JP4865573B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、そのベース絶縁層上に形成される、銅箔などからなる導体層と、ベース絶縁層の上に、その導体層を被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によって、静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報

しかし、特許文献１に記載されるカバー層の上に形成される導電ポリマー層のみでは、静電気の帯電の除去が不十分であり、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができないことがある。
本発明の目的は、静電気の帯電を効率的に除去して、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記導体パターンの上面および側面と、前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上面とに連続して形成される第１半導電性層と、前記第１半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層と、前記カバー絶縁層の上に形成される第２半導電性層とを備え、前記第１半導電性層および前記第２半導電性層は、前記金属支持基板と電気的に接続され、前記第１半導電性層と前記第２半導電性層とが、互いに接触していることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンは、前記カバー絶縁層が開口されることにより露出する端子部を含み、前記第２半導電性層は、少なくとも一端が前記端子部と電気的に接続され、少なくとも他端が前記金属支持基板と電気的に接続されていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１半導電性層の表面抵抗値が、１０⁵〜１０¹³Ω／□であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記第２半導電性層の表面抵抗値が、１０⁵〜１０¹³Ω／□であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記第１半導電性層および前記第２半導電性層が、ともに酸化金属からなることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記第２半導電性層の表面抵抗値が、１０⁴〜１０¹²Ω／□であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記第１半導電性層が、酸化金属からなり、前記第２半導電性層が、導電性ポリマーからなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンとを形成する工程、第１半導電性層を、前記導体パターンの表面および前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の表面に、前記金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程、カバー絶縁層を、前記第１半導電性層の上に形成する工程、前記カバー絶縁層から露出する前記第１半導電性層を除去する工程、および、第２半導電性層を、前記カバー絶縁層の表面および前記カバー絶縁層から露出する前記ベース絶縁層の表面に、前記金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程を備えることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１半導電性層を形成する工程において、前記第１半導電性層を、酸化金属から形成し、前記第２半導電性層を形成する工程において、前記第２半導電性層を、導電性ポリマーから形成することが好適である。

本発明の配線回路基板では、導体パターンの上に形成される第１半導電性層と、カバー絶縁層の上に形成される第２半導電性層とを備え、これら第１半導電性層と第２半導電性層とが、金属支持基板と電気的に接続されている。そのため、第１半導電性層と第２半導電性層とによって、導体パターンおよびカバー絶縁層に帯電する静電気を、効率的に除去することができ、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。

また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、第１半導電性層を、導体パターンの表面および導体パターンから露出するベース絶縁層の表面に、金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程、および、第２半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびカバー絶縁層から露出するベース絶縁層の表面に、金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程を備えている。そのため、この製造方法により得られる配線回路基板では、第１半導電性層と第２半導電性層とによって、導体パターン、ベース絶縁層およびカバー絶縁層に帯電する静電気を、効率的に除去することができ、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向における断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向における部分断面図である。なお、図１において、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、第１半導電性層５、カバー絶縁層６および第２半導電性層７は省略されている。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（外部）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａと、外部側接続端子部８Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂを接続するための配線９とを、一体的に連続して備えている。
配線９は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。

磁気ヘッド側接続端子部８Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線９の先端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部８Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
外部側接続端子部８Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線９の後端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この外部側接続端子部８Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。

また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１０が設けられている。ジンバル１０は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２および図３に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターン４の上に形成される第１半導電性層５と、第１半導電性層５の上に形成されるカバー絶縁層６と、カバー絶縁層６の上に形成される第２半導電性層７とを備えている。

金属支持基板２は、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。
金属支持基板２の長さ（長手方向長さ）および幅（幅方向長さ）は、目的および用途により、適宜選択される。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、図２に示すように、幅方向において、金属支持基板２の幅方向一端部１１と、金属支持基板２の幅方向他端部１２とが露出するように、金属支持基板２の幅方向途中に形成されている。また、ベース絶縁層３は、図３に示すように、長手方向において、金属支持基板２の長手方向一端部２３と、金属支持基板２の長手方向他端部２８とが露出するように、金属支持基板２の長手方向途中に形成されている。

