JP2001167406A

JP2001167406A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2001167406A
Application number: JP34762899A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-12-07
Filing date: 1999-12-07
Publication date: 2001-06-22
Also published as: US6680815B2; US20010000303A1

Abstract

(57)【要約】【課題】磁極幅を縮小化した場合においても十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供する。【解決手段】上部ポールチップ１５ａと薄膜コイル２
１との間に、薄膜コイル埋設用の絶縁膜とは別個に、フ
ォトレジスト等からなる絶縁膜パターン１６ａを形成
し、その前端縁によってＴＨ０位置を規定する。絶縁膜
パターン１６ａの前端縁近傍が丸みを帯びた斜面形状を
呈する結果、その上の上部接続部２０ａの内部を通る磁
束の流れは滑らかになる。絶縁膜パターン１６ａと上部
磁極２０ｃの前部分２０ａ(1) との間の領域は上部接続
部２０ａによって満たされ、この部分に十分な磁気ボリ
ュームが確保される。上部接続部２０ａは、上部ポール
チップ１５ａの一部を少なくとも三方から包み込むよう
に覆う。上部ポールチップ１５ａと上部接続部２０ａと
の接触面積が増大し、両者の境界面での磁束伝搬ロスが
低減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。再生ヘッド
の性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜か
らＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法
や、ＭＲ膜のパターン幅、特に、ＭＲハイトを適切化す
る方法等がある。このＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエア
ベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高
さ）をいい、エアベアリング面の加工の際の研磨量によ
って制御されるものである。なお、ここにいうエアベア
リング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向す
る面であり、トラック面とも呼ばれる。

【０００３】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：ＴＨ）がある。スロートハイトは、エアベアリ
ング面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離す
る絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をい
う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト
の縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エア
ベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。

【０００４】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。

【０００５】ここで、図３２ないし図３７を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。

【０００６】この製造方法では、まず、図３２に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドと記録
ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部
磁極と記す。）１０７を形成する。

【０００７】次に、図３３に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる
誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１１０を形成する。
次に、薄膜コイル１１０を覆うようにして、フォトレジ
スト層１１１を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、薄膜コイル１１０の平坦化
および薄膜コイル１１０間の絶縁化のために、例えば２
５０°Ｃの温度で熱処理する。

【０００８】次に、図３４に示したように、薄膜コイル
１１０よりも後方（図３４における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部分的
にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次に、記
録ギャップ層１０８およびフォトレジスト層１１３上
に、記録ヘッド用の磁気材料、例えばパーマロイからな
る上部ヨーク兼上部磁極（以下、上部磁極と記す。）１
１４を選択的に形成する。この上部磁極１１４は、上記
した開口部１０８ａにおいて下部磁極１０７と接触し、
磁気的に連結している。次に、上部磁極１１４をマスク
として、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０
８と下部磁極１０７を、約０．５μｍ程度エッチングし
た後、上部磁極１１４上に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１１５を形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラ
ック面（エアベアリング面）１２０を形成して、薄膜磁
気ヘッドが完成する。

【０００９】図３５〜図３７は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３５はエ
アベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を
示し、図３６は磁極部分のエアベアリング面１２０に平
行な断面を拡大して示し、図３７は平面図を示す。ま
た、図３4 は図３７におけるXXXIV Ａ−XXXIV Ａ線に沿
った矢視断面に対応する。図３５〜図３７では、オーバ
ーコート層１１５の図示を省略している。

【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、
図３５および図３６に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングル（Apex Angle）θ、磁極幅Ｐ２Ｗおよ
び磁極長Ｐ２Ｌを正確に形成することが重要である。こ
こで、エイペックスアングルθは、フォトレジスト層１
０９, １１１, １１３のトラック面側の側面に接する直
線と上部磁極１１４の上面とのなす角度である。磁極幅
Ｐ２Ｗは、記録媒体上の記録トラック幅を規定するもの
である。磁極長Ｐ２Ｌは磁極の厚さを表している。ま
た、図３５および図３７において、「ＴＨ０位置」とあ
るのは、薄膜コイル１１０の下側の絶縁層（フォトレジ
スト層１０９）のトラック面側のエッジであり、スロー
トハイトＴＨの基準位置０を示している。

【００１１】図３６に示したように、上部磁極１１４、
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
３６に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭ
Ｒ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としての
リード層１２１が設けられている。但し、図３２〜図３
５ではリード層１２１の図示を省略している。

【００１２】図３８は、上部磁極１１４の平面構造を表
すものである。この図に示したように、上部磁極１１４
は、その大部分を占めるヨーク部１１４ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１００を有するポールチップ
部１１４ｂとを有している。ヨーク部１１４ａとポール
チップ部１１４ｂとの連結部分において、ヨーク部１１
４ａの外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対し
て角度αをなし、また、上記連結部分において、ポール
チップ部１１４ｂの外縁はエアベアリング面１２０と平
行な面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例
えば４５度程度であり、βは９０度である。ポールチッ
プ部１１４ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を規
定するものである。ポールチップ部１１４ｂは、ＴＨ０
位置よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部分
Ｆと、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１４ａ側）
の部分Ｒとを含んでいる。図３５から判るように、部分
Ｆは、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、部分
Ｒおよびヨーク部１１４ａは、フォトレジスト層１０
９, １１１, １１３で覆われて山状に盛り上がったコイ
ル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上に延
在している。

【００１３】なお、上部磁極の形状に関しては、例え
ば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】磁極幅Ｐ２Ｗは、記録
ヘッドのトラック幅を決定するため、正確な形成が要求
される。特に、近年は、高面密度記録を可能とするた
め、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の寸
法にするという微細加工が要求される。

【００１５】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１４を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い
電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜
をシード層として、めっき法によって上部磁極１１４を
形成する。

【００１６】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば３〜４μｍ以上の高低差がある。このエイペ
ックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗
布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が最
低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォト
レジストは低い方に集まることから、エイペックス部の
下方では、例えば４〜６μｍ以上の厚みのフォトレジス
ト膜が形成される。

【００１７】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、４〜
６μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。

【００１８】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。特に、図３９に
示したように、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１０
０Ａとしたときには、この所望の幅Ｗ１００Ａを得るこ
とがさらに困難となる。これは、ポールチップ部１１４
ｂのうち、エイペックス部上に延在している部分Ｒで
は、下地電極膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直
方向の反射光のみならず、エイペックス部の斜面からの
斜め方向または横方向からの反射光も含まれており、こ
れらの反射光がフォトレジスト層の感光に影響を与える
結果、磁極幅Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターン
幅が所期の値よりも大きくなり、その形状が図３９にお
ける破線で示したような形になってしまうからである。
ポールチップ部１１４ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方
の部分Ｆの幅は、記録媒体上のトラック幅を規定する上
で極めて重要なファクタである。このため、部分Ｆの幅
が上記した値Ｗ１００Ａよりも大きくなると、目標とす
る微小なトラック幅を得ることができない。

【００１９】このような問題は、上記の特開平８−２４
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト層の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方の部分の幅を正
確に制御できないからである。

【００２０】また、図３９に示したように、ポールチッ
プ部１１４ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１４ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方の部分Ｆ
とほぼ同じ幅となっていてその断面積が小さいため、ヨ
ーク部１１４ａからの磁束が部分Ｒで飽和してしまい、
トラック幅を規定する部分Ｆにまで十分到達することが
できない。このため、オーバーライト特性、すなわち、
記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデータを
重ね書きする場合の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度
と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができないという問題があった。

【００２１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、平
坦なギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互
いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁性層
の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを有する
薄膜磁気ヘッドであって、２つの磁極のうちの少なくと
も一方の磁極が、ギャップ層に沿って記録媒体対向面か
らこの面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録
トラック幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分
を含み、かつ、上記の絶縁層が、この絶縁層の記録媒体
対向面側端縁を規定する基準端縁を有すると共にギャッ
プ層に沿った領域のうち第１の磁性層部分と薄膜コイル
との間の領域に形成された第１の絶縁層と、薄膜コイル
を埋設する第２の絶縁層とを含むようにすると共に、２
つの磁性層のうち一方の磁極を含む磁性層が、少なくと
も第１の絶縁層を覆うと共に第１の磁性層部分に磁気的
に連結された第２の磁性層部分を含むようにしたもので
ある。

【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、平坦なギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された２つの磁性層と、２つの磁性層の間に
絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁
気ヘッドを製造する方法であって、２つの磁極のうちの
少なくとも一方の磁極を、それが、ギャップ層に沿って
記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共
に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する
第１の磁性層部分を含むように形成し、絶縁層を、それ
が、絶縁層の記録媒体対向面側端縁を規定する基準端縁
を有すると共にギャップ層に沿った領域のうち第１の磁
性層部分と薄膜コイルとの間の領域に基準端縁の近傍領
域表面が斜面をなすように配置される第１の絶縁層と、
薄膜コイルを埋設する第２の絶縁層とを含むように形成
し、２つの磁性層のうち一方の磁極を含む磁性層を、そ
れが、少なくとも第１の絶縁層を覆うと共に第１の磁性
層部分に磁気的に連結される第２の磁性層部分を含むよ
うに形成することとしたものである。

【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、２つの磁極のうちの少なくとも一方の磁極に含
まれる一定幅を有する第１の磁性層部分によって記録媒
体の記録トラック幅が規定される。薄膜コイルを絶縁す
るための絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを含
んでいる。第１の絶縁層は、ギャップ層に沿った領域の
うち第１の磁性層部分と薄膜コイルとの間の領域に形成
されており、その記録媒体対向面側の端縁の近傍領域表
面は斜面をなしている。第１の絶縁層における上記端縁
は、薄膜コイルを絶縁する絶縁層の記録媒体対向面側端
縁を規定する基準端縁となるものである。第２の絶縁層
は、薄膜コイルを埋設するためのものである。２つの磁
性層のうち上記一方の磁極を含む磁性層は、第２の磁性
層部分を含んでいる。この第２の磁性層部分は、少なく
とも第１の絶縁層を覆うと共に、第１の磁性層部分に磁
気的に連結される。

【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、少なくとも一方の磁極が、さらに、第１の磁性
層部分に磁気的に連結されると共に第１の磁性層部分の
記録媒体対向面とは反対側に延在する、第１の磁性層部
分の幅よりも広い幅の第３の磁性層部分を含むようにし
てもよい。この場合において、第２の磁性層部分が、第
３の磁性層部分を少なくとも３方向から取り囲むように
するのが好適である。さらに、第２の磁性層部分が、第
１の磁性層部分をも少なくとも３方向から取り囲むよう
にしてもよい。

【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層部分および第３の磁性層部
分を含む磁極の平面形状は、Ｔ字型であるか、あるい
は、第３の磁性層部分の幅が記録媒体対向面から遠ざか
るにつれて漸次拡がるような形状であることが好まし
い。

【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層部分および第３の磁性層部
分が、ギャップ層に接するように延在していることが好
ましい。この場合には、第１の磁性層部分および第３の
磁性層部分をドライプロセスにより形成し、第２の磁性
層部分を電解めっきプロセスにより形成するのが好まし
い。さらにこの場合には、第１の磁性層部分および第３
の磁性層部分を窒化鉄を含む材料を用いて形成し、第２
の磁性層部分をニッケルおよび鉄を含む材料を用いて形
成することが可能である。

【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、磁極がさらに、第３の磁性層部分に磁気
的に連結されると共に第３の磁性層部分の記録媒体対向
面とは反対側領域において記録トラック幅方向に互いに
分かれて延在する、少なくとも２つの第４の磁性層部分
を含むようにしてもよい。この第４の磁性層部分は、ギ
ャップ層に接するように延在しているものであってもよ
いし、第１の絶縁層に乗り上げるように延在しているも
のであってもよい。また、第４の磁性層部分が第２の磁
性層部分によっても少なくとも３方向から取り囲まれる
ようにしてもよい。

