JP3341652B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくともインダ
クティブ型書込み磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関する。
クティブ型書込み磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高記録密度化に伴って記録トラッ
ク幅がより狭くなってきており、書込み磁気ヘッド側の
磁極幅も１μｍ以下になりつつある。このような狭磁極
幅に対処するため、書込み磁極部だけを分離して構成す
ることが行われている。即ち、記録ヘッドの磁極先端部
のみに下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極
の３層先端磁極構造体を形成し、その上下にヨークを磁
気的に接続した磁気ヘッド構造が提案されている。
ク幅がより狭くなってきており、書込み磁気ヘッド側の
磁極幅も１μｍ以下になりつつある。このような狭磁極
幅に対処するため、書込み磁極部だけを分離して構成す
ることが行われている。即ち、記録ヘッドの磁極先端部
のみに下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極
の３層先端磁極構造体を形成し、その上下にヨークを磁
気的に接続した磁気ヘッド構造が提案されている。
【０００３】図１は、このような３層先端磁極構造を有
する従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例をエアベアリン
グ面（以下ＡＢＳ面と称する）側から見た平面図であ
る。
する従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例をエアベアリン
グ面（以下ＡＢＳ面と称する）側から見た平面図であ
る。
【０００４】同図において、１０は磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）型読出し磁気ヘッド素子の下部シールド膜、１１は
上部シールド膜、１２は下部シールド膜１０及び上部シ
ールド膜１１の間に絶縁層１３を介して設けられたＭＲ
膜、１４はインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下
部先端磁極、１５は上部先端磁極、１６は下部先端磁極
１４及び上部先端磁極１５間に挿設された記録ギャップ
膜、１７は上部シールド膜１１上であって、下部先端磁
極１４、記録ギャップ膜１６及び上部先端磁極１５から
なる３層先端磁極構造体の回りに設けられた絶縁膜、１
８は絶縁膜１７上に上部先端磁極１５に接して積層され
た上部補助磁極をそれぞれ示している。上部シールド膜
１１は、下部先端磁極１４に接して積層されており、下
部補助磁極の機能をも兼用する。上部補助磁極１８は、
下部補助磁極（上部シールド膜）１１と後部で磁気的に
接続されることによってこの下部補助磁極１１と共にヨ
ークを構成している。
Ｒ）型読出し磁気ヘッド素子の下部シールド膜、１１は
上部シールド膜、１２は下部シールド膜１０及び上部シ
ールド膜１１の間に絶縁層１３を介して設けられたＭＲ
膜、１４はインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下
部先端磁極、１５は上部先端磁極、１６は下部先端磁極
１４及び上部先端磁極１５間に挿設された記録ギャップ
膜、１７は上部シールド膜１１上であって、下部先端磁
極１４、記録ギャップ膜１６及び上部先端磁極１５から
なる３層先端磁極構造体の回りに設けられた絶縁膜、１
８は絶縁膜１７上に上部先端磁極１５に接して積層され
た上部補助磁極をそれぞれ示している。上部シールド膜
１１は、下部先端磁極１４に接して積層されており、下
部補助磁極の機能をも兼用する。上部補助磁極１８は、
下部補助磁極（上部シールド膜）１１と後部で磁気的に
接続されることによってこの下部補助磁極１１と共にヨ
ークを構成している。
【０００５】同図に示すような３層先端磁極構造体によ
れば、狭トラック化には対応できるが、書込み時に重要
な役割を果たすトレーリング側の上部先端磁極１５と上
部補助磁極１８との界面で剥離が発生し易い。さらに、
１μｍ以下の狭い磁極幅であるため、その磁区方向（磁
化容易軸の方向）が磁極の長手方向となってしまい記録
電流に対する磁界の発生効率が低下する等の問題の生じ
ることがある。
れば、狭トラック化には対応できるが、書込み時に重要
な役割を果たすトレーリング側の上部先端磁極１５と上
部補助磁極１８との界面で剥離が発生し易い。さらに、
１μｍ以下の狭い磁極幅であるため、その磁区方向（磁
化容易軸の方向）が磁極の長手方向となってしまい記録
電流に対する磁界の発生効率が低下する等の問題の生じ
ることがある。
【０００６】図２は、３層先端磁極構造を有する従来の
複合型薄膜磁気ヘッドの他の例をＡＢＳ面側から見た平
面図であり、図３はこれを横方向から見た断面図であ
る。
複合型薄膜磁気ヘッドの他の例をＡＢＳ面側から見た平
面図であり、図３はこれを横方向から見た断面図であ
る。
【０００７】この構造は、特開平７−２２５９１７号公
報に記載されている。これらの図において、２０はＭＲ
型読出し磁気ヘッド素子の下部シールド膜、２１は上部
シールド膜、２２は下部シールド膜２０及び上部シール
ド膜２１の間に絶縁層２３を介して設けられたＭＲ膜、
２４はインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下部先
端磁極、２５は上部先端磁極、２６は下部先端磁極２４
及び上部先端磁極２５間に挿設された記録ギャップ膜、
２７は上部シールド膜２１上であって、下部先端磁極２
４、記録ギャップ膜２６及び上部先端磁極２５からなる
３層先端磁極構造体の回りに設けられた下部絶縁膜、２
８は上部補助磁極、２９は下部絶縁膜２７上に設けられ
たコイル導体、３０はコイル導体２９を覆う上部絶縁膜
をそれぞれ示している。この例では、３層先端磁極構造
体が下部絶縁膜２７のＡＢＳ面に近い部分の上面より突
出しており、上部補助磁極２８は上部先端磁極２５の突
出している部分を覆うように積層されている。上部シー
ルド膜２１は、下部先端磁極２４に接して積層されてお
り、下部補助磁極の機能をも兼用する。上部補助磁極２
８は、下部補助磁極（上部シールド膜）２１と後部で磁
気的に接続されることによってこの下部補助磁極２１と
共にヨークを構成している。
報に記載されている。これらの図において、２０はＭＲ
型読出し磁気ヘッド素子の下部シールド膜、２１は上部
シールド膜、２２は下部シールド膜２０及び上部シール
ド膜２１の間に絶縁層２３を介して設けられたＭＲ膜、
２４はインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下部先
端磁極、２５は上部先端磁極、２６は下部先端磁極２４
及び上部先端磁極２５間に挿設された記録ギャップ膜、
２７は上部シールド膜２１上であって、下部先端磁極２
４、記録ギャップ膜２６及び上部先端磁極２５からなる
３層先端磁極構造体の回りに設けられた下部絶縁膜、２
８は上部補助磁極、２９は下部絶縁膜２７上に設けられ
たコイル導体、３０はコイル導体２９を覆う上部絶縁膜
をそれぞれ示している。この例では、３層先端磁極構造
体が下部絶縁膜２７のＡＢＳ面に近い部分の上面より突
出しており、上部補助磁極２８は上部先端磁極２５の突
出している部分を覆うように積層されている。上部シー
ルド膜２１は、下部先端磁極２４に接して積層されてお
