JP5544156B2 - ２つのサイドシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

２つのサイドシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法に関する。
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッドには、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。
垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば、特許文献１に記載されているように、媒体対向面において、磁極層の端面に対して、所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有するシールドを備えた磁気ヘッドが知られている。磁極層とシールドとの間には、非磁性材料よりなるギャップ層が設けられる。シールドは、磁極層の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。このようなシールドを備えた磁気ヘッドによれば、記録密度のより一層の向上が可能になる。
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が発生しやすい。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。
上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去を抑制する技術としては、特許文献１に記載されているように、媒体対向面の近傍における磁極層の厚みが媒体対向面に近づくに従って小さくなるように、媒体対向面の近傍において磁極層の上面にテーパー面を形成する技術が有効である。この技術によれば、媒体対向面におけるトラック幅規定部の厚みを小さくすることができることから、スキューに起因した隣接トラック消去を抑制でき、且つ磁極層によって多くの磁束を媒体対向面まで導くことができることから記録特性（オーバーライト特性）の低下を抑制することができる。
また、垂直磁気記録方式の記録ヘッドにおける隣接トラック消去を抑制する技術としては、特許文献２に記載されているように、磁極層のトラック幅方向の両側に２つのサイドシールドを設ける技術も有効である。このような２つのサイドシールドを備えた磁気ヘッドによれば、磁極層の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込むことができることから、隣接トラック消去を抑制することができる。
特許文献３には、１つのマスクを用いたエッチングによって、非磁性層に、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成する方法が記載されている。
特開２００５−２９３８２２号公報 特開２００７−２０７４１９号公報 特開２００７−２４２２１０号公報
２つのサイドシールドを備えた磁気ヘッドでは、磁極層の近くに２つのサイドシールドが存在するため、磁極層から２つのサイドシールドへの磁束の漏れが生じやすい。そのため、磁極層と２つのサイドシールドの位置関係や、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状は、記録特性に影響を与える。そのため、所望の記録特性を実現するためには、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御が重要である。
一般的には、磁極層と２つのサイドシールドは、それぞれ別々のマスクを用いてパターニングされる。この場合、磁極層と２つのサイドシールドを精度よく位置合わせすることは難しい。
前述のように、特許文献３には、１つのマスクを用いたエッチングによって、非磁性層に、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成する方法が記載されている。この方法によれば、磁極層と２つのサイドシールドを精度よく位置合わせすることが可能である。しかしながら、この方法では、磁極層を収容する溝部と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部とを同時に形成するため、磁極層を収容する溝部の形状と２つのサイドシールドを収容する２つの溝部の形状を互いに独立して制御することは難しい。そのため、この方法では、磁極層の形状と２つのサイドシールドの各々の形状を任意に制御することが難しい。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせと、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状の制御とを可能にした垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁性材料よりなり、媒体対向面において磁極層の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有する上部シールドと、非磁性材料よりなり、媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層と上部シールドとの間に配置されたギャップ層と、磁性材料よりなり、それぞれ媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールドと、非磁性材料よりなる収容層とを備えている。収容層は、磁極層を収容する第１の溝部と、第１のサイドシールドを収容する第２の溝部と、第２のサイドシールドを収容する第３の溝部とを有している。
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
後に第１ないし第３の溝部が形成されることによって収容層となる非磁性層を形成する工程と、
非磁性層の上に、後に形成される第１ないし第３の溝部の平面形状に対応した形状の第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
非磁性層が収容層となるように、エッチングマスク層を用いて、エッチングによって非磁性層に第１ないし第３の溝部を形成する工程と、
磁極層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
ギャップ層を形成する工程と、
上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
第１ないし第３の溝部を形成する工程は、第２および第３の開口部を第１のマスクで覆った状態で、第１の開口部を用いて非磁性層をエッチングして第１の溝部を形成する工程と、第１の開口部を第２のマスクで覆った状態で、第２および第３の開口部を用いて非磁性層をエッチングして第２および第３の溝部を形成する工程とを含んでいる。
垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備えていてもよい。この場合、媒体対向面に配置された磁極層の端面のトラック幅方向の幅は、基板の上面に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、磁極層は、媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有し、第１の部分における任意の位置の基板の上面からの距離は、前記任意の位置が媒体対向面に近づくに従って小さくなっていてもよい。この場合、磁極層を形成する工程は、第１の溝部を埋めるように、後に磁極層となる磁性層を形成する工程と、磁極層の上面における第１の部分が形成されて磁性層が磁極層となるように、磁性層の一部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、エッチングマスク層を形成する工程は、非磁性層の上に、非磁性金属材料よりなり、後に第１ないし第３の開口部が形成されることによってエッチングマスク層となる非磁性金属層を形成する工程と、非磁性金属層の上に、後に非磁性金属層をエッチングする際に用いられるフォトレジストマスクを形成する工程と、非磁性金属層がエッチングマスク層となるように、フォトレジストマスクを用いて、エッチングによって非磁性金属層に第１ないし第３開口部を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、フォトレジストマスクを形成する工程では、光近接効果補正を伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスクを形成してもよい。
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極層を形成する工程と第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、第１の溝部を形成する工程と第２および第３の溝部を形成する工程の後に行われてもよい。
また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極層を形成する工程は、第１の溝部を形成する工程の後に行われ、第２および第３の溝部を形成する工程は、磁極層を形成する工程の後に行われ、第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、第２および第３の溝部を形成する工程の後に行われ、第２および第３の溝部を形成する工程において、第２のマスクは、第１の開口部と共に磁極層を覆ってもよい。この場合、ギャップ層を形成する工程は、第２および第３の溝部を形成する工程と第１および第２のサイドシールドを形成する工程との間に行われてもよい。更に、第１および第２のサイドシールドと上部シールドは同じ材料よりなり、上部シールドを形成する工程は、第１および第２のサイドシールドを形成する工程と同時に行われてもよい。
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、磁極層と２つのサイドシールドの位置は、エッチングマスク層の第１ないし第３の開口部によって規定される。従って、本発明によれば、磁極層と２つのサイドシールドの精度のよい位置合わせを行うことができる。また、本発明では、第２および第３の開口部を第１のマスクで覆った状態で、第１の開口部を用いて非磁性層をエッチングすることによって、第１の溝部が形成され、第１の開口部を第２のマスクで覆った状態で、第２および第３の開口部を用いて非磁性層をエッチングすることによって、第２および第３の溝部が形成される。そのため、本発明によれば、磁極層と２つのサイドシールドの各々の形状を制御することができるという効果を奏する。
本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層および２つのサイドシールドを示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面における磁極層および２つのサイドシールドの形状を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法において用いられるフォトマスクの形状の第１ないし第３の例を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の第１の変形例における一工程を示す説明図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の第２の変形例における一工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の第３の変形例における一工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の第４の変形例における一工程を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用の磁気ヘッドである。図１は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図１は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図１において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図２は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３は本実施の形態における磁極層および２つのサイドシールドを示す平面図である。図４は本実施の形態における磁極層および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。図５は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面における磁極層および２つのサイドシールドの形状を示す説明図である。なお、図５では、磁極層および２つのサイドシールド以外の部分は簡略化して描いている。
図１および図２に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。
ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。
