JPH0291806A - 垂直磁化薄膜ヘッド - Google Patents
垂直磁化薄膜ヘッドInfo
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- JPH0291806A JPH0291806A JP63242887A JP24288788A JPH0291806A JP H0291806 A JPH0291806 A JP H0291806A JP 63242887 A JP63242887 A JP 63242887A JP 24288788 A JP24288788 A JP 24288788A JP H0291806 A JPH0291806 A JP H0291806A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置等に使用される垂直磁化方式の薄膜へ
ラドに関し、 記録再生効率が高く、かつエツジノイズが少なく、しか
も製造が容易な薄膜ヘッド構造の提供を目的とし、 先端が記録媒体面に近接あるいは接触して設けられた第
1磁性薄膜よりなる記録再生用の主磁極と、主磁極の後
端に磁極中心を有し該主磁極の片側に対向して配置され
たスパイラル・薄膜コイルと、主磁極の後端に中心を磁
気的結合し磁極全体が薄膜コイルの前部及び後部を覆う
ように配置された磁束帰還用の第2磁性薄膜と、を備え
る薄膜ヘッドにおいて、主磁極の他の片側に非磁性絶縁
材を介して第2磁性薄膜と対向する補助磁極を設け、こ
の補助磁極は後端が第2磁性薄膜の後端と磁気的結合さ
れて磁束帰還路を形成し、かつ補助磁極と主磁極との間
隔を、記録媒体上の磁化の変化により該補助磁極の先端
に発生する磁束の前記薄膜コイルを互いに逆方向に鎖交
する2つの経路、すなわち補助磁極から漏洩し直接第2
磁性薄膜へ流れる第1の経路、及び補助磁極から第2磁
性薄膜の後端を迂回してその薄膜を通り主磁極へ流れる
第2の経路、のそれぞれの磁束量がほぼ同等となるよう
な距離に設定した、構成とする。
ラドに関し、 記録再生効率が高く、かつエツジノイズが少なく、しか
も製造が容易な薄膜ヘッド構造の提供を目的とし、 先端が記録媒体面に近接あるいは接触して設けられた第
1磁性薄膜よりなる記録再生用の主磁極と、主磁極の後
端に磁極中心を有し該主磁極の片側に対向して配置され
たスパイラル・薄膜コイルと、主磁極の後端に中心を磁
気的結合し磁極全体が薄膜コイルの前部及び後部を覆う
ように配置された磁束帰還用の第2磁性薄膜と、を備え
る薄膜ヘッドにおいて、主磁極の他の片側に非磁性絶縁
材を介して第2磁性薄膜と対向する補助磁極を設け、こ
の補助磁極は後端が第2磁性薄膜の後端と磁気的結合さ
れて磁束帰還路を形成し、かつ補助磁極と主磁極との間
隔を、記録媒体上の磁化の変化により該補助磁極の先端
に発生する磁束の前記薄膜コイルを互いに逆方向に鎖交
する2つの経路、すなわち補助磁極から漏洩し直接第2
磁性薄膜へ流れる第1の経路、及び補助磁極から第2磁
性薄膜の後端を迂回してその薄膜を通り主磁極へ流れる
第2の経路、のそれぞれの磁束量がほぼ同等となるよう
な距離に設定した、構成とする。
この発明は、磁気ディスク装置等に使用される垂直磁化
方式の薄膜ヘッドに係2)、さらに詳細には記録再生効
率が高く、かつエツジノイズが少な(、しかも製造が容
易な主磁極励磁型の垂直磁化薄膜ヘッドに関する。
方式の薄膜ヘッドに係2)、さらに詳細には記録再生効
率が高く、かつエツジノイズが少な(、しかも製造が容
易な主磁極励磁型の垂直磁化薄膜ヘッドに関する。
垂直磁化方式の磁気ヘッドは、大別して補助磁極MJ5
磁型と主磁極励磁型に分類される。後者の主磁極励磁型
磁気ヘッドは、記録媒体の厚みに関係なく良好な垂直記
録再生が行えることから、リジットディスク、フロッピ
ーディスクのディスク・ファイル装置、及びテープ・フ
ァイル装置へ採用され製品開発が進められている。
磁型と主磁極励磁型に分類される。後者の主磁極励磁型
磁気ヘッドは、記録媒体の厚みに関係なく良好な垂直記
録再生が行えることから、リジットディスク、フロッピ
ーディスクのディスク・ファイル装置、及びテープ・フ
ァイル装置へ採用され製品開発が進められている。
ところでこの垂直磁化ヘッドでは、高密度記録化のため
のトラック密度の向上に対しては狭トラツク化が要求さ
れるが、この狭トラツク化を行うと十分な記録再生出力
が得られ難い傾向がある。
のトラック密度の向上に対しては狭トラツク化が要求さ
れるが、この狭トラツク化を行うと十分な記録再生出力
が得られ難い傾向がある。
このため記録再生効率が高く、大きな記録再生出力の得
られる主磁極励磁型の垂直磁化方式ヘッドが要望されて
いる。
られる主磁極励磁型の垂直磁化方式ヘッドが要望されて
いる。
第7図tag、 (blは、本出願人により提案された
特願昭56−118525号(特公昭61−18249
号)の主磁極励磁型薄膜ヘッドを示す。
特願昭56−118525号(特公昭61−18249
号)の主磁極励磁型薄膜ヘッドを示す。
この垂直薄膜ヘッド1は、(alの要部平面図及び(b
)のA−A線断面図に示すように、非磁性基板11の面
上に、先端部を細幅とした磁性薄膜からなる主磁極12
が形成され、その上に眉間絶縁層13で挟まれた渦巻状
あるいは螺旋状の薄膜コイル14、さらに磁性薄膜から
なる補助磁極(リターン磁極ともいう)15、保護層1
6が順に積み重ねて形成される。
)のA−A線断面図に示すように、非磁性基板11の面