【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の絶縁層および第１の絶縁層を、同
一工程により同一材料を用いて一体に形成するようにし
てもよい。

【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、一方の磁性層が、第２の絶縁層を介して
薄膜コイルの一部を覆うように延設された第５の磁性層
部分をさらに含むようにしてもよく、さらに、この場合
には、第２の磁性層部分および第５の磁性層部分を、同
一工程により同一材料を用いて一体に形成するようにし
てもよい。

【００３１】本発明の他の観点による薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一
部に、平坦なギャップ層を介して対向する２つの磁極を
含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つ
の磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルと
を有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、２つ
の磁極のうちの一方の磁極として、記録媒体対向面から
この面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録ト
ラック幅を規定する一定幅部分を含む磁極をギャップ層
上に形成する工程と、ギャップ層上の領域のうち磁極よ
りも記録媒体対向面とは反対側の領域に、絶縁層の記録
媒体対向面側端縁を規定する基準端縁を有すると共に絶
縁層の一部をなす基準規定用絶縁層を、基準端縁の近傍
領域表面が斜面をなすように形成する工程と、２つの磁
性層のうち一方の磁極を含む磁性層の一部をなすものと
して、ギャップ層上に形成された磁極に磁気的に連結さ
れる連結用磁性層を、少なくとも基準規定用絶縁層を覆
うように形成する工程と、ギャップ層に沿って薄膜コイ
ルを形成する工程と、絶縁層の他の一部をなす埋設用絶
縁層により薄膜コイルを埋設する工程とを含むものであ
る。

【００３２】本発明の上記他の観点による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、まず、２つの磁極のうちの一方の磁
極がギャップ層上に形成される。この磁極は、記録媒体
対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に、記録
媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分を含むもの
である。次に、ギャップ層上の領域のうち磁極よりも記
録媒体対向面とは反対側の領域に、薄膜コイルを絶縁す
るための絶縁層の一部をなす基準規定用絶縁層が形成さ
れる。この基準規定用絶縁層は、絶縁層の記録媒体対向
面側端縁を規定する基準端縁を有する。基準規定用絶縁
層の基準端縁の近傍領域表面は、斜面をなすように形成
される。次に、２つの磁性層のうち一方の磁極を含む磁
性層の一部をなす連結用磁性層が、少なくとも基準規定
用絶縁層を覆うように形成され、ギャップ層上に形成さ
れた磁極に磁気的に連結される。次に、ギャップ層に沿
って薄膜コイルが形成される。この薄膜コイルは、絶縁
層の他の一部をなす埋設用絶縁層によって埋設される。

【００３３】本発明の上記他の観点による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、磁極をドライプロセスにより形成
し、連結用磁性層を電解めっきプロセスにより形成する
ことが可能である。この場合には、磁極を窒化鉄を含む
材料を用いて形成し、連結用磁性層をニッケルおよび鉄
を含む材料を用いて形成するが好ましい。

【００３４】本発明の上記他の観点による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、さらに、埋設用絶縁層を形成したの
ち少なくとも磁極および埋設用絶縁層の表面を平坦化す
る工程と、一方の磁極を含む磁性層の他の一部をなすと
共に磁極に磁気的に連結されるヨーク磁性層を平坦化さ
れた埋設用絶縁層を介して薄膜コイルの一部を覆うよう
に形成する工程と、を含むようにしてもよい。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００３６】〔第１の実施の形態〕《第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法》
まず、図１〜図１２を参照して、本発明の第１の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。本実施の形態では、記録ヘッドと再生ヘッドの双方
を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを例示して説明する。な
お、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化され
るので、以下併せて説明する。

【００３７】図１〜図６において、（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図７〜図１１
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図７は図１に示した状態に対応し、図９は図２に示した
状態に対応し、図１０は図３に示した状態に対応し、図
１１は図６に示した状態に対応する。但し、図９では図
２における絶縁膜１７の図示を省略し、図１１では、図
６における薄膜コイル２１、絶縁層２２およびオーバー
コート層２３の図示を省略している。

【００３８】以下の説明では、エアベアリング面に平行
な方向のうち、例えば図１（Ｂ）における左右方向の距
離を「幅」と表記すると共に、エアベアリング面に対し
て垂直な方向（例えば図１（Ａ）における左右方向）の
距離を「長さ」として表記するものとする。また、例え
ば図１（Ａ）および（Ｂ）における上下方向の距離を
「厚み」または「高さ」と表記するものとする。さら
に、長さ方向におけるエアベアリング面に近い側（例え
ば図１（Ａ）における左側）を「前側（または前方）」
と表記し、エアベアリング面から遠い側（例えば図１
（Ａ）における右側）を「後側（または後方）」と表記
するものとする。

【００３９】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１および図７に示したように、例えばアルティック
（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばア
ルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約３〜５μ
ｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、フォト
レジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再
生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。

【００４０】次に、同図に示したように、下部シールド
層３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚み
でスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。
次に、シールドギャップ膜４上に、再生用のＭＲ素子を
構成するためのＭＲ膜５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続
する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形
成したのち、このリード層、シールドギャップ膜４およ
びＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、Ｍ
Ｒ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜６上に、例えばパーマロイより
なる上部シールド兼下部磁極（以下、単に「下部磁極」
という。）７を、例えば電解めっき法により、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。

【００４１】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばアルミナからなる記録ギャップ層９を約０．１５〜
０．３μｍの厚みに形成する。次に、後工程で薄膜コイ
ル２１を形成する領域よりも後側の領域に、磁路形成の
ために、記録ギャップ層９を部分的にエッチングして開
口部９ｂを形成する。

【００４２】次に、同図に示したように、後工程で薄膜
コイル２１を形成する領域よりも前側の領域における平
坦な記録ギャップ層９上に、上部磁極の一部を構成する
こととなる上部ポールチップ１５ａを約２〜３μｍの厚
みに形成する。この上部ポールチップ１５ａは、図７お
よび後述する図１２に示したように、Ｔ字型の平面形状
を有するもので、記録媒体（図示せず）上の記録トラッ
ク幅を規定する一定幅を有する先端部１５ａ(1) と、先
端部１５ａ(1) の幅よりも大きな幅を有する拡幅部１５
ａ(2) とを含んでいる。上部ポールチップ１５ａを形成
する際には、同時に、開口部９ｂに磁路接続部１５ｂを
形成する。

【００４３】上部ポールチップ１５ａおよび磁路接続部
１５ｂとしては、例えば、高飽和磁束密度材であるパー
マロイ（ＮｉＦｅ）系の合金や窒化鉄（ＦｅＮ）系の合
金が用いられるが、その形成に当たっては、例えばウェ
ットプロセスである電解めっき法や、ドライプロセスで
あるスパッタリング堆積法等が使用可能である。特に、
本工程では、下地が平坦な記録ギャップ層９であるた
め、窒化鉄系合金を用いてスパッタリング法により上部
ポールチップ１５ａを成膜することも可能である。窒化
鉄系合金は、スパッタリング等のドライプロセスによっ
て斜面上に形成されると結晶異方性が生じて磁束透過特
性が低下するが、平坦面上に成膜された場合には、その
ような不都合が生じにくいからである。なお、電解めっ
き法による場合には、そのような異方性の問題は生じな
いので、窒化鉄系合金またはパーマロイのいずれも使用
可能である。

【００４４】ここで、先端部１５ａ(1) が本発明におけ
る「第１の磁性層部分」の一具体例に対応し、拡幅部１
５ａ(2) が本発明における「第３の磁性層部分」の一具
体例に対応する。また、上部ポールチップ１５ａが本発
明における「一方の磁極」の一具体例に対応し、磁路接
続部１５ｂが本発明における「連結用磁性層」の一具体
例に対応する。

【００４５】上部ポールチップ１５ａおよび磁路接続部
１５ｂを、例えばフレームめっき法と呼ばれる電解めっ
き法を用いて形成する場合には、次のようにする。すな
わち、まず、例えばＮｉＦｅ系合金を、例えばスパッタ
リングにより、約７０ｎｍの厚みに形成して、電解めっ
き法におけるシード層となる電極膜（図示せず）を形成
する。次に、上記の電極膜上に、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィによりパターニングして、フォ
トレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、こ
のフォトレジストパターンをマスクとして、先工程で形
成した電極膜をシード層とする電解めっき処理を行うこ
とにより、上部ポールチップ１５ａおよび磁路接続部１
５ｂを形成する。その後、マスクとして用いたフォトレ
ジストパターンを除去する。

【００４６】次に、図２および図８に示したように、上
部ポールチップ１５ａの後方の平坦な記録ギャップ層９
上に、高精度のフォトリソグラフィ工程により、例えば
有機系のフォトレジストからなる絶縁膜パターン１６ａ
を、０．３〜２．０μｍ程度の厚みに形成する。このと
き、同時に、磁路接続部１５ｂよりも後方における記録
ギャップ層９上に、絶縁膜パターン１６ｂも形成する。
次に、絶縁膜パターン１６ａ，１６ｂの平坦化のため、
例えば２００°Ｃ〜２５０°Ｃ程度の温度で加熱処理を
行う。この加熱処理により、絶縁膜パターン１６ａの端
縁近傍は前方に向かって落ち込むような丸みを帯びた斜
面形状をなすこととなる。

【００４７】絶縁膜パターン１６ａを形成する際には、
その前側の端縁（以下、単に「前端縁」という。）の位
置が、上部ポールチップ１５ａの後側の端縁（以下、単
に「後端縁」という。）の位置よりもわずかに（例えば
０．１〜０．２μｍ程度）後方にずれて位置するように
してもよいし、上部ポールチップ１５ａの後端縁の位置
と一致するようにしてもよい。後述するように、この絶
縁膜パターン１６ａの前端縁が、スロートハイトの基準
であるスロートハイト零位置（ＴＨ０位置）となる。な
お、第１の絶縁膜パターン１６ａの後端縁側は、少なく
とも、後工程において薄膜コイル２１を形成する領域ま
で達するようにする。また、絶縁膜パターン１６ａの幅
は、上部ポールチップ１５ａの拡幅部１５ａ(2) の幅よ
りも大きくなるようにするのが好ましい。ここで、絶縁
膜パターン１６ａが、本発明における「第１の絶縁層」
または「基準規定用絶縁層」の一具体例に対応し、絶縁
膜パターン１６ａの前端縁が本発明における「基準端
縁」の一具体例に対応する。

【００４８】次に、図２および図９に示したように、上
部ポールチップ１５ａの一部と絶縁膜パターン１６ａの
前方の一部とを覆うように、上部接続部２０ａを、例え
ば２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。このとき、上
部ポールチップ１５ａのうち先端部１５ａの前側の一部
を除く部分が、上面と両側面の３面から上部接続部２０
ａによって覆われるようにする。この上部接続部２０ａ
は、例えば図９および後述する図１２に示したような平
面形状を有するものであり、前部分２０ａ(1)と後部分
２０ａ(2) とを含んでいる。上部ポールチップ１５ａと
上部接続部２０ａとの間は、両者の接触部分を通じて磁
気的に連結される。上部接続部２０ａを形成する際に
は、同時に、磁路接続部１５ｂの上に、磁路接続部２０
ｂを選択的に形成する。ここで、上部接続部２０ａが本
発明における「第２の磁性層部分」または「連結用磁性
層」の一具体例に対応する。

【００４９】上部接続部２０ａおよび磁路接続部２０ｂ
の形成は、例えば、高飽和磁束密度材であるパーマロイ
系合金や窒化鉄系合金を用いて、電解めっき法やスパッ
タリング法等により行う。但し、形成材料として窒化鉄
系合金のような結晶異方性が生じやすいものを用いる場
合には、スパッタリング法ではなく、電解めっき法によ
り行うのが好ましい。それは、上記したように、例えば
スパッタリング等のドライプロセスを用いて窒化鉄系合
金膜を形成すると、成膜された上部接続部２０ａのう
ち、高低差が生じている下地部分（第１の絶縁膜パター
ン１６ａの斜面部分）の上に形成されたスパッター膜に
結晶異方性が生じてしまい、その結果、磁束透過特性が
劣化して、磁束飽和現象等が生じやすいからである。

