JPH11195207A - 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JPH11195207A JP9360503A JP36050397A JPH11195207A JP H11195207 A JPH11195207 A JP H11195207A JP 9360503 A JP9360503 A JP 9360503A JP 36050397 A JP36050397 A JP 36050397A JP H11195207 A JPH11195207 A JP H11195207A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極部分を微細化しても磁束の飽和や漏れが
少なく、スロートハイト、アペックスアングル、ＭＲハ
イトなどを正確に所望の値にできる複合型薄膜磁気ヘッ
ドおよびそれを効率良く、迅速に量産できる方法を提供
する。 【解決手段】 ＭＲ膜32の下部シールドである第１の磁
性膜24をマスクとして基体23に凹部25を形成し、凹部内
に第２の磁性膜27と、薄膜コイル30を形成し、平坦化し
て複合型薄膜磁気ヘッド製造用の共通ユニットを形成す
る。その後、第２の磁性膜27と連結してボトムポールを
構成するように第３の磁性膜34を形成し、平坦化した
後、ライトギャップ膜36およびトップポールを構成する
第４の磁性膜37を平坦に形成し、その磁極部分をマスク
にライトギャップ膜および第３の磁性膜をドライエッチ
ングして磁極部分を形成る。共通ユニットの薄膜コイル
30の上方に絶縁膜や追加の薄膜コイルを盛り上げても良
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き込み用の誘導
型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドとを積層した状態で基体により支持した複合
型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性
能向上が求められている。複合型薄膜磁気ヘッドとし
て、書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、
読み出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
とを、基体上に積層した構造を有するものが提案され、
実用化されている。読み取り用の磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗(AMR：Anisotropic Magneto
Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてき
たが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵
抗(GMR：Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも
開発されている。本明細書では、これら AMR素子および
GMR素子などを総称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
または簡単にMR再生素子と称することにする。
【０００３】AMR素子を使用することにより、数ギガビ
ット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、ま
た GMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を
上げることができる。このように面記録密度を高くする
ことによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディス
ク装置の実現が可能となってきている。このような磁気
抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因
の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ(MR Height：MR
ハイト) がある。このMRハイトは、端面がエアベアリン
グ面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面
から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程にお
いては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨
量を制御することによって所望のMRハイトを得るように
している。
【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上
げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる
必要がある。このためには、エアベアリング面における
ライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブ
ミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成
するために半導体加工技術が利用されている。
【０００５】書き込み用薄膜磁気ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height
: TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリン
グ面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジ
までの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短
くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小
化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。したがって、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド
と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積
層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるために
は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く形成す
ることが重要である。
【０００６】図１〜９に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造要領を工程順に示し、各図においてＡは薄膜磁
気ヘッド全体の断面図、Ｂは磁極部分の断面図である。
また図１０〜１２はそれぞれ、完成した従来の薄膜磁気
ヘッド全体の断面図、磁極部分の断面図および薄膜磁気
ヘッド全体の平面図である。なおこの例で、薄膜磁気ヘ
ッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用の
MR再生素子を積層した複合型のものである。
【０００７】まず、図１に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積す
る。次いで、図２に示すように、再生ヘッドのMR再生素
子を外部磁界の影響から保護するための一方の磁気シー
ルドを構成する第１の磁性層３を３μm の厚みで形成す
る。その後、図３に示すように、絶縁層４として、アル
ミナを 100〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させたのち、
MR再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりな
る磁気抵抗層５を数十nmの厚みに形成し、高精度のマス
クアライメントで所望の形状とする。続いて、図４に示
すように、再度、絶縁層６を形成して、磁気抵抗層５を
絶縁層４、６内に埋設する。
【０００８】次に、図５に示すように、パーマロイより
なる第２の磁性層７を３μm の膜厚に形成する。この第
２の磁性層７は、上述した第１の磁性層３と共にMR再生
素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての機能を有す
るだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの一方のポー
ルとしての機能をも有するものである。
【０００９】ついで、第２の磁性層７の上に、非磁性材
料、例えばアルミナよりなるライトギャップ層８を約20
0 nmの膜厚に形成した後、例えばパーマロイ（Ni：50wt
％、Fe：50wt％）や窒化鉄（FeN)のような高飽和磁束密
度材料からなる磁性層を形成し、高精度のマスクアライ
メントで所望の形状としてポールチップ９を形成する。
このポールチップ９の幅Ｗでトラック幅が規定される。
したがって、このポールチップ９の幅Ｗを狭くすること
が高い面記録密度を実現するためには必要である。この
際、第２の磁性層７と、他方のポールを構成する第３の
磁性層を接続するためのダミーパターン９′を同時に形
成すると、機械的研磨または化学機械的研磨（Chemical
Mechanical Polishing ：CMP)後に、スルーホールを容
易に開口することができる。
【００１０】そして、実効書込トラック幅の広がりを防
止するため、すなわちデータの書込時に、一方のポール
において磁束が広がるのを防止するために、ポールチッ
プ９の周囲のギャップ層８と、他方のポールを構成する
第２の磁性層７をイオンミリング等のイオンビームエッ
チングにてエッチングする。その状態を図５に示した
が、この構造をトリム（Trim）といい、この部分が第２
の磁性層の磁極部分となる。
【００１１】次に、図６に示すように、絶縁層である例
えばアルミナ膜１０をおよそ３μmの厚みに形成後、全
体を例えばＣＭＰにて平坦化する。その後、電気絶縁性
のフォトレジスト層１１を高精度のマスクアライメント
で所定のパターンに形成した後、このフォトレジスト層
１１の上に、例えば銅よりなる第１層目の薄膜コイル１
２を形成する。
【００１２】続いて、図７に示すように、薄膜コイル１
２上に再度、高精度のマスクアライメントにより、絶縁
性のフォトレジスト層１３を形成後、表面を平坦にする
ため、例えば 250〜300 ℃の温度で焼成する。
【００１３】さらに、図８に示すように、このフォトレ
ジスト層１３の平坦化された表面の上に、第２層目の薄
膜コイル１４を形成する。ついで、この第２層目の薄膜
コイル１４の上に高精度マスクアライメントでフォトレ
ジスト層１５を形成した後、再度表面を平坦化するため
に、例えば 250°Ｃで焼成する。上述したように、フォ
トレジスト層１１、１３および１５を高精度のマスクア
ライメントで形成する理由は、フォトレジスト層の磁極
部分側の端縁を基準位置としてスロートハイトやMRハイ
トを規定しているためである。
【００１４】次に、図９に示すように、ポールチップ９
およびフォトレジスト層１１、１３および１５の上に、
他方のポールを構成する第３の磁性層１６を、例えばパ
ーマロイにより、３μm の厚みで所望のパターンに従っ
て選択的に形成する。この第３の磁性層１６は、磁極部
分から離れた後方位置において、ダミーパターン９′を
介して第２の磁性層７と接触し、第２の磁性層、ポール
チップ、第３の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜
コイル１２、１４が通り抜ける構造になっている。さら
に、第３の磁性層１６の露出表面の上にアルミナよりな
るオーバーコート層１７を堆積する。
【００１５】最後に、磁気抵抗層５やギャップ層８を形
成した側面を研磨して、磁気記録媒体と対向するエアベ
アリング面(Air Bearing Surface：ABS)１８を形成す
る。このエアベアリング面１８の形成過程において磁気
抵抗層５も研磨され、MR再生素子１９が得られる。この
ようにして上述したスロートハイトTHおよびMRハイトが
決定される。その様子を図１０に示す。実際の薄膜磁気
ヘッドにおいては、薄膜コイル１２、１４およびMR再生
素子１９に対する電気的接続を行なうためのパッドが形
成されているが、図示では省略してある。
【００１６】図１０に示したように、薄膜コイル１２、