下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上部シールド層７の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された記録ヘッドとを備えている。非磁性層８は、例えばアルミナによって形成されている。記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、磁極層１２と、シールド１３と、ギャップ層１４とを備えている。
第１のコイル１１と第２のコイル１８は、いずれも平面渦巻き形状をなしている。また、第１のコイル１１と第２のコイル１８は、直列または並列に接続されている。図１において、符号１１ａは、第１のコイル１１のうち、第２のコイル１８に接続される接続部を示し、符号１８ａは、第２のコイル１８のうち、第１のコイル１１に接続される接続部を示している。磁気ヘッドは、更に、それぞれ導電材料よりなり、接続部１１ａの上に順に積層された接続層５１，５２，５３を備えている。接続部１８ａは、接続層５３の上に配置されている。
第１のコイル１１および第２のコイル１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１２は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。第１の部分１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよびサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
シールド１３の第１の部分１３Ａは、磁気的に連結された下部シールド層１３Ａ１、第２層１３Ａ２および第３層１３Ａ３を有している。第２層１３Ａ２は、非磁性層８の上に配置されている。第２層１３Ａ２は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。磁気ヘッドは、更に、第２層１３Ａ２の周囲において非磁性層８の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２１と、第２層１３Ａ２の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２２とを備えている。絶縁層２１，２２は、例えばアルミナによって形成されている。第１のコイル１１は、絶縁層２２の上に配置されている。
下部シールド層１３Ａ１と第３層１３Ａ３は、第２層１３Ａ２の上に配置されている。下部シールド層１３Ａ１は、媒体対向面３０とコイル１１との間に配置されている。下部シールド層１３Ａ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面を有している。第３層１３Ａ３は、下部シールド層１３Ａ１よりも媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。コイル１１は、第３層１３Ａ３を中心として巻回されている。
磁気ヘッドは、更に、コイル１１の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２３と、絶縁層２３、下部シールド層１３Ａ１および第３層１３Ａ３の周囲ならびにコイル１１および絶縁層２３の上面の上に配置された絶縁層２４とを備えている。下部シールド層１３Ａ１、第３層１３Ａ３および絶縁層２４の上面は平坦化されている。絶縁層２４には、コイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部が形成されている。絶縁層２３は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２４は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１１は、銅等の導電材料によって形成されている。
磁気ヘッドは、更に、下部シールド層１３Ａ１および絶縁層２４の上面の上に配置された非磁性材料よりなる収容層２５を備えている。収容層２５は、上面で開口する４つの溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃを有している。溝部２５ａは磁極層１２を収容する。溝部２５ｂ１はサイドシールド１３Ｃ１を収容する。溝部２５ｂ２はサイドシールド１３Ｃ２を収容する。溝部２５ｃは接続層５１を収容する。溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２は、本発明における第１ないし第３の溝部に対応する。
溝部２５ａの底部には、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部が形成されている。溝部２５ｂ１，２５ｂ２は、媒体対向面３０の近傍において、溝部２５ａのトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。溝部２５ｂ１，２５ｂ２は収容層２５を貫通し、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の底部の位置は、下部シールド層１３Ａ１の上面の位置と一致している。溝部２５ｃは、溝部２５ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。溝部２５ｃは収容層２５を貫通し、収容層２５の下面における溝部２５ｃの縁は、絶縁層２４の上面におけるコイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部の縁の真上に配置されている。なお、図１および図２に示した例では、溝部２５ａは収容層２５を貫通していないが、溝部２５ａは収容層２５を貫通していてもよい。
収容層２５の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層２５の溝部２５ａ，２５ｃ内に配置された非磁性層２７を備えている。非磁性層２７は、溝部２５ａ，２５ｃおよび絶縁層２４の開口部の壁面に沿って配置されている。非磁性層２７には、第３層１３Ａ３およびコイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部が形成されている。非磁性層２７の材料としては、例えばアルミナが用いられる。
磁気ヘッドは、更に、溝部２５ａ内に配置された非磁性金属層２８Ａと、溝部２５ｂ１内に配置された非磁性金属層２８Ｂ１と、溝部２５ｂ２内に配置された非磁性金属層２８Ｂ２と、溝部２５ｃ内に配置された非磁性金属層２８Ｃとを備えている。非磁性金属層２８Ａ，２８Ｃは、非磁性層２７の表面に沿って配置されている。非磁性金属層２８Ｂ１は、溝部２５ｂ１の壁面および下部シールド層１３Ａ１の上面に沿って配置されている。非磁性金属層２８Ｂ２は、溝部２５ｂ２の壁面および下部シールド層１３Ａ１の上面に沿って配置されている。非磁性金属層２８Ａには、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部が形成されている。非磁性金属層２８Ｃには、コイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部が形成されている。非磁性金属層２８Ａ，２８Ｂ１，２８Ｂ２，２８Ｃは、非磁性金属材料によって形成されている。非磁性金属層２８Ａ，２８Ｂ１，２８Ｂ２，２８Ｃは、例えば、Ｔａ層とＲｕ層の積層膜で構成されている。
磁極層１２は、収容層２５の溝部２５ａの壁面と磁極層１２との間に非磁性層２７および非磁性金属層２８Ａが介在するように、溝部２５ａ内に収容されている。磁極層１２は、下面と、その反対側の上面とを有している。磁極層１２の下面は、第３層１３Ａ３の上面に接している。磁極層１２は、金属磁性材料によって形成されている。磁極層１２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを有している。図１に示したように、第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。
サイドシールド１３Ｃ１は、収容層２５の溝部２５ｂ１の壁面および下部シールド層１３Ａ１の上面とサイドシールド１３Ｃ１との間に非磁性金属層２８Ｂ１が介在するように、溝部２５ｂ１内に収容されている。サイドシールド１３Ｃ２は、収容層２５の溝部２５ｂ２の壁面および下部シールド層１３Ａ１の上面とサイドシールド１３Ｃ２との間に非磁性金属層２８Ｂ２が介在するように、溝部２５ｂ２内に収容されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１２のトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、それぞれ媒体対向面３０に配置された端面を有し、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の端面は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面のトラック幅方向の両側に配置されている。
磁極層１２を構成する磁性材料の飽和磁束密度は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料の飽和磁束密度よりも大きいことが好ましい。例えば、磁極層１２を構成する磁性材料としては飽和磁束密度が２．４Ｔ程度の磁性材料が用いられ、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料としては飽和磁束密度が２．２Ｔ程度の磁性材料が用いられる。
接続層５１は、溝部２５ｃ内に収容されている。接続層５１は、下面と、その反対側の上面とを有している。接続層５１の下面は、コイル１１の接続部１１ａの上面に接している。
磁気ヘッドは、更に、磁極層１２の上面のうち第２の部分１２Ｔ２の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５８と、この絶縁層５８の上面の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５９とを備えている。絶縁層５８は、例えばアルミナによって形成されている。非磁性金属層５９は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。
ギャップ層１４は、磁極層１２の上面のうちの第１の部分１２Ｔ１と、絶縁層５８および非磁性金属層５９を覆うように配置されている。ギャップ層１４は、非磁性材料によって形成されている。ギャップ層１４の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。
シールド１３の第２の部分１３Ｂは、磁気的に連結された上部シールド層１３Ｂ１、第２層１３Ｂ２、第３層１３Ｂ３、第４層１３Ｂ４、第５層１３Ｂ５、第６層１３Ｂ６および上部ヨーク層１３Ｂ７を有している。上部シールド層１３Ｂ１は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に配置されている。上部シールド層１３Ｂ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド層１３Ｂ１の端面の一部は、磁極層１２の端面に対して、ギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。ギャップ層１４の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。磁極層１２の端面は、ギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。上部シールド層１３Ｂ１は、本発明における上部シールドに対応する。
上部ヨーク層１３Ｂ７は、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１２の上面に接している。また、接続層５２は接続層５１の上に配置されている。
磁気ヘッドは、更に、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５２の周囲に配置された非磁性層４６を備えている。非磁性層４６は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５２および非磁性層４６の上面は平坦化されている。
第２層１３Ｂ２は、上部シールド層１３Ｂ１の上に配置されている。第２層１３Ｂ２は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。第６層１３Ｂ６は上部ヨーク層１３Ｂ７の上に配置されている。接続層５３は接続層５２の上に配置されている。
磁気ヘッドは、更に、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６および接続層５３の周囲に配置された非磁性層４７を備えている。非磁性層４７の一部は、第２層１３Ｂ２の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。非磁性層４７は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６、接続層５３および非磁性層４７の上面は平坦化されている。
