JP2001283409A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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韓 承▲埼▼
Minchin Mo
陳 茂民
Goo Haku
王 伯剛
Musa Dobekku Morris
ムサ ドベック モリス
Michael Sandler Gene
マイケル サンドラー ジェネ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オーバーライト特性を確保しつつ、記録処理
の高速化を実現可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 記録ギャップ層１０上に、絶縁層１２
（絶縁層部分１２Ａ）と隣接して非磁性材料よりなるス
ペーサ層１６が配設され、記録ギャップ層１０およびス
ペーサ層１６の双方と隣接する上部ポールチップ１４お
よびこの上部ポールチップ１４と磁気的に連結された上
部ヨーク１８が配設される。上部磁極３０内における磁
束伝播の阻害傾向を抑制しつつスロートハイトＴＨ１を
短縮することが可能となるため、スロートハイトＴＨ１
の短縮に基づく記録処理の高速化とオーバーライト特性
の確保とを両立させることが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録ヘッドを備え
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドでは、ディスクやテープ
などの記録媒体の表面を部分的に磁化することにより情
報が記録され、一方、記録媒体に記録された情報を磁気
的な変化として読み出すことにより情報が再生される。
【０００３】図１３は、一般的な薄膜磁気ヘッドの構成
例を表すものである。なお、図１３では、薄膜磁気ヘッ
ドのうち、記録媒体１８０と対向する側と反対側の部分
の図示を省略している。この薄膜磁気ヘッドは、例え
ば、再生機能を担う再生ヘッド部と、記録機能を担う記
録ヘッド部とを備えている。再生ヘッド部は、主に、巨
大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto Resistive ）
を有する再生用の磁気抵抗効果（ＭＲ；magneto-resist
ive ）素子１６０と、このＭＲ素子１６０を周囲から磁
気的に分離する下部シールド層１７０および上部シール
ド層兼上部磁極（以下、単に「下部磁極」という。）１
５０とを含んで構成されている。一方、記録ヘッド部
は、下部磁極１５０と、この下部磁極１５０と記録ギャ
ップ層１１０を挟んで対向配置された上部磁極１３０
と、下部磁極１５０と上部磁極１３０との間に絶縁層１
１２を介して埋設され、渦巻状の巻線構造を有するコイ
ル１２０とを含んで構成されている。下部磁極１５０お
よび上部磁極１３０は、記録媒体１８０に対向する記録
媒体対向面（エアベアリング面）１４０に近い側の領域
の記録ギャップ層１１０近傍において互いに同一の微小
幅を有しており、これらの微小幅部分を含んで、記録ト
ラック幅を規定する磁極部分２００が構成されている。
一方、下部磁極１５０および上部磁極１３０は、エアベ
アリング面１４０と反対側において互いに連結されてい
る（図示せず）。なお、図１３では、コイル１２０のう
ち、２個の巻線のみを図示している。
【０００４】この薄膜磁気ヘッドにおいて、コイル１２
０により発生した磁束は、下部磁極１５０および上部磁
極１３０の内部を伝播してエアベアリング面１４０近傍
に到達し、磁極部分２００の記録ギャップ層１１０近傍
において漏れ磁束として外部に放出される。この漏れ磁
束により、記録媒体１８０の表面が磁化され、情報が記
録される。
【０００５】ところで、近年、記録媒体における単位面
積当たりの記録密度（面記録密度）を増加させると共
に、記録・再生処理を高速で実行するために、高線形分
解能を有し、かつ極狭幅型の磁極部分２００を有する記
録ヘッド部の開発が要望されている。記録ヘッド部の磁
極部分２００を極狭幅化させると、記録時における記録
媒体上の磁化領域（記録トラック幅）がより小さくなる
ため、記録媒体全体としての記録量が増加する。また、
記録ギャップ層１１０の厚みを薄くし、下部磁極１５０
と上部磁極１３０とを互いに近接させると、記録ギャッ
プ層１１０近傍に十分な磁界が発生することにより記録
ヘッド部の線形分解能が向上するため、記録媒体上にお
けるトラックの単位長さ当たりの記録量が増加し、この
観点においても記録量の増加に寄与する。
【０００６】上記した磁極部分の極狭幅化，記録ギャッ
プ層の薄化および十分な磁界発生を実現可能な薄膜磁気
ヘッドの製造方法としては、例えば、下記のような先行
技術が既に提案されている。
【０００７】例えば、米国特許第５２８３９４２号で
は、Ｃｈｅｎ等により、薄膜の平坦化に係る製造技術が
開示されている。この製造技術によれば、犠牲層を利用
することにより、表面が平坦になるように記録ギャップ
層を形成することが可能になる。
【０００８】また、例えば、米国特許第５３７５０２３
号では、Ｊｕ等により、互いに位置がずれるように配設
された下部磁極および上部磁極と、これらの下部磁極お
よび上部磁極により挟まれた記録ギャップとを有する誘
導型薄膜ヘッドの製造技術が開示されている。
【０００９】また、例えば、米国特許第５７２６８４１
号では、Ｔｏｎｇ等により、傾斜面を有し、狭トラック
幅で記録可能なトリム構造（磁極部分）の製造技術が開
示されている。
【００１０】また、例えば、米国特許第５４４６６１３
号では、Ｒｏｔｔｍａｙｅｒ等により、記録ヘッド部と
再生ヘッド部とを備え、発熱を最小限にしつつ、低い電
流密度において下部磁極および上部磁極に大きな電流を
流すことが可能な複合型ヘッドの製造技術が開示されて
いる。
【００１１】また、米国特許第５８９８５４８号では、
Ｄｉｌｌ等により、磁気的なトンネル接合を利用した磁
気抵抗効果型再生ヘッドの製造技術が開示されている。
この磁気抵抗効果型再生ヘッドにおけるシールド層は、
検出回路に電気的に接続するためのリードとしての機能
も兼ねる旨が紹介されている。
【００１２】さらに、米国特許第５９１０８７０号で
は、石綿等により、絶縁性材料層および磁性材料層が積
層された積層構造を有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造
技術が開示されている。この磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁性材料層が絶縁性材料層により周囲から電気的に
絶縁される旨が紹介されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た一連の先行技術が開示されているにもかかわらず、従
来は、以下のような理由により、薄膜磁気ヘッドの記録
処理を十分に高速化することが困難であるという問題が
あった。
【００１４】すなわち、記録処理の高速化を実現させる
ためには、上記した線形分解能を向上させる他、例え
ば、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定するための重要な
因子のうちの１つであるスロートハイトを適正に短くす
る必要がある。この「スロートハイト」とは、コイル１
２０を周囲から絶縁する絶縁層１１２からエアベアリン
グ面１４０までの距離として規定される。スロートハイ
トが大きすぎると、記録処理を実行するために大きな飽
和記録電流が必要となり、この飽和記録電流が大きくな
ると、記録対象トラックと隣接する隣接トラックに書き
込みが行われ、元々隣接トラックに記録されていた情報
が意図せず消去される不具合、すなわちサイドイレーズ
が生じてしまう。
【００１５】従来の薄膜磁気ヘッドでは、スロートハイ
トを小さくすることにより、飽和記録電流の増大に起因
する不具合の発生を抑制すべく、例えば、絶縁層１１２
の配設領域をエアベアリング面１４０に近づく側にシフ
トさせると、上部磁極１３０うち、磁極部分２００の一
部を構成する部分（磁極）の体積が小さくなる。磁極の
体積が小さくなると、その内部に収容可能な磁束量（磁
束収容量）が減少することに起因し、上部磁極１３０内
において磁束の伝播が阻害される。このような場合に
は、上部磁極１３０内を伝播する磁束がエアベアリング
面１４０まで十分に到達しにくくなるため、薄膜磁気ヘ
ッドのオーバーライト特性が低下してしまう。この「オ
ーバーライト特性」とは、低周波で記録済みの磁気情報
を新たに高周波で上書きする際の上書き特性である。こ
れらのことから、従来の薄膜磁気ヘッドでは、スロート
ハイトの短縮とオーバーライト特性の確保とを両立させ
ることが困難であり、オーバーライト特性を確保しよう
とすると、薄膜磁気ヘッドの記録処理に係る高速化が阻
害されることとなる。
【００１６】なお、スロートハイトが大きすぎると、上
記した飽和記録電流の増大に係る不具合が生じる他、例
えば、薄膜磁気ヘッドの非線形シフト特性、すなわち記
録済みのディスク上に生じる磁界と新たな記録により生
じた磁界との干渉特性が低下してしまい、この点におい
てもオーバーライト特性の低下を招くこととなる。
【００１７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、オーバーライト特性を確保しつつ、
記録処理の高速化を実現可能な薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、ギャップ層を介して互
いに対向すると共に記録媒体に面するように配置される
２つの磁極を有する互いに磁気的に連結された２つの磁
性層と、２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、
薄膜コイルを２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有す
ると共に、２つの磁性層のうちの一方の磁性層が、記録
媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する第１の
磁性層部分と、この第１の磁性層部分と磁気的に連結さ
れた第２の磁性層部分とを含む薄膜磁気ヘッドを製造す
るための方法であり、２つの磁性層のうちの他方の磁性
層上にギャップ層を形成する第１の工程と、ギャップ層
上に絶縁層を選択的に形成する第２の工程と、少なくと
もギャップ層を覆うように、フォトレジスト層を１．０
μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内の厚さで形成する第３
の工程と、フォトレジスト層のうち、第１の領域を選択
的に露光する第４の工程と、第１の領域を現像して除去
することにより、フォトレジスト層に第１の開口領域を
選択的に形成する第５の工程と、第１の開口領域を有す
るフォトレジスト層をマスクとして用いて、第１の開口
領域に、ギャップ層および絶縁層の双方と隣接するよう
に、非磁性材料を用いてスペーサ層を選択的に形成する
第６の工程と、フォトレジスト層のうち、第１の領域周
辺の第２の領域を選択的に露光する第７の工程と、第２
の領域を現像して除去することにより、フォトレジスト
層に第２の開口領域を選択的に形成する第８の工程と、
第２の開口領域を有するフォトレジスト層を用いて、第
２の開口領域におけるギャップ層およびスペーサ層の双
方を覆うように、第１の磁性層部分を選択的に形成する
第９の工程と、第１の磁性層部分にオーバーラップして
磁気的に連結され、記録媒体に対向する記録媒体対向面
となる側に近い側の端縁の位置が第１の磁性層部分のう
ちの記録媒体対向面となる側に近い側の端縁の位置と一
致するように第２の磁性層部分を選択的に形成する第１
０の工程とを含むようにしたものである。
【００１９】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
は、ギャップ層を介して互いに対向すると共に記録媒体
