JP4934602B2 - 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。

垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。

上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１および特許文献２に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。

特開２００２−９２８２１号公報 特開２００３−２０３３１１号公報

ここで、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法について考える。特許文献１には、レジストパターンをマスクとして無機絶縁膜をエッチングして無機絶縁膜に溝を形成し、その後、ストッパ膜を形成し、更に磁性膜を形成し、磁性膜の上面を平坦化して、磁極層を形成する方法が記載されている。また、特許文献２には、マスクを用いて磁性層をエッチングすることによって磁極層を形成する方法が記載されている。

特許文献１に記載された方法または特許文献２に記載された方法によって形成された磁極層では、磁極層の側面の大部分が、磁極層の全周にわたって、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた面となる。このような形状の磁極層では、磁極層の側面全体が基板の上面に対して垂直な場合に比べて、磁束の流れる方向に対して垂直な磁極層の断面積が小さくなる。上記の形状の磁極層では、特にトラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。そのため、上記の形状の磁極層では、記録特性の低下を抑制するために、ネックハイトを小さくせざるを得ない。

ところで、磁極層の側面のうちトラック幅規定部と幅広部との境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、磁極層のうちトラック幅規定部と幅広部との境界近傍の部分は、媒体対向面から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。そのため、ネックハイトが小さくなってくると、媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の幅すなわちトラック幅を精度よく規定することが難しくなる。

これらのことから、従来は、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることのできる磁極層を実現することが難しかった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることができるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁極層の少なくとも一部を収容する収容部とを備えている。

収容部は、非磁性材料よりなり、上面で開口し磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝を有する収容層と、非磁性材料よりなり、収容溝内において、収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを有している。磁極層は、媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部の端部に接続され、トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有している。媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面は、トラック幅を規定する。媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内である。トラック幅規定部は、第１および第２の側面を有している。幅広部は、第１の側面に続く第３の側面と、第２の側面に続く第４の側面とを有している。収容層は、収容溝を形成する第１および第２の壁面を有し、第１の壁面は第１および第３の側面に対向し、第２の壁面は第２および第４の側面に対向している。非磁性膜は、第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有している。第３の側面と第１の壁面との間隔は、第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、第４の側面と第２の壁面との間隔は、第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さい。

本発明の磁気ヘッドにおいて、非磁性膜は、更に、第３の側面と第１の壁面の間に配置された第３の部分と、第４の側面と第２の壁面の間に配置された第４の部分とを有していてもよい。この場合、第３の部分の厚みは第１の部分の厚みよりも小さく、第４の部分の厚みは第２の部分の厚みよりも小さい。

また、本発明の磁気ヘッドにおいて、第３の側面は第１の壁面に接し、第４の側面は第２の壁面に接していてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドにおいて、媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の磁気ヘッドは、更に、収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、トラック幅規定部の端面は、基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、トラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、この場合、第３の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第４の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドは、更に、収容溝に連続する貫通した開口部を有し、収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、収容溝規定層の開口部の縁は、収容層の上面における収容溝の縁の真上に配置されていてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドにおいて、トラック幅規定部は、基板の上面により近い面である第１の底面を有し、幅広部は、基板の上面により近い面である第２の底面を有し、第２の底面は、第１の底面に比べて基板の上面に近い位置に配置されていてもよい。この場合、磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層と基板との間に配置されて収容層に接する底部形成層を備え、収容溝のうち、少なくとも、幅広部を収容する部分の一部は収容層を貫通していてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドにおいて、トラック幅規定部は、基板の上面からより遠い面である第１の上面を有し、幅広部は、基板の上面からより遠い面である第２の上面を有し、第２の上面は、第１の上面に比べて基板の上面から遠い位置に配置されていてもよい。

本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法は、収容部を形成する工程と、収容部を形成する工程の後で磁極層を形成する工程と、コイルを形成する工程とを備えている。収容部を形成する工程は、収容層を形成する工程と、非磁性膜を形成する工程とを含んでいる。非磁性膜を形成する工程は、後に一部がエッチングされることによって非磁性膜となる被エッチング膜を形成する工程と、被エッチング膜のうち、後に第１および第２の部分となる部分を覆うマスクを形成する工程と、被エッチング膜においてマスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングする工程とを含んでいる。