り、下部補助磁極の機能をも兼用する。上部補助磁極２
８は、下部補助磁極（上部シールド膜）２１と後部で磁
気的に接続されることによってこの下部補助磁極２１と
共にヨークを構成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２及
び図３に示すごとき構造によると、下部絶縁膜２７のＡ
ＢＳ面から離れた部分（コイル導体２９がその上に形成
される部分）の上面が３層先端磁極構造体の上面より必
ず高くなるように形成されるので、書込み電流によって
コイル導体２９によって発生した熱を外部に効率よく逃
がすことが難しい。即ち、コイル導体２９から発生する
熱は、磁気ヘッドの信頼性を向上するために、金属を伝
わらせて外部に逃がす必要があるが、上部補助磁極２８
は面積が小さいため熱放出のためには不充分であり、ま
た、下部絶縁膜２７のこの部分の膜厚が厚いのでその下
の上部シールド膜２１に熱を効率よく伝わらせることが
難しいためである。さらに、上部先端磁極１５の上面と
絶縁膜１７の上面との高さが同じである従来の構造によ
ると、上部先端磁極１５と上部補助磁極１８との界面で
剥離が多発するという問題がある。
び図３に示すごとき構造によると、下部絶縁膜２７のＡ
ＢＳ面から離れた部分（コイル導体２９がその上に形成
される部分）の上面が３層先端磁極構造体の上面より必
ず高くなるように形成されるので、書込み電流によって
コイル導体２９によって発生した熱を外部に効率よく逃
がすことが難しい。即ち、コイル導体２９から発生する
熱は、磁気ヘッドの信頼性を向上するために、金属を伝
わらせて外部に逃がす必要があるが、上部補助磁極２８
は面積が小さいため熱放出のためには不充分であり、ま
た、下部絶縁膜２７のこの部分の膜厚が厚いのでその下
の上部シールド膜２１に熱を効率よく伝わらせることが
難しいためである。さらに、上部先端磁極１５の上面と
絶縁膜１７の上面との高さが同じである従来の構造によ
ると、上部先端磁極１５と上部補助磁極１８との界面で
剥離が多発するという問題がある。
【０００９】また、図２及び図３に示すごとき３層先端
磁極構造を得るための従来の製造方法は、その工程が非
常に複雑である。
磁極構造を得るための従来の製造方法は、その工程が非
常に複雑である。
【００１０】本発明の目的は、発熱に伴う信頼性の低下
を効果的に防止できると共に上部先端磁極と上部補助磁
極との界面での剥離をも防止できる構造の薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
を効果的に防止できると共に上部先端磁極と上部補助磁
極との界面での剥離をも防止できる構造の薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、製造工程を簡略化で
きる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
きる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部先
端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極からなる３層
先端磁極構造体と、下部先端磁極に接して積層された下
部補助磁極と、上部先端磁極に接して積層されており、
下部補助磁極とＡＢＳ面の反対側で磁気的に接続される
ことによって下部補助磁極と共にヨークを形成している
上部補助磁極と、下部先端磁極及び上部先端磁極の側部
及び後部を取り囲むと共に３層先端磁極構造体の後部に
直接的に接して下部補助磁極及び上部補助磁極間に設け
られている下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成さ
れたコイル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間に
コイル導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを
備えており、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部か
らコイル導体の形成部に渡って、この上部先端磁極の上
面より低く構成されている薄膜磁気ヘッドが提供され
る。本発明によれば、さらに、下部先端磁極、記録ギャ
ップ膜及び上部先端磁極からなる３層先端磁極構造体
と、下部先端磁極に接して積層された下部補助磁極と、
上部先端磁極に接して積層されており、下部補助磁極と
エアベアリング面の反対側で磁気的に接続されることに
よって下部補助磁極と共にヨークを形成している上部補
助磁極と、３層先端磁極構造体の側部及び後部を取り囲
むと共に下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けられて
いる下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成されたコ
イル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間にコイル
導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを備えて
おり、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイ
ル導体の形成部に渡って上部先端磁極の上面より低く構
成されており、上部先端磁極の一部が下部絶縁膜の上面
から突出しており、上部補助磁極が突出した上部先端磁
極の一部を覆うように披着している薄膜磁気ヘッドが提
供される。
端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極からなる３層
先端磁極構造体と、下部先端磁極に接して積層された下
部補助磁極と、上部先端磁極に接して積層されており、
下部補助磁極とＡＢＳ面の反対側で磁気的に接続される
ことによって下部補助磁極と共にヨークを形成している
上部補助磁極と、下部先端磁極及び上部先端磁極の側部
及び後部を取り囲むと共に３層先端磁極構造体の後部に
直接的に接して下部補助磁極及び上部補助磁極間に設け
られている下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成さ
れたコイル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間に
コイル導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを
備えており、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部か
らコイル導体の形成部に渡って、この上部先端磁極の上
面より低く構成されている薄膜磁気ヘッドが提供され
る。本発明によれば、さらに、下部先端磁極、記録ギャ
ップ膜及び上部先端磁極からなる３層先端磁極構造体
と、下部先端磁極に接して積層された下部補助磁極と、
上部先端磁極に接して積層されており、下部補助磁極と
エアベアリング面の反対側で磁気的に接続されることに
よって下部補助磁極と共にヨークを形成している上部補
助磁極と、３層先端磁極構造体の側部及び後部を取り囲
むと共に下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けられて
いる下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成されたコ
イル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間にコイル