に面するように配置される２つの磁極を有する互いに磁
気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁性層の間に
配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを２つの磁性層か
ら絶縁する絶縁層とを有するものであり、ギャップ層の
うち、２つの磁性層のうちの他方の磁性層と反対側の面
に隣接し、かつ絶縁層に隣接して配設された非磁性層材
料よりなるスペーサ層を備えると共に、２つの磁性層の
うちの一方の磁性層が、スペーサ層およびその周辺のギ
ャップ層の双方に隣接して配設され、記録媒体の記録ト
ラック幅を画定する一定幅を有する第１の磁性層部分
と、この第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的
に連結され、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い
側の端縁の位置が、第１の磁性層部分のうちの記録媒体
対向面に近い側の端縁の位置と一致するように配設され
た第２の磁性層部分とを含むようにしたものである。
【００２０】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、ギャップ層を介して互いに対向すると共
に記録媒体に面するように配置される２つの磁極を有す
る互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁
性層の間に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを２つ
の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、２つの
磁性層のうちの一方の磁性層が、記録媒体の記録トラッ
ク幅を画定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、こ
の第１の磁性層部分と磁気的に連結された第２の磁性層
部分とを含む薄膜磁気ヘッドを製造するための方法であ
り、２つの磁性層のうちの他方の磁性層上にギャップ層
を形成する第１の工程と、ギャップ層上に絶縁層を選択
的に形成する第２の工程と、少なくともギャップ層を覆
うように、フォトレジスト層を３．０μｍ以上５．０μ
ｍ以下の範囲内の厚さで形成する第３の工程と、フォト
レジスト層のうち、第１の領域を選択的に露光する第４
の工程と、第１の領域を現像して除去することにより、
フォトレジスト層に第１の開口領域を選択的に形成する
第５の工程と、第１の開口領域を有するフォトレジスト
層をマスクとして用いて、第１の開口領域に、ギャップ
層および絶縁層の双方と隣接するように、非磁性材料を
用いてスペーサ層を選択的に形成する第６の工程と、フ
ォトレジスト層のうち、第１の領域周辺の第２の領域を
選択的に露光する第７の工程と、第２の領域を現像して
除去することにより、フォトレジスト層に第２の開口領
域を選択的に形成する第８の工程と、第２の開口領域に
おけるギャップ層およびスペーサ層の双方を覆うよう
に、第１の磁性層部分を選択的に形成する第９の工程
と、第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
結され、記録媒体に対向する記録媒体対向面となる側に
近い側の端縁が、第１の磁性層部分のうちの記録媒体対
向面となる側に近い側の端縁よりも、記録媒体対向とな
る側から離れて位置するように、第２の磁性層部分を選
択的に形成する第１０の工程とを含むようにしたもので
ある。
【００２１】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
は、ギャップ層を介して互いに対向すると共に記録媒体
に面するように配置される２つの磁極を有する互いに磁
気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁性層の間に
配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを２つの磁性層か
ら絶縁する絶縁層とを有するものであり、ギャップ層の
うち、２つの磁性層のうちの他方の磁性層と反対側の面
に隣接し、かつ絶縁層に隣接して配設された非磁性層材
料よりなるスペーサ層を備えると共に、２つの磁性層の
うちの一方の磁性層が、スペーサ層およびギャップ層の
双方と隣接するように配設され、記録媒体の記録トラッ
ク幅を画定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、こ
の第１の磁性層部分と磁気的に連結され、記録媒体に対
向する記録媒体対向面に近い側の端縁が、第１の磁性層
部分のうちの記録媒体対向面に近い側の端縁よりも、記
録媒体対向面から離れて位置するように配設された第２
の磁性層部分とを含むようにしたものである。
【００２２】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法では、ギャップ層のうち、２つの磁
性層のうちの他方の磁性層と反対側の面に隣接し、かつ
絶縁層に隣接するように非磁性材料よりなるスペーサ層
が形成され、このスペーサ層およびギャップ層の双方に
隣接するように第１の磁性層部分が形成される。そし
て、第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
結され、記録媒体に対向する記録媒体対向面となる側に
近い側の端縁の位置が第１の磁性層部分のうちの記録媒
体対向面となる側に近い側の端縁の位置と一致するよう
に第２の磁性層部分が形成されることにより、２つの磁
性層のうちの一方の磁性層が形成される。これにより、
２つの磁性層のうちの一方の磁性層内における磁束の伝
播を抑制することによりオーバーライト特性を適正に確
保しつつ、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する因子のうち
の１つであるスロートハイト（スペーサ層と記録媒体対
向面との間の距離）を調整することが可能となる。
【００２３】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法では、ギャップ層のうち、２つの磁
性層のうちの他方の磁性層と反対側の面に隣接し、かつ
絶縁層に隣接するように非磁性材料よりなるスペーサ層
が形成され、このスペーサ層およびギャップ層の双方に
隣接するように第１の磁性層部分が形成される。そし
て、第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
結され、記録媒体に対向する記録媒体対向面となる側に
近い側の端縁が第１の磁性層部分のうちの記録媒体対向
面となる側に近い側の端縁よりも記録媒体対向面となる
側から離れて位置するように形成されることにより、２
つの磁性層のうちの一方の磁性層が形成される。これに
より、２つの磁性層のうちの一方の磁性層内における磁
束の伝播を抑制することによりオーバーライト特性を適
正に確保しつつ、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する因子
のうちの１つであるスロートハイトを調整することが可
能となると共に、第２の磁性層部分が記録媒体対向面に
近いことに起因して生じる不具合（サイドイレーズ）の
発生を抑制することが可能となる。
【００２４】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法ならびに第２の観点に係る薄膜磁気
ヘッドまたはその製造方法では、スペーサ層の形成材料
としてニッケル銅，パラジウム銅，酸化アルミニウム，
タンタルのいずれかを用い、その厚みが０．３μｍ以上
０．８μｍ以下の範囲内および長さが０．５μｍ以上
１．０μｍ以下の範囲内とするのが好ましい。
【００２５】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドまたはその製造方法ならびに第２の観点に係る薄
膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第１の磁性層部
分の形成材として窒化鉄，窒化鉄アルミニウム，窒化鉄
タンタル，コバルトニッケル鉄のいずれかを用い、その
厚みが０．３μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内および長
さが３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内とするのが
好ましい。
【００２６】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドまたはその製造方法ならびに第２の観点に係る薄
膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第２の磁性層部
分の形成材料として窒化鉄，窒化鉄アルミニウム，窒化
鉄タンタル，コバルト鉄バナジウムのいずれかを用い、
その厚みが０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内とす
るのが好ましい。
【００２７】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法ならびに第２の観点に係る薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法では、さらに、他方の磁性層を
挟んで一方の磁性層と反対側に、巨大磁気抵抗効果を有
する磁気抵抗効果素子を配設するようにしてもよい。こ
のような場合には、他方の磁性層が、磁気抵抗効果素子
をその周辺から磁気的に分離する機能を含んで用いられ
るようにしてもよい。
【００２８】また、本発明の第２の観点に係る薄膜磁気
ヘッドまたその製造方法では、第２の磁性層部分のう
ち、記録媒体対向面となる側に近い側の端縁が、第１の
磁性層部分のうちの記録媒体対向面となる側に近い側の
端縁よりも、記録媒体対向となる側から０．１５μｍ以
上１．５μｍの範囲内だけ離れて位置するようにするの
が好ましい。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【００３０】［第１の実施の形態］ ＜薄膜磁気ヘッドの構成＞まず、図１および図２を参照
して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
としての複合型薄膜磁気ヘッドの概略構成について説明
する。図１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部
の断面構成を表し、図２は図１に示した断面構成に対応
する斜視構成を表している。なお、図２では、図１に示
した構成要素のうちの一部を適宜省略すると共に、図１
に示していない構成要素（下部磁極５０）を新たに追加
している。図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドにお
いて、図示した要部構成以外の構成は、例えば、上記
「従来の技術」の項において説明した図１３の場合と同
様である。
【００３１】この薄膜磁気ヘッドは、主に、下部磁極５
０と、下部磁極５０上に配設された記録ギャップ層１０
と、記録ギャップ層１０の上方に配設された磁束発生用
のコイル２０と、記録ギャップ層１０上に配設され、コ
イル２０をその周囲から電気的に分離する絶縁層１２
と、記録ギャップ層１０上に、絶縁層１２と隣接して配
設されたスペーサ層１６と、スペーサ層１６およびその
周辺の記録ギャップ層１０を覆うように配設された上部
ポールチップ１４と、上部ポールチップ１４および絶縁
層１２を覆うように配設された上部ヨーク１８とを含ん
で構成されている。この薄膜磁気ヘッドにおいて、上部
磁極３０は、上部ポールチップ１４および上部ヨーク１
８の集合体として構成されている。
【００３２】ここで、下部磁極５０が本発明における
