JPH10149513A - 磁気抵抗効果型複合ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型複合ヘッドInfo
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- JPH10149513A JPH10149513A JP8304435A JP30443596A JPH10149513A JP H10149513 A JPH10149513 A JP H10149513A JP 8304435 A JP8304435 A JP 8304435A JP 30443596 A JP30443596 A JP 30443596A JP H10149513 A JPH10149513 A JP H10149513A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ディスク装置の高密度化に伴う、高周波
での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの低下を防止す
る。 【解決手段】 本発明に係るＭＲ複合ヘッドは、二つの
磁気シールド膜１０，１２間にＭＲ素子１４が形成され
てなる再生用のＭＲヘッド１６と、二つの磁極膜２０，
２２間に磁気ギャップ２４が形成されてなる記録用のＩ
Ｄヘッド２６とが積層され、かつ磁気シールド膜１２が
磁極膜２０を兼ねた構造となっている。そして、ＡＢＳ
面及び磁極膜２０，２２の面に平行な一方向磁化を有す
る磁性体膜３０が、磁気分離膜３２を介して磁極膜２２
に積層されている。
での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの低下を防止す
る。 【解決手段】 本発明に係るＭＲ複合ヘッドは、二つの
磁気シールド膜１０，１２間にＭＲ素子１４が形成され
てなる再生用のＭＲヘッド１６と、二つの磁極膜２０，
２２間に磁気ギャップ２４が形成されてなる記録用のＩ
Ｄヘッド２６とが積層され、かつ磁気シールド膜１２が
磁極膜２０を兼ねた構造となっている。そして、ＡＢＳ
面及び磁極膜２０，２２の面に平行な一方向磁化を有す
る磁性体膜３０が、磁気分離膜３２を介して磁極膜２２
に積層されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生用の磁気抵抗
効果型ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）と記録
用のインダクティブヘッド（以下、「ＩＤヘッド」とい
う。）とが積層された構造の磁気抵抗効果型複合ヘッド
（以下、「ＭＲ複合ヘッド」という。）に関する。
効果型ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）と記録
用のインダクティブヘッド（以下、「ＩＤヘッド」とい
う。）とが積層された構造の磁気抵抗効果型複合ヘッド
（以下、「ＭＲ複合ヘッド」という。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の小型化及び大容量化に伴
って、再生用の磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度
が小さくなってきている。そこで、再生出力が速度に依
存しないＭＲヘッドへの期待が高まっている。このＭＲ
ヘッドについては、例えば「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏ
ｎ Ｍａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７０） １５０」にお
いて「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ Ｒ
ｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じられ
ている。
って、再生用の磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速度
が小さくなってきている。そこで、再生出力が速度に依
存しないＭＲヘッドへの期待が高まっている。このＭＲ
ヘッドについては、例えば「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏ
ｎ Ｍａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７０） １５０」にお
いて「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ Ｒ
ｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じられ
ている。