磁気ヘッドは、更に、非磁性層４７の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１７を備えている。絶縁層１７は、例えばアルミナによって形成されている。第２のコイル１８は、絶縁層１７の上に配置されている。
第３層１３Ｂ３は第２層１３Ｂ２の上に配置されている。第３層１３Ｂ３は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。第５層１３Ｂ５は第６層１３Ｂ６の上に配置されている。第２のコイル１８は、第５層１３Ｂ５を中心として巻回されている。第２のコイル１８の接続部１８ａは、接続層５３の上に配置されている。
磁気ヘッドは、更に、コイル１８の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１９と、絶縁層１９、第３層１３Ｂ３および第５層１３Ｂ５の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層４１とを備えている。絶縁層１９の一部は、第３層１３Ｂ３の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５、コイル１８および絶縁層１９，４１の上面は平坦化されている。磁気ヘッドは、更に、コイル１８および絶縁層１９を覆うように配置された絶縁層２０を備えている。絶縁層１９は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２０，４１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１８は、銅等の導電材料によって形成されている。
第４層１３Ｂ４は、第３層１３Ｂ３と第５層１３Ｂ５とを連結するように配置されている。第４層１３Ｂ４は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、第２の部分１３Ｂを覆うように配置された保護層４２を備えている。保護層４２は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。
記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、磁極層１２と、シールド１３と、ギャップ層１４とを備えている。
磁極層１２は、収容層２５の溝部２５ａ内に、非磁性層２７および非磁性金属層２８Ａを介して配置されている。非磁性層２７の厚みは、例えば４０〜２００ｎｍの範囲内である。非磁性金属層２８Ａの厚みは、例えば１０〜５０ｎｍの範囲内である。
シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂは、それぞれ、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１２に接続されている。第１のコイル１１の一部は、磁極層１２と第１の部分１３Ａとによって囲まれた空間を通過している。第２のコイル１８の一部は、磁極層１２と第２の部分１３Ｂとによって囲まれた空間を通過している。
サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１２のトラック幅方向の中心に対して対称な位置に配置されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、第２の部分１３Ｂの上部シールド層１３Ｂ１に接続されている。
第２の部分１３Ｂは、上部シールド層１３Ｂ１を含んでいる。上部シールド層１３Ｂ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド層１３Ｂ１の端面の一部は、磁極層１２の端面に対して、ギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。磁極層１２の端面は、ギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。
なお、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、下部シールド層１３Ａ１の上面に接していてもよい。この場合には、シールド１３の第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｂは、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を介して磁気的に連結される。
次に、磁極層１２とサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の形状について詳しく説明する。図３および図４に示したように、磁極層１２は、媒体対向面３０に配置された端面を有するトラック幅規定部１２Ａと、このトラック幅規定部１２Ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、トラック幅規定部１２Ａよりも大きな幅を有する幅広部１２Ｂとを有している。トラック幅規定部１２Ａは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部１２Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１２Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１２Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極層１２のうち、媒体対向面３０に配置された端面から、磁極層１２の幅が大きくなり始める位置までの部分を、トラック幅規定部１２Ａとする。ここで、図４に示したように、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１２Ａの長さをネックハイトと呼び、記号ＮＨで表す。ネックハイトＮＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。
図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面は、基板１の上面により近い第１の辺Ａ１と、ギャップ層１４に隣接する第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面のトラック幅方向（図２における水平方向）の幅は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば５°〜１５°の範囲内である。第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。
本実施の形態において、スロートハイトは、媒体対向面３０から見て磁極層１２とシールド１３の第２の部分１３Ｂとの間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトは、絶縁層５８の下面における媒体対向面３０に最も近い端縁と媒体対向面３０との間の距離と等しい。スロートハイトは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。
図１に示したように、磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｔ１が媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１０°〜４５°の範囲内である。
図５に示したように、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ１の端面は、磁極層１２により近い辺Ｂ１を有している。また、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ２の端面は、磁極層１２により近い辺Ｂ２を有している。磁極層１２の端面の第３の辺Ａ３とサイドシールド１３Ｃ１の端面の辺Ｂ１との間の距離と、磁極層１２の端面の第４の辺Ａ４とサイドシールド１３Ｃ２の端面の辺Ｂ２との間の距離は、基板１の上面に垂直な方向（図５における上下方向）における同じ位置において、互いに等しいことが好ましい。図５に示した例では、辺Ｂ１，Ｂ２は基板１の上面に垂直になっている。しかし、辺Ｂ１，Ｂ２は、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。
ここで、図５に示したように、第３の辺Ａ３の上端とサイドシールド１３Ｃ１の端面の辺Ｂ１との間の距離（第４の辺Ａ４の上端とサイドシールド１３Ｃ２の端面の辺Ｂ２との間の距離も同じ）をＳＧ１とする。また、第３の辺Ａ３の下端とサイドシールド１３Ｃ１の端面の辺Ｂ１との距離（第４の辺Ａ４の下端とサイドシールド１３Ｃ２の端面の辺Ｂ２との間の距離も同じ）をＳＧ２とする。また、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の端面の基板１の上面に垂直な方向（図５における上下方向）の寸法をＳＳＤとする。また、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法をＰＴとする。また、磁極層１２の端面の第１の辺Ａ１と下部シールド層１３Ａ１の上面との距離をＬＧとする。ＳＧ１は、例えば０．０２〜１．００μｍの範囲内である。ＳＧ２は、例えば０．０２〜１．００μｍの範囲内である。ＳＳＤは、例えば０．０５〜１．５０μｍの範囲内である。ＰＴは、例えば０．０５〜１．５０μｍの範囲内である。ＬＧは、例えば０〜１．３０μｍの範囲内である。また、図４に示したように、媒体対向面３０に垂直な方向についてのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の最大の長さをＳＴＨとする。ＳＴＨは、例えば０．０５〜１．００μｍの範囲内である。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル１１，１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束は、シールド１３の第１の部分１３Ａと磁極層１２を通過する。コイル１８によって発生された磁界に対応する磁束は、シールド１３の第２の部分１３Ｂと磁極層１２を通過する。従って、磁極層１２は、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させる。
なお、コイル１１，１８は、直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。いずれにしても、磁極層１２において、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、コイル１１，１８は接続される。
磁極層１２は、上述のようにコイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
シールド１３は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１２に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド１３は、磁極層１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。また、シールド１３は、磁極層１２の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有している。
シールド１３は、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１の部分１３Ａと、磁極層１２に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２の部分１３Ｂと、磁極層１２のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２とを有している。従って、本実施の形態によれば、磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向の両側において、磁極層１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生を抑制することができると共に、トラック幅方向の広い範囲にわたって、記録または再生の対象となっているトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が減衰する現象の発生を抑制することができる。また、本実施の形態では、特に、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を備えていることから、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２が設けられていない場合に比べて、より確実に隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
また、本実施の形態では、図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面のトラック幅方向の幅は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。
