JP4668688B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents
配線回路基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4668688B2 JP4668688B2 JP2005157754A JP2005157754A JP4668688B2 JP 4668688 B2 JP4668688 B2 JP 4668688B2 JP 2005157754 A JP2005157754 A JP 2005157754A JP 2005157754 A JP2005157754 A JP 2005157754A JP 4668688 B2 JP4668688 B2 JP 4668688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cover
- forming
- cover layer
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によって静電気の帯電を除去することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、上記の配線回路基板では、端子部における電荷を完全に除去できないという不具合もある。
例えば、そのような配線回路基板が、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板である場合には、導電性粒子が脱離すると、ハードディスクドライブが破損するおそれがある。
また、本発明の配線回路基板では、前記導電性粒子が、カーボンブラックであることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程、前記金属支持基板の上にベース層を形成する工程、前記ベース層の上に導体パターンを形成する工程、前記ベース層の上に、導電性粒子を含む半導電性層からなり、開口部を備えるカバー層を形成するとともに、前記開口部から露出する前記導体パターンが端子部とされる工程、および、前記カバー層の外周側面、および、前記開口部において前記端子部を囲む内周側面を含む、前記カバー層の表面を被覆するように、保護層を形成する工程を備えることを特徴としている。
図1において、この回路付サスペンション基板1は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド(図示せず)を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板2に、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための導体層としての導体パターン4が一体的に形成されている。
導体パターン4は、磁気ヘッド側接続端子部6Aと、外部側接続端子部6Bと、これら磁気ヘッド側接続端子部6Aおよび外部側接続端子部6Bを接続するための配線7とを、一体的に連続して備えている。
磁気ヘッド側接続端子部6Aは、金属支持基板2の先端部に配置され、各配線7の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部6Aには、磁気ヘッドの端子部(図示せず)が接続される。
また、金属支持基板2の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル8が設けられている。ジンバル8は、磁気ヘッド側接続端子部6Aを長手方向において挟むように、金属支持基板2を切り抜くことによって形成されている。
また、カバー層5には、磁気ヘッド側接続端子部6Aまたは外部側接続端子部6Bが配置される部分に対応して、厚さ方向を貫通する開口部9が形成されており、この開口部9から露出する導体パターン4が、磁気ヘッド側接続端子部6Aまたは外部側接続端子部6B(以下、総称して端子部6とする。)として設けられている。なお、図2では、磁気ヘッド側接続端子部6Aおよび外部側接続端子部6Bのいずれか一方のみが示されている。
この方法では、図3(a)に示すように、まず、金属支持基板2を用意する。金属支持基板2としては、例えば、ステンレス箔、42アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などが用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、その厚みは、例えば、15〜30μm、好ましくは、20〜25μmである。
ベース層3は、半導電性層または樹脂層から、その目的および用途により適宜選択して形成する。
ベース層3を半導電性層から形成する場合には、例えば、まず、図4(a)に示すように、半導電性層形成用樹脂組成物を、金属支持基板2の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、半導電性層からなるベース層3を形成する。
イミド樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。これらは、市販品として入手でき、そのような市販品として、ポリイミドとして、例えば、PI−113、PI−117、PI−213B(以上、丸善石油化学社製)、リカコート−20(新日本理化社製)が挙げられる。また、ポリエーテルイミドとして、ウルテム1000、ウルテムXH6050(以上、日本イージープラスチック社製)が挙げられる。また、ポリアミドイミドとして、例えば、HR16NN、HR11NN(東洋紡績社製)が挙げられる。
有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン酸二無水物などが挙げられる。また、これら有機テトラカルボン酸二無水物は、単独使用または2種以上併用することができる。
平均粒子径(直径)がこれより小さいと、平均粒子径(直径)の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。
導電性粒子の配合割合は、例えば、導電性粒子および樹脂(イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体)の総量100重量部に対して、導電性粒子が、例えば、10〜50重量部、好ましくは、20〜40重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、表面抵抗値が1011Ω/□より大きくなる場合がある。また、これより多いと、表面抵抗値が105Ω/□より小さくなる場合がある。また、溶媒は、樹脂および導電性粒子が、半導電性層形成用樹脂組成物に対して、5〜40重量%(固形分濃度)、好ましくは、10〜30重量%(固形分濃度)となるように、配合する。固形分濃度がこれより小さいと、半導電性層形成用樹脂組成物の均一な塗布が困難となる場合がある。また、固形分濃度がこれより大きいと、溶媒に対する導電性粒子の分散性が不良となる場合がある。