本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、非磁性膜は、更に、第３の側面と第１の壁面の間に配置された第３の部分と、第４の側面と第２の壁面の間に配置された第４の部分とを有し、第３の部分の厚みは第１の部分の厚みよりも小さく、第４の部分の厚みは第２の部分の厚みよりも小さくてもよい。この場合、被エッチング膜をエッチングする工程では、非磁性膜の第１ないし第４の部分が形成されるように被エッチング膜をエッチングする。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、被エッチング膜をエッチングする工程では、被エッチング膜においてマスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部が除去されることによって収容層の第１および第２の壁面の各々の一部が露出するように、被エッチング膜をエッチングし、磁極層を形成する工程では、第３の側面が第１の壁面に接し、第４の側面が第２の壁面に接するように、磁極層を形成してもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、被エッチング膜をエッチングする工程では、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて被エッチング膜をエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、被エッチング膜をエッチングする工程では、同時に収容溝を完成させてもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、被エッチング膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、トラック幅規定部の端面は、基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、トラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、この場合、第３の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第４の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、収容溝に連続する貫通した開口部を有し、収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、収容溝規定層の開口部の縁は、収容層の上面における収容溝の縁の真上に配置されていてもよい。この場合、収容層を形成する工程は、後に収容溝が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性層の上に収容溝規定層を形成する工程と、非磁性層のうち収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に収容溝を形成する工程とを含み、被エッチング膜をエッチングする工程では、マスクおよび収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、被エッチング膜をエッチングしてもよい。

また、本発明の第１の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、収容層の下に配置された底部形成層を備えていてもよい。この場合、磁気ヘッドの製造方法は、更に、収容層を形成する前に底部形成層を形成する工程を備える。また、この場合、収容層を形成する工程は、後に収容溝が形成されることにより収容層となる非磁性層を、底部形成層の上に形成する工程と、非磁性層を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に収容溝を形成する工程とを含み、収容溝のうち、少なくとも、幅広部を収容する部分の一部は収容層を貫通していてもよい。

本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法は、収容部を形成する工程と、収容部を形成する工程の後で磁極層を形成する工程と、コイルを形成する工程とを備えている。収容部を形成する工程は、収容層を形成する工程と、収容層の収容溝のうち、後に幅広部が収容される部分を覆うマスクを形成する工程と、第１および第２の壁面のうちマスクによって覆われていない部分を覆うように非磁性膜を形成する工程と、マスクを除去する工程とを含んでいる。

本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、収容溝に連続する貫通した開口部を有し、収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、収容溝規定層の開口部の縁は、収容層の上面における収容溝の縁の真上に配置されていてもよい。この場合、収容層を形成する工程は、後に収容溝が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、非磁性層の上に収容溝規定層を形成する工程と、非磁性層のうち収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に収容溝を形成する工程とを含んでいてもよい。

収容溝を形成する工程は、非磁性層のうち収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層に、後にエッチングされることによって収容溝となる初期溝を形成する第１のエッチング工程と、初期溝のうち、後にトラック幅規定部が収容される部分を覆う第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクおよび収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、初期溝のうち第２のマスクによって覆われていない部分をエッチングすることによって、収容溝を完成させる第２のエッチング工程とを含んでいてもよい。

また、本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法において、非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。

また、本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、トラック幅規定部の端面は、基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、トラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっていてもよい。また、この場合、第３の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第４の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面の基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。

本発明の第３の磁気ヘッドの製造方法は、後にその中に磁極層が形成される溝部を有するフレームを形成する工程と、フレームの溝部内に、非磁性膜を形成する工程と、非磁性膜の形成後に、フレームの溝部内に、磁極層を形成する工程と、磁極層の形成後に、フレームを除去する工程と、フレームの除去後に、磁極層および非磁性膜の周囲に収容層を形成して、収容部を完成させる工程とを備えている。

本発明の第３の磁気ヘッドの製造方法において、非磁性膜を形成する工程は、後に一部がエッチングされることによって非磁性膜となる被エッチング膜を形成する工程と、被エッチング膜のうち、後に第１および第２の部分となる部分を覆うマスクを形成する工程と、被エッチング膜においてマスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングする工程とを含んでいてもよい。この場合、被エッチング膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。

また、本発明の第３の磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であってもよい。

また、本発明の第３の磁気ヘッドの製造方法において、磁気ヘッドは、更に、収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、トラック幅規定部の端面は、基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、トラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっていてもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドまたはその製造方法では、媒体対向面からトラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内である。また、本発明では、非磁性膜は、第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有し、第３の側面と第１の壁面との間隔は、第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、第４の側面と第２の壁面との間隔は、第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さい。これにより、本発明によれば、トラック幅を精度よく規定でき、且つ記録特性を向上させることが可能になるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５および図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図５は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図６は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。なお、図５は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図５において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