【００５０】次に、図３（Ａ）に示したように、絶縁膜
パターン１６ａのうち、上部接続部２０ａの後端縁面よ
りも後方に延びている部分をエッチング等により除去す
る。

【００５１】次に、図３（Ｂ）および図１０に示したよ
うに、例えばイオンミリング法または塩素系ガス（Ｃｌ
₂，ＣＦ₄，ＢＣｌ₂，ＳＦ₆等）を使用したＲＩＥ法
によるドライエッチング等により、記録ギャップ層９お
よび下部磁極７を自己整合的に約０．５μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。このエッチング処理
は、上部接続部２０ａの後端縁よりも後方の領域に選択
的に形成したフォトレジスト膜（図示せず）と、上部接
続部２０ａの後端縁よりも前方の上部磁極部分（先端部
１５ａおよび上部接続部２０ａ）とをマスクとして行
う。

【００５２】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナ膜等からなる絶縁膜１７を０．５〜１．５μ
ｍの厚みに形成する。

【００５３】次に、図４に示したように、上部接続部２
０ａと磁路接続部２０ｂとの間の記録ギャップ層９の上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型記録ヘッド用の薄膜コイル２１を２〜３μｍ
程度の厚みに形成する。薄膜コイル２１を形成する際に
は、同時に、絶縁膜パターン１６ｂの上側にコイル接続
部２１ｓを形成する。コイル接続部２１ｓの材質および
形成方法は、薄膜コイル２１のそれらと同様である。

【００５４】次に、全体に、例えばアルミナ等からなる
絶縁膜２２を３〜４μｍ程度の厚みに形成して、上部接
続部２０ａ、磁路接続部２０ｂ、薄膜コイル２１および
コイル接続部２１ｓ等によって形成された凹凸構造領域
を埋設する。ここで、上記の絶縁膜２２が本発明におけ
る「第２の絶縁層」または「埋設用絶縁層」の一具体例
に対応する。

【００５５】次に、図５に示したように、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）法により絶縁膜２２の表面全体を研磨
して平坦化する。なお、この場合における絶縁膜２２の
表面研磨は、上部接続部２０ａおよび磁路接続部２０ｂ
の各表面が露出するまで行う。このとき、薄膜コイル２
１と同じ工程で形成されたコイル接続部２１ｓは、絶縁
膜パターン１６ａと同じ工程で形成された絶縁膜パター
ン１６ｂによって底上げされているため、上記のＣＭＰ
により、上部接続部２０ａおよび磁路接続部２０ｂの表
面とほぼ同時にコイル接続部２１ｓの表面も露出するこ
ととなる。

【００５６】次に、図６に示したように、平坦化された
領域のうち、磁路接続部２０ｂから上部接続部２０ａに
かけての領域に、上部磁極２０ｃを選択的に形成する。
このとき、同時に、コイル接続部２１ｓの上面から図示
しない外部回路にかけての領域にコイル接続配線２０ｈ
を形成する。このコイル接続配線２０ｈは、コイル接続
部２１ｓと図示しない外部回路との間を電気的に接続す
るためのものである。上部磁極２０ｃおよびコイル接続
配線２０ｈの形成は、例えば窒化鉄系合金やパーマロイ
系合金等の高飽和磁束密度材料を用いて、電解めっき法
やスパッタリング法等により行い、その厚さは、例えば
２〜３μｍ程度とする。特に、本工程では、上部磁極２
０ｃの下地がＣＭＰにより平坦化された平面であるた
め、上部ポールチップ１５ａの形成工程の場合と同様
に、窒化鉄系合金を用いることも可能である。スパッタ
リング法により上部磁極２０ｃを成膜したとしても、結
晶異方性が生じるおそれは少ないからである。

【００５７】上部磁極２０ｃは、例えば、後述する図１
２に示したような平面形状を有するものであり、薄膜コ
イル２１の上方領域に延在するヨーク部２０ｃ(1) と、
ヨーク部２０ｃ(1) の前方において上部接続部２０ａの
一部とオーバーラップするように延在する接続部２０ｃ
(2) とを含んでいる。上部磁極２０ｃを形成する際に
は、例えば、その前端縁の位置を上部ポールチップ１５
ａの後端縁の位置とほぼ一致させると共に、その後端縁
の位置を磁路接続部２０ｂの後端縁の位置とほぼ一致さ
せるのが好ましい。上部磁極２０ｃは、開口部９ｂにお
いて、磁路接続部１５ｂおよび磁路接続部２０ｂを介し
て下部磁極７と磁気的に連結されると共に、上部接続部
２０ａを介して上部ポールチップ１５ａとも磁気的に連
結される。ここで、上部磁極２０ｃが本発明における
「第５の磁性層部分」または「ヨーク磁性層」の一具体
例に対応する。

【００５８】次に、全体を覆うようにして、例えばアル
ミナからなるオーバーコート層２３を形成する。最後
に、スライダ等の機械研磨加工により、記録ヘッドおよ
び再生ヘッドのエアベアリング面（トラック面）６０を
形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【００５９】《第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の要部構造》次に、図６および図１２を参照して、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部構造について説明
する。

【００６０】図１２は、本実施の形態の製造方法によっ
て製造される薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すも
のである。なお、図６は、図１２におけるVIＡ−VIＡ線
に沿った矢視断面に相当する。図１２では、オーバーコ
ート層２３等の図示を省略しており、また、薄膜コイル
２１については、その外周近傍におけるターンの一部の
みを図示している。

【００６１】上記したように、絶縁膜パターン１６ａの
前端縁の位置は、スロートハイトＴＨを決定する際の基
準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ
０位置）である。スロートハイトＴＨは、ＴＨ０位置か
らエアベアリング面６０までの長さとして規定される。
また、図１１中における「ＭＲＨ」の記載は、ＭＲハイ
トを表している。ＭＲハイトは、ＭＲ膜５の後端縁の位
置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）から
エアベアリング面６０までの長さである。

【００６２】図１２に示したように、上部接続部２０ａ
の前部は、上部ポールチップ１５ａの先端部１５ａ(1)
の一部および拡幅部１５ａ(2) を、上面および両側面の
３方向から取り囲むように形成され、上部ポールチップ
１５ａと磁気的に連結されている。一方、上部接続部２
０ａの後部は、絶縁膜パターン１６ａの上の領域を満た
しており、ここに十分な磁気ボリュームを確保してい
る。ここで、磁気ボリュームとは、各部位の内部に収容
することができる磁束の許容量をいう。上部接続部２０
ａの後部はまた、上部磁極２０ｃの接続部２０ｃ(2) と
部分的にオーバーラップするようにして接触しており、
上部磁極２０ｃと磁気的に連結されている。

【００６３】上部ポールチップ１５ａの先端部１５ａ
(1) のうち、前側の一部分（以下、部分１５ａ(1) Ｆと
いう。）は、上部接続部２０ａにより覆われておらず、
露出している。部分１５ａ(1) Ｆは、記録時における記
録媒体の記録トラック幅を規定する部分であり、高精度
に一定幅を有している。図１２において、上部磁極２０
ｃ、上部接続部２０ａおよび上部ポールチップ１５ａの
各幅方向の中心は一致している。

【００６４】上部磁極２０ｃは、その後部領域において
磁路接続部２０ｂとオーバーラップして接触し、これと
磁気的に連結している。結局、上部ポールチップ１５
ａ、上部接続部２０ａ、上部磁極２０ｃ、磁路接続部２
０ｂ、磁路接続部１５ｂおよび下部磁極７によって、１
つの磁路が形成されている。

【００６５】《第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の作用》次に、図６、図１１および図１２を参照して、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明
する。なお、以下の説明では、図中のＸ軸方向を「幅
（または幅方向）」、Ｙ軸方向を「長さ」、Ｚ軸方向を
「厚み（または厚み方向）」と表記することとする。

【００６６】この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作
時に、図示しない外部回路から記録ヘッド部の薄膜コイ
ル２１（図１１では図示せず）に信号電流が供給され
る。この信号電流に応じて発生した磁束は、上部磁極２
０ｃ内をヨーク部２０ｃ(1) から接続部２０ｃ(2) に伝
搬し、接続部２０ｃ(2) と磁気的に連結している上部接
続部２０ａの後部分２０ａ(2) および前部分２０ａ(1)
、ならびに上部ポールチップ１５ａの拡幅部１５ａ(2)
を経由して、先端部１５ａ(1) の部分１５ａ(1)Ｆに流
入する。部分１５ａ(1) Ｆに流入した磁束は、さらにそ
の最先端（エアベアリング面６０）へ伝搬する。部分１
５ａ(1) Ｆの最先端へ到達した磁束は、その外部に信号
磁界を発生させる。この信号磁界によって、図示しない
記録媒体への情報記録が行われる。

【００６７】一方、情報の再生動作時においては、図示
しない記録媒体からの信号磁界は、再生ヘッド部のＭＲ
膜５に印加される。ＭＲ膜５では、印加された信号磁界
に応じて抵抗値が変化し、ここを流れるセンス電流の大
きさが変化する。このセンス電流は、例えば信号電圧に
変換されて外部回路（図示せず）に出力される。これに
より、記録媒体からの情報の読み取りが行われる。

【００６８】図１１に示したように、この薄膜磁気ヘッ
ドでは、上部磁極２０ｃから部分１５ａ(1) Ｆに至る磁
束の伝搬過程において、磁束の伝搬経路を構成する各部
位の幅を部分１５ａ(1) Ｆに近づくにつれて段階的に狭
めることにより、磁気ボリュームを段階的に減少させる
ようにしている。このため、上部磁極２０ｃから部分１
５ａ(1) Ｆへ伝搬する磁束は、その伝搬経路を構成する
各部位の幅方向および厚み方向における磁気ボリューム
の段階的減少に応じて集束する。

【００６９】以上のように、本実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドによれば、上部ポールチップ１５ａと薄膜コイル２
１との間に、薄膜コイル２１を埋設する絶縁膜２２とは
別個に絶縁膜パターン１６ａを形成すると共に、その前
端縁によってＴＨ０位置を規定するようにしたので、例
えば絶縁膜パターン１６ａの長さを変えるだけでスロー
トハイトをコントロールすることが可能である。また、
絶縁膜パターン１６ａの前端縁近傍が、丸みを帯びた斜
面形状をなすようにしたので、その上に配置された上部
接続部２０ａの内部を通る磁束の流れを滑らかにするこ
とができる。

【００７０】また、本実施の形態によれば、ＴＨ０位置
を規定するための絶縁膜パターン１６ａと上部磁極２０
ｃの前部分２０ａ(1) との間の領域を、上部接続部２０
ａによって満たすようにしたので、この部分に十分な磁
気ボリュームを確保することができる。さらに、スロー
トハイトＴＨの区間のうち、ＴＨ０位置の前方の直近領
域に、上部ポールチップ１５ａの部分１５ａ(1) Ｆより
も幅および厚みの大きい磁性層部分（拡幅部１５ａ(2)
およびこれを包む上部接続部２０ａ）を設けるようにし
たので、この部分にも十分な磁気ボリュームを確保する
ことができる。これにより、上部磁極２０ｃから上部ポ
ールチップ１５ａ内に流入した磁束が微小幅を有する先
端部１５ａ(1) の部分１５ａ(1) Ｆ内で飽和するのを抑
制し、エアベアリング面まで十分に到達させることがで
きる。この結果、優れたオーバーライト特性を確保する
ことが可能となる。

