JP2011044221A - ２つのサイドシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御と、磁極層と２つのサイドシールドとの間の距離の短縮とを可能にする。
【解決手段】磁気ヘッドは、磁極層１２と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２と、磁極層および２つのサイドシールドを収容する磁極溝部２５ａ、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を有する収容層２５を備えている。磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成し、ドライエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面をエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッドには、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。

垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば、特許文献１に記載されているように、媒体対向面において、磁極層の端面に対して、所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有するシールドを備えた磁気ヘッドが知られている。磁極層とシールドとの間には、非磁性材料よりなるギャップ層が設けられる。シールドは、磁極層の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。このようなシールドを備えた磁気ヘッドによれば、記録密度のより一層の向上が可能になる。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が発生しやすい。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。

上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去を抑制する技術としては、特許文献１に記載されているように、媒体対向面の近傍における磁極層の厚みが媒体対向面に近づくに従って小さくなるように、媒体対向面の近傍において磁極層の上面にテーパー面を形成する技術が有効である。この技術によれば、媒体対向面におけるトラック幅規定部の厚みを小さくすることができることから、スキューに起因した隣接トラック消去を抑制でき、且つ磁極層によって多くの磁束を媒体対向面まで導くことができることから記録特性（オーバーライト特性）の低下を抑制することができる。

また、垂直磁気記録方式の記録ヘッドにおける隣接トラック消去を抑制する技術としては、特許文献２に記載されているように、磁極層のトラック幅方向の両側に２つのサイドシールドを設ける技術も有効である。このような２つのサイドシールドを備えた磁気ヘッドによれば、磁極層の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込むことができることから、隣接トラック消去を抑制することができる。

特許文献３には、１つのマスクを用いたエッチングによって、非磁性層に、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成する方法が記載されている。

特開２００５−２９３８２２号公報 特開２００７−２０７４１９号公報 特開２００７−２４２２１０号公報

２つのサイドシールドを備えた磁気ヘッドでは、磁極層の近くに２つのサイドシールドが存在するため、磁極層から２つのサイドシールドへの磁束の漏れが生じやすい。そのため、磁極層と２つのサイドシールドの位置関係や、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状は、記録特性に影響を与える。そのため、所望の記録特性を実現するためには、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御が重要である。

一般的には、磁極層と２つのサイドシールドは、それぞれ別々のマスクを用いてパターニングされる。この場合、磁極層と２つのサイドシールドを精度よく位置合わせすることは難しい。

前述のように、特許文献３には、１つのマスクを用いたエッチングによって、非磁性層に、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成する方法が記載されている。この方法によれば、磁極層と２つのサイドシールドを精度よく位置合わせすることが可能である。しかしながら、この方法では、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成するため、磁極層を収容する溝部の形状と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部の形状を互いに独立して制御することは難しい。そのため、この方法では、磁極層の形状と２つのサイドシールドの各々の形状を任意に制御することが難しい。更に、この方法では、磁極層と２つのサイドシールドと間の距離を、マスクによって規定可能な限度を超えて短縮することができない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御と、磁極層と２つのサイドシールドとの間の距離の短縮とを可能にした垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

本発明の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁性材料よりなり、媒体対向面において磁極層の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有する上部シールドと、非磁性材料よりなり、媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層と上部シールドとの間に配置されたギャップ層と、磁性材料よりなり、それぞれ媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールドと、非磁性材料よりなる収容層とを備えている。収容層は、磁極層を収容する磁極溝部と、第１のサイドシールドを収容する第１のサイドシールド溝部と、前記第２のサイドシールドを収容する第２のサイドシールド溝部とを有している。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
後に磁極溝部、第１および第２のサイドシールド溝部が形成されることによって収容層となる非磁性層を形成する工程と、
非磁性層の上に、それぞれ後に形成される磁極溝部、第１の初期サイドシールド溝部および第２の初期サイドシールド溝部に対応した形状の第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
エッチングマスク層を用いて、エッチングによって非磁性層に磁極溝部を形成する工程と、
エッチングマスク層を用いて、エッチングによって非磁性層に第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程と、
第１の初期サイドシールド溝部が第１のサイドシールド溝部となり、第２の初期サイドシールド溝部が第２のサイドシールド溝部となるように、ドライエッチングによって、第１の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面と、第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面とをエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程と、
磁極層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
ギャップ層を形成する工程と、
上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、ドライエッチングはイオンミリングであってもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、磁極溝部を形成する工程の後であって磁極層を形成する工程の前において、磁極溝部がマスクで覆われた状態で行われてもよい。

また、垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、後に磁極層となる磁性層を、磁極溝部を埋めるように形成する工程を備えていてもよい。この場合、第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、磁性層を形成する工程の後で行われてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、磁極層を形成する工程の後において、磁極層がマスクで覆われた状態で行われてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極溝部を形成する工程は、第２および第３の開口部が第１のマスクで覆われた状態で行われ、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程は、第１の開口部が第２のマスクで覆われた状態で行われてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極溝部を形成する工程と第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程は、同時に行われてもよい。

また、垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備えていてもよい。この場合、媒体対向面に配置された磁極層の端面のトラック幅方向の幅は、基板の上面に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、磁極層は、媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有し、第１の部分における任意の位置の基板の上面からの距離は、前記任意の位置が媒体対向面に近づくに従って小さくなっていてもよい。この場合、磁極層を形成する工程は、磁極溝部を埋めるように、後に磁極層となる磁性層を形成する工程と、磁極層の上面における第１の部分が形成されて磁性層が磁極層となるように、磁性層の一部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、第１および第２のサイドシールドと上部シールドは同じ材料よりなり、上部シールドを形成する工程は、第１および第２のサイドシールドを形成する工程と同時に行われてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、エッチングマスク層を形成する工程は、非磁性層の上に、非磁性金属材料よりなり、後に第１ないし第３の開口部が形成されることによってエッチングマスク層となる非磁性金属層を形成する工程と、非磁性金属層の上に、後に非磁性金属層をエッチングする際に用いられるフォトレジストマスクを形成する工程と、非磁性金属層がエッチングマスク層となるように、フォトレジストマスクを用いて、エッチングによって非磁性金属層に第１ないし第３の開口部を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、フォトレジストマスクを形成する工程では、光近接効果補正を伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスクを形成してもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１の初期サイドシールド溝部および第２の初期サイドシールド溝部を形成する。そして、ドライエッチングによって、第１の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面と、第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面とをエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる。これにより、本発明によれば、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御と、磁極層と２つのサイドシールドとの間の距離の短縮とが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層および２つのサイドシールドを示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける上部シールド層および上部ヨーク層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面における磁極層および２つのサイドシールドの形状を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法において用いられるフォトマスクの形状の第１ないし第３の例を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３６に示した工程に続く工程を示す説明図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用の磁気ヘッドである。図１は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図１は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図１において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図２は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３は本実施の形態における磁極層および２つのサイドシールドを示す平面図である。図４は本実施の形態における上部シールド層および上部ヨーク層を示す平面図である。図５は本実施の形態における磁極層および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。図６は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面における磁極層および２つのサイドシールドの形状を示す説明図である。なお、図６では、磁極層および２つのサイドシールド以外の部分は簡略化して描いている。

図１および図２に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上部シールド層７の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された記録ヘッドとを備えている。非磁性層８は、例えばアルミナによって形成されている。記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、磁極層１２と、シールド１３と、ギャップ層１４とを備えている。

第１のコイル１１と第２のコイル１８は、いずれも平面渦巻き形状をなしている。また、第１のコイル１１と第２のコイル１８は、直列または並列に接続されている。図１において、符号１１ａは、第１のコイル１１のうち、第２のコイル１８に接続される接続部を示し、符号１８ａは、第２のコイル１８のうち、第１のコイル１１に接続される接続部を示している。磁気ヘッドは、更に、それぞれ導電材料よりなり、接続部１１ａの上に順に積層された接続層５１，５２，５３，５４を備えている。接続部１８ａは、接続層５４の上に配置されている。

