JP2004192672A - 磁気ヘッドアッセンブリ - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気抵抗効果素子の静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および外部からの電磁波による破壊を防止する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を接続したフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、及びその基盤裏面を106Ω以上109Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆われていることより、静電気による静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および静電気以外による外部からの電磁波による破壊を防止する。
【選択図】 図2
【解決手段】磁気抵抗効果素子を接続したフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、及びその基盤裏面を106Ω以上109Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆われていることより、静電気による静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および静電気以外による外部からの電磁波による破壊を防止する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク装置等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド、電気部品、及び磁気記録装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、急激な高密度密度かが進むハードディスクでは、その再生素子として磁気抵抗効果素子のひとつであるGMR素子が用いられている。GMR素子の一般的な構成例を図3に示す。Al2O3等の基板8にTa等の下地層16、PtMn等の反強磁性層17、CoFeあるいはNiFe等の強磁性層18、Cu等の非磁性スペーサ層19、CoFe強磁性層20、NiFe強磁性層21、Ta等のギャップ層22などの厚みが数nmという薄膜を複数層連続して成膜することにより形成されている。PtMn反強磁性層17と隣接しているCoFe強磁性層18とは直接交換結合しているため、CoFe強磁性層11の磁化は数100エールステッド以上のピン止め磁界で所定の方向に固定されている。一方Cu非磁性スペーサー層19を介して形成されるCoFe強磁性層20とNiFe強磁性層21の磁化は外部磁界に対して比較的自由に回転できる。そのため前者の強磁性層は磁化固定層(ピンド層)、後者の2層の強磁性層20,21は磁化自由層(フリー層)23呼ばれる。このようなGMR素子を用いた薄膜磁気ヘッドは、製造工程における静電破壊が問題となっている。静電破壊時に発生する電流により、GMR素子等の薄膜が溶解する等、磁気ヘッドが機械的に損傷される通常静電破壊(ESDダメージ)と、その静電気によって励起される放電電流による電磁界により、例えばピンド層の磁気的配向方向が乱される等のGMR素子が磁気的に破壊されるソフトESDと呼ばれる損傷が生じる。
【0003】
これらに加え、静電気には関係しない外部からの電磁波による破壊・劣化(EMI)も同時に問題になっている。(例えば参考文献1参照)
従来のこの種の静電破壊防止方法としては、磁気抵抗効果素子間を104Ω以上1012Ωの半導電体(一般的には絶縁体)を接続して磁気抵抗効果素子へ直接印加される電圧を分圧することにより、静電気放電による磁気抵抗効果素子が瞬時に溶解するという、いわゆる静電破壊と、磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊を防止する方法である。(例えば特許文献1参照)
【0004】
【非特許文献1】
Electromagnetic interference (EMI) damage to giant magnetoresistive recording heads,
A. Wallash and D. Smith, 20th Proc.
EOS/ESD Symp. (1998), pp. 368−374
【特許文献1】
特開2001−291215号公報(第3−4頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術においては外部からの電磁波による磁気抵抗素子の破壊・劣化については、防止することがきわめて困難であり、また、磁気抵抗効果素子間を104Ω以上1012Ωの半導電体により接続した場合を考慮する。
【0006】
実際に近い環境では、半導電体の表面抵抗率が、例えば人体が500nC帯電し磁気ヘッドアセンブリに触れた場合、人体の静電容量が約100pFのため5kVの帯電が予測される。そして106Ω以下の抵抗で接地されることになり、5mA以上の過電流が磁気抵抗効果素子に流れる。一般に磁気ヘッドのソフトESDによる破壊電流値は5mAであるため、静電気破壊により不良が増大している。
【0007】
また、109Ωより大きい場合は、この半導電体表面に静電気が帯電し、その帯電電圧が徐々に蓄積され通常考え得る5kVの帯電を越え、最後には半導電体が絶縁破壊を生じ、磁気抵抗効果素子の静電破壊が発生するという課題があった。
【0008】