導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを備えて
おり、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイ
ル導体の形成部に渡って上部先端磁極の上面より低く構
成されており、上部先端磁極の一部が下部絶縁膜の上面
から突出しており、上部補助磁極が突出した上部先端磁
極の一部を覆うように披着している薄膜磁気ヘッドが提
供される。
【００１３】その上にコイル導体を形成する部分の下部
絶縁膜の上面が上部先端磁極の上面より低く構成されて
いるので、下部絶縁膜自体の膜厚が薄くなる。その結
果、コイル導体から発生する熱をその下の下部補助磁極
に伝導し易くなる。特に、下部補助磁極は面積的に大き
いため、このように下部絶縁膜を薄くすることによる熱
の発散効果は大きく、磁気ヘッドの発熱を効果的に抑え
ることができる。
絶縁膜の上面が上部先端磁極の上面より低く構成されて
いるので、下部絶縁膜自体の膜厚が薄くなる。その結
果、コイル導体から発生する熱をその下の下部補助磁極
に伝導し易くなる。特に、下部補助磁極は面積的に大き
いため、このように下部絶縁膜を薄くすることによる熱
の発散効果は大きく、磁気ヘッドの発熱を効果的に抑え
ることができる。
【００１４】下部絶縁膜の上面が、全面に渡って平面で
あることが好ましい。
あることが好ましい。
【００１５】上部先端磁極の側部における下部絶縁膜の
上面と上部先端磁極の上面との差が２５ｎｍ以上かつ２
５０ｎｍ以下であることも好ましい。
上面と上部先端磁極の上面との差が２５ｎｍ以上かつ２
５０ｎｍ以下であることも好ましい。
【００１６】薄膜磁気ヘッドがＭＲ型読出し磁気ヘッド
素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、下部シール
ド膜と、上部シールド膜と、下部シールド膜及び上部シ
ールド膜の間に絶縁層を介して設けられたＭＲ膜とをさ
らに備えており、上部シールド膜が下部補助磁極を兼用
していることが好ましい。
素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、下部シール
ド膜と、上部シールド膜と、下部シールド膜及び上部シ
ールド膜の間に絶縁層を介して設けられたＭＲ膜とをさ
らに備えており、上部シールド膜が下部補助磁極を兼用
していることが好ましい。
【００１７】本発明によれば、さらに、下部補助磁極上
に、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体を積層し、その上に下部絶縁
膜を積層し、次いでケミカルメカニカルポリッシュによ
り、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイル
導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低く
なるように下部絶縁膜を研磨し、下部絶縁膜の上面上に
コイル導体を形成し、コイル導体を覆うように上部絶縁
膜を形成し、その上に上部先端磁極と接するように上部
補助磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供さ
れる。
に、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体を積層し、その上に下部絶縁
膜を積層し、次いでケミカルメカニカルポリッシュによ
り、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイル
導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低く
なるように下部絶縁膜を研磨し、下部絶縁膜の上面上に
コイル導体を形成し、コイル導体を覆うように上部絶縁
膜を形成し、その上に上部先端磁極と接するように上部
補助磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供さ
れる。
【００１８】３層先端磁極構造体の上に下部絶縁膜を積
層し、ケミカルメカニカルポリッシュによってこの下部
絶縁膜を研磨することにより、下部絶縁膜の上面が上部
先端磁極の側部からコイル導体の形成部に渡ってこの上
部先端磁極の上面より低くなるようにしている。このよ
うに、ケミカルメカニカルポリッシュによる研磨のみ
で、３層先端磁極構造体の上部先端磁極が下部絶縁膜よ
り上方突出する構造及び下部絶縁膜のコイル導体形成部
の上面が上部先端磁極の上面より低くなる構造を得るこ
とができるので、製造工程が非常に簡略化されることと
なる。
層し、ケミカルメカニカルポリッシュによってこの下部
絶縁膜を研磨することにより、下部絶縁膜の上面が上部
先端磁極の側部からコイル導体の形成部に渡ってこの上
部先端磁極の上面より低くなるようにしている。このよ
うに、ケミカルメカニカルポリッシュによる研磨のみ
で、３層先端磁極構造体の上部先端磁極が下部絶縁膜よ
り上方突出する構造及び下部絶縁膜のコイル導体形成部
の上面が上部先端磁極の上面より低くなる構造を得るこ
とができるので、製造工程が非常に簡略化されることと
なる。
【００１９】下部絶縁膜の上面を、全面に渡って平面に
形成することが好ましい。
形成することが好ましい。
【００２０】下部絶縁膜の研磨により上部先端磁極の一
部を下部絶縁膜の上面から突出させ、上部補助磁極が突
出した上部先端磁極の一部を被装するように形成するこ
とも好ましい。
部を下部絶縁膜の上面から突出させ、上部補助磁極が突
出した上部先端磁極の一部を被装するように形成するこ
とも好ましい。
【００２１】下部シールド膜を形成し、下部シールド膜
上に絶縁層を介してＭＲ膜を形成し、その上に絶縁層を
介して、下部補助磁極を兼用する上部シールド膜を形成
することが好ましい。
上に絶縁層を介してＭＲ膜を形成し、その上に絶縁層を
介して、下部補助磁極を兼用する上部シールド膜を形成
することが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】図４は本発明の一実施形態として
インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ型読出しヘッド
部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から見
た平面図であり、図５はこの磁気ヘッドを横方向から見
た断面図であり、さらに図６はこの磁気ヘッドの分解斜
視図である。
インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ型読出しヘッド
部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から見
た平面図であり、図５はこの磁気ヘッドを横方向から見
た断面図であり、さらに図６はこの磁気ヘッドの分解斜
視図である。
【００２３】これらの図において、４０はＭＲ型読出し
磁気ヘッド素子の下部シールド膜、４１は上部シールド
膜、４２は下部シールド膜４０及び上部シールド膜４１
の間に絶縁層４３を介して設けられたＭＲ膜、４４はイ
ンダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下部先端磁極、
４５は上部先端磁極、４６は下部先端磁極４４及び上部
先端磁極４５間に挿設された記録ギャップ膜、４７は上
部シールド膜４１上であって、下部先端磁極４４、記録
ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５からなる３層先端