第１のコイル１１および第２のコイル１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１２は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。第１の部分１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよびサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

シールド１３の第１の部分１３Ａは、磁気的に連結された第１層１３Ａ１、第２層１３Ａ２および第３層１３Ａ３を有している。第１層１３Ａ１は、非磁性層８の上に配置されている。第１層１３Ａ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面を有している。磁気ヘッドは、更に、第１層１３Ａ１の周囲において非磁性層８の上に配置された絶縁材料よりなる図示しない絶縁層と、第１層１３Ａ１の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２２とを備えている。第１層１３Ａ１の周囲に配置された絶縁層と、絶縁層２２は、例えばアルミナによって形成されている。第１のコイル１１は、絶縁層２２の上に配置されている。

第２層１３Ａ２は、媒体対向面３０から離れた位置において、第１層１３Ａ１の上に配置されている。コイル１１は、第２層１３Ａ２を中心として巻回されている。

磁気ヘッドは、更に、コイル１１の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２３と、絶縁層２３および第２層１３Ａ２の周囲に配置された絶縁層２４とを備えている。第２層１３Ａ２、コイル１１および絶縁層２３，２４の上面は平坦化されている。絶縁層２３は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２４は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１１は、銅等の導電材料によって形成されている。第３層１３Ａ３は、第２層１３Ａ２の上に配置されている。接続層５１は、コイル１１の接続部１１ａの上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、第３層１３Ａ３および接続層５１の周囲においてコイル１１および絶縁層２３，２４の上面の上に配置された非磁性材料よりなる収容層２５を備えている。収容層２５の上面は、第３層１３Ａ３および接続層５１の上面よりも上方に配置されている。収容層２５は、それぞれ上面で開口する磁極溝部２５ａ、第１のサイドシールド溝部２５ｂ１、第２のサイドシールド溝部２５ｂ２および溝部２５ｃを有している。溝部２５ａは磁極層１２を収容する。溝部２５ｂ１はサイドシールド１３Ｃ１を収容する。溝部２５ｂ２はサイドシールド１３Ｃ２を収容する。溝部２５ｃは接続層５２を収容する。

溝部２５ａの底部の位置は、第３層１３Ａ３の上面の位置と一致している。溝部２５ｂ１，２５ｂ２は、媒体対向面３０の近傍において、溝部２５ａのトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。溝部２５ｂ１，２５ｂ２の深さは、溝部２５ａのトラック幅方向の中心から離れるに従って大きくなっている。溝部２５ｃは、溝部２５ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。溝部２５ｃの底部の位置は、接続層５１の上面の位置と一致している。

収容層２５の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。

磁気ヘッドは、更に、非磁性金属材料よりなり、収容層２５の上面の上に配置されたエッチングマスク層３１を備えている。エッチングマスク層３１は、溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃの平面形状に対応した形状の４つの開口部を有している。エッチングマスク層３１の下面における各開口部の縁は、収容層２５の上面における溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃの縁の真上に配置されている。エッチングマスク層３１は、例えば、Ｒｕ層、またはＲｕ層とＮｉＣｒ層の積層膜で構成されている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層２５の溝部２５ａ，２５ｃ内に配置された非磁性層２７を備えている。非磁性層２７は、エッチングマスク層３１の上面、エッチングマスク層３１の開口部の壁面、および溝部２５ａ，２５ｃの壁面に沿って配置されている。非磁性層２７には、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とが形成されている。非磁性層２７の材料としては、例えばアルミナが用いられる。

磁気ヘッドは、更に、溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃ内に配置された非磁性金属層２８を備えている。非磁性金属層２８は、非磁性層２７の表面、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の壁面およびエッチングマスク層３１の開口部の壁面に沿って配置されている。非磁性金属層２８には、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とが形成されている。非磁性金属層２８は、非磁性金属材料によって形成されている。非磁性金属層２８は、例えば、Ｔａ層とＲｕ層の積層膜で構成されている。接続層５２は、溝部２５ｃ内に収容され、接続層５１の上に配置されている。

磁極層１２は、収容層２５の溝部２５ａの壁面と磁極層１２との間に非磁性層２７および非磁性金属層２８が介在するように、溝部２５ａ内に収容されている。磁極層１２は、下面と、その反対側の上面とを有している。磁極層１２の下面は、第３層１３Ａ３の上面に接している。磁極層１２は、金属磁性材料によって形成されている。磁極層１２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを有している。図１に示したように、第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。

サイドシールド１３Ｃ１は、収容層２５の溝部２５ｂ１の壁面とサイドシールド１３Ｃ１との間に非磁性金属層２８が介在するように、溝部２５ｂ１内に収容されている。サイドシールド１３Ｃ２は、収容層２５の溝部２５ｂ２の壁面とサイドシールド１３Ｃ２との間に非磁性金属層２８が介在するように、溝部２５ｂ２内に収容されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１２のトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、それぞれ媒体対向面３０に配置された端面を有し、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の端面は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面のトラック幅方向の両側に配置されている。

磁極層１２を構成する磁性材料の飽和磁束密度は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料の飽和磁束密度よりも大きいことが好ましい。例えば、磁極層１２を構成する磁性材料としては飽和磁束密度が２．４Ｔ程度の磁性材料が用いられ、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料としては飽和磁束密度が２．２Ｔ程度の磁性材料が用いられる。

磁気ヘッドは、更に、磁極層１２の上面のうち第２の部分１２Ｔ２の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５８と、この絶縁層５８の上面の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５９とを備えている。絶縁層５８は、例えばアルミナによって形成されている。非磁性金属層５９は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。

ギャップ層１４は、磁極層１２の上面のうちの第１の部分１２Ｔ１と、絶縁層５８および非磁性金属層５９を覆うように配置されている。ギャップ層１４は、非磁性材料によって形成されている。ギャップ層１４の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。

シールド１３の第２の部分１３Ｂは、磁気的に連結された上部シールド層１３Ｂ１、第２層１３Ｂ２、第３層１３Ｂ３、第４層１３Ｂ４、第５層１３Ｂ５、第６層１３Ｂ６および上部ヨーク層１３Ｂ７を有している。上部シールド層１３Ｂ１は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に配置されている。上部シールド層１３Ｂ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド層１３Ｂ１の端面の一部は、磁極層１２の端面に対して、ギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。ギャップ層１４の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば２５〜６０ｎｍの範囲内である。磁極層１２の端面は、ギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。上部シールド層１３Ｂ１は、本発明における上部シールドに対応する。

上部ヨーク層１３Ｂ７は、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１２の上面に接している。また、接続層５３は接続層５２の上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３の周囲に配置された非磁性層４６を備えている。非磁性層４６は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および非磁性層４６の上面は平坦化されている。

第２層１３Ｂ２は、上部シールド層１３Ｂ１の上に配置されている。第２層１３Ｂ２は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。第６層１３Ｂ６は上部ヨーク層１３Ｂ７の上に配置されている。接続層５４は接続層５３の上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６および接続層５４の周囲に配置された非磁性層４７を備えている。非磁性層４７の一部は、第２層１３Ｂ２の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。非磁性層４７は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６、接続層５４および非磁性層４７の上面は平坦化されている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性層４７の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１７を備えている。絶縁層１７は、例えばアルミナによって形成されている。第２のコイル１８は、絶縁層１７の上に配置されている。