さらに一般的な半導電体を接続する方法では、静電気には関係のない外部からの電磁波による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化に対する効果は殆ど見られない。
【0009】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、その製造時の帯電により発生する絶縁破壊を防止し、静電破壊時に生じる突発的な大電流により、磁気抵抗効果素子が磁気的に破壊されることを防止し、かつ静電気には関係のない外部からの電磁波による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化を防止し、磁気抵抗効果素子を用いた製品の製造工程における歩留まり向上と、その製品の品質向上を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前期従来の課題を解決するために、本発明の磁気ヘッドアッセンブリは、記録媒体に記録された磁気信号を検出する磁気抵抗効果素子が設けられたスライダーと、前記磁気抵抗効果素子を導通するためのサスペンション上に配線された導通パターンと、前記導通パターンと磁気記録装置を導通させるためのフレキシブルプリント基板とを有している磁気ヘッドアッセンブリにおいて、静電気及び外部からの電磁波の両方による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化を低減するために、フレキシブルプリント基板のうちの少なくともフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、その基盤裏面の一つを106Ω以上109Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆うことを特徴としている。
【0011】
また、本発明では、少なくともNiMn系フェライト粉末を含む塗料にて構成されることを特徴としている。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明における静電破壊の防止の形態を図面とともに詳細に説明する。
【0013】
(実施の形態1)
図1は、本発明の第1の実施例における磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの全体図、及び磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の詳細図を示したものである。図1において、磁気ヘッドスライダー1には磁気抵抗効果素子が設けられている。なお、前記磁気ヘッドスライダー1にはコアとコイルからなる記録媒体に磁気信号を記録するためインダクティブヘッドが設けられてもよい。なお、本発明では前記磁気ヘッドスライダー1に磁気抵抗効果素子型ヘッドと、インダクティブヘッドの双方が設けられているとして説明する。
【0014】
サスペンション上の導通パターン2は、磁気ヘッドスライダー1の磁気抵抗効果素子とインダクティブヘッドと接続されており、サスペンション3上に固定されている。また、磁気ヘッドスライダー2は、サスペンション3に接着されている。また、前記集積回路2は、磁気ヘッドが用いられようとする磁気記録装置に導通接続するためのフレキシブルプリント基板4に導通接続されている。フレキシブルプリント基板4は、ポリイミド14上に4本の導電パターン6〜9が形成されている。なお、符号6及び7の導電パターンが磁気抵抗効果型ヘッドに導通接続されており、符号8〜9の導通パターンがインダクティブヘッドに導通されている。前記フレキシブルプリント基板4の開放端側には端子10〜13が設けられ、後に、ハードディスク等の磁気記録装置側の電気回路に半田付け等で導通接続され、図1に示す磁気ヘッドはハードディスクに内臓されることになる。
【0015】
そこで、本発明では、以下に説明する手段にて、磁気抵抗効果型ヘッドに導通接続する導通パターン6、7に過大電流が流れることと、外部からの電磁波を防止し、前記磁気抵抗素子型ヘッドの破壊及び劣化を防止している。
【0016】
図3は、図1中のA−A’の断面図を示したものである。FPC基板には、ポリイミド14の裏面に106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つNiMnフェライト塗料15を塗布している。また、導電パターン6〜9上、及び端子10〜13上に同じく106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つNiMnフェライト塗料15を塗布している。ここでNiZnフェライトは、以下の手順にて作製される。NiMnフェライトを20(重量部)、カーボンブラックを80(重量部)、ポリウレタン樹脂を12(重量部)、塩化ビニール樹脂を12(重量部)、メチルエチルケトンを180(重量部)、トルエンを180(重量部)をディスパで混合し、ピンミルにて8時間混合分散する。その後、硬化剤を2(重量部)添加し、ろ過能力0.5μmを有するフィルターでろ過することで作製する。この様に作製されたNiMn系フェライト塗料は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を有することが可能である。
【0017】
ここでの表面抵抗率はIEC規格IEC61340−4−1にて規格されている測定方法にて測定された値である。
【0018】