【００７１】また、本実施の形態では、上部接続部２０
ａが、上部ポールチップ１５ａの拡幅部１５ａ(2) を四
方（上方、両側方および後方）から完全に包み込むと共
に、先端部１５ａ(1) の一部をも三方（上方および両側
方）から包み込んで接触するようにしたので、上部ポー
ルチップ１５ａと上部接続部２０ａとの接触面積が大き
くなり、両者の境界面（接触面）における磁束伝搬ロス
を低減することができる。このため、上部接続部２０ａ
から上部ポールチップ１５ａへの磁束の伝搬がスムース
に行われる。

【００７２】また、スロートハイトＴＨの区間内に、幅
および厚みの大きい磁性層部分（拡幅部１５ａ(2) およ
びこれを包む上部接続部２０ａ）を設けてそこでの磁束
飽和を回避するようにしたので、記録トラック幅を規定
する一定幅を有する先端部１５ａの部分１５ａ(1) Ｆの
長さを極力短くしつつ、スロートハイトＴＨの長さを一
定以上にすることができる。この結果、磁気ボリューム
が極めて大きい上部磁極２０ｃから直接エアベアリング
面に磁束が漏れ出るのを効果的に防止することができ
る。したがって、記録媒体上におけるサイドライト現象
を抑制することができ、記録トラック幅の改善が可能で
ある。

【００７３】また、上部ポールチップ１５ａは、製造工
程において、それ単独で平坦な記録ギャップ層９の上に
のみ形成されるようになっているので、従来のように下
地が斜面となっている領域に差し掛かるように形成する
場合と比べると、フォトリソグラフィ工程の露光時にお
いて、下地からの反射の影響を受けにくい。このため、
例えばフレームめっき法によって上部ポールチップ１５
ａを形成する場合に必要なフォトレジストパターンを、
より高精度に形成することが可能になる。この結果、上
部ポールチップ１５ａの先端部１５ａ(1) の幅、ひいて
は部分１５ａ(1) Ｆの幅を、位置によらず高精度に一定
化することができる。このため、記録媒体上の記録トラ
ック幅を狭小化しつつ、そのばらつきを低減することが
できる。

【００７４】また、上部磁極の一部としての上部ポール
チップ１５ａを、平坦な記録ギャップ層９の上にのみ形
成するようにしたので、下地が傾斜面の場合には磁気特
性上の理由から適用が困難な例えば窒化鉄系合金等の磁
性材料を用いて、ドライプロセスによる形成が可能にな
る。

【００７５】また、本実施の形態では、上部磁極２０ｃ
およびコイル接続配線２０ｈを、ＣＭＰにより形成され
た平坦面上に形成することができるので、フォトリソグ
ラフィ工程においてこれらの磁性層の形成に使用するフ
ォトレジストパターンを高精度に作製することが容易と
なる。

【００７６】なお、本実施の形態では、上部磁極２０ｃ
の前端縁の位置が、上部ポールチップ１５ａの後端縁の
位置あるいはＴＨ０位置とほぼ一致するようにしたが、
ＴＨ０位置よりも前方にあるようにしてもよい。但し、
この上部磁極２０ｃの前端縁の位置は、ＭＲＨ０位置よ
りも後方にあることが望ましい。なぜなら、この前端縁
の位置がＭＲＨ０位置よりも前方にあると、磁気ボリュ
ームの大きな接続部２０ｃ(2) がエアベアリング面６０
に近づきすぎることになり、この接続部２０ｃ(2) から
エアベアリング面６０への磁束の直接放出によるサイド
ライト現象が発生するおそれが生ずるからである。

【００７７】また、本実施の形態における上部ポールチ
ップ１５ａ、上部接続部２０ａおよび上部磁極２０ｃの
平面形状は、以上説明したものに限られるものではな
く、上記した磁束の伝搬特性を阻害しない限りにおい
て、種々変形させることが可能である。以下、本実施の
形態のいくつかの変形例について説明する。なお、以下
の各変形例で示す図において、上記した各図の構成要素
と同一部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略す
る。

【００７８】〈変形例１−１〉図１３に示した変形例
は、上部ポールチップ１１５ａにおける拡幅部１１５ａ
(2) の幅が、エアベアリング面６０から遠ざかるにつれ
て徐々に大きくなるようにしたものである。また、この
変形例では、上部接続部１２０ａの前方の両側角部に大
きな面取り部Ｃを設けている。さらに、この上部接続部
１２０ａは、先端部１１５ａ(1) までは覆わず、テーパ
形状をなす拡幅部１１５ａ(2) のみを三方から包み込む
ようにしている。拡幅部１１５ａ(2) の側縁面がその長
さ方向に対してなす角度αは、例えば、３０〜６０度と
するのが好適である。その他の構造的特徴は、図１２の
場合と同様である。ここで、上部ポールチップ１１５ａ
の先端部１１５ａ(1) が本発明における「第１の磁性層
部分」の一具体例に対応し、拡幅部１１５ａ(2) が本発
明における「第３の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。また、上部接続部１２０ａが本発明における「第２
の磁性層部分」の一具体例に対応する。

【００７９】〈変形例１−２〉図１４および図１５は、
他の変形例を説明するためのものである。ここで、図１
４および図１５は、本変形例に係る薄膜磁気ヘッドの主
要な製造工程における要部構成を表すものであり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のXIV Ｂ−XIV Ｂにお
ける矢視断面図である。

【００８０】本変形例では、図１４に示したように、記
録ギャップ層９の上に、図１１の場合と同様のＴ字型の
平面形状を有する上部ポールチップ１５ａと絶縁膜パタ
ーン１６ａとを形成したのち、上部ポールチップ１５ａ
の拡幅部１５ａ(2) の一部と絶縁膜パターン１６ａの一
部とを覆うように、矩形の平面形状を有する上部接続部
６２０ａを形成する。このとき、上部ポールチップ１５
ａと絶縁膜パターン１６ａとは図示のように接していて
もよいし、あるいは微小距離だけ離れていても良い。ま
た、上部接続部６２０ａの幅は、上部ポールチップ１５
ａの拡幅部１５ａ(2) の幅よりも広くするのが好まし
い。ここで、上部接続部６２０ａが本発明における「第
２の磁性層部分」の一具体例に対応する。

【００８１】次に、絶縁膜パターン１６ａのうち、上部
接続部６２０ａの後端部よりも後方に延びている部分
を、例えばエッチング等により除去する。次に、絶縁膜
１７および薄膜コイル２１を形成した後、全体に絶縁膜
２２を形成し、全体の表面をＣＭＰ法等により研磨して
平坦化する。このとき、ＣＭＰ法による研磨は、図５の
場合と異なり、図１５に示したように上部ポールチップ
１５ａの表面と上部接続部６２０ａの表面とが露出する
まで行う。このような工程により、図１５（Ａ）に示し
たように、上部ポールチップ１５ａの拡幅部１５ａ(2)
における両側面の一部および後面のみと接するように拡
幅部１５ａ(2) を包み込む上部接続部２０ａが形成され
る。これ以降の工程は、上記実施の形態の場合と同様で
ある。すなわち、平坦化された面上に、図１１に示した
ものと同様の平面形状を有する上部磁極２０ｃ（本図で
は図示せず）を形成したのち、オーバーコート層を形成
する工程等を行う。

【００８２】本変形例においては、上部磁極６２０ｃの
みならず、拡幅部１５ａ(2) の表面が露出するまでＣＭ
Ｐによる平坦化研磨を行うようにしたので、素子構造全
体としての薄型化が可能となる。その他の効果は、上記
第１の実施の形態の場合と同様である。

【００８３】〈変形例１−３〉図１６は、他の変形例に
係る薄膜磁気ヘッドの要部の平面構造を表すものであ
る。この図に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部ポールチ
ップ２１５ａは、先端部２１５ａ(1) と、拡幅部２１５
ａ(2) と、２本の腕部２１５ａ(3) とを含んで一体に構
成されている。腕部２１５ａ(3) は、拡幅部２１５ａ
(2) の後端部に連結されている。絶縁膜パターン２１６
ａは矩形平面形状を有する。上部ポールチップ２１５ａ
の腕部２１５ａ(3) は、拡幅部２１５ａ(2) の後端部近
傍のＴＨ０位置から絶縁膜パターン２１６ａの上に乗り
上げる形で延在し、この絶縁膜パターン２１６ａの後端
縁で終端している。腕部２１５ａ(3) の互いの間隔は、
エアベアリング面６０から離れるに従って漸次拡大して
いる。腕部２１５ａ(3) の２つの外縁面と拡幅部２１５
ａ(2) の２つの外縁面とはそれぞれ一直線状をなし、両
者の間隔はエアベアリング面６０から離れるに従って漸
次拡大している。上部磁極の接続部２２０ｃ(2) および
ヨーク部２２０ｃ(1) の両側縁は、腕部２１５ａ(3) の
外縁とほぼ平行になっている。

【００８４】上部磁極２２０ｃの前端縁はＴＨ０位置近
傍で終端している。上部磁極２２０ｃの前端縁近傍の平
面形状および上部接続部２２０ａの後部分２２０ａ(2)
平面形状は、上部ポールチップ２１５ａの平面形状とほ
ぼ対応したものとなっている。また、上部接続部２２０
ａの前部分２２０ａ(1) の側縁面は、後部分２２０ａ
(2) の側縁面とほぼ平行となっている。なお、上部ポー
ルチップ２１５ａの拡幅部２１５ａ(2) および腕部２１
５ａ(3) の幅方向の外縁面、ならびに上部接続部２２０
ａの側縁面がエアベアリング面６０に垂直な面に対して
なす角度は、例えば３０〜７０度程度とするのが好適で
ある。

【００８５】ここで、上部ポールチップ２１５ａの先端
部２１５ａ(1) が本発明における「第１の磁性層部分」
の一具体例に対応し、拡幅部２１５ａ(2) が本発明にお
ける「第３の磁性層部分」の一具体例に対応する。ま
た、腕部２１５ａ(3) が本発明における「第４の磁性層
部分」の一具体例に対応し、上部磁極２２０ｃが本発明
における「第５の磁性層部分」の一具体例に対応する。
また、絶縁膜パターン２１６ａが本発明における「第２
の絶縁層」の一具体例に対応する。

【００８６】本変形例では、上部ポールチップ２１５ａ
の一部（腕部２１５ａ(3) ）が絶縁膜パターン２１６ａ
の斜面上に配置されるようになっていることから、例え
ば窒化鉄を用いる場合には、めっき法によって上部ポー
ルチップ２１５ａを形成するのが好ましい。但し、パー
マロイを用いるのであれば、スパッタリング等のドライ
プロセスにより形成することも可能である。

【００８７】〈変形例１−４〉図１７は、さらに他の変
形例に係る薄膜磁気ヘッドの要部の平面構造を表すもの
である。この図に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部ポー
ルチップ３１５ａは、先端部３１５ａ(1) と、拡幅部３
１５ａ(2) と、２本の腕部３１５ａ(3) とを含んで一体
に構成されている。腕部３１５ａ(3) は、上記した図１
６における腕部２１５ａ(3) よりも細く形成され、拡幅
部３１５ａ(2) の後端部に連結されている。腕部３１５
ａ(3) は、拡幅部３１５ａ(2) の後端部（ＴＨ０位置近
傍）から絶縁膜パターン３１６ａの上に乗り上げる形で
延在し、絶縁膜パターン３１６ａの後端縁まで達しない
位置で終端している。絶縁膜パターン３１６ａの幅方向
の輪郭の大部分は、Ｙ字型をなす上部ポールチップ３１
５ａの腕部３１５ａ(3) に沿ったものとなっている。絶
縁膜パターン３１６ａは、上部ポールチップ３１５ａの
拡幅部３１５ａ(2) に対応する領域を除き、ＴＨ０位置
よりも前方にまで延び、先端部３１５ａ(1) の後端部近
傍（すなわち、拡幅部３１５ａ(2) の前端部近傍）で終
端している。その他の形状は、図１６に示したものとほ
ぼ同様である。