【０００３】図４は、従来のＭＲ複合ヘッドを示す正面
図である。以下、この図面に基づき説明する。なお、図
４は、磁気記録媒体と対向する面（エアーベアリング
面。以下、「ＡＢＳ面」という。）からＭＲ複合ヘッド
を見たものである。
図である。以下、この図面に基づき説明する。なお、図
４は、磁気記録媒体と対向する面（エアーベアリング
面。以下、「ＡＢＳ面」という。）からＭＲ複合ヘッド
を見たものである。
【０００４】従来のＭＲ複合ヘッドは、二つの磁気シー
ルド膜５０，５２間にＭＲ素子５４が形成されてなる再
生用のＭＲヘッド５６と、二つの磁極膜６０，６２間に
磁気ギャップ６４が形成されてなる記録用のＩＤヘッド
６６とが積層され、かつ磁気シールド膜５２が磁極膜６
０を兼ねた構造となっている。
ルド膜５０，５２間にＭＲ素子５４が形成されてなる再
生用のＭＲヘッド５６と、二つの磁極膜６０，６２間に
磁気ギャップ６４が形成されてなる記録用のＩＤヘッド
６６とが積層され、かつ磁気シールド膜５２が磁極膜６
０を兼ねた構造となっている。
【０００５】ＭＲ素子５４は、感磁部としての中央領域
５４１と、中央領域５４１に電流及び縦バイアス磁界を
供給する端部領域５４２，５４３とから構成されてい
る。磁気シールド膜５０，５２とＭＲ素子５４との間に
は、それぞれ絶縁体からなる磁気分離膜５８１，５８２
が介挿されている。また、磁極膜６０，６２は、図示し
ない薄膜コイルを有しており、これにより磁気ギャップ
６４に磁界を発生させる。
５４１と、中央領域５４１に電流及び縦バイアス磁界を
供給する端部領域５４２，５４３とから構成されてい
る。磁気シールド膜５０，５２とＭＲ素子５４との間に
は、それぞれ絶縁体からなる磁気分離膜５８１，５８２
が介挿されている。また、磁極膜６０，６２は、図示し
ない薄膜コイルを有しており、これにより磁気ギャップ
６４に磁界を発生させる。
【０００６】磁極膜６０，６２の磁気異方性は、高周波
での記録特性を高めるために、矢印６８に示す方向に形
成する必要がある。すなわち、磁極膜６０，６２の面及
びＡＢＳ面に平行な方向が磁化容易軸となる。この結
果、記録磁界が磁化困難軸方向の磁化回転により発生す
るため、高周波でも大きな発生磁界が得られる。
での記録特性を高めるために、矢印６８に示す方向に形
成する必要がある。すなわち、磁極膜６０，６２の面及
びＡＢＳ面に平行な方向が磁化容易軸となる。この結
果、記録磁界が磁化困難軸方向の磁化回転により発生す
るため、高周波でも大きな発生磁界が得られる。
【０００７】高周波での記録特性を改善する方法として
は、例えば、特開平５−１８２１４５号公報に開示され
ているように、磁極膜を磁性材料と絶縁膜との積層構造
とすることによって渦電流の発生を抑制し、高周波での
損失を減少させる方法が挙げられる。しかしながら、こ
の方法では、前述したような磁化困難軸方向の磁化回転
による記録磁界の発生は保証されない。その結果、渦電
流損は抑制されても、記録に必要な磁界強度が高周波で
は得られないという問題がある。
は、例えば、特開平５−１８２１４５号公報に開示され
ているように、磁極膜を磁性材料と絶縁膜との積層構造
とすることによって渦電流の発生を抑制し、高周波での
損失を減少させる方法が挙げられる。しかしながら、こ
の方法では、前述したような磁化困難軸方向の磁化回転
による記録磁界の発生は保証されない。その結果、渦電
流損は抑制されても、記録に必要な磁界強度が高周波で
は得られないという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以前は、磁極膜６２の
高さＬｙに対して、磁気記録トラック幅を決めている磁
極膜６２の幅Ｌｘが広かった。そのため、磁極膜６２と
して例えば電着法によりＮｉＦｅ膜を形成する場合、矢
印６８方向に磁界を印加しながらＮｉＦｅ膜を形成する
ことによって、所望の磁気異方性を形成することができ
た。ところが、近年の磁気ディスク装置の高密度化に伴
って、高さＬｙに対して幅Ｌｘが狭くなってきた。その
結果、同じように矢印６８方向に磁界を印加しながらＮ
ｉＦｅ膜を形成しても、形状異方性の影響によって、磁
気異方性が図５〔１〕の矢印７０に示すようにＡＢＳ面
に垂直方向となったり、図５〔２〕の矢印７２に示すよ
うに磁極膜６２の高さ方向となったりしていた。このこ
とが、高周波での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの
低下の原因となっていた。
高さＬｙに対して、磁気記録トラック幅を決めている磁
極膜６２の幅Ｌｘが広かった。そのため、磁極膜６２と
して例えば電着法によりＮｉＦｅ膜を形成する場合、矢
印６８方向に磁界を印加しながらＮｉＦｅ膜を形成する
ことによって、所望の磁気異方性を形成することができ
た。ところが、近年の磁気ディスク装置の高密度化に伴
って、高さＬｙに対して幅Ｌｘが狭くなってきた。その
結果、同じように矢印６８方向に磁界を印加しながらＮ
ｉＦｅ膜を形成しても、形状異方性の影響によって、磁
気異方性が図５〔１〕の矢印７０に示すようにＡＢＳ面
に垂直方向となったり、図５〔２〕の矢印７２に示すよ
うに磁極膜６２の高さ方向となったりしていた。このこ
とが、高周波での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの
低下の原因となっていた。
【０００９】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、磁気ディスク
装置の高密度化に伴う、高周波での記録特性の劣化、及
び製造歩留まりの低下を防止できる、ＭＲ複合ヘッドを
提供することにある。
装置の高密度化に伴う、高周波での記録特性の劣化、及
び製造歩留まりの低下を防止できる、ＭＲ複合ヘッドを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、他方の磁極
膜の高さＬｙに比べて幅Ｌｘが狭くなった場合に、他方
の磁極膜の磁気異方性をＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行
な方向に安定化させる技術について研究を重ねた結果、
他方の磁極膜に強制的に磁界を印加すればよいことを見
い出した。つまり、他方の磁極膜上に磁気分離膜を介し
て、ＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な一方向磁化を有す
る磁性体膜を積層することにより、他方の磁極膜の磁気
異方性をＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な方向に安定化
させるのである。
膜の高さＬｙに比べて幅Ｌｘが狭くなった場合に、他方
の磁極膜の磁気異方性をＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行
な方向に安定化させる技術について研究を重ねた結果、
他方の磁極膜に強制的に磁界を印加すればよいことを見
い出した。つまり、他方の磁極膜上に磁気分離膜を介し
て、ＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な一方向磁化を有す
る磁性体膜を積層することにより、他方の磁極膜の磁気
異方性をＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な方向に安定化
させるのである。
【００１１】磁気分離膜は、他方の磁極膜と磁性体膜と
の間の交換結合の発生を抑制する。このような構造によ
って、矢印３０１（図１）方向の磁化による静磁結合に
より他方の磁性膜が矢印２２１（図１）方向にバイアス
されるので、記録磁界を磁化困難軸方向の磁化回転によ
り発生させることが可能となる。この結果、記録密度の
向上に伴い、他方の磁性膜の高さＬｙに比べて幅Ｌｘが
狭くなっても、高周波での記録特性を大幅に改善するこ
とができる。
の間の交換結合の発生を抑制する。このような構造によ
って、矢印３０１（図１）方向の磁化による静磁結合に
より他方の磁性膜が矢印２２１（図１）方向にバイアス
されるので、記録磁界を磁化困難軸方向の磁化回転によ
り発生させることが可能となる。この結果、記録密度の
向上に伴い、他方の磁性膜の高さＬｙに比べて幅Ｌｘが
狭くなっても、高周波での記録特性を大幅に改善するこ
とができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るＭＲ複合ヘ
ッドの第一実施形態を示す正面図である。以下、この図
面に基づき説明する。なお、図１は、ＡＢＳ面からＭＲ
複合ヘッドを見たものである。
ッドの第一実施形態を示す正面図である。以下、この図
面に基づき説明する。なお、図１は、ＡＢＳ面からＭＲ
複合ヘッドを見たものである。
【００１３】本実施形態のＭＲ複合ヘッドは、二つの磁
気シールド膜１０，１２間にＭＲ素子１４が形成されて
なる再生用のＭＲヘッド１６と、二つの磁極膜２０，２
２間に磁気ギャップ２４が形成されてなる記録用のＩＤ
ヘッド２６とが積層され、かつ磁気シールド膜１２が磁
極膜２０を兼ねた構造となっている。そして、ＡＢＳ面
及び磁極膜２０，２２の面に平行な一方向磁化を有する
磁性体膜３０が、磁気分離膜３２を介して磁極膜２２に
積層されている。
気シールド膜１０，１２間にＭＲ素子１４が形成されて
なる再生用のＭＲヘッド１６と、二つの磁極膜２０，２
２間に磁気ギャップ２４が形成されてなる記録用のＩＤ
ヘッド２６とが積層され、かつ磁気シールド膜１２が磁
極膜２０を兼ねた構造となっている。そして、ＡＢＳ面
及び磁極膜２０，２２の面に平行な一方向磁化を有する
磁性体膜３０が、磁気分離膜３２を介して磁極膜２２に
積層されている。
【００１４】磁気シールド膜１０，１２の材質は、Ｎｉ
Ｆｅ合金（パーマロイ）である。下シールドとしての磁
気シールド膜１０の膜厚は２μｍであり、上シールドと
しての磁気シールド膜１２の膜厚は３μｍである。
Ｆｅ合金（パーマロイ）である。下シールドとしての磁
気シールド膜１０の膜厚は２μｍであり、上シールドと
しての磁気シールド膜１２の膜厚は３μｍである。
【００１５】ＭＲ素子１４は、感磁部である中央領域１
４１と、中央領域１４１に電流及び縦バイアス磁界を供
給する端部領域１４２，１４３とから構成されている。
中央領域１４１は、図示しないが、ＭＲ効果を有する膜
厚１０ｎｍのＮｉＦｅ膜と、ＮｉＦｅ膜に横バイアス磁
界をかける膜厚１５ｎｍのＣｏＺｒＭｏ膜と、ＮｉＦｅ
膜及びＣｏＺｒＭｏ膜を磁気的に分離する膜厚７ｎｍの
Ｔａ膜とが、磁気シールド膜１０側からＣｏＺｒＭｏ、
Ｔａ、ＮｉＦｅの順に積層されたものである。中央領域
１４１の幅は０．８μｍである。端部領域１４２，１４
３は、図示しないが、中央領域１４１のＮｉＦｅ膜に縦
バイアス磁界を供給するＣｏＰｔＣｒ膜と、中央領域１
４１に電流を供給するＡｕ膜との積層膜からなり、中央
領域１４１と電気的に接合している。ＣｏＰｔＣｒ膜の
膜厚は２５ｎｍである。
４１と、中央領域１４１に電流及び縦バイアス磁界を供
給する端部領域１４２，１４３とから構成されている。
中央領域１４１は、図示しないが、ＭＲ効果を有する膜
厚１０ｎｍのＮｉＦｅ膜と、ＮｉＦｅ膜に横バイアス磁
界をかける膜厚１５ｎｍのＣｏＺｒＭｏ膜と、ＮｉＦｅ
膜及びＣｏＺｒＭｏ膜を磁気的に分離する膜厚７ｎｍの
Ｔａ膜とが、磁気シールド膜１０側からＣｏＺｒＭｏ、
Ｔａ、ＮｉＦｅの順に積層されたものである。中央領域
１４１の幅は０．８μｍである。端部領域１４２，１４
３は、図示しないが、中央領域１４１のＮｉＦｅ膜に縦
バイアス磁界を供給するＣｏＰｔＣｒ膜と、中央領域１
４１に電流を供給するＡｕ膜との積層膜からなり、中央
領域１４１と電気的に接合している。ＣｏＰｔＣｒ膜の
膜厚は２５ｎｍである。
【００１６】アルミナ膜１８１，１８２は、ＭＲ素子１
４を磁気シールド膜１０，１２から絶縁している。アル
ミナ膜１８１の膜厚は６５ｎｍ、アルミナ膜１８２の膜
厚は９０ｎｍである。
４を磁気シールド膜１０，１２から絶縁している。アル
ミナ膜１８１の膜厚は６５ｎｍ、アルミナ膜１８２の膜
厚は９０ｎｍである。
【００１７】磁気シールド膜１２上には、アルミナから
なる磁気ギャップ２４を介してＭＲ素子１４の中央領域
１４１と目合わせされた、ＮｉＦｅからなる磁極膜２２
が形成されている。磁極膜２２は幅が１．１μｍ、厚さ
が３．５μｍ、磁気ギャップ２４の磁気ギャップ長は
０．２５μｍである。また、磁極膜２０，２２のＡＢＳ
面から約２μｍ奥には、図示しないが、フォトレジスト
材料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、このＣ
ｕコイルに電流を流すことによって磁気ギャップ２４に
記録磁界を発生させる。
なる磁気ギャップ２４を介してＭＲ素子１４の中央領域
１４１と目合わせされた、ＮｉＦｅからなる磁極膜２２
が形成されている。磁極膜２２は幅が１．１μｍ、厚さ
が３．５μｍ、磁気ギャップ２４の磁気ギャップ長は
０．２５μｍである。また、磁極膜２０，２２のＡＢＳ
面から約２μｍ奥には、図示しないが、フォトレジスト
材料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、このＣ
ｕコイルに電流を流すことによって磁気ギャップ２４に
記録磁界を発生させる。
【００１８】磁極膜２２上には、磁気分離膜３２を介し
て磁性体膜３０が形成されている。磁性体膜３０は、Ｃ
ｏＰｔＣｒからなり、矢印３０１に示される方向の磁化
を有する。磁気分離膜３２は、Ｃｒからなり、磁極膜２
２と磁性体膜３０との間の交換結合の発生を抑制する。
その結果、矢印３０１方向の磁化による静磁結合により
磁極膜２２が２２１方向にバイアスされるので、磁化困
難軸方向の磁化回転により記録磁界を発生させることが
可能となる。
て磁性体膜３０が形成されている。磁性体膜３０は、Ｃ
ｏＰｔＣｒからなり、矢印３０１に示される方向の磁化
を有する。磁気分離膜３２は、Ｃｒからなり、磁極膜２
２と磁性体膜３０との間の交換結合の発生を抑制する。
その結果、矢印３０１方向の磁化による静磁結合により
磁極膜２２が２２１方向にバイアスされるので、磁化困
難軸方向の磁化回転により記録磁界を発生させることが
可能となる。
【００１９】図２は、本実施形態のＭＲ複合ヘッドと従
来のＭＲ複合ヘッドとの記録特性を評価したグラフであ
る。以下、図１及び図２に基づき説明する。
来のＭＲ複合ヘッドとの記録特性を評価したグラフであ
る。以下、図１及び図２に基づき説明する。
【００２０】磁気記録媒体の保磁力は２２００エルステ
ッド（Ｏｅ）、膜厚δと残留磁化Ｂｒの積は９０ガウス
・μｍであり、ＭＲ複合ヘッドと磁気記録媒体との磁気
スペーシングは６０ｎｍ、ＭＲ複合ヘッドと磁気記録媒
体との相対速度は１０／ｍ秒である。図２は、規格化出
力の周波数特性を示している。１００ＭＨｚを越える高
周波領域において、本実施形態のＭＲ複合ヘッドの高出
力特性が顕著である。これは、本実施形態でのＩＤヘッ
ドの構造によって、磁化困難軸方向の磁化回転による記
録磁界を発生できることにより、高周波でも十分に狭い
磁化遷移幅で良好な記録が可能になったためと考えられ
る。それに対して、従来のＭＲ複合ヘッドでは、高周波
での特性が著しく低下すると共に、図中には表現されて
いないが、そのばらつきも増す。これは、磁化困難軸の
磁化回転による記録磁界を発生できないので、高周波で
の記録が不十分であるためと考えられる。
ッド（Ｏｅ）、膜厚δと残留磁化Ｂｒの積は９０ガウス
・μｍであり、ＭＲ複合ヘッドと磁気記録媒体との磁気
スペーシングは６０ｎｍ、ＭＲ複合ヘッドと磁気記録媒
体との相対速度は１０／ｍ秒である。図２は、規格化出
力の周波数特性を示している。１００ＭＨｚを越える高
周波領域において、本実施形態のＭＲ複合ヘッドの高出
力特性が顕著である。これは、本実施形態でのＩＤヘッ
ドの構造によって、磁化困難軸方向の磁化回転による記
録磁界を発生できることにより、高周波でも十分に狭い
磁化遷移幅で良好な記録が可能になったためと考えられ
る。それに対して、従来のＭＲ複合ヘッドでは、高周波
での特性が著しく低下すると共に、図中には表現されて
いないが、そのばらつきも増す。これは、磁化困難軸の
磁化回転による記録磁界を発生できないので、高周波で
の記録が不十分であるためと考えられる。
【００２１】なお、磁性体膜３０は、ＣｏＰｔＣｒ膜の
みならず、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＴａＣｒ、Ｃ
ｏＰｔＴａＣｒ等でも同様の効果が得られる。
みならず、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＴａＣｒ、Ｃ
ｏＰｔＴａＣｒ等でも同様の効果が得られる。
【００２２】図３は、本発明に係るＭＲ複合ヘッドの第
二実施形態を示す正面図である。以下、この図面に基づ
き説明する。ただし、図１と同一部分は同一符号を付す
ことにより重複説明を省略する。
二実施形態を示す正面図である。以下、この図面に基づ
き説明する。ただし、図１と同一部分は同一符号を付す
ことにより重複説明を省略する。
【００２３】本実施形態では、磁性体膜４０として、軟
磁性膜４０１と反強磁性膜４０２との積層膜を用いてい
る。軟磁性膜４０１としては、ＮｉＦｅ膜又はＣｏ膜ア
モルファス膜が好適である。反強磁性膜４０２として
は、Ｍｎ−Ｘ膜（ＸはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、
Ｐｄ及びＩｒの中から選択される少なくとも１種類の元
素）や、Ｎｉ−Ｏ、Ｆｅ−Ｏ及びＣｏ−Ｏの中から選択
される少なくとも１種類の酸化物からなる膜が好適であ
る。本実施形態のＭＲ複合ヘッドも第一実施形態と同様
の作用・効果を奏する。
磁性膜４０１と反強磁性膜４０２との積層膜を用いてい
る。軟磁性膜４０１としては、ＮｉＦｅ膜又はＣｏ膜ア
モルファス膜が好適である。反強磁性膜４０２として
は、Ｍｎ−Ｘ膜（ＸはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、
Ｐｄ及びＩｒの中から選択される少なくとも１種類の元
素）や、Ｎｉ−Ｏ、Ｆｅ−Ｏ及びＣｏ−Ｏの中から選択
される少なくとも１種類の酸化物からなる膜が好適であ
る。本実施形態のＭＲ複合ヘッドも第一実施形態と同様
の作用・効果を奏する。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係るＭＲ複合ヘッドによれば、
ＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な一方向磁化を有する磁
性体膜を磁気分離膜を介して他方の磁極膜に積層したこ
とにより、他方の磁極膜の高さに比べて幅が狭くなって
も、磁化困難軸方向の磁化回転により記録磁界を発生さ
せることができる。したがって、記録密度の向上に伴い
他方の磁極膜の高さに比べて幅が狭くなっても、高周波
での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの低下を防止で
きる。
ＡＢＳ面及び磁極膜の面に平行な一方向磁化を有する磁
性体膜を磁気分離膜を介して他方の磁極膜に積層したこ
とにより、他方の磁極膜の高さに比べて幅が狭くなって
も、磁化困難軸方向の磁化回転により記録磁界を発生さ
せることができる。したがって、記録密度の向上に伴い
他方の磁極膜の高さに比べて幅が狭くなっても、高周波
での記録特性の劣化、及び製造歩留まりの低下を防止で
きる。
【図１】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの第一実施形態を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２】本発明及び従来のＭＲ複合ヘッドの規格化出力
の周波数特性を示すグラフである。
の周波数特性を示すグラフである。
【図３】本発明に係るＭＲ複合ヘッドの第二実施形態を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図４】従来のＭＲ複合ヘッドを示す正面図である。
【図５】従来のＭＲ複合ヘッドを示す部分正面図であ
り、図５〔１〕が第一例、図５〔２〕が第二例である。
り、図５〔１〕が第一例、図５〔２〕が第二例である。
１０，１２ 磁気シールド膜 １４ ＭＲ素子 １６ ＭＲヘッド ２４ 磁気ギャップ ２６ ＩＤヘッド ３０，４０ 磁性体膜 ３２ 磁気分離膜 ４０１ 軟磁性膜 ４０２ 反強磁性膜
Claims (8)
- 【請求項１】 二つの磁気シールド膜間に磁気抵抗効果
素子が形成されてなる再生用の磁気抵抗効果型ヘッド
と、二つの磁極膜間に磁気ギャップが形成されてなる記
録用のインダクティブヘッドとが積層され、かつ前記磁
気シールド膜の一方が前記磁極膜の一方を兼ねた構造の
磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、 当該磁気抵抗効果型複合ヘッドの磁気記録媒体と対向す
る面及び前記磁極膜の面に平行な一方向磁化を有する磁
性体膜が、磁気分離膜を介して前記磁極膜の他方に積層
されている、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記磁性体膜が永久磁石膜である、請求
項１記載の磁気抵抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項３】 前記永久磁石膜がＣｏを主成分とする、
請求項２記載の磁気抵抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項４】 前記永久磁石膜が、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ
Ｃｒ、ＣｏＴａＣｒ、又はＣｏＰｔＴａＣｒである、請
求項２記載の磁気抵抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁性体膜が軟磁性膜と反強磁性膜と
の積層膜である、請求項１記載の磁気抵抗効果型複合ヘ
ッド。 - 【請求項６】 前記軟磁性膜がＮｉＦｅ膜又はＣｏ基ア
モルファス膜である、請求項５記載の磁気抵抗効果型複
合ヘッド。 - 【請求項７】 前記反強磁性膜がＭｎ−Ｘ（ＸはＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＩｒの中から選択さ
れる少なくとも１種類の元素）である、請求項５記載の
磁気抵抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項８】 前記反強磁性膜がＮｉ−Ｏ、Ｆｅ−Ｏ及
びＣｏ−Ｏの中から選択される少なくとも１種類の酸化
物である、請求項５記載の磁気抵抗効果型複合ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304435A JPH10149513A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド |
| US08/958,712 US5910870A (en) | 1996-11-15 | 1997-11-17 | Magnetoresistive effect composite head with laminated magnetic layer isolated from magnetic pole layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304435A JPH10149513A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149513A true JPH10149513A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17932978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304435A Pending JPH10149513A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5910870A (ja) |
| JP (1) | JPH10149513A (ja) |
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