これにより、仮に磁気抵抗効果素子が帯電し、それによる突発的な電流が流れるようとしても、回路定数が大きくためによる突発的な電流が大幅に小さくなる。即ち、静電気による突発的な突入電流に誘導される電磁波による素子破壊が生じない。且つ、導電パターン6〜9、及び端子10〜13全体は、磁性体であるNiMnフェライト塗料15にて覆われているため、この電磁波シールドとして作用する。即ち、外部からの電磁波は、この磁性層により減衰するため、磁気抵抗効果素子の破壊・劣化も生じない。
【0019】
ここで、磁性材料の表面抵抗率が、例えば人体が500nC帯電し磁気ヘッドアセンブリに触れた場合、人体の静電容量が約100pFのため5kVの帯電が予測される。そして106Ωの抵抗で接地された場合、約5mAの過電流が磁気抵抗効果素子に流れる。一般に磁気ヘッドのソフトESDによる破壊電流値は5mAであるため、磁性材料の表面低効率は106Ω以上の表面抵抗率を有さなければならない。
【0020】
また、109Ωより大きい場合は、この磁性体表面に静電気が帯電し、磁気抵抗効果素子の静電破壊が発生する。よって、ここの磁性材料の表面抵抗率は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を有さなければならない。
【0021】
【発明の効果】
以上のように、本発明の磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいては、静電気を帯びた人体、設備、治工具、運搬ケース等が接触、あるいは近づいたとしても、磁気抵抗効果素子は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つ物質が電気的に接続されているために、突発的な電荷による大放電電流を防ぎ、その磁気抵抗効果素子の静電破壊、および静電気による磁気的な破壊防止することができる。且つ、磁気ヘッド製造装置から放射される電磁波ノイズ等の電磁波による磁気ヘッドの破壊・劣化を防ぐことができる。
【0022】
従って磁気抵抗効果素子を用いた製品の製造工程における生産歩留まり向上と、その製品の品質向上を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを示す全体図、及び磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の詳細図
【図2】本発明の実施の形態1における磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の断面図
【図3】GMR素子の構成例を示す図
【符号の説明】
1 磁気ヘッドスライダー
2 集積回路
3 サスペンション
4 フレキシブルプリント基板
5 回路端子部
6、7、8、9 導通パターン
10、11、12、13 端子
14 基板
15 磁性体塗料
16 下地層
17、24 Ta層
18 反強磁性層
19 ピンド層
20 導電層
21、22 強磁性層
23 フリー層
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク装置等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド、電気部品、及び磁気記録装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、急激な高密度密度かが進むハードディスクでは、その再生素子として磁気抵抗効果素子のひとつであるGMR素子が用いられている。GMR素子の一般的な構成例を図3に示す。Al2O3等の基板8にTa等の下地層16、PtMn等の反強磁性層17、CoFeあるいはNiFe等の強磁性層18、Cu等の非磁性スペーサ層19、CoFe強磁性層20、NiFe強磁性層21、Ta等のギャップ層22などの厚みが数nmという薄膜を複数層連続して成膜することにより形成されている。PtMn反強磁性層17と隣接しているCoFe強磁性層18とは直接交換結合しているため、CoFe強磁性層11の磁化は数100エールステッド以上のピン止め磁界で所定の方向に固定されている。一方Cu非磁性スペーサー層19を介して形成されるCoFe強磁性層20とNiFe強磁性層21の磁化は外部磁界に対して比較的自由に回転できる。そのため前者の強磁性層は磁化固定層(ピンド層)、後者の2層の強磁性層20,21は磁化自由層(フリー層)23呼ばれる。このようなGMR素子を用いた薄膜磁気ヘッドは、製造工程における静電破壊が問題となっている。静電破壊時に発生する電流により、GMR素子等の薄膜が溶解する等、磁気ヘッドが機械的に損傷される通常静電破壊(ESDダメージ)と、その静電気によって励起される放電電流による電磁界により、例えばピンド層の磁気的配向方向が乱される等のGMR素子が磁気的に破壊されるソフトESDと呼ばれる損傷が生じる。
【0003】
これらに加え、静電気には関係しない外部からの電磁波による破壊・劣化(EMI)も同時に問題になっている。(例えば参考文献1参照)
従来のこの種の静電破壊防止方法としては、磁気抵抗効果素子間を104Ω以上1012Ωの半導電体(一般的には絶縁体)を接続して磁気抵抗効果素子へ直接印加される電圧を分圧することにより、静電気放電による磁気抵抗効果素子が瞬時に溶解するという、いわゆる静電破壊と、磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊を防止する方法である。(例えば特許文献1参照)
【0004】
【非特許文献1】
Electromagnetic interference (EMI) damage to giant magnetoresistive recording heads,