【００８８】ここで、上部ポールチップ３１５ａの先端
部３１５ａ(1) が本発明における「第１の磁性層部分」
の一具体例に対応し、拡幅部３１５ａ(2) が本発明にお
ける「第３の磁性層部分」の一具体例に対応する。ま
た、腕部３１５ａ(3) が本発明における「第４の磁性層
部分」の一具体例に対応し、上部接続部３２０ａが本発
明における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。また、絶縁膜パターン３１６ａが本発明における
「第２の絶縁層」の一具体例に対応する。

【００８９】本変形例では、上部ポールチップ３１５ａ
の一部（腕部３１５ａ(3) ）が絶縁膜パターン３１６ａ
の斜面上に配置されるようになっていることから、例え
ば窒化鉄系合金を用いる場合には、上記変形例１−３の
場合と同様に、めっき法によって上部ポールチップ３１
５ａを形成するのが好ましい。但し、パーマロイを用い
るのであれば、スパッタリング等のドライプロセスによ
り形成することも可能である。

【００９０】〈変形例１−５〉図１８は、さらに他の変
形例に係る薄膜磁気ヘッドの要部の平面構造を表すもの
である。本変形例の薄膜磁気ヘッドは、図１７に示した
上部ポールチップと同形状の上部ポールチップ３１５ａ
を備えている。絶縁膜パターン４１６ａは、２本の腕部
３１５ａ(3) によって挟まれた領域（Ｙ字の谷間領域）
にのみ延在しており、したがって、腕部３１５ａ(3)
は、絶縁膜パターン４１６ａ上に乗り上げてはいない。
上部接続部４２０ａは、前部分４２０ａ(1) の角部が丸
く面取りされている点を除き、図１７における上部接続
部３２０ａとほぼ同様の形状をなしている。その他の形
状は、図１７に示したものとほぼ同様である。ここで、
上部接続部４２０ａが本発明における「第２の磁性層部
分」の一具体例に対応し、絶縁膜パターン４１６ａが本
発明における「第２の絶縁層」の一具体例に対応する。

【００９１】本変形例では、上部ポールチップ３１５ａ
は、絶縁膜パターン４１６ａ上に乗り上げず、すべて記
録ギャップ層９の上に配置されるようになっていること
から、例えば窒化鉄系合金を用いる場合でも、スパッタ
リング等のドライプロセスにより上部ポールチップ３１
５ａを形成することが可能である。

【００９２】以上、図１６〜図１８に示した各薄膜磁気
ヘッドでは、上部ポールチップ２１５ａ（３１５ａ）の
平面形状をＹ字型形状として、拡幅部２１５ａ(2) （３
１５ａ(2) ）のみならず、２本の腕部２１５ａ(3) （３
１５ａ(3) ）をも、上部接続部２２０ａ（３２０ａ，４
２０ａ）によってそれぞれ三方から包み込むようにして
いる。このため、上部ポールチップ２１５ａ（３１５
ａ）と上部接続部２２０ａ（３２０ａ，４２０ａ）との
接触面積をさらに増加させることができ、両者の境界面
における磁束伝搬損失をさらに低減することができる。

【００９３】図１６および図１７に示した変形例では、
上部ポールチップ２１５ａ，３１５ａが絶縁膜パターン
２１６ａ，３１６ａの上まで乗り上げて延在している。
このため、これらの上部ポールチップを例えば窒化鉄系
合金を用いて成膜する場合には、膜中に結晶異方性が生
ずるのを回避するために、スパッタリング等のドライプ
ロセスではなく、めっき法を用いるのが好ましい。一
方、図１８に示した変形例では、上部ポールチップ３１
５ａは絶縁膜パターン４１６ａの上に乗り上げておら
ず、平坦な記録ギャップ層９上にのみ延在している。こ
のため、この上部ポールチップ３１５ａは、第１の実施
の形態の場合と同様に、窒化鉄系合金を用いた場合でも
スパッタリング等のプロセスにより形成することが可能
である。

【００９４】〈変形例１−６〉図１９は、さらに他の変
形例に係る薄膜磁気ヘッドの主要な製造工程における要
部構造を表すものである。この図において、（Ａ）は要
部の平面構造を表し、（Ｂ）は（Ａ）のXIX Ｂ−XIX Ｂ
における矢視断面を表すものである。

【００９５】本変形例では、図１９に示したように、記
録ギャップ層９上にＴＨ０位置を規定する矩形状の絶縁
膜パターン５１６ａを形成したのち、図１７の場合と同
形状の上部ポールチップ３１５ａを、その腕部３１５ａ
(3) が絶縁膜パターン５１６ａ上に乗り上げることとな
るように形成する。ここで、上部ポールチップ３１５ａ
の形成材料として、例えば窒化鉄系合金を用いる場合に
は、スパッタリング等のトライプロセスではなく、めっ
き法により形成するのが好ましい。

【００９６】次に、上部ポールチップ３１５ａの拡幅部
３１５ａ(2) の一部と絶縁膜パターン５１６ａの一部と
を覆うように、ほぼ台形状の平面形状を有する上部接続
部５２０ａを形成する。このとき、上部ポールチップ３
１５ａと絶縁膜パターン５１６ａとは図示のように微小
距離だけ離れていてもよいし、あるいは接していてもよ
い。また、上部接続部５２０ａは、上部ポールチップ３
１５ａの拡幅部３１５ａ(2) および腕部３１５ａ(3) を
それぞれ三方から包み込むように形成するのが好まし
い。なお、本変形例では、上部接続部５２０ａの前端縁
は、先端部３１５ａ(1) の後端部で終端しているが、先
端部３１５ａ(1) の一部まで覆うようにしてもよい。こ
こで、上部接続部５２０ａが本発明における「第２の磁
性層部分」の一具体例に対応し、絶縁膜パターン５１６
ａが本発明における「第２の絶縁層」の一具体例に対応
する。

【００９７】次に、絶縁膜１７および薄膜コイル２１を
形成した後、全面に絶縁膜２２を形成し、全体の表面を
ＣＭＰ法等により研磨して平坦化する。このとき、ＣＭ
Ｐ法による研磨は、図１９（Ａ）に示したように、上部
ポールチップ３１５ａのうちの腕部３１５ａ(3) が露出
するまで行う。このような工程により、図１９（Ａ），
（Ｂ）に示したように、上部ポールチップ３１５ａの拡
幅部３１５ａ(2) は、上面、両側面および後面の四方か
ら上部接続部５２０ａによって包み込まれ、２本の腕部
３１５ａ(3) は、それぞれ、両側面および後面の三方か
ら上部接続部５２０ａによって包み込まれる構造が形成
される。これ以降の工程は、上記第１の実施の形態の場
合と同様である。

【００９８】本変形例では、上部ポールチップ３１５ａ
のうち、腕部３１５ａ(3) の上には上部接続部５２０ａ
が存在しないが、拡幅部３１５ａ(2) の上方には上部接
続部５２０ａが存在している。このため、素子構造の厚
さが比較的薄くなると共に、先端部３１５ａ(1) の直近
領域に、幅方向および厚み方向において十分な磁気ボリ
ュームを確保することが可能である。もちろん、絶縁膜
パターン５１６ａの上の領域にも、幅方向および厚さ方
向において十分な磁気ボリュームが確保される。

【００９９】なお、例えば図２０に示したように、ＣＭ
Ｐ法等による研磨を、上部ポールチップ３１５ａの全面
が露出するまで行うようにしてもよい。この場合には、
素子構造全体としてのさらなる薄型化が可能となると共
に、先端部３１５ａ(1) の直近領域において幅方向に十
分な磁気ボリュームを確保することが可能である。

【０１００】〔第２の実施の形態〕次に、図２１および
図２２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、
以下併せて説明する。本実施の形態は、薄膜コイルを２
階層構造としたものである。

【０１０１】図２１および図２２は、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの要部構造を表すものである。このう
ち、図２１（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、同図（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。図２２は、薄膜磁気ヘッドの要部の
平面構造を表すものである。これらの図で、上記第１の
実施の形態等における要素と同一部分には同一の符号を
付すものとする。

【０１０２】本実施の形態では、上記第１の実施の形態
（図１２）における上部ポールチップ１５ａに代えて、
図２１に示したような平面形状を有する上部ポールチッ
プ７１５ａを形成し、上部接続部２０ａに代えて、図２
１に示したような平面形状を有する上部接続部７２０ａ
を形成する。これらの点を除き、本実施の形態において
上部接続部２０ａおよび磁路接続部２０ｂの表面が露出
するまで絶縁膜２２の表面をＣＭＰにより平坦化する工
程以前の工程は、上記第１の実施の形態の場合とほぼ同
様であるので、その説明を省略する。ここで、上部ポー
ルチップ７１５ａが本発明における「第１の磁性層部
分」の一具体例に対応し、上部接続部７２０ａが本発明
における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応する。

【０１０３】本実施の形態では、図２１に示したよう
に、絶縁膜２２等の表面を平坦化した後、上部接続部７
２０ａの上に選択的に、例えば矩形状の平面形状を有す
る、他の上部接続部３０ａを２〜３μｍの厚みに形成す
る。このとき同時に、磁路接続部２０ｂの上に、他の磁
路接続部３０ｂを形成する。上部接続部３０ａの前端縁
の位置は、例えば、上部ポールチップ７１５ａの後端縁
の位置と一致するようにする。上部接続部３０ａおよび
磁路接続部３０ｂの材質および形成方法は、上部接続部
７２０ａおよび磁路接続部７２０ｂの場合と同様であ
る。

【０１０４】次に、上部接続部３０ａと磁路接続部３０
ｂとの間の領域における絶縁膜２２上に、２層目の薄膜
コイル１２１を、例えば電解めっき法により例えば１．
５〜２．５μｍ程度の厚みに形成する。このとき同時
に、磁路接続部３０ｂの後方領域のコイル接続部２１ｓ
の上に、薄膜コイル１２１の内側終端部をなすコイル接
続部１２１ｓを形成する。コイル接続部１２１ｓは、１
層目の薄膜コイル２１と２層目の薄膜コイル１２１とを
接続するためのものである。

【０１０５】次に、全体に、例えばアルミナ膜からなる
絶縁膜３２を例えば３〜４μｍ程度の厚みに形成した
後、ＣＭＰ法等により全体の表面を研磨して平坦化す
る。このとき、ＣＭＰ法による表面研磨は、上部接続部
３０ａおよび磁路接続部３０ｂの表面が露出するまで行
う。この場合、コイル接続部１２１ｓの上面は、薄膜コ
イル１２１の上面と同じ高さ位置にあり、絶縁膜３２に
よって埋設された状態になっている。

【０１０６】次に、コイル接続部１２１ｓの上方の絶縁
膜３２に開口３２ｋを形成し、コイル接続部１２１ｓの
上面を部分的に露出させたのち、磁路接続部３０ｂから
上部接続部３０ａにかけての領域に、上部磁極２０ｃを
選択的に形成する。このとき、同時に、コイル接続部１
２１ｓの露出した上面から図示しない外部回路にかけて
の領域にコイル接続配線２０ｈを形成する。このコイル
接続配線２０ｈは、コイル接続部１２１ｓと図示しない
外部回路との間を電気的に接続するためのものである。
これ以降の工程は、上記第１の実施の形態（図１６）の
場合と同様であるので、その説明を省略する。

