JP2005158192A

JP2005158192A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法、ならびに磁性層パターンの形成方法

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Publication number: JP2005158192A
Application number: JP2003398006A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Uejima; 聡史上島
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-11-27
Filing date: 2003-11-27
Publication date: 2005-06-16
Also published as: US20050118329A1; US7181827B2

Abstract

【課題】サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁束の放出部分としての磁極部分層を形成する際に、開口３３Ｋを画定する２つのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌが互いに異なる幅を有するようにフォトレジストパターン３３を形成し、そのフォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させることにより開口３３Ｋの幅をシード層１２に近づくにしたがって次第に狭めたのち、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成し、その前駆磁極部分層１３ＡＺを研磨してエアベアリング面を形成することにより、エアベアリング面に露出した露出面が左右非対象の逆台形状となるように磁極部分層を形成する。この露出面の形状的特徴的に基づき、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とが両立される。
【選択図】図７

Description

本発明は、磁性層パターンの形成方法、ならびにその磁性層パターンの形成方法を使用して少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

近年、磁気記録媒体（例えばハードディスク）の面記録密度の向上に伴い、磁気記録装置（例えばハードディスクドライブ）に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きをハードディスクの面内方向（長手方向）にする長手記録方式や、信号磁界の向きをハードディスクの面と直交する方向にする垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、ハードディスクの面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。

垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、この薄膜コイルにおいて発生した磁束をハードディスクに向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層とを備えている。この磁極層は、エアベアリング面に露出した露出面を有しており、この露出面は、例えば矩形状を有している。この薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルに電流が流れると、その薄膜コイルにおいて記録用の磁束が発生する。そして、磁極層からハードディスクに向けて磁束が放出されると、その磁束に基づいて発生した記録用の磁界（垂直磁界）によりハードディスクが磁化されるため、そのハードディスクに情報が磁気的に記録される。

垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの記録性能を向上させるためには、例えば、一般に「サイドイレーズ」と呼ばれる不具合の影響を可能な限り抑制する必要がある。このサイドイレーズとは、ハードディスク上の記録対象となるトラック（以下、単に「記録対象トラック」という。）に記録処理を施す際に、その記録対象トラックに隣接したトラック（以下、単に「隣接トラック」という。）にまで意図せずに記録処理が施される結果、その隣接トラックに既に記録されていた情報が上書きされて消去される現象である。

このサイドイレーズは、主に、薄膜磁気ヘッドのスキューに起因して発生する。このスキューとは、ハードディスクドライブの記録動作時にサスペンション（スライダを支持するステンレス製の板バネ）をトラック方向に移動させた際に、ハードディスクの回転方向、すなわちハードディスク上のトラックの延在方向に対して薄膜磁気ヘッドが僅かに傾いてしまう現象である。薄膜磁気ヘッドがスキューすると、磁極層のうちの記録対象トラックに対応した本来の記録箇所（トレーリングエッジ）以外の箇所に集中した磁束に基づいて余分な垂直磁界が発生するため、この余分な垂直磁界に起因して隣接トラックが上書きされてしまうのである。したがって、サイドイレーズに起因する悪影響を抑制するためには、例えば、スキューに起因するサイドイレーズの発生を抑制し得るように磁極層を設計する必要がある。

そこで、従来より、上記したスキューに起因するサイドイレーズの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドの構成や製造方法に関して、既にいくつかの技術が提案されている。

具体的には、例えば、露出面が矩形状に代えて左右対象の逆台形状を有する磁極層が知られており、この種の形状的特徴を有する磁極層を形成するための手法も併せて知られている。この形成手法では、加熱に伴うフォトレジストの変形作用を利用して、下方に向かって次第に幅が狭まるように開口が設けられたフォトレジストパターンを形成したのち、このフォトレジストパターンを使用して磁極層を形成している（例えば、特許文献１〜３参照。）。
特開２００２−１９７６１１号公報特開２００２−１９７６１３号公報特開２００２−１９７６１５号公報

図３７〜図４０は、上記した左右対称の逆台形状の露出面を有する従来の磁極層の形成工程を具体的に説明するためのものであり、いずれも完成後の薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に平行な断面構成を示している。

磁極層を形成する際には、まず、図３７に示したように、支持用の基体１０１上にシード層１０２を形成したのち、このシード層１０２の表面にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜１０３を形成する。続いて、磁極層の平面形状に対応した開口１０４Ｋを有するマスク１０４を使用し、フォトリソグラフィ処理でフォトレジスト膜１０３をパターニング（露光・現像）することにより、図３８に示したように、厚さ方向（図中のＺ軸方向）においてほぼ一定幅を有する開口１０５Ｋを含むようにフォトレジストパターン１０５を形成する。続いて、フォトレジストパターン１０５を加熱することにより、図３９に示したように、開口１０５Ｋの幅が基体１０１に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン１０５を変形させる。続いて、シード層１０２を使用し、フォトレジストパターン１０５の開口１０５Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、その開口１０５Ｋに前駆磁極層１０６Ｚをパターン形成する。続いて、フォトレジストパターン１０５を除去したのち、前駆磁極層１０６Ｚをマスクとしてシード層１０２を選択的にエッチングすることにより、図４０に示したように、そのシード層１０２の不要部分（前駆磁極層１０６Ｚにより覆われていない部分）を除去する。最後に、エアベアリング面となる側から前駆磁極層１０６Ｚを研磨してエアベアリング面を形成することにより、そのエアベアリング面に露出した露出面を有する磁極層が完成する。この磁極層の露出面は、図４０に示した前駆磁極層１０６Ｚの断面形状に対応した形状を有し、すなわち左右対象の逆台形状となる。

しかしながら、上記した左右対象の逆台形状の露出面を有する磁極層では、例えば、ハードディスクドライブの構造に基づいて決定されるスキュー角（＝磁極層の傾き角度）によっては、スキューに起因するサイドイレーズの発生を抑制させるために磁極層の露出面の形状を設計した場合に、その露出面の面積が小さくなりすぎると、サイドイレーズに起因する悪影響を抑制する観点において利点が得られる一方で、露出面の面積の減少に伴い、磁極層から放出される磁束の放出量が減少することに起因して記録用の磁界強度が低下するため、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つであるオーバーライト特性が劣化するおそれがある。このオーバーライト特性とは、ハードディスクに記録されていた情報に新たな情報を上書き（重ね書き）する特性をいう。したがって、薄膜磁気ヘッドの記録性能を安定に確保するためには、スキューに起因するサイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な磁極層の形成方法を確立する必要がある。この場合には、特に、薄膜磁気ヘッドの量産性を考慮して、既存の製造プロセスを使用して容易に磁極層を形成することが可能な形成方法を確立することが重要である。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、既存の製造プロセスを使用して薄膜磁気ヘッドを容易に製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

