JP4233052B2 - 垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。

垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。

上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１、２に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。

また、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば特許文献３に記載されているように、磁極層とシールドとを備えた磁気ヘッドも知られている。この磁気ヘッドでは、媒体対向面において、シールドの端面は、磁極層の端面に対して、所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。以下、このような磁気ヘッドをシールド型ヘッドと呼ぶ。このシールド型ヘッドにおいて、シールドは、磁極層の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止することができる。このシールド型ヘッドによれば、線記録密度のより一層の向上が可能になる。

また、特許文献４には、磁極層（主磁極）のうちの媒体対向面の近傍の一部における厚みを、磁極層の他の部分の厚みよりも小さくする技術が記載されている。

また、特許文献５には、媒体対向面の近傍における磁極層（主磁極）の厚みを、媒体対向面に近づくに従って小さくする技術が記載されている。

また、特許文献６には、主磁極層に対して、主磁極層よりも厚いヨーク層を磁気的に接続する技術が記載されている。ヨーク層の媒体対向面側の端面は媒体対向面から離れた位置に配置されている。

ここで便宜上、特許文献６における主磁極層とヨーク層とを合わせたものを磁極層と呼ぶ。特許文献４〜６に記載された技術は、いずれも、磁極層のうちの媒体対向面の近傍における一部の厚みを、磁極層の他の部分の厚みよりも小さくする技術と言える。

特開２００３−２４２６０７号公報 米国特許第６，５０４，６７５Ｂ１号明細書 米国特許第４，６５６，５４６号明細書 特開平７−１６１０１９号公報 特開２００２−１３３６１０号公報 特開２００２−１９７６１５号公報

ここで、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法について考える。従来、このような磁極層の形成方法としては、フレームめっき法が多く用いられていた。フレームめっき法による磁極層の形成方法では、まず、磁極層の下地の上に、電極膜を形成する。次に、電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジスト層をパターニングして、磁極層に対応した形状の溝部を有するフレームを形成する。次に、電極膜に電流を流してめっきを行い、溝部内に磁極層を形成する。次に、フレームを除去する。次に、電極膜のうち、磁極層の下に存在している部分以外の部分を除去する。次に、磁極層を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、絶縁層および磁極層を研磨する。この研磨により、磁極層の上面が平坦化されると共に、磁極層の厚みが所望の値になるように調整される。

上記の磁極層の形成方法では、研磨の停止位置を精度よく制御することが難しい。研磨の停止位置が所望の位置からずれると、磁極層の厚みが所望の値からずれ、その結果、上記基板から遠い辺の長さによって規定されるトラック幅が所望の値からずれてしまう。従って、上記の磁極層の形成方法では、トラック幅を精度よく制御することが難しいという問題点があった。

なお、特許文献１には、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、第１の部分と第２の部分とを有する形状とする技術が記載されている。第１の部分では、空気流入端側の端部から空気流出端側の端部にかけて幅が連続的に増加する。第２の部分は、第１の部分の空気流出端側に配置され、第１の部分の空気流出端側の端部の幅と等しい一定の幅を有している。この技術によれば、トラック幅のばらつきを小さくすることができる。

一方、スキューに起因した問題の発生を防止するためには、媒体対向面におけるトラック幅規定部の厚みを小さくすることも効果的である。しかしながら、磁極層全体を薄くすると、磁束の流れる方向に対して垂直な磁極層の断面積が小さくなる。その結果、磁極層は、多くの磁束を媒体対向面まで導くことができなくなり、オーバーライト特性が低下してしまう。

特許文献４〜６に記載されているように、磁極層のうちの媒体対向面の近傍における一部の厚みを、磁極層の他の部分の厚みよりも小さくすることにより、媒体対向面におけるトラック幅規定部の厚みを小さくし、且つ磁極層によって多くの磁束を媒体対向面まで導くことが可能になる。しかしながら、この場合、以下のような問題が発生する。すなわち、上記の技術では、磁極層において、必ず、厚みが変化する部分が存在する。この厚みが変化する部分では、磁極層からの磁束の漏れが発生しやすい。そのため、この厚みが変化する部分が媒体対向面に近い場合には、この部分から漏れた磁束が媒体対向面に達し、更に媒体対向面から外部に漏れる。その結果、実効的なトラック幅が大きくなったり、前述のスキューに起因した問題が発生したりする。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、媒体対向面における磁極層の厚みを精度よく制御でき、且つ磁極層によって多くの磁束を媒体対向面まで導くことができるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の第２の目的は、上記第１の目的に加え、磁極層の途中から漏れた磁束が媒体対向面から外部に漏れることを防止できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
媒体対向面に配置された端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層に連結されたシールド層と、
非磁性材料よりなり、磁極層とシールド層との間に設けられたギャップ層と、
磁極層、ギャップ層、コイルおよびシールド層が積層される基板とを備えている。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、媒体対向面において、シールド層の端面は、磁極層の端面に対して、ギャップ層の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。磁極層は、媒体対向面に配置された端面を有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有している。第１の部分における基板から遠い面は、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されている。第２の部分は、第１の部分における基板から遠い面と第２の部分における基板から遠い面とを結ぶ前端面を有している。媒体対向面に配置された磁極層の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定している。シールド層は、磁極層の第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置において前端面と媒体対向面との間に配置された部分を有している。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、媒体対向面に配置された磁極層の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、第１の部分は、媒体対向面からの距離に応じて変化しない幅を有する部分を含んでいてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、ギャップ層は、第１の部分における基板から遠い面、前端面および第２の部分における基板から遠い面に接していてもよい。この場合、シールド層は、ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有していてもよい。第１層は、第２の部分の上方に配置された部分を有し、且つ第１層の下面は、ギャップ層を介して、第１の部分における基板から遠い面、前端面および第２の部分における基板から遠い面に対向するように屈曲していてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、シールド層は、ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有し、第１層は、磁極層のうちの第１の部分の上方にのみ配置されていてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、第２の部分における基板から遠い面の上に配置された非磁性膜を備え、シールド層は、ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有し、第１層は、非磁性膜の上方に配置された部分を有していてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、磁極層は、積層された下層および上層を有し、上層の飽和磁束密度は下層の飽和磁束密度よりも大きくてもよい。この場合、第２の部分の前端面は、上層から下層にかけて形成されていてもよい。また、磁極層が下層および上層を有する場合、垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、第２の部分における基板から遠い面の上に配置された非磁性膜を備え、シールド層は、ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有し、第１層は、非磁性膜の上方に配置された部分を有していてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有する収容層と、非磁性金属材料よりなり、溝部に連続する貫通した開口部を有し、収容層の上面の上に配置された非磁性金属層とを備え、磁極層の少なくとも一部は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内に収容されていてもよい。この場合、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、第１の領域は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有し、媒体対向面において、第２の領域のトラック幅方向の両側に、非磁性金属層が存在していてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、第２の部分における基板から遠い面に接するヨーク層を備え、ヨーク層の媒体対向面に近い端部は、前端面と第２の部分における基板から遠い面の境界位置よりも、媒体対向面から遠い位置に配置されていてもよい。

本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
磁極層を形成する工程と、
磁極層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上にシールド層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極層を形成する工程は、後に研磨およびエッチングされることにより磁極層となる磁性層を形成する工程と、磁性層の上面を研磨する工程と、第１の部分と第２の部分が形成されることによって磁性層が磁極層になるように、磁性層の一部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。この場合、研磨する工程は、化学機械研磨を用いてもよい。また、エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いてもよい。

また、本発明の第１の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層を備えていてもよい。この場合、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、収容層を形成する工程と、溝部の周囲において、収容層の上面よりも上方の位置に、研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程とを備えていてもよい。磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内を埋め、且つ磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、磁性層を形成してもよい。研磨する工程は、磁性層のうち、研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、磁性層の上面を研磨してもよい。

収容層を形成する工程は、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを含んでいてもよい。研磨停止層を形成する工程は、非磁性金属層の上面よりも上方の位置に研磨停止層を形成し、磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、磁性層を形成してもよい。磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層を備え、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、第１の領域は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有していてもよい。この場合、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを備えていてもよい。磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ磁性層の上面が非磁性金属層の上面よりも上方に配置されるように、磁性層を形成してもよい。磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極層は、積層された下層および上層を有していてもよい。この場合、磁極層を形成する工程は、後に研磨およびエッチングされることにより下層となる下層用磁性層を形成する工程と、下層用磁性層の上面を研磨する工程と、研磨後の下層用磁性層の上に、後に上層となる上層用磁性層を形成する工程と、下層用磁性層が下層となり、上層用磁性層が上層となるように、上層用磁性層をマスクとして下層用磁性層の一部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。この場合、研磨する工程は、化学機械研磨を用いてもよい。また、上層用磁性層は、フレームめっき法を用いて形成されてもよい。また、エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いてもよい。