ベース絶縁層３の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上で、上記したように互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線９と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂとを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂは、特に区別が必要でない場合は、単に端子部８として説明する。

各配線９の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍ、各配線９間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
また、各端子部８の幅は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜５００μｍ、各端子部８間の間隔は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜５００μｍである。

第１半導電性層５は、カバー絶縁層６に被覆される金属支持基板２およびベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されている。すなわち、第１半導電性層５は、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４と、カバー絶縁層６との間に介在されるように、形成されている。
また、第１半導電性層５は、図２に示すように、幅方向において、ベース絶縁層３の幅方向一端部１３および金属支持基板２の幅方向他端部１２の端縁が露出するように、形成されている。また、第１半導電性層５は、図３に示すように、長手方向において、ベース絶縁層３の長手方向一端部２２および金属支持基板２の長手方向他端部２８が露出するように、形成されている。また、第１半導電性層５は、端子部８が露出するように形成されている。

より具体的には、第１半導電性層５は、図２および図３に示すように、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面（ベース絶縁層３の幅方向一端部１３および長手方向一端部２２の上面を除く。）および側面（ベース絶縁層３の幅方向一端部１３および長手方向一端部２２の側面を除く。）と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面（金属支持基板２の幅方向一端部１１および長手方向一端部２３の上面を除く。）とに、幅方向および長手方向に沿って連続して形成されている。

これにより、第１半導電性層５は、その厚み方向下側において、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４と接触して電気的に接続されている。また、第１半導電性層５は、その厚み方向上側において、カバー絶縁層６と接触して電気的に接続されている。
カバー絶縁層６は、第１半導電性層５の上に形成され、より具体的には、平面視において第１半導電性層５と同一位置に設けられている。

すなわち、カバー絶縁層６は、導体パターン４の上面および側面に形成される第１半導電性層５の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面に形成される第１半導電性層５の上面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の側面（ベース絶縁層３の幅方向他端部１４の側面およびベース絶縁層３の長手方向他端部２７の側面）に形成される第１半導電性層５の側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に形成される第１半導電性層５の上面とに、幅方向および長手方向に沿って連続して形成されている。

また、カバー絶縁層６には、図３に示すように、平面視における端子部８に対応する位置が開口されることにより、開口部１７が形成され、この開口部１７から端子部８が露出するように、形成されている。
カバー絶縁層６の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。

第２半導電性層７は、図２および図３に示すように、カバー絶縁層６の表面およびカバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面に形成されている。すなわち、第２半導電性層７は、図２に示すように、幅方向において、金属支持基板２の幅方向一端部１１が露出するように、かつ、金属支持基板２の幅方向他端部１２の上面を被覆するように、形成されている。また、第２半導電性層７は、図３に示すように、長手方向において、金属支持基板２の長手方向一端部２３および金属支持基板２の長手方向他端部２８が露出するように、形成されている。

より具体的には、第２半導電性層７は、カバー絶縁層６の上面および側面（幅方向一端部１５の側面、幅方向他端部１６の側面、長手方向一端部３１の側面および長手方向他端部３２の側面）と、第１半導電性層５から露出するベース絶縁層３の幅方向一端部１３および長手方向一端部２２の上面および側面とに、幅方向および長手方向に沿って連続して形成されている。

また、第２半導電性層７は、端子部８が露出するように、形成されている。より具体的には、第２半導電性層７は、端子部８の開口部１７において、カバー絶縁層６の内側面に形成されており、このカバー絶縁層６の内側面に形成される第２半導電性層７の下端部（後述する第５下端部２６）が、端子部８の周端縁の上面に積層されている。
これにより、第２半導電性層７は、図２に示すように、幅方向において、金属支持基板２の幅方向一端部１１の上面における他端としての第１下端部２４と、金属支持基板２の幅方向他端部１２の上面における他端としての第２下端部２５とが、金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。また、第２半導電性層７は、図３に示すように、長手方向において、金属支持基板２の長手方向一端部２３の上面における他端としての第３下端部２９と、金属支持基板２の長手方向他端部２８の上面における他端としての第４下端部３０とが、金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。また、第２半導電性層７は、端子部８の周端縁の上面における一端としての第５下端部２６が、端子部８と接触して電気的に接続されている。