さらに、本発明の第３の目的は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供することにある。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、磁極層のうちの磁極部分を形成する工程が、下地層上に幅方向に対向配置されて開口を画定する第１および第２のフレーム部を有すると共にこれらの第１および第２のフレーム部が互いに異なる幅を有するようにフォトレジストパターンを形成する第１の工程と、フォトレジストパターンを加熱して下地層に近づくにしたがって次第に幅が広がるように第１および第２のフレーム部を変形させることにより、開口の幅を下地層に近づくにしたがって次第に狭まるようにする第２の工程と、フォトレジストパターンを使用して少なくとも開口に磁極部分を形成するための前駆磁極部分をパターン形成する第３の工程と、フォトレジストパターンを除去する第４の工程と、記録媒体対向面となる側から前駆磁極部分を研磨して記録媒体対向面を形成することにより、下地層上に記録媒体対向面に露出した露出面を有するように磁極部分をパターン形成する第５の工程とを含み、上記した露出面が、媒体進行方向側に位置して第１および第２の底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ媒体進行方向側と反対側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、第１および第２の底角が互いに異なる角度を有する台形状となるように磁極部分を形成したものである。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、本発明の磁性層パターンの形成方法を使用して磁極部分が形成されるため、既存の製造プロセスを使用して露出面が左右非対称の逆台形状となるように磁極部分が容易に形成される。

本発明に係る磁性層パターンの形成方法は、所定の延在方向に延在する磁性層パターンを形成する方法であり、下地層上に幅方向に対向配置されて開口を画定する第１および第２のフレーム部を有すると共にこれらの第１および第２のフレーム部が互いに異なる幅を有するようにフォトレジストパターンを形成する第１の工程と、フォトレジストパターンを加熱して下地層に近づくにしたがって幅が広がるように第１および第２のフレーム部を変形させることにより、開口の幅を下地層に近づくにしたがって次第に狭まるようにする第２の工程と、フォトレジストパターンを使用して開口に磁性層パターンを形成する第３の工程と、フォトレジストパターンを除去する第４の工程とを含み、延在方向の端面が、第１および第２の底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ一方の端縁に対向する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、第１および第２の底角が互いに異なる角度を有する台形状となるように磁性層パターンを形成したものである。

本発明に係る磁性層パターンの形成方法では、開口を画定する第１および第２のフレーム部が互いに異なる幅を有するようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンが加熱され、第１および第２のフレーム部が下地層に近づくにしたがって次第に幅が広がるように変形することにより、開口の幅が下地層に近づくにしたがって次第に狭められる。これにより、フォトレジストパターンの開口に、延在方向の端面が左右非対称の逆台形状となるように磁性層パターンが形成される。しかも、この磁性層パターンを形成する際には、既存の製造プロセスしか使用しない。

特に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法または磁性層パターンの形成方法では、磁極部分または磁性層パターンを形成する際に、幅方向において第１のフレーム部に対応して第１の底角が位置すると共に第２のフレーム部に対応して第２の底角が位置するようにし、第１の工程において、第１のフレーム部が第２のフレーム部よりも小さい幅を有するようにフォトレジストパターンを形成することにより、第１の底角が第２の底角の角度よりも大きい角度を有するようにしてもよいし、あるいは第１のフレーム部が第２のフレーム部よりも大きい幅を有するようにフォトレジストパターンを形成することにより、第１の底角が第２の底角の角度よりも小さい角度を有するようにしてもよい。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、本発明の磁性層パターンの形成方法を使用して露出面が左右非対称の逆台形状となるように磁極部分が形成される点に基づき、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。しかも、既存の製造プロセスを使用して薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。

本発明に係る磁性層パターンの形成方法によれば、既存の製造プロセスを使用して延在方向の端面が左右非対称の逆台形状となるように磁性層パターンを容易に形成することが可能な点に基づき、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

まず、図１および図２を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表し、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を拡大して表している。なお、図１中、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面を示し（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面を示している。図１および図２に示した上向きの矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を表している。

以下の説明では、図１および図２に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図３以降においても同様とする。

この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Ｄに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、例えば、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃；以下、単に「アルミナ」という）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-resistance）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１４とがこの順に積層された構成を有している。

再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。

下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面２０から後方に向かって延在している。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。

シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。

ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。

記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、補助磁極層８と、薄膜コイル１０を埋設したギャップ層９、ならびに連結部１１と、シード層１２と、ギャップ層９に設けられた開口９ＣＫにおいて連結部１１を介して補助磁極層８に磁気的に連結された主磁極層１３とがこの順に積層された構成を有している。なお、図２では、主に、主磁極層１３の斜視構成を表している。

補助磁極層８は、主磁極層１２から放出された磁束を記録媒体を経由して環流させるものである。この補助磁極層８は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。

ギャップ層９は、補助磁極層８上に配設され、開口９ＡＫが設けられたギャップ層部分９Ａと、このギャップ層部分９Ａ上に配設され、薄膜コイル１０の各巻線間よびその周辺領域を覆うギャップ層部分９Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂを覆うように配設され、開口９ＣＫが設けられたギャップ層部分９Ｃとを含んで構成されている。ギャップ層部分９Ａは、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜１．０μｍである。ギャップ層部分９Ｂは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁材料により構成されている。ギャップ層部分９Ｃは、例えばアルミナやシリコン酸化物などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さはギャップ層部分９Ｂの厚さよりも大きくなっている。

薄膜コイル１０は、記録用の磁束を発生させるものである。この薄膜コイル１０は、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されており、連結部１１を中心としてスパイラル状に巻回する巻線構造をなしている。なお、図１および図２では、薄膜コイル１０を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。

連結部１１は、補助磁極層８と主磁極層１３との間を磁気的に連結させるためのものであり、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。

シード層１２は、主磁極層１３のうちの後述する磁極部分層１３Ａを形成するために使用されるものであり、例えば、その磁極部分層１３Ａと同様の磁性材料により構成されている。なお、シード層１２を使用した磁極部分層１３Ａの形成工程に関しては後述する。

主磁極層１３は、薄膜コイル１０において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出するものである。この主磁極層１３は、エアベアリング面２０から後方に向かって延在しており、例えば、ギャップ層部分９Ｃのうちの前方部分上に配設された磁極部分層１３Ａと、この磁極部分層１３Ａの後方部分を周囲から覆うように配設されたヨーク部分層１３Ｂとを含んで構成されている。

磁極部分層１３Ａは、磁束の放出部分として機能するものである。この磁極部分層１３Ａは、例えば、ヨーク部分層１３Ｂよりも飽和磁束密度が大きい磁性材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜１．０μｍである。この磁極部分層１３Ａの構成材料としては、例えば、鉄および窒素を含む材料や、鉄、ジルコニアおよび酸素を含む材料や、鉄およびニッケルを含む材料などが挙げられ、より具体的にはパーマロイ（Ｎｉ：４５％，Ｆｅ：５５％）、窒化鉄（ＦｅＮ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄を含む合金（ＦｅＭ）、ならびに鉄およびコバルトを含む合金（ＦｅＣｏＭ）のうちの少なくとも１種が挙げられる。上記した構造式（ＦｅＭ，ＦｅＣｏＭ）中のＭは、例えば、ニッケル、窒素、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、珪素、アルミニウム、チタン（Ｔｉ）、ジルコニア、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅のうちの少なくとも１種である。

この磁極部分層１３Ａは、例えば、エアベアリング面２０側から順に、実質的な磁束の放出部分として機能し、記録媒体の記録トラック幅を規定する先端部１３Ａ１（磁極部分）と、この先端部１３Ａ１の後方に磁気的に連結された後端部１３Ａ２とを含んで構成されている。この先端部１３Ａ１の一端面（露出面）２０Ｍは、エアベアリング面２０に露出している。なお、露出面２０Ｍの構成を含む磁極部分層１３Ａの詳細な構成については後述する（図３参照）。