また、本発明の第１の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層を備えていてもよい。この場合、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、収容層を形成する工程と、溝部の周囲において、収容層の上面よりも上方の位置に、研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程とを備えていてもよい。下層用磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内を埋め、且つ下層用磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、下層用磁性層を形成してもよい。研磨する工程は、下層用磁性層のうち、研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、下層用磁性層の上面を研磨してもよい。

収容層を形成する工程は、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを含んでいてもよい。研磨停止層を形成する工程は、非磁性金属層の上面よりも上方の位置に研磨停止層を形成し、下層用磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ下層用磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、下層用磁性層を形成してもよい。下層用磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層を備え、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、第１の領域は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有していてもよい。この場合、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを備えていてもよい。下層用磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ下層用磁性層の上面が非磁性金属層の上面よりも上方に配置されるように、下層用磁性層を形成してもよい。下層用磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、非磁性材料よりなり、第２の部分における基板から遠い面の上に配置される非磁性膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、シールド層は、ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有し、第１層は、非磁性膜の上方に配置された部分を有していてもよい。

また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、第２の部分における基板から遠い面に接するヨーク層を形成する工程を備えていてもよい。この場合、ヨーク層の媒体対向面に近い端部は、第２の部分の前端面と第２の部分における基板から遠い面の境界位置よりも、媒体対向面から遠い位置に配置されていてもよい。

また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、ギャップ層は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。

本発明の第２の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層と、収容層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。

磁極層は、媒体対向面に配置された端面を有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有している。第１の部分における基板から遠い面は、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されている。媒体対向面に配置された磁極層の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定している。

本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
収容層を形成する工程と、
溝部の周囲において、収容層の上面よりも上方の位置に、後に行われる研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程と、
収容層の溝部内を埋め、且つ磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、後に研磨およびエッチングされることにより磁極層となる磁性層を形成する工程と、
磁性層のうち、研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、磁性層の上面を研磨する工程と、
第１の部分と第２の部分が形成されることによって磁性層が磁極層になるように、磁性層の一部をエッチングする工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、収容層を形成する工程は、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを含んでいてもよい。研磨停止層を形成する工程は、非磁性金属層の上面よりも上方の位置に研磨停止層を形成し、磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、磁性層を形成してもよい。磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、第１の領域は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有していてもよい。

また、本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、研磨する工程は、化学機械研磨を用いてもよい。また、エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いてもよい。

本発明の第３の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、磁極層の一部を収容する収容層と、収容層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。

磁極層は、積層された下層および上層を有すると共に、媒体対向面に配置された端面を有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有している。第１の部分における基板から遠い面は、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されている。媒体対向面に配置された磁極層の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定している。

本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
収容層を形成する工程と、
溝部の周囲において、収容層の上面よりも上方の位置に、後に行われる研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程と、
収容層の溝部内を埋め、且つ磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、後に研磨およびエッチングされることにより下層となる下層用磁性層を形成する工程と、
下層用磁性層のうち、研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、下層用磁性層の上面を研磨する工程と、
研磨後の下層用磁性層の上に、後に上層となる上層用磁性層を形成する工程と、
下層用磁性層が下層となり、上層用磁性層が上層となるように、上層用磁性層をマスクとして下層用磁性層の一部をエッチングする工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、収容層を形成する工程は、後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性金属材料よりなり、磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、非磁性層の上面の上に形成する工程と、非磁性層が収容層になるように、非磁性層のうち非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に溝部を形成する工程とを含んでいてもよい。研磨停止層を形成する工程は、非磁性金属層の上面よりも上方の位置に研磨停止層を形成し、下層用磁性層を形成する工程は、収容層の溝部内および非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ下層用磁性層の上面が研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、下層用磁性層を形成してもよい。下層用磁性層の一部をエッチングする工程は、第２の辺が、形成当初の非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングしてもよい。

また、本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、第１の領域は、基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有していてもよい。

また、本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、研磨する工程は、化学機械研磨を用いてもよい。また、上層用磁性層は、フレームめっき法を用いて形成されてもよい。また、エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いてもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドあるいは本発明の第１ないし第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法によれば、磁極層が、第１の部分と第２の部分とを有することにより、媒体対向面における磁極層の厚みを精度よく制御でき、且つ磁極層によって多くの磁束を媒体対向面まで導くことが可能になるという効果を奏する。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドまたは本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法によれば、シールド層が、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置において第２の部分の前端面と媒体対向面との間に配置された部分を有することにより、磁極層の途中から漏れた磁束が媒体対向面から外部に漏れることを防止することができるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図２および図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図２は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３は本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図３において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

図２および図３に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第１の上部シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

磁気ヘッドは、更に、第１の上部シールド層７の上に順に配置された非磁性層８１および第２の上部シールド層８２を備えている。非磁性層８１は、アルミナ等の非磁性材料によって形成されている。第２の上部シールド層８２は、磁性材料によって形成されている。下部シールド層３から第２の上部シールド層８２までの部分は、再生ヘッドを構成する。

磁気ヘッドは、更に、第２の上部シールド層８２の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３と、この絶縁層８３の上に配置されたコイル９と、コイル９の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１０と、絶縁層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１とを備えている。コイル９は、平面渦巻き形状をなしている。コイル９および絶縁層１０，１１の上面は平坦化されている。絶縁層８３，１１は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層１０は、例えばフォトレジストによって形成されている。コイル９は、銅等の導電材料によって形成されている。

磁気ヘッドは、更に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された非磁性材料よりなる収容層１２を備えている。収容層１２は、上面で開口し、後述する磁極層を収容する溝部１２ａを有している。収容層１２の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰｄ等の非磁性金属材料でもよい。

磁気ヘッドは、更に、非磁性金属材料よりなり、収容層１２の上面の上に配置された非磁性金属層１３を備えている。非磁性金属層１３は、貫通する開口部１３ａを有し、この開口部１３ａの縁は、収容層１２の上面における溝部１２ａの縁の真上に配置されている。非磁性金属層１３の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＢ、ＷＳｉ_２、ＴａＳｉ_２、ＴｉＳｉ_２、ＴｉＮ、ＴｉＷのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層１２の溝部１２ａ内および非磁性金属層１３の開口部１３ａ内に配置された非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁極層１６を備えている。非磁性膜１４は、溝部１２ａの表面に接するように配置されている。磁極層１６は、溝部１２ａの表面から離れるように配置されている。研磨停止層１５は、非磁性膜１４と磁極層１６の間に配置されている。研磨停止層１５は、磁極層１６をめっき法で形成する際に用いられるシード層を兼ねている。磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。なお、第１層１６１は省略してもよい。

非磁性膜１４の材料としては、例えば絶縁材料または半導体材料を用いることができる。非磁性膜１４の材料としての絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜１４の材料としての半導体材料としては、例えば多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。

研磨停止層１５は、非磁性導電材料によって形成されている。研磨停止層１５の材料としては、例えば、非磁性金属層１３と同じものを用いることができる。

第１層１６１と第２層１６２は、いずれも金属磁性材料によって形成されている。第１層１６１の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。第２層１６２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性金属層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５および磁極層１６の上面の上に配置されたギャップ層１８を備えている。ギャップ層１８には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰｄ等の非磁性金属材料でもよい。

磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を備えている。シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、この第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび第３層２０Ｅは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２０Ａ〜２０Ｅの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、ヨーク層２０Ｂの周囲に配置された非磁性層２１を備えている。非磁性層２１の一部は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２１は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ等の高融点金属が用いられる。

磁気ヘッドは、更に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、後述するコイル２２が配置される領域の上に配置された絶縁層５３と、この絶縁層５３の上に配置されたコイル２２と、このコイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に配置された絶縁層２３と、絶縁層２３の周囲に配置された絶縁層２４と、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に配置された絶縁層２５を備えている。コイル２２は、平面渦巻き形状をなしている。コイル２２の一部は、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄの間を通過している。コイル２２は、銅等の導電材料によって形成されている。第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび絶縁層２３，２４の上面は平坦化されている。絶縁層２３は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層５３，２４，２５は、例えばアルミナによって形成されている。