さらに、第２半導電性層７は、図２に示すように、幅方向において、ベース絶縁層３の幅方向一端部１３の上面に形成される第２半導電性層７と、カバー絶縁層６の幅方向一端部１５の側面に形成される第２半導電性層７との第１連続部分３３が、第１半導電性層５の幅方向一端部１８と接触して電気的に接続されている。また、第２半導電性層７は、図３に示すように、長手方向において、ベース絶縁層３の長手方向一端部２２の上面に形成される第２半導電性層７と、カバー絶縁層６の長手方向一端部３１の側面に形成される第２半導電性層７との第２連続部分３４が、第１半導電性層５の長手方向一端部３６と接触して電気的に接続されている。

すなわち、この第２半導電性層７は、金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、導体パターン４の端子部８と、第１半導電性層５と、カバー絶縁層６とに接触して電気的に接続されている。
また、この回路付サスペンション基板１において、端子部８の上面（第２半導電性層７の第５下端部２６が積層される上面を除く。）には、図示しない金属めっき層が形成されている。

図４および図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す幅方向における断面図である。
次に、この回路付サスペンション基板の製造方法について、図４および図５を参照して、説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。

金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応する上記したパターンとして形成する。

ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。
ベース絶縁層３をパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、上記した端子部８および配線９を一体的に備える配線回路パターンとして形成する。

導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の上面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４を、上記した配線回路パターンとして形成する。

サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面（上面および側面）に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。

次いで、この導体薄膜の上面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。

次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、第１半導電性層５を、導体パターン４の表面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面とに、これらに連続するように形成する。
第１半導電性層５を形成する半導電性材料としては、金属または樹脂が用いられる。好ましくは、金属が用いられる。

金属は、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
酸化金属からなる第１半導電性層５の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。

金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入するスパッタリング法によりスパッタリングした後、必要に応じて、加熱炉などを用いて、大気中で、５０〜４００℃、１分〜１２時間、加熱により酸化することにより、酸化金属からなる第１半導電性層５を形成する。

反応性スパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、クロムなどの金属をターゲットとして、酸素を含む反応性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる第１半導電性層５を形成する。
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、酸化クロムなどの酸化金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる第１半導電性層５を形成する。

なお、上記した金属（酸化金属など）から形成される第１半導電性層５は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
樹脂としては、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。

イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミック酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。

導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。

ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、第１半導電性層５を形成した後、第１半導電性層５が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。
カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。

金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。

これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４の表面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面との全面に、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。

また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これにより、第１半導電性層５を、導体パターン４の表面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面とに、これらに連続するように形成することができる。

このようにして形成された第１半導電性層５の厚みは、例えば、１〜４０ｎｍ、好ましくは、３〜２０ｎｍである。
また、この第１半導電性層５の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹³Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、さらに好ましくは、１０⁶〜１０⁹Ω／□の範囲に設定される。第１半導電性層５の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、第１半導電性層５の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、カバー絶縁層６を、上記したパターンで、第１半導電性層５の上に、形成する。
カバー絶縁層６を形成する絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

カバー絶縁層６を、上記したパターンで、第１半導電性層５の上に形成するには、例えば、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、第１半導電性層５の表面の全面に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜を形成する。
その後、上記と同様の方法により、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、上記と同様の方法により、カバー絶縁層６を形成しない部分を、現像により除去する。その後、カバー皮膜を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー絶縁層６を形成する。

これにより、カバー絶縁層６を、上記したパターンで、第１半導電性層５の上に、形成することができる。
このようにして形成されるカバー絶縁層６の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、３〜５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、カバー絶縁層６から露出する第１半導電性層５を除去する。