図５および図６に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第１の上部シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

磁気ヘッドは、更に、第１の上部シールド層７の上に順に配置された非磁性層８１および第２の上部シールド層８２を備えている。非磁性層８１は、アルミナ等の非磁性材料によって形成されている。第２の上部シールド層８２は、磁性材料によって形成されている。下部シールド層３から第２の上部シールド層８２までの部分は、再生ヘッドを構成する。

磁気ヘッドは、更に、第２の上部シールド層８２の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３と、この絶縁層８３の上に配置されたコイル９と、コイル９の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１０と、絶縁層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１とを備えている。コイル９は、平面渦巻き形状をなしている。コイル９および絶縁層１０，１１の上面は平坦化されている。絶縁層８３，１１は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層１０は、例えばフォトレジストによって形成されている。コイル９は、銅等の導電材料によって形成されている。

磁気ヘッドは、更に、磁極層１６と、この磁極層１６の少なくとも一部を収容する収容部１５とを備えている。収容部１５は、収容層１２と非磁性膜１４とを有している。収容層１２は、非磁性材料よりなり、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置されている。また、収容層１２は、上面で開口し磁極層１６の少なくとも一部を収容する収容溝１２ａを有している。非磁性膜１４は、非磁性材料よりなり、収容溝１２ａ内において、収容層１２と磁極層１６との間に配置されている。

収容層１２の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。ただし、収容層１２の材料として非磁性金属材料を用いる場合には、コイル９と収容層１２との間に絶縁層を設ける必要がある。

磁気ヘッドは、更に、収容層１２の上面の上に配置された収容溝規定層１３を備えている。収容溝規定層１３は、収容溝１２ａの形状を規定するための層である。収容溝規定層１３は、貫通する開口部１３ａを有し、この開口部１３ａの縁は、収容層１２の上面における収容溝１２ａの縁の真上に配置されている。

収容溝規定層１３の材料は、収容層１２となる非磁性層に収容溝１２ａを形成するためのエッチングの際に非磁性層よりもエッチング速度が小さい材料であればよい。例えば、収容層１２となる非磁性層の材料がアルミナの場合には、収容溝規定層１３の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＷＳｉ_２、ＴａＳｉ_２、ＴｉＳｉ_２、ＴｉＮ、ＴｉＷ等の非磁性金属材料や、ＳｉＣを用いることができる。また、例えば、収容層１２となる非磁性層の材料がシリコン酸化物の場合には、収容溝規定層１３の材料としては、上記の非磁性金属材料やＳｉＣを用いることができる他、アルミナを用いることもできる。

収容溝規定層１３の材料としてＳｉＣを用いた場合には、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成するためのエッチングの際に、エッチングによって除去された物質が開口部１３ａに付着することを防止でき、これにより、開口部１３ａを精度よく形成することができる。その結果、収容溝１２ａも精度よく形成することができる。

非磁性膜１４は、収容層１２の収容溝１２ａ内および収容溝規定層１３の開口部１３ａ内に配置されている。非磁性膜１４の材料としては、例えば絶縁材料、半導体材料または金属材料を用いることができる。非磁性膜１４の材料としての絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜１４の材料としての半導体材料としては、例えば多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。非磁性膜１４の材料としての金属材料としては、例えば、収容溝規定層１３に用いられる非磁性金属材料と同じものを用いることができる。

磁極層１６は、溝部１２ａの表面により近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面からより遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。第１層１６１と第２層１６２は、いずれも金属磁性材料によって形成されている。第１層１６１の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。第２層１６２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、収容溝規定層１３、非磁性膜１４および磁極層１６の上面の上に配置されたギャップ層１８を備えている。ギャップ層１８には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。

磁気ヘッドは、更に、シールド２０を備えている。シールド２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、この第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび第３層２０Ｅは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２０Ａ〜２０Ｅの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、ヨーク層２０Ｂの周囲に配置された非磁性層２１を備えている。非磁性層２１の一部は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２１は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｐｄ、Ｈｆ等の高融点金属が用いられる。