磁極構造体の回りに設けられた下部絶縁膜、４８は上部
補助磁極、４９は下部絶縁膜４７上に設けられたコイル
導体、５０はコイル導体４９を覆う上部絶縁膜をそれぞ
れ示している。上部シールド膜４１は、下部先端磁極４
４に接して積層されており、下部補助磁極の機能をも兼
用する。上部補助磁極４８は、下部補助磁極（上部シー
ルド膜）４１と後部で磁気的に接続されることによって
この上部シールド膜４１と共にヨークを構成している。
磁気ヘッド素子の下部シールド膜、４１は上部シールド
膜、４２は下部シールド膜４０及び上部シールド膜４１
の間に絶縁層４３を介して設けられたＭＲ膜、４４はイ
ンダクティブ型書込み磁気ヘッド素子の下部先端磁極、
４５は上部先端磁極、４６は下部先端磁極４４及び上部
先端磁極４５間に挿設された記録ギャップ膜、４７は上
部シールド膜４１上であって、下部先端磁極４４、記録
ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５からなる３層先端
磁極構造体の回りに設けられた下部絶縁膜、４８は上部
補助磁極、４９は下部絶縁膜４７上に設けられたコイル
導体、５０はコイル導体４９を覆う上部絶縁膜をそれぞ
れ示している。上部シールド膜４１は、下部先端磁極４
４に接して積層されており、下部補助磁極の機能をも兼
用する。上部補助磁極４８は、下部補助磁極（上部シー
ルド膜）４１と後部で磁気的に接続されることによって
この上部シールド膜４１と共にヨークを構成している。
【００２４】本実施形態においては、下部絶縁膜４７
は、その上面が上部先端磁極４５の側部からコイル導体
４９の形成部に渡って平面となっており、下部先端磁極
４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５からな
る３層先端磁極構造体が下部絶縁膜４７のこの上面より
上方に突出している。即ち、コイル導体４９の形成され
ている下部絶縁膜４７の上面は、その全面に渡って上部
先端磁極４５の上面より低く構成されているので、下部
絶縁膜４７自体の膜厚が薄くなる。その結果、コイル導
体４９から発生する熱をその下の上部シールド膜（下部
補助磁極）４１に伝導し易くなる。特に、上部シールド
膜４１は面積的に大きいため、このように下部絶縁膜４
７を薄くすることによる熱の発散効果は大きく、磁気ヘ
ッドの発熱を効果的に抑えることができる。
は、その上面が上部先端磁極４５の側部からコイル導体
４９の形成部に渡って平面となっており、下部先端磁極
４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５からな
る３層先端磁極構造体が下部絶縁膜４７のこの上面より
上方に突出している。即ち、コイル導体４９の形成され
ている下部絶縁膜４７の上面は、その全面に渡って上部
先端磁極４５の上面より低く構成されているので、下部
絶縁膜４７自体の膜厚が薄くなる。その結果、コイル導
体４９から発生する熱をその下の上部シールド膜（下部
補助磁極）４１に伝導し易くなる。特に、上部シールド
膜４１は面積的に大きいため、このように下部絶縁膜４
７を薄くすることによる熱の発散効果は大きく、磁気ヘ
ッドの発熱を効果的に抑えることができる。
【００２５】上部先端磁極４５の下部絶縁膜４７の上面
からの突出高さＨは、Ｈ＝２５ｎｍ以上であり、上部補
助磁極４８は上部先端磁極４５のこの突出している部分
を抱き込むように被着されている。突出高さＨをこの範
囲とすることによって、上部先端磁極４５と上部補助磁
極４８との接触面積が充分に大きくなって密着性が向上
し、それらの界面での剥離を低減化することができるか
ら、不良歩留を低減できる。ただし、パターニング工程
を考慮すると、Ｈ＝２５〜２５０ｎｍであることが好ま
しい。表１は、上部先端磁極４５の下部絶縁膜４７の上
面からの突出高さＨに応じた剥離不良の発生率を示して
いる。
からの突出高さＨは、Ｈ＝２５ｎｍ以上であり、上部補
助磁極４８は上部先端磁極４５のこの突出している部分
を抱き込むように被着されている。突出高さＨをこの範
囲とすることによって、上部先端磁極４５と上部補助磁
極４８との接触面積が充分に大きくなって密着性が向上
し、それらの界面での剥離を低減化することができるか
ら、不良歩留を低減できる。ただし、パターニング工程
を考慮すると、Ｈ＝２５〜２５０ｎｍであることが好ま
しい。表１は、上部先端磁極４５の下部絶縁膜４７の上
面からの突出高さＨに応じた剥離不良の発生率を示して
いる。
【００２６】
【表１】
【００２７】さらに、上部先端磁極４５と上部補助磁極
４８との磁気的な結合が高まるので、３層先端磁極構造
体の磁区方向（磁化容易軸の方向）が磁極の長手方向と
なってしまうことを防止でき、その結果、記録電流に対
する磁界の発生効率を高い状態で維持可能となる。
４８との磁気的な結合が高まるので、３層先端磁極構造
体の磁区方向（磁化容易軸の方向）が磁極の長手方向と
なってしまうことを防止でき、その結果、記録電流に対
する磁界の発生効率を高い状態で維持可能となる。
【００２８】図７〜図１６は、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の一例の工程を概略的に示す断面図である。
この例も、インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ型読
出しヘッド部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る工程を示している。
の製造方法の一例の工程を概略的に示す断面図である。
この例も、インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ型読
出しヘッド部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る工程を示している。
【００２９】図７に示すように、図示しない基板（ウエ
ハ）上にＭＲ型読出しヘッド部を形成し、その上部シー
ルド膜４１上にインダクティブ型書込みヘッド部の下部
先端磁極４４用の磁性膜７０、記録ギャップ膜４６用の
絶縁膜７１及び上部先端磁極４５用の磁性膜７２を積層
する。
ハ）上にＭＲ型読出しヘッド部を形成し、その上部シー
ルド膜４１上にインダクティブ型書込みヘッド部の下部
先端磁極４４用の磁性膜７０、記録ギャップ膜４６用の
絶縁膜７１及び上部先端磁極４５用の磁性膜７２を積層
する。
【００３０】本実施形態では、上部シールド膜４１とし
て、約３．５μｍの膜厚のＮｉＦｅ（ニッケル・鉄）
（８０ｗｔ％Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ）をフォトリソグラ
フィ及び電気めっきで形成している。下部先端磁極４４
及び上部先端磁極４５として、それぞれ、約０．５μｍ
の膜厚のＦｅＺｒＮ（鉄・ジルコン・窒素）又はＦｅＮ
（鉄・窒素）等の高Ｂｓ膜７０及び７２をスパッタリン
グで形成している。高Ｂｓ膜の代わりにＮｉＦｅ膜を用
いてもよい。記録ギャップ膜４６として、約０．３μｍ
の膜厚のＳｉＯ2 等の絶縁膜７１をスパッタリングで形
成している。
て、約３．５μｍの膜厚のＮｉＦｅ（ニッケル・鉄）
（８０ｗｔ％Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ）をフォトリソグラ
フィ及び電気めっきで形成している。下部先端磁極４４
及び上部先端磁極４５として、それぞれ、約０．５μｍ
の膜厚のＦｅＺｒＮ（鉄・ジルコン・窒素）又はＦｅＮ
（鉄・窒素）等の高Ｂｓ膜７０及び７２をスパッタリン