カバー絶縁層６から露出する第１半導電性層５は、例えば、エッチングにより、除去される。
カバー絶縁層６から露出する第１半導電性層５の除去は、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、カバー絶縁層６をエッチングレジストとして、ウエットエッチングする。

これにより、第１半導電性層５を、平面視においてカバー絶縁層６と同一位置に、形成することができる。なお、カバー絶縁層６に被覆され、除去されていない第１半導電性層５は、金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、第２半導電性層７を、カバー絶縁層６の表面およびカバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面に、上記したパターンで形成する。

第２半導電性層７を形成する半導電性材料としては、例えば、上記した金属および樹脂（半導電性樹脂組成物）の他に、導電性ポリマーからなる樹脂が用いられる。好ましくは、金属、導電性ポリマーが用いられる。
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが用いられる。好ましくは、ポリアニリンが用いられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。

第２半導電性層７を導電性ポリマーから形成するには、例えば、回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、ポリマーが析出するように重合させる方法、例えば、回路付サスペンション基板１に、導電性ポリマーの溶液を塗布し、溶媒を乾燥させる方法などが用いられる。
回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、ポリマーが析出するように重合させる方法では、例えば、まず、図５（ｆ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。

導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。
モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。

溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸などが用いられる。これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。
重合開始剤としては、例えば、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。

また、重合開始剤を導電性ポリマーの重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００２〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。

そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する。この浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。

これにより、導電性ポリマーからなる第２半導電性層７が、カバー絶縁層６の表面およびカバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。この第２半導電性層７は、金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。
その後、第２半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。

次いで、この方法では、第２半導電性層７の導電性ポリマーは、必要により、ドーピングにより導電性が付与される。
第２半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した第２半導電性層７が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。

ドーピング剤は、上記と同様のものが用いられる。ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
第２半導電性層７が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。また、ドーピング剤溶液の浸漬温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。

上記した第２半導電性層７の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた第２半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
なお、上記した導電性ポリマーからなる第２半導電性層７を、例えば、特開平５−３３１４３１号公報、特開平９−２０７２５９号公報、特開２００３−１２４５８１号公報、特開２００３−２０３４３６号公報、特開２００３−２０４１３０号公報、特開２００４−１５８４８０号公報の記載などに準拠して形成することもできる。

また、回路付サスペンション基板１に、導電性ポリマーの溶液を塗布し、溶媒を乾燥させる方法では、例えば、まず、導電性ポリマーの溶液を調製する。
導電性ポリマーの溶液を調製するには、例えば、モノマー溶液に、重合開始剤溶液を配合することにより、モノマーを重合させて、導電性ポリマーを得る。次いで、得られた導電性ポリマーを、溶媒に溶解することにより、導電性ポリマーの溶液を調製する。

モノマー溶液は、例えば、モノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。また、モノマーとしては、上記と同様のものが用いられる。溶媒としては、上記した導電性ポリマーの重合液の調製に用いた溶媒と同様の溶媒が用いられる。重合開始剤溶液は、上記と同様のものが用いられる。
モノマー溶液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤が配合されたときの、モノマー溶液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００１〜１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。

上記したモノマーの重合により、導電性ポリマーが得られ、例えば、得られた粉末を濾別して十分に洗浄することにより、導電性ポリマーの粉末を得ることができる。
導電性ポリマーの溶液を調製するための溶媒としては、導電性ポリマーを溶解できれば特に限定されず、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、スルホランなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。

導電性ポリマーの溶液の調製においては、導電性ポリマーの濃度が、例えば、１０〜２００ｇ／Ｌ、好ましくは、５０〜１５０ｇ／Ｌとなるように、溶媒を配合する。
次いで、調製した導電性ポリマーの溶液を、図５（ｆ）で示す製造途中の回路付サスペンション基板１に、例えば、キャスティングなどの公知の塗布方法により塗布し、その後、溶媒を、例えば、５０〜１５０℃、好ましくは、６０〜１２０℃で、例えば、１分間〜２時間、加熱することにより、乾燥させる。