上に、先端部を細幅とした磁性薄膜からなる主磁極12
が形成され、その上に眉間絶縁層13で挟まれた渦巻状
あるいは螺旋状の薄膜コイル14、さらに磁性薄膜から
なる補助磁極(リターン磁極ともいう)15、保護層1
6が順に積み重ねて形成される。
記録再生用の主磁極12は、先端を薄く且つ細く形成し
さらに基板11の媒体対向面17と面一にすることによ
り記録再生効率を良くしている。
さらに基板11の媒体対向面17と面一にすることによ
り記録再生効率を良くしている。
磁束リターン用の補助磁極15は、その中心が主磁極1
2の後端に接続されて磁束の帰還路を形成するが、先端
エツジ部で発生する擬似パルスいわゆるエツジノイズを
抑制するために、磁極先端を主磁極の先端から所定寸法
t(例えば20μm)だけ後退させている。なお、符号
18はコイル引出し線である。
2の後端に接続されて磁束の帰還路を形成するが、先端
エツジ部で発生する擬似パルスいわゆるエツジノイズを
抑制するために、磁極先端を主磁極の先端から所定寸法
t(例えば20μm)だけ後退させている。なお、符号
18はコイル引出し線である。
一方、このような薄膜ヘッド1により記録再生される垂
直磁化記録媒体2は、基板21の面上に、高透磁率軟磁
性層(裏打ち層ともいう)22を介して垂直磁化膜(記
録層)23が設けられた二層膜構造からなっている。
直磁化記録媒体2は、基板21の面上に、高透磁率軟磁
性層(裏打ち層ともいう)22を介して垂直磁化膜(記
録層)23が設けられた二層膜構造からなっている。
さてこの記録媒体2に情報を記録するには、薄膜ヘッド
1の薄膜コイル14に情報対応の電流を流して主磁極1
2を励磁し、その先端から強い磁束を発生させる。この
磁束は、記録媒体2の記録層23をその面に垂直に通り
裏打ち層22を経て再び記録層23を垂直に通過して、
補助磁極15の帰還路に入り元の主磁極12に戻る。記
録媒体2はこの主磁極先端における垂直方向の磁化によ
り当該情報の記録が行われる。
1の薄膜コイル14に情報対応の電流を流して主磁極1
2を励磁し、その先端から強い磁束を発生させる。この
磁束は、記録媒体2の記録層23をその面に垂直に通り
裏打ち層22を経て再び記録層23を垂直に通過して、
補助磁極15の帰還路に入り元の主磁極12に戻る。記
録媒体2はこの主磁極先端における垂直方向の磁化によ
り当該情報の記録が行われる。
また、記録媒体2に記録された情報を再生する場合は、
その記録層23上の情報に対応した磁化の変化により薄
膜ヘッド1の主磁極12に磁束が発生し、この磁束が補
助磁極15−記録層23−11打ち層22−主磁極12
の閉磁路を流れる過程において薄膜コイル14がこれを
電圧の変化として検出し、この電圧によって情報の再生
が行われる。
その記録層23上の情報に対応した磁化の変化により薄
膜ヘッド1の主磁極12に磁束が発生し、この磁束が補
助磁極15−記録層23−11打ち層22−主磁極12
の閉磁路を流れる過程において薄膜コイル14がこれを
電圧の変化として検出し、この電圧によって情報の再生
が行われる。
このように従来の垂直磁化薄膜ヘッド1では記録再生時
に、補助磁極15が主磁極12との間でリング型に近似
の閉じた磁気回路を形成するため、主磁極12の裏面側
すなわち基板11側へ漏れる磁束を低減し記録再生効率
を高めている。しかしこの閉磁路は、第7図(′b)に
示すように、補助磁極15の前部においてだけ形成され
る。すなわち、補助1ff15の後部は、主磁極12に
対し開放し閉磁路を形成しない。このため主磁極12に
発生した磁束は、補助磁極15の前部に対応する薄膜コ
イル14の前部に対しては十分に鎖交するが、薄膜コイ
ル後部を鎖交する磁束はこれに比べて非常に少ない。
に、補助磁極15が主磁極12との間でリング型に近似
の閉じた磁気回路を形成するため、主磁極12の裏面側
すなわち基板11側へ漏れる磁束を低減し記録再生効率
を高めている。しかしこの閉磁路は、第7図(′b)に
示すように、補助磁極15の前部においてだけ形成され
る。すなわち、補助1ff15の後部は、主磁極12に
対し開放し閉磁路を形成しない。このため主磁極12に
発生した磁束は、補助磁極15の前部に対応する薄膜コ
イル14の前部に対しては十分に鎖交するが、薄膜コイ
ル後部を鎖交する磁束はこれに比べて非常に少ない。
従って、前述した特公昭61−18249号に示す従来
の主磁極励磁型薄膜ヘッドは、薄膜コイルの後部が記録
及び再生に寄与する割合は小さく、そのため全体として
高い記録再生効率が得られない、という問題があった。
の主磁極励磁型薄膜ヘッドは、薄膜コイルの後部が記録
及び再生に寄与する割合は小さく、そのため全体として
高い記録再生効率が得られない、という問題があった。
この発明は、以上のような従来の状況から、補助磁極の
後部が主磁極とは別の補助磁極(リターン磁極)に対し
閉じた磁気回路を形成するように改良し、もって薄膜コ
イルの後部も情報の記録再生に寄与させ全体として高い
記録再生効率が得られ、またエツジノイズの少ない、し
かも製造が容易な主磁極励磁型の垂直磁化薄膜ヘッドを
提供することを口約、とする。
後部が主磁極とは別の補助磁極(リターン磁極)に対し
閉じた磁気回路を形成するように改良し、もって薄膜コ
イルの後部も情報の記録再生に寄与させ全体として高い
記録再生効率が得られ、またエツジノイズの少ない、し
かも製造が容易な主磁極励磁型の垂直磁化薄膜ヘッドを
提供することを口約、とする。