グで形成している。高Ｂｓ膜の代わりにＮｉＦｅ膜を用
いてもよい。記録ギャップ膜４６として、約０．３μｍ
の膜厚のＳｉＯ2 等の絶縁膜７１をスパッタリングで形
成している。
【００３１】磁極先端部を構成するこれら３つの膜は、
同一チャンバ内で成膜することが可能である。各スパッ
タリング膜の成膜条件を次の表２に示す。
同一チャンバ内で成膜することが可能である。各スパッ
タリング膜の成膜条件を次の表２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】次いで、図８に示すように、形成すべきマ
スクに相当する部分（例えば０．３〜２．０μｍ程度の
幅）が開口したレジストフレーム７３を上部先端磁極４
５用の磁性膜７２上に形成する。本実施形態では、レジ
ストフレーム７３として、約２〜５μｍの膜厚のノボラ
ック系レジストをフォトリソグラフィで形成している。
スクに相当する部分（例えば０．３〜２．０μｍ程度の
幅）が開口したレジストフレーム７３を上部先端磁極４
５用の磁性膜７２上に形成する。本実施形態では、レジ
ストフレーム７３として、約２〜５μｍの膜厚のノボラ
ック系レジストをフォトリソグラフィで形成している。
【００３４】次いで、図９に示すように、無電解めっき
によりマスク７４を形成する。無電解めっきの前にウエ
ハを４．５％ＨＣｌ水溶液に約１．５分間浸漬し、めっ
き面のぬれ性を得ることが望ましい。
によりマスク７４を形成する。無電解めっきの前にウエ
ハを４．５％ＨＣｌ水溶液に約１．５分間浸漬し、めっ
き面のぬれ性を得ることが望ましい。
【００３５】形成されるマスク７４は、ニッケル金属
（Ｎｉ）又はコバルト金属（Ｃｏ）を母材とし、これに
ホウ素（Ｂ）等の３Ｂ族元素や、リン（Ｐ）等の５Ｂ族
元素を添加した金属化合物であり、膜厚は約１．０〜
３．０μｍである。
（Ｎｉ）又はコバルト金属（Ｃｏ）を母材とし、これに
ホウ素（Ｂ）等の３Ｂ族元素や、リン（Ｐ）等の５Ｂ族
元素を添加した金属化合物であり、膜厚は約１．０〜
３．０μｍである。
【００３６】次いで、アセトン等のリムーバを用いてレ
ジストフレーム７３を剥離除去することによって、図１
０に示すような構成が得られる。
ジストフレーム７３を剥離除去することによって、図１
０に示すような構成が得られる。
【００３７】次いで、図１１に示すように、形成したマ
スク７４を用いてイオンミリングによるエッチングを行
う。イオンミリングの条件としては、例えば加速電圧５
００ｍＶ、加速電流４００ｍＡである。これによって、
図１２に示すように、磁性膜７０、絶縁膜７１及び磁性
膜７２が、マスク７４の下方のパターンである下部先端
磁極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５の
部分を除いて除去されることとなる。
スク７４を用いてイオンミリングによるエッチングを行
う。イオンミリングの条件としては、例えば加速電圧５
００ｍＶ、加速電流４００ｍＡである。これによって、
図１２に示すように、磁性膜７０、絶縁膜７１及び磁性
膜７２が、マスク７４の下方のパターンである下部先端
磁極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５の
部分を除いて除去されることとなる。
【００３８】次いで、マスク７４を何らかの方法で剥離
除去することにって、図１３に示すように、下部先端磁
極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５によ
る３層先端磁極構造体がパターニング形成されることと
なる。
除去することにって、図１３に示すように、下部先端磁
極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５によ
る３層先端磁極構造体がパターニング形成されることと
なる。
【００３９】次いで、図１４に示すように、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 等による絶縁膜７５をスパッタリングで成
膜する。絶縁膜７５の膜厚は、後に平坦化を行うのに充
分な厚さであり、例えば０．５〜１５μｍ程度である。
3 、ＳｉＯ2 等による絶縁膜７５をスパッタリングで成
膜する。絶縁膜７５の膜厚は、後に平坦化を行うのに充
分な厚さであり、例えば０．５〜１５μｍ程度である。
【００４０】絶縁膜７５を成膜した後、この絶縁膜７５
をケミカルメカニカルポリッシュ（以下ＣＭＰと称す
る）によって研磨し、図１５に示すように上部先端磁極
４５が露出させる。このＣＭＰは、この例では、径が
０．０２〜０．３μｍ程度の酸化物の砥粒を使用し、添
加剤にＫＯＨ等を用いたアルカリ性のスラリーで行って
いる。研磨パッドはウレタン等の合成繊維系のものを使
用している。
をケミカルメカニカルポリッシュ（以下ＣＭＰと称す
る）によって研磨し、図１５に示すように上部先端磁極
４５が露出させる。このＣＭＰは、この例では、径が
０．０２〜０．３μｍ程度の酸化物の砥粒を使用し、添
加剤にＫＯＨ等を用いたアルカリ性のスラリーで行って
いる。研磨パッドはウレタン等の合成繊維系のものを使
用している。
【００４１】ＣＭＰの研磨剤のコンディション（ｐＨ、
粒径等）を適切に選択することによって、上部先端磁極
４５が露出した後もそのまま研磨を行い、絶縁膜７５の
みを選択的に研磨してその上面を平面化し、上部先端磁
極４５が所定の高さＨだけこの下部絶縁膜４７の上面か
ら突出させるように処理する。なお、ＣＭＰの研磨によ
って上部先端磁極４５を露出させた後、エッチングによ
り上部先端磁極４５が所定の高さＨだけ絶縁膜の上面か
ら突出するように処理することもできるが、その分工程
数が増加する。エッチングを行う場合、絶縁膜７５のみ
が上部先端磁極４５に対して選択的にエッチングされる
例えばＮａＯＨ等のエッチャントが用いられる。上述し
たように、ＣＭＰ処理を行うことによって、絶縁膜７５
は、その上面が上部先端磁極４５の側部からコイル導体
４９の形成部に渡って平面化されて下部絶縁膜４７とな
る。
粒径等）を適切に選択することによって、上部先端磁極
４５が露出した後もそのまま研磨を行い、絶縁膜７５の
みを選択的に研磨してその上面を平面化し、上部先端磁
極４５が所定の高さＨだけこの下部絶縁膜４７の上面か
ら突出させるように処理する。なお、ＣＭＰの研磨によ
って上部先端磁極４５を露出させた後、エッチングによ
り上部先端磁極４５が所定の高さＨだけ絶縁膜の上面か
ら突出するように処理することもできるが、その分工程
数が増加する。エッチングを行う場合、絶縁膜７５のみ
が上部先端磁極４５に対して選択的にエッチングされる
例えばＮａＯＨ等のエッチャントが用いられる。上述し
たように、ＣＭＰ処理を行うことによって、絶縁膜７５
は、その上面が上部先端磁極４５の側部からコイル導体
４９の形成部に渡って平面化されて下部絶縁膜４７とな
る。
【００４２】次いで、図５に示すように、下部絶縁膜４
７の上面上に、フォトリソグラフィによってコイル導体
４９を形成し、その上に上部絶縁膜５０を形成する。こ
の上部絶縁膜５０は、ノボラック系のフォトレジストを
用いており、フォトリソグラフィで形成する。上部絶縁
膜５０は、そのＡＢＳ面側の先端が、図５に示すよう
に、上部先端磁極４５の後端から離れて終端するように
形成してもよいし、ＡＢＳ面側の先端が、上部先端磁極
４５の後端位置で終端するように形成してもよいし、又
はＡＢＳ面側の先端が、上部先端磁極４５の上に覆いか
ぶさるように形成してもよい。
７の上面上に、フォトリソグラフィによってコイル導体
４９を形成し、その上に上部絶縁膜５０を形成する。こ
