JP2021136328A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】ビアからの導電ペーストの流出による、ビアと当該ビアに隣接する部材との短絡を抑制することが可能な多層配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、複数の絶縁層１を接着する接着層３と、絶縁層１および接着層３を貫通するビアホールと、ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４と、を備え、少なくとも１つの配線パターン２には、積層方向から見てビアホールを含む領域に形成されたランド２２と、ランド２２に隣接する隣接パターン２１ｂと、が含まれ、ランド２２と隣接パターン２１ｂとの間に、ダミーパターン５が形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線基板に関する。

従来から、下記特許文献１に示されるような多層配線基板が知られている。この多層配線基板は、配線パターンの形成された複数の絶縁層を、接着層を介して交互に積層し、加熱圧着することにより形成される。また、この多層配線基板には、積層方向において隣り合う配線パターン同士を電気的に接続させる複数の層間導通ビアが設けられている。各ビアは、絶縁層に形成されたビアホールに導電ペーストが充填された構成となっている。

特開２００８−２７０３６２号公報

ビアホールに導電ペーストが充填された状態で加熱圧着を行うと、接着層と絶縁層との間に導電ペーストが流れ出て、意図しない短絡が生じる可能性がある。例えば、導電ペーストがビアに隣接する配線パターンや内蔵部品等の部材まで流れ出ると、ビアと部材とが導電ペーストにより電気的に接続され、短絡する場合がある。

本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、ビアからの導電ペーストの流出による意図しない短絡を抑制することが可能な多層配線基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る多層配線基板は、少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、複数の前記絶縁層を接着する接着層と、前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドと、前記ランドに隣接する隣接パターンと、が含まれ、前記ランドと前記隣接パターンとの間に、ダミーパターンが形成されている。

上記第１の態様によれば、ランドと隣接パターンとの間にダミーパターンが形成されている。このため、導電ペーストがランドから隣接パターンに向けて流れ出たとしても、この流れをダミーパターンによって堰き止めることができる。したがって、ランドと隣接パターンとが意図せず短絡してしまうことを抑制できる。

本発明の第２の態様に係る多層配線基板は、少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、接続端子を有する内蔵部品と、複数の前記絶縁層を接着する接着層と、前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドが含まれ、前記ランドと前記内蔵部品との間に、ダミーパターンが形成されている。

上記第２の態様によれば、ランドと内蔵部品との間にダミーパターンが形成されている。このため、導電ペーストがランドから内蔵部品に向けて流れ出たとしても、この流れをダミーパターンによって堰き止めることができる。したがって、ランドと内蔵部品とが意図せず短絡してしまうことを抑制できる。

また、前記ランドの周囲には複数の前記隣接パターンが配置され、複数の前記隣接パターンのうち前記多層配線基板の外周縁に最も近い隣接パターンと前記ランドとの間に、前記ダミーパターンが形成されていてもよい。

これにより、ランドと多層配線基板の最寄りの外周縁に最も近い隣接パターンとの間にダミーパターンが形成される。熱圧着により多層配線基板を製造する場合、接着層は多層配線基板の外周縁に向けて流動しやすく、この接着層の流れに乗るように導電ペーストがランドから流れ出る場合がある。そこで、ランドと最寄りの外周縁に最も近い隣接パターンとの間にダミーパターンを配置することで、このような導電ペーストの流れを堰き止めて、意図しない短絡を抑制することができる。

ここで、前記ランドの周囲には複数の前記隣接パターンが配置され、複数の前記隣接パターンのうち最も前記ランドに近い隣接パターンと、前記ランドと、の間に、前記ダミーパターンが形成されてもよい。

また、前記積層方向から見て、前記ビアの外径をＲ１、前記ダミーパターンの延びる長さをＬとしたとき、Ｒ１×１／２≦Ｌを満たしてもよい。

また、前記ダミーパターンが導電体で形成されてもよい。

また、前記ダミーパターンが絶縁体で形成されてもよい。

本発明の第３の態様に係る多層配線基板は、少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、複数の前記絶縁層を接着する接着層と、前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドが含まれ、前記ランドは、前記ランドの外周縁の一部を切り取るように形成された切り欠きを有している。