次いで、塗布された半導電性層形成用樹脂組成物の乾燥は、溶媒の種類によって適宜決定されるが、例えば、60〜250℃、好ましくは、80〜200℃で、例えば、1〜30分間、好ましくは、3〜15分間加熱する。乾燥時間が、これより短いと、溶媒の除去が不十分となり、半導電性層の表面抵抗値が大きく変化する場合がある。また、これより長いと、生産効率が低下する場合がある。
これによって、半導電性層からなるベース層3が形成される。また、この半導電性層の表面抵抗値は、例えば、105〜1011Ω/□、好ましくは、106〜1010Ω/□である。半導電性層の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品(磁気ヘッドやリード・ライト基板の端子部、以下同様。)の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
次いで、上記のようにして形成されたベース層3を、所望のパターンに形成するには、図4(b)に示すように、ベース層3の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト10で被覆し、図4(c)に示すように、エッチングレジスト10から露出するベース層3をエッチングにより除去した後、図4(d)に示すように、エッチングレジスト10を、エッチングまたは剥離により除去する。
ベース層3のエッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ現像液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
これによって、金属支持基板2の上に、半導電性層からなるベース層3が、導体パターン4を積層可能な所望のパターンとして形成される。
半導電性層形成用樹脂組成物に含有させる感光剤としては、例えば、4−o−ニトロフェニル−3,5−ジメトキシカルボニル−2,6−ジメチル−1,4−ジヒドロピリジン(ニフェジピン)、4−o−ニトロフェニル−3,5−ジメトキシカルボニル−2,6−ジメチル−1−メチル−4−ヒドロピリジン(N−メチル体)、4−o−ニトロフェニル−3,5−ジアセチル−1,4−ジヒドロピリジン(アセチル体)などのジヒドロピリジン誘導体が挙げられる。また、これら感光剤は、単独使用または2種以上併用することができる。なお、感光剤は、例えば、ポリエチレングリコールなどの溶媒に溶解して、溶液として調製することもできる。
そして、このように調製された感光剤を含む半導電性層形成用樹脂組成物(以下、感光性半導電性層形成用樹脂組成物という。)から、所望のパターンでベース層3を形成するには、図5(a)に示すように、まず、感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、金属支持基板2の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜11を形成する。
その後、図5(d)に示すように、感光性半導電性層形成用樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、ベース皮膜11を、例えば、減圧下、250℃以上で加熱することにより、硬化(イミド化)させて、ベース層3を形成する。
また、ベース層3を樹脂層から形成する場合には、公知の方法に準拠すればよく、例えば、まず、図4(a)に示すように、ポリイミド(上記したイミド樹脂前駆体を含む。)、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂のワニスを調製して、そのワニスを、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、金属支持基板2の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、樹脂層からなるベース層3を形成する。
これによって、金属支持基板2の上に、樹脂層からなるベース層3が、導体パターン4を積層可能な所望のパターンとして形成される。
例えば、感光剤を含むポリイミド前駆体(感光性ポリアミック酸樹脂)のワニスを用いる場合には、図5(a)に示すように、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属支持基板2の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜11を形成する。
その後、図5(d)に示すように、ベース皮膜11を、例えば、減圧下、250℃以上で加熱することにより、硬化(イミド化)させて、ベース層3を形成する。
また、このようにして形成されるベース層3の厚みは、例えば、8〜15μm、好ましくは、9〜12μmである。
次いで、この方法では、図3(c)に示すように、ベース層3の上に、導体パターン4を形成する。導体パターン4は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン4を形成するには、ベース層3の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン4を、上記した端子部6および配線7が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。
また、アディティブ法では、まず、ベース層3の全面に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の表面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン4を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。
次に、この方法では、図3(d)に示すように、カバー層5を、ベース層3の上に、導体パターン4を被覆し、かつ、開口部9が形成される所望のパターンとして、形成する。
そして、上記と同様の方法により、図6(b)に示すように、カバー層5の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト10で被覆し、図6(c)に示すように、エッチングレジスト10から露出するカバー層5をエッチングにより除去した後、図6(d)に示すように、エッチングレジスト10を、エッチングまたは剥離により除去する。
また、上記と同様に、感光性半導電性層形成用樹脂組成物を用いれば、カバー層5をエッチングせずとも、カバー層5を所望のパターンとして形成することができる。
感光性半導電性層形成用樹脂組成物から、所望のパターンでカバー層5を形成するには、図7(a)に示すように、まず、感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、導体パターン4を被覆するように、ベース層3および金属支持基板2の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜13を形成する。