これにより、導電性ポリマーからなる第２半導電性層７が、カバー絶縁層６の表面およびカバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面において析出するように形成される。この第２半導電性層７は、金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。
その後、第２半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。

次いで、この方法では、第２半導電性層７の導電性ポリマーは、必要により、ドーピングにより導電性が付与される。第２半導電性層７の導電性ポリマーをドーピングするには、上記と同様の方法が用いられる。
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた第２半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。

なお、上記した導電性ポリマーが形成される第２半導電性層７を、例えば、特開２００２−２７５２６１号公報の記載などに準拠して形成することもできる。
第２半導電性層７を、金属または樹脂（半導電性樹脂組成物）から形成するには、上記した第１半導電性層５の形成と同様の方法が用いられる。
例えば、第２半導電性層７を金属または半導電性樹脂組成物から形成するには、まず、第２半導電性層７を、上記第１半導電性層５と同様の方法により、カバー絶縁層６と第１半導電性層５とベース絶縁層３と金属支持基板２との表面の全面に、形成する。

次いで、上記各層の全面に形成された第２半導電性層７の上に、上記したパターンの第２半導電性層７と同一のパターンでエッチングレジストを形成する。次いで、そのエッチングレジストから露出する第２半導電性層７をエッチングする。その後、エッチングレジストを除去することにより、上記したパターンの第２半導電性層７を、形成する。
これにより、金属または半導電性樹脂組成物からなる第２半導電性層７を、カバー絶縁層６の表面およびカバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面に、上記したパターンで形成することができる。この第２半導電性層７は、金属支持基板２と接触して電気的に接続されるように、形成される。

このようにして形成された第２半導電性層７の厚みは、例えば、１〜４０ｎｍ、好ましくは、３〜２０ｎｍである。
また、この第２半導電性層７の表面抵抗値は、第２半導電性層７が導電性ポリマーから形成される場合には、例えば、１０⁴〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、さらに好ましくは、１０⁶〜１０¹⁰Ω／□の範囲に設定される。また、第２半導電性層７の表面抵抗値は、第２半導電性層７が金属または半導電性樹脂組成物から形成される場合には、例えば、１０⁵〜１０¹³Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、さらに好ましくは、１０⁶〜１０⁹Ω／□の範囲に設定される。第２半導電性層７の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、第２半導電性層７の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

その後、この方法では、端子部８の上面に、必要に応じて、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１０を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４の上に形成される第１半導電性層５と、カバー絶縁層６の上に形成される第２半導電性層７とを備えており、これら第１半導電性層５と第２半導電性層７とが、金属支持基板２に接触して電気的に接続されている。しかも、第１半導電性層５は、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４と、カバー絶縁層６との間に介在されるように形成されており、第２半導電性層７は、カバー絶縁層６から露出するベース絶縁層３の表面にも形成されている。そのため、第１半導電性層５と第２半導電性層７とによって、導体パターン４、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層６に帯電する静電気を、金属支持基板２に移動（接地）させ、効率的に除去することができ、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。

また、この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層６が開口されることにより露出する端子部８を含み、第２半導電性層７は、その第５下端部２６が端子部８と接触して電気的に接続され、その第１下端部２４、第２下端部２５、第３下端部２９および第４下端部３０が金属支持基板２と接触して電気的に接続されている。そのため、端子部８に帯電する静電気を、第２半導電性層７を介して、金属支持基板２に移動（接地）させ、効率的に除去することができ、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。

また、この回路付サスペンション基板１では、第１半導電性層５と第２半導電性層７とが、互いに接触している。すなわち、幅方向一方側において、第２半導電性層７の第１連続部分３３が、第１半導電性層５の幅方向一端部１８と接触しており、長手方向一方側において、第２半導電性層７の第２連続部分３４が、第１半導電性層５の長手方向一端部３６と接触している。そのため、この接触により、静電気の移動（接地）の効率を向上させて、静電気をより一層効率的に除去することができる。