上記第３の態様によれば、切り欠きが形成された方向に向けて導電ペーストが流れやすくなる。このため、短絡のリスクが少ない方向に導電ペーストの流れの向きを誘導することが可能となり、意図しない短絡を抑制することができる。

また、前記切り欠きは、前記積層方向から見て円形に形成された前記ランドの外周縁の一部を切り取るように形成されていてもよい。

また、前記切り欠きは、前記積層方向から見て前記ランドの外周縁の一部を略直線状に切り取るように形成されていてもよい。

また、前記ランドを含む前記配線パターンは、前記ランドに隣接する隣接パターンをさらに含み、前記切り欠きと前記隣接パターンとの間にダミーパターンが形成されていてもよい。

また、前記ランドを含む前記配線パターンは、前記ランドに隣接する隣接パターンをさらに含み、前記切り欠きは、前記ランドのうち前記隣接パターンから離れた部分に形成されていてもよい。

本発明の上記態様によれば、ビアからの導電ペーストの流出による意図しない短絡を抑制することが可能な多層配線基板を提供することができる。

（ａ）は、第１実施形態に係る多層配線基板の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＩ−Ｉ断面矢視図である。 （ａ）および（ｂ）は、第１実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を説明する図であり、（ｃ）は、多層配線基板のＩＩ−ＩＩ断面矢視図である。 （ａ）は、第２実施形態に係る多層配線基板の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＩＩＩ−ＩＩＩ断面矢視図である。 第２実施形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を説明する図であり、重ね合わせる前の複数の積層体の断面図である。 （ａ）は、第３実施形態に係る多層配線基板の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＶ−Ｖ断面矢視図である。 （ａ）は、第４実施形態に係る多層配線基板の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＶＩ−ＶＩ断面矢視図である。 多層配線基板の配線パターンおよびダミーパターンの配置および寸法を説明するための平面図である。 多層配線基板の変形例を示す平面図である。 多層配線基板のその他の変形例を示す平面図である。 （ａ）は、多層配線基板のその他の変形例の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＸ−Ｘ断面矢視図である。 （ａ）は、従来の多層配線基板の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の多層配線基板のＸＩ−ＸＩ断面矢視図である。

（第１実施形態）
以下、本実施形態の多層配線基板１０Ａについて図面に基づいて説明する。
図１（ａ）に示すように、多層配線基板１０Ａは、一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、絶縁層１同士を接着する複数の接着層３と、を備えている。多層配線基板１０Ａには、積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４が設けられている。複数の絶縁層１のうち少なくとも一部には、ダミーパターン５が形成されている。図１（ｂ）では平面視において、配線パターン２、ビア４、およびダミーパターン５のみを図示している。なお、図１（ａ）は多層配線基板１０Ａの一部を抜き出した図であり、多層配線基板１０Ａは複数のビア４を有している。多層配線基板１０Ａが有する絶縁層１の数またはビア４の数は適宜変更可能である。また、絶縁層１の両方の面に配線パターン２が形成されていてもよい。

（方向定義）
本実施形態では、絶縁層１および配線パターン２が積層された方向を積層方向という。また、積層方向から見ることを平面視といい、積層方向に沿った断面で見ることを断面視という。

絶縁層１は、ポリイミドなどの絶縁体により形成されている。配線パターン２は、銅などの導電体により形成されている。配線パターン２は、絶縁層１の少なくとも一方の面に形成されており、所定の回路形状を有している。絶縁層１および配線パターン２は、銅張積層板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）を加工することで形成されていてもよい。なお、絶縁層１および配線パターン２の材質は適宜変更してもよい。

配線パターン２は、延出部２１ａ、隣接パターン２１ｂ、およびランド２２を有する。
延出部２１ａは、絶縁層１の上面において、ランド２２に接続されている。隣接パターン２１ｂは、ランド２２に隣接している。
ランド２２は、絶縁層１の上面においてビアホールを含む領域に形成されている。図１（ｂ）に示すように、ランド２２は、絶縁層１の上面においてビアホールを囲むように円形に形成されていてもよい。図１（ｂ）の例に限らず、ランド２２の形状は、平面視において、楕円、矩形などの形状でもよい。平面視において、ビア４はランド２２と接し、かつ、ビア４はランド２２の内側に形成されている。また、ランド２２とビア４とは電気的に接続されている。ランド２２の外周から延出する延出部２１ａにより、ランド２２は他のパターンまたは電子部品などの接続対象物（不図示）に電気的に接続される。

