JP4295312B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、電気機器や電子機器に装備される配線回路基板およびその製造方法に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、通常、ポリイミドからなるベース層と、そのベース層の上に形成された銅箔からなる導体回路と、ベース層の上および導体回路の上に形成されたポリイミドからなるカバー層とを備えており、電子部品を実装して、各種の電気機器や電子機器に搭載されている。
このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、半導電性層を、カバー層の上に形成することが知られている。例えば、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によってカバー層の静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報

また、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、半導電性層を、導体回路の上に形成することも検討されている。
図６は、回路付サスペンション基板の長手方向に直交する幅方向の断面図であって、例えば、この図６に示すように、金属支持基板２２と、金属支持基板２２の上に形成されるベース絶縁層２３と、ベース絶縁層２３の上に形成され、並列配置される複数の配線２７を有する導体パターン２４と、導体パターン２４を被覆するように、ベース絶縁層２３の上に形成されるカバー絶縁層２５とを備える回路付サスペンション基板２１において、半導電性層３０を、ベース絶縁層２３の幅方向両外側における金属支持基板２２の表面、導体パターン２４から露出するベース絶縁層２３の表面、および、導体パターン２４の表面に、幅方向に沿って連続して形成して、その半導電性層３０によって導体パターン２４の静電気の帯電を除去することが試案される。

しかし、上記した回路付サスペンション基板２１では、半導電性層３０は、ベース絶縁層２３の幅方向両外側における金属支持基板２２の表面において接地されるものの、その接地部分が２箇所であるため、外力が幅方向両外側から作用することにより、ベース絶縁層２３の幅方向両外側の半導電性層３０が剥離したときには、接地部分が確保されず、静電気の除去が困難となる場合がある。

本発明の目的は、半導電性層と金属支持基板との接地部分を確実に複数箇所確保することができ、確実に導体パターンの静電気を除去して、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンと、前記導体パターンから露出する前記絶縁層の表面に、前記導体パターンに接触するように形成される半導電性層とを備え、隣接する少なくとも２つの前記配線間において、前記絶縁層には、前記金属支持基板が露出する溝部が形成されており、前記半導電性層が、前記溝部において、前記金属支持基板に接触され、前記半導電性層が、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層の両側面に形成されており、それら前記半導電性層の下端部が前記金属支持基板に接触されていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層が、導電性ポリマーからなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、複数の前記配線は、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層に、１対毎に設けられていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に、前記金属支持基板が露出する溝部が形成されるように絶縁層を形成する工程、
前記溝部を隔てて形成される各前記絶縁層に、１対毎に設けられる複数の配線を有する導体パターンを形成する工程、および、半導電性層を、前記導体パターンから露出する各前記絶縁層の表面に、前記導体パターンおよび前記溝部における前記金属支持基板に接触するように、かつ、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層の両側面に、それら下端部が前記金属支持基板に接触されるように、形成する工程を備えることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記半導電性層を形成する工程において、前記半導電性層を、導電性ポリマーから形成することが好適である。

本発明の配線回路基板によれば、半導電性層は、少なくとも２つの配線間に形成される溝部において、金属支持基板に接触するとともに、溝部を挟む少なくとも２つの絶縁層の外側においても、金属支持基板に接触できる。そうすると、半導電性層は、金属支持基板との接地部分を、複数箇所、確実に確保することができる。そのため、複数箇所における接地により、電荷の安定した減衰性能を得ることができ、導体パターンに帯電する静電気を確実かつ安定して除去することができる。その結果、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することができ、配線回路基板の接続信頼性の向上を図ることができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、半導電性層を、導体パターンおよび溝部における金属支持基板に接触するように形成するとともに、溝部を挟む絶縁層の外側においても、金属支持基板に接触するように形成できる。そうすると、半導電性層は、金属支持基板との接地部分を、複数箇所、確実に確保することができる。そのため、複数箇所における接地により、電荷の安定した減衰性能を得ることができ、導体パターンに帯電する静電気を確実かつ安定して除去することができる。その結果、この製造方法により得られる配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することができ、配線回路基板の接続信頼性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。なお、図１において、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、半導電性層７およびカバー絶縁層５は省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドと、リード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

