JP2002197612A - 埋込パターンの形成方法および磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
埋込パターンの形成方法および磁気ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過研磨加工を行うことなく埋込パターンを高
精度に形成可能な埋込パターンの形成方法およびこの方
法を利用した磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 リフトオフマスク４０を用いて、エッチ
ング処理により下部磁極１１Ｂに溝４２を形成すると共
に、スパッタリングにより少なくとも溝４２を埋め込む
ように非磁性埋込層５０を形成する。続いて、リフトオ
フマスク４０を除去（リフトオフ）することにより、溝
４２に埋め込まれた非磁性埋込層５０の残存部分からな
る非磁性埋込パターンを溝４２に選択的に形成する。Ｃ
ＭＰ処理を用いずに非磁性埋込パターンを形成可能にな
るため、ＣＭＰ法を用いた場合の弊害が回避される。非
磁性埋込パターンの厚み精度が向上すると共に、下部磁
極１１Ｂおよび非磁性埋込パターンの表面が全体に渡っ
て平坦化される。
精度に形成可能な埋込パターンの形成方法およびこの方
法を利用した磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 リフトオフマスク４０を用いて、エッチ
ング処理により下部磁極１１Ｂに溝４２を形成すると共
に、スパッタリングにより少なくとも溝４２を埋め込む
ように非磁性埋込層５０を形成する。続いて、リフトオ
フマスク４０を除去（リフトオフ）することにより、溝
４２に埋め込まれた非磁性埋込層５０の残存部分からな
る非磁性埋込パターンを溝４２に選択的に形成する。Ｃ
ＭＰ処理を用いずに非磁性埋込パターンを形成可能にな
るため、ＣＭＰ法を用いた場合の弊害が回避される。非
磁性埋込パターンの厚み精度が向上すると共に、下部磁
極１１Ｂおよび非磁性埋込パターンの表面が全体に渡っ
て平坦化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に、溝を埋め込
むように埋込パターンを形成する埋込パターンの形成方
法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法に関
する。
むように埋込パターンを形成する埋込パターンの形成方
法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年、磁気ディスクシステム用の薄
膜磁気ヘッドがめざましい進歩を遂げている。薄膜磁気
ヘッドの構成は、単一のデバイス（記録兼再生ヘッド）
により記録および再生の双方の機能を実行する態様か
ら、記録および再生の機能をそれぞれ異なるデバイス
（記録ヘッドまたは再生ヘッド）により独立して実行す
る態様へと移行している。薄膜磁気ヘッドを製造する際
には、例えば、磁性層に設けられた溝を埋め込むよう
に、非磁性材料よりなる埋込パターン（非磁性埋込パタ
ーン）を選択的に形成する技術が利用されている。
膜磁気ヘッドがめざましい進歩を遂げている。薄膜磁気
ヘッドの構成は、単一のデバイス（記録兼再生ヘッド）
により記録および再生の双方の機能を実行する態様か
ら、記録および再生の機能をそれぞれ異なるデバイス
（記録ヘッドまたは再生ヘッド）により独立して実行す
る態様へと移行している。薄膜磁気ヘッドを製造する際
には、例えば、磁性層に設けられた溝を埋め込むよう
に、非磁性材料よりなる埋込パターン（非磁性埋込パタ
ーン）を選択的に形成する技術が利用されている。
【０００３】図６および図７は、上記した非磁性埋込パ
ターンの形成に用いられる従来の埋込パターンの形成方
法を説明するものである。この埋込パターンは、例え
ば、以下の手順により形成可能である。すなわち、ま
ず、図６に示したように、基体１２２の表面を覆うよう
に被覆層１２１を形成したのち、例えば基体１２２が露
出するまで被覆層１２１を部分的にエッチングすること
により、被覆層１２１に溝１２５を選択的に形成する。
続いて、少なくとも溝１２５が埋め込まれるように埋込
層１２３を形成する。最後に、ＣＭＰ（化学機械研磨）
法により、少なくとも被覆層１２１が露出するまで埋込
層１２３を研磨する。これにより、図７に示したよう
に、溝１２５に埋め込まれた埋込パターン１１１が形成
される。
ターンの形成に用いられる従来の埋込パターンの形成方
法を説明するものである。この埋込パターンは、例え
ば、以下の手順により形成可能である。すなわち、ま
ず、図６に示したように、基体１２２の表面を覆うよう
に被覆層１２１を形成したのち、例えば基体１２２が露
出するまで被覆層１２１を部分的にエッチングすること
により、被覆層１２１に溝１２５を選択的に形成する。
続いて、少なくとも溝１２５が埋め込まれるように埋込
層１２３を形成する。最後に、ＣＭＰ（化学機械研磨）
法により、少なくとも被覆層１２１が露出するまで埋込
層１２３を研磨する。これにより、図７に示したよう
に、溝１２５に埋め込まれた埋込パターン１１１が形成
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した埋
込パターン１１１の形成方法を薄膜磁気ヘッドの製造に
適用する際、薄膜磁気ヘッドの品質や製造安定性を考慮
すると、埋込パターン１１１の形成過程において被覆層
１２１の厚みを厳密に制御し、被覆層１２１および埋込
パターン１１１の表面全体を均一に平坦化する必要があ
る。なぜなら、被覆層１２１および埋込パターン１１１
の表面が凹凸状をなしていると、後工程において被覆層
１２１および埋込パターン１１１上に形成されることと
なる磁性層パターンの形成精度が、下地の凹凸に起因し
て低下する可能性があるからである。埋込パターン１１
１の厚みの制御は、薄膜磁気ヘッドの小型化に伴い、益
々困難になるものと予想される。
込パターン１１１の形成方法を薄膜磁気ヘッドの製造に
適用する際、薄膜磁気ヘッドの品質や製造安定性を考慮
すると、埋込パターン１１１の形成過程において被覆層
１２１の厚みを厳密に制御し、被覆層１２１および埋込
パターン１１１の表面全体を均一に平坦化する必要があ
る。なぜなら、被覆層１２１および埋込パターン１１１
の表面が凹凸状をなしていると、後工程において被覆層
１２１および埋込パターン１１１上に形成されることと
なる磁性層パターンの形成精度が、下地の凹凸に起因し
て低下する可能性があるからである。埋込パターン１１
１の厚みの制御は、薄膜磁気ヘッドの小型化に伴い、益
々困難になるものと予想される。
【０００５】しかしながら、ＣＭＰ法を用いた従来の形
成工程では、以下のような理由により、埋込パターン１
１１を高精度に形成することが困難であるという問題が
あった。すなわち、ＣＭＰ法は、数種類の異なる材料の
表面を平坦化するための手法として有用であるという利
点を有する一方、異なる材料間の界面近傍が凹状に研磨
されてしまうために研磨面の平坦性を確保しにくいとい
う欠点や、また表面全体を均一に平坦化させるために通