の上部絶縁膜５０は、ノボラック系のフォトレジストを
用いており、フォトリソグラフィで形成する。上部絶縁
膜５０は、そのＡＢＳ面側の先端が、図５に示すよう
に、上部先端磁極４５の後端から離れて終端するように
形成してもよいし、ＡＢＳ面側の先端が、上部先端磁極
４５の後端位置で終端するように形成してもよいし、又
はＡＢＳ面側の先端が、上部先端磁極４５の上に覆いか
ぶさるように形成してもよい。
【００４３】次いで、図１６に示すように、フォトリソ
グラフィによってレジストフレームを形成した後、電気
めっきにより上部補助磁極４８を形成する。この上部補
助磁極４８は、上部先端磁極４５の突出している部分を
抱き込むように形成される。また、上部補助磁極４８
は、上部シールド膜４１と後部で磁気的に接続され、共
にヨークを構成するように形成される。
グラフィによってレジストフレームを形成した後、電気
めっきにより上部補助磁極４８を形成する。この上部補
助磁極４８は、上部先端磁極４５の突出している部分を
抱き込むように形成される。また、上部補助磁極４８
は、上部シールド膜４１と後部で磁気的に接続され、共
にヨークを構成するように形成される。
【００４４】図１７〜図１９は、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の他の例の工程を概略的に示す断面図であ
る。この例も、インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ
型読出しヘッド部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する工程を示している。
ドの製造方法の他の例の工程を概略的に示す断面図であ
る。この例も、インダクティブ型書込みヘッド部とＭＲ
型読出しヘッド部とを有する複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する工程を示している。
【００４５】図１７に示すように、図示しない基板（ウ
エハ）上にＭＲ型読出しヘッド部を形成し、その上部シ
ールド膜４１上にインダクティブ型書込みヘッド部を形
成する部分（例えば０．３〜２．０μｍ程度の幅）が開
口したレジストフレーム７６を形成する。本実施形態で
は、レジストフレーム７６として、約２〜５μｍの膜厚
のノボラック系レジストをフォトリソグラフィで形成し
ている。ただし、レジストの種類及び膜厚は、開口幅等
に応じて適宜選択される。
エハ）上にＭＲ型読出しヘッド部を形成し、その上部シ
ールド膜４１上にインダクティブ型書込みヘッド部を形
成する部分（例えば０．３〜２．０μｍ程度の幅）が開
口したレジストフレーム７６を形成する。本実施形態で
は、レジストフレーム７６として、約２〜５μｍの膜厚
のノボラック系レジストをフォトリソグラフィで形成し
ている。ただし、レジストの種類及び膜厚は、開口幅等
に応じて適宜選択される。
【００４６】また、本実施形態では、上部シールド膜４
０として、約３．５μｍの膜厚のＮｉＦｅ（ニッケル・
鉄）（８０ｗｔ％Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ）をフォトリソ
グラフィ及び電気めっきで形成している。
０として、約３．５μｍの膜厚のＮｉＦｅ（ニッケル・
鉄）（８０ｗｔ％Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ）をフォトリソ
グラフィ及び電気めっきで形成している。
【００４７】次いで、図１８に示すように、下部先端磁
極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５の３
つの層を連続的に電気めっきし、３層先端磁極構造体を
形成する。この場合、下部先端磁極４４としては、Ｎｉ
Ｆｅ系の合金薄膜を約０．５μｍ成膜する。また、記録
ギャップ膜４６としては、非磁性のＮｉ系合金薄膜を無
電解めっきにより形成する。無電解めっき時の浴温度は
５５℃、ｐＨは６．０〜６．５である。上部先端磁極４
５としては、下部先端磁極４４と同様に、ＮｉＦｅ系の
合金薄膜を約０．５μｍ成膜する。
極４４、記録ギャップ膜４６及び上部先端磁極４５の３
つの層を連続的に電気めっきし、３層先端磁極構造体を
形成する。この場合、下部先端磁極４４としては、Ｎｉ
Ｆｅ系の合金薄膜を約０．５μｍ成膜する。また、記録
ギャップ膜４６としては、非磁性のＮｉ系合金薄膜を無
電解めっきにより形成する。無電解めっき時の浴温度は
５５℃、ｐＨは６．０〜６．５である。上部先端磁極４
５としては、下部先端磁極４４と同様に、ＮｉＦｅ系の
合金薄膜を約０．５μｍ成膜する。
【００４８】次いで、アセトン等のリムーバを用いてレ
ジストフレーム７６を剥離除去することによって、図１
９に示すように、下部先端磁極４４、記録ギャップ膜４
６及び上部先端磁極４５による３層先端磁極構造体がパ
ターニング形成されることとなる。
ジストフレーム７６を剥離除去することによって、図１
９に示すように、下部先端磁極４４、記録ギャップ膜４
６及び上部先端磁極４５による３層先端磁極構造体がパ
ターニング形成されることとなる。
【００４９】以後の工程は、図１４〜図１６に示したも
のと全く同様である。
のと全く同様である。
【００５０】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体と、下部先端磁極に接して積
層された下部補助磁極と、上部先端磁極に接して積層さ
れており、下部補助磁極とＡＢＳ面の反対側で磁気的に
接続されることによって下部補助磁極と共にヨークを形
成している上部補助磁極と、下部先端磁極及び上部先端
磁極の側部及び後部を取り囲むと共にその後部に直接的
に接して下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けられて
いる下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成されたコ
イル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間にコイル
導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを備えて
おり、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイ
ル導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低
く構成されている薄膜磁気ヘッド、及び下部先端磁極、
記録ギャップ膜及び上部先端磁極からなる３層先端磁極
構造体と、下部先端磁極に接して積層された下部補助磁
極と、上部先端磁極に接して積層されており、下部補助
磁極とエアベアリング面の反対側で磁気的に接続される
ことによって下部補助磁極と共にヨークを形成している
上部補助磁極と、３層先端磁極構造体の側部及び後部を
取り囲むと共に下部補助磁極及び上部補助磁極間に設け
られている下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成さ
れたコイル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間に
コイル導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを
備えており、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部か
らコイル導体の形成部に渡って上部先端磁極の上面より