なお、導体パターン４は、後述するが、磁気ヘッドの接続端子に接続するための磁気ヘッド側接続端子１５と、リード・ライト基板の接続端子に接続するための外部側接続端子１６と、磁気ヘッド側接続端子１５および外部側接続端子１６（以下、単に「端子部１０」と総称する場合がある。）を接続するための複数の配線９とを一体的に備えている。
この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びるように形成されており、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と、外部側接続端子形成領域１８と、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部側接続端子形成領域１８との間に配置される配線形成領域１９とを一体的に備えている。

磁気ヘッド側接続端子形成領域１７は、回路付サスペンション基板１の長手方向一端部（以下、先端部という。）に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７には、複数の配線９の先端部から連続して、幅広のランドとして幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において並列配置される磁気ヘッド側接続端子１５と、磁気ヘッド側接続端子１５を挟んで、金属支持基板２を切り抜くことによって形成される、磁気ヘッドを実装するためのジンバル８とが設けられている。

外部側接続端子形成領域１８は、回路付サスペンション基板１の長手方向他端部（以下、後端部という。）に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、外部側接続端子形成領域１８には、複数の配線９の後端部から連続して、幅広のランドとして幅方向において並列配置される外部側接続端子１６が設けられている。
配線形成領域１９は、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部ヘッド側接続端子領域１８との間において、これらと連続するように、回路付サスペンション基板１の長手方向にわたって配置され、平面視略矩形平帯形状に形成されている。また、配線形成領域１９には、長手方向に沿って延びる複数の配線９が幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。

複数の配線９は、幅方向一方側に並列配置される一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、幅方向他方側に並列配置される他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとから形成されている。なお、一方の１対の配線９ａおよび９ｂのうち、一方の配線９ａは、幅方向外側に配置され、他方の配線９ｂは、幅方向内側に配置されている。また、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄのうち、一方の配線９ｃは、幅方向内側に配置され、他方の配線９ｄは、幅方向外側に配置されている。

これら一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとは、幅方向において間隔を隔てて配置されている。
これら複数の配線９は、磁気ディスクのデータを読み込むためのリード配線と、磁気ディスクにデータを書き込むためのライト配線とのいずれかであって、その組合せにおいて、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂはともにリード配線、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄはともにライト配線である組合せ、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂはともにライト配線、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄはともにリード配線である組合せ、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂにおいて、一方の配線がリード配線で他方の配線がライト配線であるかまたはその逆であり、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄにおいて、一方の配線がリード配線で他方の配線がライト配線であるかまたはその逆である組合せのうちの、いずれかの組合せが選択される。

そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、配線形成領域１９においては、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層７と、金属支持基板２、半導電性層７および導体パターン４の上に形成されるカバー絶縁層５とを備えている。

また、この回路付サスペンション基板１は、図示しないが、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部ヘッド側接続端子領域１８においては、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成され、配線９および端子部１０が一体的に形成される導体パターン４と、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に形成されるカバー絶縁層５とを備えている。

金属支持基板２は、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。
金属支持基板２は、その幅が、通常、０．２〜２．０ｍｍであり、配線形成領域１９においては、例えば、０．４３〜１．２８ｍｍ、好ましくは、０．５〜１．０ｍｍである。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１８〜２５μｍである。

ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。ベース絶縁層３は、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂに対応する第１ベース絶縁層３ａと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄに対応する第２ベース絶縁層３ｂとを備えている。つまり、これら第１ベース絶縁層３ａおよび第２ベース絶縁層３ｂは、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されており、第１ベース絶縁層３ａが、幅方向一方側に配置され、第２ベース絶縁層３ｂが、第１ベース絶縁層３ａと幅方向において対向配置するように、幅方向他方側に配置されている。

これによって、ベース絶縁層３には、配線形成領域１９において、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間に、金属支持基板２の幅方向途中が露出する溝部６が、形成されている。また、ベース絶縁層３は、配線形成領域１９において、金属支持基板２の幅方向両端部１１、より具体的には、金属支持基板２の幅方向一端部１１ａおよび幅方向他端部１１ｂの上面を、露出させている。

ベース絶縁層３は、配線形成領域１９において、第１ベース絶縁層３ａの幅が、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２１０〜６３０μｍであり、第２ベース絶縁層３ｂの幅が、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２１０〜６３０μｍである。また、溝部６の幅は、例えば、３０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍ、さらに好ましくは、３０〜７０μｍである。また、ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。