【０１０７】次に、図２２を参照して、本実施の形態の
薄膜磁気ヘッドの構造上の特徴について、上記第１の実
施の形態における図１２および図１６と対比して説明す
る。本実施の形態では、図２２に示したように、上部ポ
ールチップ７１５ａの平面形状を、図１２のＴ字型また
は図１６のＹ字型から（Ｉ字＋Ｕ字）型に変更してい
る。先端部７１５ａ(1) の部分がＩ字形をなし、拡幅部
７１５ａ(2) および腕部７１５ａ(3) の部分が一体とな
ってほぼＵ字形をなす。腕部７１５ａ(3) の部分は絶縁
膜パターン１６ａの上に乗り上げるようにして延在して
いる。但し、図１６の場合と異なり、２本の腕部７１５
ａ(3) は互いにほぼ平行に延びている。腕部７１５ａ
(3) は、絶縁膜パターン１６ａの後端縁で終端してい
る。２本の腕部７１５ａ(3) の後方角部のうち内側の互
いに向い合う側の角部には、面取りが施されている。拡
幅部７１５ａ(2) は、エアベアリング面に近づくに従っ
て幅が狭まるような平面形状を有している。上部ポール
チップ７１５ａの形成材料として、例えば窒化鉄系合金
を用いる場合には、上記第１の実施の形態の変形例１−
３の場合と同様の理由から、スパッタリング等のトライ
プロセスではなく、めっき法により形成するのが好まし
い。

【０１０８】上部接続部７２０ａの前端縁の位置は、拡
幅部７１５ａ(2) の後端縁の位置とほぼ一致し、上部接
続部７２０ａの後端縁の位置は、絶縁膜パターン１６ａ
の後端縁で終端している。したがって、上部接続部７２
０ａは、上部ポールチップ７１５ａの腕部７１５ａ(3)
のみを、上面および両側面の三方から包み込んでいる。

【０１０９】上部接続部３０ａは、上部ポールチップ７
１５ａおよび上部磁極２０ｃとオーバーラップして配置
され、両者の間を接続している。この上部接続部３０ａ
は、矩形上の平面形状を有し、その前端縁および後端縁
は、上部接続部７２０ａのそれらとほぼ一致している。
上部接続部３０ａの幅は、図２２では上部磁極２０ｃの
幅よりも小さくなっているが、同じか、あるいは、より
広くしてもよい。

【０１１０】上部磁極２０ｃの前端縁の位置は、上部接
続部３０ａの前端縁の位置よりもやや後方に位置してい
る。但し、上部磁極２０ｃの前端縁の位置を、上部接続
部３０ａの前端縁の位置に一致させるか、あるいは、よ
り前方に位置させるようにしてもよい。上部接続部３０
ａの後端縁の位置は、磁路接続部３０ｂの後端縁の位置
とほぼ一致している。上部磁極２０ｃは、磁路接続部３
０ｂ，２０ｂ，１５ｂを介して下部磁極７と磁気的に連
結されるとともに、上部接続部３０ａ，２０ａを介して
上部ポールチップ１５ａと磁気的に連結される。これら
の各磁性層により、薄膜コイル２１，１２１を囲む磁路
を構成している。その他の構造は図１２の場合と同様で
ある。

【０１１１】以上のような構造の薄膜磁気ヘッドは、上
記第１の実施の形態の場合と同様に、オーバーライト特
性において高い性能を発揮する。特に、本実施の形態で
は、上記のように２層の薄膜コイル２１および１２１を
設けるようにしたので、薄膜コイル部において発生する
磁束の発生量を増大させることが可能である。

【０１１２】また、本実施の形態では、薄膜コイルを２
層構造とした結果、上部接続部２０ａと上部磁極２０ｃ
との間にスペースが生ずる。本実施の形態では、図２１
に示したように、このスペースを利用して、上部接続部
７２０ａの後方領域に、さらに厚み方向に磁気ボリュー
ムを確保するようにしている。この磁気ボリュームは、
上部接続部２０ａ，３０ａによって確保され、ここに、
２層の薄膜コイル２１および１２１によって発生した大
量の磁束が収容される。このため、上部ポールチップ７
１５ａの拡幅部７１５ａ(2) の後方領域において磁気飽
和が生ずることを回避でき、充分な量の磁束が腕部７１
５ａ(3) および拡幅部７１５ａ(2) を介して先端部７１
５ａ(1) に供給される。その結果、優れたオーバーライ
ト特性を確保することが可能となる。

【０１１３】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ７１５ａ、上部接続部３０ａおよび上部磁極２０ｃを
いずれも平坦部上に形成することができるため、フォト
リソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を高
精度に行うことができ、製作精度を高めることが可能で
ある。特に、先端部７１５ａ(1) の幅を高精度に微細化
することが可能となる。

【０１１４】その他の作用および効果は、上記第１の実
施の形態の場合と同様である。

【０１１５】なお、本実施の形態における上部接続部３
０ａの後端縁の位置は、必ずしも上部ポールチップ７１
５ａの後端縁の位置と一致しなければならないものでは
なく、前後にずれるようにしてもよい。

【０１１６】［第３の実施の形態］次に、図２３〜図２
７を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明
する。図２３〜図２７において、（Ａ）はエアベアリン
グ面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベア
リング面に平行な断面を示している。これらの図で、上
記各実施の形態における要素と同一部分には同一の符号
を付すものとする。本実施の形態は、２階層の薄膜コイ
ルを記録ギャップ層９を挟んで形成するようにしたもの
である。

【０１１７】本実施の形態において、図２３に示した下
部磁極７を形成するところまでの工程は、上記第１の実
施の形態における図１の工程と同様であるので、説明を
省略する。

【０１１８】本実施の形態では、図２３に示したよう
に、下部磁極７の形成後、後工程において薄膜コイル３
３を形成する領域よりも前方および後方における下部磁
極７上に、例えばパーマロイよりなる下部ポールチップ
３１ａおよび下部接続部３１ｂを、例えばめっき法によ
り約２．０〜２．５μｍの厚みになるように形成する。
次に、全体に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法によ
り、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる膜厚が０．３
〜０．６μｍ程度の絶縁膜３２を形成する。

【０１１９】次に、図２４に示したように、下部ポール
チップ３１ａおよび下部接続部３１ｂ以外の低い領域
に、下部接続部３１ｂを取り囲むようにして、例えば電
解めっき法により、１層目の薄膜コイル３３を１．５〜
２．５μｍ程度の厚みで形成する。このとき同時に、下
部接続部３１ｂの後方の低い領域に、コイル接続部３３
ｓを選択的に形成する。次に、同図に示したように、全
体に、例えばアルミナ膜等の絶縁膜３４を３〜４μｍ程
度の膜厚に形成したのち、例えばＣＭＰ法により全体を
研磨して平坦化し、下部ポールチップ３１ａおよび下部
接続部３１ｂの表面を露出させる。

【０１２０】次に、図２５に示したように、全体に、例
えばアルミナからなる記録ギャップ層９を０．１５〜
０．３μｍ程度の厚みに形成すると共に、下部接続部３
１ｂの上部の記録ギャップ層９に開口部９ｂを形成す
る。次に、同図に示したように、薄膜コイル３３が形成
された領域よりも前側の領域における平坦な記録ギャッ
プ層９上に、上部磁極の一部を構成することとなる上部
ポールチップ３１５ａを約２〜３μｍの厚みに形成す
る。この上部ポールチップ３１５ａは、例えば図１８に
示したものと同じくＹ字型の平面形状を有するものであ
る。上部ポールチップ３１５ａを形成する際には、同時
に、開口部９ｂに磁路接続部１５ｂを形成する。上部ポ
ールチップ３１５ａおよび磁路接続部１５ｂの接続方法
や使用材料等は、例えば上記第１の実施の形態と場合と
同様である。次に、平坦な記録ギャップ層９上の領域の
うち、上部ポールチップ３１５ａの２本の腕部３１５ａ
(3) の間に、図１８と同じ平面形状を有する絶縁膜パタ
ーン４１６ａを形成する。次に、加熱処理を行うことに
より、絶縁膜パターン４１６ａの端縁近傍が前方に向か
って落ち込むような丸みを帯びた斜面形状になるように
する。なお、絶縁膜パターン４１６ａの膜厚や形成方法
等は、上記第１の実施の形態（図１８）の場合と同様で
ある。

【０１２１】次に、同じく図２５に示したように、上部
ポールチップ３１５ａの一部と絶縁膜パターン４１６ａ
の前部とを覆うように、上部接続部４２０ａを形成する
と共に、磁路接続部１５ｂの上に磁路接続部２０ｂを選
択的に形成する。上部接続部４２０ａおよび磁路接続部
２０ｂの形状、構造、材質および形成方法等は、上記第
１の実施の形態（図１８）の場合と同様である。その
後、絶縁膜パターン４１６ａのうち、上部接続部４２０
ａの後端縁面よりも後方に延びている部分をエッチング
等により除去する。次に、例えば上記第１の実施の形態
の場合と同様のドライエッチング工程により、記録ギャ
ップ層９および下部磁極７を自己整合的にエッチングし
て、トリム構造を形成する。次に、全体に、例えばアル
ミナ膜等からなる絶縁膜１７を０．５〜１．５μｍの厚
みに形成する。

【０１２２】次に、図２６に示したように、コイル接続
部３３ｓを覆っている絶縁膜３４、記録ギャップ層９お
よび絶縁膜１７を選択的にエッチングして、そこに開口
部３３ｅを形成する。次に、上部接続部４２０ａと磁路
接続部２０ｂとの間の記録ギャップ層９の上に、薄膜コ
イル３３と同様の形成方法により、第２層目の薄膜コイ
ル２１を形成する。このとき同時に、コイル接続部３３
ｓ上の開口部３３ｅに、薄膜コイル２１の内周端である
コイル接続部２１ｓを形成し、コイル接続部３３ｓとコ
イル接続部２１ｓとを電気的に接続する。薄膜コイル２
１およびコイル接続部２１ｓの材質および形成方法は、
薄膜コイル３３の場合と同様である。

【０１２３】次に、全体に、例えばアルミナ等からなる
絶縁膜２２を例えば３〜４μｍ程度の厚みに形成して、
上部接続部４２０ａ、磁路接続部２０ｂ、薄膜コイル２
１およびコイル接続部２１ｓ等によって形成された凹凸
構造領域を埋設する。ここで、絶縁膜２２が本発明にお
ける「第２の絶縁層」の一具体例に対応する。次に、例
えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により絶縁膜２２の表面
全体を研磨して平坦化する。この場合の研磨は、上部接
続部４２０ａおよび磁路接続部２０ｂの各表面が露出す
るまで行う。

【０１２４】次に、図２７に示したように、平坦化され
た絶縁膜２２のうち、コイル接続部２１ｓを覆う領域を
選択的にエッチングして、開口部２２ａを形成し、コイ
ル接続部２１ｓの表面を部分的に露出させる。次に、磁
路接続部２０ｂから上部接続部４２０ａにかけての領域
に、上部磁極２０ｃを選択的に形成すると共に、コイル
接続部２１ｓの上面から図示しない外部回路にかけての
領域にコイル接続配線２０ｈを形成する。上部磁極２０
ｃおよびコイル接続配線２０ｈの平面形状、材料および
形成方法は、例えば、上記第１の実施の形態（図１２）
の場合と同様である。次に、全体を覆うようにして、例
えばアルミナからなるオーバーコート層２３を形成す
る。最後に、スライダ等の機械研磨加工により、記録ヘ
ッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面６０を形成し
て、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１２５】本実施の形態によれば、２階層の薄膜コイ
ルのうち、１層目コイル（薄膜コイル３３）を記録ギャ
ップ層９よりも下部磁極７側に形成するようにしたの
で、記録ギャップ層９を境として２層目コイル（薄膜コ
イル２１）側の構造を、１層の薄膜コイルを用いた場合
とほぼ同様の構造とすることができる。その他の作用お
よび効果は、上記第２の実施の形態の場合と同様であ
る。

【０１２６】［第４の実施の形態］次に、図２９〜図３
１を参照して、本発明の第４の実施の形態について説明
する。

【０１２７】図２９〜図３０において、（Ａ）はエアベ
アリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエ
アベアリング面に平行な断面を示している。また、図３
１は、完成した薄膜磁気ヘッドの平面構造を表すもので
ある。ここで、図３０は、図３１におけるXXX Ａ−XXX
Ａ断面矢視図に相当する。