磁気ヘッドは、更に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、後述するコイル２３が配置される領域の上に配置された絶縁層２２と、この絶縁層２２の上に配置されたコイル２３と、このコイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に配置された絶縁層２４と、絶縁層２４の周囲に配置された絶縁層２５と、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に配置された絶縁層２６を備えている。コイル２３は、平面渦巻き形状をなしている。コイル２３の一部は、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄの間を通過している。コイル２３は、銅等の導電材料によって形成されている。第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび絶縁層２４，２５の上面は平坦化されている。絶縁層２４は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２２，２５，２６は、例えばアルミナによって形成されている。

コイル９からシールド２０の第３層２０Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、シールド２０を覆うように形成された保護層２７を備えている。保護層２７は、例えばアルミナによって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドは、コイル９、収容部１５、収容溝規定層１３、磁極層１６、ギャップ層１８、シールド２０およびコイル２３を備えている。収容部１５は、収容層１２と非磁性膜１４とを有している。コイル９，２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、コイル９は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。

磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド２０は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１６に連結されている。ギャップ層１８は、非磁性材料よりなり、磁極層１６とシールド２０との間に設けられている。

媒体対向面３０において、シールド２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。ギャップ層１８の厚みは、例えば、２０〜５０ｎｍの範囲内である。コイル２３の少なくとも一部は、磁極層１６とシールド２０との間に、磁極層１６およびシールド２０に対して絶縁された状態で配置されている。

磁極層１６の少なくとも一部は、収容層１２の収容溝１２ａ内に収容されている。具体的には、本実施の形態では、磁極層１６は、収容層１２の収容溝１２ａ内および収容溝規定層１３の開口部１３ａ内に、非磁性膜１４を介して配置されている。

シールド２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａにおけるギャップ層１８とは反対側に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、このヨーク層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第２層２０Ｃは、媒体対向面３０とコイル２３の少なくとも一部との間に配置されている。コイル２３は、連結層２０Ｄを中心として巻回されている。なお、図５に示した例では、ヨーク層２０Ｂの一部は、磁極層１６とコイル２３の一部との間に配置されている。しかし、このようなヨーク層２０Ｂの代わりに、連結層２０Ｄと同様の平面形状を有し、磁極層１６と連結層２０Ｄとを連結する連結層を設けてもよい。

第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第２層２０Ｃも、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て磁極層１６とシールド２０との間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。スロートハイトＴＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

次に、図１ないし図４を参照して、磁極層１６および収容部１５の形状について詳しく説明する。図１は、磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。図２は、磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す平面図である。図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面３０の一部を示す正面図である。図４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面３０に平行な断面の一部を示す断面図である。なお、図４は、図２において４−４線で示す断面を示している。

図１および図２に示したように、磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部１６Ａと、このトラック幅規定部１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部１６Ｂとを有している。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面は、トラック幅を規定する。図２に示した例では、トラック幅規定部１６Ａは、実質的に媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内である。また、本実施の形態において、媒体対向面３０から見て磁極層１６の幅が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離をネックハイトＮＨと呼ぶ。図２に示した例では、ネックハイトＮＨは、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離と等しい。図２に示した例において、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離、すなわちネックハイトＮＨは、１０〜２０ｎｍの範囲内であってもよい。

なお、図２において、記号“ＤＮＨ”は、フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、非磁性膜１４を形成することなく磁極層１６を形成した場合におけるネックハイト（以下、デザインネックハイトと言う。）を表わしている。図２に示した例では、ネックハイトＮＨはデザインネックハイトＤＮＨよりも小さい。

ここで、図１６を参照して、デザインネックハイトＤＮＨについて説明する。図１６は、フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、非磁性膜１４を形成することなく形成した磁極層２１６を示している。磁極層２１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部２１６Ａと、このトラック幅規定部２１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部２１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部２１６Ｂとを有している。フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、非磁性膜１４を形成することなく磁極層２１６を形成する場合には、磁極層２１６の側面のうちトラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂとの境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、図１６に示したように、磁極層２１６のうちトラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂとの境界近傍の部分は、媒体対向面３０から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。ここで、トラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂの境界位置およびデザインネックハイトＤＮＨを以下のように定義する。すなわち、磁極層２１６の上面において、媒体対向面３０とトラック幅規定部２１６Ａの側部との交点を通って媒体対向面３０に垂直な方向に延びる仮想の直線Ｌ１と、トラック幅規定部２１６Ａの側部に続く幅広部２１６Ｂの側部のうちの直線部分から、この直線部分の方向に延びる仮想の直線Ｌ２との交点をＰとする。そして、この点Ｐを通り媒体対向面３０に平行な仮想の平面の位置をトラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂの境界位置とし、媒体対向面３０と点Ｐとの間の距離をデザインネックハイトＤＮＨとする。