「２つの磁性層のうちの他方の磁性層」の一具体例に対
応し、上部ポールチップ１４が本発明における「第１の
磁性層部分」の一具体例に対応し、上部ヨーク１８が本
発明における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応
し、上部磁極３０が本発明における「２つの磁性層のう
ちの一方の磁性層」の一具体例に対応する。
【００３３】下部磁極５０は、例えば、記録ヘッド部に
おいて磁束の伝播経路として機能する他、再生ヘッド部
において、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子；図示せず，図
１３参照）をその周囲から磁気的に分離する機能も兼ね
ている。
【００３４】記録ギャップ層１０は、例えば、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」とい
う）などの非磁性材料により構成されている。
【００３５】コイル２０は、例えば、２層構造を有し、
渦巻状の巻線構造を有する１層目のコイル２０Ａおよび
２層目のコイル２０Ｂを含んで構成されている。
【００３６】絶縁層１２は、例えば、記録ギャップ層１
０上に配設された絶縁層部分１２Ａと、この絶縁層部分
１２Ａ上に配設され、１層目のコイル２０Ａを埋設する
絶縁層部分１２Ｂと、この絶縁層部分１２Ｂ上に配設さ
れ、２層目のコイル２０Ｂを埋設する絶縁層部分１２Ｃ
とを含んで構成されている。
【００３７】スペーサ層１６は、非磁性材料、例えばニ
ッケル銅（ＮｉＣｕ），パラジウム銅（ＰｄＣｕ），ア
ルミナ，タンタル（Ｔａ）のいずれかにより構成されて
いる。スペーサ層１６の厚みは約０．３μｍ〜０．８μ
ｍであり、長さ（図１中、スペーサ層１６の延在方向に
おける距離）は約０．５μｍ〜１．０μｍである。スペ
ーサ層１６の表面（記録ギャップ層１０と反対側の表
面）の位置は、絶縁層部分１２Ａの表面の位置よりも低
くなっている。
【００３８】上部ポールチップ１４は、記録媒体の記録
トラック幅を画定する微小な一定幅を有しており、磁性
材料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ），窒化鉄アルミニウム
（ＦｅＡｌＮ），窒化鉄タンタル（ＦｅＴａＮ），コバ
ルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）のいずれかにより構成
されている。上部ポールチップ１４の厚みは、約０．３
μｍ〜３．０μｍ，より好ましくは約０．５μｍ〜３．
０μｍであり、長さは約３．０μｍ〜６．０μｍであ
る。上部ポールチップ１４の表面の位置は、例えば、絶
縁層部分１２Ａの表面の位置と一致している。
【００３９】上部ヨーク１８は、上部ポールチップ１４
にオーバーラップして磁気的に連結されており、例え
ば、そのエアベアリング面４０に近い側の端縁（以下、
単に「前端」という）の位置は、上部ポールチップ１４
の前端の位置と一致している。上部ヨーク１８のうち、
例えば、上部ポールチップ１４に対応する部分は、上部
ポールチップ１４の幅と同様の一定幅を有しており、そ
れ以外の部分（図示せず）は、コイル２０により発生し
た磁束を収容すべく、上部ポールチップ１４の幅よりも
大きな幅を有している。この上部ヨーク１８は、磁性材
料、例えば窒化鉄，窒化鉄アルミニウム，窒化鉄タンタ
ル，コバルト鉄バナジウムのいずれかにより構成されて
おり、その厚みは約０．５μｍ〜３．０μｍ，より好ま
しくは約１．５μｍ〜３．０μｍである。
【００４０】この薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極５０お
よび上部磁極３０（上部ヨーク１８）のうち、それぞれ
のエアベアリング面４０と反対側の端部（図示せず）が
互いに磁気的に連結されており、下部磁極５０および上
部磁極３０により磁束の伝播経路、すなわち磁路が構成
されている。スペーサ層１６の前端の位置は、薄膜磁気
ヘッドの記録特性を決定する因子のうちの１つであるス
ロートハイト（ＴＨ；Throat Height ；以下、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドにおけるスロートハイトを
「ＴＨ１」と表記する）を決定するためのスロートハイ
トゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイトＴＨ
１は、スペーサ層１６の端縁の位置（ＴＨ０位置）から
エアベアリング面４０までの距離として規定される。
【００４１】＜薄膜磁気ヘッドの動作＞この薄膜磁気ヘ
ッドでは、情報の記録動作時において、図示しない外部
回路を通じてコイル２０（２０Ａ，２０Ｂ）に電流が流
れると、これに応じて磁束が発生する。このとき発生し
た磁束は、上部磁極３０の上部ヨーク１８に収容された
のち、上部ヨーク１８内を伝播することによりそのエア
ベアリング面４０側の先端へ到達すると共に、上部ポー
ルチップ１４へ流入する。上部ポールチップ１４へ流入
した磁束は、上部ヨーク１８の場合と同様に、上部ポー
ルチップ１４内を伝播することによりその先端へ到達す
る。上部ポールチップ１４および上部ヨーク１８の先端
に到達した磁束により、記録ギャップ層１０近傍の外部
に記録用の信号磁界が発生する。この信号磁界により、
記録媒体が部分的に磁化され、情報が記録される。
【００４２】一方、情報の再生動作時においては、ＭＲ
膜（図１３参照）にセンス電流を流す。ＭＲ膜の抵抗値
は、磁気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化する
ため、その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出す
ることにより、磁気記録媒体に記録されている情報が読
み出され、再生される。
【００４３】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞次に、図１
〜図９を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
する。図３〜図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するものであり、エアベアリング面
に垂直な断面を表している。図３〜図９では、薄膜磁気
ヘッドの製造工程のうち、主に、記録ヘッド部の要部の
製造工程について示している。なお、以下の説明では、
図３〜図９の他、図１および図２を適宜参照するものと
する。
【００４４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、薄膜プロセスを用いて、ＭＲ素子およびこれ
を外部から磁気的に分離するための上部シールド層兼下
部磁極（下部磁極５０）を含む再生ヘッド部（図２，図
１３参照）を形成したのち、まず、下部磁極５０上に、
図３に示したように、例えば蒸着法により、例えばアル
ミナよりなる記録ギャップ層１０を約８０ｎｍ〜５００
ｎｍの厚みで形成する。
【００４５】次に、記録ギャップ層１０上に、絶縁層１
２の一部をなす絶縁層部分１２Ａを選択的に形成する
（図１，図２参照）。次に、絶縁層部分１２Ａ上に１層
目のコイル２０Ａを選択的に形成したのち、このコイル
２０Ａおよびその周辺の絶縁層部分１２Ａを覆うよう
に、絶縁層１２の他の一部をなす絶縁層部分１２Ｂを形
成する。次に、絶縁層部分１２Ｂ上に２層目のコイル２
０Ｂを形成したのち、このコイル２０Ｂおよびその周辺
の絶縁層部分１２Ｂを覆うように、絶縁層１２のさらに
他の一部をなす絶縁層部分１２Ｃを選択的に形成する。
この結果、絶縁層１２（絶縁層部分１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃ）によりコイル２０（コイル２０Ａ，２０Ｂ）が埋
設される。
【００４６】次に、図３に示したように、記録ギャップ
層１０上にフォトレジストを塗布することにより、フォ
トレジスト層２２を約１．０μｍ〜５．０μｍの厚みで
形成する。
【００４７】次に、図４に示したように、フォトレジス
ト層２２のうち、後工程においてスペーサ層１６（図６
参照）が形成されることとなる領域（第１の領域２２
Ａ）を選択的に露光する。
【００４８】次に、第１の領域２２Ａを現像して選択的
に除去することにより、図５に示したように、フォトレ
ジスト層２２に第１の開口領域２４を選択的に形成す
る。第１の露光領域２４を形成する際には、記録ギャッ
プ層１０および絶縁層１２（絶縁層部分１２Ａ，図５で
は図示せず）の双方が露出するようにする。
【００４９】次に、図６に示したように、例えば蒸着法
により、フォトレジスト層２２における第１の開口領域
２４に、記録ギャップ層１０および絶縁層１２（絶縁層
部分１２Ａ）の双方と隣接するように、非磁性材料、例
えばニッケル銅，パラジウム銅，アルミナ，タンタルの
いずれかよりなるスペーサ層１６を選択的に形成する。
スペーサ層１６を形成する際には、例えば、約０．３μ
ｍ〜０．８μｍの厚み，約５．０μｍ〜７．０μｍの幅
（図６中、奥行き方向の距離）および約０．５μｍ〜
１．０μｍの長さを有するようにすると共に、その表面
の位置が絶縁層部分１２Ａの表面の位置よりも低くなる
ようにする。
【００５０】次に、図６に示したように、フォトレジス
ト層２２のうち、後工程において上部ポールチップ１４
（図８参照）の一部が形成されることとなる領域（第２
の領域２２Ｂ）を選択的に露光する。
【００５１】次に、第２の領域２２Ｂを現像して選択的
に除去することにより、図７に示したように、フォトレ
ジスト層２２（図７では示せず）に第２の開口領域２３
を選択的に形成する。第２の開口領域２３を形成する際
には、記録ギャップ層１０が露出するようにする。
【００５２】次に、図８に示したように、例えばめっき
処理または蒸着法により、フォトレジスト層２２におけ
る第２の開口領域２３に露出した記録ギャップ層１０お
よびスペーサ層１６の双方を覆うように、磁性材料、例
えば窒化鉄，窒化鉄アルミニウム，窒化鉄タンタル，コ
バルトニッケル鉄のいずれかよりなる上部ポールチップ
１４を選択的に形成する。この上部ポールチップ１４
は、上部磁極３０の一部をなすものである。上部ポール
チップ１４を形成する際には、例えば、０．３μｍ〜
３．０μｍ，より好ましくは０．５μｍ〜３．０μｍの
厚みおよび約３．０μｍ〜６．０μｍの長さを有するよ
うにすると共に、例えば、その表面の位置が絶縁層部分
１２Ａ（図８では図示せず）の表面の位置と一致するよ
うにする。
【００５３】次に、図９に示したように、例えば蒸着法
により、上部ポールチップ１４および絶縁層１２を覆う
ように、磁性材料、例えば窒化鉄，窒化鉄アルミニウ
ム，窒化鉄タンタル，コバルト鉄バナジウムのいずれか
よりなる上部ヨーク１８を選択的に形成する。この上部
ヨーク１８は、上部磁極３０の他の一部をなすものであ
る。上部ヨーク１８を形成する際には、例えば、約０．
５μｍ〜３．０μｍ，より好ましくは約１．５μｍ〜
３．０μｍの厚みおよび上部ポールチップ１４の幅に対
して両幅方向に約０．５μｍずつ大きい幅（図２参照）
を有するようにすると共に、例えば、その前端の位置
が、上部ポールチップ１４の前端の位置と一致するよう
にする。上部ヨーク１８は、上部ポールチップ１４にオ
ーバーラップして磁気的に連結される。これにより、上
部ポールチップ１４および上部ヨーク１８により構成さ
れた上部磁極３０が形成され、薄膜磁気ヘッドにおける
記録ヘッド部の要部の形成が完了する。
【００５４】＜本実施の形態の作用および効果＞本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法によれ
ば、記録ギャップ層１０上に絶縁層１２（絶縁層部分１
２Ａ）と隣接して非磁性材料よりなるスペーサ層１６が
配設されたのち、記録ギャップ層１０およびスペーサ層
１６の双方と隣接する上部ポールチップ１４およびこの
上部ポールチップ１４と磁気的に連結された上部ヨーク
１８が配設される。このような場合には、以下のような
理由により、スペーサ層１６を配設しない場合とは異な