導体パターン４は、上記したように幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線９と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される各端子部１０（図１参照）とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
この導体パターン４では、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとが、それぞれ、溝部６を隔てて設けられる第１ベース絶縁層３ａの上と、第２ベース絶縁層３ｂの上とに、１対毎に設けられている。また、各端子部１０の表面には、必要に応じて、図示しない金属めっき層が形成されている。

導体パターン４において、各配線９の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜７０μｍである。
一方の１対の配線９ａおよび９ｂ間の間隔と、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄ間の間隔とは、それぞれ、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜４０μｍである。また、一方の１対の配線９ａおよび９ｂのうちの、幅方向内側の配線９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄのうちの、幅方向内側の配線９ｃとの間の間隔は、例えば、５０〜５４０μｍ、好ましくは、７０〜２４０μｍである。

導体パターン４の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、３〜１７μｍである。
半導電性層７は、配線形成領域１９において、導体パターン４から露出するベース絶縁層３を被覆するように形成されている。より具体的には、半導電性層７は、導体パターン４から露出し、かつ、カバー絶縁層５に被覆されるベース絶縁層３の表面に形成されている。すなわち、半導電性層５は、ベース絶縁層３と、カバー絶縁層５との間に介在されるように形成されている。

また、半導電性層７は、ベース絶縁層３の第１ベース絶縁層３ａおよび第２ベース絶縁層３ｂに対応して、第１半導電性層７ａと第２半導電性層７ｂとを備えている。
第１半導電性層７ａは、一方の１対の配線９ａおよび９ｂから露出する第１ベース絶縁層３ａの表面に形成されている。より具体的には、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの各幅方向両側面と接触するように、一方の１対の配線９ａおよび９ｂから露出する第１ベース絶縁層３ａの上面および幅方向両側面に、形成されている。また、第１半導電性層７ａは、第１ベース絶縁層３ａから露出する金属支持基板２の上面に形成され、より具体的には、第１ベース絶縁層３ａの幅方向一側面に形成され、金属支持基板２の幅方向一端部１１ａの上面に積層される部分が第１下端部１２とされ、第１ベース絶縁層３ａの幅方向他側面に形成され、溝部６における金属支持基板２の幅方向一端部の上面に積層される部分が第２下端部１３とされている。

また、第２半導電性層７ｂは、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄから露出する第２ベース絶縁層３ｂの表面に形成されている。より具体的には、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの各幅方向両側面と接触するように、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄから露出する第２ベース絶縁層３ｂの上面および幅方向両側面に、形成されている。また、第２半導電性層７ｂは、第２ベース絶縁層３ｂから露出する金属支持基板２の上面に形成され、より具体的には、第２ベース絶縁層３ｂの幅方向一側面に形成され、溝部６における金属支持基板２の幅方向他端部の上面に積層される部分が第３下端部１４とされ、第２ベース絶縁層３ｂの幅方向他側面に形成され、金属支持基板２の幅方向他端部１１ｂの上面に積層される部分が第４下端部３５とされている。

これにより、第１半導電性層７ａは、その厚み方向下側において、第１ベース絶縁層３ａと接触し、その厚み方向上側において、カバー絶縁層５と接触している。また、第１半導電性層７ａは、幅方向において、一方の１対の配線９ａおよび９ｂと接触し、厚み方向下側において、第１下端部１２および第２下端部１３が金属支持基板２と接触している。
また、第２半導電性層７ｂは、その厚み方向下側において、第２ベース絶縁層３ｂと接触し、その厚み方向上側において、カバー絶縁層５と接触している。また、第２半導電性層７ｂは、幅方向において、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄと接触し、厚み方向下側において、第３下端部１４および第４下端部３５が金属支持基板２と接触している。

要するに、各半導電性層７は、金属支持基板２、各ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５に、それぞれ接触している。
各半導電性層７の厚みは、例えば、５〜５０ｎｍ、好ましくは、１０〜４０ｎｍである。
カバー絶縁層５は、配線形成領域１９においては、半導電性層７から露出する金属支持基板２、導体パターン４および半導電性層７の上に、パターンとして形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、配線形成領域１９における幅方向において、第１ベース絶縁層３ａの幅方向両側面に形成される第１半導電性層７ａを被覆し、第２ベース絶縁層３ｂの幅方向両側面に形成される第２半導電性層７ｂを被覆して、かつ、第１半導電性層７ａおよび第２半導電性層７ｂの間における金属支持基板２の上面を被覆するように、連続して形成されている。また、カバー絶縁層５は、配線形成領域１９における幅方向において、金属支持基板２の幅方向両端部１１（幅方向一端部１１ａおよび幅方向他端部１１ｂ）の両端縁の上面を露出するように形成されている。