この発明の垂直磁化薄膜ヘッドは、第1図の基本構成図
に示すように、主磁極12のスパイラル・薄膜コイル1
4が形成されていない他方の片側にも磁束帰還用の補助
磁極3が非磁性絶縁材4を介して設けられる。ここで説
明の理解を容易にするため、この補助磁極3を第2補助
磁極と呼び、従来より主磁極12の一方の側において中
心を咳主磁極後端に磁気的結合し薄膜コイル14を覆う
ようにして設けられた補助磁極15を第1補助磁極と呼
ぶことにする。
に示すように、主磁極12のスパイラル・薄膜コイル1
4が形成されていない他方の片側にも磁束帰還用の補助
磁極3が非磁性絶縁材4を介して設けられる。ここで説
明の理解を容易にするため、この補助磁極3を第2補助
磁極と呼び、従来より主磁極12の一方の側において中
心を咳主磁極後端に磁気的結合し薄膜コイル14を覆う
ようにして設けられた補助磁極15を第1補助磁極と呼
ぶことにする。
この第2補助磁極3は、その後端が第1補助磁極15の
後端15aと磁気的に結合されて磁束帰還路を形成する
。また第2補助磁極3と主磁極12との間隔Dsを次の
ような距離に設定する。すなわち、記録媒体2上の磁化
の変化により第2補助磁極3の先端に発生する磁束の薄
膜コイル14ヲ互いに逆方向に鎖交する2つの経路、す
なわち第2補助磁極3から漏洩し直接第1補助磁極15
の前部へ流れる第1の経路、及び第2補助磁極31から
第1補助磁極15の後1fi15 aを迂回してその磁
極後端を通り主磁極12へ流れる第2の経路、のそれぞ
れの磁束量がほぼ同等となるような距離に設定する。
後端15aと磁気的に結合されて磁束帰還路を形成する
。また第2補助磁極3と主磁極12との間隔Dsを次の
ような距離に設定する。すなわち、記録媒体2上の磁化
の変化により第2補助磁極3の先端に発生する磁束の薄
膜コイル14ヲ互いに逆方向に鎖交する2つの経路、す
なわち第2補助磁極3から漏洩し直接第1補助磁極15
の前部へ流れる第1の経路、及び第2補助磁極31から
第1補助磁極15の後1fi15 aを迂回してその磁
極後端を通り主磁極12へ流れる第2の経路、のそれぞ
れの磁束量がほぼ同等となるような距離に設定する。
このようにして垂直磁化薄膜ヘッドを構成すると、主磁
極12は従来よりの第1補助磁極15との間の閉磁路と
共に、この第1補助磁極15を中継して第2補助磁極3
との間にもリング型に近似の閉磁路が形成される。これ
により主磁極12の先端に発生した磁束は、薄膜コイル
14全体を鎖交することになめ、その結果、記録再生効
率が向上する。
極12は従来よりの第1補助磁極15との間の閉磁路と
共に、この第1補助磁極15を中継して第2補助磁極3
との間にもリング型に近似の閉磁路が形成される。これ
により主磁極12の先端に発生した磁束は、薄膜コイル
14全体を鎖交することになめ、その結果、記録再生効
率が向上する。
ここで主磁極12と第2補助磁極3との間隔゛を前述し
たような距離Dsにすると、この補助磁極先端に発生す
る磁束によるエツジノイズを減少することができる。こ
の原理を、第2図と第3図を参照して説明する。
たような距離Dsにすると、この補助磁極先端に発生す
る磁束によるエツジノイズを減少することができる。こ
の原理を、第2図と第3図を参照して説明する。
まず第2図fa)に示すように、主磁極12と第2補助
磁極3との間隔が短い距離Ds、の場合には、記録媒体
2上の磁化の変化に応じ第2補助磁極先端に発生した磁
束は、大部分が近くの主磁極12へ漏れ、薄膜コイル1
4を紙面の右から左方向へ鎖交し第1補助磁極15に達
する。ここでこの磁束の流れる経路を第1の経路PAS
Iと呼ぶことにする。この経路PAS、での磁束の向
きは、主磁極12で発生した磁束の薄膜コイル14を鎖
交し第1補助磁極15をリターンする方向と同一方向に
相当する。従って、同一方向のこれら磁束によれば薄膜
コイル14には、第2図(b)の再生波形図に示すよう
に、同極性のパルスP、、Ptが検出される。なおPl
は主磁極12による主パルス、P2は第2補助磁極3に
よる擬似パルスを示す。
磁極3との間隔が短い距離Ds、の場合には、記録媒体
2上の磁化の変化に応じ第2補助磁極先端に発生した磁
束は、大部分が近くの主磁極12へ漏れ、薄膜コイル1
4を紙面の右から左方向へ鎖交し第1補助磁極15に達
する。ここでこの磁束の流れる経路を第1の経路PAS
Iと呼ぶことにする。この経路PAS、での磁束の向
きは、主磁極12で発生した磁束の薄膜コイル14を鎖
交し第1補助磁極15をリターンする方向と同一方向に
相当する。従って、同一方向のこれら磁束によれば薄膜
コイル14には、第2図(b)の再生波形図に示すよう
に、同極性のパルスP、、Ptが検出される。なおPl
は主磁極12による主パルス、P2は第2補助磁極3に
よる擬似パルスを示す。
次に第3図(a)に示すように、主磁極12と第2補助
磁極3との間隔が長い距離Dstの場合は、第2補助磁
極先端に発生した磁束は、大部分がそこから第1補助磁
極15の後端15aを迂回してその磁極後部を通2)、
薄膜コイル14を紙面の左から右方向へ鎖交し主磁極1
2に達する。ここでこの磁束の流れる経路を第2の経路
PAS2と呼ぶことにする。
磁極3との間隔が長い距離Dstの場合は、第2補助磁
極先端に発生した磁束は、大部分がそこから第1補助磁
極15の後端15aを迂回してその磁極後部を通2)、
薄膜コイル14を紙面の左から右方向へ鎖交し主磁極1
2に達する。ここでこの磁束の流れる経路を第2の経路