ヨーク部分層１３Ｂは、磁束の収容部分として機能するものである。このヨーク部分層１３Ｂは、例えば、耐食性に優れ、かつ磁極部分層１３Ａよりも高抵抗な磁性材料により構成されており、その厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。なお、例えば、ヨーク部分層１３Ｂの構成材料として、磁極部分層１３Ａの構成材料と同様の組成系のものを用いる場合には、その磁極部分層１３Ａよりもヨーク部分層１３Ｂにおいて飽和磁束密度を小さくするために、鉄の含有割合を少なめにするのが好ましい。このヨーク部分層１３Ｂは、エアベアリング面２０に露出しておらず、例えば、エアベアリング面２０から約１．５μｍ以上後退している。

次に、図１〜図３を参照して、磁極部分層１３Ａの詳細な構成について説明する。図３は、磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍの平面構成を拡大して表している。

図３に示したように、磁極部分層１３Ａを構成する先端部１３Ａ１の露出面２０Ｍは、トレーリング側に位置し、記録媒体の記録トラック幅を規定する幅Ｗ１を有する上端縁Ｅ１（一方の端縁）と、この上端縁Ｅ１に対向してリーディング側に位置し、上端縁Ｅ１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２（Ｗ２＜Ｗ１）を有する下端縁Ｅ２（他方の端縁）と、幅方向（Ｘ軸方向）に位置する２つの側端縁Ｅ３，Ｅ４とにより構成された四角形状を有している。すなわち、露出面２０Ｍは、２つの底角θＲ（第１の底角），θＬ（第２の底角）を規定する上端縁Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下端縁Ｅ２を互いに平行な一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、上記した２つの底角θＲ，θＬが互いに異なる角度を有する台形状（左右非対称の逆台形状）を有している（θＲ≠θＬ）。上記した上端縁Ｅ１は、情報の記録時に磁束が集中することにより実質的に記録処理が実行される箇所であり、いわゆる「トレーリングエッジ」である。確認までに、底角θＲは、上端縁Ｅ１と側端縁Ｅ３とに基づいて決定される角度であり、底角θＬは、上端縁Ｅ１と側端縁Ｅ４とに基づいて決定される角度である。図３では、例えば、底角θＲが底角θＬよりも大きい場合（θＲ＞θＬ）を示しており、具体的にはθＲ＝約８６°、θＬ＝約７６°である。これらの底角θＲ，θＬは、例えば、薄膜磁気ヘッドのスキューに起因するサイドイレーズの発生状況等に応じて適宜設定可能である。なお、上記した「トレーリング側」とは、図１〜図３に示した媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側（媒体進行方向Ｄ側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における上側をいう。これに対して、流れの流入する側（媒体進行方向Ｄ側と反対側）は「リーディング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における下側をいう。

なお、後端部１３Ａ２の幅は、例えば、後方において先端部１３Ａ１の上端幅Ｗ１よりも大きな一定幅（例えば２．０μｍ）を有しており、前方において先端部１３Ａ１に向かって狭まっている。

次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。

この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路を通じて記録ヘッド部１００Ｂの薄膜コイル１０に電流が流れると、その薄膜コイル１０において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、主に主磁極層１３に収容されてヨーク部分層１３Ｂから磁極部分層１３Ａへ流入し、先端部１３Ａ１の露出面２０Ｍから記録媒体へ向けて放出されたのち、その記録媒体を経由して補助磁極層８へ環流される。この際、先端部１３Ａ１から放出された磁束に基づいて記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界（垂直磁界）が発生し、この記録磁界により記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。

一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。

次に、図１〜図２４を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法として、図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図２４は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、図４〜図１３は断面構成を示し、図１４〜図２４は平面構成を示している。このうち、図１４〜図２３は、それぞれ図４〜図１３に示したＡ−Ａ線に沿った断面を示している。なお、本発明の「磁性層パターンの形成方法」は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程において磁極部分層１３Ａのうちの先端部１３Ａ１を形成するために適用されるものであるため、その「磁性層パターンの形成方法」に関しては以下で併せて説明する。

以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図２４を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（磁極部分層１３Ａ）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴に関して既に詳述した事項については、その説明を随時書略するものとする。

この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングやウェットエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６を埋設したシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に形成して積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、この分離層７上に、補助磁極層８と、薄膜コイル１０を埋設したギャップ層９（ギャップ層部分９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）、ならびにギャップ層９の開口９ＣＫに埋め込まれた連結部１１と、シード層１２と、主磁極層１３（磁極部分層１３Ａ，ヨーク部分層１３Ｂ）とをこの順に形成することにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１４を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。なお、上記した薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素は、正確には、一連の構成要素が積層された積層構造体が機械加工や研磨加工を使用して研磨されてエアベアリング面２０が形成されることにより、最終的に形成される。

磁極部分層１３Ａを形成する際には、まず、図４および図１４に示したように、ギャップ層部分９Ｃを含むギャップ層９を形成したのち、このギャップ層９上に、例えばスパッタリングを使用して、シード層１２（下地層）を約５０ｎｍの厚さとなるように形成する。このシード層１２を形成する際には、例えば、後工程において形成される前駆磁極部分層１３ＡＺ（図７および図１７参照）と同様の磁性材料を使用する。なお、シード層１２の形成手法としては、例えば、上記したスパッタリングに代えて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）などの他の成膜手法を使用することも可能である。

続いて、シード層１２の表面にフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストを必要に応じて加熱することにより、図４およびず１４に示したように、フォトレジスト膜３１を約０．５μｍの厚さとなるように形成する。このフォトレジスト膜３１を形成する際には、例えば、その形成厚さＴ１が後工程において形成される前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２（図７参照）よりも大きくなるように調整する（Ｔ１＞Ｔ２）。

続いて、図４および図１４に示したように、所定のパターン形状を有するマスク３２を使用し、フォトリソグラフィ処理でマスク３２のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜３１をパターニングする。このマスク３２としては、例えば、幅方向（Ｘ軸方向）に対向配置されて開口３２Ｋを画定する２つのフレーム部３２Ｒ，３２Ｌを有すると共にこれらのフレーム部３２Ｒ，３２Ｌが互いに異なる幅を有するパターン形状のものを使用し、より具体的には、開口３２Ｋが厚さ方向（Ｚ軸方向）においてほぼ一定幅を有すると共に後工程において形成される前駆磁極部分層１３ＡＺの平面形状に対応し、フレーム部３２Ｒの幅ＷＲがフレーム部３２Ｌの幅ＷＬよりも小さいものを使用する（ＷＲ＜ＷＬ）。