常より多めの研磨（over-polish；以下、単に「過研
磨」という。）を要するという欠点を抱えている。過研
磨が行われると被覆層１２１が目減りする可能性があ
り、しかも過研磨は処理時の制御が困難であるため、埋
込パターン１１１の最終的な厚みを高精度に制御するこ
とが困難になる。
成工程では、以下のような理由により、埋込パターン１
１１を高精度に形成することが困難であるという問題が
あった。すなわち、ＣＭＰ法は、数種類の異なる材料の
表面を平坦化するための手法として有用であるという利
点を有する一方、異なる材料間の界面近傍が凹状に研磨
されてしまうために研磨面の平坦性を確保しにくいとい
う欠点や、また表面全体を均一に平坦化させるために通
常より多めの研磨（over-polish；以下、単に「過研
磨」という。）を要するという欠点を抱えている。過研
磨が行われると被覆層１２１が目減りする可能性があ
り、しかも過研磨は処理時の制御が困難であるため、埋
込パターン１１１の最終的な厚みを高精度に制御するこ
とが困難になる。
【０００６】なお、本発明に関連する先願文献を調査し
たところ、いくつか興味深い文献が発見された。例え
ば、Chang 等による米国特許第５８０５３９１号では、
複数の磁性層により構成された分離型ヘッド構造が開示
されており、また、Chen等による米国特許第５２８２３
０８号では、分離型ヘッドの製造に係る平坦化プロセス
が開示されている。さらに、Cooperrider による米国特
許第５３２５２５４号では、改良型のヨーク構造および
磁極構造を有する誘導型薄膜磁気変換器について開示さ
れている。
たところ、いくつか興味深い文献が発見された。例え
ば、Chang 等による米国特許第５８０５３９１号では、
複数の磁性層により構成された分離型ヘッド構造が開示
されており、また、Chen等による米国特許第５２８２３
０８号では、分離型ヘッドの製造に係る平坦化プロセス
が開示されている。さらに、Cooperrider による米国特
許第５３２５２５４号では、改良型のヨーク構造および
磁極構造を有する誘導型薄膜磁気変換器について開示さ
れている。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、過研磨加工を行うことなく埋
込パターンを高精度に形成可能な埋込パターンの形成方
法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
ので、その第１の目的は、過研磨加工を行うことなく埋
込パターンを高精度に形成可能な埋込パターンの形成方
法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
【０００８】また、本発明の第２の目的は、溝周辺の表
面を乱すことなく、埋込パターンにより溝を埋め込むこ
とが可能な埋込パターンの形成方法およびこの方法を利
用した磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
面を乱すことなく、埋込パターンにより溝を埋め込むこ
とが可能な埋込パターンの形成方法およびこの方法を利
用した磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】さらに、本発明の第３の目的は、ＣＭＰ法
を用いた場合よりも埋込パターンを容易に形成可能な埋
込パターンの形成方法およびこの方法を成手法を利用し
た磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
を用いた場合よりも埋込パターンを容易に形成可能な埋
込パターンの形成方法およびこの方法を成手法を利用し
た磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の埋込パターンの
形成方法は、基体上に形成された上面を有する被覆層に
埋込パターンを形成する方法であり、被覆層の上面を覆
うように、容易にエッチング可能な感光層を形成する第
１の工程と、この感光層上に、フォトレジスト層を形成
する第２の工程と、フォトレジスト層および感光層をパ
ターニングすることにより、溝規定用のリフトオフマス
クを形成する第３の工程と、このリフトオフマスクを用
いて被覆層を所定の深さまでエッチングすることによ
り、被覆層に溝を形成する第４の工程と、リフトオフマ
スクを配設したまま、少なくとも溝を埋め込むように、
所定の深さと等しい厚みだけ埋込層を形成する第５の工
程と、リフトオフマスクと共にその上に配設されている
埋込層を選択的に除去することにより、被覆層の厚みと
等しい厚みとなるように、溝に埋め込みパターンを選択
的に形成する第６の工程とを含むようにしたものであ
る。
形成方法は、基体上に形成された上面を有する被覆層に
埋込パターンを形成する方法であり、被覆層の上面を覆
うように、容易にエッチング可能な感光層を形成する第
１の工程と、この感光層上に、フォトレジスト層を形成
する第２の工程と、フォトレジスト層および感光層をパ
ターニングすることにより、溝規定用のリフトオフマス
クを形成する第３の工程と、このリフトオフマスクを用
いて被覆層を所定の深さまでエッチングすることによ
り、被覆層に溝を形成する第４の工程と、リフトオフマ
スクを配設したまま、少なくとも溝を埋め込むように、
所定の深さと等しい厚みだけ埋込層を形成する第５の工
程と、リフトオフマスクと共にその上に配設されている
埋込層を選択的に除去することにより、被覆層の厚みと
等しい厚みとなるように、溝に埋め込みパターンを選択
的に形成する第６の工程とを含むようにしたものであ
る。
【００１１】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、溝が設
けられた磁性層と、この磁性層の溝に埋め込まれた非磁
性埋込パターンとを含む記録ヘッドを備えた磁気ヘッド
を製造する方法であり、磁性層を構成する第１の磁性層
および第２の磁性層がこの順に積層された基体のうち、
第２の磁性層上に、容易にエッチング可能な感光層を形
成する第１の工程と、この感光層上に、フォトレジスト
層を形成する第２の工程と、フォトレジスト層および感
光層をパターニングすることにより、溝規定用のリフト
オフマスクを形成する第３の工程と、このリフトオフマ
スクを用いて第２の磁性層をエッチングすることによ
り、第２の磁性層に溝を形成する第４の工程と、リフト
オフマスクを配設したまま、少なくとも溝を埋め込むよ
うに、第２の磁性層の厚みと等しい厚みだけ非磁性埋込
層を形成する第５の工程と、リフトオフマスクと共にそ
の上に配設されている非磁性埋込層を選択的に除去する
ことにより、第２の磁性層の厚みと等しい厚みとなるよ
うに、溝に非磁性埋込パターンを選択的に形成する第６
の工程とを含むようにしたものである。
けられた磁性層と、この磁性層の溝に埋め込まれた非磁
性埋込パターンとを含む記録ヘッドを備えた磁気ヘッド
を製造する方法であり、磁性層を構成する第１の磁性層
および第２の磁性層がこの順に積層された基体のうち、
第２の磁性層上に、容易にエッチング可能な感光層を形
成する第１の工程と、この感光層上に、フォトレジスト
層を形成する第２の工程と、フォトレジスト層および感