A. Wallash and D. Smith, 20th Proc.
EOS/ESD Symp. (1998), pp. 368−374
【特許文献1】
特開2001−291215号公報(第3−4頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術においては外部からの電磁波による磁気抵抗素子の破壊・劣化については、防止することがきわめて困難であり、また、磁気抵抗効果素子間を104Ω以上1012Ωの半導電体により接続した場合を考慮する。
【0006】
実際に近い環境では、半導電体の表面抵抗率が、例えば人体が500nC帯電し磁気ヘッドアセンブリに触れた場合、人体の静電容量が約100pFのため5kVの帯電が予測される。そして106Ω以下の抵抗で接地されることになり、5mA以上の過電流が磁気抵抗効果素子に流れる。一般に磁気ヘッドのソフトESDによる破壊電流値は5mAであるため、静電気破壊により不良が増大している。
【0007】
また、109Ωより大きい場合は、この半導電体表面に静電気が帯電し、その帯電電圧が徐々に蓄積され通常考え得る5kVの帯電を越え、最後には半導電体が絶縁破壊を生じ、磁気抵抗効果素子の静電破壊が発生するという課題があった。
【0008】
さらに一般的な半導電体を接続する方法では、静電気には関係のない外部からの電磁波による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化に対する効果は殆ど見られない。
【0009】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、その製造時の帯電により発生する絶縁破壊を防止し、静電破壊時に生じる突発的な大電流により、磁気抵抗効果素子が磁気的に破壊されることを防止し、かつ静電気には関係のない外部からの電磁波による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化を防止し、磁気抵抗効果素子を用いた製品の製造工程における歩留まり向上と、その製品の品質向上を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前期従来の課題を解決するために、本発明の磁気ヘッドアッセンブリは、記録媒体に記録された磁気信号を検出する磁気抵抗効果素子が設けられたスライダーと、前記磁気抵抗効果素子を導通するためのサスペンション上に配線された導通パターンと、前記導通パターンと磁気記録装置を導通させるためのフレキシブルプリント基板とを有している磁気ヘッドアッセンブリにおいて、静電気及び外部からの電磁波の両方による磁気抵抗効果素子の破壊・劣化を低減するために、フレキシブルプリント基板のうちの少なくともフレキシブルプリント基板の導通パターン上、端子上、その基盤裏面の一つを106Ω以上109Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆うことを特徴としている。
【0011】
また、本発明では、少なくともNiMn系フェライト粉末を含む塗料にて構成されることを特徴としている。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明における静電破壊の防止の形態を図面とともに詳細に説明する。
【0013】
(実施の形態1)
図1は、本発明の第1の実施例における磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの全体図、及び磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の詳細図を示したものである。図1において、磁気ヘッドスライダー1には磁気抵抗効果素子が設けられている。なお、前記磁気ヘッドスライダー1にはコアとコイルからなる記録媒体に磁気信号を記録するためインダクティブヘッドが設けられてもよい。なお、本発明では前記磁気ヘッドスライダー1に磁気抵抗効果素子型ヘッドと、インダクティブヘッドの双方が設けられているとして説明する。
【0014】
サスペンション上の導通パターン2は、磁気ヘッドスライダー1の磁気抵抗効果素子とインダクティブヘッドと接続されており、サスペンション3上に固定されている。また、磁気ヘッドスライダー2は、サスペンション3に接着されている。また、前記集積回路2は、磁気ヘッドが用いられようとする磁気記録装置に導通接続するためのフレキシブルプリント基板4に導通接続されている。フレキシブルプリント基板4は、ポリイミド14上に4本の導電パターン6〜9が形成されている。なお、符号6及び7の導電パターンが磁気抵抗効果型ヘッドに導通接続されており、符号8〜9の導通パターンがインダクティブヘッドに導通されている。前記フレキシブルプリント基板4の開放端側には端子10〜13が設けられ、後に、ハードディスク等の磁気記録装置側の電気回路に半田付け等で導通接続され、図1に示す磁気ヘッドはハードディスクに内臓されることになる。
【0015】
そこで、本発明では、以下に説明する手段にて、磁気抵抗効果型ヘッドに導通接続する導通パターン6、7に過大電流が流れることと、外部からの電磁波を防止し、前記磁気抵抗素子型ヘッドの破壊及び劣化を防止している。
【0016】
図3は、図1中のA−A’の断面図を示したものである。FPC基板には、ポリイミド14の裏面に106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つNiMnフェライト塗料15を塗布している。また、導電パターン6〜9上、及び端子10〜13上に同じく106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つNiMnフェライト塗料15を塗布している。ここでNiZnフェライトは、以下の手順にて作製される。NiMnフェライトを20(重量部)、カーボンブラックを80(重量部)、ポリウレタン樹脂を12(重量部)、塩化ビニール樹脂を12(重量部)、メチルエチルケトンを180(重量部)、トルエンを180(重量部)をディスパで混合し、ピンミルにて8時間混合分散する。その後、硬化剤を2(重量部)添加し、ろ過能力0.5μmを有するフィルターでろ過することで作製する。この様に作製されたNiMn系フェライト塗料は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を有することが可能である。
【0017】
ここでの表面抵抗率はIEC規格IEC61340−4−1にて規格されている測定方法にて測定された値である。
【0018】
これにより、仮に磁気抵抗効果素子が帯電し、それによる突発的な電流が流れるようとしても、回路定数が大きくためによる突発的な電流が大幅に小さくなる。即ち、静電気による突発的な突入電流に誘導される電磁波による素子破壊が生じない。且つ、導電パターン6〜9、及び端子10〜13全体は、磁性体であるNiMnフェライト塗料15にて覆われているため、この電磁波シールドとして作用する。即ち、外部からの電磁波は、この磁性層により減衰するため、磁気抵抗効果素子の破壊・劣化も生じない。