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、上記した逆、すなわち、カバー層5を形成しない部分には、光透過部分10bが対向し、それ以外のカバー層5を形成する部分には、遮光部分12aが対向するように、フォトマスク12を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
これによって、上記と同様に、ベース層3の上に、半導電性層からなるカバー層5が、導体パターン4を被覆し、かつ、開口部9が形成される所望のパターンとして形成される。
次いで、この方法では、図3(e)に示すように、カバー層5を被覆するように、保護層15を形成する。
保護層15を形成するには、図8(a)に示すように、まず、保護層形成用樹脂組成物を、カバー層5の表面、端子部6の表面および金属支持基板2の表面に、上記と同様の方法で、均一に塗布し、乾燥後、必要により(イミド樹脂前駆体を含有する場合)加熱硬化させて、保護層15を形成する。
また、保護層形成用樹脂組成物は、半導電性層形成用樹脂組成物と同様に、樹脂(イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体)、必要により導電性粒子および溶媒を配合することによって、調製することもできる。但し、保護層形成用樹脂組成物では、導電性粒子は、含まないか、あるいは、含んでいても、半導電性層形成用樹脂組成物に含まれている導電性粒子よりも少ない割合で含むように、調製する。導電性粒子を含む場合、導電性粒子の配合割合は、例えば、導電性粒子および樹脂(イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体)の総量100重量部に対して、導電性粒子が、例えば、10重量部未満である。
その後、図8(c)に示すように、エッチングレジスト10から露出する端子部6の表面および金属支持基板2の表面に形成されている保護層15を、上記と同様の方法により、エッチングにより除去する。
これによって、保護層15は、端子部6の表面および金属支持基板2の表面を除くカバー層5の表面に形成される。
また、上記した保護層形成用樹脂組成物に、感光剤を含有させれば、図9に示すように、保護層15をエッチングせずとも、端子部6の表面および金属支持基板2の表面を、保護層15から露出させることができる。
そして、まず、図9(a)に示すように、感光性保護層形成用樹脂組成物を、端子部6の表面、カバー層5の表面および金属支持基板2の表面に、上記と同様の方法で、均一に塗布する。次いで、塗布された感光性保護層形成用樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥させて保護皮膜16を形成する。
その後、図9(d)に示すように、感光性保護層形成用樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、保護皮膜16を、例えば、減圧下、250℃以上で加熱することにより、硬化(イミド化)させて、保護層15を形成する。
また、このようにして形成される保護層15の厚みは、例えば、1.0μm以下、好ましくは、0.3〜1.0μmである。
また、保護層15は、導電性粒子を含有しない場合には、絶縁層からなり、また、導電性粒子を含有する場合でも、その表面抵抗値が、カバー層5の表面抵抗値よりも、大きくなるように設定される。
そして、この回路付サスペンション基板1では、ベース層3およびカバー層5の両方、または、カバー層の片方が、導電性粒子を含む半導電性層からなるので、その半導電性層によって、静電気の帯電を除去して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。また、この回路付サスペンション基板1では、ベース層3およびカバー層5の両方、または、カバー層の片方が、半導電性層であるため、カバー層の上に、さらに半導電性層を形成する必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。
なお、上記の回路付サスペンション基板1では、少なくともカバー層5が半導電性層から形成されていれば、ベース層3は、半導電性層または絶縁層から、その目的および用途によって、適宜選択して形成することができる。
また、図11に示す片面フレキシブル配線回路基板21では、ベース層3、導体パターン4およびカバー層5が順次積層されており、カバー層5が開口されることにより、導体パターン4の露出部分として端子部6が形成されており、ベース層3が半導電性層から形成されており、カバー層5が絶縁層から形成されており、そのベース層3の表面に保護層15が形成されている。
製造例1(ポリアミック酸樹脂Aの製造)
1Lのセパラブルフラスコに、p−フェニレンジアミン27.6g(0.25mol)と4,4’−ジアミノジフェニルエーテル9.0g(0.05mol)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)767gを加えて攪拌し、p−フェニレンジアミンと4,4’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた。
製造例2(感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aの調製)
合成例1で得られたポリアミック酸樹脂Aの溶液に、感光剤(ニフェジピン37.5gとアセチル体25.0g)を添加し、さらに、カーボンブラックの10重量%NMP分散液(デグサ社製、Special Black4)374.7gを添加し、攪拌して、カーボンブラックが均一に分散した感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aを得た。
厚み20μmのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して(図3(a)参照)、その金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、90℃で15分加熱することにより、ベース皮膜を形成した(図5(a)参照)。
次いで、感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aを、導体パターンを被覆するように、ベース層および金属支持基板の表面に、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、90℃で15分加熱することにより、カバー皮膜を形成した(図7(a)参照)。