PAS2と呼ぶことにする。
この第2の経路PASzでの磁束の向きは、主磁極12
で発生した磁束の薄膜コイル14を鎖交し第1補助磁極
15をリターンする方向と逆方向に相当する。
で発生した磁束の薄膜コイル14を鎖交し第1補助磁極
15をリターンする方向と逆方向に相当する。
従って、逆方向のこれら磁束によれば薄膜コイル14に
は、第3図(b)の再生波形図に示すように、逆極性の
パルスP、、P、が検出される。なおP、は主磁極12
による主パルス、P3は第2補助磁極3による擬似パル
スを示す。
は、第3図(b)の再生波形図に示すように、逆極性の
パルスP、、P、が検出される。なおP、は主磁極12
による主パルス、P3は第2補助磁極3による擬似パル
スを示す。
なお、第2補助磁極3に発生した磁束は、第2図Cal
の構造において第2の経路PASzにも分岐して流れ、
第3図fa)の構造において第1の経路PASIにも分
岐して流れるが、それら経路での磁束量は比較的に小さ
い。
の構造において第2の経路PASzにも分岐して流れ、
第3図fa)の構造において第1の経路PASIにも分
岐して流れるが、それら経路での磁束量は比較的に小さ
い。
以上のように主磁極12と第2補助磁極3との間隔の長
短によりエツジノイズは互いに逆極性のパルスPR,P
3として現れる。このことから、第2補助磁極3に発生
する磁束の互いに逆向きの二つの経路、すなわち第1の
経路PAS+と第2の経路PAStのそれぞれの磁束量
が等しくなるように、主磁極12と第2補助磁極3との
間隔を最適距離Dsに選べば、当該補助磁極先端に発生
する磁束による誘起電圧が薄膜コイル14に発生しなく
な2)、その結果、エツジノイズをなくすことができる
。
短によりエツジノイズは互いに逆極性のパルスPR,P
3として現れる。このことから、第2補助磁極3に発生
する磁束の互いに逆向きの二つの経路、すなわち第1の
経路PAS+と第2の経路PAStのそれぞれの磁束量
が等しくなるように、主磁極12と第2補助磁極3との
間隔を最適距離Dsに選べば、当該補助磁極先端に発生
する磁束による誘起電圧が薄膜コイル14に発生しなく
な2)、その結果、エツジノイズをなくすことができる
。
以下この発明の好ましい実施例につき図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第4図は浮上型ヘッドに適用した第1実施例を示す図で
、(alはヘッドの要部を示す平面図、(telは前回
のA−A線に沿った断面図を示す。なお、これまでの説
明に用いた各図面と対応する部分は同一符号を記した。
、(alはヘッドの要部を示す平面図、(telは前回
のA−A線に沿った断面図を示す。なお、これまでの説
明に用いた各図面と対応する部分は同一符号を記した。
第4図に示す実施例の薄膜ヘッドと第7図に示す従来の
薄膜ヘッドとが大きく異なる点は、基板31と第1補助
磁極15の構造である。すなわち、基板31は、Ni−
ZnあるいはMn−Znフェライトなどの磁性材料から
な2)、前記した第2補助磁極3と浮上スライダの二つ
の役割をもっている。この磁性基板31の磁極配設面に
は、これに限定されないが深さ60〜80μm程度の溝
32が形成されていてその中に低融点ガラス、 Sin
、などの非磁性絶縁材料41が埋設される。
薄膜ヘッドとが大きく異なる点は、基板31と第1補助
磁極15の構造である。すなわち、基板31は、Ni−
ZnあるいはMn−Znフェライトなどの磁性材料から
な2)、前記した第2補助磁極3と浮上スライダの二つ
の役割をもっている。この磁性基板31の磁極配設面に
は、これに限定されないが深さ60〜80μm程度の溝
32が形成されていてその中に低融点ガラス、 Sin
、などの非磁性絶縁材料41が埋設される。
この非磁性絶縁材料41は、前述した磁極間距離Dsを
決定するギャップ手段4であ2)、その表面には主磁極
12が形成される。主磁極12はパーマロイ(Ni−F
e) 、CoZrなどの軟磁性薄膜により形成され、そ
の薄膜先端の膜厚は0.2〜0.5μm、薄膜後部の膜
厚は3〜5μmが選ばれる。
決定するギャップ手段4であ2)、その表面には主磁極
12が形成される。主磁極12はパーマロイ(Ni−F
e) 、CoZrなどの軟磁性薄膜により形成され、そ
の薄膜先端の膜厚は0.2〜0.5μm、薄膜後部の膜
厚は3〜5μmが選ばれる。
この主磁極12の上には、膜厚20μm程度の熱硬化性
樹脂材よりなる眉間絶縁層13で挟まれた渦巻状の薄膜
コイル14が配設される。薄膜コイル14は14(Cu
)、アルミニウム(A l )により形成され、かつ中
心が主磁極12の後端に位置付けられている。
樹脂材よりなる眉間絶縁層13で挟まれた渦巻状の薄膜
コイル14が配設される。薄膜コイル14は14(Cu
)、アルミニウム(A l )により形成され、かつ中
心が主磁極12の後端に位置付けられている。
この薄膜コイル14の上には(実際は眉間絶縁層13の
表面)パーマロイ、 CoZrなどの軟磁性薄膜よりな
る第1補助磁極(膜厚3〜5μm)15が配設される。
表面)パーマロイ、 CoZrなどの軟磁性薄膜よりな
る第1補助磁極(膜厚3〜5μm)15が配設される。
この第1補助磁極15の先端は主磁極12の先端よりも
20μm程度後退し、中心は眉間絶縁層13を貫通し主
磁極12の後端に接続されている。この磁極先端形状及
び磁極中心接続構造は従来例と変わりないが、磁極後端
15aは従来例よりも延長して磁性基板31の後部表面