【０１２８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２８における記録ギャップ層９を形成
するところまでの工程は、上記第１の実施の形態におけ
る図１の工程と同様であるので、説明を省略する。

【０１２９】本実施の形態では、図２８に示したよう
に、全体に記録ギャップ層９を形成したのち、後工程で
薄膜コイル２１を形成する領域の後方領域の記録ギャッ
プ層９を部分的にエッチングして開口部９ｂを形成す
る。次に、後工程で薄膜コイル２１を形成する領域より
も前側の領域における記録ギャップ層９上に、上部磁極
の一部を構成することとなる上部ポールチップ１０ａを
約２〜３μｍの厚みに形成する。この上部ポールチップ
１０ａは、例えば図３１に示したように、一定幅部分の
みからなる棒状（Ｉ字型）の平面形状を有する。上部ポ
ールチップ１０ａの形成の際には、同時に、開口部９ｂ
にも磁路形成パターン１０ｂを形成する。上部ポールチ
ップ１０ａおよび磁路形成パターン１０ｂの材料や形成
方法は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。こ
こで、上部ポールチップ１０ａが本発明における「第１
の磁性層部分」の一具体例に対応する。

【０１３０】次に、同じく図２８に示したように、上部
ポールチップ１０ａおよび磁路形成パターン１０ｂを除
く領域の記録ギャップ層９上に、磁路形成パターン１０
ｂを囲むようにして、薄膜コイル２１を形成する。この
とき同時に、磁路形成パターン１０ｂの後方に、薄膜コ
イル２１の内周端であるコイル接続部２１ｓを形成す
る。

【０１３１】次に、図２９に示したように、薄膜コイル
２１の全体を覆うように、例えばフォトレジストからな
る絶縁膜１２を、フォトリソグラフィ工程により、例え
ば１μｍ〜３μｍ程度の厚みに形成する。このとき、コ
イル接続部２１ｓの上面が絶縁膜１２によって覆われな
いようにパターニングを行う。次に、絶縁膜１２の平坦
化および薄膜コイル２１の絶縁性向上のため、例えば２
５０°Ｃ程度の温度で加熱処理を行う。この加熱処理に
より、絶縁膜１２の前端部は丸みを帯びた緩やかな斜面
からなる形状を呈する。絶縁膜１２の前端縁は、上部ポ
ールチップ１０ａの後端縁に接するようにしてもよい
し、あるいは上部ポールチップ１０ａの後端縁よりも後
方にずれて位置するようにしてもよい。絶縁膜１２の前
端縁によってＴＨ０位置が規定される。ここで、絶縁膜
１２が本発明における「第１の絶縁層」および「第２の
絶縁層」の一具体例に対応する。

【０１３２】次に、図３０に示したように、上部ポール
チップ１０ａから絶縁膜１２を経て磁路形成パターン１
０ｂにかけての領域に、上部磁極３２０ｃを形成する。
これにより、上部ポールチップ１０ａ、上部磁極３２０
ｃ、磁路形成パターン１０ｂおよび下部磁極７は、すべ
て磁気的に連結され、連続した磁路が形成される。上部
磁極３２０ｃを形成する際には、図３１に示したよう
に、接続部３２０ｃ(2)の一部が、上部ポールチップ１
０ａの後部を三方から覆い包むようにする。ここで、上
記の上部磁極３２０ｃのうち、接続部３２０ｃ(2) が本
発明における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応
し、ヨーク部３２０ｃ(1) が本発明における「第５の磁
性層部分」の一具体例に対応する。

【０１３３】次に、同じく図３０に示したように、絶縁
膜１２の前端縁よりも後方領域に選択的に形成したフォ
トレジスト（図示せず）と、絶縁膜１２の前端縁よりも
前方の上部磁極および上部ポールチップ１０ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部磁極７
を自己整合的にエッチングし、トリム構造を形成する。
次に、全体にオーバーコート層１３を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面６０を形成することによ
り、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１３４】本実施の形態によれば、上部ポールチップ
１０ａの平面形状を単純な棒状（Ｉ字形）にすると共
に、上記第１の実施の形態における上部接続部２０ａを
省き、上部ポールチップ１０ａの後部分を上部磁極３２
０ｃの接続部３２０ｃ(2) によって直接三方から包み覆
うようにしたので、構造を簡略化でき、製造工程数を減
らすことができる。その他の作用および効果は、上記第
１の実施の形態の場合と同様である。

【０１３５】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッド
や記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁
気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、
書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転
させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。

【０１３６】なお、本実施の形態において、上部磁極１
０ｃおよび上部ポールチップ１０ａとして、例えばＮｉ
Ｆｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）を用いるようにしたが、この
ほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽
和磁束密度材を用いてもよいし、これらの材料を２種類
以上重ねて使用してもよい。また、下部磁極７として
も、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁束密度材を重ねた磁性材
料を用いてもよい。

【０１３７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１５のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドまたは請
求項１６ないし請求項３０のいずれか１に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、２つの磁極のうちの少な
くとも一方の磁極が、ギャップ層に沿って記録媒体対向
面からこの面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の
記録トラック幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層
部分を含み、かつ、上記の絶縁層が、この絶縁層の記録
媒体対向面側端縁を規定する基準端縁を有すると共にギ
ャップ層に沿った領域のうち第１の磁性層部分と薄膜コ
イルとの間の領域に形成された第１の絶縁層と、薄膜コ
イルを埋設する第２の絶縁層とを含むようにすると共
に、２つの磁性層のうち一方の磁極を含む磁性層が、少
なくとも第１の絶縁層を覆うと共に第１の磁性層部分に
磁気的に連結された第２の磁性層部分を含むようにした
ので、第１の絶縁層の基準端縁によっていわゆるスロー
トハイトが画定されると共に、第１の絶縁層を覆う第２
の磁性層部分の存在によってスロートハイト零の近傍に
十分な磁気ボリュームが確保される。また、第２の磁性
層部分の内部を伝搬する磁束は、第１の絶縁層の基準端
縁近傍の斜面に沿って流れることから、スロートハイト
零の近傍における磁束の流れがスムースになり、薄膜コ
イルにおいて発生した磁束が第１の磁性層部分に流入す
る直前で飽和してしまうのを効果的に抑制できる。この
ため、第１の磁性層部分の幅を、例えばサブミクロン領
域にまで微細化した場合においても、第１の磁性層部分
の先端部へ必要かつ十分な磁束を供給することができる
ことから、優れたオーバーライト特性を確保することが
できるという効果を奏する。

【０１３８】特に、請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項１８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、少なくとも一方の磁極が、第１の磁性層部分に磁
気的に連結されると共に第１の磁性層部分の記録媒体対
向面とは反対側に延在する、第１の磁性層部分の幅より
も広い幅の第３の磁性層部分をさらに含むようにすると
共に、第２の磁性層部分が、第３の磁性層部分を少なく
とも３方向から取り囲むようにしたので、第２の磁性層
部分と第３の磁性層部分との接触面積が大きくなり、こ
れらの２つの磁性層間の境界部における磁束の伝搬ロス
を低減させることができる。このため、第２の磁性層部
分から第１の磁性層部分への磁束の流れを良好にするこ
とができるという効果を奏する。

【０１３９】また、請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項１９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第２の磁性層部分が、さらに、第１の磁性層部分
の一部をも少なくとも３方向から取り囲むようにしたの
で、磁束の伝搬ロスをさらに低減でき、第２の磁性層部
分から第１の磁性層部分への磁束の流れを一層良好にす
ることができるという効果を奏する。

【０１４０】また、請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、磁極の第１の磁性層部分および第３の磁性層部分
が平坦なギャップ層に接して延在するようにしたので、
例えば、第１の磁性層部分および第３の磁性層部分をフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成する場合に、従来と
は異なり、露光時における下地からの反射光に起因して
生ずるフォトレジストパターン幅の拡大を防止すること
が可能となる。この結果、第１の磁性層部分の幅が長さ
方向全域にわたって均一となる。このため、記録媒体の
記録トラック幅をより正確にコントロールすることがで
きるという効果を奏する。

【０１４１】また、請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、下地が平坦な領域に配置される第１の磁性層部分
および第３の磁性層部分については、窒化鉄を含む材料
を用いてドライプロセスにより形成し、下地が平坦でな
い領域に配置される第２の磁性層部分については、ニッ
ケルおよび鉄を含む材料を用いて電解めっきプロセスに
より形成するようにしたので、下地の状態に左右されず
に、適切な磁気特性を有する磁極の形成が可能になると
いう効果を奏する。

【０１４２】また、請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッド
または請求項２８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、磁極が、さらに、第３の磁性層部分に磁気的に
連結されると共に第３の磁性層部分の記録媒体対向面と
は反対側領域において記録トラック幅方向に互いに分か
れて延在する、少なくとも２つの第４の磁性層部分を含
むようにすると共に、第２の磁性層部分によって少なく
とも３方向から第４の磁性層部分を取り囲むようにした
ので、異なる磁性層間での磁束伝搬ロスをさらに低減で
き、第２の磁性層部分から第１の磁性層部分への磁束の
流れをより一層良好にすることができるという効果を奏
する。

【０１４３】また、請求項１４に記載の薄膜磁気ヘッド
または請求項２９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、第１の絶縁層および第２の絶縁層が、同一工程
により同一材料を用いて一体に形成された連続体をなす
ものであるようにしたので、製造工程の簡略化が可能に
なるという効果を奏する。

【０１４４】また、請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッド
または請求項３０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、一方の磁性層が、第２の絶縁層を介して薄膜コ
イルの一部を覆うように延設された第５の磁性層部分を
さらに含むものである場合には、第２の磁性層部分およ
び第５の磁性層部分が同一工程により同一材料を用いて
一体に形成された連続体をなすものであるようにしたの
で、製造工程の簡略化が可能になるという効果を奏す
る。

【０１４５】また、請求項３１ないし請求項３４のいず
れか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
２つの磁極のうちの一方の磁極として、記録媒体対向面
からこの面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記
録トラック幅を規定する一定幅部分を含む磁極をギャッ
プ層上に形成する工程と、ギャップ層上の領域のうち磁
極よりも記録媒体対向面とは反対側の領域に、絶縁層の
記録媒体対向面側端縁を規定する基準端縁を有すると共
に絶縁層の一部をなす基準規定用絶縁層を、基準端縁の
近傍領域表面が斜面をなすように形成する工程と、２つ
の磁性層のうち一方の磁極を含む磁性層の一部をなすも
のとして、ギャップ層上に形成された磁極に磁気的に連
結される連結用磁性層を、少なくとも基準規定用絶縁層
を覆うように形成する工程と、ギャップ層に沿って薄膜
コイルを形成する工程と、絶縁層の他の一部をなす埋設
用絶縁層により薄膜コイルを埋設する工程とを含むよう
にしたので、基準規定用絶縁層の基準端縁によっていわ
ゆるスロートハイトが画定されると共に、基準規定用絶
縁層を覆う連結用磁性層の存在によってスロートハイト
零の近傍に十分な磁気ボリュームが確保される。また、
連結用磁性層の内部を伝搬する磁束は、基準規定用絶縁
層の基準端縁近傍の斜面に沿って流れることから、スロ
ートハイト零の近傍における磁束の流れがスムースにな
り、薄膜コイルにおいて発生した磁束が磁極のうちの一
定幅部分に流入する直前で飽和してしまうのを効果的に
抑制できる。このため、磁極の一定幅部分の幅を、例え
ばサブミクロン領域にまで微細化した場合においても、
磁極の先端部へ必要かつ十分な磁束を供給することがで
きることから、優れたオーバーライト特性を確保するこ
とができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図１に示した断面図に対応する斜視図である。

【図８】図７に続く工程を説明するための斜視図であ
る。

【図９】図２に示した断面図に対応する斜視図である。

【図１０】図３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１１】図６に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を表す平面図である。