光層をパターニングすることにより、溝規定用のリフト
オフマスクを形成する第３の工程と、このリフトオフマ
スクを用いて第２の磁性層をエッチングすることによ
り、第２の磁性層に溝を形成する第４の工程と、リフト
オフマスクを配設したまま、少なくとも溝を埋め込むよ
うに、第２の磁性層の厚みと等しい厚みだけ非磁性埋込
層を形成する第５の工程と、リフトオフマスクと共にそ
の上に配設されている非磁性埋込層を選択的に除去する
ことにより、第２の磁性層の厚みと等しい厚みとなるよ
うに、溝に非磁性埋込パターンを選択的に形成する第６
の工程とを含むようにしたものである。
【００１２】本発明の埋込パターンの形成方法では、ま
ず、第１の工程において、被覆層の上面を覆うように、
容易にエッチング可能な感光層が形成される。続いて、
第２の工程において、感光層上に、フォトレジスト層が
形成される。続いて、第３の工程において、フォトレジ
スト層および感光層がパターニングされることにより、
溝規定用のリフトオフマスクが形成される。続いて、第
４の工程において、リフトオフマスクを用いて被覆層が
所定の深さまでエッチングされることにより、被覆層に
溝が形成される。続いて、第５の工程において、リフト
オフマスクを配設したまま、少なくとも溝が埋め込まれ
るように、所定の深さと等しい厚みだけ埋込層が形成さ
れる。最後に、第６の工程において、リフトオフマスク
と共にその上に配設されている埋込層が選択的に除去さ
れることにより、被覆層の厚みと等しい厚みとなるよう
に、溝に埋め込みパターンが選択的に形成される。埋込
パターンの形成時において、被覆層が目減りして溝の深
さが変化せず、かつ被覆層の表面が乱されて平坦性が損
なわれることがない。
ず、第１の工程において、被覆層の上面を覆うように、
容易にエッチング可能な感光層が形成される。続いて、
第２の工程において、感光層上に、フォトレジスト層が
形成される。続いて、第３の工程において、フォトレジ
スト層および感光層がパターニングされることにより、
溝規定用のリフトオフマスクが形成される。続いて、第
４の工程において、リフトオフマスクを用いて被覆層が
所定の深さまでエッチングされることにより、被覆層に
溝が形成される。続いて、第５の工程において、リフト
オフマスクを配設したまま、少なくとも溝が埋め込まれ
るように、所定の深さと等しい厚みだけ埋込層が形成さ
れる。最後に、第６の工程において、リフトオフマスク
と共にその上に配設されている埋込層が選択的に除去さ
れることにより、被覆層の厚みと等しい厚みとなるよう
に、溝に埋め込みパターンが選択的に形成される。埋込
パターンの形成時において、被覆層が目減りして溝の深
さが変化せず、かつ被覆層の表面が乱されて平坦性が損
なわれることがない。
【００１３】本発明の磁気ヘッドの製造方法では、ま
ず、第１の工程において、磁性層を構成する第１の磁性
層および第２の磁性層がこの順に積層された基体のう
ち、第２の磁性層上に、容易にエッチング可能な感光層
が形成される。続いて、第２の工程において、感光層上
に、フォトレジスト層が形成される。続いて、第３の工
程において、フォトレジスト層および感光層がパターニ
ングされることにより、溝規定用のリフトオフマスクが
形成される。続いて、第４の工程において、リフトオフ
マスクを用いて第２の磁性層がエッチングされることに
より、第２の磁性層に溝が形成される。続いて、第５の
工程において、リフトオフマスクを配設したまま、少な
くとも溝が埋め込まれるように、第２の磁性層の厚みと
等しい厚みだけ非磁性埋込層が形成される。最後に、第
６の工程において、リフトオフマスクと共にその上に配
設されている非磁性埋込層が選択的に除去されることに
より、第２の磁性層の厚みと等しい厚みとなるように、
溝に非磁性埋込パターンが選択的に形成される。非磁性
埋込パターンの形成時において、第２の磁性層が目減り
して溝の深さが変化せず、かつ第２の磁性層の表面が乱
されて平坦性が損なわれることがない。
ず、第１の工程において、磁性層を構成する第１の磁性
層および第２の磁性層がこの順に積層された基体のう
ち、第２の磁性層上に、容易にエッチング可能な感光層
が形成される。続いて、第２の工程において、感光層上
に、フォトレジスト層が形成される。続いて、第３の工
程において、フォトレジスト層および感光層がパターニ
ングされることにより、溝規定用のリフトオフマスクが
形成される。続いて、第４の工程において、リフトオフ
マスクを用いて第２の磁性層がエッチングされることに
より、第２の磁性層に溝が形成される。続いて、第５の
工程において、リフトオフマスクを配設したまま、少な
くとも溝が埋め込まれるように、第２の磁性層の厚みと
等しい厚みだけ非磁性埋込層が形成される。最後に、第
６の工程において、リフトオフマスクと共にその上に配
設されている非磁性埋込層が選択的に除去されることに
より、第２の磁性層の厚みと等しい厚みとなるように、
溝に非磁性埋込パターンが選択的に形成される。非磁性
埋込パターンの形成時において、第２の磁性層が目減り
して溝の深さが変化せず、かつ第２の磁性層の表面が乱
されて平坦性が損なわれることがない。
【００１４】本発明の埋込パターンの形成方法では、第
１の工程において、０．０４μｍ以上０．９μｍ以下の
範囲内の厚みとなるように感光層を形成してもよい。
１の工程において、０．０４μｍ以上０．９μｍ以下の
範囲内の厚みとなるように感光層を形成してもよい。
【００１５】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第１の工程において、ポリジメチルグルタル酸イミ
ドを用いて感光層を形成してもよい。
は、第１の工程において、ポリジメチルグルタル酸イミ
ドを用いて感光層を形成してもよい。
【００１６】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第２の工程において、０．５μｍ以上２．０μｍの
厚みとなるようにフォトレジスト層を形成してもよい。
は、第２の工程において、０．５μｍ以上２．０μｍの
厚みとなるようにフォトレジスト層を形成してもよい。
【００１７】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第４の工程において、エッチング手法としてイオン
ビームエッチングまたはリアクティブイオンビームエッ
チングを用いてもよい。
は、第４の工程において、エッチング手法としてイオン
ビームエッチングまたはリアクティブイオンビームエッ
チングを用いてもよい。
【００１８】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第４の工程において、０．２μｍ以上０．５μｍ以
下の範囲内の深さとなるように溝を形成してもよい。
は、第４の工程において、０．２μｍ以上０．５μｍ以
下の範囲内の深さとなるように溝を形成してもよい。
【００１９】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第５の工程において、酸化アルミニウムまたは酸化
珪素を用いて埋込層を形成してもよい。