また、カバー絶縁層５は、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、図示しないが、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、パターンとして形成されている。
カバー絶縁層５の幅は、配線形成領域１９において、例えば、０．１５〜１．９５ｍｍ、好ましくは、０．３８〜１．２３ｍｍである。また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。

図３および図４は、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および図４を参照して、説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。

金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。
この方法では、次いで、図３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応し、溝部６が形成されるパターンとして形成する。

ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、パターンでベース絶縁層３を形成するためには、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

ベース絶縁層３を、感光性ポリイミドから形成する部分には、例えば、まず、図３（ｂ）に示すように、感光剤を含むポリイミド前駆体（以下、感光性ポリアミック酸樹脂という。）のワニスを調製して、そのワニスを、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥して、ベース皮膜３３を形成する。

次いで、図３（ｃ）に示すように、ベース皮膜３３を、フォトマスク３４を介して露光する。ネガ画像でパターンニングする場合には、ベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分３４ａが対向し、ベース絶縁層３を形成する部分には、光透過部分３４ｂが対向するように、フォトマスク３４を配置して、露光する。
次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図３（ｄ）に示すように、ベース皮膜３３における遮光部分３４ａが対向していた未露光部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ現像液などを用いて、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、ベース皮膜３３が、上記したパターンに形成される。

なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、ベース絶縁層３を形成しない部分には、光透過部分３４ｂが対向し、ベース絶縁層３を形成する部分には、遮光部分３４ａが対向するように、フォトマスク３４を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
その後、図３（ｅ）に示すように、ベース皮膜３３を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース絶縁層３を形成する。

これによって、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応し、溝部６が形成されるパターンとして形成する。
この方法では、次いで、図４（ｆ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、形成する。
導体パターン４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの金属箔が用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅箔が用いられる。

導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン４を、上記した端子部１０および配線９が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、必要により接着剤層を介して導体を積層し、次いで、この導体の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体をエッチングして導体パターン４を形成し、その後に、エッチングレジストを除去する。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の表面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。

次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、半導電性層７を、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面に、導体パターン４および金属支持基板２（金属支持基板２の幅方向両端部１１ａおよび１１ｂ、および、溝部６における幅方向両端部）に接触するように、形成する。
半導電性層７を形成する半導電性材料としては、例えば、樹脂または金属が用いられる。

樹脂としては、例えば、導電性ポリマー、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
これら半導電性層７を形成する半導電性材料のうち、好ましくは、導電性ポリマーが用いられる。
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが用いられる。好ましくは、ポリアニリンが用いられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。

金属としては、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。これら金属は、単独使用または２種以上併用することができる。
半導電性層７を導電性ポリマーから形成するには、例えば、回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、ポリマーが析出するように重合させる方法、例えば、回路付サスペンション基板１に、導電性ポリマーの溶液を塗布し、溶媒を乾燥させる方法などが用いられる。

回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、ポリマーが析出するように重合させる方法では、例えば、まず、図４（ｆ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。
導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。

モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸などが用いられる。これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

重合開始剤としては、例えば、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。

また、重合開始剤を導電性ポリマーの重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００２〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。

そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する。この浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。

これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層７が、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。
次いで、この方法では、必要により、半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングする。

半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層７が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。

ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
半導電性層７が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。また、ドーピング剤溶液の浸漬温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。

上記した半導電性層７の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
なお、上記した導電性ポリマーからなる半導電性層７を、例えば、特開平５−３３１４３１号公報、特開平９−２０７２５９号公報、特開２００３−１２４５８１号公報、特開２００３−２０３４３６号公報、特開２００３−２０４１３０号公報、特開２００４−１５８４８０号公報の記載などに準拠して形成することもできる。

また、回路付サスペンション基板１に、導電性ポリマーの溶液を塗布し、溶媒を乾燥させる方法では、例えば、まず、導電性ポリマーの溶液を調製する。
導電性ポリマーの溶液を調製するには、例えば、モノマー溶液に、重合開始剤溶液を配合することにより、モノマーを重合させて、導電性ポリマーを得る。次いで、得られた導電性ポリマーを、溶媒に溶解することにより、導電性ポリマーの溶液を調製する。