また、本実施の形態では、磁極層１２の上面は、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができ、且つ磁極層１２によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１および図２に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７、非磁性層８を順に形成する。
次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８の上にシールド１３の第１の部分１３Ａにおける第２層１３Ａ２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層２１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、第２層１３Ａ２が露出するまで、絶縁層２１を研磨して、第２層１３Ａ２および絶縁層２１の上面を平坦化する。
次に、第２層１３Ａ２および絶縁層２１の上面のうち、後にコイル１１が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層２２の上にコイル１１を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１３Ａ２の上に下部シールド層１３Ａ１および第３層１３Ａ３を形成する。なお、下部シールド層１３Ａ１および第３層１３Ａ３を形成した後に、コイル１１を形成してもよい。
次に、コイル１１の巻線間および周囲ならびに第３層１３Ａ３の周囲に絶縁層２３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部シールド層１３Ａ１および第３層１３Ａ３が露出するまで絶縁層２４を研磨して、下部シールド層１３Ａ１、第３層１３Ａ３および絶縁層２４の上面を平坦化する。
次に、図６ないし図１９を参照して、上記の工程の後、磁極層１２の形成までの一連の工程について説明する。図６ないし図１９は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図６ないし図１９において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図６ないし図１９において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）において、１９Ｃ−１９Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。なお、図６（ｂ）では、絶縁層２１よりも基板１側の部分を省略している。また、図７ないし図１９の（ｂ）および図１９（ｃ）では、下部シールド層１３Ａ１よりも基板１側の部分を省略している。また、図６ないし図１９の（ａ）および図１９（ｃ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。
図６は、下部シールド層１３Ａ１、第３層１３Ａ３および絶縁層２４の上面を平坦化した後の積層体を示している。
図７は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、後に溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃが形成されることにより収容層２５となる非磁性層２５Ｐを形成する。非磁性層２５Ｐの厚みは、例えば０．２μｍ以上である。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、非磁性金属材料よりなる非磁性金属層３１Ｐを形成する。非磁性金属層３１Ｐは、例えば、Ｒｕ層、またはＲｕ層とＮｉＣｒ層の積層膜によって形成される。非磁性金属層３１Ｐの厚みは、例えば２０〜５０ｎｍの範囲内である。
図８は、次の工程を示す。この工程では、非磁性金属層３１Ｐの上にフォトレジスト層を形成し、これをフォトリソグラフィによってパターニングして、後に非磁性金属層３１Ｐをエッチングする際に用いられるフォトレジストマスク３２を形成する。より詳しく説明すると、この工程では、まず、非磁性金属層３１Ｐの上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。現像後に残ったフォトレジスト層がフォトレジストマスク３２となる。
フォトレジストマスク３２は、後に形成される溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２の平面形状（上方から見た形状）に対応した形状の３つの部分を含む開口部３２ａと、後に形成される溝部２５ｃの平面形状に対応した形状の図示しない開口部とを有している。フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングする際には、フォトレジストマスク３２の形状を所望の形状に近づけるため、光近接効果補正（optical proximity correction；以下、ＯＰＣと記す。）を用いてもよい。このＯＰＣについては、後で詳しく説明する。
図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトレジストマスク３２を用いて、エッチング、特にドライエッチング、例えばイオンミリングによって非磁性金属層３１Ｐに、後に形成される溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２の平面形状に対応した形状の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２と、後に形成される溝部２５ｃの平面形状に対応した形状の図示しない開口部とを形成する。エッチング後に残った非磁性金属層３１Ｐは、非磁性金属材料よりなるエッチングマスク層３１となる。開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２は、本発明における第１ないし第３の開口部に対応する。
フォトレジストマスク３２を用いてイオンミリングによって非磁性金属層３１Ｐをエッチングしてエッチングマスク層３１を形成する場合、以下のような３ステップのエッチングを行ってもよい。最初のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を０°とする。次のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内となり、且つ基板１の上面に垂直な方向に見たときにイオンビームの進行方向が回転するようにする。最後のステップでは、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を０°とする。最後のステップは、エッチングによって非磁性金属層３１Ｐから分離した物質がフォトレジストマスク３２およびエッチングマスク層３１の開口部の側壁に付着して形成された付着膜を除去する機能を有する。以上の３ステップのエッチングを行ってエッチングマスク層３１を形成することにより、エッチングマスク層３１を精度よく形成することが可能になり、特に、エッチングマスク層３１のうち、図５に示したＳＧ１を規定する部分の幅を小さくでき、且つこの幅を精度よく規定することが可能になる。
図１０は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングして、フォトレジストマスク３３を形成する。このフォトレジストマスク３３は、エッチングマスク層３１のうち、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆い、開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を覆っていない。フォトレジストマスク３３は、本発明における第１のマスクに対応する。そこで、以下、フォトレジストマスク３３を第１のマスク３３とも記す。
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２をフォトレジストマスク３３で覆った状態で、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を用いて、ドライエッチング、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、非磁性層２５Ｐを選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｃを形成する。このとき、磁極層１２のトラック幅規定部１２Ａの両側部に対応する溝部２５ａの壁面が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内になるようにする。非磁性層２５ＰをＲＩＥによってエッチングする際のエッチングガスとしては、Ｃｌ２とＢＣｌ３とを含むガスが用いられる。エッチングガスにおいて、全流量に対するＢＣｌ３の流量の割合は、例えば５０％〜９０％である。また、非磁性層２５ＰをＲＩＥによってエッチングする際の積層体の温度は、１００℃以下であることが好ましい。次に、フォトレジストマスク３３を除去する。
図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層２７を形成する。非磁性層２７は、溝部２５ａ，２５ｃ内にも形成される。非磁性層２７は、例えば、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法または原子層堆積（ＡＬＤ）法によって形成される。次に、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３４を形成する。このフォトレジストマスク３４は、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を覆い、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆っていない。フォトレジストマスク３４は、本発明における第２のマスクに対応する。そこで、以下、フォトレジストマスク３４を第２のマスク３４とも記す。
図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部をフォトレジストマスク３４で覆った状態で、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて、ドライエッチング、例えばＲＩＥによって、非磁性層２５Ｐおよび非磁性層２７を選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する。これにより、残った非磁性層２５Ｐが収容層２５となる。次に、フォトレジストマスク３４を除去する。
図１４は、次の工程を示す。この工程では、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に非磁性金属膜２８を形成する。非磁性金属膜２８は、溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃ内にも形成される。非磁性金属膜２８は、例えばＴａ層とＲｕ層の積層膜によって構成される。非磁性金属膜２８は、後に磁極層１２をめっき法で形成する際に電極およびシード層として用いられる。
図１５は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングして２つのフォトレジストマスク３５ａ，３５ｂを形成する。フォトレジストマスク３５ａは溝部２５ｂ１を覆い、フォトレジストマスク３５ｂは溝部２５ｂ２を覆っている。溝部２５ａ，２５ｃを覆うフォトレジストマスクは存在していない。
図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部を形成すると共に、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、コイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部を形成する。次に、非磁性金属膜２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後に磁極層１２および接続層５１となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性金属膜２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトレジストマスク３５ａ，３５ｂを除去する。
図１７は、次の工程を示す。この工程では、非磁性金属膜２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後にサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２となる磁性層１３ＣＰを形成する。この磁性層１３ＣＰは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面が非磁性金属膜２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。