低く構成されており、上部先端磁極の一部が下部絶縁膜
の上面から突出しており、上部補助磁極が突出した上部
先端磁極の一部を覆うように披着している薄膜磁気ヘッ
ドが提供される。このように、その上にコイル導体を形
成する部分の下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の上面よ
り低く構成されているので、下部絶縁膜自体の膜厚が薄
くなる。その結果、コイル導体から発生する熱をその下
の下部補助磁極に伝導し易くなる。特に、下部補助磁極
は面積的に大きいため、このように下部絶縁膜を薄くす
ることによる熱の発散効果は大きく、磁気ヘッドの発熱
を効果的に抑えることができる。
ば、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体と、下部先端磁極に接して積
層された下部補助磁極と、上部先端磁極に接して積層さ
れており、下部補助磁極とＡＢＳ面の反対側で磁気的に
接続されることによって下部補助磁極と共にヨークを形
成している上部補助磁極と、下部先端磁極及び上部先端
磁極の側部及び後部を取り囲むと共にその後部に直接的
に接して下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けられて
いる下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成されたコ
イル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間にコイル
導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを備えて
おり、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイ
ル導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低
く構成されている薄膜磁気ヘッド、及び下部先端磁極、
記録ギャップ膜及び上部先端磁極からなる３層先端磁極
構造体と、下部先端磁極に接して積層された下部補助磁
極と、上部先端磁極に接して積層されており、下部補助
磁極とエアベアリング面の反対側で磁気的に接続される
ことによって下部補助磁極と共にヨークを形成している
上部補助磁極と、３層先端磁極構造体の側部及び後部を
取り囲むと共に下部補助磁極及び上部補助磁極間に設け
られている下部絶縁膜と、下部絶縁膜の上面上に形成さ
れたコイル導体と、下部絶縁膜と上部補助磁極との間に
コイル導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを
備えており、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部か
らコイル導体の形成部に渡って上部先端磁極の上面より
低く構成されており、上部先端磁極の一部が下部絶縁膜
の上面から突出しており、上部補助磁極が突出した上部
先端磁極の一部を覆うように披着している薄膜磁気ヘッ
ドが提供される。このように、その上にコイル導体を形
成する部分の下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の上面よ
り低く構成されているので、下部絶縁膜自体の膜厚が薄
くなる。その結果、コイル導体から発生する熱をその下
の下部補助磁極に伝導し易くなる。特に、下部補助磁極
は面積的に大きいため、このように下部絶縁膜を薄くす
ることによる熱の発散効果は大きく、磁気ヘッドの発熱
を効果的に抑えることができる。
【００５２】本発明によれば、さらに、下部補助磁極上
に、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体を積層し、その上に下部絶縁
膜を積層し、次いでケミカルメカニカルポリッシュによ
り、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイル
導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低く
なるように下部絶縁膜を研磨し、下部絶縁膜の上面上に
コイル導体を形成し、コイル導体を覆うように上部絶縁
膜を形成し、その上に上部先端磁極と接するように上部
補助磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供さ
れる。このように、ケミカルメカニカルポリッシュによ
る研磨のみで、３層先端磁極構造体の上部先端磁極が下
部絶縁膜より上方突出する構造及び下部絶縁膜のコイル
導体形成部の上面が上部先端磁極の上面より低くなる構
造を得ることができるので、製造工程が非常に簡略化さ
れることとなる。
に、下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部先端磁極か
らなる３層先端磁極構造体を積層し、その上に下部絶縁
膜を積層し、次いでケミカルメカニカルポリッシュによ
り、下部絶縁膜の上面が上部先端磁極の側部からコイル
導体の形成部に渡ってこの上部先端磁極の上面より低く
なるように下部絶縁膜を研磨し、下部絶縁膜の上面上に
コイル導体を形成し、コイル導体を覆うように上部絶縁
膜を形成し、その上に上部先端磁極と接するように上部
補助磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供さ
れる。このように、ケミカルメカニカルポリッシュによ
る研磨のみで、３層先端磁極構造体の上部先端磁極が下
部絶縁膜より上方突出する構造及び下部絶縁膜のコイル
導体形成部の上面が上部先端磁極の上面より低くなる構
造を得ることができるので、製造工程が非常に簡略化さ
れることとなる。
【図１】３層先端磁極構造を有する従来の複合型薄膜磁
気ヘッドの一例をＡＢＳ面側から見た平面図である。
気ヘッドの一例をＡＢＳ面側から見た平面図である。
【図２】３層先端磁極構造を有する従来の複合型薄膜磁
気ヘッドの他の例をＡＢＳ面側から見た平面図である。
気ヘッドの他の例をＡＢＳ面側から見た平面図である。
【図３】図２の例を横方向から見た断面図である。
【図４】本発明の一実施形態としてインダクティブ型書
込みヘッド部とＭＲ型読出しヘッド部とを有する複合型
薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から見た平面図である。
込みヘッド部とＭＲ型読出しヘッド部とを有する複合型
薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ面側から見た平面図である。
【図５】図４の磁気ヘッドを横方向から見た断面図であ
る。
る。
【図６】図４の磁気ヘッドの分解斜視図である。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工
程を概略的に示す断面図である。
程を概略的に示す断面図である。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工
程を概略的に示す断面図である。
程を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工
程を概略的に示す断面図である。
程を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の
工程を概略的に示す断面図である。
工程を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の例
の工程を概略的に示す断面図である。