なお、上記した説明において、第１半導電性層５と第２半導電性層７とは、互いに異なる種類の半導性材料、例えば、第１半導電性層５を金属から形成し、第２半導電性層７を樹脂から形成することができる。また、その逆、すなわち、第１半導電性層５を樹脂から形成し、第２半導電性層７を金属から形成することもできる。さらにまた、第１半導電性層５と第２半導電性層７とを、ともに同一の種類の半導性材料、すなわち、第１半導電性層５と第２半導電性層７とを、ともに金属、または、ともに樹脂から形成することもできる。

好ましくは、ともに酸化金属、さらに好ましくは、ともに酸化クロムから、第１半導電性層５と第２半導電性層７とを、形成する。
より具体的には、ともに酸化金属から、第１半導電性層５および第２半導電性層７を形成する場合には、ドーピングなどの導電処理や水洗などの洗浄処理が不要であるため、第１半導電性層５および第２半導電性層７を簡単に形成することができる。そのため、回路付サスペンション基板１の製造工程を容易にすることができる。

また、好ましくは、酸化金属から第１半導電性層５を形成し、かつ、導電性ポリマーから第２半導電性層７を形成する。さらに好ましくは、酸化クロムから第１半導電性層５を形成し、かつ、ポリアニリンから第２半導電性層７を形成する。
より具体的には、第１半導電性層５を酸化金属から形成し、かつ、第２半導電性層７を導電性ポリマーから形成する場合には、第１半導電性層５は、カバー絶縁層６に被覆されているため、第１半導電性層５をベース絶縁層３の表面に確実に形成することができる。また、第２半導電性層７の導電性ポリマーとカバー絶縁層６（樹脂）との密着力が高いことから、第２半導電性層７をカバー絶縁層６の表面に確実に形成することができる。さらに、導電性ポリマーから第２半導電性層７を形成するときには、エッチングなどの除去処理が不要であるため、第２半導電性層７を簡単に形成することができる。そのため、回路付サスペンション基板１の製造工程を容易にすることができる。

なお、上記した説明では、第１半導電性層５を、金属支持基板２と接触するように形成したが、例えば、第１半導電性層５は、金属支持基板２と直接接触しないように、金属支持基板２と電気的に接続するように形成することができる。
より具体的には、図示しないが、第１半導電性層５を、幅方向において、金属支持基板２の幅方向他端部１２の上面およびベース絶縁層３の幅方向他端部１４の側面に形成せず、第２半導電性層７（第１連続部分３３）を介して、金属支持基板２と電気的に接続させる。また、第１半導電性層５を、長手方向において、金属支持基板２の長手方向他端部２８の上面およびベース絶縁層３の長手方向他端部２７の側面に形成せず、第２半導電性層７（第２連続部分３４）を介して、金属支持基板２と電気的に接続させる。

また、上記した説明では、第２半導電性層７を、金属支持基板２と接触するように形成したが、例えば、第２半導電性層７は、金属支持基板２と直接接触しないように、金属支持基板２と電気的に接続するように形成することができる。
より具体的には、図示しないが、第２半導電性層７を、幅方向において、ベース絶縁層３の幅方向一端部１３の側面と、カバー絶縁層６の幅方向他端部１６の側面とに形成せず、第１半導電性層５（第１半導電性層５の幅方向一端部１８）を介して、金属支持基板２と電気的に接続させる。また、第２半導電性層７を、長手方向において、ベース絶縁層３の長手方向一端部２２の側面と、カバー絶縁層６の長手方向他端部３２の側面とに形成せず、第１半導電性層５（第１半導電性層５の長手方向一端部３６）を介して、金属支持基板２と電気的に接続させる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
（第１半導電性層と第２半導電性層とを、ともに酸化クロムから形成する形態）
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。

次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、導体パターンが形成される部分に対応するパターンとして形成した（図４（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。