第３層１３Ｂ３は第２層１３Ｂ２の上に配置されている。第３層１３Ｂ３は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。第５層１３Ｂ５は第６層１３Ｂ６の上に配置されている。第２のコイル１８は、第５層１３Ｂ５を中心として巻回されている。第２のコイル１８の接続部１８ａは、接続層５４の上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、コイル１８の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１９と、絶縁層１９、第３層１３Ｂ３および第５層１３Ｂ５の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層４１とを備えている。絶縁層１９の一部は、第３層１３Ｂ３の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５、コイル１８および絶縁層１９，４１の上面は平坦化されている。磁気ヘッドは、更に、コイル１８および絶縁層１９を覆うように配置された絶縁層２０を備えている。絶縁層１９は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２０，４１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１８は、銅等の導電材料によって形成されている。

第４層１３Ｂ４は、第３層１３Ｂ３と第５層１３Ｂ５とを連結するように配置されている。第４層１３Ｂ４は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、第２の部分１３Ｂを覆うように配置された保護層４２を備えている。保護層４２は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、磁極層１２と、シールド１３と、ギャップ層１４とを備えている。

磁極層１２は、収容層２５の溝部２５ａ内に、非磁性層２７および非磁性金属層２８を介して配置されている。非磁性層２７の厚みは、例えば４０〜２００ｎｍの範囲内である。非磁性金属層２８の厚みは、例えば１０〜５０ｎｍの範囲内である。

シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂは、それぞれ、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１２に接続されている。第１のコイル１１の一部は、磁極層１２と第１の部分１３Ａの第１層１３Ａ１との間の空間を通過している。第２のコイル１８の一部は、磁極層１２と第２の部分１３Ｂとによって囲まれた空間を通過している。

サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１２のトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、第２の部分１３Ｂの上部シールド層１３Ｂ１に接続されている。

第２の部分１３Ｂは、上部シールド層１３Ｂ１を含んでいる。上部シールド層１３Ｂ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド層１３Ｂ１の端面の一部は、磁極層１２の端面に対して、ギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。磁極層１２の端面は、ギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

次に、磁極層１２、上部シールド層１３Ｂ１およびサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の形状について詳しく説明する。図３および図５に示したように、磁極層１２は、媒体対向面３０に配置された端面を有するトラック幅規定部１２Ａと、このトラック幅規定部１２Ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、トラック幅規定部１２Ａよりも大きな幅を有する幅広部１２Ｂとを有している。トラック幅規定部１２Ａは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部１２Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１２Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１２Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極層１２のうち、媒体対向面３０に配置された端面から、磁極層１２の幅が大きくなり始める位置までの部分を、トラック幅規定部１２Ａとする。ここで、図５に示したように、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１２Ａの長さをネックハイトと呼び、記号ＮＨで表す。ネックハイトＮＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面は、基板１の上面により近い第１の辺Ａ１と、ギャップ層１４に隣接する第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面のトラック幅方向（図２における水平方向）の幅は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば５°〜１５°の範囲内である。第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。

本実施の形態において、スロートハイトは、媒体対向面３０から見て磁極層１２とシールド１３の第２の部分１３Ｂとの間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトは、絶縁層５８の下面における媒体対向面３０に最も近い端縁と媒体対向面３０との間の距離と等しい。スロートハイトは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

図１に示したように、磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｔ１が媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１０°〜４５°の範囲内である。

図４に示したように、上部シールド層１３Ｂ１は、ギャップ層１４を介して磁極層１２と対向する部分を含む中央部分１３Ｂ１ａと、この中央部分１３Ｂ１ａのトラック幅方向の外側に配置された２つの側方部分１３Ｂ１ｂ，１３Ｂ１ｃとを有している。媒体対向面３０に垂直な方向についての中央部分１３Ｂ１ａの長さは一定である。媒体対向面３０に垂直な方向についての側方部分１３Ｂ１ｂ，１３Ｂ１ｃの最大の長さは、媒体対向面３０に垂直な方向についての中央部分１３Ｂ１ａの長さよりも大きい。

図６に示したように、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ１の端面は、磁極層１２により近い辺Ｂ１と、基板１により近い辺Ｂ３とを有している。また、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ２の端面は、磁極層１２により近い辺Ｂ２と、基板１により近い辺Ｂ４とを有している。磁極層１２の端面の第３の辺Ａ３とサイドシールド１３Ｃ１の端面の辺Ｂ１との間の距離と、磁極層１２の端面の第４の辺Ａ４とサイドシールド１３Ｃ２の端面の辺Ｂ２との間の距離は、基板１の上面に垂直な方向（図６における上下方向）における同じ位置において、互いに等しいことが好ましい。図６に示した例では、辺Ｂ１，Ｂ２は基板１の上面に垂直になっている。しかし、辺Ｂ１，Ｂ２は、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。

辺Ｂ３，Ｂ４は、磁極層１２の端面のトラック幅方向の中心から離れるに従って基板１の上面に近づくように、基板１の上面に平行な方向（図６における水平方向）に対して傾いている。

ここで、図６に示したように、溝部２５ａと溝部２５ｂ１との間の最小の距離（溝部２５ａと溝部２５ｂ２との間の最小の距離も同じ）をＳＧとする。ＳＧは、例えば０．０２〜１．００μｍの範囲内であり、好ましくは０．０５〜０．１０μｍの範囲内である。また、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法をＰＴとする。ＰＴは、例えば０．０５〜１．５０μｍの範囲内である。また、図５に示したように、媒体対向面３０に垂直な方向についてのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の最大の長さをＳＴＨとする。ＳＴＨは、例えば０．０５〜１．００μｍの範囲内である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル１１，１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束は、シールド１３の第１の部分１３Ａと磁極層１２を通過する。コイル１８によって発生された磁界に対応する磁束は、シールド１３の第２の部分１３Ｂと磁極層１２を通過する。従って、磁極層１２は、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させる。

なお、コイル１１，１８は、直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。いずれにしても、磁極層１２において、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、コイル１１，１８は接続される。

磁極層１２は、上述のようにコイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド１３は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１２に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド１３は、磁極層１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。また、シールド１３は、磁極層１２の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有している。

シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。従って、本実施の形態によれば、磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向の両側において、磁極層１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生を抑制することができると共に、トラック幅方向の広い範囲にわたって、記録または再生の対象となっているトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が減衰する現象の発生を抑制することができる。また、本実施の形態では、特に、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を備えていることから、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２が設けられていない場合に比べて、より確実に隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面のトラック幅方向の幅は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができ、且つ磁極層１２によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１および図２に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７、非磁性層８を順に形成する。

次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８の上にシールド１３の第１の部分１３Ａにおける第１層１３Ａ１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に図示しない絶縁層を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、第１層１３Ａ１が露出するまで、絶縁層を研磨して、第１層１３Ａ１およびその周囲の絶縁層の上面を平坦化する。

次に、第１層１３Ａ１およびその周囲の絶縁層の上面のうち、後にコイル１１が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層２２の上にコイル１１を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第１層１３Ａ１の上に第２層１３Ａ２を形成する。なお、第２層１３Ａ２を形成した後に、コイル１１を形成してもよい。

次に、コイル１１の巻線間および周囲ならびに第２層１３Ａ２の周囲に絶縁層２３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１３Ａ２およびコイル１１が露出するまで絶縁層２４を研磨して、第２層１３Ａ２、コイル１１および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。