(第2補助磁極3の後端に対応する)に接続され、この
後端構造が従来例とは異なる。
20μm程度後退し、中心は眉間絶縁層13を貫通し主
磁極12の後端に接続されている。この磁極先端形状及
び磁極中心接続構造は従来例と変わりないが、磁極後端
15aは従来例よりも延長して磁性基板31の後部表面
(第2補助磁極3の後端に対応する)に接続され、この
後端構造が従来例とは異なる。
そしてこれらの表面には5iOz、 A l 20+な
どの保護膜16が被覆される。なお、第2補助磁極3を
構成する磁性基板31に埋設した非磁性絶縁材料41の
上に積層する主磁極12、第1補助磁極15などは、従
来例と同様なスパッタ法などにより形成される。
どの保護膜16が被覆される。なお、第2補助磁極3を
構成する磁性基板31に埋設した非磁性絶縁材料41の
上に積層する主磁極12、第1補助磁極15などは、従
来例と同様なスパッタ法などにより形成される。
また磁性基板31の記録媒体2と対向する面、いわゆる
浮上面(空気ベアリング面ともいう)17は研磨されて
平坦化され、同時に主磁極12の先端長が所定値に設定
される。ここで注目すべき点は、主磁極12の先端と第
2補助磁極3の先端(磁性基板31の浮上面)とが同じ
面上にある点である。この構造によれば後述するように
、エツジノイズ対策のヘッドが記録再生効率を低下する
ことなく容易に製造できる利点がある。
浮上面(空気ベアリング面ともいう)17は研磨されて
平坦化され、同時に主磁極12の先端長が所定値に設定
される。ここで注目すべき点は、主磁極12の先端と第
2補助磁極3の先端(磁性基板31の浮上面)とが同じ
面上にある点である。この構造によれば後述するように
、エツジノイズ対策のヘッドが記録再生効率を低下する
ことなく容易に製造できる利点がある。
第5図は、このようにして形成された薄膜ヘッドにおけ
るエツジノイズの主パルス(記録磁界強度)に対する割
合の、Ds(主磁極−第2補助磁極間距離)依存性を計
算機シミレーションにより求めた図である。この図にお
いて横軸はDs(fi1位はμm)、縦軸はエツジノイ
ズ比率を示し、また中央の横方間点線はエツジノイズO
を示す。
るエツジノイズの主パルス(記録磁界強度)に対する割
合の、Ds(主磁極−第2補助磁極間距離)依存性を計
算機シミレーションにより求めた図である。この図にお
いて横軸はDs(fi1位はμm)、縦軸はエツジノイ
ズ比率を示し、また中央の横方間点線はエツジノイズO
を示す。
この図の実線曲線Bより明らかなように、Dsが短い場
合にはエツジノイズ比率はプラスとな2)、。
合にはエツジノイズ比率はプラスとな2)、。
Dsが長い場合にはこれとは反対にマイナスとな2)、
60〜80μmのDsではエツジノイズはOまたはそれ
に近い値となる。従って、上記実施例における磁性基板
31の溝32の深さ60〜80μmによればエツジノイ
ズはほとんど発生しない。
60〜80μmのDsではエツジノイズはOまたはそれ
に近い値となる。従って、上記実施例における磁性基板
31の溝32の深さ60〜80μmによればエツジノイ
ズはほとんど発生しない。
なお、本出願人が特願昭53−76242(特開昭55
−4730)により提案した別の主磁極励磁型薄膜ヘッ
ド(第8図参照)についても、同様な計算機シミレーシ
ョンを行い、その結果を第5図の点線曲線Cにより示し
た。ここでまず、このヘッドの構造を第8図の要部断面
図面の簡単な説明する。このヘッドでは、主磁極51の
後端を軟磁性材のスライダ52に接続し、スライダ(磁
性基板)をリターン磁極としている。なお、53は薄膜
コイル、54は眉間絶縁層、55は主磁極5工とリター
ン磁極52とのギャップを定める非磁性絶縁材料、及び
56は保護膜である。
−4730)により提案した別の主磁極励磁型薄膜ヘッ
ド(第8図参照)についても、同様な計算機シミレーシ
ョンを行い、その結果を第5図の点線曲線Cにより示し
た。ここでまず、このヘッドの構造を第8図の要部断面
図面の簡単な説明する。このヘッドでは、主磁極51の
後端を軟磁性材のスライダ52に接続し、スライダ(磁
性基板)をリターン磁極としている。なお、53は薄膜
コイル、54は眉間絶縁層、55は主磁極5工とリター
ン磁極52とのギャップを定める非磁性絶縁材料、及び
56は保護膜である。
このヘッドによれば比較的大きな記録磁界強度が得られ
るが、エツジノイズは点線曲線Cに示すように、本実施
例のヘッドよりも大きくあられれる。因にこのエツジノ
イズを低減する対策として、スライダ52の主磁極側の
エツジ部を所定量だけ切除する方法が従来より知られて
いるが、完全にはエツジノイズをなくすことができず、
またそのエツジ部切除の分だけ製造工程が増えるし作業
が容易でない、という問題がある。
るが、エツジノイズは点線曲線Cに示すように、本実施
例のヘッドよりも大きくあられれる。因にこのエツジノ
イズを低減する対策として、スライダ52の主磁極側の
エツジ部を所定量だけ切除する方法が従来より知られて
いるが、完全にはエツジノイズをなくすことができず、
またそのエツジ部切除の分だけ製造工程が増えるし作業
が容易でない、という問題がある。
以上説明したように第1実施例の薄膜ヘッドによれば、
高い記録再生効率がエツジノイズを発生することなく得
られる。しかも製造が容易であ2)、なおかつリターン
磁極を構成する基板が磁性材料であるため、外部磁界を
誘導し主磁極へのそれの量を低減する効果を奏する。し