【0019】
ここで、磁性材料の表面抵抗率が、例えば人体が500nC帯電し磁気ヘッドアセンブリに触れた場合、人体の静電容量が約100pFのため5kVの帯電が予測される。そして106Ωの抵抗で接地された場合、約5mAの過電流が磁気抵抗効果素子に流れる。一般に磁気ヘッドのソフトESDによる破壊電流値は5mAであるため、磁性材料の表面低効率は106Ω以上の表面抵抗率を有さなければならない。
【0020】
また、109Ωより大きい場合は、この磁性体表面に静電気が帯電し、磁気抵抗効果素子の静電破壊が発生する。よって、ここの磁性材料の表面抵抗率は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を有さなければならない。
【0021】
【発明の効果】
以上のように、本発明の磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいては、静電気を帯びた人体、設備、治工具、運搬ケース等が接触、あるいは近づいたとしても、磁気抵抗効果素子は、106Ω以上109Ω以下の表面抵抗率を持つ物質が電気的に接続されているために、突発的な電荷による大放電電流を防ぎ、その磁気抵抗効果素子の静電破壊、および静電気による磁気的な破壊防止することができる。且つ、磁気ヘッド製造装置から放射される電磁波ノイズ等の電磁波による磁気ヘッドの破壊・劣化を防ぐことができる。
【0022】
従って磁気抵抗効果素子を用いた製品の製造工程における生産歩留まり向上と、その製品の品質向上を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを示す全体図、及び磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の詳細図
【図2】本発明の実施の形態1における磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドに係る端末側フレキシブルプリント基板の断面図
【図3】GMR素子の構成例を示す図
【符号の説明】
1 磁気ヘッドスライダー
2 集積回路
3 サスペンション
4 フレキシブルプリント基板
5 回路端子部
6、7、8、9 導通パターン
10、11、12、13 端子
14 基板
15 磁性体塗料
16 下地層
17、24 Ta層
18 反強磁性層
19 ピンド層
20 導電層
21、22 強磁性層
23 フリー層
Claims (2)
- 記録媒体に記録された磁気信号を検出する磁気抵抗効果素子が設けられたスライダーと、前記磁気抵抗効果素子を導通するためのサスペンション上に配線された導通パターンを有し磁気記録装置とを接続するためのフレキシブルプリント基板とよりなる磁気ヘッドアッセンブリにおいて、前記フレキシブルプリント基板に、少なくとも前記フレキシブルプリント基板の前記導通パターン上、端子上、その基盤裏面のうち少なくとも一箇所を106Ω以上109Ωの表面抵抗率を有する磁性体塗料にて覆ったことを特徴とする磁気ヘッドアッセンブリ。
- 前記磁性体塗料が、少なくともNiMn系フェライト粉末を含む塗料にて構成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッドアッセンブリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002356411A JP2004192672A (ja) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 磁気ヘッドアッセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002356411A JP2004192672A (ja) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 磁気ヘッドアッセンブリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004192672A true JP2004192672A (ja) | 2004-07-08 |
Family
ID=32756765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002356411A Pending JP2004192672A (ja) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 磁気ヘッドアッセンブリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004192672A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007188978A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
JP2007201359A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
JP2007300061A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
JP2007299982A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
KR100857492B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2008-09-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 헤드 |
US7643252B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-01-05 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed with conductive layer |
US7692899B2 (en) | 2005-02-21 | 2010-04-06 | Nhk Spring Co., Ltd. | Head suspension having wiring disposed in contact with slightly conductive flexible resin |
-
2002
- 2002-12-09 JP JP2002356411A patent/JP2004192672A/ja active Pending
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