次に、図７ないし図２０を参照して、上記の工程の後、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図７ないし図２０は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図７ないし図２０において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図７ないし図２０において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図１５ないし図２０において、（ｃ）は、積層体における媒体対向面３０および基板１の上面に垂直な断面を示している。なお、図７ないし図１２の（ｂ）では、絶縁層２４よりも基板１側の部分を省略している。また、図１３ないし図１５の（ｂ）および図１５（ｃ）では、非磁性層２５Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、図１６ないし図２０の（ｂ）および図１６ないし図２０の（ｃ）では、収容層２５よりも基板１側の部分を省略している。また、図７ないし図２０の（ａ）および図１５ないし図２０の（ｃ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図７に示した工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、第２層１３Ａ２の上に第３層１３Ａ３を形成し、コイル１１の接続部１１ａの上に接続層５１を形成する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、後に溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃが形成されることにより収容層２５となる非磁性層２５Ｐを形成する。この非磁性層２５Ｐは、その上面が第３層１３Ａ３および接続層５１の各上面よりも上方に配置されるように形成される。非磁性層２５Ｐの厚みは、例えば０．２μｍ以上である。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、非磁性金属材料よりなる非磁性金属層３１Ｐを形成する。非磁性金属層３１Ｐは、例えば、Ｒｕ層、またはＲｕ層とＮｉＣｒ層の積層膜によって形成される。非磁性金属層３１Ｐの厚みは、例えば２０〜５０ｎｍの範囲内である。

図８は、次の工程を示す。この工程では、非磁性金属層３１Ｐの上にフォトレジスト層を形成し、これをフォトリソグラフィによってパターニングして、後に非磁性金属層３１Ｐをエッチングする際に用いられるフォトレジストマスク３２を形成する。より詳しく説明すると、この工程では、まず、非磁性金属層３１Ｐの上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。現像後に残ったフォトレジスト層がフォトレジストマスク３２となる。

フォトレジストマスク３２は、後に非磁性層２５Ｐに形成される溝部２５ａ，２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐの平面形状（上方から見た形状）に対応した形状の３つの部分を含む開口部３２ａと、後に形成される溝部２５ｃの平面形状に対応した形状の図示しない開口部とを有している。なお、溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐは、後にエッチングされることによって溝部２５ｂ１，２５ｂ２となるものである。フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングする際には、フォトレジストマスク３２の形状を所望の形状に近づけるため、光近接効果補正（optical proximity correction；以下、ＯＰＣと記す。）を用いてもよい。このＯＰＣについては、後で詳しく説明する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトレジストマスク３２を用いて、エッチング、特にドライエッチング、例えばイオンミリングによって非磁性金属層３１Ｐに、後に形成される溝部２５ａ，２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐの平面形状に対応した形状の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２と、後に形成される溝部２５ｃの平面形状に対応した形状の図示しない開口部とを形成する。エッチング後に残った非磁性金属層３１Ｐは、非磁性金属材料よりなるエッチングマスク層３１となる。開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２は、本発明における第１ないし第３の開口部に対応する。

フォトレジストマスク３２を用いてイオンミリングによって非磁性金属層３１Ｐをエッチングしてエッチングマスク層３１を形成する場合、以下のような３ステップのエッチングを行ってもよい。最初のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を０°とする。次のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内となり、且つ基板１の上面に垂直な方向に見たときにイオンビームの進行方向が回転するようにする。最後のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を０°とする。最後のステップは、エッチングによって非磁性金属層３１Ｐから分離した物質がフォトレジストマスク３２およびエッチングマスク層３１の開口部の側壁に付着して形成された付着膜を除去する機能を有する。以上の３ステップのエッチングを行ってエッチングマスク層３１を形成することにより、エッチングマスク層３１を精度よく形成することが可能になり、特に、エッチングマスク層３１のうち、図６に示したＳＧを規定する部分の幅を小さくでき、且つこの幅を精度よく規定することが可能になる。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングして、フォトレジストマスク３３を形成する。このフォトレジストマスク３３は、エッチングマスク層３１のうち、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆い、開口部３１ａと、溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を覆っていない。フォトレジストマスク３３は、本発明における第１のマスクに対応する。そこで、以下、フォトレジストマスク３３を第１のマスク３３とも記す。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２がフォトレジストマスク３３で覆われた状態で、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を用いて、ドライエッチング、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、非磁性層２５Ｐを選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｃを形成する。このとき、磁極層１２のトラック幅規定部１２Ａの両側部に対応する溝部２５ａの壁面が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内になるようにする。非磁性層２５ＰをＲＩＥによってエッチングする際のエッチングガスとしては、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３とを含むガスが用いられる。エッチングガスにおいて、全流量に対するＢＣｌ_３の流量の割合は、例えば５０％〜９０％である。また、非磁性層２５ＰをＲＩＥによってエッチングする際の積層体の温度は、１００℃以下であることが好ましい。次に、フォトレジストマスク３３を除去する。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３４を形成する。このフォトレジストマスク３４は、エッチングマスク層３１のうち、開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を覆い、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆っていない。フォトレジストマスク３４は、本発明における第２のマスクに対応する。そこで、以下、フォトレジストマスク３４を第２のマスク３４とも記す。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部がフォトレジストマスク３４で覆われた状態で、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて、ドライエッチング、例えばＲＩＥによって、非磁性層２５Ｐを選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに第１の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐおよび第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ２Ｐを形成する。ここで、溝部２５ｂ１Ｐにおける溝部２５ａにより近い壁面を記号Ｓ１Ｐで表し、溝部２５ｂ２Ｐにおける溝部２５ａにより近い壁面を記号Ｓ２Ｐで表す。次に、フォトレジストマスク３４を除去する。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、非磁性層２７を形成する。非磁性層２７は、溝部２５ａ，２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐ，２５ｃ内にも形成される。非磁性層２７は、例えば、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法または原子層堆積（ＡＬＤ）法によって形成される。

図１５は、次の工程を示す。図１５（ｃ）は、図１５（ａ）において、１５Ｃ−１５Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３５を形成する。フォトレジストマスク３５は溝部２５ａ，２５ｃを覆い、溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを覆っていない。

図１６は、次の工程を示す。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）において、１６Ｃ−１６Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、溝部２５ａ，２５ｃがフォトレジストマスク３５で覆われた状態で、溝部２５ｂ１Ｐが溝部２５ｂ１となり、溝部２５ｂ２Ｐが溝部２５ｂ２となるように、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって、溝部２５ｂ１Ｐの壁面Ｓ１Ｐと、溝部２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ２Ｐとをエッチングする。具体的には、例えばイオンミリングによって、非磁性層２７のうち溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐ内に存在する部分を除去すると共に、非磁性層２５Ｐおよびエッチングマスク層３１のうち、図６に示したＳＧを規定する部分の幅が、図１５（ｂ）における幅よりも小さくなるように、非磁性層２５Ｐ、非磁性層２７、エッチングマスク層３１およびフォトレジストマスク３５の一部を除去する。

この工程におけるイオンミリングでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内となり、且つ基板１の上面に垂直な方向に見たときにイオンビームの進行方向が回転するようにする。あるいは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内とし、且つ壁面Ｓ１Ｐをエッチングする際にはイオンビームが上方から壁面Ｓ１Ｐに向かい、壁面Ｓ２Ｐをエッチングする際にはイオンビームが上方から壁面Ｓ２Ｐに向かうようにしてもよい。図１６（ｂ）に示した矢印は、イオンビームの進行方向を表している。

この工程により、溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐは、それぞれ溝部２５ｂ１，２５ｂ２となる。また、溝部２５ｂ１，２５ｂ２が形成されることにより、残った非磁性層２５Ｐが収容層２５となる。この工程は、本発明における第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程に対応する。ここで、溝部２５ｂ１における溝部２５ａにより近い壁面を記号Ｓ１で表し、溝部２５ｂ２における溝部２５ａにより近い壁面を記号Ｓ２で表す。この工程により、壁面Ｓ１と溝部２５ａとの間の最小の距離と、壁面Ｓ２と溝部２５ａとの間の最小の距離は、それぞれ、壁面Ｓ１Ｐと溝部２５ａとの間の最小の距離と、壁面Ｓ２Ｐと溝部２５ａとの間の最小の距離よりも、例えば０．１μｍだけ、小さくなる。