続いて、フォトリソグラフィ処理後のフォトレジスト膜３１を必要に応じて加熱したのち、そのフォトレジスト膜３１を現像し、すなわちフォトレジスト膜３１のうちの不要部分（非パターニング部分）を選択的に除去することにより、図５および図１５に示したように、シード層１２上に、磁極部分層１３Ａを形成するためのフォトレジストパターン３３を厚さＴ１となるように形成する。このフォトレジストパターン３３は、マスク３２の平面形状に対応する平面形状を有するように形成され、すなわち幅方向に対向配置されて開口３３Ｋを確定する２つのフレーム部３３Ｒ（第１のフレーム部），３３Ｌ（第２のフレーム部）を有すると共にそのフレーム部３３Ｒの幅ＷＲがフレーム部３３Ｌの幅ＷＬよりも小さなパターン形状を有するように形成される。これらのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの具体的な寸法としては、例えば、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲ＝１．８μｍ、フレーム部３３Ｌの幅ＷＬ＝７．５μｍとする。このフォトレジストパターン３３の構造（フレーム部３３Ｒの幅ＷＲ，フレーム部３３Ｌの幅ＷＬ）は、後工程において形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍのうちの底角θＲ，θＬ（図３参照）を規定することとなる。すわち、最終的に磁極部分層１３Ａが形成された場合には、幅方向においてフレーム部３３Ｒに対応して底角θＲが位置すると共に、フレーム部３３Ｌに対応して底角θＬが位置することとなり、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲに基づいて底角θＲが規定されると共に、フレーム部３３Ｌの幅ＷＬに基づいて底角θＬが規定される。具体的には、例えば、上記したように、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲがフレーム部３３Ｌの幅ＷＬよりも小さくなるようにフォトレジストパターン３３のパターン形状を設定した場合には、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍでは、底角θＲが底角θＬよりも大きくなる（θＲ＞θＬ）。

続いて、フォトレジストパターン３３を加熱して表層近傍部分を部分的に流動させることにより、図６および図１６に示したように、シード層１２に近づくにしたがって次第に幅が広がるようにフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させ、すなわちフレーム部３３Ｒ，３３Ｌのそれぞれの両側面３３ＲＭ，３３ＬＭをシード層１２の表面に対して傾斜させる。この加熱処理により、厚さ方向においてほぼ一定幅を有していた開口３３Ｋの幅（図５および図１５参照）が、フレーム部３３Ｒ，３３Ｌの幅の変化に応じて厚さ方向において変化し、すなわちシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まることとなる。この際、幅ＷＲ，ＷＬ間の差異に基づいてフレーム部３３Ｒ、３３Ｌの流動性に差異が生じ、すなわち相対的に小さい幅ＷＲを有するフレーム部３３Ｒが流動しにくいのに対して相対的に大きい幅ＷＬを有するフレーム部３３Ｌが流動しやすいため、加熱処理後におけるフレーム部３３Ｒの側面３３ＲＭの傾斜角ωＲとフレーム部３３Ｌの側面３３ＬＭの傾斜角ωＬとの間に差異が生じ、すなわち傾斜角ωＲが傾斜角ωＬよりも大きくなる（ωＲ＞ωＬ）。フォトレジストパターン３３を加熱する際には、例えば、窒素（Ｎ₂）雰囲気中において加熱処理を行うようにし、加熱温度＝約１３０℃、加熱時間＝約１０分間とする。ただし、この加熱温度や加熱時間は必ずしも上記した温度や時間に限定されるものではなく、自由に設定可能である。具体的には、加熱温度は、例えば、塗布処理から現像処理に至る一連の過程におけるフォトレジストパターン３３（またはフォトレジスト膜３１）の温度よりも高いのが好ましく、特に、そのフォトレジストパターン３３（またはフォトレジスト膜３１）を構成するフォトレジストのガラス転移温度以上であるのがより好ましい。また、加熱時間は、例えば、加熱温度まで昇温させた際に温度を安定化することが可能な時間以上であるのが好ましい。なお、フォトレジストパターン３３が加熱された際には、正確には、フォトレジストの表面張力に起因してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの表面近傍が湾曲して曲面状となるが、図６および後述する図７以降では、図示内容を簡略化するために、フレーム部３３Ｒ，３３Ｌの表面近傍を平面状に示している。

続いて、図７および図１７に示したように、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋと共にそのフォトレジストパターン３３の周辺領域を覆うように、磁極部分層１３Ａを形成するための前駆磁極部分層１３ＡＺ（前駆磁極部分）をパターン形成する。この前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する際には、例えば、シード層１２を使用してめっき膜を成長させることにより、その前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。この前駆磁極部分層１３ＡＺは、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに形成された部分（磁性層パターンとしての中央部分１３ＡＺＣ）と、そのフォトレジストパターン３３の周辺領域に形成された部分（周辺部分１３ＡＺＳ）とを含むように形成される。この前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する際には、例えば、パーマロイ、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）などの軟磁性材料を使用すると共に、その形成厚さＴ２がフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１よりも小さくなるように調整する（Ｔ２＜Ｔ１）。

続いて、例えばアセトンなどの有機溶剤を使用してフォトレジストパターン３３を溶解させることにより、図８および図１８に示したように、そのフォトレジストパターン３３を選択的に除去する。

続いて、前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ，周辺部分１３ＡＺＳ）をマスクとして、例えばイオンミリングでシード層１２を選択的にエッチングすることにより、図９および図１９に示したように、そのシード層１２のうちの前駆磁極部分層１３ＡＺにより覆われていない部分を除去してギャップ層９を露出させると共に、前駆磁極部分層１３ＡＺにより覆われている部分を残存させる。イオンミリングでシード層１２をエッチングする際には、例えば、アルゴンイオン（Ａｒ⁺）雰囲気中においてエッチング処理を行うようにする。なお、シード層１２をエッチングする際には、例えば、上記したイオンミリングに代表されるドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを使用することも可能である。

続いて、図１０および図２０に示したように、先の工程においてフォトレジスト膜３１を形成した場合と同様の手法を使用して、前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ，周辺部分１３ＡＺＳ）およびその周辺領域を覆うようにフォトレジスト膜３４を形成したのち、所定のパターン形状を有するマスク３５を使用し、フォトリソグラフィ処理でマスク３５のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜３４をパターニングする。このマスク３５としては、例えば、前駆磁極部分層１３ＡＺのうちの中央部分１３ＡＺＣに対応する平面形状を有するものを使用し、より具体的には、中央部分１２ＡＺＣの輪郭よりも大きな輪郭を有するものを使用する。

続いて、フォトリソグラフィ処理後のフォトレジスト膜３４を現像することにより、図１１および図２１に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺのうちの中央部分１３ＡＺＣのみを選択的に覆うようにフォトレジストパターン３６（マスク）を形成する。

続いて、フォトレジストパターン３６をマスクとして使用し、例えばウェットエッチングで前駆磁極部分層１３ＡＺを選択的にエッチングすることにより、図１２および図２２に示したように、その前駆磁極部分層１３ＡＺのうち、先の工程（図７参照）においてフォトレジストパターン３３の周辺領域に形成された部分、すなわちフォトレジストパターン３６により覆われていない周辺部分１３ＡＺＳを除去すると共に、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに形成された部分、すなわちフォトレジストパターン３６に覆われている中央部分１３ＡＺＣのみを残存させる。この際、前駆磁極部分層１３ＡＺと共にシード層１２を選択的にエッチングすることにより、そのシード層１２のうちの周辺部分１３ＡＺＳにより覆われている部分を併せて除去する。ウェットエッチングを使用して前駆磁極部分層１３ＡＺおよびシード層１２をエッチングする際には、例えば、エッチャントとして第２塩化鉄（ＦｅＣｌ₂）５０％水溶液を使用する。

続いて、先の工程においてフォトレジストパターン３３を除去した場合と同様の手法を使用してフォトレジストパターン３６を除去することにより、図１３および図２３に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を露出させる。この前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）の形状に基づいて、最終的に磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍの形状（幅Ｗ１，Ｗ２、底角θＲ，θＬ）が決定される。