コイル９からシールド層２０の第３層２０Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。図示しないが、磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を覆うように形成された保護層を備えている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドは、コイル９、収容層１２、非磁性金属層１３、非磁性膜１４、研磨停止層１５、磁極層１６、ギャップ層１８、シールド層２０およびコイル２２を備えている。コイル９，２２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、コイル９は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。また、非磁性膜１４は省略してもよい。

磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル２２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド層２０は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１６に連結されている。ギャップ層１８は、非磁性材料よりなり、磁極層１６とシールド層２０との間に設けられている。

媒体対向面３０において、シールド層２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。ギャップ層１８の厚みは、例えば、３０〜６０ｎｍの範囲内である。コイル２２の少なくとも一部は、磁極層１６とシールド層２０との間に、磁極層１６およびシールド層２０に対して絶縁された状態で配置されている。

磁極層１６は、収容層１２の溝部１２ａ内および非磁性金属層１３の開口部１３ａ内に、非磁性膜１４および研磨停止層１５を介して配置されている。非磁性膜１４の厚みは、例えば１０〜４０ｎｍの範囲内である。しかし、この範囲内に限らず、非磁性膜１４の厚みは、トラック幅に応じて任意に設定することができる。研磨停止層１５の厚みは、例えば３０〜１００ｎｍの範囲内である。

磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。第１層１６１の厚みは、例えば０〜１００ｎｍの範囲内である。第１層１６１の厚みが０というのは、第１層１６１がない場合である。

シールド層２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａにおけるギャップ層１８とは反対側に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第２層２０Ｃは、媒体対向面３０とコイル２２の少なくとも一部との間に配置されている。

第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第２層２０Ｃも、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て磁極層１６とシールド層２０との間隔が大きくなり始める位置と、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置とのうちの媒体対向面３０に近い方から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、後で詳しく説明するように、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。スロートハイトＴＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。また、第２層２０Ｃのうち、ギャップ層１８および第１層２０Ａを介して磁極層１６と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離は、例えば０．３〜０．８μｍの範囲内である。また、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂの厚みは、例えば０．３〜０．８μｍの範囲内である。第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄの厚みは、例えば１．５〜３．０μｍの範囲内である。第３層２０Ｅの厚みは、例えば、２．０〜３．０μｍの範囲内である。コイル２２の厚みは、第２層２０Ｃの厚み以下であり、例えば、１．５〜３．０μｍの範囲内である。

ここで、図１および図４を参照して、磁極層１６の形状について詳しく説明する。図１は、磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。図４は、磁極層１６を示す平面図である。図１および図４に示したように、磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有するトラック幅規定部１６Ａと、このトラック幅規定部１６Ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、トラック幅規定部１６Ａよりも大きな幅を有する幅広部１６Ｂとを有している。トラック幅規定部１６Ａは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部１６Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１６Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１６Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極層１６のうち、媒体対向面３０に配置された端面から、磁極層１６の幅が大きくなり始める位置までの部分を、トラック幅規定部１６Ａとする。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１６Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。

また、磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有する第１の部分１６Ｃと、この第１の部分１６Ｃよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第１の部分１６Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分１６Ｄとを有している。第１の部分１６Ｃは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない厚みを有している。

なお、図１には、第１の部分１６Ｃと第２の部分１６Ｄとの境界の位置が、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の位置と一致する例を示している。この場合、第１の部分１６Ｃとトラック幅規定部１６Ａは一致し、第２の部分１６Ｄと幅広部１６Ｂは一致する。しかし、第１の部分１６Ｃと第２の部分１６Ｄとの境界の位置は、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の位置よりも媒体対向面３０に近い位置、あるいはトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の位置よりも媒体対向面３０から遠い位置であってもよい。第１の部分１６Ｃと第２の部分１６Ｄとの境界の位置と媒体対向面３０との間の距離は、例えば０．１〜０．５μｍの範囲内である。以下、磁極層１６における第１の部分１６Ｃと第２の部分１６Ｄとの境界の位置が、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界の位置と一致する場合を例にとって説明する。

第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面（上面）１６Ｃａは、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面（上面）１６Ｄａよりも基板１に近い位置に配置されている。また、第２の部分１６Ｄは、第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａと第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａとを結ぶ前端面１６Ｄｂを有している。前端面１６Ｄｂは、基板１の上面に対してほぼ垂直になっていてもよい。ここで、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直というのは、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が８０°〜９０°の範囲内であることを言う。なお、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が８０°以上、９０°未満のとき、面１６Ｃａと面１６Ｄｂがなす角度および面１６Ｄａと面１６Ｄｂがなす角度は、いずれも鈍角である。あるいは、前端面１６Ｄｂは、前端面１６Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層１６の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。この場合、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度は、３０°以上、８０°未満であることが好ましい。図１には、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直になっている例を示している。面１６Ｃａと面１６Ｄａとの間の段差は、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。

シールド層２０は、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１６Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。この部分とは、具体的には、第１層２０Ａのうち、面１６Ｄａよりも基板１に近い位置に配置された部分である。

なお、図１および図３には、第１層２０Ａが、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方のみならず、第２の部分１６Ｄの一部の上方にも配置されている例を示している。しかし、後で変形例として示すように、第１層２０Ａは、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方にのみ配置されていてもよい。図１および図３に示した例では、磁極層１６の上面は、面１６Ｃａと面１６Ｄｂとの境界の位置と、面１６Ｄｂと面１６Ｄａとの境界の位置において屈曲している。第１層２０Ａの下面は、ギャップ層１８を介して磁極層１６の面１６Ｃａ，１６Ｄｂ，１６Ｄａに対向するように、磁極層１６の上面の形状に対応して屈曲している。磁極層１６の上面と第１層２０Ａの下面との間に配置されたギャップ層１８も、磁極層１６の上面の形状に対応して屈曲している。本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ａの下面が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。その理由は、以下の通りである。媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置から媒体対向面３０までの領域における磁極層１６とシールド層２０との間における磁束の漏れは、他の領域における磁極層１６とシールド層２０との間における磁束の漏れに比べて大きい。そして、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置から媒体対向面３０までの領域における磁極層１６とシールド層２０との間における磁束の漏れが、情報の記録に寄与する。従って、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離をスロートハイトＴＨとするのが適当である。

また、シールド層２０のヨーク層２０Ｂの媒体対向面３０に近い端部は、磁極層１６の面１６Ｄａと面１６Ｄｂの境界位置よりも、媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。

媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば、５°〜１５°の範囲内とする。

第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。第２の部分１６Ｄの厚みは、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。第１の部分１６Ｃの厚みは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

ギャップ層１８は、第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａと、前端面１６Ｄｂと、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａとに接している。

次に、図５ないし図１１を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図５ないし図１１において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図５ないし図１１では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図３に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、非磁性層８１、第２の上部シールド層８２および絶縁層８３を順に形成する。次に、絶縁層８３の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を、例えばＣＭＰによって平坦化する。

図５は、次の工程を示す。この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、後に溝部１２ａが形成されることにより収容層１２となる非磁性層１２Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層１２Ｐの上に、非磁性金属材料よりなる非磁性金属層１３を形成する。非磁性金属層１３の厚みは、例えば２０〜１００ｎｍの範囲内である。

次に、非磁性金属層１３の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、収容層１２に溝部１２ａを形成するためのマスク３１を形成する。このマスク３１は、溝部１２ａに対応した形状の開口部を有している。

次に、マスク３１を用いて、非磁性金属層１３を選択的にエッチングする。これにより、非磁性金属層１３に、貫通した開口部１３ａが形成される。この開口部１３ａは、後に形成される磁極層１６の平面形状に対応した形状をなしている。更に、非磁性層１２Ｐのうち非磁性金属層１３の開口部１３ａから露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層１２Ｐに溝部１２ａを形成する。次に、マスク３１を除去する。溝部１２ａが形成されることにより、非磁性層１２Ｐは収容層１２となる。非磁性金属層１３は、後に磁極層１６の面１６Ｃａ，１６Ｄａ，１６Ｄｂの形成のために行われるエッチングの停止位置の基準となる。非磁性金属層１３の開口部１３ａの縁は、収容層１２の上面における溝部１２ａの縁の真上に配置されている。