ダミーパターン５は、絶縁層１の上面において、ランド２２と隣接パターン２１ｂとの間に形成されている。図１（ｂ）の例では、ダミーパターン５は、平面視において隣接パターン２１ｂの延びる方向と平行に形成され、ダミーパターン５の延びる長さは、ランド２２の外径と同等になっている。この例に限らず、ダミーパターン５の長さは、ランド２２の外径と異なっていてもよい。また、ダミーパターン５は直線状に延びているが、ジグザグ状に延びていてもよい。ダミーパターン５は、延出部２１ａ、ランド２２、および隣接パターン２１ｂには接触していない。

本実施形態のダミーパターン５は、レジストにより配線パターン２と同時に形成される。この場合、ダミーパターン５は導電性を有する銅により形成される。これに限らず、配線パターン２を形成後にダミーパターン５が形成されてもよい。また、ダミーパターン５は絶縁材料により形成されてもよい。ダミーパターン５が絶縁材料により形成されている場合には、ダミーパターン５は隣接パターン２１ｂ等と接触していてもよい。

接着層３は、積層方向において隣り合う絶縁層１同士を互いに接着している。接着層３としては、プリント配線板の製造分野において公知の各種接着材を使用できる。例えば、ポリイミド系接着材、エポキシ系接着材などが接着層３として好適である。また、接着層３として熱可塑性の接着材を用いてもよい。

ビア４は、絶縁層１および接着層３に一体に形成されたビアホール内に、導電ペーストが充填されることで構成されたフィルドビアである。つまり、ビア４はそれぞれ、絶縁層１および接着層３に一体に形成されたビアホールと、このビアホール内に設けられた導電ペーストと、により構成されている。ビア４の位置および形状は、ビアホールの位置および形状によって規定される。ビアホールは、絶縁層１および接着層３を積層方向に貫通するように形成されている。このため、ビア４も、絶縁層１および接着層３を積層方向に貫通するように設けられている。

また、ビア４の積層方向における両端部はそれぞれランド２２を介して、積層方向において隣り合う配線パターン２に接続されている。これにより、ビア４は、積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続する。

ビア４として用いられる導電ペーストは、例えばニッケル、銀、銅、錫、ビスマス、インジウム、鉛などの金属粒子を含む導電ペーストを好適に用いることができる。また、ニッケル、銀、銅などの低電気抵抗の金属粒子と、錫、ビスマス、インジウム、鉛などの低融点金属粒子とを含む導電ペーストを用いることもできる。

次に、図２（ａ）および図２（ｂ）を用いて、多層配線基板１０Ａの製造方法の一例を説明する。なお、他の製造方法により多層配線基板１０Ａを製造してもよい。
多層配線基板１０Ａを製造する際には、銅張積層板（ＣＣＬ）を複数用意する。銅張積層板は、基材と、銅箔とを有している。基材は、多層配線基板１０Ａにおける絶縁層１となる部分であり、銅箔は配線パターン２およびダミーパターン５となる部分である。
次に、各銅張積層板の銅箔をエッチング加工することなどによって、所定の配線パターン２およびダミーパターン５を得る。次に、配線パターン２およびダミーパターン５が形成された銅張積層板に、接着性シートを貼り合わせて接着層３を形成する。

次に、レーザー加工などによって基材（絶縁層１）および接着層３を貫通するビアホールを形成する。次に、ビアホールの内部に、スクリーン印刷などによって導電ペーストを充填する。必要に応じて導電ペーストを加熱などして硬化させることで、ビア４が形成される。この工程において、導電ペーストを本硬化させず、後述の熱プレス時に本硬化させてもよい。
以上の工程により、図２（ａ）に示す、配線パターン２、絶縁層１、および接着層３が積層され、かつビア４が形成された積層体３０が得られる。

次に、図２（ｂ）に示すように、積層体３０を複数枚（図２（ｂ）の例では２枚）重ね合わせ、熱プレスにより複数の積層体３０を接着させる。熱プレスでは、例えば、積層体３０を、２８０℃程度まで加熱し、接着層３を軟化させた状態で、９ＭＰａの圧でプレスする。熱プレス時に接着層３はある程度軟化しているため、流動性を持った接着層３は配線パターン２およびダミーパターン５の隙間に向かって図２（ｂ）の矢印の方向に向かって流動し、配線パターン２およびダミーパターン５を接着層３に埋め込むことができる。また、熱プレス時の熱により導電ペーストを本硬化させてもよい。
このようにして、多層配線基板１０Ａを製造することができる。

ここで、例えば熱プレス時の熱により導電ペーストを本硬化する場合など、接着層３が導電ペーストに接触する段階で導電ペーストがある程度の流動性を有していることがある。図２（ａ）、（ｂ）の例では、熱プレスにより紙面上側の積層体３０の流動性を有する導電ペーストが、紙面下側の積層体３０のランド２２に押し付けられることになる。この時、図２（ｂ）に示すように、接着層３の流動に伴って、ビア４から導電ペースト（流出導電ペースト）４ａが矢印の方向に漏れ出して、接着層３と絶縁層１との界面に広がる可能性がある。図２（ｂ）、（ｃ）に示す例では、流出導電ペースト４ａはビア４から外側に向かってあふれ出し、矢印の方向に配置されている隣接パターン２１ｂに向かって流出している。

図１１（ａ）および（ｂ）に示す従来の多層配線基板１００では、このような流出導電ペースト４ａにより、ランド２２と隣接パターン２１ｂとが電気的に接続され短絡する場合があった。
これに対して、本実施形態では、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ビア４から漏れ出た導電ペースト４ａをダミーパターン５によって堰き止めることができる。これにより、ランド２２と隣接する隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１０Ａは、少なくとも一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、複数の絶縁層１を接着する接着層３と、絶縁層１および接着層３を貫通するビアホールと、ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４と、を備える。そして、複数の絶縁層１が有する配線パターン２のうち少なくとも１つには、積層方向から見てビアホールを含む領域に形成されたランド２２と、ランド２２に隣接する隣接パターン２１ｂと、が含まれ、ランド２２と隣接パターン２１ｂとの間に、ダミーパターン５が形成されている。

これにより、ビア４から漏れ出た流出導電ペースト４ａをダミーパターン５によって堰き止めることができるため、ランド２２と隣接する隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことを抑制することができる。

また、ダミーパターン５が導電体で形成されていてもよい。この場合、ダミーパターン５をレジストにより配線パターン２と同時に形成できるので、多層配線基板１０Ａをより容易に製造することが可能になる。

また、ダミーパターン５が絶縁体で形成されていてもよい。
これにより、ダミーパターン５が隣接パターン２１ｂと接触するように形成された場合でも、ランド２２と隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことを抑制することができる。また、ダミーパターン５と隣接パターン２１ｂとの距離を短くすることができるので、より高密度に配線パターン２を形成することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
図３（ａ）、（ｂ）に、第２実施形態に係る多層配線基板１０Ｂを示す。

図３（ａ）の多層配線基板１０Ｂは、内蔵部品６を有する点が図１の多層配線基板とは異なる。多層配線基板１０Ｂは、内蔵部品６を有するので、特に部品内蔵基板とも呼ばれる。また、図３（ａ）の多層配線基板１０Ｂは、３つの積層体３０（紙面上側から、第１積層体３０Ａ、第２積層体３０Ｂ、第３積層体３０Ｃという）が積層された構造となっている。第２積層体３０Ｂの絶縁層１には、両側の面にランド２２（配線パターン２）が形成されている。
図３（ｂ）に示すように、平面視において、ダミーパターン５は、ランド２２と内蔵部品６との間に形成されている。ダミーパターン５は、内蔵部品６のランド２２に対向する辺と平行に延びており、ダミーパターン５の延びる長さは、内蔵部品６のランド２２に対向する辺の長さと同等である。ダミーパターン５の延びる方向および長さは、図３（ｂ）の例に限らない。