図１８は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、非磁性金属膜２８が露出するまで磁性層１２Ｐ，１３ＣＰ等を研磨して、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰおよび非磁性金属膜２８の上面を平坦化する。次に、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰ、非磁性金属膜２８および非磁性層２７の一部をエッチングし、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰおよびエッチングマスク層３１の上面を平坦化する。これにより、溝部２５ａ，２５ｃ内に残った磁性層１２Ｐと、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に残った磁性層１３ＣＰとが互いに分離される。また、非磁性金属膜２８のうち、溝部２５ａ内に残った部分が非磁性金属層２８Ａとなり、溝部２５ｂ１内に残った部分が非磁性金属層２８Ｂ１となり、溝部２５ｂ２内に残った部分が非磁性金属層２８Ｂ２となり、溝部２５ｃ内に残った部分が非磁性金属層２８Ｃとなる。
図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上に、積層されたマスク層５８Ｐ，５９Ｐを形成する。マスク層５８Ｐは後に絶縁層５８となるものであり、マスク層５９Ｐは後に非磁性金属層５９となるものである。これらマスク層５８Ｐ，５９Ｐは、例えば、スパッタ法によって形成された積層膜をエッチングによってパターニングして形成される。マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、磁性層１２Ｐの上面のうち、後に磁極層１２の上面の第２の部分１２Ｔ２となる部分を覆っている。媒体対向面３０が形成される予定の位置ＡＢＳにより近いマスク層５８Ｐの端縁は、磁極層１２の上面の第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２の境界の位置を規定する。次に、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを用いて、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ，１３ＣＰおよびエッチングマスク層３１の一部をエッチングする。これにより、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分の上面に第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とが形成されて、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となる。また、磁性層１２Ｐのうち溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５１となる。また、磁性層１３ＣＰのうち、溝部２５ｂ１内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ１となり、溝部２５ｂ２内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ２となる。
図１９に示した工程の後、磁気ヘッド完成までの工程については、図１および図２を参照して説明する。図１９に示した工程の後では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法またはＣＶＤによって、ギャップ層１４を形成する。次に、例えばイオンミリングによって、磁極層１２の上面の一部、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上面および接続層５１の上面が露出するように、ギャップ層１４、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを選択的にエッチングする。これにより、マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、それぞれ絶縁層５８、非磁性金属層５９となる。
次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に上部シールド層１３Ｂ１を形成し、磁極層１２の上に上部ヨーク層１３Ｂ７を形成し、接続層５１の上に接続層５２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５２が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５２および非磁性層４６の上面を平坦化する。
次に、例えばフレームめっき法によって、上部シールド層１３Ｂ１の上に第２層１３Ｂ２を形成し、上部ヨーク層１３Ｂ７の上に第６層１３Ｂ６を形成し、接続層５２の上に接続層５３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６および接続層５３が露出するまで、非磁性層４７を研磨して、第２層１３Ｂ２、第６層１３Ｂ６、接続層５３および非磁性層４７の上面を平坦化する。
次に、非磁性層４７の上面のうち、コイル１８が配置される領域の上に絶縁層１７を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１７の上にコイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１３Ｂ２の上に第３層１３Ｂ３を形成し、第６層１３Ｂ６の上に第５層１３Ｂ５を形成する。なお、第３層１３Ｂ３および第５層１３Ｂ５を形成した後に、コイル１８を形成してもよい。
次に、コイル１８の巻線間および周囲ならびに第５層１３Ｂ５の周囲に絶縁層１９を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層４１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５およびコイル１８が露出するまで絶縁層４１を研磨して、第３層１３Ｂ３、第５層１３Ｂ５、コイル１８および絶縁層１９，４１の上面を平坦化する。
次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に絶縁層２０を形成する。次に、絶縁層２０を選択的にエッチングすることによって、絶縁層２０に、第３層１３Ｂ３の上面を露出させる開口部と第５層１３Ｂ５の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２の部分１３Ｂにおける第４層１３Ｂ４を形成して、シールド１３を完成させる。
次に、積層体の上面全体を覆うように保護層４２を形成する。次に、保護層４２の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、後に第１ないし第３の溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２が形成されることによって収容層２５となる非磁性層２５Ｐを形成する工程と、非磁性層２５Ｐの上に、後に形成される第１ないし第３の溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２の平面形状に対応した形状の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２を有するエッチングマスク層３１を形成する工程と、非磁性層２５Ｐが収容層２５となるように、エッチングマスク層３１を用いて、エッチングによって非磁性層２５Ｐに第１ないし第３の溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程と、磁極層１２を形成する工程と、第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を形成する工程と、ギャップ層１４を形成する工程と、上部シールド層１３Ｂ１を形成する工程と、コイル１１，１８を形成する工程とを備えている。
第１ないし第３の溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程は、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を第１のマスク３３で覆った状態で、第１の開口部３１ａを用いて非磁性層２５Ｐをエッチングして第１の溝部２５ａを形成する工程と、第１の開口部３１ａを第２のマスク３４で覆った状態で、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて非磁性層２５Ｐをエッチングして第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程とを含んでいる。
また、エッチングマスク層３１を形成する工程は、非磁性層２５Ｐの上に、非磁性金属材料よりなり、後に第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２が形成されることによってエッチングマスク層３１となる非磁性金属層３１Ｐを形成する工程と、非磁性金属層３１Ｐの上に、後に非磁性金属層３１Ｐをエッチングする際に用いられるフォトレジストマスク３２を形成する工程と、非磁性金属層３１Ｐがエッチングマスク層３１となるように、フォトレジストマスク３２を用いて、エッチングによって非磁性金属層３１Ｐに第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２を形成する工程とを含んでいる。フォトレジストマスク３２を形成する工程では、ＯＰＣを伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成してもよい。
また、本実施の形態では、磁極層１２を形成する工程と第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を形成する工程は、第１の溝部２５ａを形成する工程と第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程の後に行われる。
本実施の形態では、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の位置は、同時にパターニングされるエッチングマスク層３１の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２によって規定される。従って、本実施の形態によれば、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の精度のよい位置合わせを行うことができる。また、上述のように、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の位置は、エッチングマスク層３１の第１ないし第３の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２によって規定されるため、第１および第２のマスク３３，３４には、高い精度は必要ない。
また、本実施の形態では、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を第１のマスク３３で覆った状態で、第１の開口部３１ａを用いて非磁性層２５Ｐをエッチングすることによって、第１の溝部２５ａが形成され、第１の開口部３１ａを第２のマスク３４で覆った状態で、第２および第３の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて非磁性層２５Ｐをエッチングすることによって、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２が形成される。従って、本実施の形態では、第１の溝部２５ａと、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を、互いに異なる条件のエッチングによって形成することができ、これにより、第１の溝部２５ａと第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２の各々の形状を任意に制御することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、所望の記録特性を実現するために、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の各々の形状を任意に制御することが可能になる。例えば、本実施の形態によれば、図５に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法ＰＴと、媒体対向面３０に配置されたサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の端面の基板１の上面に垂直な方向の寸法ＳＳＤとを異ならせることができる。また、本実施の形態によれば、磁極層１２の端面における第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と、サイドシールド１３Ｃ１の端面における辺Ｂ１とサイドシールド１３Ｃ２の端面における辺Ｂ２がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度とを異ならせることができる。