その後、その保護皮膜を、フォトマスクを介して、700mJ/cm2で露光させ(図9(b)参照)、190℃で10分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した(図9(c)参照)。その後、1.33Paに減圧した状態で、385℃で硬化させることにより、厚み1μmの保護層を、磁気ヘッド側接続端子部および外部側接続端子部の表面および金属支持基板の表面を除くカバー層の表面に形成される所望のパターンで形成した(図9(d)、図3(e)参照)。
実施例2(ベース層:半導電性層/カバー層:半導電性層)
厚み20μmのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して(図3(a)参照)、その金属支持基板の上に、感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aを均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aを、90℃で15分加熱することにより、ベース皮膜を形成した(図5(a)参照)。
次いで、感光性半導電性層形成用樹脂組成物Aを、導体パターンを被覆するように、ベース層および金属支持基板の表面に、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、90℃で15分加熱することにより、カバー皮膜を形成した(図7(a)参照)。
その後、その保護皮膜を、フォトマスクを介して、700mJ/cm2で露光させ(図9(b)参照)、190℃で10分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した(図9(c)参照)。その後、1.33Paに減圧した状態で、385℃で硬化させることにより、厚み1μmの保護層を、磁気ヘッド側接続端子部および外部側接続端子部の表面および金属支持基板の表面を除くカバー層の表面に形成される所望のパターンで形成した(図9(d)、図3(e)参照)。
評価
1)帯電圧測定
各実施例の回路付サスペンション基板について、シシド静電気社製スタチロンDS3を用いて、カバー層の表面とセンサとの間の距離を1mmとして、カバー層の表面の帯電圧(V)を測定した。その結果を表1に示す。
2)電荷量測定
各実施例の回路付サスペンション基板について、春日電機社製NK−1001を用いて、プローブを磁気ヘッド側接続端子部に接触させて、磁気ヘッド側接続端子部の電荷量(nQ)を測定した。その結果を表1に示す。
2 金属支持基板
3 ベース層
4 導体パターン
5 カバー層
6 端子部
15 保護層
Claims (4)
- 金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース層と、前記ベース層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー層と、前記カバー層に開口部が形成されることにより露出される導体層からなる端子部とを備える配線回路基板において、
少なくとも前記カバー層が、導電性粒子を含む半導電性層からなり、
前記カバー層の上に形成される保護層を、さらに備えており、
前記保護層は、前記カバー層の外周側面、および、前記開口部において前記端子部を囲む内周側面を含む前記カバー層の表面において、前記カバー層を被覆するように形成されていることを特徴とする、配線回路基板。 - 前記半導電性層は、導電性粒子が樹脂中に分散されてなり、
前記導電性粒子が、前記導電性粒子および前記樹脂の総量100重量部に対して10〜50重量部の割合で含まれていることを特徴とする、請求項1に記載の配線回路基板。 - 前記導電性粒子が、カーボンブラックであることを特徴とする、請求項1または2に記載の配線回路基板。
- 金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の上にベース層を形成する工程、
前記ベース層の上に導体パターンを形成する工程、
前記ベース層の上に、導電性粒子を含む半導電性層からなり、開口部を備えるカバー層を形成するとともに、前記開口部から露出する前記導体パターンが端子部とされる工程、および、
前記カバー層の外周側面、および、前記開口部において前記端子部を囲む内周側面を含む、前記カバー層の表面を被覆するように、保護層を形成する工程
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005157754A JP4668688B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 配線回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005157754A JP4668688B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 配線回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332548A JP2006332548A (ja) | 2006-12-07 |
JP4668688B2 true JP4668688B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=37553885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005157754A Expired - Fee Related JP4668688B2 (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 配線回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4668688B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8164002B2 (en) | 2006-12-25 | 2012-04-24 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board and producing method thereof |
JP5092656B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-12-05 | 大日本印刷株式会社 | 電子回路部品、及びハードディスクドライブ用サスペンション |
JP5092655B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-12-05 | 大日本印刷株式会社 | 電子回路部品、及びハードディスクドライブ用サスペンション |
JP5611993B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-10-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | 電子回路用途の多層フィルム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817027A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