図３（ａ）において、内蔵部品６は、第２積層体３０Ｂの絶縁層１の開口に配置されている。内蔵部品６は、第１積層体３０Ａの絶縁層１と第３積層体３０Ｃの絶縁層１との間に配置されていてもよい。
内蔵部品６は、第３積層体３０Ｃのビア４を介して配線パターン２に電気的に接続されている。内蔵部品６は、不図示の複数の接続端子に電気的に接続されていてもよい。また、内蔵部品６はビア４を介さずに配線パターン２に電気的に接続されていてもよい。
内蔵部品６は、抵抗やコンデンサ等の受動部品であってもよいし、ＩＣ、ダイオード、トランジスタ等の能動部品であってもよい。

次に、図４を用いて、多層配線基板１０Ｂの製造方法の一例を説明する。なお、他の製造方法により多層配線基板１０Ｂを製造してもよい。
多層配線基板１０Ｂの製造方法は、第２積層体３０Ｂの絶縁層１に開口１ａが形成され、当該開口１ａに内蔵部品６が挿入される点が第１実施形態とは異なる。

図４に示すように、積層体３０を複数枚（図３の例では３枚）を位置合わせして重ね合わせる。内蔵部品６は、第２積層体３０Ｂの絶縁層１に形成された開口１ａの中に挿入される。なお、内蔵部品６は第１積層体３０Ａの下側の面に一体化され、各積層体を重ね合わせることで第２積層体３０Ｂの開口１ａに挿入されてもよい。第２積層体３０Ｂの絶縁層１における開口１ａの寸法は、内蔵部品６の寸法よりも若干大きい。このため、図４に示すように、開口１ａの内部に内蔵部品６が配置されたときに、第２積層体３０Ｂの絶縁層１と内蔵部品６との間には、空間Ｓ１が形成される。

次に、重ね合わせた積層体３０同士を、熱プレスにより接着させる。
熱プレスにより、流動性を持った接着層３が空間Ｓ１に向かって流動し、空間Ｓ１には接着材が充填される（空間Ｓ１がなくなる）。また、熱プレスにより、導電ペーストが、第２積層体３０Ｂのランド２２に押し付けられることになる。この時、接着層３の流動とともに、流動性を有する導電ペーストも接着層３の流動する方向へ流出しやすくなるため、図３（ａ）の矢印が示すようにビア４から内蔵部品６に向かって、流出導電ペースト４ａが漏れ出す場合がある。

本実施形態では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ビア４から内蔵部品６へ向かって漏れ出た流出導電ペースト４ａをダミーパターン５によって堰き止めることができる。これにより、ランド２２と内蔵部品６とが短絡してしまうことを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１０Ｂは、少なくとも一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、接続端子を有する内蔵部品６と、複数の絶縁層１を接着する接着層３と、絶縁層１および接着層３を貫通するビアホールと、ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４と、を備える。そして、複数の絶縁層１が有する配線パターン２のうち少なくとも１つには、積層方向から見てビアホールを含む領域に形成されたランド２２が含まれ、ランド２２と内蔵部品６との間に、ダミーパターン５が形成されている。

これにより、ビア４から内蔵部品６へ向かって漏れ出た流出導電ペースト４ａをダミーパターン５によって堰き止めることができるため、ランド２２と内蔵部品６とが短絡してしまうことを抑制することができる。

（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
図５（ａ）、（ｂ）に、第３実施形態に係る多層配線基板１０Ｃを示す。

図５（ａ）、（ｂ）の多層配線基板１０Ｃは、ランド２２と、多層配線基板１０Ｃの最寄りの外周縁１０ａと、の間にダミーパターン５が形成されている点が図１の多層配線基板１０Ａとは異なる。また、ランド２２と外周縁１０ａとの間に隣接パターン２１ｃが配置されている。図５（ｂ）では、隣接パターン２１ｃが多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａと平行に伸びており、ダミーパターン５は、ランド２２と隣接パターン２１ｃとの間に形成されている。

多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａ付近では、熱プレス時に、接着層３が多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａに向けて流動しやすい。これは、接着性と流動性とを持った接着層３が外周縁１０ａの外側の空間Ｓ２に向かって流動しやすいためである。熱プレス時、接着層３の流動とともに、流動性を有する導電ペーストも接着層３の流動する方向へ流出しやすくなるため、流出導電ペースト４ａがビア４から多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａに向かって漏れ出す場合がある。