最後に、ヨーク部分層１３Ｂやオーバーコート層１４などの他の構成要素を形成して積層させたのち、図２４に示したように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechancal Polishing）法を使用して、エアベアリング面２０となる側から前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を含む積層構造体の積層端面を研磨することにより、エアベアリング面２０を形成する。この研磨処理により、エアベアリング面２０に露出し、すなわちエアベアリング面２０の一部を構成するように図３に示した露出面２０Ｍが形成されるため、図１〜図３に示したように、左右非対称の逆台形状の露出面２０Ｍを有すると共にエアベアリング面２０から順に先端部１３Ａ１および後端部１３Ａ２を含む磁極部分層１３Ａが完成する。この露出面２０Ｍでは、例えば、上記したように、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒの幅ＷＲ＝１．８μｍ、フレーム部３３Ｌの幅ＷＬ＝７．５μｍとした場合（ＷＲ＜ＷＬ；図５および図１５参照）には、フレーム部３３Ｒの側面３３ＲＭの傾斜角ωＲがフレーム部３３Ｌの側面３３ＬＭの傾斜角ωＬよりも大きくなることに基づき（ωＲ＞ωＬ；図６参照）、この傾斜角ωＲ，ωＬ間の差異を反映して底角θＲが底角θＬよりも大きくなる（例えば、底角θＲ＝８６°，底角θＬ＝７６°）。

本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、開口３３Ｋを画定する２つのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌが互いに異なる幅ＷＲ，ＷＬ（ＷＲ≠ＷＬ）を有するようにフォトレジストパターン３３を形成し、そのフォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させることにより開口３３Ｋの幅をシード層１２に近づくにしたがって次第に狭めたのち、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成し、その前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を研磨してエアベアリング面２０を形成することにより露出面２０Ｍを有する磁極部分層１３Ａを形成するようにしている。この場合には、上記したように、フォトレジストパターン３３の加熱に伴うフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの変形作用を利用して、その加熱後のフォトレジストパターン３３においてフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの傾斜角ωＲ，ωＬが互いに異なることとなるため、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋにに形成された前駆磁極部分層１３ＡＺに基づいて磁極部分層１３Ａを形成すれば、その磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍでは傾斜角ωＲ，ωＬ間の差異を反映して底角θＲ，θＬが互いに異なることとなり、すなわち露出面２０Ｍが左右非対称の逆台形状となるように磁極部分層１３Ａが形成される。したがって、本実施の形態では、左右非対称の逆台形状を有する露出面２０Ｍの特徴的な形状に基づき、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

ここで、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドにおいてサイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とが両立される理由は、以下の通りである。

図２５および図２６は、いずれも図３に示した磁極部分層１３Ａ（先端部１３Ａ１）の露出面２０Ｍの平面構成に対応する平面構成を表しており、図２５は第１の比較例としての磁極部分層１１３Ａ（先端部１１３Ａ１）の露出面１２０Ｍを示し、図２６は第２の比較例としての磁極部分層２１３Ａ（先端部２１３Ａ１）の露出面２２０Ｍを示している。また、図２７〜図２９はサイドイレーズの発生状況を説明するためのものであり、それぞれ第１の比較例（露出面１２０Ｍ）、第２の比較例（露出面２２０Ｍ）ならびに本実施の形態（露出面２０Ｍ）について示している。なお、図２７〜図２９では、図示内容を簡略化するために、情報の記録時に記録対象となる記録媒体上のトラック（記録対象トラック）ＴＲを直線状に示している。図２５に示した第１の比較例の露出面１２０Ｍは、左右非対象の逆台形状を有する本実施の形態の露出面２０Ｍとは異なって矩形状を有している点を除き（θＲ＝θＬ＝９０°）、その露出面２０Ｍと同様の構成を有している。一方、図２６に示した第２の比較例の露出面２２０Ｍは、本実施の形態の露出面２０Ｍとは異なって左右対象の逆台形状を有している点を除き（θＲ＝θＬ）、その露出面２０Ｍと同様の構成を有している。

図２７〜図２９に示したように、情報の記録時において薄膜磁気ヘッドがスキューし、すなわち磁極部分層１３Ａ，１１３Ａ，２１３Ａが記録対象トラックＴＲの延在方向に対して角度（スキュー角）αだけ傾いたとすると、これらの３つの磁極部分層１３Ａ，１１３Ａ，２１３Ａ間においてサイドイレーズの発生状況に差異が生じる。すなわち、第１の比較例の場合には、図２７に示したように、磁極部分層１１３Ａが傾くと、矩形状を有する露出面１２０Ｍの形状的要因に起因して側端縁Ｅ４が記録対象トラックＴＲからこの記録対象トラックＴＲに隣接するトラック（隣接トラック；図示せず）にはみ出す結果、本来の記録箇所である上端縁Ｅ１（トレーリングエッジ）だけでなく側端縁Ｅ４においても意図せずに記録媒体に記録処理が施されるため、サイドイレーズが発生してしまう。これにより、隣接トラックに既に記録されていた情報が上書きされて消去されやすくなる。これに対して、第２の比較例の場合には、図２８に示したように、上記した第１の比較例の場合とは異なり、左右対象の逆台形状を有する露出面２２０Ｍの形状的特徴に基づき、磁極部分層２１３Ａがスキュー角αだけ傾いたとしても側端縁Ｅ４が記録対象トラックＴＲから隣接トラックにはみ出さず、すなわち本来の記録箇所である上端縁Ｅ１のみにおいて記録媒体に記録処理が施されるため、サイドイレーズの発生が抑制される。また、本実施の形態においても、図２９に示したように、左右非対称の逆台形状を有する露出面２０Ｍの形状的特徴に基づき、磁極部分層１３Ａがスキュー角αだけ傾いたとしても側端縁Ｅ４が記録対象トラックＴＲから隣接トラックにはみ出さないため、第２の比較例の場合と同様にサイドイレーズの発生が抑制される。したがって、第２の比較例および本実施の形態では、第１の比較例とは異なり、サイドイレーズの発生抑制の観点において利点を有する。

しかしながら、第２の比較例と本実施の形態とでは、サイドイレーズの発生抑制の観点において共通した利点を有する一方で、オーバーライト特性確保の観点において差異がある。すなわち、一般に、磁極部分層の構成と記録用の磁界強度との間の関係としては、磁束の放出部分である先端部の露出面は磁束の放出口として機能するため、磁束の放出量は露出面の面積に依存し、その露出面の面積が大きいほど記録用の磁界強度が大きくなる。この観点において第２の比較例と本実施の形態とを比較すると、図２８および図２９から明らかなように、露出面２０Ｍの面積は露出面２２０Ｍの面積よりも大きいため、記録用の磁界強度は第２の比較例よりも本実施の形態において大きくなる。すなわち、第２の比較例では、サイドイレーズの発生を抑制し得る一方で、記録用の磁界強度の不足に起因してオーバーライト（意図的な上書き処理）を実行し得なくなる可能性があるのに対して、本実施の形態では、サイドイレーズの発生を抑制し得る上、記録用の磁界強度を確保してオーバーライトを安定に実行し得る。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドでは、左右非対称の逆台形状を有する露出面２０Ｍの形状的特徴に基づき、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能となるのである。

特に、本実施の形態では、上記したように、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる点に加えて、露出面２０Ｍが左右非対象の逆台形状となるように磁極部分層１３Ａを形成するために、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術などの既存の薄膜プロセスしか使用しないため、既存の製造プロセスを使用して薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。