【図１３】本発明の第１の実施の形態の一変形例に係る
薄膜磁気ヘッドの構造を表す平面図である。

【図１４】（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態の他の
変形例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を表す平面図、
（Ｂ）は断面図である。

【図１５】（Ａ）は、図１４に続く工程を説明するため
の平面図、（Ｂ）は断面図である。

【図１６】本発明の第１の実施の形態のさらに他の変形
例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を表す平面図である。

【図１７】本発明の第１の実施の形態のさらに他の変形
例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を表す平面図である。

【図１８】本発明の第１の実施の形態のさらに他の変形
例に係る薄膜磁気ヘッドの構造を表す平面図である。

【図１９】（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態のさら
に他の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を表す平
面図、（Ｂ）は断面図である。

【図２０】（Ａ）は、図１９に続く工程を説明するため
の平面図、（Ｂ）は断面図である。

【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を表す断面図である。

【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を表す平面図である。

【図２３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の一工程を説明するための断面図であ
る。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の一工程を説明するための断面図であ
る。

【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３１】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を表す平面図である。

【図３２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を表す断面図で
ある。

【図３６】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。

【図３７】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。

【図３８】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の構
造を示す平面図である。

【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極を微
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、９…
記録ギャップ層、９ｂ…開口部、１０ａ，１５ａ，１１
５ａ，２１５ａ，３１５ａ，７１５ａ…上部ポールチッ
プ、１０ｂ，１５ｂ…磁路形成パターン、１０ｃ，２０
ｃ，２２０ｃ，３２０ｃ…上部磁極、１２，１７，２
２，３２，３７…絶縁膜、１３，２３…オーバーコート
層、１５ａ(1) …先端部、１５ａ(2) …拡幅部、１５ａ
(3) …後端縁、１５ｂ，２０ｂ，３０ｂ，３１ｂ…磁路
接続部、１６ａ，１６ｂ，２１６ａ，３１６ａ，４１６
ａ，５１６ａ…絶縁膜パターン、２０ａ，３０ａ，１２
０ａ，２２０ａ，３２０ａ，４２０ａ，５２０ａ、６２
０ａ，７２０ａ…上部接続部、２０ａ(1) …前部分、２
０ａ(2) …後部分、２０ｃ(1) ，２２０ｃ(1) ，３２０
ｃ(1) …ヨーク部、２０ｃ(2) ，２２０ｃ(2) ，３２０
ｃ(2) …接続部、２１，３３，１２１…薄膜コイル、２
１ｓ，３３ｓ，１２１ｓ…コイル接続部、２０ｈ…コイ
ル接続配線、３１ａ…下部ポールチップ、６０…エアベ
アリング面、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイ
ト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、平坦なギャップ層を介して対向する２つの磁極
を含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜
コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記２つの磁極のうちの少なくとも一方の磁極は、前記
ギャップ層に沿って前記記録媒体対向面からこの面と離
れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を
規定する一定幅を有する第１の磁性層部分を含み、前記絶縁層は、前記絶縁層の記録媒体対向面側端縁を規
定する基準端縁を有すると共に前記ギャップ層に沿った
領域のうち前記第１の磁性層部分と前記薄膜コイルとの
間の領域に形成された第１の絶縁層と、前記薄膜コイル
を埋設する第２の絶縁層とを含み、前記２つの磁性層のうち前記一方の磁極を含む磁性層
は、少なくとも前記第１の絶縁層を覆うと共に前記第１
の磁性層部分に磁気的に連結された第２の磁性層部分を
含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記少なくとも一方の磁極は、さら
に、前記第１の磁性層部分に磁気的に連結されると共に前記
第１の磁性層部分の前記記録媒体対向面とは反対側に延
在する、前記第１の磁性層部分の幅よりも広い幅の第３
の磁性層部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記第２の磁性層部分は、前記第３の
磁性層部分を少なくとも３方向から取り囲んでいること
を特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記第２の磁性層部分は、さらに、前記第１の磁性層部分をも少なくとも３方向から取り囲
んでいることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項５】前記第１の磁性層部分および第３の磁
性層部分を含む前記磁極は、Ｔ字型の平面形状を有する
ことを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記第３の磁性層部分の幅は、前記記
録媒体対向面から遠ざかるにつれて漸次拡がっているこ
とを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記磁極の前記第１の磁性層部分およ
び第３の磁性層部分は、前記ギャップ層に接するように
延在していることを特徴とする請求項２ないし請求項６
のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記磁極の前記第１の磁性層部分およ
び第３の磁性層部分は、ドライプロセスにより形成され
たものであり、前記第２の磁性層部分は、電解めっきプロセスにより形
成されたものであることを特徴とする請求項７に記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】前記磁極の前記第１の磁性層部分およ
び第３の磁性層部分は、窒化鉄を含む材料を用いて形成
され、前記第２の磁性層部分は、ニッケルおよび鉄を含む材料
を用いて形成されていることを特徴とする請求項８に記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記磁極は、さらに、前記第３の磁性層部分に磁気的に連結されると共に前記
第３の磁性層部分の前記記録媒体対向面とは反対側領域
において前記記録トラック幅方向に互いに分かれて延在
する、少なくとも２つの第４の磁性層部分を含むことを
特徴とする請求項２ないし請求項９のいずれか１項に記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】第４の磁性層部分は、前記ギャップ
層に接するように延在していることを特徴とする請求項
１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】第４の磁性層部分は、前記第１の絶
縁層に乗り上げるように延在していることを特徴とする
請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】前記第２の磁性層部分は、さらに、
前記第４の磁性層部分をも少なくとも３方向から取り囲
んでいることを特徴とする請求項１０ないし請求項１２
のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】前記第２の絶縁層および前記第１の
絶縁層は、同一工程により同一材料を用いて一体に形成
された連続体をなすことを特徴とする請求項１ないし請
求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記一方の磁性層は、さらに、前記
第２の絶縁層を介して前記薄膜コイルの一部を覆うよう
に延設された第５の磁性層部分を含み、前記第２の磁性層部分および前記第５の磁性層部分が、
同一工程により同一材料を用いて一体に形成された連続
体をなすことを特徴とする請求項１ないし請求項１４の
いずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】記録媒体に対向する記録媒体対向面
側の一部に、平坦なギャップ層を介して対向する２つの
磁極を含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層
と、前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された
薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記２つの磁極のうちの少なくとも一方の磁極を、それ
が、前記ギャップ層に沿って前記記録媒体対向面からこ
の面と離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
ック幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分を含
むように形成し、前記絶縁層を、それが、前記絶縁層の記録媒体対向面側
端縁を規定する基準端縁を有すると共に前記ギャップ層
に沿った領域のうち前記第１の磁性層部分と前記薄膜コ
イルとの間の領域に前記基準端縁の近傍領域表面が斜面
をなすように配置される第１の絶縁層と、前記薄膜コイ
ルを埋設する第２の絶縁層とを含むように形成し、前記２つの磁性層のうち前記一方の磁極を含む磁性層
を、それが、少なくとも前記第１の絶縁層を覆うと共に
前記第１の磁性層部分に磁気的に連結される第２の磁性
層部分を含むように形成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項１７】前記少なくとも一方の磁極を、それ
が、前記第１の磁性層部分に磁気的に連結されると共に
前記第１の磁性層部分の前記記録媒体対向面とは反対側
に延在する前記第１の磁性層部分の幅よりも広い幅の第
３の磁性層部分をさらに含むように形成することを特徴
とする請求項１６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記第２の磁性層部分を、それが、
前記第３の磁性層部分を少なくとも３方向から取り囲む
ように形成することを特徴とする請求項１７に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】前記第２の磁性層部分を、それが、
前記第１の磁性層部分をも少なくとも３方向から取り囲
むように形成することを特徴とする請求項１８に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】前記第１の磁性層部分および第３の
磁性層部分を含む前記磁極を、それが、Ｔ字型の平面形
状を有するように形成することを特徴とする請求項１７
ないし請求項１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項２１】前記第３の磁性層部分を、その幅
が、前記記録媒体対向面から遠ざかるにつれて漸次拡が
るように形成することを特徴とする請求項１７ないし請
求項１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項２２】前記磁極の前記第１の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分を、それが、前記ギャップ層に接
して延在するように形成することを特徴とする請求項１
７ないし請求項２１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項２３】前記磁極の前記第１の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分をドライプロセスにより形成し、前記第２の磁性層部分を電解めっきプロセスにより形成
することを特徴とする請求項２２に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項２４】前記磁極の前記第１の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分を窒化鉄を含む材料を用いて形成
し、前記第２の磁性層部分をニッケルおよび鉄を含む材料を
用いて形成することを特徴とする請求項２３に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】前記磁極を、それが、前記第３の磁
性層部分に磁気的に連結されると共に前記第３の磁性層
部分の前記記録媒体対向面とは反対側領域において前記
記録トラック幅方向に互いに分かれて延在する少なくと
も２つの第４の磁性層部分をさらに含むように形成する
ことを特徴とする請求項１７ないし請求項２４のいずれ
か１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】第４の磁性層部分を、それが、前記
ギャップ層に接して延在するように形成することを特徴
とする請求項２５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】第４の磁性層部分を、それが、前記
第２の絶縁層に乗り上がって延在するように形成するこ
とを特徴とする請求項２５に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項２８】前記第２の磁性層部分を、それが、
前記第４の磁性層部分をも少なくとも３方向から取り囲
むように形成することを特徴とする請求項２５ないし請
求項２７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項２９】前記第１の絶縁層および前記第１の
絶縁層を、同一工程により同一材料を用いて一体に形成
することを特徴とする請求項１６ないし請求項２８のい
ずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】前記一方の磁性層が、前記第２の絶
縁層を介して前記薄膜コイルの一部を覆うように延在す
る第５の磁性層部分をさらに含むものである場合におい
て、前記第２の磁性層部分および前記第５の磁性層部分を、
同一工程により同一材料を用いて一体に形成することを
特徴とする請求項１６ないし請求項２９のいずれか１に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３１】記録媒体に対向する記録媒体対向面
側の一部に、平坦なギャップ層を介して対向する２つの
磁極を含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層
と、前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された
薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法で
あって、前記２つの磁極のうちの一方の磁極として、前記記録媒
体対向面からこの面と離れる方向に延在すると共に記録
媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分を含む磁極
を前記ギャップ層上に形成する工程と、前記ギャップ層上の領域のうち前記磁極よりも前記記録
媒体対向面とは反対側の領域に、前記絶縁層の記録媒体
対向面側端縁を規定する基準端縁を有すると共に前記絶
縁層の一部をなす基準規定用絶縁層を、前記基準端縁の
近傍領域表面が斜面をなすように形成する工程と、前記２つの磁性層のうち前記一方の磁極を含む磁性層の
一部をなすものとして、前記ギャップ層上に形成された
磁極に磁気的に連結される連結用磁性層を、少なくとも
前記基準規定用絶縁層を覆うように形成する工程と、前記ギャップ層に沿って前記薄膜コイルを形成する工程
と、前記絶縁層の他の一部をなす埋設用絶縁層により前記薄
膜コイルを埋設する工程とを含むことを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３２】前記磁極をドライプロセスにより形
成し、前記連結用磁性層を電解めっきプロセスにより形成する
ことを特徴とする請求項３１に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項３３】前記磁極を窒化鉄を含む材料を用い
て形成し、前記連結用磁性層をニッケルおよび鉄を含む材料を用い
て形成することを特徴とする請求項３２に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項３４】さらに、前記埋設用絶縁層を形成したのち、少なくとも前記磁極
および前記埋設用絶縁層の表面を平坦化する工程と、前記一方の磁極を含む磁性層の他の一部をなすと共に前
記磁極に磁気的に連結されるヨーク磁性層を、前記平坦
化された前記埋設用絶縁層を介して前記薄膜コイルの一
部を覆うように形成する工程とを含むことを特徴とする
請求項３１ないし請求項３３のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。