次いで、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により、ベース絶縁層の上面に、端子部および配線を一体的に備える配線回路パターンとして形成した（図４（ｃ）参照）。
次いで、第１半導電性層を、導体パターンの表面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の表面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の表面との全面に、連続するように、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。

なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：５秒
スパッタリング皮膜の厚み：０．０１μｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロムからなる第１半導電性層を形成した（図４（ｄ）参照）。第１半導電性層の厚みは、０．００５μｍであった。

なお、酸化クロムからなる第１半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この第１半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、３×１０⁸Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、第１半導電性層の表面の全面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、上記したパターンで、第１半導電性層の上に、形成した（図５（ｅ）参照。）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

次いで、カバー絶縁層から露出する第１半導電性層を、カバー絶縁層をエッチングレジストとして、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、除去した（図５（ｆ）参照）。
次いで、第２半導電性層を、カバー絶縁層、第１半導電性層、ベース絶縁層および金属支持基板の表面の全面に、連続するように、第１半導電性層の形成と同様の方法により、形成し、次いで、第２半導電性層の上に、エッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジストから露出する第２半導電性層を、エッチングにより除去することにより、上記したパターンの第２半導電性層を、形成した。（図５（ｇ）参照）。第２半導電性層の厚みは、０．００５μｍであった。

なお、酸化クロムからなる第２半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この第２半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、２×１０⁸Ω／□であった。
その後、端子部の表面に、金属めっき層を形成した後、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

実施例２
（第１半導電性層を酸化クロムから形成し、第２半導電性層をポリピロールから形成する形態）
酸化クロムからなる第２半導電性層の形成に代えて、ピロールをモノマーとして重合することにより得られるポリピロールから、第２半導電性層を形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。なお、第２半導電性層は、特開２００４−１５８４８０号公報の実施例１の記載に準拠して形成した。

この第２半導電性層の厚みは、０．０１μｍであった。
なお、この第２半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、５×１０⁶Ω／□であった。
実施例３
（第１半導電性層を酸化クロムから形成し、第２半導電性層をポリアニリンから形成する形態）
酸化クロムからなる第２半導電性層の形成に代えて、ポリアニリンから第２半導電性層を形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

第２半導電性層を、ポリアニリンのＮＭＰ溶液を塗布し、ＮＭＰを乾燥させることにより形成した。
第２半導電性層の形成では、まず、ポリアニリン粉末を調製した。
ポリアニリン粉末の調製では、攪拌装置、温度計および直管アダプターを備えた１０Ｌ容量セパラブルフラスコに、蒸留水６０００ｇ、３６％塩酸３６０ｍＬおよびアニリン４００ｇ（４．２９５モル）を配合して攪拌することにより、アニリンのモノマー溶液を調製した。このアニリンのモノマー溶液に、２８％硫酸水溶液１９２７ｇ（硫酸：４．２９５モル）を冷却しながら配合し、次いで、３０％重合開始剤溶液３２７３ｇ（ペルオキソ二硫酸アンモニウム：４．２９５モル）を、アニリンのモノマー溶液が−３℃以下に保持されるように、冷却しながら、攪拌下で徐々に滴下した。その後、反応溶液が−３℃以下に保持されるように、さらに１時間攪拌した。これにより、ポリアニリン粉末が析出された。

その後、ポリアニリン粉末を濾別し、水洗およびアセトン洗浄した後、これを、２Ｎアンモニア水４Ｌ中に投入して、オートホモミキサーにて回転数５０００ｒｐｍで５時間攪拌した。その後、ポリアニリン粉末を濾別し、さらに、十分に水洗およびアセトン洗浄することにより、ポリアニリン粉末を調製した。
次いで、調製されたポリアニリン粉末のうちの１０ｇを、ＮＭＰ９０ｇに溶解することにより、ポリアニリンのＮＭＰ溶液を調製した。