り、オーバーライト特性を確保しつつ、薄膜磁気ヘッド
の記録処理の高速化を実現することができる。
【００５５】すなわち、スペーサ層１６を配設しない従
来の場合（図１３参照）には、上記「発明が解決しよう
とする課題」の項で説明したように、薄膜磁気ヘッドの
記録特性を高速化すべく、絶縁層１１２の配設領域を変
更することによりスロートハイトを小さくすると、飽和
記録電流量に係る不具合が改善される一方、上部磁極１
３０において磁束収容量が部分的に減少するため、上部
磁極１３０内における磁束の伝播が阻害され、オーバー
ライト特性が低下してしまう。もちろん、オーバーライ
ト特性の低下を回避すべく、スロートハイトを大きくす
ると、オーバーライト特性が向上する一方、記録特性の
高速化が阻害されることとなる。このような場合には、
スロートハイトの短縮とオーバーライト特性の確保とを
両立させることが困難であり、オーバーライト特性を確
保しようとすると、薄膜磁気ヘッドの記録処理を高速化
することが困難となる。
【００５６】これに対して、本実施の形態では、コイル
２０を埋設する絶縁層１２ではなく、絶縁層１２に隣接
して配設されたスペーサ層１６の配設領域によりスロー
トハイトＴＨ１が規定される。すなわち、スロートハイ
トＴＨ１を短くしたい場合には、絶縁層１２の配設領域
を変更する必要はなく、前端がエアベアリング面４０に
近づくようにスペーサ層１６の配設領域を拡張すればよ
い。この場合、スペーサ層１６の配設領域を拡張したと
しても、上部ポールチップ１４のうち、スペーサ層１６
の上方部分において磁束収容量が確保されるため、上部
磁極３０内における磁束伝播の阻害傾向が抑制される。
したがって、スロートハイトの短縮およびオーバーライ
ト特性の確保を両立させることが可能となるため、オー
バーライト特性を確保しつつ、薄膜磁気ヘッドにおける
記録処理の高速化を実現することが可能となる。
【００５７】さらに、本実施の形態では、スロートハイ
トの短縮に応じて、飽和記録電流の増大に起因する不具
合の発生が抑制されるため、飽和記録電流が大きい場合
に生じるサイドイレーズの発生を抑制することができる
と共に、スロートハイトが大きい場合に生じる薄膜磁気
ヘッドの非線形シフト特性の低下を抑制することができ
る。
【００５８】また、本実施の形態では、スペーサ層１６
を覆うように上部ポールチップ１４を配設したので、以
下のような理由により、上記した上部磁極３０内におけ
る磁束収容量の確保以外の要因によっても磁束の阻害傾
向が抑制され、オーバーライト特性の低下の抑制に寄与
する。すなわち、上部ポールチップ１４と上部ヨーク１
８との接触面は、上部ヨーク１８から上部ポールチップ
１４に磁束が流入する際の流入口に相当する。接触面の
面積が小さいと、上部ヨーク１８から上部ポールチップ
１４への磁束の流入が阻害されてしまう。本実施の形態
では、スロートハイトＴＨ１を適正に小さくすべく、ス
ペーサ層１６の配設領域をエアベアリング面４０に近い
側に拡張させた場合においても、上部ポールチップ１４
と上部ヨーク１８との接触面積が変化しないため、上部
ヨーク１８から上部ポールチップ１４に磁束が流入する
際の阻害傾向が抑制される。
【００５９】また、本実施の形態では、上部磁極３０内
における磁束収容量が適正に確保されるため、スペーサ
層１６が上部ポールチップ１４により覆われ、この上部
ポールチップ１４に上部ヨーク１８が磁気的に連結され
ている限り、上部ポールチップ１４および上部ヨーク１
８の形状が限定されることない。このため、上部ポール
チップ１４および上部ヨーク１８の形状に係る自由度を
拡張させ、薄膜磁気ヘッドの各種特性に係る要請等に応
じて上部磁極３０の形状を自由に変更することができ
る。
【００６０】また、本実施の形態では、別個に形成され
た上部ポールチップ１４および上部ヨーク１８の集合体
として上部磁極３０を構成しているので、以下のような
理由により、上部磁極３０を単体として構成する場合よ
りも、上部磁極３０を高精度に形成することができる。
すなわち、例えば、フォトレジスト層に開口部を形成し
たのち、この開口部を有するフォトレジスト層を用いて
めっき処理により上部磁極３０を単体として形成する場
合には、上部磁極３０の形成精度はフォトレジスト層の
厚みに依存することとなる。なぜなら、開口部を形成す
るためにフォトレジスト層を選択的に露光する際には、
フォトレジスト層の厚みが大きいほど、下地から散乱す
る反射光等の影響により露光領域が拡張または縮小する
可能性が生じ、フォトレジスト層のうちの開口部が形成
されることとなる領域を正確に露光することが困難にな
るからである。本実施の形態では、上部ポールチップ１
４および上部ヨーク１８をそれぞれ形成する際に必要な
フォトレジスト層の厚みは、上部磁極３０を単体として
形成する際に要するフォトレジスト層の厚みよりも小さ
くなるため、上部ポールチップ１４および上部ヨーク１
８により構成される上部磁極３０の形成精度は、単体の
上部磁極３０の形成精度よりも向上する。
【００６１】また、本実施の形態では、上記した一連の
効果を生じ得る主な構成要素、すなわちスペーサ１６，
上部ポールチップ１４および上部ヨーク１８等を形成す
るために、既存の形成手法と異なる新たな形成手法を要
しないので、既存の薄膜プロセスを用いて本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。
【００６２】［第２の実施の形態］次に、図１０および
図１１を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
について説明する。図１０は本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの要部の断面構成を表し、図１１は図１０に示
した断面構成に対応する斜視構成を表している。なお、
図１１では、図１０に示した構成要素のうちの一部を適
宜省略すると共に、図１０に示していない新たな構成要
素（下部磁極５０）を追加している。図１０および図１
１において、上記第１の実施の形態における構成要素と
同一の部分には同一の符号を付している。
【００６３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
上部ヨーク１８の前端の位置が上部ポールチップ１４の
前端の位置と一致していた上記第１の実施の形態の場合
とは異なり、上部ヨーク１８の前縁が上部ポールチップ
１４の前端よりも約０．１５μｍ〜１．５μｍだけエア
ベアリング４０から離れて位置（リセス）している。上
部ヨーク１８のうち、上部ポールチップ１４に対応する
部分の幅は、例えば、上部ポールチップ１４の幅と一致
している。スペーサ層１６の長さは、例えば、上記第１
の実施の形態の場合（約０．５μｍ〜１．０μｍ）より
も大きく、約０．５μｍ〜１．５μｍの範囲内である。
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、上
記した点以外の構成は、例えば上記第１の実施の形態の
場合（図１，図２参照）と同様である。
【００６４】この薄膜磁気ヘッドでは、例えば、スペー
サ層１６の長さ（約０．５μｍ〜１．０μｍ）が上記第
１の実施の形態の場合（約０．５μｍ〜１．５μ）より
も大きくなっており、スペーサ層１６の前端の位置がエ
アベアリング面４０に近い側にシフトしている。すなわ
ち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおけるスロー
トハイトＴＨ２は、上記第１の実施の形態の場合のスロ
ートハイトＴＨ１より小さくなっている（ＴＨ２＜ＴＨ
１）。
【００６５】次に、図１２を参照して、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法について説明する。図１２は、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するものであり、エ
アベアリング面に垂直な断面を表している。図１２で
は、薄膜磁気ヘッドの製造工程のうち、主に、記録ヘッ
ド部の要部の製造工程について示している。なお、以下
の説明では、図１２の他、上記「従来の技術」の項およ
び上記第１の実施の形態において薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する際に使用した図面（図１〜図８）を適宜
参照すると共に、主に、上記第１の実施の形態における
薄膜磁気ヘッドの製造方法と異なる点に言及して説明す
る。
【００６６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、薄膜プロセスを用いて再生ヘッド部（ＭＲ素
子，下部磁極５０等），記録ギャップ層１０，コイル２
０（コイル２０Ａ，２０Ｂ）および絶縁層１２（絶縁層
部分１２Ａ、１２Ｂ，１２Ｃ）を形成したのち（図１，
図３参照）、記録ギャップ層３０上にフォトレジストを
塗布することにより、フォトレジスト層２２を約３．０
μｍ〜５．０μｍの厚みで形成する。
【００６７】次に、フォトレジスト層２２のうちの第１
の領域２２Ａを選択的に露光したのち、第１の領域２２
Ａを現像して選択的に除去することにより、フォトレジ
スト層２２に第１の開口領域２４を選択的に形成する。
（図４，図５参照）。
【００６８】次に、フォトレジスト層２２における第１
の開口領域２４に、記録ギャップ層１０および絶縁層部
分１２Ａの双方と隣接するように、スペーサ層１６を例
えば約０．５μｍ〜１．５μｍの長さで選択的に形成す
る（図１２参照）。
【００６９】次に、フォトレジスト層２２のうちの第２
の領域２２Ｂを選択的に露光したのち、第２の領域２２
Ｂを現像して選択的に除去することにより、フォトレジ
スト層２２に第２の開口領域２３を選択的に形成する
（図６，図７参照）。
【００７０】次に、フォトレジスト層２２における第２
の開口領域２３に、スペーサ層１６およびその周辺の記
録ギャップ層３０と隣接するように、上部ポールチップ
１４を例えば約３．０μｍ〜５．０μｍの幅で選択的に
形成する（図１２参照）。
【００７１】次に、上部ポールチップ１４および絶縁層
１２を覆うように上部ヨーク１８を選択的に形成する
（図１２参照）。上部ヨーク１８を形成する際には、例
えば、その幅が上部ポールチップ１４の幅と一致するよ
うにすると共に、そのエアベアリング面４０に近い側の
端縁が、上部ポールチップ１４のうちのエアベアリング
面４０に近い側の端縁の位置よりも、リセス距離Ｌだけ
エアベアリング面４０から離れて位置するようにする。
リセス距離Ｌとしては、例えば、約０．１５μｍ〜１．
５μｍの範囲内とするのが好ましい。これにより、上部
ポールチップ１４および上部ヨーク１８により構成され
た上部磁極３０が形成され、薄膜磁気ヘッドにおける記
録ヘッド部の要部が完成する。
【００７２】本実施の形態では、上部ヨーク１８の前側
が、上部ポールチップ１４の前端よりもエアベアリング
面４０からリセスするようにしたので、上部ポールチッ
プ１４の前端と上部ヨーク１８の前端とが互いに一致し
ていた上記第１の実施の形態の場合よりも、エアベアリ
ング面４０を構成する上部磁極３０の端面、すなわち磁
束の放出口が小さくなる。これにより、上部磁極３０か
らエアベアリング面４０に磁束が過剰に放出されること
が抑制されるため、上記第１の実施の形態の場合より
も、磁束の過剰放出に起因するサイドイレーズの発生を
抑制することができる。このような場合には、特に、リ
セス距離Ｌを約０．１５μｍ〜１．５μｍの範囲内とす
ることで上部ポールチップ１４と上部ヨーク１８との接
触面積が適正に確保されるため、上部ヨーク１８をリセ
スさせた場合においても上部磁極３０内における磁束の
阻害傾向が抑制され、サイドイレーズの発生を抑制しつ
つ、オーバーライト特性を確保することができる。
【００７３】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法における上記以外の動作，作用，効
果および製造方法の詳細等は、上記第１の実施の形態の
場合と同様である。