は、第５の工程において、酸化アルミニウムまたは酸化
珪素を用いて埋込層を形成してもよい。
【００２０】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第５の工程において、０．３μｍ以上０．５５μｍ
以下の範囲内の厚みとなるように埋込層を形成してもよ
い。
は、第５の工程において、０．３μｍ以上０．５５μｍ
以下の範囲内の厚みとなるように埋込層を形成してもよ
い。
【００２１】また、本発明の埋込パターンの形成方法で
は、第７の工程において、Ｎ−メチルピロリドンまたは
アセトンを含むエッチャントを用いてもよい。
は、第７の工程において、Ｎ−メチルピロリドンまたは
アセトンを含むエッチャントを用いてもよい。
【００２２】本発明の磁気ヘッドの製造方法では、第１
の工程において、１．０μｍ以上２．０μｍ以下の範囲
内の厚みとなるように第１の磁性層が形成された基体を
用いてもよい。
の工程において、１．０μｍ以上２．０μｍ以下の範囲
内の厚みとなるように第１の磁性層が形成された基体を
用いてもよい。
【００２３】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の工程において、ニッケル鉄合金（Ｎｉ80Ｆｅ
20）よりなる第１の磁性層が形成された基体を用いても
よい。
は、第１の工程において、ニッケル鉄合金（Ｎｉ80Ｆｅ
20）よりなる第１の磁性層が形成された基体を用いても
よい。
【００２４】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の工程において、０．５μｍ以上３．０μｍ以
下の範囲内の厚みとなるように第２の磁性層が形成され
た基体を用いてもよい。
は、第１の工程において、０．５μｍ以上３．０μｍ以
下の範囲内の厚みとなるように第２の磁性層が形成され
た基体を用いてもよい。
【００２５】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の工程において、コバルトニッケル鉄合金（Ｃ
ｏＮｉＦｅ）またはニッケル鉄合金（Ｎｉ45Ｆｅ55ある
いはＮｉ80Ｆｅ20）のいずれかよりなる第２の磁性層が
形成された基体を用いてもよい。
は、第１の工程において、コバルトニッケル鉄合金（Ｃ
ｏＮｉＦｅ）またはニッケル鉄合金（Ｎｉ45Ｆｅ55ある
いはＮｉ80Ｆｅ20）のいずれかよりなる第２の磁性層が
形成された基体を用いてもよい。
【００２６】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第４の工程において、エッチング手法としてイオン
ビームエッチングまたはリアクティブイオンエッチング
を用いてもよい。
は、第４の工程において、エッチング手法としてイオン
ビームエッチングまたはリアクティブイオンエッチング
を用いてもよい。
【００２７】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第５の工程において、酸化アルミニウムまたは酸化
珪素を用いて非磁性埋込層を形成してもよい。
は、第５の工程において、酸化アルミニウムまたは酸化
珪素を用いて非磁性埋込層を形成してもよい。
【００２８】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第５の工程において、スパッタリングまたはイオン
ビーム蒸着により非磁性埋込層を形成してもよい。
は、第５の工程において、スパッタリングまたはイオン
ビーム蒸着により非磁性埋込層を形成してもよい。
【００２９】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の工程において、０．０４μｍ以上０．９μｍ
以下の範囲内の厚みとなるように感光層を形成してもよ
い。
は、第１の工程において、０．０４μｍ以上０．９μｍ
以下の範囲内の厚みとなるように感光層を形成してもよ
い。
【００３０】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第１の工程において、ポリジメチルグルタル酸イミ
ドを用いて感光層を形成してもよい。
は、第１の工程において、ポリジメチルグルタル酸イミ
ドを用いて感光層を形成してもよい。
【００３１】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法で
は、第２の工程において、０．５μｍ以上２．０μｍ以
下の範囲内の厚みとなるようにフォトレジスト層を形成
してもよい。
は、第２の工程において、０．５μｍ以上２．０μｍ以
下の範囲内の厚みとなるようにフォトレジスト層を形成
してもよい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００３３】まず、図１〜図５を参照して、本発明の一
実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。図１〜図４は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するものであり、図５は本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁
気ヘッドの要部（記録ヘッド）の構成を表すものであ
る。なお、本発明の埋込パターンの形成方法は、薄膜磁
気ヘッドのうちの非磁性埋込パターンの形成工程に適用
されるので、以下併せて説明する。
実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。図１〜図４は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するものであり、図５は本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁
気ヘッドの要部（記録ヘッド）の構成を表すものであ
る。なお、本発明の埋込パターンの形成方法は、薄膜磁
気ヘッドのうちの非磁性埋込パターンの形成工程に適用
されるので、以下併せて説明する。
【００３４】本実施の形態において製造される薄膜磁気
ヘッド（記録ヘッド）は、例えば、図５に示したよう
に、主に、下部磁極１１Ａ，１１Ｂ（Ｐ１）と、非磁性
層１５を挟んで下部磁極１１Ａ，１１Ｂに対向配置され
た上部磁極１２（Ｐ２），１３（Ｐ３）と、下部磁極１
１Ａ，１１Ｂと上部磁極１２，１３との間の空間に絶縁
層１４を介して配設された巻線構造をなすコイル１６と
を含んで構成されている。この薄膜磁気ヘッドは、例え
ば、上部磁極１３が上部磁極１２の一部と部分的にオー
バーラップして磁気的に連結された分離型構造をなすも
のである。２層構成をなす下部磁極１１Ａ，１１Ｂのう
ち、上層の下部磁極１１Ｂに溝４２が設けられており、
この溝４２に非磁性埋込パターン２０が埋め込まれてい
る。
ヘッド（記録ヘッド）は、例えば、図５に示したよう
に、主に、下部磁極１１Ａ，１１Ｂ（Ｐ１）と、非磁性
層１５を挟んで下部磁極１１Ａ，１１Ｂに対向配置され
た上部磁極１２（Ｐ２），１３（Ｐ３）と、下部磁極１
１Ａ，１１Ｂと上部磁極１２，１３との間の空間に絶縁