１４を絶縁分離するフォトレジスト層１１、１３、１５
側面の角部を結ぶ線分Ｓと第３の磁性層１６の上面との
なす角度θ（ApexAngle ：アペックスアングル) も、上
述したスロートハイトTHおよびMRハイトと共に、薄膜磁
気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなってい
る。
【００１７】また、図１２に平面で示すように、ポール
チップ９および第３の磁性層１６の磁極部分２０の幅Ｗ
は狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録
されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度
を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭くする必
要がある。なお、この図では、図面を簡単にするため、
薄膜コイル１２、１４は同心円状に示してある。
【００１８】さて、従来、薄膜磁気ヘッドの形成におい
て、特に問題となっていたのは、薄膜コイルの形成後、
フォトレジスト絶縁層でカバーされたコイル凸部、特に
その傾斜部（Apex）に沿って形成されるトップポールの
微細形成の難しさである。すなわち、従来は、第３の磁
性膜を形成する際、約７〜１０μm の高さのコイル凸部
の上にパーマロイ等の磁性材料をメッキした後、フォト
レジストを３〜４μm の厚みで塗布し、その後フォトリ
ソグラフィ技術を利用して所定のパターン形成を行って
いた。
【００１９】ここに、山状コイル凸部の上のレジストで
パターニングされるレジスト膜厚として、最低３μm が
必要であるとすると、傾斜部の下方では８〜１０μm 程
度の厚みのフォトレジストが塗布されることになる。一
方、このような１０μm 程度の高低差があるコイル凸部
の表面および平坦上に形成されたライトギャップ層の上
に形成される第３の磁性層は、フォトレジスト絶縁層
（例えば図７の１１、１３）のエッジ近傍に記録ヘッド
の狭トラックを形成する必要があるため、第３の磁性層
をおよそ１μm 幅にパターニングする必要がある。した
がって、８〜１０μm の厚みのフォトレジスト膜を使用
して１μm 幅のパターンを形成する必要が生じる。
【００２０】しかしながら、８〜１０μm のように厚い
フォトレジスト膜で、１μm 幅程度の幅の狭いパターン
を形成しようとしても、フォトリソグラフィの露光時に
光の反射光によるパターンのくずれ等が発生したり、レ
ジスト膜厚が厚いことに起因して解像度の低下が起こる
ため、幅の狭いトラックを形成するための幅の狭いトッ
プポールを正確にパターニングすることはきわめて難し
いものである。
【００２１】そこで、前掲した従来例にも示したとお
り、記録ヘッドの狭トラック幅形成が可能なポールチッ
プでデーターの書き込みを行うものとして、かかるポー
ルチップを形成後、このポールチップに第３の磁性層を
接続する方式とすることにより、換言すると、トラック
幅を決めるポールチップと磁束を誘導する第３の磁性層
とに２分割した構造とすることにより、上記の問題を改
善することは提案されている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして形成された薄膜磁気ヘッド、特に記録ヘッド
には、依然として、以下に述べるような問題が残されて
いた。 （１）ポールチップ９と第３の磁性層１６との位置関係
がフォトリソグラフィのアライメントで決定されるの
で、エアベアリング面から見た場合、ポールチップの中
心線と、第３の磁性層の中心線とが大きくずれる可能性
があり、磁束の漏れが生じ、第３の磁性層からの磁束に
よってデータの書き込みが行われる場合があり、実効ト
ラック幅が大きくなり、隣接するトラックにデータを誤
って書き込んでしまうという問題がある。これを避ける
ためには、トラック間隔を広くする必要があり、面記録
密度が改善されないことになる。 （２）幅の狭いポールチップ９が、幅の広い第３の磁性
層１６に垂直に接しているため、この部分で磁束が飽和
し易く、そのため、十分に満足いくほどの書き込み特性
（Flux Rise Time）の改善が得られない。 （３）スロートハイトTHやMRハイトは、薄膜コイルを絶
縁分離する絶縁層の磁極部分側の端縁を基準として決定
されるが、この絶縁層は通常、フォトレジスト有機絶縁
層で形成されることから、熱により変形し易い。このた
め、薄膜コイルの形成時に付加される 250℃程度の熱処
理によって変形し、絶縁層のパターン寸法が変動して、
スロートハイトTHやMRハイトの寸法が所望の設計値から
ずれる恐れがある。 （４）磁気抵抗素子より成る読み取り用の薄膜磁気ヘッ
ドでは、磁気抵抗素子として感度の高いＧＭＲ素子を使
用するのが有利であるが、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜
コイルを形成する際の、フォトレジスト膜の２５０℃程
度の熱処理が原因でＧＭＲ素子の読み取り感度の劣化が
生じるという問題がある。 （５）高感度のＧＭＲ素子は、それぞれが１〜５ｎｍと
きわめて薄い異なる種類の層を何層にも重ね合わせた構
造となっている。したがって、ＧＭＲ素子を形成してか
ら、複合型薄膜磁気ヘッドを完成するまでに、多くの工
程を経ているので、ハンドリングが原因で静電気破壊が
発生し、歩留りの低下を招くという問題がある。 （６）複合型薄膜磁気ヘッドの量産プロセスの終了間際
に、デバイスの保護や品質の安定化を図る目的で、３０
〜４０μm 以上の厚いアルミナ膜をオーバーコート層と
して形成している。このように厚いアルミナ膜によって
基体に反りが発生したり、これを形成する際のスパッタ
により、多くのパーティクルが発生したりして素子特性
の劣化や不良品の発生の問題がある。また、上述したよ
うに厚いアルミナ膜をスパッタにより成膜するには、１
５時間以上もの長い時間が必要であり、スループットが
著しく低下する問題がある。さらに、磁気抵抗素子に対
する電極パターンの接点パッドを露出させるためのエッ
チングにも長時間を要するという問題がある。 （７）複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドに関しては、磁気抵抗素子の幅および
ＭＲハイトが、誘導型薄膜磁気ヘッドに関しては、磁極
部分の幅、スロートハイトおよびＮＬＴＳ（Non-Linear
Transition Shift ）特性が複合型薄膜磁気ヘッドの特
性を主として決定している。したがって、ユーザーの要
求は、これらの仕様に集中している。例えば、磁気抵抗
素子の幅がユーザーから指定された場合、この寸法は、
従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、製
造の初期の工程で決まるので、製品が完成するまでに必
要な時間、すなわちサイクルタイムが長くなり、３０日
から４０日にも及ぶ場合がある。
【００２３】本発明の目的は、上述した従来の複合型薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法の種々の問題点を、解
決もしくは軽減できる複合型薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を提供しようとするものである。本発明はさら
に、種々の特性を有する複合型薄膜磁気ヘッドに対して
共通に使用することができる複合型薄膜磁気ヘッド用共
通ユニットを提供しようとするものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、読み取り用の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドとを積層した状態で基体により支持した
複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、一方の面に凹部を有す
る基体と、この基体の面に沿って、エアベアリング面を
構成する端面から前記凹部の端縁近傍までまたは凹部の
端縁を越えてその内面まで延在して、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドに対する一方のシールドを構成する第１の
磁性膜と、この第１の磁性膜と磁気的に分離された状態
で、前記凹部の内面の一部に沿って延在して誘導型薄膜
磁気ヘッドの一方のポールの一部を構成する第２の磁性
膜と、前記凹部内に、絶縁膜によって絶縁分離された状
態で少なくとも一部が形成され、誘導型薄膜磁気ヘッド
を構成する薄膜コイルと、前記第１の磁性膜の、前記基
体とは反対側の面に沿って延在するシールドギャップ膜
中に、電気的および磁気的に絶縁分離された状態で配設
された磁気抵抗素子と、このシールドギャップ膜の、前
記基体とは反対側の面に沿って延在し、磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドに対する他方のシールドを構成するとと
もに前記凹部内に形成された第２の磁性膜と連結され
て、誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの残部を構成
する第３の磁性膜と、少なくともこの第３の磁性膜の、
前記基体とは反対側の面に沿って延在するライトギャッ
プ膜と、このライトギャップ膜の、前記基体とは反対側
の面に沿って延在して前記第３の磁性膜と対向するとと
もにエアベアリング面から離れた後方位置において前記
第２の磁性層と磁気的に結合され、誘導型薄膜磁気ヘッ
ドの他方のポールを構成する第４の磁性膜と、を具える
ことを特徴とするものである。
【００２５】また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層し
た状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する方法であって、基体の表面に凹部を形成する工程
と、この基体の表面に沿って、エアベアリング面を構成
する端面から前記凹部の端縁近傍まで少なくとも延在し
て、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する一方のシー
ルドを構成する第１の磁性膜を形成する工程と、この第
１の磁性膜と磁気的に分離された状態で、前記凹部の内
面の一部に沿って延在して誘導型薄膜磁気ヘッドの一方
のポールの一部を構成する第２の磁性膜を形成する工程
と、前記凹部内に、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成する薄
膜コイルの少なくとも一部を、絶縁膜によって絶縁分離
された状態で形成する工程と、前記第１の磁性膜の表面
に沿って、電気的および磁気的に絶縁分離された状態で
延在する磁気抵抗素子を形成する工程と、この磁気抵抗
素子の表面に沿って延在し、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドに対する他方のシールドを構成するとともに前記凹
部内に形成された第２の磁性膜と連結されて、誘導型薄
膜磁気ヘッドの一方のポールの残部を構成する第３の磁
性膜を形成する工程と、少なくともこの第３の磁性膜の
表面に沿って延在するライトギャップ膜を形成する工程
と、このライトギャップ膜の表面に沿って延在して前記
第３の磁性膜と対向するとともにエアベアリング面から
離れた後方位置において前記第２の磁性層と磁気的に結
合され、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを構成す
る第４の磁性膜を形成する工程と、エアベアリング面を
研磨出しする工程と、を具えることを特徴とするもので
ある。
【００２６】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層
した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドを
製造する方法であって、凹部を形成した基体と、この基
体の表面に沿って、エアベアリング面を構成する端面か
ら前記凹部の端縁近傍まで少なくとも延在して、磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する一方のシールドを構成
する第１の磁性膜と、この第１の磁性膜と磁気的に分離
された状態で、前記凹部の内面の一部に沿って延在して
誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの一部を構成する