モノマー溶液は、例えば、モノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。また、モノマーとしては、上記と同様のものが用いられる。溶媒としては、上記した導電性ポリマーの重合液の調製に用いた溶媒と同様の溶媒が用いられる。重合開始剤溶液は、上記と同様のものが用いられる。
モノマー溶液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤が配合されたときの、モノマー溶液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。

上記したモノマーの重合により、導電性ポリマーが得られ、例えば、得られた粉末を濾別して十分に洗浄することにより、導電性ポリマーの粉末を得ることができる。
導電性ポリマーの溶液を調製するための溶媒としては、導電性ポリマーを溶解できれば特に限定されず、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、スルホランなどの有機溶媒が用いられる。

導電性ポリマーの溶液の調製においては、導電性ポリマーの濃度が、例えば、０．１〜１００ｇ／Ｌとなるように、溶媒を配合する。
次いで、調製した導電性ポリマーの溶液を、図４（ｆ）で示す製造途中の回路付サスペンション基板１に、例えば、キャスティングなどの公知の塗布方法により塗布し、その後、溶媒を、例えば、５０〜２００℃、好ましくは、７０〜１２０℃で、例えば、１〜６０分間、好ましくは、１〜１０分間、加熱することにより、乾燥させる。

これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層７が、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面において析出するように形成される。
その後、半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。
次いで、この方法では、必要により、半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングする。半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングするには、上記と同様の方法が用いられる。上記した半導電性層７の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。

その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
なお、上記した導電性ポリマーからなる半導電性層７を、例えば、特開２００２−２７５２６１号公報の記載などに準拠して形成することもできる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。

イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミック酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。

導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
ドーピング剤としては、上記と同様のものが用いられる。ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、半導電性層７を形成した後、半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。

カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。
金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。

これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４の表面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面との全面に、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。

また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
その後、金属支持基板２の表面および導体パターン４の表面に形成された半導電性層７をエッチングなどで除去することより、半導電性層７を上記したパターンで形成する。

また、半導電性層７を金属から形成するには、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。なお、上記した方法で導電性ポリマーを金属から形成する場合において、スパッタリングまたは加熱酸化の後に、半導電性層７が導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面に形成されるように、金属支持基板２の表面および導体パターン４の表面に形成された半導電性層７を、エッチングなどにより除去する。

これにより、半導電性層７を、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面に、導体パターン４および金属支持基板２に接触して電気的に接続されるように、形成することができる。
このようにして形成される半導電性層７の表面抵抗値は、例えば、１０⁴〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□の範囲に設定される。半導電性層７の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層７の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、カバー絶縁層５を、配線形成領域１９においては、半導電性層７から露出する金属支持基板２、導体パターン４および半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、形成する。

カバー絶縁層５を形成する絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体を用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、配線形成領域１９においては、金属支持基板２、導体パターン４、半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７および外部ヘッド側接続端子領域１８においては、導体パターン４およびベース絶縁層３の上に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜を形成する。

その後、上記と同様の方法により、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、上記と同様の方法により、カバー絶縁層５を形成しない部分を、現像により除去する。その後、カバー皮膜を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー絶縁層５を形成する。
これにより、カバー絶縁層５を、配線形成領域１９においては、半導電性層７から露出する金属支持基板２、導体パターン４および半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、形成する。

その後、この方法では、端子部１０の表面に、必要に応じて、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、半導電性層７、すなわち、第１半導電性層７ａおよび第２半導電性層７ｂは、溝部６において、第２下端部１３および第３下端部１４が金属支持基板２にそれぞれ接触するとともに、ベース絶縁層３の幅方向外側、すなわち、第１ベース絶縁層３ａの幅方向一側面および第２ベース絶縁層３ｂの幅方向他側面においても、第１下端部１２および第４下端部３５が金属支持基板２にそれぞれ接触している。

そうすると、半導電性層７は、金属支持基板２との接地部分を、４箇所確実に確保することができる。すると、例えば、外力が、回路付サスペンション基板１の幅方向外側から作用して、第１下端部１２や第４下端部３５が剥離したときでも、溝部６における第２下端部１３や第３下端部１４によって、金属支持基板２との接地部分を確実に確保することができる。