の工程を概略的に示す断面図である。
【図１８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の例
の工程を概略的に示す断面図である。
の工程を概略的に示す断面図である。
【図１９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の例
の工程を概略的に示す断面図である。
の工程を概略的に示す断面図である。
４０ 下部シールド膜 ４１ 上部シールド膜 ４２ ＭＲ膜 ４３ 絶縁層 ４４ 下部先端磁極 ４５ 上部先端磁極 ４６ 記録ギャップ膜 ４７ 下部絶縁膜 ４８ 上部補助磁極 ４９ コイル導体 ５０ 上部絶縁膜 ７０、７２ 磁性膜 ７１、７５ 絶縁膜 ７３、７６ レジストフレーム ７４ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 照沼 幸一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 近藤 昌弘 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ ーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−296328（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−225917（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/39
Claims (9)
- 【請求項１】 下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部
先端磁極からなる３層先端磁極構造体と、該下部先端磁
極に接して積層された下部補助磁極と、前記上部先端磁
極に接して積層されており、前記下部補助磁極とエアベ
アリング面の反対側で磁気的に接続されることによって
該下部補助磁極と共にヨークを形成している上部補助磁
極と、前記３層先端磁極構造体の側部及び後部を取り囲
むと共に該３層先端磁極構造体の後部に直接的に接して
前記下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けられている
下部絶縁膜と、該下部絶縁膜の上面上に形成されたコイ
ル導体と、該下部絶縁膜と前記上部補助磁極との間に該
コイル導体を覆うように設けられている上部絶縁膜とを
備えており、前記下部絶縁膜の上面が前記上部先端磁極
の側部から前記コイル導体の形成部に渡って該上部先端
磁極の上面より低く構成されていることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下部先端磁極、記録ギャップ膜及び上部
先端磁極からなる３層先端磁極構造体と、該下部先端磁
極に接して積層された下部補助磁極と、前記上部先端磁
極に接して積層されており、前記下部補助磁極とエアベ
アリング面の反対側で磁気的に接続されることによって
該下部補助磁極と共にヨークを形成している上部補助磁
極と、前記３層先端磁極構造体の側部及び後部を取り囲
むと共に前記下部補助磁極及び上部補助磁極間に設けら
れている下部絶縁膜と、該下部絶縁膜の上面上に形成さ
れたコイル導体と、該下部絶縁膜と前記上部補助磁極と
の間に該コイル導体を覆うように設けられている上部絶
縁膜とを備えており、前記下部絶縁膜の上面が前記上部
先端磁極の側部から前記コイル導体の形成部に渡って該
上部先端磁極の上面より低く構成されており、前記上部
先端磁極の一部が前記下部絶縁膜の上面から突出してお
り、前記上部補助磁極が該突出した上部先端磁極の一部
を覆うように披着していることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】 前記下部絶縁膜の上面が、全面に渡って
平面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記上部先端磁極の側部における前記下
部絶縁膜の上面と前記上部先端磁極の上面との差が２５
ｎｍ以上かつ２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 薄膜磁気ヘッドが磁気抵抗効果型読出し
磁気ヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドであり、
下部シールド膜と、上部シールド膜と、該下部シールド
膜及び上部シールド膜の間に絶縁層を介して設けられた
磁気抵抗効果膜とをさらに備えており、該上部シールド
膜が前記下部補助磁極を兼用していることを特徴とする
請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】 下部補助磁極上に、下部先端磁極、記録
ギャップ膜及び上部先端磁極からなる３層先端磁極構造
体を積層し、その上に下部絶縁膜を積層し、次いでケミ
カルメカニカルポリッシュにより、該下部絶縁膜の上面
が前記上部先端磁極の側部から前記コイル導体の形成部
に渡って該上部先端磁極の上面より低くなるように該下
部絶縁膜を研磨し、該下部絶縁膜の上面上にコイル導体
を形成し、該コイル導体を覆うように上部絶縁膜を形成
し、その上に前記上部先端磁極と接するように上部補助
磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項７】 前記下部絶縁膜の上面を、全面に渡って
平面に形成することを特徴とする請求項６に記載の製造
方法。 - 【請求項８】 前記下部絶縁膜の研磨により前記上部先
端磁極の一部を該下部絶縁膜の上面から突出させ、前記
上部補助磁極が前記突出した上部先端磁極の一部を被装
するように形成することを特徴とする請求項６又は７に
記載の製造方法。 - 【請求項９】 下部シールド膜を形成し、該下部シール
ド膜上に絶縁層を介して磁気抵抗効果膜を形成し、その
上に絶縁層を介して、前記下部補助磁極を兼用する上部
シールド膜を形成することを特徴とする請求項６から８
のいずれか１項に記載の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| US09/702,865 US6604275B1 (en) | 1997-10-15 | 2000-11-01 | Method of manufacturing thin-film magnetic head |
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|---|---|---|---|
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| JP29646097A Expired - Fee Related JP3341652B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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-
1998
- 1998-09-09 US US09/150,205 patent/US6169642B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-01 US US09/702,865 patent/US6604275B1/en not_active Expired - Fee Related
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