。この際、絶縁基材１１Ａの主面のうち導体パターン１２が形成された主面を下方向に向ける。絶縁基材１１Ｃの主面のうち導体パターン１３が形成された主面を上方向に向ける。絶縁基材１１Ｄの主面のうち導体パターン１５Ａ，１５Ｂが形成された主面を下方向に向ける。すなわち、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄを積層する工程では、絶縁基材１１Ａの導体パターン１２が形成された側の主面と、絶縁基材１１Ｃの導体パターン１３が形成された側の主面とを対向させる。また、平面視して、絶縁基材１１Ｃに形成された導体パターン１３の少なくとも一部を、絶縁基材１１Ａに形成された導体パターン１２うち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置する。

次に、図４（Ｄ）に示すように、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄを構成する熱可塑性樹脂を熱圧着させることができる温度で、積層された絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄを加熱プレスする。この加熱プレスでは加熱および加圧を同時に行う。これにより、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄが一体化する。この際、導電ペースト２２が硬化することにより、層間接続導体１６Ａが形成される。また、導体パターン１３Ａは導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｅとの間に入り込む。

以上の工程により、積層インダクタ１０が完成する。なお、層間接続導体１６Ｂ〜１６Ｆ（図１参照）は、層間接続導体１６Ａを形成する工程と並行して、層間接続導体１６Ａを形成する工程と同様の工程により形成される。導体パターン１４は導体パターン１３とともに形成される。

本実施形態では、図３に示したように、平面視で導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間に導体パターン１３Ａが形成されている。導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間隔は、絶縁基材１１Ａ側から導体パターン１３Ａ側に向けて広くなっている。導体パターン１３Ａの幅は、絶縁基材１１Ｃ側から絶縁基材１１Ｂ側に向けて狭くなっている。

このため、図３において点線で示すように、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとが近接する領域で、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔が広くなる。この結果、加熱プレスの際に熱可塑性樹脂が流動しても、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとが短絡することを抑制できる。なお、導体パターン１２Ａと導体パターン１２Ｂとの間隔Ｗ_３を導体パターン１３Ａの短辺の長さＷ_２に比べて長くすることで、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔をさらに広くすることができる。

また、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔を広くするために、導体パターン１２Ａ，１２Ｂの配置を変える必要がないので、素子サイズが大きくならない。また、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔を広くするために、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａの断面積を小さくする必要がないので、導体抵抗が小さくならない。

また、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔を広くするとともに、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａと絶縁基材１１Ａ，１１Ｃとの接触面積を大きくすることができる。このため、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａと絶縁基材１１Ａ，１１Ｃとの接合強度を高めることができる。

また、一般的に、高周波帯域で使用される積層インダクタでは、導体パターン間の線間容量の変化が積層インダクタの特性に影響する。本実施形態では、導体パターン１２Ａ，１２Ｂと導体パターン１３Ａとの間隔が広くなるので、導体パターン１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａの配置が多少ずれても、線間容量があまり変化しない。このため、積層インダクタ１０が高周波帯域で使用される場合でも、積層インダクタ１０の特性のばらつきを抑制することができる。また、積層インダクタ１０には、図１に示すように、導体パターン１２，１３が互いに平行に延伸するような構造が多く形成される。言い換えると、積層インダクタ１０には、図３に示すような構造が多く形成される。このため、積層インダクタ１０では本発明が特に有用である。

また、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄは、上述のように、主成分が実質的に同一の熱可塑性樹脂からなる。このため、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄを熱圧着させることができる温度、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄの熱膨張係数等が互いにほぼ等しくなる。この結果、たとえば接着層のような絶縁基材とは異なる材質を介して絶縁基材同士を接合する場合と異なり、加熱プレス後に、絶縁基材１１Ａ〜１１Ｄが互いに剥離することを抑制できる。

図５は、本実施形態の変形例に係る積層インダクタ１０の製造方法を示すＢ−Ｂ断面図である。以下では、上述の積層インダクタ１０の製造方法と異なる点について説明する。まず、図５（Ａ）に示すように、絶縁基材１１Ｃの主面のうち導体パターン１３が形成された主面に、印刷等によりペースト状の熱可塑性樹脂をコーティングする。これにより、絶縁基材１１Ｃに積層された絶縁基材３１Ｂが形成される。

次に、図５（Ｂ）に示すように、所定形状にパターニングしたレジストを絶縁基材３１Ｂの表面に形成し、絶縁基材３１Ｂのうちレジストが形成されていない部分をエッチングする。これにより、絶縁基材３１Ｂに貫通孔２３が形成される。なお、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す工程の代わりに、所定形状にパターニングされた版を用いて熱可塑性樹脂を絶縁基材１１Ｃに印刷することで、貫通孔２３を有する絶縁基材３１Ｂを形成してもよい。

次に、図５（Ｃ）に示すように、貫通孔２３に導電ペースト２２を充填する。次に、図５（Ｄ）および図５（Ｅ）に示すように、絶縁基材１１Ａ，３１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄを積層し、加熱プレスする。以上の工程により、積層インダクタ１０が完成する。