非磁性金属層１３と非磁性層１２Ｐのエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。非磁性層１２Ｐに溝部１２ａを形成するためのエッチングの際には、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａの両側部に対応する溝部１２ａの壁面と基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内になるようにする。

図６は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性膜１４を形成する。非磁性膜１４は、収容層１２の溝部１２ａ内にも形成される。非磁性膜１４は、例えば、スパッタ法または化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）によって形成される。非磁性膜１４の厚みは、精度よく制御することができる。ＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。この場合には、非磁性膜１４の厚みの制御をより精度よく行うことができる。また、ＡＬＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成する場合には、非磁性膜１４の材料としては、特にアルミナが好ましい。半導体材料を用いて非磁性膜１４を形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて非磁性膜１４を形成することが好ましい。また、非磁性膜１４の材料としての半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。

次に、例えばスパッタ法またはＡＬＣＶＤによって、積層体の上面全体の上に研磨停止層１５を形成する。研磨停止層１５は、収容層１２の溝部１２ａ内にも形成される。研磨停止層１５は、後に行われる研磨工程における研磨の停止位置を示す。

次に、積層体の上面全体の上に、磁極層１６の第１層１６１となる第１の磁性層１６１Ｐを形成する。この第１の磁性層１６１Ｐは、例えば、スパッタ法またはイオンビームデポジション法（以下、ＩＢＤと記す。）によって形成される。スパッタ法によって第１の磁性層１６１Ｐを形成する場合には、コリメーションスパッタやロングスロースパッタを用いることが好ましい。なお、前述のように第１層１６１は省略してもよいので、第１の磁性層１６１Ｐは形成しなくてもよい。

図７は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１の磁性層１６１Ｐの上に、磁極層１６の第２層１６２となる第２の磁性層１６２Ｐを形成する。第２の磁性層１６２Ｐは、その上面が非磁性金属層１３、非磁性膜１４および研磨停止層１５の各上面よりも上方に配置されるように形成される。この第２の磁性層１６２Ｐは、例えばフレームめっき法によって形成される。その際、第１の磁性層１６１Ｐは、めっき用の電極として用いられる。研磨停止層１５が導電性の材料によって形成されている場合には、研磨停止層１５も、めっき用の電極として用いられる。なお、第２の磁性層１６２Ｐは、パターニングしていないめっき層を形成した後、このめっき層をエッチングによってパターニングして形成してもよい。

次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を、例えば０．５〜１．２μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、研磨停止層１５が露出するまで被覆層、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、研磨停止層１５、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。ＣＭＰによって被覆層、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨する場合には、研磨停止層１５が露出した時点で研磨が停止するようなスラリー、例えばアルミナ系のスラリーを用いる。

図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングするためのマスク３２を形成する。マスク３２は、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面のうち、面１６Ｃａおよび前端面１６Ｄｂが形成される領域以外の領域を覆っている。マスク３２の媒体対向面３０に近い端部と媒体対向面３０との間の距離は、例えば０．１〜０．５μｍの範囲内である。次に、マスク３２を用いて、例えばイオンビームエッチングによって磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面に、面１６Ｃａ，１６Ｄａおよび前端面１６Ｄｂが形成されて、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。イオンビームエッチングによって磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする際には、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を例えば４０〜５５°の範囲内とする。これにより、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度を８０°〜９０°の範囲内とすることができる。また、このエッチングは、媒体対向面３０に配置される磁極層１６の端面における第２の辺Ａ２が、形成当初の非磁性金属層１３の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように行う。従って、非磁性金属層１３は、このエッチングの停止位置の基準となる。このように磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部のエッチングを行うことにより、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みおよびトラック幅を、ほぼ一定になるように制御することができる。これにより、磁極層１６の厚みおよびトラック幅を精度よく制御することができる。また、特に、非磁性金属層１３の厚みが前述の範囲内における比較的大きい値である場合には、開口部１３ａの内壁が基板１の上面に対して垂直になっていることが好ましい。このような例は、後で変形例として示す。次に、マスク３２を除去する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、特にＡＬＣＶＤを用いることが好ましい。また、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、ギャップ層１８の材料としては、特にアルミナが好ましい。ＡＬＣＶＤを用いて形成されるギャップ層１８は、ステップカバレージがよい。従って、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成することにより、平坦ではない磁極層１６の上に均質なギャップ層１８を形成することができる。

次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上にヨーク層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。磁性層を選択的にエッチングする方法としては、例えば、磁性層の上にアルミナ層を形成し、このアルミナ層の上にフレームめっき法によってマスクを形成し、このマスクを用いて、アルミナ層および磁性層をエッチングする方法を用いることができる。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２２が配置される領域の上に絶縁層５３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２２の少なくとも一部が絶縁層５３の上に配置されるように、コイル２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２２を形成してもよい。

次に、コイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２３を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２２が露出するまで絶縁層２４を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２２および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に絶縁層２５を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。

次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル２２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１６およびシールド層２０は、コイル２２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１６は、コイル２２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド層２０は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１６に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、シールド層２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面３０における磁極層１６のギャップ層１８側の端部の位置によって決まる。シールド層２０は、磁極層１６の媒体対向面３０側の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。

また、本実施の形態では、図１に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有すると共に媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない厚みを有する第１の部分１６Ｃと、第１の部分１６Ｃよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第１の部分１６Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分１６Ｄとを有している。第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａは、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置に配置されている。また、第２の部分１６Ｄは、第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａと第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａとを結ぶ前端面１６Ｄｂを有している。媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２とを有し、第２の辺Ａ２はトラック幅を規定している。第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａは、研磨、例えばＣＭＰによって形成される。第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａは、エッチング、例えばイオンビームエッチングによって形成される。面１６Ｃａを形成するためのエッチングは、例えばＣＭＰによって磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面を平坦化した後、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐのうちの媒体対向面３０に近い一部に対してのみ行われる。そのため、このエッチングは精度よく行うことができる。従って、本実施の形態によれば、第１の部分１６Ｃの厚み、すなわち媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを精度よく制御することができる。更に、これにより、トラック幅を精度よく制御することができる。

特に、本実施の形態では、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部のエッチングは、媒体対向面３０に配置される磁極層１６の端面における第２の辺Ａ２が、形成当初の非磁性金属層１３の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように行う。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みおよびトラック幅を精度よく制御することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１６の第２の部分１６Ｄは、第１の部分１６Ｃよりも大きな厚みを有している。従って、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを小さくしながら、磁極層１６によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができる。これにより、本実施の形態によれば、十分なオーバーライト特性を実現することができる。

また、本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部ではなく、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ａの下面が屈曲する位置によって規定される。従って、第１層２０Ａの体積を十分に大きくしながら、スロートハイトＴＨを小さくすることができる。これにより、オーバーライト特性を向上させることができる。

ところで、磁極層１６において、厚みが変化する部分すなわち前端面１６Ｄｂの近傍では、磁極層１６からの磁束の漏れが発生しやすい。この厚みが変化する部分から漏れた磁束が媒体対向面３０に達し、更に媒体対向面３０から外部に漏れると、実効的なトラック幅が大きくなったり、スキューに起因した問題が発生したりする。本実施の形態では、シールド層２０は、磁極層１６の第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１６Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。従って、本実施の形態では、磁極層１６において厚みが変化する部分から漏れた磁束は、シールド層２０によって取り込まれる。従って、本実施の形態によれば、磁極層１６の途中から漏れた磁束が媒体対向面３０から外部に漏れることを防止することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１６の第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面に接するヨーク層２０Ｂを備えている。このヨーク層２０Ｂの媒体対向面３０に近い端部は、磁極層１６の面１６Ｄａと面１６Ｄｂの境界位置よりも、媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。従って、磁極層１６とヨーク層２０Ｂとを合わせた磁性層を考えると、この磁性層の厚みは、媒体対向面３０に近づくに従って２段階で小さくなる。これにより、磁性層の途中における磁束の飽和を防止しながら、多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１６の上面が屈曲している。これにより、本実施の形態によれば、記録動作後において、磁極層１６の媒体対向面３０の近傍の部分において、媒体対向面３０に垂直な方向の残留磁化が生成されることを抑制することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、記録動作後における磁極層１６の残留磁化に起因して記録媒体に記録されている情報が消去される現象の発生を抑制することが可能になる。