【００７４】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施の
形態において説明した薄膜磁気ヘッドの構成は、必ずし
もこれに限られるものではなく、スペーサ層１６により
スロートハイトＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ２）を調整すること
ができると共に、上部ポールチップ１４と上部ヨーク１
８との接触面積が適正に確保され、上部磁極３０内にお
ける磁束伝播の阻害傾向が抑制されることによりオーバ
ーライト特性の低下を抑制することができる限り、自由
に変更可能である。もちろん、薄膜磁気ヘッドの製造方
法において用いる材料および製造手法等もまた、上記の
効果を得ることが可能な限りにおいて自由に変更可能で
ある。
【００７５】また、例えば、上記各実施の形態では、複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本
発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録
専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気
変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用することがで
きる。また、本発明は、書き込み用の素子と読み出し用
の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドに
も適用することができる。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法または請求項１５ないし請求項２８のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、ギャップ層上に絶縁
層３２に隣接して非磁性材料よりなるスペーサ層が配設
されたのち、ギャップ層およびスペーサ層の双方と隣接
する第１の磁性層部分およびこの第１の磁性層部分と磁
気的に連結された第２の磁性層部分が配設されるように
している。このような場合には、スペーサ層を配設しな
い場合とは異なり、２つの磁性層のうちの一方の磁性層
内における磁束の伝播の阻害傾向を抑制しつつ、薄膜磁
気ヘッドの記録特性を決定する因子のうちの１つである
スロートハイトをスペーサ層の配設領域に応じて調整す
ることが可能になるため、オーバーライト特性を確保し
つつ、薄膜磁気ヘッドの記録処理を高速化することがで
きる。
【００７７】また、請求項２９ないし請求項４３のいず
れか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法または請求
項４４ないし請求項５８のいずれか１項に記載の薄膜磁
気ヘッドによれば、第２の磁性層部分のうちの記録媒体
対向面に近い側の端縁が、第１の磁性層部分における記
録媒体対向面に近い側の端縁よりも、記録媒体対向面か
ら離れて位置するようにしたので、第１の磁性層部分お
よび第２の磁性層部分の双方の記録媒体対向面に近い側
の端縁の位置が互いに一致している場合よりも、２つの
磁性層のうちの一方の磁性層のうち、記録媒体対向面に
おける磁束の放出口が小さくなり、記録媒体対向面にお
いて一方の磁性層から磁束が過剰に放出されることが抑
制される。したがって、オーバーライト特性を適正に確
保しつつ記録処理を高速化することができると共に、サ
イドイレーズの発生をより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける要部の断面構成を表す断面図である。
【図２】図２に示した断面構成に対応する斜視構成を表
す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける要部の断面構成を表す断面図である。
【図１１】図１０に示した断面構成に対応する斜視構成
を表す斜視図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１３】一般的な薄膜磁気ヘッドにおける要部の構成
を表す図である。
【符号の説明】
１０…記録ギャップ層、１２…絶縁層、１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃ…絶縁層部分、１４…上部ポールチップ、１
６…スペーサ層、１８…上部ヨーク、２０（２０Ａ，２
０Ｂ）…コイル、２２…フォトレジスト層、２２Ａ…第
１の露光領域、２２Ｂ…第２の露光領域、２３…第２の
開口領域、２４…第１の開口領域、３０…上部磁極、５
０…下部磁極、Ｌ…リセス距離、ＴＨ（ＴＨ１，ＴＨ
２）…スロートハイト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂民 陳 アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ ウッドビュー プレ ース 1025 (72)発明者 伯剛 王 アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ シャドウブルック ドライブ 1007 (72)発明者 モリス ムサ ドベック アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95138 サンジョセ スノードン プレー ス 5623 (72)発明者 ジェネ マイケル サンドラー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95127 サンジョセ トーヨン アベニュ ー 530 ナンバー 253 (72)発明者 仁偉 顧 アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ エコー ループ 7104

Claims (58)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ギャップ層を介して互いに対向すると共
    に記録媒体に面するように配置される２つの磁極、を有
    する、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記
    ２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜
    コイルを前記２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有す
    ると共に、前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層が、
    記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有する第
    １の磁性層部分と、この第１の磁性層部分と磁気的に連
    結された第２の磁性層部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製
    造方法であって、 前記２つの磁性層のうちの他方の磁性層上に前記ギャッ
    プ層を形成する第１の工程と、 前記ギャップ層上に前記絶縁層を選択的に形成する第２
    の工程と、 少なくとも前記ギャップ層を覆うように、フォトレジス
    ト層を１．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内の厚さで
    形成する第３の工程と、 前記フォトレジスト層のうち、第１の領域を選択的に露
    光する第４の工程と、 前記第１の領域を現像して除去することにより、前記フ
    ォトレジスト層に第１の開口領域を選択的に形成する第
    ５の工程と、 前記第１の開口領域を有するフォトレジスト層をマスク
    として用いて、前記第１の開口領域に、前記ギャップ層
    および前記絶縁層の双方と隣接するように、非磁性材料
    を用いてスペーサ層を選択的に形成する第６の工程と、 前記フォトレジスト層のうち、前記第１の領域周辺の第
    ２の領域を選択的に露光する第７の工程と、 前記第２の領域を現像して除去することにより、前記フ
    ォトレジスト層に第２の開口領域を選択的に形成する第
    ８の工程と、 前記第２の開口領域を有するフォトレジスト層を用い
    て、前記第２の開口領域における前記ギャップ層および
    前記スペーサ層の双方を覆うように、前記第１の磁性層
    部分を選択的に形成する第９の工程と、 前記第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
    結され、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面となる
    側に近い側の端縁の位置が、前記第１の磁性層部分のう
    ちの前記記録媒体対向面となる側に近い側の端縁の位置
    と一致するように、前記第２の磁性層部分を選択的に形
    成する第１０の工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてニッケル銅（ＮｉＣｕ）を用い、
    ０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび
    ０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さを有する
    ように、前記スペーサ層を形成することを特徴とする請
    求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてパラジウム銅（ＰｄＣｕ）を用
    い、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよ
    び０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さを有す
    るように、前記スペーサ層を形成することを特徴とする
    請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料として酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）
    を用い、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚み
    および０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さを
    有するように、前記スペーサ層を形成することを特徴と
    する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてタンタル（Ｔａ）を用い、０．３
    μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび０．５μ
    ｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さを有するように、
    前記スペーサ層を形成することを特徴とする請求項１記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第９の工程において、 窒化鉄（ＦｅＮ）を用い、０．３μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下
    の範囲内の長さを有するように、前記第１の磁性層部分
    を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第９の工程において、 窒化鉄アルミニウム（ＦｅＡｌＮ）を用い、０．３μｍ
    以上３．０μｍ以下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以