第２の磁性膜と、前記凹部内に、絶縁膜によって絶縁分
離された状態で形成され、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成
する薄膜コイルの少なくとも一部とを具え、種々の特性
を有する複合型薄膜磁気ヘッドに共通の共通薄膜磁気ヘ
ッドユニットを多数製造してストックしておく工程と、
製造すべき複合型薄膜磁気ヘッドの特性に応じて、前記
共通薄膜磁気ヘッドユニットに対して、前記第１の磁性
膜の表面に沿って、電気的および磁気的に絶縁分離され
た状態で延在する磁気抵抗素子を形成する工程と、この
磁気抵抗素子の表面に沿って延在し、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドに対する他方のシールドを構成するともに
前記凹部内に形成された第２の磁性膜と連結されて、誘
導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの残部を構成する第
３の磁性膜を形成する工程と、少なくともこの第３の磁
性膜の表面に沿って延在するライトギャップ膜を形成す
る工程と、このライトギャップ膜の表面に沿って延在し
て前記第３の磁性膜と対向するとともにエアベアリング
面から離れた後方位置において前記第２の磁性層と磁気
的に結合され、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを
構成する第４の磁性膜を形成する工程と、エアベアリン
グ面を研磨出しする工程と、を具えることを特徴とする
ものである。
【００２７】また、本発明は、上述した製造方法によっ
て、複合型薄膜磁気ヘッドを製造する際に、種々の特性
を有する複合型薄膜磁気ヘッドを迅速に製造するため
に、それらに対して共通に使用することができる複合型
薄膜磁気ヘッド用共通ユニットにも関するものである。
このような複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニットは、表
面に凹部を形成した基体と、この基体の表面に沿って、
少なくともエアベアリング面を構成する端面から前記凹
部の端縁近傍まで延在して、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドに対する一方のシールドを構成する第１の磁性膜
と、この第１の磁性膜と磁気的に分離された状態で、前
記凹部の内面の一部に沿って延在して誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの一方のポールの一部を構成する第２の磁性膜と、
前記凹部内に、絶縁膜によって絶縁分離された状態で形
成され、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜コイルの
少なくとも一部とを具えることを特徴とするものであ
る。
【００２８】上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドでは、誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールを、第２
の磁性膜と第３の磁性膜とに分割して構成している点が
従来の複合型薄膜磁気ヘッドと大きく相違する点であ
る。本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの基本的な構造
は、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの一部を、前記
凹部内に配設し、残部を、前記凹部の、前記基体とは反
対側に配設した第１の基本構造と、誘導型薄膜磁気ヘッ
ドの薄膜コイル全体を、前記凹部内に配設した第２の基
本構造とに分類することができる。
【００２９】上述した第１の基本構造においては、誘導
型薄膜磁気ヘッドのスロートハイト零の基準位置は、凹
部の上方に形成された薄膜コイルを絶縁分離した状態で
支持する絶縁膜の端縁で決まり、アペックスアングル
は、この絶縁膜の側面の傾斜角によって規定される。
【００３０】また、第２の基本構造においては、誘導型
薄膜磁気ヘッドのスロートハイト零の基準位置は、凹部
の端縁で決まり、アペックスアングルは、凹部の側面の
傾斜角によって規定される。この場合のアペックスアン
グルを規定する凹部の側面の傾斜角は、４５〜７５°、
特に５５〜６５°とするのが好適である。
【００３１】さらに、第２の基本構造においては、前記
第１の磁性膜の、前記基体とは反対側の面と、前記凹部
内に配設された薄膜コイルを絶縁分離する絶縁膜の、凹
部底面とは反対側の面とを同一平面とするのが好適であ
る。また、前記絶縁膜の、凹部底面とは反対側の面に沿
って延在し、基体とは反対側の面が、前記第３の磁性膜
の、基体とは反対側の面と同一平面となるように配設さ
れた非磁性膜を具えることも好適である。このように構
成する場合には、前記同一平面とした第３の磁性膜の面
および前記非磁性膜の面に沿って、前記ライトギャップ
膜を平坦に延在させ、この平坦なライトギャップ膜の面
に沿って、前記第４の磁性膜を平坦に延在させるのが好
適である。このような平坦な膜は、製造工程が簡単にな
るととともに寸法精度も高いものとなる。
【００３２】さらに、上述した第２の基本構造におい
て、凹部の端縁をスロートハイト零の基準位置とする
と、スロートハイトが所望の値よりも長くなる場合に
は、前記絶縁膜の、凹部底面とは反対側の面に沿って延
在し、基体とは反対側の面が、前記第３の磁性膜の、基
体とは反対側の面よりも基体とは反対側に突出するとと
もに端縁が凹部の端縁を越えてエアベアリング面側に突
出するする非磁性膜を配設し、前記ライトギャップ膜
を、前記第３の磁性膜の、基体とは反対側の面から前記
非磁性膜の、基体とは反対側の面に亘って段差を含んで
延在させ、前記第４の磁性膜を、このライトギャップ膜
に沿って、前記段差に対応した段差を含むように延在さ
せるのが好適である。
【００３３】このような構造によれば、スロートハイト
零の基準位置は、凹部の端縁よりもエアベアリング面に
近い非磁性膜の端縁で規定されるので、スロートハイト
を短くすることができる。勿論、この場合に、ＭＲハイ
トが所望の値よりも短くなることはない。
【００３４】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおい
ては、前記凹部の内面と、前記第２の磁性膜との間に非
磁性膜を介挿するのが好適である。また、前記第１の磁
性膜を、凹部の端縁を越えて、その側面まで延在するよ
うに形成することもできる。
【００３５】さらに、前記第２の磁性膜と、第３の磁性
膜との結合状態としては、これらの磁性膜の内側端縁を
整列させたり、第３の磁性膜の内側端縁を、第２の磁性
膜の内側端縁より内側に突出させたりすることができ
る。後者の場合には、これらの磁性膜の位置合わせに余
裕が得られるが、スロートハイト零の基準位置が一層内
側に寄るので、スロートハイトが長くなる傾向がある。
【００３６】上述した第１の基本構造においては、前記
凹部内に形成された薄膜コイルの上方に形成される薄膜
コイルを絶縁分離した状態で支持する絶縁膜を、第３の
磁性膜よりも基体とは反対側に突出させ、前記ライトギ
ャップ膜を、前記第３の磁性膜の、基体とは反対側の面
から前記絶縁膜の、基体とは反対側の面に亘って段差を
含んで延在させ、前記第４の磁性膜を、このライトギャ
ップ膜に沿って、前記段差に対応した段差を含むように
延在させるのが好適である。この場合、前記絶縁膜の一
部を、前記第３の磁性膜の、基体とは反対側の面に沿っ
て、前記凹部の端縁を越えてエアベアリング面側に突出
することにより、スロートハイト零の基準位置を、凹部
の端縁よりもエアベアリング面に近づけるのが好適であ
る。
【００３７】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、前記第４の磁性膜の、エアベアリング面
から延在する少なくとも磁極部分の幅を、前記ライトギ
ャップ膜の幅にほぼ等しくするのが、磁束の漏れを抑止
する上で好適である。さらに、前記第３の磁性膜の磁極
部分の、基体とは反対側の面に、前記ライトギャップ膜
および第４の磁性膜の磁極部分の幅にほぼ等しい幅を持
って形成されたトリム構造を設けるのが、磁束の漏れを
さらに有効に抑止する上で好適である。
【００３８】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、前記第３の磁性膜を、第２の磁性膜より
も飽和磁束密度が高い材料で構成するのが、好適であ
る。本発明による複合型薄膜磁気ヘッドは、上述したよ
うにボトポールを第２および第３の２つの磁性膜に分割
した構造を有しているが、磁極部分を構成する第３の磁
性膜を第２の磁性膜よりも飽和磁束密度が高い材料で構
成することにより、一方のポール全体を飽和磁束密度が
高い材料で構成する場合よりも、製造工程中の取扱いが
容易になること、製造コストを低くすることができるこ
となどの利点が得られる。
【００３９】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、薄膜コイルの全部を凹部内に形
成する場合には、薄膜コイルを形成した後に磁気抵抗素
子を形成するので、薄膜コイルを形成する際の熱処理
に、磁気抵抗素子が曝されることはなく、磁気抵抗素子
の特性の劣化の問題が起こらず、特に熱による劣化の影
響が大きが、読み取り感度の高いＧＭＲ素子を用いる場
合に有利である。また、薄膜コイルの一部を凹部内に形
成し、残部を、磁気抵抗素子を形成した後に形成する場
合でも、磁気抵抗素子が受ける熱処理の影響は従来の製
造方法に比べれば相当小さくなる。
【００４０】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法を実施するに当たっては、前記基体に凹部を形成す
る工程および前記第１の磁性膜を形成する工程が、前記
基体の表面に、前記凹部に対応した開口を有するマスク
として作用する前記第１の磁性膜を形成する工程と、こ
の第１の磁性膜をマスクとしてエッチングを施して基体
表面に凹部を形成する工程とを含むことが好適である。
ここで、第１の磁性膜の成膜は、メッキ法で実施し、エ
ッチングは、リアクティブイオンエッチ法で実施するの
が、５μm 以上の深い凹部を正確に形成する上で好適で
ある。
【００４１】また、凹部内に薄膜コイルの全部を形成す
る場合には、凹部の端縁を位置の基準としてエアベアリ
ング面を研磨することにより、凹部の端縁を位置の基準
とするスロートハイトを有し、凹部の側面の傾斜角によ
って規定されたアペックスアングルを有する誘導型薄膜
磁気ヘッドを形成することができる。この凹部の端縁の
位置は、製造工程中に変化しないので、スロートハイト
およびアペックスアングルを正確に所望の値とすること
ができる。
【００４２】また、本発明による製造方法においては、
薄膜コイルを形成した後、凹部内に配設された薄膜コイ
ルを絶縁分離する絶縁膜上に第１の非磁性膜を形成し、
少なくともこの第１の非磁性膜を、その表面が前記第１
の磁性膜の表面と同一平面となるように研磨するのが好
適である。さらに、磁気抵抗素子および第３の磁性膜を
形成した後、第１の非磁性膜の上に第２の非磁性膜を形
成し、少なくともこの第２の非磁性膜を、その表面が前
記第３の磁性膜の表面と同一平面となるように研磨する
のが好適である。
【００４３】このように記同一平面とした第３の磁性膜
表面および前記第２の非磁性膜の表面上に、前記ライト
ギャップ膜を平坦に形成し、この平坦なライトギャップ
膜の表面上に、前記第４の磁性膜を平坦に形成するのが
好適である。
【００４４】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、前記第３の磁性膜の磁極部分
をマスクとしてリアクティブイオンエッチによってライ
トギャップ膜をエッチングして磁極部分を形成し、さら
に、第３の磁性膜およびライトギャップ膜の磁極部分を
マスクとして、第４の磁性膜の表面をイオンビームエッ
チングしてこれらの磁極部分の幅にほぼ等しい幅を持っ
たトリム構造を形成するのが好適である。このように形
成する場合には、他方のポールを構成する第４の磁性膜
の磁極部分の幅と、ポールチップを構成する第３の磁性
膜のトリム構造部分の幅とがほぼ一致するので、これら
の間での磁束の漏れを抑止することができ、実効トラッ
ク幅を狭くすることができ、面記録密度を高くすること
ができる。
【００４５】さらに、種々の特性を有する複合型薄膜磁
気ヘッドに共通の共通薄膜磁気ヘッドユニットを多数製