層１４を介して配設された巻線構造をなすコイル１６と
を含んで構成されている。この薄膜磁気ヘッドは、例え
ば、上部磁極１３が上部磁極１２の一部と部分的にオー
バーラップして磁気的に連結された分離型構造をなすも
のである。２層構成をなす下部磁極１１Ａ，１１Ｂのう
ち、上層の下部磁極１１Ｂに溝４２が設けられており、
この溝４２に非磁性埋込パターン２０が埋め込まれてい
る。
【００３５】この薄膜磁気ヘッドでは、コイル１６が通
電されると磁束が発生し、この磁束の大部分は下部磁極
１１Ａ，１１Ｂおよび上部磁極１２，１３に収容され
る。そして、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢ
Ｓ；記録媒体対向面）１８が記録媒体（図示せず）と対
向した状態において、下部磁極１１Ａ，１１Ｂや上部磁
極１２，１３内を伝播した磁束がギャップ１９（非磁性
層１５）を通過するとき、ギャップ１９近傍に生じた信
号磁界により記録媒体に情報が記録される。この薄膜磁
気ヘッドでは、特に、下部磁極１１Ｂに埋め込まれた非
磁性埋込パターン２０の存在により、下部磁極１１Ｂお
よび上部磁極１２のそれぞれのうち、両者が互いに対向
する部分の面積がより小さくなるため、より多くの磁束
がギャップ１９近傍に集中することとなる。
電されると磁束が発生し、この磁束の大部分は下部磁極
１１Ａ，１１Ｂおよび上部磁極１２，１３に収容され
る。そして、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢ
Ｓ；記録媒体対向面）１８が記録媒体（図示せず）と対
向した状態において、下部磁極１１Ａ，１１Ｂや上部磁
極１２，１３内を伝播した磁束がギャップ１９（非磁性
層１５）を通過するとき、ギャップ１９近傍に生じた信
号磁界により記録媒体に情報が記録される。この薄膜磁
気ヘッドでは、特に、下部磁極１１Ｂに埋め込まれた非
磁性埋込パターン２０の存在により、下部磁極１１Ｂお
よび上部磁極１２のそれぞれのうち、両者が互いに対向
する部分の面積がより小さくなるため、より多くの磁束
がギャップ１９近傍に集中することとなる。
【００３６】この薄膜磁気ヘッドのうち、非磁性埋込パ
ターン２０を形成する際には、まず、図１に示したよう
に、図示しない基体上に、下部磁極１１Ａ，１１Ｂをこ
の順に積層する。下部磁極１１Ａ，１１Ｂを形成する際
には、例えば、磁束の伝播特性を確保するために、同一
の形成材料ではなく互いに異なる形成材料を用いるのが
好ましい。具体的には、例えば、ニッケル鉄合金（Ｎｉ
80Ｆｅ20）を用いて約１．０μｍ〜２．０μｍの厚みで
下部磁極１１Ａを形成すると共に、コバルトニッケル鉄
合金（ＣｏＮｉＦｅ）またはニッケル鉄合金（Ｎｉ45Ｆ
ｅ55あるいはＮｉ80Ｆｅ20）を用いて約０．５μｍ〜
３．０μｍの厚みで下部磁極１１Ｂを形成する。ここ
で、下部磁極１１Ａが本発明における「第１の磁性層」
の一具体例に対応し、下部磁極１１Ｂが本発明における
「第２の磁性層」の一具体例に対応する。また、下部磁
極１１Ａ，１１Ｂが本発明における「被覆層」および
「磁性層」の一具体例に対応する。
ターン２０を形成する際には、まず、図１に示したよう
に、図示しない基体上に、下部磁極１１Ａ，１１Ｂをこ
の順に積層する。下部磁極１１Ａ，１１Ｂを形成する際
には、例えば、磁束の伝播特性を確保するために、同一
の形成材料ではなく互いに異なる形成材料を用いるのが
好ましい。具体的には、例えば、ニッケル鉄合金（Ｎｉ
80Ｆｅ20）を用いて約１．０μｍ〜２．０μｍの厚みで
下部磁極１１Ａを形成すると共に、コバルトニッケル鉄
合金（ＣｏＮｉＦｅ）またはニッケル鉄合金（Ｎｉ45Ｆ
ｅ55あるいはＮｉ80Ｆｅ20）を用いて約０．５μｍ〜
３．０μｍの厚みで下部磁極１１Ｂを形成する。ここ
で、下部磁極１１Ａが本発明における「第１の磁性層」
の一具体例に対応し、下部磁極１１Ｂが本発明における
「第２の磁性層」の一具体例に対応する。また、下部磁
極１１Ａ，１１Ｂが本発明における「被覆層」および
「磁性層」の一具体例に対応する。
【００３７】続いて、下部磁極１１Ｂの表面を覆うよう
に、マスク層３１を約０．０４μｍ〜０．９μｍの厚み
で形成する。マスク層３１の形成材料としては、例え
ば、フォトレジストと同様にフォトリソグラフィ処理に
より所定の形状にパターニング可能でかつ現像可能であ
る共に、フォトレジストと異なりウェットエッチングに
より容易に除去可能なポリジメチルグルタル酸イミド
（ＰＭＧＩ）などの感光材料を用いるようにする。ここ
で、マスク層３１が本発明における「感光層」の一具体
例に対応する。
に、マスク層３１を約０．０４μｍ〜０．９μｍの厚み
で形成する。マスク層３１の形成材料としては、例え
ば、フォトレジストと同様にフォトリソグラフィ処理に
より所定の形状にパターニング可能でかつ現像可能であ
る共に、フォトレジストと異なりウェットエッチングに
より容易に除去可能なポリジメチルグルタル酸イミド
（ＰＭＧＩ）などの感光材料を用いるようにする。ここ
で、マスク層３１が本発明における「感光層」の一具体
例に対応する。
【００３８】続いて、マスク層３１上に、フォトリソグ
ラフィ処理により高精度にパターニング可能なフォトレ
ジスト層３２を約０．５μｍ〜２．０μｍの厚みで形成
する。
ラフィ処理により高精度にパターニング可能なフォトレ
ジスト層３２を約０．５μｍ〜２．０μｍの厚みで形成
する。
【００３９】続いて、フォトリソグラフィ処理によって
マスク層３１およびフォトレジスト層３２を同時にパタ
ーニングすることにより、図１に示したように、パター
ニング処理後のマスク層３１の残存部分およびフォトレ
ジスト層３２の残存部分により構成され、後工程におい
て形成される溝４２（図２参照）を規定するための開口
を有するリフトオフマスク４０を形成する。
マスク層３１およびフォトレジスト層３２を同時にパタ
ーニングすることにより、図１に示したように、パター
ニング処理後のマスク層３１の残存部分およびフォトレ
ジスト層３２の残存部分により構成され、後工程におい
て形成される溝４２（図２参照）を規定するための開口
を有するリフトオフマスク４０を形成する。
【００４０】続いて、図２に示したように、リフトオフ
マスク４０を用いて、例えばアルゴン（Ａｒ）などのイ
オンビーム４１を用いたイオンビームエッチングによっ
て下部磁極１１Ｂをエッチングすることにより、下部磁
極１１Ｂに約０．２μｍ〜０．５μｍの深さの溝４２を
選択的に形成する。なお、図２では、例えば、下部磁極
１１Ｂを貫通するように溝４２を形成した場合を示して
いる。エッチング処理を行う際には、例えば、ビーム強
度＝約２５０Ｗ，イオンエネルギー＝約２５０Ｖとす
る。なお、エッチング手法としては、上記したイオンビ
ームエッチングに代えて、例えばリアクティブイオンビ
ームエッチング（ＲＩＢＥ）などの他の手法を用いるこ
とも可能である。ただし、エッチング時において活性塩
化物や活性フッ化物によってエッチング対象物（下部磁
極１１Ｂ）がアタックされることによる弊害を防止する
ことを考慮すれば、イオンビームエッチングを用いるの
が好ましい。
マスク４０を用いて、例えばアルゴン（Ａｒ）などのイ