かし反面、磁性基板としてのNi−ZnやFIn−Zn
フェライトは高周波特性が劣るため、最近の、磁気ヘッ
ドの動作周波数領域が数M Hzのオーダから数10M
)lzのオーダへ移行してきている状況では、高周波領
域での十分な記録再生効率は得難い。
高い記録再生効率がエツジノイズを発生することなく得
られる。しかも製造が容易であ2)、なおかつリターン
磁極を構成する基板が磁性材料であるため、外部磁界を
誘導し主磁極へのそれの量を低減する効果を奏する。し
かし反面、磁性基板としてのNi−ZnやFIn−Zn
フェライトは高周波特性が劣るため、最近の、磁気ヘッ
ドの動作周波数領域が数M Hzのオーダから数10M
)lzのオーダへ移行してきている状況では、高周波領
域での十分な記録再生効率は得難い。
次の第6図に示す第2実施例は、そのような問題点をも
解消した薄膜ヘッドである。このヘッドの特徴を簡単に
説明すると、第2補助磁極3を高周波特性に優れた軟磁
性薄膜32により構成し、これをスライダとなる非磁性
基板ll上に形成した構造を特徴としている。
解消した薄膜ヘッドである。このヘッドの特徴を簡単に
説明すると、第2補助磁極3を高周波特性に優れた軟磁
性薄膜32により構成し、これをスライダとなる非磁性
基板ll上に形成した構造を特徴としている。
さらに具体的には、第6図(a)の要部平面図、(b)
のA−A線断面図に示すように、A A 、03・Ti
Cなの非磁性基板11の面上に、パーマロイ、 CoZ
rなどの軟磁性薄膜32が例えばスパッタ法により形成
され(膜厚は第1補助磁極15と同等の3〜5μm)、
この薄膜を第2補助磁極3とする。そして、この軟磁極
薄膜32の後端部及び左右両端部を除く表面に、3 i
021 A l 20 :1等の非磁性絶縁層42を
形成する。
のA−A線断面図に示すように、A A 、03・Ti
Cなの非磁性基板11の面上に、パーマロイ、 CoZ
rなどの軟磁性薄膜32が例えばスパッタ法により形成
され(膜厚は第1補助磁極15と同等の3〜5μm)、
この薄膜を第2補助磁極3とする。そして、この軟磁極
薄膜32の後端部及び左右両端部を除く表面に、3 i
021 A l 20 :1等の非磁性絶縁層42を
形成する。
この絶縁層42は前記磁極間距離Dsを決定するための
ギャップ手段4で、所定の膜厚が選ばれる。
ギャップ手段4で、所定の膜厚が選ばれる。
そしてこの面上に、前述した要領で主磁極12、層間絶
縁層13、薄膜コイル14、第1補助磁極15がその順
に形成され、また第1補助磁極15の後端15aを軟磁
極薄膜32の後端部露出面(第2補助磁極3の後端に対
応する)に接続する。この後その上に保護膜17が形成
され、さらに媒体対向面17が研磨される(主磁極12
と軟磁性薄膜32の各先端を同一面にする)ことによ2
)、薄膜ヘッドが完成する。
縁層13、薄膜コイル14、第1補助磁極15がその順
に形成され、また第1補助磁極15の後端15aを軟磁
極薄膜32の後端部露出面(第2補助磁極3の後端に対
応する)に接続する。この後その上に保護膜17が形成
され、さらに媒体対向面17が研磨される(主磁極12
と軟磁性薄膜32の各先端を同一面にする)ことによ2
)、薄膜ヘッドが完成する。
この第2補助磁極3を軟磁性薄膜32により構成した薄
膜ヘッドによれば、高周波領域においても十分に高い記
録再生効率が得られ、また第1実施例の薄膜ヘッドと同
様に、簡単な製造によりエツジノイズ及び外部磁界によ
るノイズの減少が図れる。
膜ヘッドによれば、高周波領域においても十分に高い記
録再生効率が得られ、また第1実施例の薄膜ヘッドと同
様に、簡単な製造によりエツジノイズ及び外部磁界によ
るノイズの減少が図れる。
以上2つの好ましい実施例について説明したが、本発明
はこれに限定されないことは勿論であ2)、特に主磁極
と第2補助磁極(リターン磁極)との間の距離Dsは、
ヘッド構成部品の材料、形状に応じてその最適値が選ば
れる。また、第2補助磁極の先端は主磁極先端と必ずし
も同一面にする必要がなく、第1補助磁極の先端と同程
度後退させることも可能である。
はこれに限定されないことは勿論であ2)、特に主磁極
と第2補助磁極(リターン磁極)との間の距離Dsは、
ヘッド構成部品の材料、形状に応じてその最適値が選ば
れる。また、第2補助磁極の先端は主磁極先端と必ずし
も同一面にする必要がなく、第1補助磁極の先端と同程
度後退させることも可能である。
以上の説明から明らかなように、この発明の垂直磁化薄
膜ヘッドによれば、高い記録再生効率がエツジノイズを
発生することなく、しかも容易な製造により得られる。
膜ヘッドによれば、高い記録再生効率がエツジノイズを
発生することなく、しかも容易な製造により得られる。
従って、狭トランク化が容易とな2)、高トラツク密度
化が可能となることから、磁気ディスク装置の大容量化
、小型化の促進ができる等、実用上顕著なる効果を奏す
る。
化が可能となることから、磁気ディスク装置の大容量化
、小型化の促進ができる等、実用上顕著なる効果を奏す
る。
第1図は、この発明に係る垂直磁化薄膜ヘッドの基本構
成を示す図、 第2図及び第3図は、そのヘッドの動作原理を説明する
図、 第4図は、この発明の第1実施例を示す図、第5図は、
その実施例の効果を説明する図、第6図は、この発明の
第2実施例を示す図、第7図及び第8図は、それぞれ従
来の垂直磁化薄膜ヘッドを示す図である。 第1図乃至第6図において、 1は垂直磁化薄膜ヘッド、2は垂直磁化記録媒体、3は