図１７は、次の工程を示す。図１７（ｃ）は、図１７（ａ）において、１７Ｃ−１７Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、フォトレジストマスク３５を除去する。次に、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上に非磁性金属層２８を形成する。非磁性金属層２８は、溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃ内にも形成される。非磁性金属層２８は、例えばＴａ層とＲｕ層の積層膜によって構成される。非磁性金属層２８は、後に磁極層１２をめっき法で形成する際に電極およびシード層として用いられる。

図１８は、次の工程を示す。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）において、１８Ｃ−１８Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、非磁性層２７および非磁性金属層２８を選択的にエッチングして、非磁性層２７および非磁性金属層２８に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、非磁性金属層２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後に磁極層１２および接続層５２となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性金属層２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。溝部２５ｂ１，２５ｂ２には、磁性層１２Ｐを形成しない。

図１９は、次の工程を示す。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）において、１９Ｃ−１９Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、非磁性金属層２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後にサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２となる磁性層１３ＣＰを形成する。この磁性層１３ＣＰは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面が非磁性金属層２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性金属層２８が露出するまで磁性層１２Ｐ，１３ＣＰを研磨する。これにより、溝部２５ａ，２５ｃ内に残った磁性層１２Ｐと、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に残った磁性層１３ＣＰとが互いに分離される。なお、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰと非磁性金属層２８の研磨レートの違いにより、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰの上面と非磁性金属層２８の上面との間に段差が生じる場合がある。

図２０は、次の工程を示す。図２０（ｃ）は、図２０（ａ）において、２０Ｃ−２０Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰおよび非磁性金属層２８の一部をエッチングして、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰおよび非磁性金属層２８の上面を平坦化する。

次に、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上に、積層された図示しない第１および第２のマスク層を形成する。第１のマスク層は後に絶縁層５８となるものであり、第２のマスク層は後に非磁性金属層５９となるものである。これら第１および第２のマスク層は、例えば、スパッタ法によって形成された積層膜をエッチングによってパターニングして形成される。第１および第２のマスク層は、磁性層１２Ｐの上面のうち、後に磁極層１２の上面の第２の部分１２Ｔ２となる部分を覆っている。媒体対向面３０が形成される予定の位置ＡＢＳにより近い第１のマスク層の端縁は、磁極層１２の上面の第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２の境界の位置を規定する。次に、第１および第２のマスク層を用いて、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰ、収容層２５、非磁性層２７、非磁性金属層２８およびエッチングマスク層３１の一部をエッチングする。これにより、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上面に第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とが形成されて、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となる。また、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５２となる。また、磁性層１３ＣＰのうち、溝部２５ｂ１内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ１となり、溝部２５ｂ２内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ２となる。

次に、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法またはＣＶＤによって、ギャップ層１４を形成する。次に、例えばイオンミリングによって、磁極層１２の上面の一部、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上面および接続層５２の上面が露出するように、ギャップ層１４、第１および第２のマスク層を選択的にエッチングする。これにより、第１および第２のマスク層は、それぞれ絶縁層５８、非磁性金属層５９となる。

次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に上部シールド層１３Ｂ１を形成し、磁極層１２の上に上部ヨーク層１３Ｂ７を形成し、接続層５２の上に接続層５３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および非磁性層４６の上面を平坦化する。

図２０に示した工程の後、磁気ヘッド完成までの工程については、図１および図２を参照して説明する。図２０に示した工程の後では、まず、例えばフレームめっき法によって、上部シールド層１３Ｂ１の上に第２層１３Ｂ２を形成し、上部ヨーク層１３Ｂ７の上に第６層１３Ｂ６を形成し、接続層５３の上に接続層５４を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６および接続層５４が露出するまで、非磁性層４７を研磨して、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６、接続層５４および非磁性層４７の上面を平坦化する。

次に、非磁性層４７の上面のうち、コイル１８が配置される領域の上に絶縁層１７を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１７の上にコイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１３Ｂ２の上に第３層１３Ｂ３を形成し、第６層１３Ｂ６の上に第５層１３Ｂ５を形成する。なお、第３層１３Ｂ３および第５層１３Ｂ５を形成した後に、コイル１８を形成してもよい。

次に、コイル１８の巻線間および周囲ならびに第５層１３Ｂ５の周囲に絶縁層１９を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層４１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５およびコイル１８が露出するまで絶縁層４１を研磨して、第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５、コイル１８および絶縁層１９，４１の上面を平坦化する。

次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に絶縁層２０を形成する。次に、絶縁層２０を選択的にエッチングすることによって、絶縁層２０に、第３層１３Ｂ３の上面を露出させる開口部と第５層１３Ｂ５の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２の部分１３Ｂにおける第４層１３Ｂ４を形成して、シールド１３を完成させる。

次に、積層体の上面全体を覆うように保護層４２を形成する。次に、保護層４２の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、後に磁極溝部２５ａ、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２が形成されることによって収容層２５となる非磁性層２５Ｐを形成する工程と、非磁性層２５Ｐの上に、後に形成される磁極溝部２５ａ、第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐの平面形状に対応した形状の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２を有するエッチングマスク層３１を形成する工程と、エッチングマスク層３１を用いて、エッチングによって非磁性層２５Ｐに磁極溝部２５ａを形成する工程と、エッチングマスク層３１を用いて、エッチングによって非磁性層２５Ｐに第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを形成する工程とを備えている。

磁気ヘッドの製造方法は、更に、第１の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐが第１のサイドシールド溝部２５ｂ１となり、第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ２Ｐが第２のサイドシールド溝部２５ｂ２となるように、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって、第１の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐにおける磁極溝部２５ａにより近い壁面Ｓ１Ｐと、第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ２Ｐにおける磁極溝部２５ａにより近い壁面Ｓ２Ｐとをエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程と、磁極層１２を形成する工程と、第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を形成する工程と、ギャップ層１４を形成する工程と、上部シールド層１３Ｂ１を形成する工程と、コイル１１，１８を形成する工程とを備えている。

第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程は、磁極溝部２５ａを形成する工程の後であって磁極層１２を形成する工程の前において、磁極溝部２５ａがフォトレジストマスク３５で覆われた状態で行われる。磁極層１２を形成する工程と第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を形成する工程は、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程の後に行われる。

また、磁極溝部２５ａを形成する工程は、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２が第１のマスク３３で覆われた状態で行われ、第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを形成する工程は、第１の開口部３１ａが第２のマスク３４で覆われた状態で行われる。

また、エッチングマスク層３１を形成する工程は、非磁性層２５Ｐの上に、非磁性金属材料よりなり、後に第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２が形成されることによってエッチングマスク層３１となる非磁性金属層３１Ｐを形成する工程と、非磁性金属層３１Ｐの上に、後に非磁性金属層３１Ｐをエッチングする際に用いられるフォトレジストマスク３２を形成する工程と、非磁性金属層３１Ｐがエッチングマスク層３１となるように、フォトレジストマスク３２を用いて、エッチングによって非磁性金属層３１Ｐに第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２を形成する工程とを含んでいる。フォトレジストマスク３２を形成する工程では、ＯＰＣを伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成してもよい。

本実施の形態では、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の位置は、同時にパターニングされるエッチングマスク層３１の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２によって規定される。従って、本実施の形態によれば、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の精度のよい位置合わせを行うことができる。また、上述のように、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の位置は、エッチングマスク層３１の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２によって規定されるため、第１および第２のマスク３３，３４には、高い精度は必要ない。