オンビーム４１を用いたイオンビームエッチングによっ
て下部磁極１１Ｂをエッチングすることにより、下部磁
極１１Ｂに約０．２μｍ〜０．５μｍの深さの溝４２を
選択的に形成する。なお、図２では、例えば、下部磁極
１１Ｂを貫通するように溝４２を形成した場合を示して
いる。エッチング処理を行う際には、例えば、ビーム強
度＝約２５０Ｗ，イオンエネルギー＝約２５０Ｖとす
る。なお、エッチング手法としては、上記したイオンビ
ームエッチングに代えて、例えばリアクティブイオンビ
ームエッチング（ＲＩＢＥ）などの他の手法を用いるこ
とも可能である。ただし、エッチング時において活性塩
化物や活性フッ化物によってエッチング対象物（下部磁
極１１Ｂ）がアタックされることによる弊害を防止する
ことを考慮すれば、イオンビームエッチングを用いるの
が好ましい。
【００４１】続いて、図３に示したように、リフトオフ
マスク４０を配設したまま、例えばスパッタリングによ
り、少なくとも溝４２が埋め込まれるように非磁性埋込
層５０を形成する。非磁性埋込層５０を形成する際に
は、例えば、形成材料として酸化アルミニウム（アルミ
ナ；Ａｌ2 Ｏ3 ）や酸化珪素（シリカ；ＳｉＯ2 ）など
の非磁性材料を用いると共に、形成厚みが下部磁極１１
Ｂの厚みとほぼ等しくなるようにする。具体的には、例
えば、約０．３μｍ〜０．５５μｍの厚みとなるように
非磁性埋込層５０を形成する。下部磁極１１Ｂに設けら
れた溝４２は、非磁性埋込層５０によって満たされる。
なお、非磁性埋込層５０の形成手法としては、上記した
スパッタリングに代えて、例えばイオンビーム蒸着など
の他の手法を用いることも可能である。
マスク４０を配設したまま、例えばスパッタリングによ
り、少なくとも溝４２が埋め込まれるように非磁性埋込
層５０を形成する。非磁性埋込層５０を形成する際に
は、例えば、形成材料として酸化アルミニウム（アルミ
ナ；Ａｌ2 Ｏ3 ）や酸化珪素（シリカ；ＳｉＯ2 ）など
の非磁性材料を用いると共に、形成厚みが下部磁極１１
Ｂの厚みとほぼ等しくなるようにする。具体的には、例
えば、約０．３μｍ〜０．５５μｍの厚みとなるように
非磁性埋込層５０を形成する。下部磁極１１Ｂに設けら
れた溝４２は、非磁性埋込層５０によって満たされる。
なお、非磁性埋込層５０の形成手法としては、上記した
スパッタリングに代えて、例えばイオンビーム蒸着など
の他の手法を用いることも可能である。
【００４２】続いて、リフト処理を行う。すなわち、例
えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）またはアセトンを
含むエッチャントを用いたウェットエッチングによって
マスク層３１を溶解させることにより、リフトオフマス
ク４０を除去する。これにより、リフトオフマスク４０
と共に、その上に配設されている非磁性埋込層５０が選
択的に除去され、図４に示したように、溝４２に埋め込
まれた非磁性埋込層５０の残存部分からなる非磁性埋込
パターン２０が溝４２に選択的に形成される。下部磁極
１１Ｂおよび非磁性埋込パターン２０の表面は、全体に
渡ってほぼ平坦となる。
えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）またはアセトンを
含むエッチャントを用いたウェットエッチングによって
マスク層３１を溶解させることにより、リフトオフマス
ク４０を除去する。これにより、リフトオフマスク４０
と共に、その上に配設されている非磁性埋込層５０が選
択的に除去され、図４に示したように、溝４２に埋め込
まれた非磁性埋込層５０の残存部分からなる非磁性埋込
パターン２０が溝４２に選択的に形成される。下部磁極
１１Ｂおよび非磁性埋込パターン２０の表面は、全体に
渡ってほぼ平坦となる。
【００４３】上記した形成手法により非磁性埋込パター
ン２０を形成したところ、設計寸法に対する形成誤差
は、溝４２の深さについて約８％，非磁性埋込パターン
２０の厚みについて約６％，非磁性埋込パターン２０に
よる溝４２の充填率について約５％であった。実際の形
成工程では、非磁性埋込パターン２０による溝４２の充
填状態が若干過剰になったが、この過剰部分にキスラッ
プ（極簡単なＣＭＰ処理）を施したところ、下部磁極１
１Ｂと非磁性埋込パターン２０との間の境界近傍に生じ
た微細な凹凸が除去され、溝４２周辺の下部磁極１１Ｂ
や非磁性パターン２０の表面は全体に渡って平坦になっ
た。
ン２０を形成したところ、設計寸法に対する形成誤差
は、溝４２の深さについて約８％，非磁性埋込パターン
２０の厚みについて約６％，非磁性埋込パターン２０に
よる溝４２の充填率について約５％であった。実際の形
成工程では、非磁性埋込パターン２０による溝４２の充
填状態が若干過剰になったが、この過剰部分にキスラッ
プ（極簡単なＣＭＰ処理）を施したところ、下部磁極１
１Ｂと非磁性埋込パターン２０との間の境界近傍に生じ
た微細な凹凸が除去され、溝４２周辺の下部磁極１１Ｂ
や非磁性パターン２０の表面は全体に渡って平坦になっ
た。
【００４４】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法では、リフトオフマスク４０
を用いて溝４２の形成および非磁性埋込層５０の形成の
双方を行ったのちリフトオフ処理を行うことにより、溝
４２に非磁性埋込パターン２０を選択的に形成するよう
にしたので、ＣＭＰ処理を用いずに非磁性埋込パターン
２０を形成することが可能になる。このような場合に
は、従来用いられていたＣＭＰ法の弊害、すなわち研磨
面の非平坦性や過研磨による下部磁極１１Ｂの目減り等
の問題が回避される。したがって、本実施の形態では、
ＣＭＰ法を用いた従来の場合よりも非磁性埋込パターン
２０の厚み精度が向上すると共に、下部磁極１１Ｂおよ
び非磁性埋込パターン２０の表面が全体に渡って平坦化
されるため、薄膜磁気ヘッドを高精度に製造することが
できる。
薄膜磁気ヘッドの製造方法では、リフトオフマスク４０
を用いて溝４２の形成および非磁性埋込層５０の形成の
双方を行ったのちリフトオフ処理を行うことにより、溝
４２に非磁性埋込パターン２０を選択的に形成するよう
にしたので、ＣＭＰ処理を用いずに非磁性埋込パターン
２０を形成することが可能になる。このような場合に
は、従来用いられていたＣＭＰ法の弊害、すなわち研磨
面の非平坦性や過研磨による下部磁極１１Ｂの目減り等
の問題が回避される。したがって、本実施の形態では、
ＣＭＰ法を用いた従来の場合よりも非磁性埋込パターン
２０の厚み精度が向上すると共に、下部磁極１１Ｂおよ
び非磁性埋込パターン２０の表面が全体に渡って平坦化
されるため、薄膜磁気ヘッドを高精度に製造することが
できる。
【００４５】特に、本実施の形態では、ウェットエッチ
ングにより容易に除去可能なマスク層３１と高精度にパ
ターニング可能なフォトレジスト層３２との積層体によ
りリフトオフマスク４０を構成するようにしたので、マ
スク層３１またはフォトレジスト層３２のいずれかのみ
によりリフトオフマスク４０を構成する場合よりも、リ
フトオフマスク４０を高精度に形成することができると
共に、リフトオフ処理時にリフトオフマスク４０を容易