造してストックしておく本発明による製造方法において
は、前記磁気抵抗素子のＭＲハイトが所望の値であるに
も拘らず、前記凹部の端縁をスロートハイト零の基準位
置とするスロートハイトが所望の値よりも長くなる場合
には、前記第３の磁性膜を形成した後、前記凹部の上方
に非磁性膜を、その表面が第３の磁性膜の表面よりも高
く、その端縁が凹部の端縁よりもエアベアリング面側に
突出するように形成し、前記第３の磁性膜の表面および
この非磁性膜の表面に前記ライトギャップ膜および第４
の磁性膜を段差を含むように形成し、この非磁性膜の端
縁をスロートハイト零の基準位置としてエアベアリング
面を研磨するのが好適である。
【００４６】また、前記凹部内に形成した薄膜コイルだ
けでは、所望のＮＬＴＳ特性を得ることができない場合
には、前記凹部に形成した薄膜コイルの上方に追加の薄
膜コイルを絶縁膜によって絶縁分離された状態で形成す
るのが好適である。
【００４７】さらに、前記磁気抵抗素子のＭＲハイトが
所望の値であるにも拘らず、前記凹部の端縁をスロート
ハイト零の基準位置とするスロートハイトが所望の値よ
りも長くなる場合には、前記追加の薄膜コイルを支持す
る絶縁膜を、その表面が第３の磁性膜の表面よりも高
く、その端縁が凹部の端縁よりもエアベアリング面側に
突出するように形成し、前記第３の磁性膜の表面および
この絶縁膜の表面に前記ライトギャップ膜および第４の
磁性膜を段差を含むように形成し、この非磁性膜の端縁
をスロートハイト零の基準位置としてエアベアリング面
を研磨するのが好適である。
【００４８】さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ド用共通ユニットにおいては、前記第１の磁性膜の表
面、第２の磁性膜の端面および絶縁膜の表面を同一平面
とするのが好適である。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、図１３〜２７を参照して本
発明による複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法の
第１の実施例を説明する。なお、これらの図面において
は、断面図をＡで示し、正面図をＢで示した。アルティ
ック（AlTiC ）より成る基体本体２１の一方の表面に、
約１０μm の膜厚でアルミナより成る絶縁膜２２を形成
した様子を図１３に示す。これら、基体本体２１および
絶縁膜２２を、本明細書においては、基体またはウエフ
ァ２３と称する。また、本明細書において、絶縁膜と
は、少なくとも電気的な絶縁特性を有する膜を意味して
おり、非磁性特性はあってもなくても良い。しかし、一
般には、アルミナのように、電気絶縁特性を有している
とともに非磁性特性を有する材料が使用されているの
で、絶縁膜と、非磁性膜とを同じ意味に使用する場合も
ある。
【００５０】次に、基体２３の絶縁膜２２の上に、磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する一方のシールドを構
成する第１の磁性膜２４を、凹部を形成すべき部分に開
口２４ａを有する所定のパターンにしたがって形成し、
この第１の磁性膜２４をマスクとして、リアクティブイ
オンエッチをおこなって、絶縁膜２２の表面に凹部２５
を形成した様子を図１４に示す。なお、図１４に示すよ
うに、凹部２４の中央には、絶縁膜２２の一部が島状に
残っており、その頂面には、絶縁膜が形成されている。
このような構造は、後に他方のポールを形成するとき
に、一方のポールと連結するのに必要なものである。
【００５１】本例では、上述した第１の磁性膜２４の材
料をパーマロイとし、メッキ法によって形成する。ま
た、リアクティブイオンエッチングで使用するエッチン
グガスとしては、BCl3, Cl2, CF4, SF6 などがある。こ
のようなリアクティブイオンエッチングによれば、比較
的短時間で、５μm 以上の深い凹部２５を正確に形成す
ることができる。本例では、凹部２５の深さは、７〜８
μm とする。本例においては、凹部２５の側面の角度に
よって誘導型薄膜磁気ヘッドのアペックスアングルが決
まるが、この側面の角度は、４５〜７５°、特に５５〜
６５°の範囲とするのが好適であり、本例では、ほぼ６
０°とする。
【００５２】次に、一方のポールを形成するために、第
１の磁性膜２４の表面に、所定のパターンにしたがって
フォトレジスト膜より成るマスクを形成し、第１の磁性
膜を選択的にエッチングした様子を図１５に示す。この
エッチング工程により、上述した島状の絶縁膜２２の上
に形成されていた第１の磁性膜２４は除去される。
【００５３】本例では、凹部２５を形成するときのマス
クとして使用した第１の磁性膜２４を所望のパターンに
エッチングして一方のシールドを形成したが、凹部を形
成する際のマスクを、金属または基化合物膜で形成し、
凹部の形成後にこれを除去した後、所定のパターンにし
たがって第１の磁性膜を形成することもできる。
【００５４】次に、図１６に示すように、凹部２５の内
面および第１の磁性膜２４の上に、アルミナより成る絶
縁膜２６を、０．３〜０．５μm の膜厚に形成し、さら
にその上に、一方のポールの一部を構成する第２の磁性
膜２７を、約４μm の膜厚に、所定のパターンにしたが
って形成し、さらにその上にアルミナより成る絶縁膜２
８を、０．５〜１μm の膜厚に形成する。このように第
２の磁性膜２７を所定のパターンにしたがって形成した
平面の様子を図１７に示す。なお、この図１７において
は、第２の磁性膜２７の上に形成されている絶縁膜２８
は省くとともに、後に形成される誘導型薄膜磁気ヘッド
の薄膜コイルや一方のポールおよび他方のポールを仮想
線で示した。なお、実際の製造では、多数の複合型薄膜
磁気ヘッドをウエファ上にマトリックス状に配列して形
成した後、ウエファを複数のバーに切断し、各バーの端
面を研磨してエアベアリング面を形成し、最後にバーを
切断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにして
いるので、図１７の状態では、端面が現れないが、説明
の便宜上、この端面を示している。したがって、図１３
〜１６やそれ以降の図面においても、この端面の正面図
をＢで示してある。
【００５５】次に、図１８に示すように、内面に絶縁膜
２６、第２の磁性膜２７および絶縁膜２８が形成された
凹部２５の内部に、絶縁膜２９によって絶縁分離された
状態で２層の薄膜コイル３０を形成する。この薄膜コイ
ル３０の形成の際には、２００〜２５０℃のアニール処
理が施され、表面の平坦化が行われる。
【００５６】次に、図１９に示すように、全体の表面
に、アルミナより成る絶縁膜３１を３〜４μm の膜厚に
形成する。この絶縁膜３１は、アルミナの代わりに、シ
リコン酸化膜で形成しても良い。次に、化学機械的研磨
（ＣＭＰ）を施して絶縁膜３１の表面を平坦化し、第１
の磁性膜２４の表面を露出させるとともに、絶縁膜３１
の表面を第１の磁性膜の表面と同一平面として状態を図
２０に示す。このような処理を行なうことにより、当初
は４μm 程度あった第１の磁性膜２４の膜厚は、３μm
程度になる。また、この状態では、第２の磁性膜２７の
端縁は表面に露出している。
【００５７】本発明においては、図２０に示した構造
を、種々の特性を有する複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
るために共通に使用することができる薄膜磁気ヘッド用
共通ユニットと称し、予め多数の複合型薄膜磁気ヘッド
用共通ユニットを製造してストックしておき、ユーザの
要望に応じた特性を有する複合型薄膜磁気ヘッドをこの
ユニットを出発材料として製造することができる。これ
によって、ユーザの多様な要求に適切に対応することが
でき、しかも迅速に複合型薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
【００５８】続いて、図２１に示すように、内部にＭＲ
膜３２を埋設したシールドギャップ膜３３を、第１の磁
性膜２４の上に形成する。これは、０．１μm 程度のア
ルミナ膜を形成した後、ＡＭＲ素子またはＧＭＲ素子を
構成するＭＲ膜３２を所定のパターンにしたがって形成
し、ＭＲ膜に対するリードパターン（図示せず）を形成
した後、アルミナ膜を０．１μm の膜厚に形成して行な
う。図２１では、図面を明瞭とするために、これらアル
ミナ膜を一体のシールドギャップ膜３３として示した。
また、ＭＲ膜３２は、第１の磁性膜２４上の、後に磁極
部分が形成される領域にのみ形成されているが、シール
ドギャップ膜３３は全面に形成されている。
【００５９】次に、第２の磁性膜２４の端面および島状
部分の上に形成された部分の上のシールドギャップ膜３
３を選択的に除去する。この処理は、リフトオフプロセ
スで行なうこともできるが、本例では、フォトリソグラ
フィ技術を利用し、BCl3系のガスを用いたリアクティブ
イオンエッチングでシールドギャップ膜３３のアルミナ
を選択的に除去して行なう。
【００６０】その後、図２２に示すように、凹部の端縁
において第２の磁性膜２７と連結されるように、第３の
磁性膜３４を形成する。本例では、この第３の磁性膜３
４を、メッキ法によってパーマロイを、約３．５μm の
膜厚に堆積して形成する。次に、全体の表面に、アルミ
ナより成る絶縁膜３５を数μm の膜厚に形成し、ＣＭＰ
によって平坦に研磨して、第３の磁性膜３４を露出させ
た様子を図２３に示す。ここでも、第３の磁性膜３４の
一部分がエッチングされるようなオーバーエッチングを
行うので、第３の磁性膜の膜厚は、約３μm となり、同
時に島状部分の上に形成されている第３の磁性膜の表面
も露出することになる。
【００６１】次に、表面全体にアルミナより成るライト
ギャップ膜３６を、１５０〜２００ｎｍの膜厚に形成
し、前記島状部分のライトギャップ膜を選択的に除去し
てその下側の第３磁性膜３４を露出させた後、他方のポ
ールを構成する第４の磁性膜３７を所定のパターンにし
たがって、約３μm の膜厚に形成した様子を図２４に示
す。この第４の磁性膜３７の磁極部分の幅は狭くなって
いる。また、この第４の磁性膜３７は、上述した島状部
分の上に形成された第３の磁性膜３４と接触し、この第
３の磁性膜は第２の磁性膜と連結されているので、薄膜
コイル３０の一部分を囲む磁気回路が構成されることに
なる。
【００６２】次に、第４の磁性膜３７の磁極部分をマス
クとしてリアクティブイオンエッチングを施して周囲の
ライトギャップ膜３６を除去した状態を、図２５および
２６に示す。このように、リアクティブイオンエッチン
グにより、ライトギャップ膜３６を除去することによ
り、短時間でエッチングを行なうことができ、したがっ
てこのエッチングの際の第４の磁性膜３７の膜減りは少
ないものとなる。
【００６３】次に、第４の磁性膜３７およびライトギャ
ップ膜３６の磁極部分をマスクとしてイオンビームエッ
チング、本例ではイオンミリングによって第３の磁性膜
３４の表面を部分的にエッチングして、トリム構造を形
成した様子を図２７に示す。このように、第４の磁性膜
３７およびライトギャップ膜３６の磁極部分をマスクと
して第３の磁性膜３４の表面にトリム構造を形成するこ
とにより、このトリム構造と、第４の磁性膜によって形
成される他方のポールとは、常に正確に整合したものと
なり、磁束の漏れを有効に抑制することができる。ま
た、第３の磁性膜３４のエッチングにイオンビームエッ
チングを用い、そのエッチング角度を適切に選択するこ
とにより、トリム構造の側面の形状を良好に形成するこ
とができる。
【００６４】さらに、表面全体の上に、保護用のオーバ
ーコート膜３９として、アルミナを３〜５μm の膜厚に
堆積させて形成した後、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コ
イル３０に接続された接点パッドおよび磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜３２に接続された接点パッドを
露出させるためのエッチングを行なう。本例では、第４
の磁性膜３７は平坦であるので、上述したように薄いオ
ーバーコート膜３９で良いので、上述した接点パターン
を露出させるためのエッチングは、イオンミリングやア
クティブイオンエッチングにより短時間で容易に行なう
ことができる。しかし、従来の複合型薄膜磁気ヘッドで
は、厚いオーバーコート膜が必要であるので、接点パッ
ドを露出させるためのエッチングに長時間を要するとい
う問題があった。
【００６５】上述したようにしてウエファ２３に複合型
薄膜磁気ヘッドの各構成要素を形成した後、ウエファを