また、本実施の形態では、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２が第１のマスク３３で覆われた状態で、第１の開口部３１ａを用いて非磁性層２５Ｐをエッチングすることによって、磁極溝部２５ａを形成し、第１の開口部３１ａが第２のマスク３４で覆われた状態で、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて非磁性層２５Ｐをエッチングすることによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを形成する。従って、本実施の形態では、磁極溝部２５ａと、第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを、互いに異なる条件のエッチングによって形成することができる。更に、本実施の形態では、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ１Ｐ，Ｓ２Ｐをエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。これらのことから、本実施の形態によれば、磁極溝部２５ａと第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２の各々の形状を任意に制御することが可能になる。

その結果、本実施の形態によれば、所望の記録特性を実現するために、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の各々の形状を任意に制御することが可能になる。例えば、本実施の形態によれば、図６に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法ＰＴと、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法とを異ならせることができる。また、本実施の形態によれば、磁極層１２の端面における第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と、サイドシールド１３Ｃ１の端面における辺Ｂ１とサイドシールド１３Ｃ２の端面における辺Ｂ２がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度とを異ならせることができる。

ところで、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程を設けずに、第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐをそのまま第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２とする場合には、磁極溝部２５ａと第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２との間の最小の距離は、図８（ｂ）に示したフォトレジストマスク３２の最小幅によって規定される。従って、この場合には、磁極層１２と第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２との間の距離を、フォトレジストマスク３２によって規定可能な限度を超えて短縮することはできない。

これに対し、本実施の形態によれば、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ１Ｐ，Ｓ２Ｐをエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させることから、磁極溝部２５ａと第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２との間の最小の距離を、図８（ｂ）に示したフォトレジストマスク３２の最小幅を超えて短縮することができる。従って、本実施の形態によれば、磁極層１２と第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２との間の距離を、フォトレジストマスク３２によって規定可能な限度を超えて短縮することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１２と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、互いに異なる工程で形成される。そのため、本実施の形態によれば、磁極層１２を構成する磁性材料と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料とを異ならせることができる。磁極層１２を構成する磁性材料の飽和磁束密度は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料の飽和磁束密度よりも大きいことが好ましい。

次に、図８に示した工程において、フォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成する際に用いられるＯＰＣについて説明する。一般的に、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングする場合、フォトレジスト層の露光時における下地での光の反射等の影響によって、パターニングされたフォトレジスト層の形状が所望の形状からずれやすい。ＯＰＣでは、フォトリソグラフィによってパターニングされるフォトレジスト層の形状が所望の形状に近づくようにフォトマスクのパターンを決定する。

図８に示した工程では、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光し、次に、露光後のフォトレジスト層を現像して、フォトレジストマスク３２を形成する。この工程でＯＰＣを用いる場合におけるフォトマスクの形状の第１ないし第３の例を図２１に示す。ここでは、フォトレジスト層がポジ型の場合について説明する。

図２１（ａ）に示した第１の例のフォトマスク７０は、露光用の光を通過させる透光部７１と、露光用の光を遮断する遮光部７２〜７７を有している。透光部７１の形状は、フォトレジスト層のうち現像によって除去される部分の形状に概ね対応し、遮光部７２，７３の形状は、形成すべきフォトレジストマスク３２の形状に概ね対応する。遮光部７４〜７７は、フォトレジストマスク３２の形状が所望の形状に近づくように、フォトレジスト層に照射される露光用の光のパターンを制御するための部分である。

図２１（ｂ）に示した第２の例のフォトマスク７０は、図２１（ａ）に示した第１の例のフォトマスク７０における遮光部７６，７７の代わりに、遮光部８６〜８９を有している。第２の例では、遮光部７４，７５，８６〜８９が、フォトレジストマスク３２の形状が所望の形状に近づくように、フォトレジスト層に照射される露光用の光のパターンを制御するための部分である。

図２１（ｃ）に示した第３の例のフォトマスク７０では、図２１（ｂ）に示した第２の例のフォトマスク７０と比較して、遮光部８６〜８９の形状が異なっている。

ＯＰＣを伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成することにより、フォトレジストマスク３２の形状を所望の形状に近づけることができ、その結果、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の各々の形状をより精度よく制御することが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、非磁性金属層２８を備えていない点を除いて、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドと同様である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、非磁性層２７を形成する工程（図１４）までは、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。

次に、図２２ないし図２６を参照して、上記の工程の後、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図２２ないし図２６は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２２ないし図２６において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図２２ないし図２６において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図２２ないし図２６において、（ｃ）は、積層体における媒体対向面３０および基板１の上面に垂直な断面を示している。なお、図２２（ｂ）および図２２（ｃ）では、非磁性層２５Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、図２３ないし図２６の（ｂ）および図２３ないし図２６の（ｃ）では、収容層２５よりも基板１側の部分を省略している。また、図２２ないし図２６の（ａ）および図２２ないし図２６の（ｃ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図２２は、非磁性層２７を形成した後の工程を示している。図２２（ｃ）は、図２２（ａ）において、２２Ｃ−２２Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、非磁性層２７を選択的にエッチングして、非磁性層２７に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、めっき法によって、後に磁極層１２および接続層５２となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性層２７のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐには、磁性層１２Ｐを形成しない。

図２３は、次の工程を示す。図２３（ｃ）は、図２３（ａ）において、２３Ｃ−２３Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、溝部２５ａ，２５ｃが磁性層１２Ｐによって埋められた状態で、溝部２５ｂ１Ｐが溝部２５ｂ１となり、溝部２５ｂ２Ｐが溝部２５ｂ２となるように、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって、溝部２５ｂ１Ｐの壁面Ｓ１Ｐと、溝部２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ２Ｐとをエッチングする。具体的には、例えばイオンミリングによって、非磁性層２７のうち溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐ内に存在する部分を除去すると共に、非磁性層２５Ｐおよびエッチングマスク層３１のうち、図６に示したＳＧを規定する部分の幅が、図２２（ｂ）における幅よりも小さくなるように、非磁性層２５Ｐ、非磁性層２７、エッチングマスク層３１および磁性層１２Ｐの一部を除去する。この工程により、溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐは、それぞれ溝部２５ｂ１，２５ｂ２となる。また、溝部２５ｂ１，２５ｂ２が形成されることにより、残った非磁性層２５Ｐが収容層２５となる。

図２４は、次の工程を示す。図２４（ｃ）は、図２４（ａ）において、２４Ｃ−２４Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、めっき法によって、後にサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２となる磁性層１３ＣＰを形成する。この磁性層１３ＣＰは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つ磁性層１２Ｐを覆うように形成される。また、磁性層１３ＣＰは、その上面が非磁性層２７のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。

図２５は、次の工程を示す。図２５（ｃ）は、図２５（ａ）において、２５Ｃ−２５Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、例えばＣＭＰによって、非磁性層２７が露出するまで磁性層１２Ｐ，１３ＣＰを研磨する。これにより、溝部２５ａ，２５ｃ内に残った磁性層１２Ｐと、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に残った磁性層１３ＣＰとが互いに分離される。

図２６は、次の工程を示す。図２６（ｃ）は、図２６（ａ）において、２６Ｃ−２６Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上に、積層された図示しない第１および第２のマスク層を形成する。次に、第１および第２のマスク層を用いて、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰ、収容層２５、非磁性層２７およびエッチングマスク層３１の一部をエッチングする。これにより、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上面に第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とが形成されて、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となる。また、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５２となる。また、磁性層１３ＣＰのうち、溝部２５ｂ１内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ１となり、溝部２５ｂ２内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ２となる。

次に、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法またはＣＶＤによって、ギャップ層１４を形成する。次に、例えばイオンミリングによって、磁極層１２の上面の一部、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上面および接続層５２の上面が露出するように、ギャップ層１４、第１および第２のマスク層を選択的にエッチングする。これにより、第１および第２のマスク層は、それぞれ絶縁層５８、非磁性金属層５９となる。