に除去することができる。
ングにより容易に除去可能なマスク層３１と高精度にパ
ターニング可能なフォトレジスト層３２との積層体によ
りリフトオフマスク４０を構成するようにしたので、マ
スク層３１またはフォトレジスト層３２のいずれかのみ
によりリフトオフマスク４０を構成する場合よりも、リ
フトオフマスク４０を高精度に形成することができると
共に、リフトオフ処理時にリフトオフマスク４０を容易
に除去することができる。
【００４６】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変
形が可能である。例えば、上記実施の形態では、図２に
示したように、溝４２を形成する際、下部磁極１１Ｂを
貫通するようにエッチングしたが、必ずしもこれに限ら
れるものではなく、下部磁極１１Ｂに対するエッチング
量は溝４２の設計深さに応じて自由に設定可能である。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変
形が可能である。例えば、上記実施の形態では、図２に
示したように、溝４２を形成する際、下部磁極１１Ｂを
貫通するようにエッチングしたが、必ずしもこれに限ら
れるものではなく、下部磁極１１Ｂに対するエッチング
量は溝４２の設計深さに応じて自由に設定可能である。
【００４７】また、例えば、上記実施の形態では、本発
明の埋込パターンの形成方法を、薄膜磁気ヘッドのうち
の非磁性埋込パターン２０の形成工程に適用する場合に
ついて説明したが、必ずしもこれに限られるものではな
く、薄膜磁気ヘッドのうちの他の構成要素または薄膜磁
気ヘッド以外の他の分野における各種デバイス等の製造
に適用可能である。
明の埋込パターンの形成方法を、薄膜磁気ヘッドのうち
の非磁性埋込パターン２０の形成工程に適用する場合に
ついて説明したが、必ずしもこれに限られるものではな
く、薄膜磁気ヘッドのうちの他の構成要素または薄膜磁
気ヘッド以外の他の分野における各種デバイス等の製造
に適用可能である。
【００４８】また、例えば、上記実施の形態において説
明した磁気ヘッドの製造方法に関する形成材料，形成方
法および形成される磁気ヘッドの構成等は、必ずしもこ
れに限られるものではなく、リフトオフマスク４０を用
いて溝４２の形成および非磁性埋込層５０の形成の双方
を行ったのちリフトオフ処理を行うことにより、溝４２
に非磁性埋込パターン２０を高精度に形成することが可
能な限り、自由に変形可能である。
明した磁気ヘッドの製造方法に関する形成材料，形成方
法および形成される磁気ヘッドの構成等は、必ずしもこ
れに限られるものではなく、リフトオフマスク４０を用
いて溝４２の形成および非磁性埋込層５０の形成の双方
を行ったのちリフトオフ処理を行うことにより、溝４２
に非磁性埋込パターン２０を高精度に形成することが可
能な限り、自由に変形可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項９のいずれか１項に記載の埋込パターンの形成方法
によれば、リフトオフマスクを用いて溝の形成および埋
込層の形成の双方を行ったのちリフトオフ処理を行うこ
とにより、溝に埋込パターンを選択的に形成するように
したので、ＣＭＰ処理を用いずに埋込パターンを形成す
ることが可能になり、従来用いられていたＣＭＰ法の弊
害の発生が回避される。したがってＣＭＰ法を用いた従
来の場合よりも埋込パターンの厚み精度を向上させ、埋
込パターンを高精度い形成することができると共に、被
覆層および埋込パターンの表面を全体に渡って平坦化す
ることができる。
求項９のいずれか１項に記載の埋込パターンの形成方法
によれば、リフトオフマスクを用いて溝の形成および埋
込層の形成の双方を行ったのちリフトオフ処理を行うこ
とにより、溝に埋込パターンを選択的に形成するように
したので、ＣＭＰ処理を用いずに埋込パターンを形成す
ることが可能になり、従来用いられていたＣＭＰ法の弊
害の発生が回避される。したがってＣＭＰ法を用いた従
来の場合よりも埋込パターンの厚み精度を向上させ、埋
込パターンを高精度い形成することができると共に、被
覆層および埋込パターンの表面を全体に渡って平坦化す
ることができる。
【００５０】また、請求項１０ないし請求項２０のいず
れか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法によれば、本発
明の埋込パターンの形成方法を利用して非磁性埋込パタ
ーンを形成するようにしたので、非磁性埋込パターンの
厚み精度が向上すると共に、第２の磁性層および非磁性
埋込パターンの表面が全体に渡って平坦化される、した
がって、磁気ヘッドを高精度に製造することができる。
れか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法によれば、本発
明の埋込パターンの形成方法を利用して非磁性埋込パタ
ーンを形成するようにしたので、非磁性埋込パターンの
厚み精度が向上すると共に、第２の磁性層および非磁性
埋込パターンの表面が全体に渡って平坦化される、した
がって、磁気ヘッドを高精度に製造することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造
方法における一工程を説明するための断面図である。
方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造
方法により製造される薄膜磁気ヘッドの要部の構成を表
す断面図である。
方法により製造される薄膜磁気ヘッドの要部の構成を表
す断面図である。
【図６】従来の埋込パターンの形成方法における一工程
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
１１Ａ，１１Ｂ…下部磁極、１２，１３…上部磁極、１
４…絶縁層、１５…非磁性層、１６…コイル、１８…Ａ
ＢＳ、１９…ギャップ、３１…マスク層、３２…フォト
レジスト層、４０…リフトオフマスク、４１…イオンビ
ーム、４２…溝、５０…非磁性埋込層。
４…絶縁層、１５…非磁性層、１６…コイル、１８…Ａ
ＢＳ、１９…ギャップ、３１…マスク層、３２…フォト
レジスト層、４０…リフトオフマスク、４１…イオンビ
ーム、４２…溝、５０…非磁性埋込層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂民 陳 アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンノゼ ウッドビュー プレー ス 1025 (72)発明者 克▲強▼ 朱 アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フレモント ウッドサイド テラ ス 3535 Ｆターム(参考） 2H096 AA27 CA05 HA23 HA27 HA28 HA30 JA04 KA02 KA25 LA01 5D033 AA01 BA01 BA07 CA05 DA02 DA07 DA31
Claims (20)
- 【請求項１】 基体上に形成された、上面を有する被覆