そのため、このような接地により、電荷の安定した減衰性能を得ることができ、導体パターン４に帯電する静電気を確実かつ安定して除去することができる。その結果、回路付サスペンション基板１に実装される電子部品の静電破壊を防止することができ、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を図ることができる。
また、この回路付サスペンション基板１では、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとが、それぞれ、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとに、１対毎に設けられている。そのため、一方の１対の配線９ａおよび９ｂに帯電する静電気と、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄに帯電する静電気とを、確実に除去することができる。その結果、回路付サスペンション基板１に実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を確実に図ることができる。

なお、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法において、半導電性層７を、導電性ポリマーから形成すれば、半導電性層７の導電性ポリマーとベース絶縁層３（樹脂）との密着力が高いことから、半導電性層７をベース絶縁層３の表面に確実に形成することができる。
また、この場合には、半導電性層７の形成においてスパッタリング装置などが不要であるため、半導電性層５を簡単に形成することができる。そのため、回路付サスペンション基板１の製造工程を容易にすることができる。

図５は、本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板の幅方向の断面図である。なお、上記した各部に対応する部材については、図５において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明において、カバー絶縁層５は、第２下端部１３と第３下端部１４との間においては、溝部６を被覆するように、連続して形成したが、例えば、図５に示すように、カバー絶縁層５を、第２下端部１３と第３下端部１４との間においては、溝部６の幅方向途中が露出されるように、幅方向において分離して形成することもができる。

また、上記した説明では、１対の配線が設けられるベース絶縁層３を、第１ベース絶縁層３ａおよび第２ベース絶縁層３ｂから、２つ形成したが、その数は特に限定されず、例えば、図示しないが、幅方向において互いに間隔を隔てて、３つ以上の複数個、形成することができる。なお、この場合には、半導電性層７を、各ベース絶縁層３に対応して、各ベース絶縁層３の表面に形成することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した（図３（ｂ）参照）。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ（図３（ｃ）参照）、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図３（ｄ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、配線形成領域に、第１ベース絶縁層と第２ベース絶縁層とを備え、導体パターンが形成される部分に対応し、溝部が形成されるパターンで形成した（図３（ｅ）参照）。第１ベース絶縁層の幅は２４０μｍ、第２ベース絶縁層の幅は５２０μｍ、溝部の幅は５０μｍであった。ベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。

次いで、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線と、各配線の先端部および後端部からそれぞれ接続される各端子部とを備える配線回路パターンとして形成した（図４（ｆ）参照）。配線形成領域においては、各配線の幅は４０μｍであった。一方の１対の配線間の間隔と、他方の１対の配線間の間隔とは、それぞれ、２５μｍ、一方の１対の配線のうちの、幅方向内側の配線と、他方の１対の配線のうちの、幅方向内側の配線との間隔は１５０μｍであった。

次いで、配線形成領域において、半導電性層を、導体パターンから露出するベース絶縁層の表面に、導体パターンおよび金属支持基板（金属支持基板の幅方向両端部、および、溝部における幅方向両端部）に接触するように形成した。
半導電性層の形成では、まず、ポリアニリン粉末を調製した。
ポリアニリン粉末の調製では、攪拌装置、温度計および直管アダプターを備えた１０Ｌ容量セパラブルフラスコに、蒸留水６０００ｇ、３６％塩酸３６０ｍＬおよびアニリン４００ｇ（４．２９５モル）を配合して攪拌することにより、アニリンのモノマー溶液を調製した。このアニリンのモノマー溶液に、２８％硫酸水溶液１９２７ｇ（硫酸：４．２９５モル）を冷却しながら配合し、次いで、３０％重合開始剤溶液３２７３ｇ（ペルオキソ二硫酸アンモニウム：４．２９５モル）を、アニリンのモノマー溶液が−３℃以下に保持されるように、冷却しながら、攪拌下で徐々に滴下した。その後、反応溶液が−３℃以下に保持されるように、さらに１時間攪拌した。これにより、ポリアニリン粉末が析出された。