また、本実施の形態では、非磁性材料よりなる収容層１２の溝部１２ａ内に、非磁性膜１４および研磨停止層１５を介して磁極層１６が配置される。そのため、磁極層１６の幅は溝部１２ａの幅よりも小さくなる。これにより、溝部１２ａを容易に形成することが可能になると共に、磁極層１６の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。

［変形例］
以下、本実施の形態における第１ないし第７の変形例について説明する。図１２は、第１の変形例の磁気ヘッドにおける磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。第１の変形例では、磁極層１６の第２の部分１６Ｄの前端面１６Ｄｂは、前端面１６Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層１６の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いている。前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度は、３０°以上、８０°未満であることが好ましい。第１の変形例では、面１６Ｃａ，１６Ｄｂを形成するためにイオンビームエッチングによって磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする際に、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を例えば７５°とする。この場合には、前端面１６Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が約４５°となる。第１の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図４に示した磁気ヘッドと同様である。

図１３は、第２の変形例の磁気ヘッドにおける磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。第２の変形例の磁気ヘッドでは、非磁性金属層１３の開口部１３ａの内壁が基板１の上面に対して垂直になっている。第２の変形例において、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面は、第１の領域４１と、この第１の領域４１よりも基板１から遠い位置に配置され、且つ第１の領域４１に接続された第２の領域４２とを有している。第１の領域４１は、基板１に近づくに従って小さくなる幅を有している。第２の領域４２は、トラック幅を規定する一定の幅を有している。媒体対向面３０において、第２の領域４２のトラック幅方向の両側には、非磁性金属層１３が存在している。

第２の変形例では、面１６Ｃａ，１６Ｄｂを形成するために磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐをエッチングする工程において、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面における第２の辺Ａ２が、形成当初の非磁性金属層１３の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるようにエッチングする。第２の変形例では、媒体対向面３０において、第２の辺Ａ２の位置が、形成当初の非磁性金属層１３の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内のどの高さの位置にあっても、第２の辺Ａ２の長さは、第２の領域４２の幅と等しく一定である。従って、第２の変形例によれば、トラック幅を精度よく制御することが可能になる。

また、金属磁性材料よりなる磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐと非磁性金属材料よりなる非磁性金属層１３のエッチング速度は、ほぼ等しい。そのため、第２の変形例によれば、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐおよび非磁性金属層１３の上面を精度よくエッチングすることができる。従って、第２の変形例によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを精度よく制御することが可能になる。第２の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図４に示した磁気ヘッドと同様である。

図１４は、第３の変形例を示している。図１４において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１４では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第３の変形例では、第１層２０Ａは、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方にのみ配置されている。第３の変形例では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部によって規定される。すなわち、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。第３の変形例の磁気ヘッドにおけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図４に示した磁気ヘッドと同様である。

図１５は、第４の変形例を示している。図１５において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１５では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第４の変形例では、図３に示したヨーク層２０Ｂの代わりに連結層２０Ｆが設けられている。連結層２０Ｆの材料は、ヨーク層２０Ｂと同様である。連結層２０Ｆの下面は磁極層１６の上面に接し、連結層２０Ｆの上面は連結層２０Ｄの下面に接している。連結層２０Ｆは、連結層２０Ｄの下方にのみ配置されている。連結層２０Ｆの周囲には、非磁性層２１が配置されている。第４の変形例では、絶縁層５３は設けられておらず、コイル２２は、非磁性層２１の上に配置されている。第４の変形例の磁気ヘッドにおけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図４に示した磁気ヘッドと同様である。

図１６は、第５の変形例を示している。図１６において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１６では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第５の変形例では、第４の変形例における第１層２０Ａが、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方にのみ配置されている。第５の変形例では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部によって規定される。すなわちスロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。第５の変形例の磁気ヘッドにおけるその他の構成、作用および効果は、第４の変形例と同様である。

図１７は、第６の変形例を示している。図１７において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１７では、コイル９および絶縁層１０，１１よりも上の部分のみを示している。

第６の変形例では、コイル９および絶縁層１０，１１を覆う絶縁層５１が設けられ、この絶縁層５１の上に、磁性材料よりなる下部ヨーク層５２が設けられている。下部ヨーク層５２の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。第６の変形例では、下部ヨーク層５２を覆うように収容層１２が設けられている。収容層１２の溝部１２ａの一部は、下部ヨーク層５２の上面の位置まで達している。また、下部ヨーク層５２の上面上では、溝部１２ａ内に配置された非磁性膜１４および研磨停止層１５がエッチングによって選択的に除去されている。そして、溝部１２ａ内に配置された磁極層１６の下面は、下部ヨーク層５２の上面に接している。第６の変形例の磁気ヘッドにおけるその他の構成、作用および効果は、第４の変形例と同様である。

図１８は、第７の変形例を示している。図１８において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１８では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第７の変形例では、第４の変形例における絶縁層２３，２５の代わりに、コイル２２の少なくとも一部を覆う絶縁層２６を備えている。また、第７の変形例において、シールド層２０は、第４の変形例における第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび第３層２０Ｅの代わりに、第２層２０Ｇを有している。第２層２０Ｇは、媒体対向面３０に配置された端部を有し、第１層２０Ａと連結層２０Ｆとを連結するように配置されている。第２層２０Ｇは、絶縁層２６によって覆われたコイル２２の少なくとも一部における磁極層１６とは反対側に配置された部分を含んでいる。第２層２０Ｇのうち、媒体対向面３０とコイル２２との間に配置された部分における媒体対向面３０側の端部とその反対側の端部との距離は、第１層２０Ａから離れるに従って大きくなっている。第２層２０Ｇの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

また、第７の変形例では、第４の変形例における絶縁層２４の代わりに絶縁層２７を備えている。絶縁層２７は、第２層２０Ｇの周囲に配置されている。絶縁層２７は、例えばアルミナによって形成されている。第７の変形例の磁気ヘッドにおけるその他の構成、作用および効果は、第４の変形例と同様である。

なお、図１４ないし図１８には、磁極層１６における前端面１６Ｄｂが、前端面１６Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層１６の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていている例を示している。しかし、第３ないし第７の変形例において、前端面１６Ｄｂは、基板１の上面に対してほぼ垂直になっていてもよい。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図１９ないし図２２を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１９ないし図２２において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１９ないし図２２では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図７に示したように、研磨停止層１５、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、アルミナ等の非磁性材料よりなる非磁性膜６１を形成する。非磁性膜６１の厚みは、例えば０．１〜０．２μｍである。

図２０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐおよび非磁性膜６１の一部をエッチングするためのマスク３２を形成する。マスク３２は、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面のうち、面１６Ｃａおよび前端面１６Ｄｂが形成される領域以外の領域の上方に配置されている。次に、マスク３２を用いて、例えば反応性イオンエッチングによって非磁性膜６１の一部をエッチングする。次に、マスク３２を用いて、例えばイオンビームエッチングによって磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面に、面１６Ｃａ，１６Ｄａおよび前端面１６Ｄｂが形成されて、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。エッチングの停止位置は、第１の実施の形態と同様である。次に、マスク３２を除去する。

図２１は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８の材料および形成方法は、第１の実施の形態と同様である。

次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に、シールド層２０の第１層２０Ｈを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に、シールド層２０の連結層２０Ｉを形成する。第１層２０Ｈは、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方のみならず、第２の部分１６Ｄの一部および非磁性膜６１の一部の上方にも配置されている。第１層２０Ｈと連結層２０Ｉの厚みは、例えば、１．５〜３．０μｍの範囲内である。第１層２０Ｈと連結層２０Ｉの形成方法は、第１の実施の形態における第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂの形成方法と同様である。

本実施の形態では、シールド２０は、第１層２０Ｈと連結層２０Ｉと後述する第２層２０Ｊとによって構成される。第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよび第２層２０Ｊは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２０Ｈ〜２０Ｊの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

図２２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル２２の少なくとも一部が非磁性膜６１の上方に配置されるように、コイル２２を形成する。なお、コイル２２を形成した後に、第１層２０Ｈおよび連結層２０Ｉを形成してもよい。

次に、コイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２３を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよびコイル２２が露出するまで絶縁層２４を研磨して、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉ、コイル２２および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。次に、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に絶縁層２５を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｊを形成して、シールド層２０を完成させる。