また、本実施の形態では、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの幅ＷＲ，ＷＬを設定することにより、上記したように、その幅ＷＲ，ＷＬに基づいてフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの傾斜角ωＲ，ωＬが設定され、最終的に傾斜角ωＲ，ωＬに基づいて磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍのうちの底角θＲ，θＬが設定される。したがって、フォトレジストパターン３３を形成する際にフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの幅ＷＲ，ＷＬを調整することにより底角θＲ，θＬを制御することが可能なため、露出面２０Ｍの形状を自由に制御することができる。

また、本実施の形態では、図７に示したように、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成する際に、その形成厚さＴ２がフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１よりも小さくなるようにしたので（Ｔ２＜Ｔ１）、以下の理由により、その前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）に基づいて磁極部分層１３Ａを高精度に形成することができる。図３０および図３１は、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２に基づく利点および問題点を説明するためのものであり、いずれも図７に対応する断面構成を示している。すなわち、フォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させた場合には、上記したように、図７では図示内容を簡略化するためにフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの側面３３ＲＭ，３３ＬＭを平面状に示しているが、実際には、図３０および図３１に示したように、フォトレジストの表面張力に起因して側面３３ＲＭ，３３ＬＭが湾曲して曲面状となることが知られている。特に、側面３３ＲＭ，３３ＬＭの曲率はフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの下方部よりも上方部において大きくなり、すなわち側面３３ＲＭ，３３ＬＭはフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの下方部においてほぼ平面状となる一方で、上方部において曲面状となる。この場合には、図３０に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する際に、その形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１に等しくすると（Ｔ２＝Ｔ１）、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍ（図３参照）では、フレーム部３３Ｒ，３３Ｌの側面３３ＲＭ，３３ＬＭうちの曲面状を有する上方部分の影響を受けて傾斜角ωＲ，ωＬと底角θＲ，θＬとの間にずれが生じるため、それらの底角θＲ，θＬを高精度に制御することが困難となる。これに対して、図３１に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１よりも小さくすると（Ｔ２＜Ｔ１）、フレーム部３３Ｒ，３３の側面３３ＲＭ，３３ＬＭうちの平面状を有している下方部分を利用して前駆磁極部分層１３ＡＺが形成されるため、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍでは、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１に等しくした場合（図３０参照）とは異なり、底角θＲ，θＬが傾斜角ωＲ，ωＬに基づいて規定され、これにより底角θＲ，θＬを高精度に制御することが可能となる。したがって、本実施の形態では、前駆磁極部分層１３ＡＺに基づいて磁極部分層１３Ａを高精度に形成することができるのである。

また、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、上記したように、開口３３Ｋを画定する２つのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌが互いに異なる幅を有するようにフォトレジストパターン３３を形成し、引き続きフォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させることにより開口３３Ｋの幅を下方に向かって次第に狭めたのち、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋを使用して磁性層パターンとしての磁極部分層１３Ａを形成するようにしたので、既存の製造プロセスを使用して、磁性層パターンとしての磁極部分層１３Ａを露出面２０Ｍが左右非対称の逆台形状となるように形成することが可能である。したがって、上記したように、この磁性層パターンの形成方法を本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することができる。

なお、本実施の形態では、図５に示したように、フォトレジストパターン３３を形成する際に、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲがフレーム部３３Ｌの幅ＷＬよりも小さくなるようにすることにより（ＷＲ＜ＷＬ）、図３に示したように、磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍにおいて底角θＲが底角θＬよりも大きくなるようにしたが（θＲ＞θＬ）、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図３２に示したように、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲがフレーム部３３Ｌの幅ＷＬよりも大きくなるようにすることにより（ＷＲ＞ＷＬ）、図３３に示したように、露出面２０Ｍにおいて低角θＲが底角θＬよりも小さくなるようにしてもよい（θＲ＜θＬ）。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、底角θＲ，θＬの値ならびにそれらの大小関係は、例えば、スキュー角α、薄膜磁気ヘッドのスキュー方向またはサイドイレーズの発生状況等に応じて自由に設定可能である。

また、本実施の形態では、フォトレジストパターン３３を形成する際に、そのフォトレジストパターン３３の形成材料として化学増幅型のフォトレジストを使用し、フォトレジストパターン３３を加熱する際に、そのフォトレジストパターン３３を加熱しながらそのフォトレジストパターン３３に紫外線を照射することによりフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させるようにしてもよい。この「化学増幅型のフォトレジスト」とは、主にフォトリソグラフィ処理を使用した露光・現像過程において、露光されることにより光化学反応を利用して触媒作用を有する物質（酸あるいは塩基）が生成されると共に、露光後に加熱されることにより高分子中の官能基あるいは官能物質が上記した触媒作用を有する物質と反応するようなレジストである。この場合には、例えば、フォトレジストパターン３３に対する加熱処理および紫外線照射処理を真空中において行うようにし、加熱温度＝約１００℃、加熱時間＝約１０分間、紫外線の波長＝約２００ｎｍ〜５００ｎｍ（例えば、約３６５ｎｍ）、紫外線の照射強度＝約１Ｗ／ｃｍ²〜１５Ｗ／ｃｍ²（例えば、約１０Ｗ）とする。ただし、この加熱温度や加熱時間は必ずしも上記した温度や時間に限定されるものではなく、自由に設定可能である。具体的には、加熱温度は、例えば、塗布処理から現像処理に至る一連の過程におけるフォトレジストパターン３３（またはフォトレジスト膜３１）の温度よりも高いのが好ましく、特に、そのフォトレジストパターン３３（またはフォトレジスト膜３１）を構成するフォトレジストのガラス転移温度以上であるのがより好ましい。また、加熱時間は、例えば、加熱温度まで昇温させた際に温度を安定化することが可能な時間以上であるのが好ましい。この場合に関して一例を挙げれば、フォトレジストパターン３３を形成する際にフレーム部３３Ｒの幅ＷＲ＝３．０μｍ、フレーム部３３Ｌの幅ＷＬ＝１０．０μｍとすれば、上記実施の形態において説明した場合と同様に、露出面２０Ｍにおいて底角θＲ＝８６°、底角θＬ＝７６°となる。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、化学増幅型のフォトレジストを使用してフォトレジストパターン３３を形成した場合には、その化学増幅型のフォトレジストの優れたパターニング精度特性を利用して、フォトレジストパターン３３を高精度に形成することができる。

また、本実施の形態では、図１３に示した前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）をそのまま使用して磁極部分層１３Ａを形成し、すなわち前駆磁極部分層１３ＡＺの形成寸法（幅Ｗ１，Ｗ２）に基づいて磁極部分層１３Ａの形成寸法（幅Ｗ１，幅Ｗ２）を決定するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。

具体的には、第１に、例えば、図３４に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成したのち、例えばイオンミリングを使用して中央部分１３ＡＺＣを両幅方向から均等にエッチングし、その中央部分１３ＡＺＣの幅を狭めることにより、エッチング後の中央部分１３ＡＺＣの形成寸法（幅Ｗ１，Ｗ２）に基づいて磁極部分層１３Ａの形成寸法（幅Ｗ１，Ｗ２）を決定するようにしてもよい。イオンミリングを使用して中央部分１３ＡＺＣをエッチングする際には、例えば、アルゴンイオン雰囲気中においてエッチング処理を行うようにする。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。この場合には、特に、中央部分１３ＡＺＣのエッチング量に基づいて露出面２０Ｍの形状を制御することが可能なため、記録媒体の記録トラック幅を規定する露出面２０Ｍの上端縁Ｅ１（トレーリングエッジ）の幅Ｗ１（図３参照）を所望の幅となるように制御することができる。