切断して、多数の複合型薄膜磁気ヘッドが配列されたバ
ーを形成し、このバーの端面を研磨してエアベアリング
面を形成した後、個々の複合型薄膜磁気ヘッドに切断す
る。本例においては、このエアベアリング面を研磨する
際に、凹部２５の端縁を、スロートハイト零の基準位置
とし、この位置は製造工程中に変化することがないの
で、スロートハイトやＭＲハイトを正確に所望の値とす
ることができる。さらに、アペックスアングルは凹部２
５の側面の傾斜角で決まり、この傾斜角は凹部を形成す
る際に正確に所望の角度とすることができ、しかもこの
角度も製造工程中変化することがないので、所望のアペ
ックスアングルを正確に有する誘導型薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。このような効果によって、本発明に
よる複合型薄膜磁気ヘッドは十分な微細化が、特性を劣
化させることなく可能となる。さらに、２５０℃程度の
熱処理が必要な薄膜コイル３０の形成を行った後に、Ｍ
Ｒ膜３２を形成するので、ＭＲ膜の特性が熱処理による
影響を受けることがなく、特に高い感度を有するが熱に
弱いＧＭＲ膜を使用する場合に有利となる。
【００６６】次に、図２８〜３２を参照して本発明によ
る複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法の第２の実
施例を説明する。以下の実施例において、上述した第１
の実施例に示したものと同様の部分には同じ符号を付け
て示した。
【００６７】本例において、図２８に至るまでの工程
は、第１の実施例の図１３〜２１までの工程とほぼ同じ
である。本例においては、エアベアリング面の近傍の領
域にＭＲ膜３２を埋設したシールドギャップ膜３３を全
面に形成し、第２の磁性膜２７の端縁および島状部分の
シールドギャップ膜を選択的に除去した後、第３の磁性
膜３４を、その内側縁が第２の磁性膜２７の内側縁を越
えて内方に延在するように形成する。第１の実施例で
は、第３の磁性膜は、その内側縁が、第２の磁性膜の内
側表面と一致するように整列されている。
【００６８】第３の磁性膜３４を本実施例のように形成
することにより、第２の磁性膜２７の端面と第３の磁性
膜３４との接合のためのフォトリソグラフィの位置合わ
せに余裕ができるので、製造が容易となる利点がある。
しかしながら、一方では、スロートハイト零の基準位置
が、凹部２５の端縁よりも内側にシフトするので、スロ
ートハイトが長くなる。このようにスロートハイトが長
くなる場合に、エアベアリング面の研磨量を多くしてス
ロートハイトを短くすることも考えられるが、このよう
にするとＭＲハイトが必要な値よりも小さくなってしま
う場合がある。
【００６９】本実施例では、このような問題を解決する
ために、図２９に示すように、凹部２５の表面にあるシ
ールドギャップ膜３３の上に絶縁膜４１を形成した後、
ＣＭＰによって平坦化して第３の磁性膜３４の表面と同
一平面とし、さらに絶縁膜４２を、その表面が、第３の
磁性膜３４の表面よりも上方に突出するとともにその端
縁が凹部の端縁よりもエアベアリング面側に突出するよ
うに形成する。本例では、これらの絶縁膜４１および４
２をフォトレジスト膜で形成するが、シリコン酸化膜な
どのような他の絶縁膜で形成しても良い。
【００７０】続いて、図３０に示すように、第３磁性膜
３４の表面から絶縁膜４２の表面まで段差を含むように
延在するライトギャップ膜３６を形成し、さらにその上
に第４の磁性膜３７を形成する。このように第４の磁性
膜３７を形成した状態をず３１の平面図に示す。なお、
図３１に示すように、本例では、第１の磁性膜２４は凹
部２５の周縁全体を囲まずに、エアベアリング面と対向
する側の一部分の端縁までしか形成されていない。ま
た、図３１では、上述したように、第３の磁性膜３４
が、凹部２５の端縁を越えて内方に延在している状態が
示されている。
【００７１】次に、第４の磁性膜３７の磁極部分をマス
クとしてライトギャップ膜３６をエッチングし、さらに
第３の磁性膜３４の表面をエッチングしてトリム構造を
形成した後、表面全体にオーバーコート膜３９を形成し
た状態を図３２に示す。上述したように、本例において
は、誘導型薄膜磁気ヘッドのスロートハイト零の基準位
置が、凹部２５の端縁ではなく、それよりもエアベアリ
ング面側に突出する絶縁膜４２の端縁によって規定され
るので、スロートハイトを短くすることができ、しかも
ＭＲハイトは何ら短くなることはない。
【００７２】次に、図３３〜４０を参照して本発明によ
る複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法の第３の実
施例を説明する。複合型薄膜磁気ヘッドの誘導型薄膜磁
気ヘッドの特性の一つにＮＬＴＳ特性と呼ばれるものが
あるが、これは誘導型薄膜磁気ヘッドの効率を決める特
性であり、薄膜コイルの巻回するに関連するものであ
る。本発明では、上述したように基体に形成した凹部内
に薄膜コイルを形成するが、これだけでは所望のＮＬＴ
Ｓ特性が得られない場合がある。また、ユーザが要求す
る仕様が、通常のＮＬＴＳ特性では満足されない場合も
ある。本発明では、このようにコイルの巻回刷数が不足
する場合には、上述したように凹部に形成した薄膜コイ
ルの上方に追加の薄膜コイルを形成することができる。
本実施例は、このように追加の薄膜コイルを形成するも
のである。
【００７３】本例における図３３に至るまでの工程は、
第１の実施例の図１３〜２２までの工程とほぼ同様であ
る。本例では、第３の磁性膜３４を所定のパターンにし
たがって形成した後、凹部２５の表面にあるシールドギ
ャップ膜（図２２の３３）を選択的に除去した後、第３
層目の薄膜コイル５１を形成した後、コイルの巻回体の
間にシリコン酸化膜より成るＳＯＧ（Spin-on-Glass ）
膜５２を充填して絶縁分離する。さらにその後に、全体
の表面にアルミナより成る絶縁膜５３を、４〜６μm の
膜厚に形成した様子を図３３に示す。
【００７４】次に、ＣＭＰにより絶縁膜５３の表面を平
坦化し、第３の磁性膜３４の表面も研磨されるようにオ
ーバーエッチングを起こった状態を図３４に示す。この
オーバーエッチングによって、際３の磁性膜３４の膜厚
は、３μm 程度み減少する。このようにして、第３の磁
性膜３４の表面および絶縁膜５３の表面が同一平面とな
るように平坦化された表面が得られる。この平坦化処理
によって、後に形成する第４の薄膜コイルと接触される
第３の薄膜コイルの一部分も露出することになるが、第
３の薄膜コイルのこの接続部分は図面には示されていな
い。
【００７５】次に、平坦化された絶縁膜５３の表面の上
に絶縁膜５４によって絶縁分離された第４層目の薄膜コ
イル５５を形成した様子を図３５に示す。この絶縁膜５
４は、絶縁膜２９と同様に、フォトレジスト膜を以て形
成し、平坦化のために２５０℃程度でアニールする。続
いて、図３６に示すように、第３の磁性膜３４の表面お
よび絶縁膜５４の表面に、アルミナより成るライトギャ
ップ膜３６を１５０〜２５０ｎｍの膜厚に形成し、島状
部分のライトギャップ膜を選択的に除去して開口を形成
する。
【００７６】さらに、図３７に示すように、その上に第
４の磁性膜３７を形成し、図３８に示すように、その磁
極部分をマスクとしてライトギャップ膜３６をエッチン
グし、続いて第３の磁性膜３４をエッチングしてトリム
構造を形成した様子を図３９に示す。さらに、全体の表
面にアルミナより成るオーバーコート膜３９を形成した
様子を図４０に示す。
【００７７】このように、本例においては、基体２３に
形成した凹部２５に形成した薄膜コイル３０、すなわ
ち、複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニットに予め形成し
た薄膜コイルだけでは所望のＮＬＴＳ特性が得られない
場合に、この薄膜コイルの上方に第３および第４層目の
薄膜コイル５１および５５を形成することができる。ま
た、このように４層の薄膜コイルを設けても、その半分
以上は凹部内に形成されているので、基体表面からの高
さはそれほど高くならず、したがって従来のように厚い
絶縁膜が形成されることはなく、スロートハイト零の基
準位置がずれたりする恐れは小さい。また、オーバーコ
ート膜の膜厚のそれほど厚くする必要はないので、基体
に不所望な応力が加わることもない。さらに、本例にお
いても、上述した第２の実施例と同様に、スロートハイ
ト零の基準位置は凹部の端縁ではなく、第４層目の薄膜
コイル５５を絶縁分離した状態で支持する絶縁膜５４の
端縁によって決まり、この絶縁膜５４の端縁は、凹部の
端縁よりもエアベアリング面側に突出しているので、Ｍ
Ｒハイトに影響を与えることなく、スロートハイトを短
くすることができる。
【００７８】図４１〜４５は、本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドおよびその製造方法の第４の実施例を示すも
のである。上述した各実施例においては、基体２３とし
て、アルティック基体本体２１の上にアルミナ絶縁膜２
２を積層した構造とし、凹部２５をこの絶縁膜２２にの
み形成したが、本例においては、アルティック基体本体
２１の表面に、膜厚が、０．５〜１μm 程度のアルミナ
絶縁膜６１を形成し、その上に第１の磁性膜２４を所定
のパターンにしたがって形成する。
【００７９】次に、第１の磁性膜２４をマスクとしてリ
アクティブイオンエッチングを施し、絶縁膜６１および
アルティック基体本体２１にも達するように凹部２５を
形成した様子を図４２に示す。さらに、本例において
は、凹部２５の内面にアルミナ絶縁膜６２を、０．５〜
１μm の膜厚で一様に形成し、さらに、この絶縁膜６２
の上に、第１の実施例において図１６で示したように絶
縁膜２６を形成する。以後の工程は、図１６〜２７に示
した第１の実施例の工程と同様であり、最終的に図４５
に示す構造が得られる。
【００８０】本例では、アルティック基体本体２１の上
に薄い絶縁膜６１を成膜した基体を用い、アルティック
基体本体にまで達するように凹部２５を形成する点が、
前例とは相違している。本発明によれば、基体の構造と
しては、上述した絶縁膜６１を省いて、アルティック基
体本体２１のみとすることもできる。また、その材料も
種々のものを使用することができる。
【００８１】図４６は、本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの第５の実施例を示すものである。上述した各実施
例では、第１の磁性膜２４は、凹部の端縁まで延在する
ものとしたが、本例では、凹部の側面まで延在させてい
る。それ以外の構造は、第１の実施例の構造と同様であ
る。また、本発明では、このように第１の磁性膜２４
は、凹部の側面あるいは底面まで延在させることもでき
る。第１の磁性膜２４をこのように構成することによっ
て、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する磁気シール
ド効果が向上し、したがって、特に外部磁場が厳しい環
境で使用する場合に好適である。
【００８２】本例のように、第１の磁性膜２４を凹部２
５の内面まで延在するように形成する方法としては、前
例と同様に第１の磁性膜をマスクとして凹部を形成した
後、この第１の磁性膜と連続するように磁性膜を凹部内
面に形成する方法や、金属または金属化合物膜をマスク
として凹部を形成した後、この金属または金属化合物膜
を除去し、第１の磁性膜２４を凹部の側面または底面ま
で延在するように形成する方法などがある。この場合の
金属または金属化合物膜として、第１の磁性膜と同様に
パーマロイを用いることもできるが、銅、ニッケル、ク
ロムなどの金属またはその化合物を用いることもでき
る。
【００８３】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例において、第１、第２および第４の
磁性膜を、NiFe(20%,80%) のパーマロイで形成し、第２
の磁性膜を、それよりも飽和磁束密度の高いNiFe(50%,5
0%) のパーマロイで形成したが、第３の磁性膜は、チッ
化鉄(FeN) 、Fe-Co-Zrのアモルファスのような高飽和磁
束密度を有する磁性材料で形成しても良い。また、これ
らの材料を２種類以上重ねて使用することもできる。第
１〜第４の磁性膜を、すべて同じパーマロイを以て形成
することもできるが、一般に高飽和磁束密度を有する磁
性材料は酸化され易く、取扱いが厄介であるので、これ
を第３の磁性膜にのみ使用することはメリットがある。
さらに、上述した実施例で示した各種部材の材料、膜
厚、形成方法あるはエッチング方法は上述した実施例で