その後、ポリアニリン粉末を濾別し、水洗およびアセトン洗浄した後、これを、２Ｎアンモニア水４Ｌ中に投入して、オートホモミキサーにて回転数５０００ｒｐｍで５時間攪拌した。その後、ポリアニリン粉末を濾別し、さらに、十分に水洗およびアセトン洗浄することにより、ポリアニリン粉末を調製した。
次いで、調製されたポリアニリン粉末のうちの１０ｇを、ＮＭＰ９０ｇに溶解することにより、ポリアニリンのＮＭＰ溶液を調製した。

次いで、上記した回路付サスペンション基板に、このポリアニリンのＮＭＰ溶液を、キャスティングにより塗布した。
その後、８０℃で、１０分間、乾燥して、ポリアニリンからなる半導電性層を形成した。次いで、半導電性層が形成された回路付サスペンション基板を、２０重量％ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂水溶液に、８０℃で、１０分間、浸漬することにより、半導電性層をドーピングした。その後、これを水洗した（図４（ｇ）参照）。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは３０ｎｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０⁷Ω／□であった。

次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、配線形成領域においては、金属支持基板、導体パターンおよび半導電性層の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子形成領域および外部ヘッド側接続端子領域においては、導体パターンおよびベース絶縁層の上に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をネガ画像でパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、配線形成領域においては、半導電性層から露出する金属支持基板、導体パターン、半導電性層の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域および外部側接続端子領域においては、配線を被覆し、かつ、端子部を開口するように、ベース絶縁層の上に、パターンとして形成した（図４（ｈ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

その後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
比較例１
実施例１において、ベース絶縁層の形成において、溝部を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。

（評価）
帯電減衰性能
実施例１および比較例１により得られた回路付サスペンション基板に、クリーンスティック（ＨＴ−１９５０、石原産業（株）製）によって、その幅方向外側から外力を作用させた後、この回路付サスペンション基板について、ナノクーロンメータ（春日電機（株）製）により、帯電減衰性能を評価した。その結果、０．１ｎＣ（ナノクーロン）の電荷が減衰するのに、実施例１の回路付サスペンション基板では、減衰時間が０．１０秒で、その標準偏差が０．０１であった。一方、比較例１の回路付サスペンション基板では、減衰時間が２．００秒で、その標準偏差が０．５０であった。

実施例１の回路付サスペンション基板は、比較例１の回路付サスペンション基板に比べて、安定した減衰性能を得ることができた。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。 図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース皮膜を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程（ｄ）は、ベース皮膜の未露光部分を現像により除去する工程（ｅ）は、ベース皮膜を硬化させてベース絶縁層を形成する工程を示す。 図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図であって、（ｆ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｇ）は、半導電性層を、導体パターンから露出するベース絶縁層の表面に、導体パターンおよび金属支持基板に接触するように、形成する工程、（ｈ）は、カバー絶縁層を、配線形成領域においては、半導電性層から露出する金属支持基板、導体パターンおよび半導電性層の上に、形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板の幅方向の断面図である。 回路付サスペンション基板（溝部のない態様）の幅方向の断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
３ａ 第１ベース絶縁層
３ｂ 第２ベース絶縁層
４ 導体パターン
６ 溝部
７ 半導電性層
７ａ 第１半導電性層
７ｂ 第２半導電性層
９ 配線

Claims (5)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、
   前記絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンと、
   前記導体パターンから露出する前記絶縁層の表面に、前記導体パターンに接触するように形成される半導電性層とを備え、
   隣接する少なくとも２つの前記配線間において、前記絶縁層には、前記金属支持基板が露出する溝部が形成されており、
   前記半導電性層が、前記溝部において、前記金属支持基板に接触され、
   前記半導電性層が、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層の両側面に形成されており、それら前記半導電性層の下端部が前記金属支持基板に接触されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記半導電性層が、導電性ポリマーからなることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 複数の前記配線は、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層に、１対毎に設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に、前記金属支持基板が露出する溝部が形成されるように絶縁層を形成する工程、
   前記溝部を隔てて形成される各前記絶縁層に、１対毎に設けられる複数の配線を有する導体パターンを形成する工程、および、
   半導電性層を、前記導体パターンから露出する各前記絶縁層の表面に、前記導体パターンおよび前記溝部における前記金属支持基板に接触するように、かつ、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層の両側面に、それら下端部が前記金属支持基板に接触されるように、形成する工程を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
5. 前記半導電性層を形成する工程において、前記半導電性層を、導電性ポリマーから形成することを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。

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