次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に上部シールド層１３Ｂ１を形成し、磁極層１２の上に上部ヨーク層１３Ｂ７を形成し、接続層５２の上に接続層５３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および非磁性層４６の上面を平坦化する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるマスク３５を形成する代わりに、後に磁極層１２となる磁性層１２Ｐを、磁極溝部２５ａを埋めるように形成した後、磁極溝部２５ａが磁性層１２Ｐによって埋められた状態で、溝部２５ｂ１Ｐが溝部２５ｂ１となり、溝部２５ｂ２Ｐが溝部２５ｂ２となるように、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって、溝部２５ｂ１Ｐの壁面Ｓ１Ｐと、溝部２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ２Ｐとをエッチングする。そのため、本実施の形態によれば、マスク３５を形成する工程と、マスク３５を除去する工程が不要になり、第１の実施の形態に比べて工程を少なくすることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、本実施の形態に係る磁気ヘッドが第２の実施の形態に係る磁気ヘッドと異なる点について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける上部シールド層１３Ｂ１およびサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を備えていない。代わりに、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、シールド層１３Ｄを備えている。

本実施の形態では、ギャップ層１４は、磁極層１２の上面の一部、非磁性金属層５９の上面、非磁性層２７の上面の一部、収容層２５の上面の一部、および溝部２５ｂ１，２５ｂ２の壁面に沿って配置されている。

シールド層１３Ｄは、ギャップ層１４の上に配置されている。シールド層１３Ｄは、第２の実施の形態における第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２に対応する第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と、第２の実施の形態における上部シールド層１３Ｂ１に対応する上部シールド１３Ｄ３とを含んでいる。すなわち、本実施の形態におけるシールド層１３Ｄは、サイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と上部シールド１３Ｄ３が同じ材料によりなり、一体化されたものである。サイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の各壁面とサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２との間にギャップ層１４が介在するように、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に収容されている。上部シールド１３Ｄ３は、ギャップ層１４およびサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２の上に配置されている。シールド層１３Ｄは、磁性材料によって形成されている。シールド層１３Ｄの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程（図２３）までは、第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。

次に、図２７ないし図２９を参照して、上記の工程の後、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図２７ないし図２９は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２７ないし図２９において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図２７ないし図２９において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図２７ないし図２９において、（ｃ）は、積層体における媒体対向面３０および基板１の上面に垂直な断面を示している。なお、図２７ないし図２９の（ｂ）および図２７ないし図２９の（ｃ）では、収容層２５よりも基板１側の部分を省略している。また、図２７ないし図２９の（ａ）および図２７ないし図２９の（ｃ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図２７は、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させた後の工程を示している。図２７（ｃ）は、図２７（ａ）において、２７Ｃ−２７Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、めっき法によって、磁性材料よりなる磁性層６１を形成する。この磁性層６１は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つ磁性層１２Ｐを覆うように形成される。また、磁性層６１は、その上面が非磁性層２７のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。磁性層６１の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性層２７が露出するまで磁性層１２Ｐ，６１を研磨する。これにより、溝部２５ａ，２５ｃ内に残った磁性層１２Ｐと、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に残った磁性層６１とが互いに分離される。

次に、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上に、積層されたマスク層５８Ｐ，５９Ｐを形成する。マスク層５８Ｐは後に絶縁層５８となるものであり、マスク層５９Ｐは後に非磁性金属層５９となるものである。これらマスク層５８Ｐ，５９Ｐは、例えば、スパッタ法によって形成された積層膜をエッチングによってパターニングして形成される。マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、磁性層１２Ｐの上面のうち、後に磁極層１２の上面の第２の部分１２Ｔ２となる部分を覆っている。媒体対向面３０が形成される予定の位置ＡＢＳにより近いマスク層５８Ｐの端縁は、磁極層１２の上面の第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２の境界の位置を規定する。次に、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを用いて、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，６１、収容層２５、非磁性層２７およびエッチングマスク層３１の一部をエッチングする。これにより、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上面に第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とが形成されて、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となる。また、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５２となる。

図２８は、次の工程を示す。図２８（ｃ）は、図２８（ａ）において、２８Ｃ−２８Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３６を形成する。フォトレジストマスク３６は磁極層１２、接続層５２およびマスク層５８Ｐ，５９Ｐを覆い、磁性層６１を覆っていない。次に、例えばウェットエッチングによって、磁性層６１を除去する。

図２９は、次の工程を示す。図２９（ｃ）は、図２９（ａ）において、２９Ｃ−２９Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、フォトレジストマスク３６を除去する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上にギャップ層１４を形成する。ギャップ層１４は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内にも形成される。次に、例えばイオンミリングによって、磁極層１２の上面の一部および接続層５２の上面が露出するように、ギャップ層１４、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを選択的にエッチングする。これにより、マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、それぞれ絶縁層５８、非磁性金属層５９となる。

次に、例えばフレームめっき法によって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３を形成する。シールド層１３Ｄは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面がギャップ層１４のうち非磁性金属層５９よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。上部ヨーク層１３Ｂ７は、磁極層１２の上に形成される。接続層５３は、接続層５２の上に形成される。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および非磁性層４６の上面を平坦化する。その後の工程は、第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と上部シールド１３Ｄ３は同じ材料よりなり、上部シールド１３Ｄ３を形成する工程は、第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２を形成する工程と同時に行われる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における図１０ないし図１３に示した工程の代わりに、図３０に示した工程が行われる。図３０は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図３０（ａ）は積層体の一部の上面を示している。図３０（ｂ）は積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図３０（ｂ）では、非磁性層２５Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、図３０（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図３０に示した工程では、エッチングマスク層３１における開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２と溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を用いて、ドライエッチング、例えばＲＩＥによって、非磁性層２５Ｐを選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐ，２５ｃを同時に形成する。このように、本実施の形態では、磁極溝部２５ａを形成する工程と第１および第２の初期サイドシールド溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを形成する工程は、同時に行われる。その後の工程は、第１ないし第３の実施の形態のいずれかと同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１ないし第３の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。始めに、本実施の形態に係る磁気ヘッドが第３の実施の形態に係る磁気ヘッドと異なる点について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける絶縁層５８および非磁性金属層５９を備えていない。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、溝部２５ａ，２５ｃ内に配置された非磁性金属層２８を備えている。非磁性金属層２８は、非磁性層２７の表面に沿って配置されている。非磁性金属層２８には、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とが形成されている。非磁性金属層２８の材料は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、磁極層１２は、収容層２５の溝部２５ａの壁面と磁極層１２との間に非磁性層２７および非磁性金属層２８が介在するように、溝部２５ａ内に収容されている。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、磁極層１２の上面は、第３の実施の形態における第１および第２の部分１２Ｔ１，１２Ｔ２を有していない。従って、本実施の形態における磁極層１２の上面は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延びる平坦な面である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｃを形成し、フォトレジストマスク３３を除去する工程（図１１）までは、第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。

次に、図３１ないし図３７を参照して、上記の工程の後、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図３１ないし図３７は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図３１ないし図３７において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図３１ないし図３７において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図３１ないし図３３の（ｂ）では、絶縁層２４よりも基板１側の部分を省略している。また、図３４（ｂ）では、非磁性層２５Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、図３５ないし図３７の（ｂ）では、収容層２５よりも基板１側の部分を省略している。また、図３１ないし図３７の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図３１に示した工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層２７を形成する。非磁性層２７は、溝部２５ａ，２５ｃ内にも形成される。非磁性層２７は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法によって形成される。次に、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上に非磁性金属層２８を形成する。非磁性金属層２８は、溝部２５ａ，２５ｃ内にも形成される。