次いで、上記した回路付サスペンション基板に、このポリアニリンのＮＭＰ溶液を、キャスティングにより塗布した。
その後、８０℃で、１時間、乾燥して、ポリアニリンからなる第２半導電性層を形成した。次いで、第２半導電性層が形成された回路付サスペンション基板を、２０重量％ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂水溶液に、８０℃で、１０分間、浸漬することにより、第２半導電性層をドーピングした。その後、これを水洗した（図５（ｇ）参照）。

このドーピングされたポリアニリンからなる第２半導電性層の厚みは３０ｎｍであった。なお、ドーピングされたポリアニリンからなる第２半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０⁷Ω／□であった。
（評価）
帯電減衰性能
実施例１〜３により得られた回路付サスペンション基板について、ナノクーロンメータ（春日電機（株）製）により、帯電減衰性能を評価した。

その結果、カバー絶縁層において、０．１ｎＣ（ナノクーロン）の電荷が減衰するのに、実施例１〜３のいずれの回路付サスペンション基板も、減衰時間が０．１０秒で、その標準偏差が０．０１であった。
また、ベース絶縁層において、０．１ｎＣ（ナノクーロン）の電荷が減衰するのに、実施例１〜３のいずれの回路付サスペンション基板も、減衰時間が０．１０秒で、その標準偏差が０．０１であった。

実施例１〜３のいずれの回路付サスペンション基板も、カバー絶縁層およびベース絶縁層における静電気の帯電を効率的に除去できることが確認された。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向における断面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向における部分断面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す幅方向における断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、第１半導電性層を、導体パターンとベース絶縁層と金属支持基板との表面の全面に、連続するように形成する工程を示す。 図４に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す幅方向における断面図であって、（ｅ）は、カバー絶縁層を、第１半導電性層の上に、形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層から露出する第１半導電性層を除去する工程、（ｇ）は、第２半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびカバー絶縁層から露出するベース絶縁層の表面に形成する工程を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ 第１半導電性層
６ カバー絶縁層
７ 第２半導電性層
８ 端子部
２４ 第１下端部（他端）
２５ 第２下端部（他端）
２６ 第５下端部（一端）
２９ 第３下端部（他端）
３０ 第４下端部（他端）

Claims (9)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、
   前記導体パターンの上面および側面と、前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の上面とに連続して形成される第１半導電性層と、
   前記第１半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層と、
   前記カバー絶縁層の上に形成される第２半導電性層とを備え、
   前記第１半導電性層および前記第２半導電性層は、前記金属支持基板と電気的に接続され、
   前記第１半導電性層と前記第２半導電性層とが、互いに接触していることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記導体パターンは、前記カバー絶縁層が開口されることにより露出する端子部を含み、
   前記第２半導電性層は、少なくとも一端が前記端子部と電気的に接続され、少なくとも他端が前記金属支持基板と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記第１半導電性層の表面抵抗値が、１０^５〜１０^１３Ω／□であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記第２半導電性層の表面抵抗値が、１０^５〜１０^１３Ω／□であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
5. 前記第１半導電性層および前記第２半導電性層が、ともに酸化金属からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
6. 前記第２半導電性層の表面抵抗値が、１０^４〜１０^１２Ω／□であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
7. 前記第１半導電性層が、酸化金属からなり、
   前記第２半導電性層が、導電性ポリマーからなることを特徴とする、請求項１〜３および６のいずれかに記載の配線回路基板。
8. 金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンとを形成する工程、
   第１半導電性層を、前記導体パターンの表面および前記導体パターンから露出する前記ベース絶縁層の表面に、前記金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程、
   カバー絶縁層を、前記第１半導電性層の上に形成する工程、
   前記カバー絶縁層から露出する前記第１半導電性層を除去する工程、および、
   第２半導電性層を、前記カバー絶縁層の表面および前記カバー絶縁層から露出する前記ベース絶縁層の表面に、前記金属支持基板と電気的に接続されるように、形成する工程を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
9. 前記第１半導電性層を形成する工程において、前記第１半導電性層を、酸化金属から形成し、
   前記第２半導電性層を形成する工程において、前記第２半導電性層を、導電性ポリマーから形成することを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板の製造方法。

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