本実施形態では、このような場合において、ビア４から多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａの外側の空間Ｓ２に向かって漏れ出た流出導電ペースト４ａをダミーパターン５によって堰き止めることができる。これにより、ランド２２と隣接する隣接パターン２１ｃとが短絡してしまうことを抑制することができる。あるいは、流出導電ペースト４ａが多層配線基板１０Ｃの側面をつたって流動することで、意図しない短絡が生じることを抑制できる。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１０Ｃは、少なくとも一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、複数の絶縁層１を接着する接着層３と、絶縁層１および接着層３を貫通するビアホールと、ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４と、を備える。そして、複数の絶縁層１が有する配線パターン２のうち少なくとも１つには、積層方向から見てビアホールを含む領域に形成されたランド２２と、ランド２２に隣接する隣接パターン２１ｂと、が含まれ、ランド２２の周囲には複数の隣接パターン２１ｂが配置され、複数の隣接パターン２１ｂのうち多層配線基板の外周縁１０ａに最も近い隣接パターン２１ｃとランド２２との間に、ダミーパターン５が形成されている。

これにより、ビア４から多層配線基板１０Ｃの外周縁１０ａの外側の空間Ｓ２に向かって漏れ出た流出導電ペースト４ａはダミーパターン５によって堰き止められるため、意図しない短絡が生じることを抑制することができる。

（第４実施形態）
次に、本発明に係る第４実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
図６（ａ）、（ｂ）に、第４実施形態に係る多層配線基板１０Ｄを示す。

図６（ａ）、（ｂ）の多層配線基板１０Ｄは、ランド２２の外周の一部に略直線状の切り欠き２２ａがある点が図１の多層配線基板１０Ａとは異なる。

図６（ｂ）において、切り欠き２２ａは、ランド２２において隣接パターン２１ｂに近い部分に形成されている。切り欠き２２ａは、ランド２２の外周縁の一部を切り取るように形成されている。切り欠き２２ａは、ランド２２の外周縁の一部を略直線状に切り取るように形成されていてもよい。図６（ｂ）では、平面視において切り欠き２２ａはビア４の外周縁に到達していない。これに限らず、切り欠き２２ａは平面視においてビア４に到達するように形成されていてもよい。切り欠き２２ａの直線部は、隣接パターン２１ｂの延びる方向と平行になっている。

切り欠き２２ａと隣接パターン２１ｂとの間に、ダミーパターン５が形成されている。ダミーパターン５は、隣接パターン２１ｂと平行に延びるように形成されている。

切り欠き２２ａが形成された部分では、その他の部分と比較して、径方向におけるランド２２の長さが短くなる。これにより、熱プレス時に、導電ペーストは切り欠き２２ａから流出しやすくなる。すなわち、切り欠き２２ａの方向へ導電ペーストの流出を誘導することができる。

ここで、ランド２２の切り欠き２２ａと隣接パターン２１ｂとの間にダミーパターン５が形成されているため、切り欠き２２ａにより流出導電ペースト４ａの流出する方向をガイドしつつ、ダミーパターン５により流出導電ペースト４ａを堰き止めることができる。これにより、流出導電ペースト４ａを介してランド２２と隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことをより効果的に抑制することができる。また、例えばランド２２のうち、隣接パターン２１ｂから離れた部分に切り欠き２２ａを形成して、流出導電ペースト４ａの流れを隣接パターン２１ｂから離れる方向に向けて流動することも可能である。このように、本実施形態ではダミーパターン５は必須ではない。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１０Ｄは、少なくとも一方の面に配線パターン２が形成された複数の絶縁層１と、複数の絶縁層１を接着する接着層３と、絶縁層１および接着層３を貫通するビアホールと、ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う配線パターン２同士を電気的に接続させるビア４と、を備える。そして、複数の絶縁層１が有する配線パターン２のうち少なくとも１つには、積層方向から見てビアホールを含む領域に形成されたランド２２が含まれ、ランド２２は、ランド２２の外周縁の一部を切り取るように形成された切り欠き２２ａを有している。