図３２は、次の工程を示す。この工程では、まず、非磁性層２７および非磁性金属層２８を選択的にエッチングして、非磁性層２７および非磁性金属層２８に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、非磁性金属層２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後に磁極層１２および接続層５２となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性金属層２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。開口部３１ｂ１，３１ｂ２には、磁性層１２Ｐを形成しない。

図３３は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、非磁性金属層２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分が露出するまで磁性層１２Ｐを研磨する。なお、磁性層１２Ｐと非磁性金属層２８の研磨レートの違いにより、磁性層１２Ｐの上面と非磁性金属層２８の上面との間に段差が生じる場合がある。

図３４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばイオンミリングによって、積層体の上面に露出している非磁性金属層２８の一部をエッチングする。次に、例えばＣＭＰによって、エッチングマスク層３１が露出するまで磁性層１２Ｐ、非磁性層２７および非磁性金属層２８を研磨する。これにより、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となる。また、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５２となる。

次に、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３７を形成する。このフォトレジストマスク３７は、開口部３１ａと、溝部２５ｃに対応した図示しない開口部と、磁極層１２および接続層５２とを覆い、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆っていない。次に、開口部３１ａと、溝部２５ｃに対応した図示しない開口部がフォトレジストマスク３７で覆われた状態で、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて、ドライエッチング、例えばＲＩＥによって、非磁性層２５Ｐ、非磁性層２７および非磁性金属層２８を選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐを形成する。

図３５は、次の工程を示す。この工程では、開口部３１ａと、溝部２５ｃに対応した図示しない開口部と、磁極層１２および接続層５２がフォトレジストマスク３７で覆われた状態で、溝部２５ｂ１Ｐが溝部２５ｂ１となり、溝部２５ｂ２Ｐが溝部２５ｂ２となるように、ドライエッチング、例えばイオンミリングによって、溝部２５ｂ１Ｐの壁面Ｓ１Ｐと溝部２５ｂ２Ｐの壁面Ｓ２Ｐとをエッチングする。具体的には、例えばイオンミリングによって、非磁性層２５Ｐおよびエッチングマスク層３１のうち、図６に示したＳＧを規定する部分の幅が、図３４（ｂ）における幅よりも小さくなるように、非磁性層２５Ｐ、エッチングマスク層３１およびフォトレジストマスク３７の一部を除去する。この工程により、溝部２５ｂ１Ｐ，２５ｂ２Ｐは、それぞれ溝部２５ｂ１，２５ｂ２となる。また、溝部２５ｂ１，２５ｂ２が形成されることにより、残った非磁性層２５Ｐが収容層２５となる。

図３６は、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトレジストマスク３７を除去する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上にギャップ層１４を形成する。ギャップ層１４は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内にも形成される。次に、例えばイオンミリングによって、磁極層１２の上面の一部および接続層５２の上面が露出するように、ギャップ層１４を選択的にエッチングする。

図３７は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３を形成する。シールド層１３Ｄは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面がギャップ層１４のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。上部ヨーク層１３Ｂ７は、磁極層１２の上に形成される。接続層５３は、接続層５２の上に形成される。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５３が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５３および非磁性層４６の上面を平坦化する。その後の工程は、第３の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる工程は、磁極層１２を形成する工程の後において、磁極層１２がフォトレジストマスク３７で覆われた状態で行われる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態において磁極層１２の上面が第１および第２の部分１２Ｔ１，１２Ｔ２を有していることによる作用および効果を除いて、第３の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第１ないし第４の実施の形態では、磁極層１２の上面が第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とを含んでいるが、磁極層１２の上面は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延びる平坦な面であってもよい。

また、第１ないし第５の実施の形態において、シールド１３の第１の部分１３Ａは、第１層１３Ａ１の上に配置され、第１層１３Ａ１、第２層１３Ａ２および第３層１３Ａ３と磁気的に連結された下部シールド層を有していてもよい。この下部シールド層は、媒体対向面３０とコイル１１との間に配置され、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面を有していてもよい。

また、第１ないし第５の実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

１２…磁極層、１３Ｃ１，１３Ｃ２…サイドシールド、２５…収容層、２５ａ…磁極溝部、２５ｂ１，２５ｂ２…サイドシールド溝部。

Claims (12)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有する上部シールドと、
   非磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層と前記上部シールドとの間に配置されたギャップ層と、
   磁性材料よりなり、それぞれ前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールドと、
   非磁性材料よりなり、前記磁極層を収容する磁極溝部、前記第１のサイドシールドを収容する第１のサイドシールド溝部、および前記第２のサイドシールドを収容する第２のサイドシールド溝部を有する収容層とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
   後に前記磁極溝部、第１および第２のサイドシールド溝部が形成されることによって前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
   前記非磁性層の上に、それぞれ後に形成される前記磁極溝部、第１の初期サイドシールド溝部および第２の初期サイドシールド溝部に対応した形状の第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
   前記エッチングマスク層を用いて、エッチングによって前記非磁性層に前記磁極溝部を形成する工程と、
   前記エッチングマスク層を用いて、エッチングによって前記非磁性層に前記第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程と、
   前記第１の初期サイドシールド溝部が前記第１のサイドシールド溝部となり、前記第２の初期サイドシールド溝部が前記第２のサイドシールド溝部となるように、ドライエッチングによって、前記第１の初期サイドシールド溝部における前記磁極溝部により近い壁面と、前記第２の初期サイドシールド溝部における前記磁極溝部により近い壁面とをエッチングして、前記第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程と、
   前記磁極層を形成する工程と、
   前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
   前記ギャップ層を形成する工程と、
   前記上部シールドを形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記ドライエッチングは、イオンミリングであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、前記磁極溝部を形成する工程の後であって前記磁極層を形成する工程の前において、前記磁極溝部がマスクで覆われた状態で行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
4. 更に、後に前記磁極層となる磁性層を、前記磁極溝部を埋めるように形成する工程を備え、
   前記第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、前記磁性層を形成する工程の後で行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記第１および第２のサイドシールド溝部を完成させる工程は、前記磁極層を形成する工程の後において、前記磁極層がマスクで覆われた状態で行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記磁極溝部を形成する工程は、前記第２および第３の開口部が第１のマスクで覆われた状態で行われ、
   前記第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程は、前記第１の開口部が第２のマスクで覆われた状態で行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記磁極溝部を形成する工程と前記第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成する工程は、同時に行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、前記コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備え、
   前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面のトラック幅方向の幅は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
9. 前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、前記コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備え、
   前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、前記第１の部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第２の端縁において前記第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有し、前記第１の部分における任意の位置の前記基板の上面からの距離は、前記任意の位置が前記媒体対向面に近づくに従って小さくなり、
   前記磁極層を形成する工程は、前記磁極溝部を埋めるように、後に前記磁極層となる磁性層を形成する工程と、前記磁極層の上面における前記第１の部分が形成されて前記磁性層が前記磁極層となるように、前記磁性層の一部をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
10. 前記第１および第２のサイドシールドと前記上部シールドは同じ材料よりなり、前記上部シールドを形成する工程は、前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と同時に行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
11. 前記エッチングマスク層を形成する工程は、
    前記非磁性層の上に、非磁性金属材料よりなり、後に前記第１ないし第３の開口部が形成されることによって前記エッチングマスク層となる非磁性金属層を形成する工程と、
    前記非磁性金属層の上に、後に前記非磁性金属層をエッチングする際に用いられるフォトレジストマスクを形成する工程と、
    前記非磁性金属層が前記エッチングマスク層となるように、前記フォトレジストマスクを用いて、エッチングによって前記非磁性金属層に前記第１ないし第３の開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
12. 前記フォトレジストマスクを形成する工程では、光近接効果補正を伴うフォトリソグラフィによって前記フォトレジストマスクを形成することを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。

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