補助磁極(第2補助磁極)、 4は非磁性絶縁材(磁極間ギャップ手段)、11は非磁
性基板(浮上スライダ)、 12は主磁極、13は眉間
絶縁層、 14は薄膜コイル、15は第2磁性薄膜(第
1補助磁極)、16は保護膜、 17は媒体対向面(浮
上面)、18はコイル引出し線、 21は記録媒体基板
、22は高透磁率軟磁性薄膜(裏打ち層)、23は垂直
磁化膜(記録層)、 31は磁性基板(第2補助磁極)、 32は軟磁性薄膜(第2補助磁極)、 41は非磁性絶縁材料(磁極間ギャップ手段)、42は
非磁性絶縁層(磁極間ギヤツブ手段)、Dsは主磁極−
補助磁極間距離(磁極間ギャップ)PAS Iは第1の
磁束経路、 PAS、は第2の磁束経路、P、は主パル
ス、 P2及びP、は擬似パルス(エツジノイズ)、をそれぞ
れ示す。 本発明のる木構成因 第1図 磁橿間距離 第2図 第3区 Us LIJm) 第5図 従来の垂tヘッドを示す断面図(その2)第8図 第4圀a) 本発明の′Wi、1実施例を示すA−A線断面図第4図
tb+ 第6図(al 本発明の第2実於Illを示すA 第6図(1)) A線断面図
成を示す図、 第2図及び第3図は、そのヘッドの動作原理を説明する
図、 第4図は、この発明の第1実施例を示す図、第5図は、
その実施例の効果を説明する図、第6図は、この発明の
第2実施例を示す図、第7図及び第8図は、それぞれ従
来の垂直磁化薄膜ヘッドを示す図である。 第1図乃至第6図において、 1は垂直磁化薄膜ヘッド、2は垂直磁化記録媒体、3は
補助磁極(第2補助磁極)、 4は非磁性絶縁材(磁極間ギャップ手段)、11は非磁
性基板(浮上スライダ)、 12は主磁極、13は眉間
絶縁層、 14は薄膜コイル、15は第2磁性薄膜(第
1補助磁極)、16は保護膜、 17は媒体対向面(浮
上面)、18はコイル引出し線、 21は記録媒体基板
、22は高透磁率軟磁性薄膜(裏打ち層)、23は垂直
磁化膜(記録層)、 31は磁性基板(第2補助磁極)、 32は軟磁性薄膜(第2補助磁極)、 41は非磁性絶縁材料(磁極間ギャップ手段)、42は
非磁性絶縁層(磁極間ギヤツブ手段)、Dsは主磁極−
補助磁極間距離(磁極間ギャップ)PAS Iは第1の
磁束経路、 PAS、は第2の磁束経路、P、は主パル
ス、 P2及びP、は擬似パルス(エツジノイズ)、をそれぞ
れ示す。 本発明のる木構成因 第1図 磁橿間距離 第2図 第3区 Us LIJm) 第5図 従来の垂tヘッドを示す断面図(その2)第8図 第4圀a) 本発明の′Wi、1実施例を示すA−A線断面図第4図
tb+ 第6図(al 本発明の第2実於Illを示すA 第6図(1)) A線断面図
Claims (4)
- (1)先端が記録媒体(2)面に近接あるいは接触して
設けられた第1磁性薄膜よりなる記録再生用の主磁極(
12)と、主磁極の後端に中心を有し該主磁極の片側に
対向して配置された渦巻状あるいは螺旋状の薄膜コイル
(14)と、主磁極の後端に磁極中心を磁気的結合し磁
極全体が薄膜コイルの前部及び後部を覆うように配置さ
れた磁束帰還用の第2磁性薄膜(15)と、を備える薄
膜磁気ヘッド構成において、 前記主磁極(12)の他の片側に非磁性絶縁材(4)を
介して前記第2磁性薄膜(15)と対向する補助磁極(
3)を設け、 前記補助磁極(3)は後端が第2磁性薄膜(15)の後
端と磁気的結合されて磁束帰還路を形成し、かつ前記補
助磁極(3)と主磁極(12)との間隔(DS)を、記
録媒体(2)上の磁化の変化により該補助磁極先端に発
生する磁束の前記薄膜コイル(14)を互いに逆方向に
鎖交する2つの経路、すなわち補助磁極(3)から漏洩
し直接第2磁性薄膜(15)へ流れる第1の経路(PA
S_1)、及び補助磁極(3)から第2磁性薄膜(15
)の後端を迂回してその薄膜を通り主磁極(12)へ流
れる第2の経路(PAS_2)、のそれぞれの磁束量が
ほぼ同等となるような距離に設定した ことを特徴とする垂直磁化薄膜ヘッド。 - (2)前記補助磁極が基板を兼ねる軟磁性材(31)よ
りなり、該磁性基板は磁極形成面が開口されてそこに非
磁性絶縁材料(41)を充填してなることを特徴とする
請求項1記載の垂直磁化薄膜ヘッド。 - (3)前記補助磁極が軟磁性薄膜(32)よりなり、該
軟磁性薄膜は非磁性基板(11)に形成されてなること
を特徴とする請求項1記載の垂直磁化薄膜ヘッド。 - (4)前記補助磁極(3)の先端が前記主磁極(12)
の先端と同じ面上に位置されてなる ことを特徴とする請求項1、2または3記載の垂直磁化
薄膜ヘッド。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63242887A JPH081687B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 垂直磁化薄膜ヘッド |
KR1019890006141A KR950003886B1 (ko) | 1988-09-27 | 1989-05-08 | 수직기록 및 재생용 박막 자기 헤드 |
EP89109688A EP0360978B1 (en) | 1988-09-27 | 1989-05-30 | A thin film magnetic head for perpendicular recording and reproducing |
DE68919967T DE68919967T2 (de) | 1988-09-27 | 1989-05-30 | Dünnfilm-Magnetkopf für senkrechte Aufzeichnung und Wiedergabe. |