この構成により、切り欠き２２ａが形成された方向に向けて流出導電ペースト４ａの流出する方向を誘導することができる。これにより、短絡のリスクが少ない方向に流出導電ペースト４ａを誘導して、意図しない短絡を抑制できる。短絡のリスクが少ない方向とは、例えばダミーパターン５に向かう方向、隣接パターン２１ｂから遠ざかる方向、多層配線基板１０Ｄの最寄りの外周縁から遠ざかる方向などである。

また、切り欠き２２ａは、積層方向から見て円形に形成されたランド２２の外周縁の一部を切り取るように形成されていてもよい。また、切り欠き２２ａは積層方向から見てランド２２の外周縁の一部を略直線状に切り取るように形成されていてもよい。

また、ランド２２を含む配線パターン２は、ランド２２に隣接する隣接パターン２１ｂをさらに含み、切り欠き２２ａと隣接パターン２１ｂとの間にダミーパターン５が形成されていてもよい。
これにより、流出導電ペースト４ａを介してランド２２と隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことをより効果的に抑制することができる。

また、切り欠き２２ａは、ランド２２のうち隣接パターン２１ｂから離れた部分に形成されていてもよい。
これにより、流出導電ペースト４ａを隣接パターン２１ｂから離れる方向に向けて流動させることができる。

なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態または実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、より効果的にランド２２と隣接パターン２１ｂとの短絡を抑制できるように、配線パターン２およびダミーパターン５の配置および寸法を以下のように変更を加えてもよい。
図７に示すように、平面視において、ビア４の外径をＲ１とし、ランド２２の外径をＲ２とする。ダミーパターン５とランド２２との間の最短距離をＤ１とし、ダミーパターン５と隣接パターン２１ｂとの間の最短距離をＤ２とする。ダミーパターンの幅をＷ、長さをＬとする。

Ｄ１は、５μｍ以上５００μｍ以下の範囲であること好ましい。Ｄ１が５μｍ未満である場合、ランド２２とダミーパターン５との距離が近すぎるため流出導電ペースト４ａを堰き止める効果が低くなる。また、高密度に配線パターン２を形成させるため、Ｄ１の上限は５００μｍとすることが好ましい。

Ｗは５μｍ以上であることが好ましい。Ｗが５μｍ未満である場合、ダミーパターン５の幅が過度に狭いため、流出導電ペースト４ａを堰き止めるための壁として効果が低くなる。また、ダミーパターン５の幅を５μｍ以上とすることで、ダミーパターン５の形状を安定して形成することができるようになる。
Ｌは、Ｒ１の１／２倍以上、Ｒ２の２倍以下の範囲であることが好ましい。熱プレス時に、ある程度の量の流出導電ペースト４ａがブロック状になって流出する場合がある。この流出導電ペースト４ａのブロックの大きさは最大でビア４の半径程度であるため、ＬをＲ１の１／２倍以上とすることで、ブロック状の流出導電ペースト４ａをダミーパターン５により堰き止めることが可能になる。すなわち、Ｒ１×１／２≦Ｌを満たすことが好ましい。

また、Ｌが、Ｒ２の２倍以下である場合、高密度に配線パターン２を形成することができる。すなわち、Ｌ≦２×Ｒ２を満たすことが好ましい。
以上より、Ｒ１×１／２≦Ｌ≦２×Ｒ２を満たすことが好ましい。
なお、図７では、切り欠き２２ａを有さないランド２２における、配線パターン２およびダミーパターン５の配置および寸法について説明したが、上記の好ましい配置および寸法は、その他の多層配線基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄにも適用することができる。なお、多層配線基板１０ＢにおけるＤ２は、ダミーパターン５と内蔵部品６との最短距離とする。また、多層配線基板１０ＤにおけるＤ１は、切り欠き２２ａとダミーパターン５との最短距離とする。

また、例えば、図８に示すように、ランド２２の周囲に隣接する隣接パターン２１ｂが複数ある場合、ランド２２に最も隣接する隣接パターン２１ｂとランド２２との間に、ダミーパターン５が配置されてもよい。
これにより、最も短絡の可能性が高い最寄りの隣接パターン２１ｂとランド２２とが短絡してしまうことを抑制することができる。