説明したものに限られるものではなく、当業者にとって
自明の範囲内において適宜選択することができる。
【００８４】
【発明の効果】上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法並びに複合型薄膜磁気ヘッド用
共通ユニットによれば、性能の向上および歩留りの向上
を図ることができる。その理由は、磁極部分を構成する
第３の磁性膜として、飽和磁束密度の高い磁性材料を用
いることができるので、薄膜コイルで発生される磁束が
途中で飽和することがなく、有効に書き込み領域に到達
し、磁束の損失が少なくなるためである。本発明による
その他の利点を要約すると以下の通りである。
【００８５】図１１に示した従来の複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、ポールチップと他方のポールとの２重構
造になっているのに対し、本発明ではそのような２重構
造となっていないので、書き込みが行われる磁極部分に
おいて、幅の広い他方のポールがエアベアリング面で露
出していないため、従来のようなサイドライトのような
不所望な現象が生じない。したがって、実効トラック幅
が増大するようなことがなく、隣接トラックへの書き込
みといった不具合も生じない。
【００８６】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの上に誘導
型薄膜磁気ヘッドが形成された通常の構造を有している
にも拘らず、薄膜コイルの全部または半分以上を形成し
た後に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのＭＲ膜を形成
することができるので、ＭＲ膜の特性が熱処理や吸湿な
どによって劣化することがなくなり、特に熱に弱いＧＭ
Ｒ膜を有利に使用することができる。
【００８７】上記の利点と関連し、ＭＲ膜を形成した後
のプロセスが少ないため、ハンドリング等によって静電
気破壊が発生する可能性が著しく小さくなる。
【００８８】従来の複合型薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ膜
から引き出される電極パターンと、一方のシールドおよ
び他方のシールドとの間は、０．１〜０．２μm 程度の
アルミナ絶縁膜より成るシールドギャップ膜によって絶
縁性が保たれているが、一般にこのアルミナ膜はスパッ
タリングによって形成されており、ピンホールやパーテ
ィクルのために、絶縁性が悪く、そのために多くの不良
品が発生していた。本発明では、電極パターンが薄いシ
ールドギャップ膜と接触している面積はきわめて小さ
く、それ以外の接触部は厚いアルミナ膜で構成されてい
るので、絶縁不良の可能性はきわめて小さい。
【００８９】また、本発明において、薄膜コイルの全部
を凹部内に形成した実施例では、誘導型薄膜磁気ヘッド
のスロートハイト零の基準位置およびアペックスアング
ルは、製造中に変化しない凹部の端縁および側面の傾斜
角によって規定されるので、所望のスロートハイトおよ
びアペックスアングルを正確に有する誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができる。
【００９０】さらに、凹部に薄膜コイルを形成し、表面
を平坦化した後、ライトギャップ膜および第４の磁性膜
を平坦に形成できるので、これらの磁極部分を正確に微
細化でき、トラック幅を狭くすることができる。さら
に、このように平坦に形成できるので、オーバーコート
膜の膜厚を薄くすることができ、基体に不所望な応力が
加わることがないとともにＭＲ膜や薄膜コイルに電極パ
ターンを介して接続された接点パッドを露出させるため
の開口を、リアクティブイオンエッチングやイオンビー
ムエッチングのようなドライエッチングを利用して形成
することができ、プロセス時間を短縮することができ
る。
【００９１】また、薄膜コイルの全部を凹部内に形成し
ない場合でも、半分以上は凹部内に形成するので、薄膜
コイルの基体表面からの高さは従来の凹部を持たない複
合型薄膜磁気ヘッドの場合に比べて相当に低くすること
ができ、したがって磁極部分の微細化が可能となる。
【００９２】また、凹部から突出する薄膜コイルを絶縁
分離した状態で支持する絶縁膜の先端を、凹部の端縁よ
りもエアベアリング面側に突出させることにより、スロ
ートハイト零の基準位置がエアベアリング面に近づくの
で、スロートハイトを短くすることができる。この際
に、ＭＲハイトは全く影響を受けない利点もある。この
ような効果は、薄膜コイルの全部を凹部内に形成し、平
坦化表面に絶縁膜を盛り上げ、この絶縁膜の先端を凹部
端縁よりもエアベアリング面側に突出させた場合にも得
られるものである。
【００９３】本発明による複合型薄膜磁気ヘッド用共通
ユニットによれば、基体に一方のシールド、一方のポー
ルの一部分および薄膜コイルを形成したものを予め製造
し、ストックしておくことにより、ユーザの個々の要求
に応じた仕様の複合型薄膜磁気ヘッドを迅速に製造する
ことができ、注文から出荷までの日数を従来の半分以下
に短縮することができる。
【００９４】さらに、ユーザが要求する仕様を、凹部内
に形成した薄膜コイルだけでは満たすことができない場
合でも、その上に１層以上の薄膜コイルを追加すること
が容易にできるので、ユーザの多様な要求に迅速に対応
することができる。また、このように追加の薄膜コイル
を設ける場合でも、薄膜コイルの大部分は凹部内に形成
されているので、例えば、全体で４層の薄膜コイルを形
成しても、基体表面から突出する高さはそれほど高くな
らず、磁極部分の微細化に何ら影響を及ぼさない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】図２は、次の工程を示す断面図である。
【図３】図３は、次の工程を示す断面図である。
【図４】図４は、次の工程を示す断面図である。
【図５】図５は、次の工程を示す断面図である。
【図６】図６は、次の工程を示す断面図である。
【図７】図７は、次の工程を示す断面図である。
【図８】図８は、次の工程を示す断面図である。
【図９】図９は、次の工程を示す断面図である。
【図１０】図１０は、最終的に得られる複合型薄膜磁気
ヘッドを示す断面図である。
【図１１】図１１は、その磁極部分の断面図である。
【図１２】図１２は、その平面図である。
【図１３】図１３は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の第１の実施例における最初の工程を示す
断面図および正面図である。
【図１４】図１４は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１５】図１５は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１６】図１６は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１７】図１７は、そのときの平面図である。
【図１８】図１８は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図１９】図１９は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２０】図２０は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２１】図２１は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２２】図２２は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２３】図２３は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２４】図２４は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２５】図２５は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２６】図２６は、そのときの平面図である。
【図２７】図２７は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図２８】図２８は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の第２の実施例における途中の工程を示す
断面図および正面図である。
【図２９】図２９は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３０】図３０は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３１】図３１は、そのときの平面図である。
【図３２】図３２は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３３】図３３は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３４】図３４は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３５】図３５は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３６】図３６は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３７】図３７は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３８】図３８は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図３９】図３９は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図４０】図４０は、次の工程を示す断面図および正面
図である。
【図４１】図４１は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の第３の実施例における最初の工程を示す
断面図である。
【図４２】図４２は、次の工程を示す断面図である。
【図４３】図４３は、次の工程を示す断面図である。
【図４４】図４４は、次の工程を示す断面図である。
【図４５】図４５は、最終的に得られる複合型薄膜磁気
ヘッドを示す断面図および正面図である。
【図４６】図４６は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の第４の実施例を示す断面図および正面図
である。
【符号の説明】
２１ 基体本体、 ２２ 絶縁膜、 ２３ 基体、 ２
４ 第１磁性膜、 ２５凹部、 ２６ 絶縁膜、 ２７
第２磁性膜、 ２８ 絶縁膜、 ２９ 絶縁膜、 ３
０ 薄膜コイル、 ３１ 絶縁膜、 ３２ ＭＲ膜、
３３ シールドギャップ膜、 ３４ 第３の磁性膜、
３５ 絶縁膜、 ３６ ライトギャップ膜、 ３７ 第
４の磁性膜、 ３９ オーバーコート膜、 ４１ 絶縁
膜、 ４２ 絶縁膜、 ５１ 薄膜コイル、 ５２ Ｓ
ＯＧ膜、 ５３ 絶縁膜、 ５４絶縁膜、 ５５ 薄膜
コイル、 ６１ 絶縁膜、 ６２ 絶縁膜

Claims (46)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
    ッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層し
    た状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドであ
    って、 一方の面に凹部を有する基体と、 この基体の面に沿って、エアベアリング面を構成する端
    面から前記凹部の端縁近傍までまたは凹部の端縁を越え
    て凹部内面まで延在して、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
    ドに対する一方のシールドを構成する第１の磁性膜と、 この第１の磁性膜と磁気的に分離された状態で、前記凹
    部の内面の一部に沿って延在して誘導型薄膜磁気ヘッド
    の一方のポールの一部を構成する第２の磁性膜と、 前記凹部内に、絶縁膜によって絶縁分離された状態で少
    なくとも一部が形成され、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成
    する薄膜コイルと、 前記第１の磁性膜の、前記基体とは反対側の面に沿って