また、第２に、例えば、図３５に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成したのち、例えばスパッタリングやＣＶＤを使用して、中央部分１３ＡＺＣおよびその周辺領域を覆うように絶縁層３７を形成したのち、図３６に示したように、例えばＣＭＰ法を使用して、絶縁層３７と共に中央部分１３ＡＺＣを研磨して平坦化することにより、その中央部分１３ＡＺＣの周囲に絶縁層３７を埋設させるようにしてもよい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。この場合には、特に、中央部分１３ＡＺＣの研磨量に基づいて露出面２０Ｍの形状を制御することが可能なため、イオンミリングを使用して中央部分１３ＡＺＣの幅を狭めた場合（図３４参照）と同様に、上端縁Ｅ１（トレーリングエッジ）の幅Ｗ１を所望の幅となるように制御することができる。

次に、本発明に関する実施例について説明する。

上記実施の形態において説明したフォトレジストパターン３３のフレーム部３３Ｒの幅ＷＲと、そのフォトレジストパターン３３を使用して形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍの底角θＲとの間の関係を調べたところ、表１に示した結果が得られた。表１は、フレーム部３３Ｒの幅ＷＲと露出面２０Ｍの底角θＲとの間の関係を表している。表１中、「ＵＶ無」はフォトレジストパターン３３を変形させるために加熱処理のみを行い、紫外線照射処理を行わなかった場合について示し、「ＵＶ有」はフォトレジストパターン３３を変形させるために加熱処理および紫外線照射処理の双方を行った場合について示している。

幅ＷＲと底角θＲとの関係を調べる際には、以下の手順により、試験的に前駆磁極層部分１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成した。すなわち、まず、下地としてのアルティック基板（直径＝６インチ，厚さ＝２ｍｍ）上にシード層１２（パーマロイ）を５０ｎｍの厚さとなるように形成したのち、そのシード層１２上にフォトレジスト（Clariant社製AZ5105P ）を塗布することにより、フォトレジスト膜３１を０．５μｍの厚さとなるように形成した。続いて、フォトレジスト膜３１に加熱処理（加熱温度＝９０℃、加熱時間＝９０秒間）を施したのち、開口３２Ｋを画定するフレーム部３２Ｒ，３２Ｌを有するマスク３２（開口３２Ｋの最狭幅＝０．１８μｍ）を使用し、フォトリソグラフィ処理でフォトレジスト膜３１をパターニングすることにより、開口３３Ｋを画定するフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを有するフォトレジストパターン３３を形成した。このフォトレジストパターン３３を形成する際には、露光装置としてNikon 社製のNSR-TFHEX14Cを使用し、露光条件を光学系開口数ＮＡｌ（ＮＡ；Numerical Aperture）＝０．６、照明系開口数ＮＡｉ＝０．２４、レンズ系開口数σ＝０．４、露光量＝１５ｍＪ／ｃｍ²とすると共に、現像処理前にフォトレジスト膜３１に加熱処理（加熱温度＝１２０℃、加熱時間＝１２０秒間）を施したのち、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロキシド）２．３８％水溶液を使用して現像処理（現像時間＝６０秒間）を行った。続いて、フォトレジストパターン３３を加熱することにより、フレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させた。このフォトレジストパターン３３を加熱する際には、紫外線照射を行わない場合には、加熱条件を加熱温度＝１３０℃、加熱時間＝１０分間とし、一方、紫外線照射を行う場合には、紫外線（波長＝３６５ｎｍ、強度＝８００Ｗ）を照射しながら加熱条件を加熱温度＝１００℃、加熱時間＝１０秒間とした。最後に、ニッケル（Ｎｉ）ワット浴に鉄（Ｆｅ）イオンを添加しためっき浴（ニッケル鉄浴）を使用し、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋにめっき膜（パーマロイ）を成長させることにより、前駆磁極部分層１３ＡＺを０．３μｍの厚さとなるように形成した。この前駆磁極部分層１３ＡＺを使用して底角θＲを調べる際には、集束イオンビームエッチング（ＦＩＢ：Focused Ion Beam Etching）を使用して前駆磁極部分層１３ＡＺを切断したのち、その前駆磁極部分層１３ＡＺの断面構造を観察することにより底角θＲを測定した。

表１に示した結果から判るように、紫外線照射の有無に関わらず、底角θＲは幅ＷＲが大きくなるにしたがって次第に小さくなった。特に、幅ＷＲを１．０μｍ〜５０．０μｍの範囲内で変化させたところ、底角θＲは紫外線照射無の場合（「ＵＶ無」）に８９°〜６５°の範囲内で変化し、紫外線照射有の場合（「ＵＶ有」）に９０°〜６８°の範囲内で変化した。このことから、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒの幅ＷＲを調整することにより、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍの底角θＲを所望の値となるように制御可能であることが確認された。特に、上記したフレーム部３３Ｒの幅ＷＲと底角θＬとの間の関係はフレーム部３３Ｌの幅ＷＬと底角θＬとの間にも同様に成立するため、これらの関係を利用すれば、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの幅ＷＲ，ＷＬを調整することにより底角θＲ，θＬを調整可能であり、すなわち露出面２０Ｍが左右非対象の逆台形状となるように磁極部分層１３ＡＭを形成可能であることが確認された。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。

また、上記実施の形態では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。

本発明に係る磁性層パターンの形成方法ならびに薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するためのハードディスクドライブなどに搭載される薄膜磁気ヘッドの製造工程に適用することが可能である。

本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。図１に示した薄膜磁気ヘッドの主要部の斜視構成を表す斜視図である。磁極部分層の露出面の平面構成を表す平面図である。本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程における一工程を説明するための断面図である。図４に続く工程を説明するための断面図である。図５に続く工程を説明するための断面図である。図６に続く工程を説明するための断面図である。図７に続く工程を説明するための断面図である。図８に続く工程を説明するための断面図である。図９に続く工程を説明するための断面図である。図１０に続く工程を説明するための断面図である。図１１に続く工程を説明するための断面図である。図１２に続く工程を説明するための断面図である。図４に対応する平面図である。図５に対応する平面図である。図６に対応する平面図である。図７に対応する平面図である。図８に対応する平面図である。図９に対応する平面図である。図１０に対応する平面図である。図１１に対応する平面図である。図１２に対応する平面図である。図１３に対応する平面図である。図２３に続く工程を説明するための平面図である。第１の比較例の磁極部分層の露出面の平面構成を表す平面図である。第２の比較例の磁極部分層の露出面の平面構成を表す平面図である。第１の比較例の磁極部分層に関するサイドイレーズの発生状況を説明するための平面図である。第２の比較例の磁極部分層に関するサイドイレーズの発生状況を説明するための平面図である。本実施の形態の磁極部分層に関するサイドイレーズの発生状況を説明するための平面図である。前駆磁極部分層の形成厚さに関する問題点を説明するための断面図である。前駆磁極部分層の形成厚さに関する利点を説明するための断面図である。本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する変形例を説明するための断面図である。図３２に示したフォトレジストパターンを使用して形成される磁極部分層の露出面の平面構成を表す平面図である。本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する他の変形例を説明するための断面図である。本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するさらに他の変形例を説明するための断面図である。図３５に続く工程を説明するための断面図である。従来の磁極層の形成工程における一工程を説明するための断面図である。図３７に続く工程を説明するための断面図である。図３８に続く工程を説明するための断面図である。図３９に続く工程を説明するための断面図である。