また、本実施の形態では、磁極層１２と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、互いに異なる工程で形成される。そのため、本実施の形態によれば、磁極層１２を構成する磁性材料と、２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料とを異ならせることができる。磁極層１２を構成する磁性材料の飽和磁束密度は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料の飽和磁束密度よりも大きいことが好ましい。
次に、図８に示した工程において、フォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成する際に用いられるＯＰＣについて説明する。一般的に、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングする場合、フォトレジスト層の露光時における下地での光の反射等の影響によって、パターニングされたフォトレジスト層の形状が所望の形状からずれやすい。ＯＰＣでは、フォトリソグラフィによってパターニングされるフォトレジスト層の形状が所望の形状に近づくようにフォトマスクのパターンを決定する。
図８に示した工程では、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光し、次に、露光後のフォトレジスト層を現像して、フォトレジストマスク３２を形成する。この工程でＯＰＣを用いる場合におけるフォトマスクの形状の第１ないし第３の例を図２０に示す。ここでは、フォトレジスト層がポジ型の場合について説明する。
図２０（ａ）に示した第１の例のフォトマスク７０は、露光用の光を通過させる透光部７１と、露光用の光を遮断する遮光部７２〜７７を有している。透光部７１の形状は、フォトレジスト層のうち現像によって除去される部分の形状に概ね対応し、遮光部７２，７３の形状は、形成すべきフォトレジストマスク３２の形状に概ね対応する。遮光部７４〜７７は、フォトレジストマスク３２の形状が所望の形状に近づくように、フォトレジスト層に照射される露光用の光のパターンを制御するための部分である。
図２０（ｂ）に示した第２の例のフォトマスク７０は、図２０（ａ）に示した第１の例のフォトマスク７０における遮光部７６，７７の代わりに、遮光部８６〜８９を有している。第２の例では、遮光部７４，７５，８６〜８９が、フォトレジストマスク３２の形状が所望の形状に近づくように、フォトレジスト層に照射される露光用の光のパターンを制御するための部分である。
図２０（ｃ）に示した第３の例のフォトマスク７０では、図２０（ｂ）に示した第２の例のフォトマスク７０と比較して、遮光部８６〜８９の形状が異なっている。
ＯＰＣを伴うフォトリソグラフィによってフォトレジストマスク３２を形成することにより、フォトレジストマスク３２の形状を所望の形状に近づけることができ、その結果、磁極層１２と２つのサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の各々の形状をより精度よく制御することが可能になる。
［変形例］
以下、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の第１ないし第４の変形例について、図１ないし図２０を参照して説明した磁気ヘッドの製造方法と異なる点のみを説明する。
第１の変形例の磁気ヘッドの製造方法では、図１５ないし図１７に示した工程の代わりに、図２１ないし図２３に示した工程が行われる。図２１ないし図２３は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２１ないし図２３において、（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図２１ないし図２３において、（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図２１ないし図２３の（ｂ）では、下部シールド層１３Ａ１よりも基板１側の部分を省略している。また、図２１ないし図２３の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。
図２１に示した工程では、まず、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部を形成すると共に、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、コイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部を形成する。次に、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングして、溝部２５ａを覆うフォトレジストマスク３６と、溝部２５ｃを覆う図示しないフォトレジストマスクを形成する。溝部２５ｂ１，２５ｂ２を覆うフォトレジストマスクは存在していない。
図２２は、次の工程を示す。この工程では、まず、非磁性金属膜２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後にサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２となる磁性層１３ＣＰを形成する。この磁性層１３ＣＰは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面が非磁性金属膜２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトレジストマスク３６を除去する。
図２３は、次の工程を示す。この工程では、非磁性金属膜２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、後に磁極層１２および接続層５１となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性金属膜２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。第１の変形例の磁気ヘッドの製造方法では、その後、図１８に示した工程が行われる。
次に、図２４を参照して、第２の変形例について説明する。図２４は、図１８（ｂ）に対応した図である。第２の変形例では、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の形状が、図１８（ｂ）に示した例と異なっている。第２の変形例では、溝部２５ｂ１における溝部２５ａにより近い壁面と、溝部２５ｂ２における溝部２５ａにより近い壁面は、いずれも、基板１の上面に近づくに従って溝部２５ａのトラック幅方向の中心から遠ざかるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いている。
次に、図２５を参照して、第３の変形例について説明する。図２５は、図１８（ｂ）に対応した図である。第３の変形例では、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の形状が、図１８（ｂ）に示した例と異なっている。第３の変形例では、溝部２５ｂ１，２５ｂ２は、収容層２５を貫通しておらず、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の底部は、下部シールド層１３Ａ１の上面の上方に位置している。
次に、図２６を参照して、第４の変形例について説明する。図２６は、図１９（ｂ）に示した工程に続く工程を示している。第４の変形例では、ギャップ層１４は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上面全体を覆うように形成され、上部シールド層１３Ｂ１はギャップ層１４の上に配置されている。従って、上部シールド層１３Ｂ１は、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上面に接していない。
なお、本実施の形態では、図１０ないし図１３に示したように、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を第１のマスク３３で覆った状態で非磁性層２５Ｐに溝部２５ａを形成し、更に非磁性層２７を形成した後に、エッチングマスク層３１の開口部３１ａを第２のマスク３４で覆った状態で非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成している。しかし、エッチングマスク層３１の開口部３１ａを第２のマスク３４で覆った状態で非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成した後に、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を第１のマスク３３で覆った状態で非磁性層２５Ｐに溝部２５ａを形成し、更に非磁性層２７を形成してもよい。
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。始めに、図２７および図２８を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図２７は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図２７は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図２７において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図２８は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
以下、本実施の形態に係る磁気ヘッドが、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドと異なる点について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける下部シールド層１３Ａ１を備えていない。また、本実施の形態では、第２層１３Ａ２と絶縁層２４が、それぞれ、媒体対向面３０に配置された端面を有している。また、絶縁層２４は、上面で開口する溝部を有し、磁気ヘッドは、この溝部に収容された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５６を備えている。非磁性金属層５６は、下面と、その反対側の上面と、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面とを有している。非磁性金属層５６は、例えば、Ｒｕ層、またはＲｕ層とＮｉＣｒ層の積層膜によって構成されている。
第３層１３Ａ、絶縁層２４および非磁性金属層５６の上面は平坦化されている。収容層２５は、絶縁層２４および非磁性金属層５６の上面の上に配置されている。非磁性金属層２８Ｂ１は、溝部２５ｂ１の壁面および非磁性金属層５６の上面に沿って配置されている。非磁性金属層２８Ｂ２は、溝部２５ｂ２の壁面および非磁性金属層５６の上面に沿って配置されている。なお、非磁性金属層５６は、収容層２５に溝部２５ｂ１，２５ｂ２をエッチングで形成する際にエッチングを停止させるエッチングストッパとして機能する。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、第３層１３Ａ３および絶縁層２４の上面を平坦化するまでの工程は、下部シールド層１３Ａ１を形成しない点を除いて、第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。
次に、図２９を参照して、上記の工程の後、非磁性金属層５６を形成する工程について説明する。図２９は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２９（ａ）は、積層体の一部の上面を示している。図２９（ｂ）は、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図２９（ｂ）では、絶縁層２１よりも基板１側の部分を省略している。また、図２９（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。
図２９に示した工程では、まず、絶縁層２４の上に、例えばフォトレジストよりなるエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、絶縁層２４を選択的にエッチングして、絶縁層２４に、非磁性金属層５６を収容するための溝部を形成する。次に、エッチングマスクを残したまま、例えばスパッタ法によって、絶縁層２４の溝部を埋めるように、非磁性金属層５６を形成する。次に、エッチングマスクをリフトオフする。その後、例えばＣＭＰによって、絶縁層２４および非磁性金属層５６の上面を平坦化してもよい。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図３０および図３１を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図３０は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３０は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図３０において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３１は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