次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、磁極層１６の第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａの上に配置された非磁性膜６１を備えている。また、本実施の形態では、シールド層２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ｈと、第１層２０Ｈにおけるギャップ層１８とは反対側に配置された第２層２０Ｊと、媒体対向面３０から離れた位置で第２層２０Ｊと磁極層１６とを連結する連結層２０Ｉとを有している。シールド層２０は、磁極層１６の第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１６Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。また、第１層２０Ｈは非磁性膜６１の上方に配置された部分を有している。

本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ｈの下面が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置よりも、媒体対向面から遠い領域において、磁極層１６と第１層２０Ｈと間にギャップ層１８および非磁性膜６１が配置されている。従って、この領域における磁極層１６とシールド層２０との間における磁束の漏れは、非磁性膜６１がない場合に比べて少なくなる。これにより、本実施の形態によれば、より多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができ、その結果、オーバーライト特性を向上させることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［変形例］
以下、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。図２３は、第１の変形例を示している。図２３において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２３では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第１の変形例では、シールド層２０は、第１の実施の形態の第５の変形例と同様に、第１層２０Ａ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｆ，２０Ｄおよび第３層２０Ｅによって構成されている。第１層２０Ａは、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方にのみ配置されている。また、第１の変形例では、連結層２０Ｆの周囲に配置された非磁性層２１が設けられている。この第１の変形例では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部によって規定される。すなわち、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。第１の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図２２に示した磁気ヘッドと同様である。

図２４は、第２の変形例を示している。図２４において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２４では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

第２の変形例では、第１の変形例と同様に、シールド層２０は、第１層２０Ａ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｆ，２０Ｄおよび第３層２０Ｅによって構成されている。また、第２の変形例では、連結層２０Ｆの周囲に配置された非磁性層２１が設けられている。第２の変形例では、第１層２０Ａは、磁極層１６のうちの第１の部分１６Ｃの上方のみならず、第２の部分１６Ｄの一部の上方にも配置されている。第２の変形例では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部ではなく、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ｈの下面が屈曲する位置によって規定される。すなわち、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。第２の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図２２に示した磁気ヘッドと同様である。

なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１、第２、第６、第７の各変形例と同様の変形も可能である。

［第３の実施の形態］
次に、図２５ないし図２８を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図２５ないし図２８において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２５ないし図２８では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

始めに、図２８を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第１の実施の形態における磁極層１６の代わりに磁極層７０を備えている。磁極層７０は、積層された下層７１および上層７２を有している。上層７２の飽和磁束密度は、下層７１の飽和磁束密度よりも大きい。下層７１は、第１の実施の形態における第１層１６１および第２層１６２によって構成されている。下層７１の材料としては、例えばＣｏＦｅ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＦｅが用いられる。上層７２の材料としては、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＺｒＯまたはＣｏＦｅＮが用いられる。下層７１および上層７２の飽和磁束密度は、いずれも、例えば２．０〜２．４Ｔである。ただし、下層７１および上層７２の飽和磁束密度としては、前述のように、上層７２の飽和磁束密度の方が大きくなるような組み合わせが選択される。

磁極層７０は、第１の実施の形態における磁極層１６と同様に、トラック幅規定部と幅広部とを有している。また、磁極層７０は、媒体対向面３０に配置された端面を有する第１の部分７０Ｃと、この第１の部分７０Ｃよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第１の部分７０Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分７０Ｄとを有している。第１の部分７０Ｃは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない厚みを有している。

第１の部分７０Ｃにおける基板１から遠い面（上面）７０Ｃａは、第２の部分７０Ｄにおける基板１から遠い面（上面）７０Ｄａよりも基板１に近い位置に配置されている。また、第２の部分７０Ｄは、第１の部分７０Ｃにおける基板１から遠い面７０Ｃａと第２の部分７０Ｄにおける基板１から遠い面７０Ｄａとを結ぶ前端面７０Ｄｂを有している。前端面７０Ｄｂは、基板１の上面に対してほぼ垂直になっていてもよい。第１の実施の形態と同様に、前端面７０Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直というのは、前端面７０Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が８０°〜９０°の範囲内であることを言う。あるいは、前端面７０Ｄｂは、前端面７０Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層７０の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。この場合、前端面７０Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度は、３０°以上、８０°未満であることが好ましい。図２８には、前端面７０Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直になっている例を示している。

なお、図２８には、面７０Ｃａが、下層７１と上層７２との界面よりも基板１に近い位置に配置された例を示している。この場合、前端面７０Ｄｂは、上層７２から下層７１にかけて形成される。しかし、面７０Ｃａは、下層７１と上層７２との界面と同じ高さの位置に配置されていてもよいし、下層７１と上層７２との界面よりも基板１から遠い位置に配置されていてもよい。これらの場合には、前端面７０Ｄｂは、上層７２にのみ形成される。

本実施の形態におけるシールド層２０は、第１の実施の形態と同様に、第１層２０Ａ、第２層２０Ｃ、ヨーク層２０Ｂ、連結層２０Ｄおよび第３層２０Ｅによって構成されている。ヨーク層２０Ｂの下面は磁極層７０の上面に接し、ヨーク層２０Ｂの上面は連結層２０Ｄの下面に接している。ヨーク層２０Ｂの媒体対向面３０に近い端部は、磁極層７０の面７０Ｄａと面７０Ｄｂの境界位置よりも、媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。ヨーク層２０Ｂの周囲には、非磁性層２１が配置されている。ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２２が配置される領域の上には、絶縁層５３が配置されている。そして、この絶縁層５３の上にコイル２２が配置されている。

シールド層２０は、磁極層７０の第２の部分７０Ｄにおける基板１から遠い面７０Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面７０Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。この部分とは、具体的には、第１層２０Ａのうち、面７０Ｄａよりも基板１に近い位置に配置された部分である。第１層２０Ａは、磁極層７０のうちの第１の部分７０Ｃの上方のみならず、第２の部分７０Ｄの一部の上方にも配置されている。第１の実施の形態と同様に、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ａの下面が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。

なお、第１層２０Ａは、磁極層７０のうちの第１の部分７０Ｃの上方にのみ配置されていてもよい。この場合には、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図７に示したように、研磨停止層１５、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。図２５は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法またはめっき法によって、積層体の上面全体の上に、磁性材料よりなる磁性層７２Ｐを形成する。磁性層７２Ｐの厚みは、例えば０．１〜０．３μｍである。磁性層７２Ｐは、後にパターニングされて、磁極層７０の上層７２となる。

図２６は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、磁性層７２Ｐをパターニングすると共に磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングするためのマスク３２を形成する。マスク３２は、面７０Ｄａに対応した平面形状を有している。次に、マスク３２を用いて、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層７２Ｐの一部をエッチングして、磁性層７２Ｐをパターニングすると共に、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐは、第１層１６１および第２層１６２からなる下層７１となり、磁性層７２Ｐは上層７２となる。下層７１および上層７２よりなる磁極層７０には、面７０Ｃａ，７０Ｄａおよび前端面７０Ｄｂが形成されている。エッチングの停止位置は、第１の実施の形態と同様である。次に、マスク３２を除去する。なお、マスク３２を用いたエッチングの前に、磁性層７２Ｐをパターニングしておいてもよい。

図２７は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８の材料および形成方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、ヨーク層２０Ｂを形成すべき位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に、シールド層２０の第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層７０の上に、ヨーク層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂの形成方法は、第１の実施の形態と同様である。

次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル２２の少なくとも一部が非磁性層２１の上に配置されるように、コイル２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２２を形成してもよい。

次に、コイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２３を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２２が露出するまで絶縁層２４を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２２および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。次に、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に絶縁層２５を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。

次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

本実施の形態では、磁極層７０は、積層された下層７１および上層７２を有し、上層７２の飽和磁束密度は下層７１の飽和磁束密度よりも大きい。本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、磁極層７０によって、より多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができる。これにより、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１ないし第７の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、シールド層２０は、第２の実施の形態におけるシールド層２０のように、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよび第２層２０Ｊによって構成されていてもよい。

［第４の実施の形態］
次に、図２９ないし図３１を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図２９ないし図３１において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２９ないし図３１では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