    上６．０μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前記
    第１の磁性層部分を形成することを特徴とする請求項１
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第９の工程において、 窒化鉄タンタル（ＦｅＴａＮ）を用い、０．３μｍ以上
    ３．０μｍ以下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上
    ６．０μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前記第
    １の磁性層部分を形成することを特徴とする請求項１記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第９の工程において、 コバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）を用い、０．３μ
    ｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ
    以上６．０μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前
    記第１の磁性層部分を形成することを特徴とする請求項
    １記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１０の工程において、 窒化鉄を用い、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内
    の厚みを有するように、前記第２の磁性層部分を形成す
    ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１０の工程において、 窒化鉄アルミニウムを用い、０．５μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みを有するように、前記第２の磁性層
    部分を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１０の工程において、 窒化鉄タンタルを用い、０．５μｍ以上３．０μｍ以下
    の範囲内の厚みを有するように、前記第２の磁性層部分
    を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１０の工程において、 コバルト鉄バナジウム（ＣｏＦｅＶ）を用い、０．５μ
    ｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の厚みを有するように、
    前記第２の磁性層部分を形成することを特徴とする請求
    項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 さらに、 前記他方の磁性層を挟んで前記一方の磁性層と反対側
    に、巨大磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を形成
    する第１１の工程を含むことを特徴とする請求項１記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 ギャップ層を介して互いに対向すると
    共に記録媒体に面するように配置される２つの磁極、を
    有する、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前
    記２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、前記薄
    膜コイルを前記２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有
    する薄膜磁気ヘッドであって、 前記ギャップ層のうち、前記２つの磁性層のうちの他方
    の磁性層と反対側の面に隣接し、かつ前記絶縁層に隣接
    して配設された非磁性層材料よりなるスペーサ層を備え
    ると共に、 前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層が、 前記スペーサ層および前記ギャップ層の双方に隣接して
    配設され、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅
    を有する第１の磁性層部分と、 この第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
    結され、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い
    側の端縁の位置が、前記第１の磁性層部分のうちの前記
    記録媒体対向面に近い側の端縁の位置と一致するように
    配設された第２の磁性層部分とを含むことを特徴とする
    薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記スペーサ層は、ニッケル銅により
    構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚
    みおよび０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さ
    を有するものであることを特徴とする請求項１５記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 前記スペーサ層は、パラジウム銅によ
    り構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の
    厚みおよび０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長
    さを有するものであることを特徴とする請求項１５記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】 前記スペーサ層は、酸化アルミニウム
    により構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲
    内の厚みおよび０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内
    の長さを有するものであることを特徴とする請求項１５
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】 前記スペーサ層は、タンタルにより構
    成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚み
    および０．５μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内の長さを
    有するものであることを特徴とする請求項１５記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  20. 【請求項２０】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄によ
    り構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の
    厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内の長
    さを有するものであることを特徴とする請求項１５記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  21. 【請求項２１】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄アル
    ミニウムにより構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下
    の範囲内の長さを有するものであることを特徴とする請
    求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  22. 【請求項２２】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄タン
    タルにより構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以下の
    範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範
    囲内の長さを有するものであることを特徴とする請求項
    １５記載の薄膜磁気ヘッド。
  23. 【請求項２３】 前記第１の磁性層部分は、コバルトニ
    ッケル鉄により構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下
    の範囲内の長さを有するものであることを特徴とする請
    求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  24. 【請求項２４】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄によ
    り構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の
    厚みを有するものであることを特徴とする請求項１５記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  25. 【請求項２５】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄アル
    ミニウムにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みを有するものであることを特徴とする
    請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  26. 【請求項２６】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄タン
    タルにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の
    範囲内の厚みを有するものであることを特徴とする請求
    項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  27. 【請求項２７】 前記第２の磁性層部分は、コバルト鉄
    バナジウムにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みを有するものであることを特徴とす
    る請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  28. 【請求項２８】 さらに、 前他方の磁性層を挟んで前記一方の磁性層と反対側に配
    設された巨大磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を
    備え、 前記他方の磁性層は、前記磁気抵抗効果素子をその周辺
    から磁気的に分離する機能を含んで用いられたものであ
    ることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  29. 【請求項２９】 ギャップ層を介して互いに対向すると
    共に記録媒体に面するように配置される２つの磁極、を
    有する、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前
    記２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、前記薄