本実施形態の変形例に係る積層インダクタ１０の製造方法では、貫通孔２３が積層方向に絶縁基材３１Ｂのみを貫通することにより、底を有する孔部が形成されている。このため、導電ペースト２２を貫通孔２３に充填する際に、貫通孔２３の開口部のうち導電ペーストを注入する側の反対側の開口部から、導電ペースト２２が漏れることがない。

図６は、本実施形態の変形例に係る積層インダクタの一部を示す断面図である。以下では、積層インダクタ１０（図２参照）の構成と異なる構成について説明する。図６（Ａ）に示す変形例において、導体パターン４２の絶縁基材１１Ａ側の主面は、その反対側の主面に比べて表面粗さが大きくなっている。導体パターン４３の絶縁基材１１Ｃ側の主面は、その反対側の主面に比べて表面粗さが大きくなっている。すなわち、積層方向に垂直な方向から断面視して、導体パターン４２，４３の幅が広い側の主面は、その反対側の主面に比べて表面粗さが大きくなっている。図６（Ａ）に示す積層インダクタは、導体パターン４２，４３を形成した絶縁基材１１Ａ，１１Ｃを積層してなるところ、この構成では、導体パターン４２，４３と絶縁基材１１Ａ，１１Ｃとの接合強度を高めることができる。

図６（Ｂ）に示す変形例では導体パターン５２，５３の端面が凹んでいる。図６（Ｃ）に示す変形例では導体パターン６２，６３の端面は膨らんでいる。図６（Ｄ）に示す変形例では、導体パターン７２の端面のうち、互いに対向している端面は積層方向に対して傾いており、互いに対向している端面の反対側の端面は積層方向に対して平行になっている。

なお、本実施形態の積層インダクタ１０では、そのコイル軸は積層方向を向いているが、本発明の積層インダクタはこれに限定されない。本発明の積層インダクタでは、そのコイル軸は積層方向に垂直な方向を向いてもよい。

また、本実施形態の積層インダクタ１０は本発明の一例であり、本発明の多層基板はこれに限られない。また、本発明の多層基板は、積層インダクタ１０をチップ化したチップインダクタ等の、本発明の構成を備えるチップ部品を含む。

１０…積層インダクタ
１１Ａ…絶縁基材（第１絶縁基材）
１１Ｃ…絶縁基材（第２絶縁基材）
１１Ｂ，１１Ｄ，３１Ｂ…絶縁基材
１２…導体パターン（第１導体パターン）
１３…導体パターン（第２導体パターン）
１２Ａ〜１２Ｅ，１３Ａ〜１３Ｃ，１４，１５Ａ，１５Ｂ，４２，４３，５２，５３，６２，６３，７２…導体パターン
１６Ａ〜１６Ｆ…層間接続導体
２１…導体箔
２２…導電ペースト
２３…貫通孔

Claims (6)

1. 熱可塑性を有する絶縁基材に、電気回路用にパターニングされた導体パターンを形成する工程と、
   前記導体パターンが形成された第１絶縁基材および第２絶縁基材を含む複数の前記絶縁基材を積層する工程と、
   積層された前記絶縁基材を加熱および加圧して一体化する工程と、を備え、
   前記導体パターンを形成する工程では、積層方向に垂直な方向から断面視して、前記導体パターンの前記絶縁基材側の幅よりその反対側の幅を狭くし、
   前記絶縁基材を積層する工程では、前記第１絶縁基材の前記導体パターンが形成された側の主面と、前記第２絶縁基材の前記導体パターンが形成された側の主面とを対向させ、平面視して、前記第２絶縁基材に形成された前記導体パターンの少なくとも一部を、前記第１絶縁基材に形成された前記導体パターンのうち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置する、多層基板の製造方法。
2. 積層方向に垂直な方向から断面視して、前記導体パターンの幅が広い側の主面は、その反対側の主面に比べて表面粗さが大きい、請求項１に記載の多層基板の製造方法。
3. 複数の前記絶縁基材は、主成分が実質的に同一である熱可塑性樹脂から形成されている、請求項１または２に記載の多層基板の製造方法。
4. 導体パターンが形成され、熱可塑性を有する複数の絶縁基材を積層して形成される、多層基板であって、
   前記導体パターンは、積層方向に垂直な方向から断面視して、その一方の幅が他方の幅より狭くなるように形成されているとともに、積層方向において互いに異なる位置に形成された第１導体パターンと第２導体パターンとを含み、
   積層方向に垂直な方向から断面視して、前記第１導体パターンの幅が狭い側は前記第２導体パターン側を向き、前記第２導体パターンの幅が狭い側は前記第１導体パターン側を向き、
   平面視して、前記第２導体パターンの少なくとも一部は、前記第１導体パターンのうち所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている、多層基板。
5. 前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとが接続されることで、コイルが形成されている、請求項４に記載の多層基板。
6. 平面視して、前記第１導体パターンの前記所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間に配置されている前記第２導体パターンの少なくとも一部は、前記第１導体パターン側の主面が、前記所定間隔を隔てて隣接する２箇所の部分の間の領域内に位置する、請求項４または５に記載の多層基板。

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