JPH1077406A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-03-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | 静電気防止芳香族ポリイミドフィルム |
JPH11250434A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 磁気ディスク装置およびヘッドサスペンションアッセンブリ |
JP2001202731A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-07-27 | Toppan Printing Co Ltd | フレクシャ及びその製造方法ならびにそれに用いるフレクシャ用基板 |
JP2003204130A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Achilles Corp | フレキシブルプリント回路基板 |
JP2004115788A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2004158480A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Achilles Corp | フレキシブルプリント回路基板 |
-
2005
- 2005-05-30 JP JP2005157754A patent/JP4668688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817027A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録再生装置 |
JPH1077406A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-03-24 | E I Du Pont De Nemours & Co | 静電気防止芳香族ポリイミドフィルム |
JPH11250434A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 磁気ディスク装置およびヘッドサスペンションアッセンブリ |
JP2001202731A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-07-27 | Toppan Printing Co Ltd | フレクシャ及びその製造方法ならびにそれに用いるフレクシャ用基板 |
JP2003204130A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Achilles Corp | フレキシブルプリント回路基板 |
JP2004115788A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2004158480A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Achilles Corp | フレキシブルプリント回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006332548A (ja) | 2006-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4919727B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP4749221B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP4916235B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP4187757B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP2006225625A (ja) | 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 | |
JP4668688B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
JP5131519B2 (ja) | カバーレイ | |
KR20030016409A (ko) | 금속층이 형성된 내열성 수지 필름 및 배선판, 그리고이들을 제조하는 방법 | |
JP4031756B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP2006332547A (ja) | 配線回路基板 | |
JP4448610B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JP4178166B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP2009021350A (ja) | カバーレイ | |
JP4571013B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP2007002135A (ja) | 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 | |
JP4128998B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
JP4749166B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP2007099867A (ja) | 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 | |
JP4799922B2 (ja) | 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 | |
JP2006332004A (ja) | 配線回路基板 | |
JP2007099866A (ja) | 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 | |
JP4295312B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
JP2007208191A (ja) | 配線回路基板 | |
JP4767284B2 (ja) | 配線回路基板 | |
JP4845514B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |