JPH0916905A - 薄膜磁気トランスジューサ - Google Patents

薄膜磁気トランスジューサ

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JPH0916905A
JPH0916905A JP8164485A JP16448596A JPH0916905A JP H0916905 A JPH0916905 A JP H0916905A JP 8164485 A JP8164485 A JP 8164485A JP 16448596 A JP16448596 A JP 16448596A JP H0916905 A JPH0916905 A JP H0916905A
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JP
Japan
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magnetic
permeability
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low
transducer
Prior art date
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Pending
Application number
JP8164485A
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English (en)
Inventor
Daniel A Nepela
エー.ネペラ ダニエル
R Bond Charles
アール.ボンド チャールズ
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Read Rite Corp
Original Assignee
Read Rite Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109Details
    • G11B5/313Disposition of layers
    • G11B5/3143Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
    • G11B5/3146Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
    • G11B5/245Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アンダーシュート干渉を低減した薄膜磁気ヘ
ッドを提供する。 【解決手段】 相対的に高透磁率の一対の磁極部材が離
間して配置されている薄膜磁気トランスジューサであっ
て、非磁性層が上記磁極部材の端部間に配置されて非磁
性ギャップを形成しており、上記磁極部材よりも相対的
に低透磁率の磁性金属材料の層が、上記磁極部材各々
の、上記非磁性ギャップとは反対側の表面上の、上記非
磁性ギャップに対応する領域内に配置されており、上記
低透磁率材料の各層はキューリー点温度より低温で作動
し、上記低透磁率材料のキューリー点は60〜100℃
である薄膜磁気トランスジューサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気記録ヘッ
ド等の薄膜磁気トランスジューサに関し、より詳しくは
アンダーシュート干渉を低減して改良した薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記憶システムでは、回転式磁気記憶
ディスクのような磁気媒体の表面にディジタル情報を磁
気的に記憶する。ディジタル情報の記録は、磁気ディス
クの表面に沿って連続する領域の磁界を選択的に分極
(polarize)させることによって行う。ディスク上に記
録されている情報を読み出すには、この媒体の磁気分極
を電気出力信号として検知する。読出および書込の操作
は、回転しているディスク表面の上方を飛翔する磁気読
出書込ヘッドによって行われる。
【0003】電気出力信号は、磁気媒体内の磁化の相対
強度と、読出ヘッドが検知した磁界パターンとを代表す
る。読出信号に含まれる一連の重畳信号の存在と位置が
情報を代表する。読出信号検出回路に下記3つ乱れのう
ちのどれか1つでも起きると、信号回復エラーの原因に
なる。
【0004】1)記録されていない信号を検出する。 2)記録されている信号を除外する。 3)記録した信号を間違ったクロックセルに配置する。 コスト効果の高い既存の検出器は、孤立した読出パルス
中の前縁および後縁のアンダーシュートによって、ノイ
ズによるのと同じくらい簡単に乱れが生じる。アンダー
シュートが起きる原因は、薄膜読出ヘッドの磁極長さが
有限であることに由来して読出磁束進路に不連続箇所が
存在することである。このようなアンダーシュートによ
って、磁気記憶システムで達成できる最大記録密度が低
下する。精巧な電子的デコーディング技術を用いて検出
信号中のアンダーシュートを補償するよりも、孤立した
読出パルス中の前縁および後縁のアンダーシュートをで
きるだけ少なくする薄膜磁気ヘッドを提供する方が遙か
に望ましい方策である。
【0005】従来、アンダーシュートを低減する方法と
して、磁極先端に切欠を付けたり丸くしたりする成形を
施して、磁極先端領域内の磁気的な不連続箇所を減少さ
せる試みがなされている。その1つとして、Hsie他の米
国特許第 5,130,877号に開示された薄膜ヘッド構造は、
フェライト基板を採用し、頂部磁極片を記録媒体の平面
から傾斜させることでヘッド内の磁束進路内の磁気的不
連続箇所を減少させるものである。
【0006】もう1つのアンダーカット低減策として、
Iwata 他の米国特許第 5,146,379号に提案されたものが
ある。この特許の薄膜ヘッドは、相対的に高透磁率μ1
の一対の磁極部材が、相対的に低透磁率μ2のギャップ
部材によって相互に離間して配置されている。各磁極部
材の、ギャップ部材とは反対側の部分には透磁率μ3の
絶縁性フェライト部材の層が各々設けてあり、μ3は磁
極部材の透磁率μ1より低いがギャップ部材の透磁率μ
2より高い。この構造は、ヘッド内で透磁率に勾配がで
きるため、磁気ヘッド出力の「落ち込み(dip)」が低減
し、ヘッドの周波数応答性が向上する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アンダーシ
ュート干渉を低減した薄膜磁気ヘッド等の薄膜磁気トラ
ンスジューサを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、相対的に高透
磁率を持ち離間した一対の磁性部材とその間に介在する
非磁性ギャップ部材とを具えた薄膜ヘッド構造を用い
る。各高透磁率磁性部材の、ギャップ部材とは反対側の
表面上に、相対的に低透磁率の磁性金属材料の部材が各
々配置されている。各低透磁率部材の選択は、キューリ
ー点温度がヘッドの作動温度範囲内にあって、それによ
り磁界強度Hに対する磁気誘導Bが小さくなり、低透磁
率B/Hになるように選択する。良く知られているよう
に、強磁性材料はそのキューリー点温度以上に加熱され
ると常磁性になり、その状態では透磁率は1すなわち真
空の透磁率になる。本発明の低透磁率部材として特に適
した磁性合金の1つは、Ni−Cu−Feであって、合
金組成が67wt%Ni、30wt%Cu、2wt%Feであ
る。この合金はスパッタリングまたは電気メッキするこ
とが可能であり、耐食性が80Ni−20Fe合金であ
るパーマロイとほぼ同等である。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は、Calmalloy No.2として知
られている磁性合金について、磁界強度Hを種々に変え
た場合の磁気誘導Bと温度との関係をプロットしたグラ
フである。図1から、この磁気ヘッドの作動温度範囲内
(30〜70℃)において、この合金は透磁率が磁界H
にある程度依存していることが分かる。プロットしたデ
ータの場合、透磁率はある程度変化し、媒体からのビッ
ト磁界40〜80Oe の範囲でこの合金については概略
5〜10の範囲内である。
【0010】図2に磁気記録ディスク10と共に示した
磁気ヘッド構造は、相互に離間した磁極部材5および6
がニッケル・鉄合金であるパーマロイ等の相対的に高透
磁率の材料から成り、磁極部材は各々1〜5μmの範囲
の厚さに堆積してある。離間した磁極部材5と6は非磁
性ギャップ部材7によって相互に離間され、両部材5と
6の間に読出書込ギャップが形成されている。各磁極部
材5および6の、ギャップ部材7とは反対側の表面上
に、磁極部材5および6に対して相対的に低透磁率の金
属層8および9が各々設けてある。前述したように、層
8および9は、キューリー点温度の近傍またはそれより
若干低い温度範囲内で作動する材料、したがって磁気誘
導が低く1000G未満である材料で形成されている。
望ましくは、層8および9は透磁率が2〜30であり、
メッキまたはスパッタリングにより層5および6の上に
厚さ2〜8μmに堆積される。
【0011】本発明の付加的な一つの特徴として、Al
2 3 、TiO2 のような非磁性材料の層あるいは常磁
性金属層を、層5と層8の間および層6と層9の間に中
間層として介在させることにより、各対を成す層同士を
静磁気結合させることもできる。この中間結合層は厚さ
が50〜500Åであることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に用いる望ましい低透磁率合金
について、磁界強度を種々に変えた場合の磁気誘導Bと
温度との関係を示すグラフである。
【図2】図2は、本発明による薄膜磁気ヘッドを一部断
面で示す斜視図である。
【符号の説明】
5,6…相対的に高透磁率の磁極部材 7…非磁性ギャップ部材 8,9…相対的に低透磁率の金属層 10…磁気記録ディスク

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 相対的に高透磁率の一対の磁極部材が離
    間して配置されている薄膜磁気トランスジューサであっ
    て、 非磁性層が上記磁極部材の端部間に配置されて非磁性ギ
    ャップを形成しており、 上記磁極部材よりも相対的に低透磁率の磁性金属材料の
    層が、上記磁極部材各々の、上記非磁性ギャップとは反
    対側の表面上の、上記非磁性ギャップに対応する領域内
    に配置されており、上記低透磁率材料の各層はキューリ
    ー点温度より低温で作動し、上記低透磁率材料のキュー
    リー点は60〜100℃である薄膜磁気トランスジュー
    サ。
  2. 【請求項2】 上記低透磁率の磁性金属材料の磁気誘導
    Bが1000ガウス未満である請求項1記載のトランス
    ジューサ。
  3. 【請求項3】 上記低透磁率の磁性金属材料の透磁率が
    約2〜30である請求項1記載のトランスジューサ。
  4. 【請求項4】 上記低透磁率の磁性金属材料がNi、C
    uおよびFeの合金を含んで成る請求項1記載のトラン
    スジューサ。
  5. 【請求項5】 上記低透磁率の磁性金属材料が実質的に
    67%Ni、30%Cuおよび2%Feから成る請求項
    4記載のトランスジューサ。
  6. 【請求項6】 静磁気結合材料の層が、上記低透磁率材
    料の各層と、これらと各々隣接する相対的高透磁率材料
    の各磁極部材との間に、それぞれ配置されている請求項
    1記載のトランスジューサ。
  7. 【請求項7】 高透磁率磁極部材の厚さが1〜5μmで
    ある請求項1記載のトランスジューサ。
  8. 【請求項8】 低透磁率磁性金属材料の厚さが2〜8μ
    mである請求項1記載のトランスジューサ。
JP8164485A 1995-06-29 1996-06-25 薄膜磁気トランスジューサ Pending JPH0916905A (ja)

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US49629995A 1995-06-29 1995-06-29
US496299 1995-06-29

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US5768073A (en) 1998-06-16

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