本実施の形態では、磁極層７０の形成方法が、第３の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図７に示したように、研磨停止層１５、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐは、本発明における下層用磁性層に対応する。図２９は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、磁性材料よりなるシード層７２１Ｐを形成する。シード層７２１Ｐの材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。シード層７２１Ｐの厚みは、例えば５０〜８０ｎｍの範囲内である。

次に、フレームめっき法によって、シード層７２１Ｐの上に磁性層７２２Ｐを形成する。磁性層７２２Ｐは、磁極層７０の面７０Ｄａに対応した平面形状を有している。磁性層７２２Ｐの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。磁性層７２２Ｐの厚みは、例えば０．１〜０．３μｍである。シード層７２１Ｐおよび磁性層７２２Ｐは、本発明における上層用磁性層に対応する。

図３０は、次の工程を示す。この工程では、磁性層７２２Ｐをマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、シード層７２１Ｐの一部をエッチングして、シード層７２１Ｐをパターニングする。更に、磁性層７２２Ｐおよびパターニングされたシード層７２１Ｐをマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐは、第１層１６１および第２層１６２からなる下層７１となる。また、エッチング後のシード層７２１Ｐ、磁性層７２２Ｐは、それぞれ第１層７２１、第２層７２２となる。上層７２は、この第１層７２１および第２層７２２によって構成される。下層７１および上層７２よりなる磁極層７０には、面７０Ｃａ，７０Ｄａおよび前端面７０Ｄｂが形成されている。エッチングの停止位置は、第１の実施の形態と同様である。

図３１は、次の工程を示す。この工程は、図２８に示した工程と同様であるので、説明を省略する。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１ないし第７の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、シールド層２０は、第２の実施の形態におけるシールド層２０のように、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよび第２層２０Ｊによって構成されていてもよい。

［第５の実施の形態］
次に、図３２ないし図３４を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図３２ないし図３４において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図３２ないし図３４では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。

始めに、図３４を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第１の実施の形態における磁極層１６の代わりに磁極層７０を備えている。磁極層７０の構成は、第３の実施の形態と同様である。なお、図３１には、前端面７０Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直になっている例を示している。しかし、前端面７０Ｄｂは、前端面７０Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層７０の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。

また、図３４には、面７０Ｃａが、下層７１と上層７２との界面よりも基板１に近い位置に配置された例を示している。この場合、前端面７０Ｄｂは、上層７２から下層７１にかけて形成される。しかし、面７０Ｃａは、下層７１と上層７２との界面と同じ高さの位置に配置されていてもよいし、下層７１と上層７２との界面よりも基板１から遠い位置に配置されていてもよい。これらの場合には、前端面７０Ｄｂは、上層７２にのみ形成される。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、磁極層７０の第２の部分７０Ｄにおける基板１から遠い面７０Ｄａの上に配置された非磁性膜７３を備えている。非磁性膜７３の材料、厚みおよび形成方法は、第２の実施の形態における非磁性膜６１と同様である。

また、本実施の形態におけるシールド層２０は、第２の実施の形態と同様に、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよび第２層２０Ｊによって構成されている。第１層２０Ｈは非磁性膜７３の上方に配置された部分を有している。また、シールド層２０は、磁極層７０の第２の部分７０Ｄにおける基板１から遠い面７０Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面７０Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。この部分とは、具体的には、第１層２０Ｈのうち、面７０Ｄａよりも基板１に近い位置に配置された部分である。本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置、すなわち媒体対向面３０から見て最初に第１層２０Ｈの下面が屈曲する位置から媒体対向面３０までの距離となる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図２５に示したように、磁性層７２Ｐを形成する工程までは、第３の実施の形態と同様である。図３２は、次の工程を示す。この工程では、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に非磁性膜７３を形成する。

図３３は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、非磁性膜７３および磁性層７２Ｐをパターニングすると共に磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングするためのマスク３２を形成する。マスク３２は、磁極層７０の面７０Ｄａに対応した平面形状を有している。次に、マスク３２を用いて、例えば反応性イオンエッチングによって非磁性膜７３の一部をエッチングする。次に、マスク３２を用いて、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層７２Ｐの一部をエッチングして、磁性層７２Ｐをパターニングすると共に、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐは、第１層１６１および第２層１６２からなる下層７１となり、磁性層７２Ｐは上層７２となる。下層７１および上層７２よりなる磁極層７０には、面７０Ｃａ，７０Ｄａおよび前端面７０Ｄｂが形成されている。エッチングの停止位置は、第１の実施の形態と同様である。次に、マスク３２を除去する。なお、マスク３２を用いたエッチングの前に、磁性層７２Ｐをパターニングしておいてもよい。

図３４は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８の材料および形成方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に、シールド層２０の第１層２０Ｈを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層７０の上に、シールド層２０の連結層２０Ｉを形成する。第１層２０Ｈは、磁極層７０のうちの第１の部分７０Ｃの上方のみならず、第２の部分７０Ｄの一部および非磁性膜７３の一部の上方にも配置されている。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２２の少なくとも一部が非磁性膜７３の上方に配置されるように、コイル２２を形成する。なお、コイル２２を形成した後に、第１層２０Ｈおよび連結層２０Ｉを形成してもよい。

次に、コイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２３を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉおよびコイル２２が露出するまで絶縁層２４を研磨して、第１層２０Ｈ、連結層２０Ｉ、コイル２２および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。次に、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に絶縁層２５を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｊを形成して、シールド層２０を完成させる。

次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

本実施の形態では、媒体対向面３０から見て最初にギャップ層１８が屈曲する位置よりも、媒体対向面から遠い領域において、磁極層１６と第１層２０Ｈと間にギャップ層１８および非磁性膜７３が配置されている。従って、この領域における磁極層１６とシールド層２０との間における磁束の漏れは、非磁性膜７３がない場合に比べて少なくなる。これにより、本実施の形態によれば、第２の実施の形態と同様に、より多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができ、その結果、オーバーライト特性を向上させることができる。

また、本実施の形態では、第３の実施の形態と同様に、磁極層７０は、積層された下層７１および上層７２を有し、上層７２の飽和磁束密度は下層７１の飽和磁束密度よりも大きい。本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、磁極層７０によって、より多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができる。これにより、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させることができる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本実施の形態において、第２の実施の形態における第１、第２の変形例や、第１の実施の形態における第１、第２、第６、第７の各変形例と同様の変形も可能である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル９，２２の代わりに、磁極層１６または磁極層７０を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。

また、各実施の形態では、磁極層の少なくとも一部を、収容層１２の溝部１２ａ内に形成している。しかし、本発明における磁極層は、このような方法で形成されたものに限らず、他の方法で形成されたものであってもよい。例えば、磁性層をエッチングによってパターニングして磁極層を形成してもよいし、フレームめっき法によって磁極層を形成してもよい。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層のうちの媒体対向面の近傍における部分を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第１の変形例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第２の変形例を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第３の変形例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第４の変形例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第５の変形例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第６の変形例を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの第７の変形例を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの第１の変形例を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの第２の変形例を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３３に示した工程に続く工程を示す説明図である。

符号の説明

１２…収容層、１２ａ…溝部、１３…非磁性金属層、１４…非磁性膜、１５…研磨停止層、１６…磁極層、１６Ｃ…第１の部分、１６Ｄ…第２の部分、１８…ギャップ層、２０…シールド層、２２…コイル。