    延在するシールドギャップ膜中に、電気的および磁気的
    に絶縁分離された状態で配設された磁気抵抗素子と、 このシールドギャップ膜の、前記基体とは反対側の面に
    沿って延在し、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する
    他方のシールドを構成するとともに前記凹部内に形成さ
    れた第２の磁性膜と連結されて、誘導型薄膜磁気ヘッド
    の一方のポールの残部を構成する第３の磁性膜と、 少なくともこの第３の磁性膜の、前記基体とは反対側の
    面に沿って延在するライトギャップ膜と、 このライトギャップ膜の、前記基体とは反対側の面に沿
    って延在して前記第３の磁性膜と対向するとともにエア
    ベアリング面から離れた後方位置において前記第２の磁
    性層と磁気的に結合され、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方
    のポールを構成する第４の磁性膜と、を具えることを特
    徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル
    の一部を、前記凹部内に配設し、残部を、前記凹部の、
    前記基体とは反対側に配設したことを特徴とする請求項
    １に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル
    全体を、前記凹部内に配設したことを特徴とする請求項
    １に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記凹部の端縁を位置の基準として形成
    されたスロートハイトを有するとともに凹部の側面の傾
    斜角によって規定されたアペックスアングルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッドを具えることを特徴とする請求項３
    に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記アペックスアングルを規定する凹部
    の側面の傾斜角を４５〜７５°としたことを特徴とする
    請求項４に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記凹部の端縁を位置の基準として形成
    されたエアベアリング面を有することを特徴とする請求
    項４および５の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁性膜の、前記基体とは反対
    側の面と、前記凹部内に配設された薄膜コイルを絶縁分
    離する絶縁膜の、凹部底面とは反対側の面とを同一平面
    としたことを特徴とする請求項３〜６の何れかに記載の
    複合型薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記絶縁膜の、凹部底面とは反対側の面
    に沿って延在し、基体とは反対側の面が、前記第３の磁
    性膜の、基体とは反対側の面と同一平面となるように配
    設された非磁性膜を具えることを特徴とする請求項７に
    記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記同一平面とした第３の磁性膜の面お
    よび前記非磁性膜の面に沿って、前記ライトギャップ膜
    を平坦に延在させ、この平坦なライトギャップ膜の面に
    沿って、前記第４の磁性膜を平坦に延在させたことを特
    徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記絶縁膜の、凹部底面とは反対側の
    面に沿って延在し、基体とは反対側の面が、前記第３の
    磁性膜の、基体とは反対側の面よりも基体とは反対側に
    突出する非磁性膜を配設し、前記ライトギャップ膜を、
    前記第３の磁性膜の、基体とは反対側の面から前記非磁
    性膜の、基体とは反対側の面に亘って段差を含んで延在
    させ、前記第４の磁性膜を、このライトギャップ膜に沿
    って、前記段差に対応した段差を含むように延在させた
    ことを特徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッ
    ド。
  11. 【請求項１１】 前記非磁性膜を、前記第３の磁性膜
    の、基体とは反対側の面に沿って、前記凹部の端縁を越
    えてエアベアリング面側に突出するように配設したこと
    を特徴とする請求項１０に記載の複合型薄膜磁気ヘッ
    ド。
  12. 【請求項１２】 前記凹部の内面と、前記第２の磁性膜
    との間に介挿された非磁性膜を有し、前記第１の磁性膜
    をこの非磁性膜と当接するまで基体の表面を延在させた
    ことを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の複合
    型薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記第１の磁性膜を、前記凹部の側面
    と、この側面に沿って形成された前記非磁性膜の部分と
    の間を延在させたことを特徴とする請求項１２に記載の
    複合型薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 前記第１の磁性膜と基体表面との間に
    延在するとともに前記凹部の内面に沿って延在する第１
    の非磁性膜と、この第１の非磁性膜と前記第２の磁性膜
    との間に延在するとともに前記第１の磁性膜の内側縁と
    当接する第２の非磁性膜とを具えることを特徴とする請
    求項１〜１１の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第３の磁性膜の内側端縁を、前記
    第２の磁性膜の、第３の磁性膜との連結部分の内側端縁
    と整列させたことを特徴とする請求項１〜１４の何れか
    に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記第３の磁性膜の内側端縁を、前記
    第２の磁性膜の、第３の磁性膜との連結部分の内側端縁
    より内側に位置させたことを特徴とする請求項１〜１４
    の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 前記絶縁膜の、基体とは反対側の面に
    沿って、前記第３の磁性膜の、基体とは反対側の面より
    も基体とは反対側に突出して延在する別の絶縁膜を有
    し、前記ライトギャップ膜を、前記第３の磁性膜の、基
    体とは反対側の面から前記別の絶縁膜の、基体とは反対
    側の面に亘って段差を含んで延在させ、前記第４の磁性
    膜を、このライトギャップ膜に沿って、前記段差に対応
    した段差を含むように延在させたことを特徴とする請求
    項２に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】 前記別の絶縁膜の一部を、前記第３の
    磁性膜の、基体とは反対側の面に沿って、前記凹部の端
    縁を越えてエアベアリング面側に突出するように配設し
    たことを特徴とする請求項１７に記載の複合型薄膜磁気
    ヘッド。
  19. 【請求項１９】 前記エアベアリング面が、凹部の端縁
    を越えてエアベアリング面側に突出する前記別の絶縁膜
    の端縁を位置の基準として研磨されたものであることを
    特徴とする請求項１８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  20. 【請求項２０】 前記第４の磁性膜の、エアベアリング
    面から延在する少なくとも磁極部分の幅を、前記ライト
    ギャップ膜の幅にほぼ等しくしたことを特徴とする請求
    項１〜１９の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  21. 【請求項２１】 前記第３の磁性膜の磁極部分の、基体
    とは反対側の面に、前記ライトギャップ膜および第４の
    磁性膜の磁極部分の幅にほぼ等しい幅を持って形成され
    たトリム構造を有することを特徴とする請求項２０に記
    載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  22. 【請求項２２】 前記第３の磁性膜を、第２の磁性膜よ
    りも飽和磁束密度が高い材料で構成したことを特徴とす
    る請求項１〜２１の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッ
    ド。
  23. 【請求項２３】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
    ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層
    した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドを
    製造する方法であって、 基体の表面に凹部を形成する工程と、 この基体の表面に沿って、エアベアリング面を構成する
    端面から前記凹部の端縁近傍まで少なくとも延在して、
    磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する一方のシールド
    を構成する第１の磁性膜を形成する工程と、 この第１の磁性膜と磁気的に分離された状態で、前記凹
    部の内面の一部に沿って延在して誘導型薄膜磁気ヘッド
    の一方のポールの一部を構成する第２の磁性膜を形成す
    る工程と、 前記凹部内に、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜コ
    イルの少なくとも一部を、絶縁膜によって絶縁分離され
    た状態で形成する工程と、 前記第１の磁性膜の表面に沿って、電気的および磁気的
    に絶縁分離された状態で延在する磁気抵抗素子を形成す
    る工程と、 この磁気抵抗素子の表面に沿って延在し、磁気抵抗効果
    型薄膜磁気ヘッドに対する他方のシールドを構成すると
    ともに前記凹部内に形成された第２の磁性膜と連結され
    て、誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの残部を構成
    する第３の磁性膜を形成する工程と、 少なくともこの第３の磁性膜の表面に沿って延在するラ
    イトギャップ膜を形成する工程と、 このライトギャップ膜の表面に沿って延在して前記第３
    の磁性膜と対向するとともにエアベアリング面から離れ
    た後方位置において前記第２の磁性層と磁気的に結合さ
    れ、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを構成する第
    ４の磁性膜を形成する工程と、 エアベアリング面を研磨出しする工程と、を具えること
    を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記基体に凹部を形成する工程および
    前記第１の磁性膜を形成する工程が、前記基体の表面
    に、前記凹部に対応した開口を有するマスクとして作用
    する前記第１の磁性膜を形成する工程と、この第１の磁
    性膜をマスクとしてエッチングを施して基体表面に凹部
    を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２３に
    記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイ
    ルの一部を、前記凹部内に形成し、前記磁気抵抗素子お
    よび第３の磁性膜を形成した後、前記薄膜コイルの上方
    に残部を形成することを特徴とする請求項２３および２
    ４の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイ
    ル全体を、前記凹部内に形成することを特徴とする請求
    項２３および２４の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記凹部の端縁を位置の基準としてエ