以下、本実施の形態に係る磁気ヘッドが第２の実施の形態に係る磁気ヘッドと異なる点について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける上部シールド層１３Ｂ１、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２、非磁性金属層２８Ｂ１，２８Ｂ２，５９および絶縁層５８を備えていない。代わりに、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、シールド層１３Ｄと、エッチングマスク層３１とを備えている。
本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、磁極層１２の上面は、第１および第２の実施の形態における第１および第２の部分１２Ｔ１，１２Ｔ２を有していない。従って、本実施の形態における磁極層１２の上面は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延びる平坦な面である。
エッチングマスク層３１は、収容層２５の上面の上に配置されている。このエッチングマスク層３１は、第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法において、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃを形成する際に用いられるエッチングマスク層３１と同じである。エッチングマスク層３１は、例えば、Ｒｕ層、またはＲｕ層とＮｉＣｒ層の積層膜によって構成されている。
本実施の形態では、ギャップ層１４は、磁極層１２の上面の一部、エッチングマスク層３１の上面、エッチングマスク層３１の開口部の壁面、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の壁面、および非磁性金属層５６の上面に沿って配置されている。
シールド層１３Ｄは、ギャップ層１４の上に配置されている。シールド層１３Ｄは、第２の実施の形態における第１および第２のサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２に対応する第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と、第２の実施の形態における上部シールド層１３Ｂ１に対応する上部シールド１３Ｄ３とを含んでいる。すなわち、本実施の形態におけるシールド層１３Ｄは、サイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と上部シールド１３Ｄ３が同じ材料によりなり、一体化されたものである。サイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の各壁面および非磁性金属層５６の上面とサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２との間にギャップ層１４が介在するように、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に収容されている。上部シールド１３Ｄ３は、ギャップ層１４のうち、磁極層１２の上面の上方に配置された部分の上、およびサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２の上に配置されている。シールド層１３Ｄは、磁性材料によって形成されている。シールド層１３Ｄの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
エッチングマスク層３１は、溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２の平面形状に対応した形状の開口部３１ａ，３１ｂ１，３１ｂ２と、溝部２５ｃの平面形状に対応した形状の図示しない開口部とを有している。エッチングマスク層３１の底面における各開口部の縁は、収容層２５の上面における溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２，２５ｃの縁の真上に配置されている。シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５２および非磁性層４６の上面は平坦化されている。第２層１３Ｂ２は、シールド層１３Ｄの上に配置されている。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、非磁性層２５Ｐに溝部２５ａ，２５ｃを形成し、フォトレジストマスク３３を除去するまでの工程は、第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。
次に、図３２ないし図３５を参照して、上記の工程の後、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図３２ないし図３５は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図３２ないし図３５において、（ａ）は、積層体の一部の上面を示している。図３２ないし図３５において、（ｂ）は、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図３２ないし図３５の（ｂ）では、非磁性金属層５６よりも基板１側の部分を省略している。また、図３２ないし図３５の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。
図３２に示した工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層２７を形成する。非磁性層２７は、溝部２５ａ，２５ｃ内にも形成される。非磁性層２７は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法によって形成される。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に非磁性金属膜２８を形成する。非磁性金属膜２８は、溝部２５ａ，２５ｃ内にも形成される。次に、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、溝部２５ａの底部、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、第３層１３Ａ３の上面を露出させる開口部を形成すると共に、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８を選択的にエッチングして、絶縁層２４、非磁性層２７および非磁性金属膜２８に、コイル１１の接続部１１ａの上面を露出させる開口部を形成する。次に、非磁性金属膜２８を電極およびシード層として用いて、例えばフレームめっき法によって、後に磁極層１２および接続層５１となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部２５ａ，２５ｃを埋め、且つその上面が非磁性金属層２８のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性金属膜２８が露出するまで磁性層１２Ｐを研磨する。
図３３は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばイオンミリングによって、磁性層１２Ｐ、非磁性金属膜２８および非磁性層２７の一部をエッチングし、磁性層１２Ｐおよびエッチングマスク層３１の上面を平坦化する。これにより、磁極層１２Ｐのうち、溝部２５ａ内に残った部分が磁極層１２となり、溝部２５ｃ内に残った部分が接続層５１となる。また、非磁性金属膜２８のうち、溝部２５ａ内に残った部分が非磁性金属層２８Ａとなり、溝部２５ｃ内に残った部分が非磁性金属層２８Ｃとなる。
次に、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをパターニングしてフォトレジストマスク３７を形成する。フォトレジストマスク３７は、エッチングマスク層３１のうち、開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部を覆い、開口部３１ｂ１，３１ｂ２を覆っていない。フォトレジストマスク３７は、本発明における第２のマスクに対応する。次に、エッチングマスク層３１における開口部３１ａと溝部２５ｃに対応した図示しない開口部をフォトレジストマスク３７で覆った状態で、エッチングマスク層３１の開口部３１ｂ１，３１ｂ２を用いて、ドライエッチング、例えばＲＩＥによって、非磁性層２５Ｐおよび非磁性層２７を選択的にエッチングして、非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する。これにより、残った非磁性層２５Ｐが収容層２５となる。
図３４は、次の工程を示す。この工程では、まず、フォトレジストマスク３７を除去する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上にギャップ層１４を形成する。ギャップ層１４は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内にも形成される。
図３５は、次の工程を示す。この工程では、まず、ギャップ層１４を選択的にエッチングして、ギャップ層１４に磁極層１２の上面の一部および接続層５１の上面を露出させる開口部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５２を形成する。シールド層１３Ｄは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面がギャップ層１４のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。上部ヨーク層１３Ｂ７は、磁極層１２の上に形成される。接続層５２は、接続層５１の上に形成される。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５２が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、シールド層１３Ｄ、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５２および非磁性層４６の上面を平坦化する。その後の工程は、第２の実施の形態と同様である。
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層１２を形成する工程は、第１の溝部２５ａを形成する工程の後に行われ、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程は、磁極層１２を形成する工程の後に行われ、第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２を形成する工程は、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程の後に行われる。また、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程において、第２のマスクであるフォトレジストマスク３７は、第１の開口部３１ａと共に磁極層１２を覆う。
また、本実施の形態では、ギャップ層１４を形成する工程は、第２および第３の溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程と第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２を形成する工程との間に行われる。
また、本実施の形態では、第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２と上部シールド１３Ｄ３は同じ材料よりなり、上部シールド１３Ｄ３を形成する工程は、第１および第２のサイドシールド１３Ｄ１，１３Ｄ２を形成する工程と同時に行われる。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態において磁極層１２の上面が第１および第２の部分１２Ｔ１，１２Ｔ２を有していることによる作用および効果を除いて、第２の実施の形態と同様である。
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。始めに、図３６を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図３６は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第３の実施の形態におけるシールド層１３Ｄの代わりに、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２と上部シールド層１３Ｂ１とを備えている。本実施の形態では、ギャップ層１４の材料としては、Ｒｕ等の非磁性金属材料が用いられる。
サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、溝部２５ｂ１，２５ｂ２の各壁面および非磁性金属層５６の上面とサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２との間にギャップ層１４が介在するように、溝部２５ｂ１，２５ｂ２内に収容されている。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２は、それぞれ、媒体対向面３０に配置された端面を有している。サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の材料は、第１の実施の形態と同様である。
上部シールド層１３Ｂ１は、ギャップ層１４のうち、磁極層１２の上面の上方に配置された部分の上、およびサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２の上に配置されている。上部シールド層１３Ｂ１は、媒体対向面３０において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド層１３Ｂ１の端面の一部は、磁極層１２の端面に対して、ギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。上部シールド層１３Ｂ１の材料は、第１の実施の形態と同様である。
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、非磁性層２５Ｐに溝部２５ｂ１，２５ｂ２を形成し、フォトレジストマスク３７を除去するまでの工程は、第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。
次に、図３７ないし図３９を参照して、上記の工程の後、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および絶縁層４６の形成までの一連の工程について説明する。図３７ないし図３９は、それぞれ、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図３７ないし図３９において、（ａ）は、積層体の一部の上面を示している。図３７ないし図３９において、（ｂ）は、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。なお、図３７ないし図３９の（ｂ）では、非磁性金属層５６よりも基板１側の部分を省略している。また、図３７ないし図３９の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。
図３７に示した工程では、例えばフレームめっき法によって、ギャップ層１４を電極およびシード層として用いて、後にサイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２となる磁性層１３ＣＰを形成する。この磁性層１３ＣＰは、溝部２５ｂ１，２５ｂ２を埋め、且つその上面がギャップ層１４のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。
図３８は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、ギャップ層１４のうちエッチングマスク層３１よりも上方に配置された部分の上面が露出するまで磁性層１３ＣＰ等を研磨して、磁性層１３ＣＰおよびギャップ層１４の上面を平坦化する。これにより、磁性層１３ＣＰのうち、溝部２５ｂ１内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ１となり、溝部２５ｂ２内に残った部分がサイドシールド１３Ｃ２となる。この工程において、ギャップ層１４は、研磨を停止させる研磨ストッパとして機能する。
図３９は、次の工程を示す。この工程では、まず、ギャップ層１４を選択的にエッチングして、ギャップ層１４に磁極層１２の上面の一部および接続層５１の上面を露出させる開口部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２およびギャップ層１４の上に上部シールド層１３Ｂ１を形成し、磁極層１２の上に上部ヨーク層１３Ｂ７を形成し、接続層５１の上に接続層５２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７および接続層５２が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、上部シールド層１３Ｂ１、上部ヨーク層１３Ｂ７、接続層５２および非磁性層４６の上面を平坦化する。その後の工程は、第３の実施の形態と同様である。
本実施の形態では、上部シールド層１３Ｂ１と、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を、互いに異なる材料によって構成することができる。例えば、上部シールド層１３Ｂ１を構成する磁性材料として、サイドシールド１３Ｃ１，１３Ｃ２を構成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きな磁性材料を用いることができる。
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第１および第２の実施の形態では、磁極層１２の上面が第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とを含んでいるが、磁極層１２の上面は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延びる平坦な面であってもよい。
また、第３ないし第４の実施の形態において、シールド１３の第１の部分１３Ａは、第１の実施の形態における第１の部分１３Ａと同じ構成であってもよい。
また、第１ないし第４の実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
１２…磁極層、１３…シールド、１３Ａ…第１の部分、１３Ｂ…第２の部分、１３Ｂ１…上部シールド層、１３Ｃ１，１３Ｃ２…サイドシールド、１４…ギャップ層、２５…収容層、２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２…溝部。

Claims (9)

  1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有する上部シールドと、
    非磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層と前記上部シールドとの間に配置されたギャップ層と、
    磁性材料よりなり、それぞれ前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層のトラック幅方向の両側に配置された第１および第２のサイドシールドと、
    非磁性材料よりなり、前記磁極層を収容する第１の溝部、前記第１のサイドシールドを収容する第２の溝部、および前記第２のサイドシールドを収容する第３の溝部を有する収容層とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
    後に前記第１ないし第３の溝部が形成されることによって前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    前記非磁性層の上に、後に形成される前記第１ないし第３の溝部の平面形状に対応した形状の第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
    前記非磁性層が前記収容層となるように、前記エッチングマスク層を用いて、エッチングによって前記非磁性層に前記第１ないし第３の溝部を形成する工程と、
    前記磁極層を形成する工程と、
    前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
    前記ギャップ層を形成する工程と、
    前記上部シールドを形成する工程と、
    前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記第１ないし第３の溝部を形成する工程は、
    前記第２および第３の開口部を第１のマスクで覆った状態で、前記第１の開口部を用いて前記非磁性層をエッチングして前記第１の溝部を形成する工程と、
    前記第１の開口部を第２のマスクで覆った状態で、前記第２および第３の開口部を用いて前記非磁性層をエッチングして前記第２および第３の溝部を形成する工程とを含み、
    前記第１のマスクは、前記第１の開口部の幅よりも大きい幅を有して前記第１の開口部を露出させる開口部を有することを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  2. 前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、前記コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備え、
    前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面のトラック幅方向の幅は、前記基板の上面に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  3. 前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、上面を有し、前記コイル、収容層、磁極層、第１および第２のサイドシールド、ギャップ層および上部シールドが積層される基板を備え、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、前記第１の部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第２の端縁において前記第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有し、前記第１の部分における任意の位置の前記基板の上面からの距離は、前記任意の位置が前記媒体対向面に近づくに従って小さくなり、
    前記磁極層を形成する工程は、前記第１の溝部を埋めるように、後に前記磁極層となる磁性層を形成する工程と、前記磁極層の上面における前記第１の部分が形成されて前記磁性層が前記磁極層となるように、前記磁性層の一部をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  4. 前記エッチングマスク層を形成する工程は、
    前記非磁性層の上に、非磁性金属材料よりなり、後に前記第１ないし第３の開口部が形成されることによって前記エッチングマスク層となる非磁性金属層を形成する工程と、
    前記非磁性金属層の上に、後に前記非磁性金属層をエッチングする際に用いられるフォトレジストマスクを形成する工程と、
    前記非磁性金属層が前記エッチングマスク層となるように、前記フォトレジストマスクを用いて、エッチングによって前記非磁性金属層に前記第１ないし第３開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  5. 前記フォトレジストマスクを形成する工程では、光近接効果補正を伴うフォトリソグラフィによって前記フォトレジストマスクを形成することを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  6. 前記磁極層を形成する工程と前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、前記第１の溝部を形成する工程と前記第２および第３の溝部を形成する工程の後に行われることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  7. 前記磁極層を形成する工程は、前記第１の溝部を形成する工程の後に行われ、
    前記第２および第３の溝部を形成する工程は、前記磁極層を形成する工程の後に行われ、
    前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、前記第２および第３の溝部を形成する工程の後に行われ、
    前記第２および第３の溝部を形成する工程において、前記第２のマスクは、前記第１の開口部と共に前記磁極層を覆うことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  8. 前記ギャップ層を形成する工程は、前記第２および第３の溝部を形成する工程と前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程との間に行われることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
  9. 前記第１および第２のサイドシールドと前記上部シールドは同じ材料よりなり、前記上部シールドを形成する工程は、前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と同時に行われることを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
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