US07/361,181 US4974110A (en) | 1988-09-27 | 1989-06-05 | Thin film magnetic head for perpendicular recording and reproducing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63242887A JPH081687B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 垂直磁化薄膜ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0291806A true JPH0291806A (ja) | 1990-03-30 |
JPH081687B2 JPH081687B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17095704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63242887A Expired - Lifetime JPH081687B2 (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 垂直磁化薄膜ヘッド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4974110A (ja) |
EP (1) | EP0360978B1 (ja) |
JP (1) | JPH081687B2 (ja) |
KR (1) | KR950003886B1 (ja) |
DE (1) | DE68919967T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100441170B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 측면트랙노이즈제거를위한헤드갭(gap)구조 |
US7983009B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-07-19 | Tdk Corporation | Magnetic recording/reproducing system, and thin-film magnetic head having shield layers of specified widths |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69117323T2 (de) * | 1990-04-16 | 1996-07-11 | Hitachi Ltd | Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren |
US5402295A (en) * | 1990-04-16 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording head capable of defining narrow track width and magnetic recording apparatus using the same |
JPH10241117A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Fujitsu Ltd | 単層磁性膜垂直磁化媒体用記録ヘッド |
JP3249068B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | 磁気記録方法及び装置 |
US6876519B1 (en) | 1999-09-20 | 2005-04-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head including background magnetic field generator |
US6771462B1 (en) | 1999-09-20 | 2004-08-03 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording head including concave tip |
US6898053B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-05-24 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording head with trackwidth defined by plating thickness |
US6560069B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-05-06 | Seagate Technology, Llc | Perpendicular recording head defining the trackwidth by material deposition thickness |
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