Claims (25)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記磁極層に連結されたシールド層と、
   非磁性材料よりなり、前記磁極層とシールド層との間に設けられたギャップ層と、
   前記磁極層、ギャップ層、コイルおよびシールド層が積層される基板とを備え、
   前記媒体対向面において、前記シールド層の前記端面は、前記磁極層の前記端面に対して、前記ギャップ層の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置され、
   前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
   前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置され、
   前記第２の部分は、前記第１の部分における基板から遠い面と前記第２の部分における基板から遠い面とを結ぶ前端面を有し、
   前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定し、
   前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
   前記シールド層は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置において前記前端面と前記媒体対向面との間に配置された部分を有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
   前記磁極層を形成する工程と、
   前記磁極層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
   前記ギャップ層の上に前記シールド層を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを備え、
   前記磁極層を形成する工程は、後に研磨およびエッチングされることにより前記磁極層となる、金属磁性材料よりなる磁性層を形成する工程と、前記磁性層の上面を研磨する工程と、前記第１の部分と第２の部分が形成されることによって前記磁性層が前記磁極層になるように、前記磁性層の一部をエッチングする工程とを含み、
   前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、前記磁極層の一部を収容する収容層を備え、
   垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、
   後に前記溝部が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
   非磁性金属材料よりなり、前記磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、前記非磁性層の上面の上に形成する工程と、
   前記非磁性層が前記収容層になるように、前記非磁性層のうち前記非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記溝部を形成する工程とを備え、
   前記開口部の内壁は前記基板の上面に対して垂直であり、
   前記磁性層を形成する工程は、前記収容層の溝部内および前記非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ磁性層の上面が前記非磁性金属層の上面よりも上方に配置されるように、前記磁性層を形成し、
   前記磁性層の一部をエッチングする工程は、前記第２の辺が、形成当初の前記非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように、前記磁性層と前記非磁性金属層の上面をエッチングすることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記研磨する工程は、化学機械研磨を用いることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
4. 垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記溝部の周囲において、前記非磁性金属層の上面よりも上方の位置に、前記研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程を備え、
   前記磁性層を形成する工程は、前記磁性層の上面が前記研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、前記磁性層を形成し、
   前記研磨する工程は、前記磁性層のうち、前記研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、前記磁性層の上面を研磨することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも前記基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
6. 更に、非磁性材料よりなり、前記第２の部分における基板から遠い面の上に配置される非磁性膜を形成する工程を備え、
   前記シールド層は、前記ギャップ層に隣接するように配置された第１層と、前記第１層におけるギャップ層とは反対側に配置された第２層とを有し、
   前記第１層は、前記非磁性膜の上方に配置された部分を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
7. 更に、前記第２の部分における基板から遠い面に接するヨーク層を形成する工程を備え、
   前記ヨーク層の媒体対向面に近い端部は、前記前端面と前記第２の部分における基板から遠い面の境界位置よりも、媒体対向面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記ギャップ層は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
9. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記磁極層に連結されたシールド層と、
   非磁性材料よりなり、前記磁極層とシールド層との間に設けられたギャップ層と、
   前記磁極層、ギャップ層、コイルおよびシールド層が積層される基板とを備え、
   前記媒体対向面において、前記シールド層の前記端面は、前記磁極層の前記端面に対して、前記ギャップ層の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置され、
   前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
   前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置され、
   前記第２の部分は、前記第１の部分における基板から遠い面と前記第２の部分における基板から遠い面とを結ぶ前端面を有し、
   前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定し、
   前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
   前記シールド層は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置において前記前端面と前記媒体対向面との間に配置された部分を有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
   前記磁極層を形成する工程と、
   前記磁極層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
   前記ギャップ層の上に前記シールド層を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを備え、
   前記磁極層は、積層された下層および上層を有し、
   前記磁極層を形成する工程は、
   後に研磨およびエッチングされることにより前記下層となる、金属磁性材料よりなる下層用磁性層を形成する工程と、
   前記下層用磁性層の上面を研磨する工程と、
   前記研磨後の前記下層用磁性層の上に、後に前記上層となる上層用磁性層を形成する工程と、
   前記下層用磁性層が前記下層となり、前記上層用磁性層が前記上層となるように、前記上層用磁性層をマスクとして前記下層用磁性層の一部をエッチングする工程とを含み、
   前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、前記磁極層の一部を収容する収容層を備え、
   垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、
   後に前記溝部が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
   非磁性金属材料よりなり、前記磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、前記非磁性層の上面の上に形成する工程と、
   前記非磁性層が前記収容層になるように、前記非磁性層のうち前記非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記溝部を形成する工程とを備え、
   前記開口部の内壁は前記基板の上面に対して垂直であり、
   前記下層用磁性層を形成する工程は、前記収容層の溝部内および前記非磁性金属層の開口部内を埋め、且つ下層用磁性層の上面が前記非磁性金属層の上面よりも上方に配置されるように、前記下層用磁性層を形成し、
   前記下層用磁性層の一部をエッチングする工程は、前記第２の辺が、形成当初の前記非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように、前記下層用磁性層と前記非磁性金属層の上面をエッチングすることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
10. 前記研磨する工程は、化学機械研磨を用いることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
11. 前記上層用磁性層は、フレームめっき法を用いて形成されることを特徴とする請求項９または１０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
12. 前記エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
13. 垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記溝部の周囲において、前記非磁性金属層の上面よりも上方の位置に、前記研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程とを備え、
    前記下層用磁性層を形成する工程は、前記下層用磁性層の上面が前記研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、前記下層用磁性層を形成し、
    前記研磨する工程は、前記下層用磁性層のうち、前記研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、前記下層用磁性層の上面を研磨することを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
14. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも前記基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有することを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
15. 更に、前記第２の部分における基板から遠い面に接するヨーク層を形成する工程を備え、
    前記ヨーク層の媒体対向面に近い端部は、前記前端面と前記第２の部分における基板から遠い面の境界位置よりも、媒体対向面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
16. 前記ギャップ層は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
17. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、前記磁極層の一部を収容する収容層と、
    前記収容層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
    前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置され、
    前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定し、
    前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
    後に前記溝部が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    非磁性金属材料よりなり、前記磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、前記非磁性層の上面の上に形成する工程と、
    前記非磁性層が前記収容層になるように、前記非磁性層のうち前記非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記溝部を形成する工程とを備え、
    前記開口部の内壁は前記基板の上面に対して垂直であり、
    前記溝部の周囲において、前記非磁性金属層の上面よりも上方の位置に、後に行われる研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程と、
    前記収容層の溝部内を埋め、且つ磁性層の上面が前記研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、後に研磨およびエッチングされることにより前記磁極層となる、金属磁性材料よりなる磁性層を形成する工程と、
    前記磁性層のうち、前記研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、前記磁性層の上面を研磨する工程と、
    前記第１の部分と第２の部分が形成されることによって前記磁性層が前記磁極層になるように、前記磁性層の一部をエッチングする工程と、
    前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記磁性層の一部をエッチングする工程は、前記第２の辺が、形成当初の前記非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように、前記磁性層と前記非磁性金属層の上面をエッチングすることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
18. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも前記基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有することを特徴とする請求項１７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
19. 前記研磨する工程は、化学機械研磨を用いることを特徴とする請求項１７または１８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
20. 前記エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
21. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有し、前記磁極層の一部を収容する収容層と、
    前記収容層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
    前記磁極層は、積層された下層および上層を有すると共に、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
    前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置され、
    前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定し、
    前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
    後に前記溝部が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    非磁性金属材料よりなり、前記磁極層の平面形状に対応した形状の貫通する開口部を有する非磁性金属層を、前記非磁性層の上面の上に形成する工程と、
    前記非磁性層が前記収容層になるように、前記非磁性層のうち前記非磁性金属層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記溝部を形成する工程とを備え、
    前記開口部の内壁は前記基板の上面に対して垂直であり、
    前記溝部の周囲において、前記非磁性金属層の上面よりも上方の位置に、後に行われる研磨する工程における研磨の停止位置を示す研磨停止層を形成する工程と、
    前記収容層の溝部内を埋め、且つ磁性層の上面が前記研磨停止層の上面よりも上方に配置されるように、後に研磨およびエッチングされることにより前記下層となる、金属磁性材料よりなる下層用磁性層を形成する工程と、
    前記下層用磁性層のうち、前記研磨停止層の上面よりも上方に配置された部分が除去されるまで、前記下層用磁性層の上面を研磨する工程と、
    前記研磨後の前記下層用磁性層の上に、後に前記上層となる上層用磁性層を形成する工程と、
    前記下層用磁性層が前記下層となり、前記上層用磁性層が前記上層となるように、前記上層用磁性層をマスクとして前記下層用磁性層の一部をエッチングする工程と、
    前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記下層用磁性層の一部をエッチングする工程は、前記第２の辺が、形成当初の前記非磁性金属層の上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように、前記下層用磁性層と前記非磁性金属層の上面をエッチングすることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
22. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域よりも前記基板から遠い位置に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記基板に近づくに従って小さくなる幅を有し、前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有することを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
23. 前記研磨する工程は、化学機械研磨を用いることを特徴とする請求項２１または２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
24. 前記上層用磁性層は、フレームめっき法を用いて形成されることを特徴とする請求項２１ないし２３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
25. 前記エッチングする工程は、イオンビームエッチングを用いることを特徴とする請求項２１ないし２４のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。

Images