層に、埋込パターンを形成する方法であって、 前記被覆層の上面を覆うように、容易にエッチング可能
な感光層を形成する第１の工程と、 この感光層上に、フォトレジスト層を形成する第２の工
程と、 前記フォトレジスト層および前記感光層をパターニング
することにより、溝規定用のリフトオフマスクを形成す
る第３の工程と、 このリフトオフマスクを用いて前記被覆層を所定の深さ
までエッチングすることにより、前記被覆層に前記溝を
形成する第４の工程と、 前記リフトオフマスクを配設したまま、少なくとも前記
溝を埋め込むように、前記所定の深さと等しい厚みだけ
埋込層を形成する第５の工程と、 前記リフトオフマスクと共にその上に配設されている埋
込層を選択的に除去することにより、前記被覆層の厚み
と等しい厚みとなるように、前記溝に前記埋込パターン
を選択的に形成する第６の工程とを含むことを特徴とす
る埋込パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程において、 ０．０４μｍ以上０．９μｍ以下の範囲内の厚みとなる
ように前記感光層を形成することを特徴とする請求項１
記載の埋込パターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程において、 ポリジメチルグルタル酸イミドを用いて前記感光層を形
成することを特徴とする請求項１記載の埋込パターンの
形成方法。 - 【請求項４】 前記第２の工程において、 ０．５μｍ以上２．０μｍの厚みとなるように前記フォ
トレジスト層を形成することを特徴とする請求項１記載
の埋込パターンの形成方法。 - 【請求項５】 前記第４の工程において、 エッチング手法としてイオンビームエッチングまたはリ
アクティブイオンビームエッチングを用いることを特徴
とする請求項１記載の埋込パターンの形成方法。 - 【請求項６】 前記第４の工程において、 ０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内の深さとなるよ
うに前記溝を形成することを特徴とする請求項１記載の
埋込パターンの形成方法。 - 【請求項７】 前記第５の工程において、 酸化アルミニウムまたは酸化珪素を用いて前記埋込層を
形成することを特徴とする請求項１記載の埋込パターン
の形成方法。 - 【請求項８】 前記第５の工程において、 ０．３μｍ以上０．５５μｍ以下の範囲内の厚みとなる
ように前記埋込層を形成することを特徴とする請求項１
記載の埋込パターンの形成方法。 - 【請求項９】 前記第６の工程において、 Ｎ−メチルピロリドンまたはアセトンを含むエッチャン
トを用いることを特徴とする請求項１記載の埋込パター
ンの形成方法。 - 【請求項１０】 溝が設けられた磁性層と、この磁性層
の溝に埋め込まれた非磁性埋込パターンとを含む記録ヘ
ッドを備えた磁気ヘッドの製造方法であって、 前記磁性層を構成する第１の磁性層および第２の磁性層
がこの順に積層された基体のうち、前記第２の磁性層上
に、容易にエッチング可能な感光層を形成する第１の工
程と、 この感光層上に、フォトレジスト層を形成する第２の工
程と、 前記フォトレジスト層および前記感光層をパターニング
することにより、溝規定用のリフトオフマスクを形成す
る第３の工程と、 このリフトオフマスクを用いて前記第２の磁性層をエッ
チングすることにより、前記第２の磁性層に前記溝を形
成する第４の工程と、 前記リフトオフマスクを配設したまま、少なくとも前記
溝を埋め込むように、前記第２の磁性層の厚みと等しい
厚みだけ非磁性埋込層を形成する第５の工程と、 前記リフトオフマスクと共にその上に配設されている非
磁性埋込層を除去することにより、前記第２の磁性層の
厚みと等しい厚みとなるように、前記溝に前記非磁性埋
込パターンを選択的に形成する第６の工程とを含むこと
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１の工程において、 １．０μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内の厚みとなるよ
うに前記第１の磁性層が形成された前記基体を用いるこ
とを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１２】 前記第１の工程において、 ニッケル鉄合金（Ｎｉ80Ｆｅ20）よりなる前記第１の磁
性層が形成された前記基体を用いることを特徴とする請
求項１０記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第１の工程において、 ０．５μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内の厚みとなるよ
うに前記第２の磁性層が形成された前記基体を用いるこ
とを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１４】 前記第１の工程において、 コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）またはニッケ
ル鉄合金（Ｎｉ45Ｆｅ 55あるいはＮｉ80Ｆｅ20）のいず
れかよりなる前記第２の磁性層が形成された前記基体を
用いることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１５】 前記第４の工程において、 エッチング手法としてイオンビームエッチングまたはリ
アクティブイオンビームエッチングを用いることを特徴
とする請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第５の工程において、 酸化アルミニウムまたは酸化珪素を用いて前記非磁性埋
込層を形成することを特徴とする請求項１０記載の磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第５の工程において、 スパッタリングまたはイオンビーム蒸着により前記非磁
性埋込層を形成することを特徴とする請求項１０記載の
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第１の工程において、 ０．０４μｍ以上０．９μｍ以下の範囲内の厚みとなる
ように前記感光層を形成することを特徴とする請求項１
０記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第１の工程において、 ポリジメチルグルタル酸イミドを用いて前記感光層を形
成することを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項２０】 前記第２の工程において、 ０．５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内の厚みとなるよ
うに前記フォトレジスト層を形成することを特徴とする
請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方法。
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