また、図９に示すように、ダミーパターン５ａは、平面視においてランド２２に向けて開口する円弧状に形成されていてもよい。図９では、ランド２２は切り欠き２２ａを有していないが、ランド２２はダミーパターン５ａ側に切り欠き２２ａを有していてもよい。ダミーパターン５ａがランド２２に向けて開口する円弧状に形成されていることにより、流出導電ペースト４ａをダミーパターン５ａのランド２２側で囲い込むように堰き止めることができる。これにより、流出導電ペースト４ａが隣接パターン２１ｂまで流出することをより確実に防ぐことができる。

また、図１０の多層配線基板１０Ｅのように、ダミーパターン５ｂがランド２２の全周を囲うように形成されていてもよい。これにより、流出導電ペースト４ａがランド２２からどの方向に流出してもダミーパターン５ｂによって堰き止めることができるため、ランド２２と隣接する隣接パターン２１ｂとが短絡してしまうことをより確実に抑制することができる。なお、ダミーパターン５ｂは延出部２１ａ上に形成されてもよいし、延出部２１ａを除く部分に形成されてもよい。

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した実施形態や変形例を適宜組み合わせてもよい。

１…絶縁層 ２…配線パターン ３…接着層 ４…ビア ４ａ…流出導電ペースト ５、５ａ、５ｂ…ダミーパターン ６…内蔵部品 １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ…多層配線基板 ２１ａ…延出部 ２１ｂ、２１ｃ…隣接パターン ２２…ランド ２２ａ…切り欠き

Claims (12)

1. 少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、
   複数の前記絶縁層を接着する接着層と、
   前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、
   複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドと、前記ランドに隣接する隣接パターンと、が含まれ、
   前記ランドと前記隣接パターンとの間に、ダミーパターンが形成されている、多層配線基板。
2. 少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、
   接続端子を有する内蔵部品と、
   複数の前記絶縁層を接着する接着層と、
   前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、
   複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドが含まれ、
   前記ランドと前記内蔵部品との間に、ダミーパターンが形成されている、多層配線基板。
3. 前記ランドの周囲には複数の前記隣接パターンが配置され、
   複数の前記隣接パターンのうち前記多層配線基板の外周縁に最も近い隣接パターンと前記ランドとの間に、前記ダミーパターンが形成されている、請求項１に記載の多層配線基板。
4. 前記ランドの周囲には複数の前記隣接パターンが配置され、
   複数の前記隣接パターンのうち最も前記ランドに近い隣接パターンと、前記ランドと、の間に、前記ダミーパターンが形成されている、請求項１または３に記載の多層配線基板。
5. 前記積層方向から見て、前記ビアの外径をＲ１、前記ダミーパターンの延びる長さをＬとしたとき、Ｒ１×１／２≦Ｌを満たす、請求項１から４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
6. 前記ダミーパターンが導電体で形成された、請求項１から４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
7. 前記ダミーパターンが絶縁体で形成された、請求項１から４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
8. 少なくとも一方の面に配線パターンが形成された複数の絶縁層と、
   複数の前記絶縁層を接着する接着層と、
   前記絶縁層および前記接着層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に設けられた導電ペーストと、により積層方向において隣り合う前記配線パターン同士を電気的に接続させるビアと、を備え、
   複数の前記絶縁層が有する配線パターンのうち少なくとも１つには、前記積層方向から見て前記ビアホールを含む領域に形成されたランドが含まれ、
   前記ランドは、前記ランドの外周縁の一部を切り取るように形成された切り欠きを有している、多層配線基板。
9. 前記切り欠きは、前記積層方向から見て円形に形成された前記ランドの外周縁の一部を切り取るように形成されている、請求項８に記載の多層配線基板。
10. 前記切り欠きは、前記積層方向から見て前記ランドの外周縁の一部を略直線状に切り取るように形成されている、請求項８または９に記載の多層配線基板。
11. 前記ランドを含む前記配線パターンは、前記ランドに隣接する隣接パターンをさらに含み、
    前記切り欠きと前記隣接パターンとの間にダミーパターンが形成されている、請求項８から１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
12. 前記ランドを含む前記配線パターンは、前記ランドに隣接する隣接パターンをさらに含み、
    前記切り欠きは、前記ランドのうち前記隣接パターンから離れた部分に形成されている、請求項８から１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。

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