    膜コイルを前記２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有
    すると共に、前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層
    が、記録媒体の記録トラック幅を画定する一定幅を有す
    る第１の磁性層部分と、この第１の磁性層部分と磁気的
    に連結された第２の磁性層部分とを含む薄膜磁気ヘッド
    の製造方法であって、 前記２つの磁性層のうちの他方の磁性層上に前記ギャッ
    プ層を形成する第１の工程と、 前記ギャップ層上に前記絶縁層を選択的に形成する第２
    の工程と、 少なくとも前記ギャップ層を覆うように、フォトレジス
    ト層を３．０μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内の厚さで
    形成する第３の工程と、 前記フォトレジスト層のうち、第１の領域を選択的に露
    光する第４の工程と、 前記第１の領域を現像して除去することにより、前記フ
    ォトレジスト層に第１の開口領域を選択的に形成する第
    ５の工程と、 前記第１の開口領域を有するフォトレジスト層をマスク
    として用いて、前記第１の開口領域に、前記ギャップ層
    および前記絶縁層の双方と隣接するように、非磁性材料
    を用いてスペーサ層を選択的に形成する第６の工程と、 前記フォトレジスト層のうち、前記第１の領域周辺の第
    ２の領域を選択的に露光する第７の工程と、 前記第２の領域を現像して除去することにより、前記フ
    ォトレジスト層に第２の開口領域を選択的に形成する第
    ８の工程と、 前記第２の開口領域を有するフォトレジスト層を用い
    て、前記ギャップ層における前記ギャップ層および前記
    スペーサ層の双方を覆うように、前記第１の磁性層部分
    を選択的に形成する第９の工程と、 前記第１の磁性層部分にオーバーラップして磁気的に連
    結され、前記記録媒体に対向する記録媒体対向面となる
    側に近い側の端縁が、前記第１の磁性層部分のうちの前
    記記録媒体対向面となる側に近い側の端縁よりも、前記
    記録媒体対向となる側から離れて位置するように、前記
    第２の磁性層部分を選択的に形成する第１０の工程とを
    含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてニッケル銅を用い、０．３μｍ以
    上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび０．５μｍ以上
    １．５μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前記ス
    ペーサ層を形成することを特徴とする請求項２９記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてパラジウム銅を用い、０．３μｍ
    以上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび０．５μｍ以
    上１．５μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前記
    スペーサ層を形成することを特徴とする請求項２９記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料として酸化アルミニウムを用い、０．３
    μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび０．５μ
    ｍ以上１．５μｍ以下の範囲内の長さを有するように、
    前記スペーサ層を形成することを特徴とする請求項２９
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記第６の工程において、 前記非磁性材料としてタンタルを用い、０．３μｍ以上
    ０．８μｍ以下の範囲内の厚みおよび０．５μｍ以上
    １．５μｍ以下の範囲内の長さを有するように、前記ス
    ペーサ層を形成することを特徴とする請求項２９記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記第９の工程において、 窒化鉄を用い、０．３μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内
    の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内の
    長さを有するように、前記第１の磁性層部分を形成する
    ことを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  35. 【請求項３５】 前記第９の工程において、 窒化鉄アルミニウムを用い、０．３μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以
    下の範囲内の長さを有するように、前記第１の磁性層部
    分を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記第９の工程において、 窒化鉄タンタルを用い、０．３μｍ以上３．０μｍ以下
    の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の
    範囲内の長さを有するように、前記第１の磁性層部分を
    形成することを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記第９の工程において、 コバルトニッケル鉄を用い、０．３μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以
    下の範囲内の長さを有するように、前記第１の磁性層部
    分を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記第１０の工程において、 窒化鉄を用い、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内
    の厚みを有するように、前記第２の磁性層部分を形成す
    ることを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  39. 【請求項３９】 前記第１０の工程において、 窒化鉄アルミニウムを用い、０．５μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みを有するように、前記第２の磁性層
    部分を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  40. 【請求項４０】 前記第１０の工程において、 窒化鉄タンタルを用い、０．５μｍ以上３．０μｍ以下
    の範囲内の厚みを有するように、前記第２の磁性層部分
    を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  41. 【請求項４１】 前記第１０の工程において、 コバルト鉄バナジウムを用い、０．５μｍ以上３．０μ
    ｍ以下の範囲内の厚みを有するように、前記第２の磁性
    層部分を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  42. 【請求項４２】 前記第１０の工程において、 前記第２の磁性層部分のうち、前記記録媒体対向面とな
    る側に近い側の端縁が、前記第１の磁性層部分のうちの
    前記記録媒体対向面となる側に近い側の端縁よりも、前
    記記録媒体対向となる側から０．１５μｍ以上１．５μ
    ｍの範囲内だけ離れて位置するように、前記第２の磁性
    層部分を形成することを特徴とする請求項２９記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  43. 【請求項４３】 さらに、 前記他方の磁性層を挟んで前記一方の磁性層と反対側
    に、巨大磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を形成
    する第１１の工程を含むことを特徴とする請求項２９記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  44. 【請求項４４】 ギャップ層を介して互いに対向すると
    共に記録媒体に面するように配置される２つの磁極、を
    有する、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前
    記２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルと、前記薄
    膜コイルを前記２つの磁性層から絶縁する絶縁層とを有
    する薄膜磁気ヘッドであって、 前記ギャップ層のうち、前記２つの磁性層のうちの他方
    の磁性層と反対側の面に隣接し、かつ前記絶縁層に隣接
    して配設された非磁性層材料よりなるスペーサ層を備え
    ると共に、 前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層が、 前記スペーサ層および前記ギャップ層の双方に隣接する
    ように配設され、記録媒体の記録トラック幅を画定する
    一定幅を有する第１の磁性層部分と、 この第１の磁性層部分と磁気的に連結され、前記記録媒
    体に対向する記録媒体対向面に近い側の端縁が、前記第
    １の磁性層部分のうちの前記記録媒体対向面に近い側の
    端縁よりも、前記記録媒体対向面から離れて位置するよ
    うに配設された第２の磁性層部分とを含むことを特徴と
    する薄膜磁気ヘッド。
  45. 【請求項４５】 前記スペーサ層は、ニッケル銅により
    構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚
    みおよび０．５μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内の長さ
    を有するものであることを特徴とする請求項４４記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  46. 【請求項４６】 前記スペーサ層は、パラジウム銅によ
    り構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の
    厚みおよび０．５μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内の長
    さを有するものであることを特徴とする請求項４４記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  47. 【請求項４７】 前記スペーサ層は、酸化アルミニウム
    により構成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲
    内の厚みおよび０．５μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内
    の長さを有するものであることを特徴とする請求項４４
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  48. 【請求項４８】 前記スペーサ層は、タンタルにより構
    成され、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚み
    および０．５μｍ以上１．５μｍ以下の範囲内の長さを