符号の説明

１…基板、２，３７…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、９…ギャップ層、９ＡＫ，９ＣＫ，３２Ｋ，３３Ｋ…開口、９Ａ〜９Ｃ…ギャップ層部分、１０…薄膜コイル、１１…連結部、１２…シード層、１３…主磁極層、１３Ａ…磁極部分層、１３Ａ１…先端部、１３Ａ２…後端部、１３ＡＺ…前駆磁極部分層、１３ＡＺＣ…中央部分、１３ＡＺＳ…周辺部分、１３Ｂ…ヨーク部分層、１４…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、２０Ｍ…露出面、３１，３４…フォトレジスト膜、３２，３５…マスク、３２Ｒ，３２Ｌ，３３Ｒ，３３Ｌ…フレーム部、３３，３６…フォトレジストパターン、３３ＲＭ，３３ＬＭ…側面、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、Ｄ…媒体進行方向、Ｅ１…上端縁、Ｅ２…下端縁、Ｅ３，Ｅ４…側端縁、ＴＲ…記録対象トラック、α…スキュー角、θＲ，θＬ…底角、ωＲ，ωＬ…傾斜角。

Claims

磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極部分を有する磁極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層のうちの前記磁極部分を形成する工程が、
下地層上に、幅方向に対向配置されて開口を画定する第１および第２のフレーム部を有すると共にこれらの第１および第２のフレーム部が互いに異なる幅を有するように、フォトレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記フォトレジストパターンを加熱して、前記下地層に近づくにしたがって次第に幅が広がるように前記第１および第２のフレーム部を変形させることにより、前記開口の幅を前記下地層に近づくにしたがって次第に狭まるようにする第２の工程と、
前記フォトレジストパターンを使用して、少なくとも前記開口に前記磁極部分を形成するための前駆磁極部分をパターン形成する第３の工程と、
前記フォトレジストパターンを除去する第４の工程と、
前記記録媒体対向面となる側から前記前駆磁極部分を研磨して前記記録媒体対向面を形成することにより、前記下地層上に、前記記録媒体対向面に露出した露出面を有するように前記磁極部分をパターン形成する第５の工程と、を含み、
前記露出面が、前記媒体進行方向側に位置して第１および第２の底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記媒体進行方向側と反対側に位置する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、前記第１および第２の底角が互いに異なる角度を有する台形状となるように、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記幅方向において、前記第１のフレーム部に対応して前記第１の底角が位置すると共に、前記第２のフレーム部に対応して前記第２の底角が位置するようにし、
前記第１の工程において、前記第１のフレーム部が前記第２のフレーム部よりも小さい幅を有するように前記フォトレジストパターンを形成することにより、
前記第１の底角が前記第２の底角の角度よりも大きい角度を有するように前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記幅方向において、前記第１のフレーム部に対応して前記第１の底角が位置すると共に、前記第２のフレーム部に対応して前記第２の底角が位置するようにし、
前記第１の工程において、前記第１のフレーム部が前記第２のフレーム部よりも大きい幅を有するように前記フォトレジストパターンを形成することにより、
前記第１の底角が前記第２の底角の角度よりも小さい角度を有するように前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第３の工程において、前記開口と共に前記フォトレジストパターンの周辺領域に前記前駆磁極部分を形成し、
さらに、前記第４の工程と前記第５の工程との間に、
前記前駆磁極部分のうちの前記開口に形成された部分を覆うようにマスクを形成する第６の工程と、
前記マスクを使用して前記前駆磁極部分を選択的にエッチングすることにより、その前駆磁極部分のうちの前記周辺領域に形成された部分を除去すると共に前記開口に形成された部分を残存させる第７の工程と、
前記マスクを除去することにより、残存した前記前駆磁極部分を露出させる第８の工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の工程において、前記下地層としてのシード層上に前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第３の工程において、前記シード層を使用してめっき膜を成長させることにより前記前駆磁極部分を形成し、
さらに、前記第４の工程と前記第６の工程との間に、前記前駆磁極部分をマスクとして前記シード層を選択的にエッチングすることにより、そのシード層のうちの前記前駆磁極部分により覆われていない部分を除去すると共に前記前駆磁極部分により覆われている部分を残存させる第９の工程を含み、
前記第７の工程において、前記前駆磁極部分のうちの前記周辺領域に形成された部分と共に、前記シード層のうち、前記前駆磁極部分のうちの前記周辺領域に形成された部分により覆われている部分を併せて除去する
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記第１の工程において、化学増幅型のフォトレジストを使用して前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第２の工程において、前記フォトレジストパターンを加熱しながらそのフォトレジストパターンに紫外線を照射することにより、前記第１および第２のフレーム部を変形させる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
さらに、前記第８の工程と前記第５の工程との間に、前記前駆磁極部分を両幅方向からエッチングすることにより、その前駆磁極部分の幅を狭める第１０の工程を含む
ことを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
さらに、前記第８の工程と前記第５の工程との間に、
前記前駆磁極部分およびその周辺領域を覆うように絶縁層を形成する第１１の工程と、
前記絶縁層と共に前記前駆磁極部分を研磨して平坦化することにより、前記前駆磁極部分の周囲に前記絶縁層を埋設する第１２の工程と
を含むことを特徴とする請求項４ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように、前記磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
所定の延在方向に延在する磁性層パターンの形成方法であって、
下地層上に、幅方向に対向配置されて開口を画定する第１および第２のフレーム部を有すると共にこれらの第１および第２のフレーム部が互いに異なる幅を有するように、フォトレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記フォトレジストパターンを加熱して、前記下地層に近づくにしたがって幅が広がるように前記第１および第２のフレーム部を変形させることにより、前記開口の幅を前記下地層に近づくにしたがって次第に狭まるようにする第２の工程と、
前記フォトレジストパターンを使用して、前記開口に磁性層パターンを形成する第３の工程と、
前記フォトレジストパターンを除去する第４の工程と、を含み、
前記延在方向の端面が、第１および第２の底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記一方の端縁に対向する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、前記第１および第２の底角が互いに異なる角度を有する台形状となるように、前記磁性層パターンを形成する
ことを特徴とする磁性層パターンの形成方法。
前記幅方向において、前記第１のフレーム部に対応して前記第１の底角が位置すると共に、前記第２のフレーム部に対応して前記第２の底角が位置するようにし、
前記第１の工程において、前記第１のフレーム部が前記第２のフレーム部よりも小さい幅を有するように前記フォトレジストパターンを形成することにより、
前記第１の底角が前記第２の底角の角度よりも大きい角度を有するように前記磁性層パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の磁性層パターンの形成方法。
前記幅方向において、前記第１のフレーム部に対応して前記第１の底角が位置すると共に、前記第２のフレーム部に対応して前記第２の底角が位置するようにし、
前記第１の工程において、前記第１のフレーム部が前記第２のフレーム部よりも大きい幅を有するように前記フォトレジストパターンを形成することにより、
前記第１の底角が前記第２の底角の角度よりも小さい角度を有するように前記磁性層パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の磁性層パターンの形成方法。