    アベアリング面を研磨することにより、凹部の端縁を位
    置の基準とするスロートハイトを有し、凹部の側面の傾
    斜角によって規定されたアペックスアングルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッドを形成することを特徴とする請求項
    ２６に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記凹部内に薄膜コイルを形成した
    後、前記凹部内に配設された薄膜コイルを絶縁分離する
    絶縁膜上に第１の非磁性膜を形成し、少なくともこの第
    １の非磁性膜を、その表面が前記第１の磁性膜の表面と
    同一平面となるように研磨することを特徴とする請求項
    ２６および２７の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記第３の磁性膜を形成した後、前記
    第１の非磁性膜の上に第２の非磁性膜を形成し、少なく
    ともこの第２の非磁性膜を、その表面が前記第３の磁性
    膜の表面と同一平面となるように研磨することを特徴と
    する請求項２８に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  30. 【請求項３０】 前記同一平面とした第３の磁性膜表面
    および前記第２の非磁性膜の表面上に、前記ライトギャ
    ップ膜を平坦に形成し、この平坦なライトギャップ膜の
    表面上に、前記第４の磁性膜を平坦に形成することを特
    徴とする請求項２９に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  31. 【請求項３１】 前記第３の磁性膜を形成した後、前記
    第２の非磁性膜の上に、その表面が前記第３の磁性膜の
    表面よりも外方に突出するとともに、その端縁が凹部の
    端縁を越えてエアベアリング面側に突出するように第３
    の非磁性膜を形成し、前記ライトギャップ膜を、前記第
    ３の磁性膜の表面から前記第３の非磁性膜の表面に亘っ
    て段差を含んで延在するように形成し、前記第４の磁性
    膜を、このライトギャップ膜の表面に沿って、前記段差
    に対応した段差を含むように延在させて形成することを
    特徴とする請求項２９に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記凹部の内面に、前記第１の磁性膜
    と接触するように第４の非磁性膜を形成し、この第４の
    非磁性膜の上に、前記第２の磁性膜を形成することを特
    徴とする請求項２３〜３１の何れかに記載の複合型薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記第１の磁性膜を、少なくとも前記
    凹部の側面と、この側面に沿って形成された前記第４の
    非磁性膜の部分との間まで延在させて形成することを特
    徴とする請求項３２に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  34. 【請求項３４】 前記第３の磁性膜を、その内側端縁
    が、前記第２の磁性膜の、第３の磁性膜との連結部分の
    内側端縁と整列するように形成することを特徴とする請
    求項２３〜３３の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記第３の磁性膜を、その内側端縁
    が、前記第２の磁性膜の、第３の磁性膜との連結部分の
    内側端縁より内側に突出するように形成することを特徴
    とする請求項２３〜３４の何れかに記載の複合型薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記薄膜コイルの残部を、別の絶縁膜
    によって絶縁分離して、前記凹部内の絶縁膜の上に形成
    する際に、別の絶縁膜の表面が前記第３の磁性膜の表面
    よりも突出するように形成し、前記ライトギャップ膜
    を、前記第３の磁性膜の表面から前記別の絶縁膜の表面
    に亘って段差を含んで延在するように形成し、前記第４
    の磁性膜を、このライトギャップ膜に沿って、前記段差
    に対応した段差を含むように延在するように形成するこ
    とを特徴とする請求項２５に記載の複合型薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記別の絶縁膜を、前記第３の磁性膜
    の表面に沿って、前記凹部の端縁を越えてエアベアリン
    グ面側に突出するように形成することを特徴とする請求
    項３６に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記凹部の端縁を越えてエアベアリン
    グ面側に突出する別の絶縁膜の端縁を位置の基準として
    エアベアリング面を研磨することを特徴とする請求項３
    ７に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
  39. 【請求項３９】 前記第４の磁性膜を形成した後、その
    磁極部分をマスクとして、前記ライトギャップ膜を反応
    性イオンエッチング処理して、第４の磁性膜の磁極部分
    の幅とほぼ等しい幅の磁極部分を形成することを特徴と
    する請求項２３〜３８の何れかに記載の複合型薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  40. 【請求項４０】 前記第３の磁性膜の磁極部分および前
    記ライトギャップ膜の磁極部分をマスクとして、前記第
    ４の磁性膜の表面をイオンビームエッチングしてこれら
    の磁極部分の幅にほぼ等しい幅を持ったトリム構造を形
    成することを特徴とする請求項３９に記載の複合型薄膜
    磁気ヘッド。
  41. 【請求項４１】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
    ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層
    した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドを
    製造する方法であって、 凹部を形成した基体と、この基体の表面に沿って、エア
    ベアリング面を構成する端面から前記凹部の端縁近傍ま
    で少なくとも延在して、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    に対する一方のシールドを構成する第１の磁性膜と、こ
    の第１の磁性膜と磁気的に分離された状態で、前記凹部
    の内面の一部に沿って延在して誘導型薄膜磁気ヘッドの
    一方のポールの一部を構成する第２の磁性膜と、前記凹
    部内に、絶縁膜によって絶縁分離された状態で形成さ
    れ、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成する薄膜コイルの少な
    くとも一部とを具え、種々の特性を有する複合型薄膜磁
    気ヘッドに共通の共通薄膜磁気ヘッドユニットを多数製
    造してストックしておく工程と、 製造すべき複合型薄膜磁気ヘッドの特性に応じて、前記
    共通薄膜磁気ヘッドユニットに対して、 前記第１の磁性膜の表面に沿って、電気的および磁気的
    に絶縁分離された状態で延在する磁気抵抗素子を形成す
    る工程と、 この磁気抵抗素子の表面に沿って延在し、磁気抵抗効果
    型薄膜磁気ヘッドに対する他方のシールドを構成すると
    もに前記凹部内に形成された第２の磁性膜と連結され
    て、誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの残部を構成
    する第３の磁性膜を形成する工程と、 少なくともこの第３の磁性膜の表面に沿って延在するラ
    イトギャップ膜を形成する工程と、 このライトギャップ膜の表面に沿って延在して前記第３
    の磁性膜と対向するとともにエアベアリング面から離れ
    た後方位置において前記第２の磁性層と磁気的に結合さ
    れ、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを構成する第
    ４の磁性膜を形成する工程と、 エアベアリング面を研磨出しする工程と、を具えること
    を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  42. 【請求項４２】 前記磁気抵抗素子のＭＲハイトが所望
    の値であるにも拘らず、前記凹部の端縁をスロートハイ
    ト零の基準位置とするスロートハイトが所望の値よりも
    長くなる場合には、前記第３の磁性膜を形成した後、前
    記凹部の上方に非磁性膜を、その表面が第３の磁性膜の
    表面よりも高く、その端縁が凹部の端縁よりもエアベア
    リング面側に突出するように形成し、前記第３の磁性膜
    の表面およびこの非磁性膜の表面に前記ライトギャップ
    膜および第４の磁性膜を段差を含むように形成し、この
    非磁性膜の端縁をスロートハイト零の基準位置としてエ
    アベアリング面を研磨することを特徴とする請求項４１
    に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  43. 【請求項４３】 前記凹部内に形成した薄膜コイルだけ
    では、所望のＮＬＴＳ特性を得ることができない場合に
    は、前記凹部に形成した薄膜コイルの上方に追加の薄膜
    コイルを絶縁膜によって絶縁分離された状態で形成する
    ことを特徴とする請求項４１に記載の複合型薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  44. 【請求項４４】 前記磁気抵抗素子のＭＲハイトが所望
    の値であるにも拘らず、前記凹部の端縁をスロートハイ
    ト零の基準位置とするスロートハイトが所望の値よりも
    長くなる場合には、前記追加の薄膜コイルを支持する絶
    縁膜を、その表面が第３の磁性膜の表面よりも高く、そ
    の端縁が凹部の端縁よりもエアベアリング面側に突出す
    るように形成し、前記第３の磁性膜の表面およびこの絶
    縁膜の表面に前記ライトギャップ膜および第４の磁性膜
    を段差を含むように形成し、この非磁性膜の端縁をスロ
    ートハイト零の基準位置としてエアベアリング面を研磨
    することを特徴とする請求項４３に記載の複合型薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  45. 【請求項４５】表面に凹部を形成した基体と、この基体
    の表面に沿って、少なくともエアベアリング面を構成す
    る端面から前記凹部の端縁近傍まで延在して、磁気抵抗
    効果型薄膜磁気ヘッドに対する一方のシールドを構成す
    る第１の磁性膜と、この第１の磁性膜と磁気的に分離さ
    れた状態で、前記凹部の内面の一部に沿って延在して誘
    導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールの一部を構成する第
    ２の磁性膜と、前記凹部内に、絶縁膜によって絶縁分離
    された状態で形成され、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成す
    る薄膜コイルの少なくとも一部とを具え、種々の特性を
    有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造に共通に使用するこ
    とができる複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
  46. 【請求項４６】前記第１の磁性膜の表面、第２の磁性膜
    の端面および絶縁膜の表面を同一平面としたことを特徴
    とする請求項４５に記載の複合型薄膜磁気ヘッド用共通
    ユニット。
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