    有するものであることを特徴とする請求項４４記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  49. 【請求項４９】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄によ
    り構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の
    厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範囲内の長
    さを有するものであることを特徴とする請求項４４記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  50. 【請求項５０】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄アル
    ミニウムにより構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下
    の範囲内の長さを有するものであることを特徴とする請
    求項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  51. 【請求項５１】 前記第１の磁性層部分は、窒化鉄タン
    タルにより構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以下の
    範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下の範
    囲内の長さを有するものであることを特徴とする請求項
    ４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  52. 【請求項５２】 前記第１の磁性層部分は、コバルトニ
    ッケル鉄により構成され、０．３μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みおよび３．０μｍ以上６．０μｍ以下
    の範囲内の長さを有するものであることを特徴とする請
    求項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  53. 【請求項５３】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄によ
    り構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の
    厚みを有するものであることを特徴とする請求項４４記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  54. 【請求項５４】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄アル
    ミニウムにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以
    下の範囲内の厚みを有するものであることを特徴とする
    請求項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  55. 【請求項５５】 前記第２の磁性層部分は、窒化鉄タン
    タルにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ以下の
    範囲内の厚みを有するものであることを特徴とする請求
    項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  56. 【請求項５６】 前記第２の磁性層部分は、コバルト鉄
    バナジウムにより構成され、０．５μｍ以上３．０μｍ
    以下の範囲内の厚みを有するものであることを特徴とす
    る請求項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
  57. 【請求項５７】 前記第２の磁性層部分のうち、前記記
    録媒体となる側に近い側の端縁が、前記第１の磁性層部
    分のうちの前記記録媒体対向面となる側に近い側の端縁
    よりも、前記記録媒体対向となる側から０．１５μｍ以
    上１．５μｍの範囲内だけ離れて位置することを特徴と
    する請求項４４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  58. 【請求項５８】 さらに、 前他方の磁性層を挟んで前記一方の磁性層と反対側に配
    設された巨大磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を
    備え、 前記他方の磁性層は、前記磁気抵抗効果素子をその周辺
    から磁気的に分離する機能を含んで用いられたものであ
    ることを特徴とする請求項４４記載の薄膜磁気ヘッド。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6678117B2 (en) * 2001-06-18 2004-01-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic transducer with bilayer pole piece structure with improved milling endpoint detection
US6791793B1 (en) * 2001-09-14 2004-09-14 Western Digital (Fremont), Inc. Perpendicular recording write head having a recessed magnetic adjunct pole and method of making the same
US7248433B1 (en) * 2004-02-02 2007-07-24 Western Digital (Fremont), Inc. Magnetic head with stitched top pole layer and single layer coil or solenoidal coil
US7251102B2 (en) * 2004-02-19 2007-07-31 Headway Technologies, Inc. ABS through aggressive stitching
US8177955B2 (en) * 2004-06-03 2012-05-15 Headway Technologies, Inc. Electrodeposition of FeCoNiV films with high resistivity and high saturation magnetization for magnetic head fabrication
US8108985B2 (en) * 2007-11-02 2012-02-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for manufacturing a perpendicular magnetic write head
US8537494B1 (en) 2007-11-06 2013-09-17 Western Digital (Fremont), Llc PMR head with an angled stitch layer
US8077434B1 (en) 2007-11-19 2011-12-13 Western Digital (Fremont), Llc Perpendicular magnetic recording head having a recessed magnetic base layer
US8547659B1 (en) 2011-05-09 2013-10-01 Western Digital (Fremont), Llc System for providing a transducer having a main coil and an additional coil separated from the main pole by a write shield
US8514517B1 (en) 2011-06-30 2013-08-20 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for providing hybrid coils for magnetic write heads
US9472214B1 (en) * 2013-10-14 2016-10-18 Seagate Technology Llc Reader side shield

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5256249A (en) * 1991-09-17 1993-10-26 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor
US5375023A (en) 1992-12-29 1994-12-20 International Business Machines Corporation Submicron thin film inductive head with self-aligned staggered pole-tips
US5282308A (en) 1992-12-29 1994-02-01 International Business Machines Corporation Thin film planarization process for fabricating magnetic heads employing a stitched pole structure
US5283942A (en) 1992-12-29 1994-02-08 International Business Machines Corporation Sacrificial layer planarization process for fabricating a narrow thin film inductive head
US5446613A (en) 1994-02-28 1995-08-29 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with MR sensor
US5726841A (en) 1996-06-11 1998-03-10 Read-Rite Corporation Thin film magnetic head with trimmed pole tips etched by focused ion beam for undershoot reduction
JPH10149513A (ja) 1996-11-15 1998-06-02 Nec Corp 磁気抵抗効果型複合ヘッド
US5898548A (en) 1997-10-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Shielded magnetic tunnel junction magnetoresistive read head
US6016242A (en) * 1998-03-20 2000-01-18 Seagate Technology, Inc. Narrow top poles for inductive magnetic heads, masks and processes for making the same
US6376013B1 (en) * 1999-10-06 2002-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Multiple nozzles for dispensing resist

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