図２に示したように、トラック幅規定部１６Ａは、トラック幅方向の両側に位置する第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２とを有している。幅広部１６Ｂは、第１の側面Ｓ１に続く第３の側面Ｓ３と、第２の側面Ｓ２に続く第４の側面Ｓ４とを有している。

図２ないし図４に示したように、収容層１２は、収容溝１２ａを形成する第１の壁面ＷＳ１と第２の壁面ＷＳ２とを有している。なお、図２において、記号ＷＳ１，ＷＳ２を付した線は、収容層１２の上面における壁面ＷＳ１，ＷＳ２の位置を示している。第１の壁面ＷＳ１は、第１の側面Ｓ１および第３の側面Ｓ３に対向し、第２の壁面ＷＳ２は、第２の側面Ｓ２および第４の側面Ｓ４に対向している。

非磁性膜１４は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第１の部分１４１と、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第２の部分１４２と、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第３の部分１４３と、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第４の部分１４４とを有している。

なお、図４に示したように、第３の部分１４３は、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１の間における全領域に配置されているわけではなく、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１の間の全領域のうち、収容層１２の上面の近傍における一部の領域にのみ配置されている。そのため、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１の間の全領域のうち、第３の部分１４３が存在しない領域では、第３の側面Ｓ３は第１の壁面ＷＳ１に接している。同様に、第４の部分１４４は、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２の間における全領域に配置されているわけではなく、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２の間の全領域のうち、収容層１２の上面の近傍における一部の領域にのみ配置されている。そのため、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２の間の全領域のうち、第４の部分１４４が存在しない領域では、第４の側面Ｓ４は第２の壁面ＷＳ２に接している。

非磁性膜１４において、第３の部分１４３の厚みは第１の部分１４１の厚みよりも小さく、第４の部分１４４の厚みは第２の部分１４２の厚みよりも小さい。そのため、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１との間隔は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１との間隔よりも小さく、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２との間隔は、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２との間隔よりも小さい。

図２に示したように、第１の部分１４１の厚みと第２の部分１４２の厚みは、それぞれ、実質的に媒体対向面３０からの距離によらずに一定である。第１および第２の部分１４１，１４２の厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。しかし、この範囲内に限らず、第１および第２の部分１４１，１４２の厚みは、トラック幅に応じて任意に設定することができる。第３の部分１４３の厚みは、第１の部分１４１と第３の部分１４３との境界１４５の近傍の領域では、媒体対向面３０から離れるに従って徐々に小さくなるが、他の領域では、実質的に媒体対向面３０からの距離によらずに一定である。同様に、第４の部分１４４の厚みは、第２の部分１４２と第４の部分１４４との境界１４６の近傍の領域では、媒体対向面３０から離れるに従って徐々に小さくなるが、他の領域では、実質的に媒体対向面３０からの距離によらずに一定である。

第３の部分１４３の厚みが媒体対向面３０から離れるに従って徐々に小さくなる領域の媒体対向面３０に垂直な方向の長さと、第４の部分１４４の厚みが媒体対向面３０から離れるに従って徐々に小さくなる領域の媒体対向面３０に垂直な方向の長さは、いずれも２０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、これらの長さは、０であってもよい。

図３に示したように、媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面は、基板１の上面により近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する幅を有している。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４は、それぞれ、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いている。辺Ａ３，Ａ４の各々の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、それぞれ、例えば５°〜１５°の範囲内であり、８°〜１２°の範囲内であることが好ましい。

第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。媒体対向面３０における磁極層１６の厚みは、例えば０．１５〜０．３μｍの範囲内である。

図１に示したように、トラック幅方向についての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１は、第３の辺Ａ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と等しい。同様に、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２は、第４の辺Ａ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と等しい。従って、角度θ１、θ２は、それぞれ、例えば５°〜１５°の範囲内であり、８°〜１２°の範囲内であることが好ましい。

トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、基板１の上面からの距離に関わらずに一定であってもよいし、基板１の上面に近づくに従って小さくなってもよいし、基板１の上面に近づくに従って大きくなってもよい。

トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面からの距離に関わらずに一定である場合には、第３の側面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、いずれも０°である。

本実施の形態では、トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面に近づくに従って小さくなる場合には、第３の側面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１よりも小さく、第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２よりも小さい。この場合には、第３の側面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、いずれも、０°に近いほど好ましい。

なお、図２には、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離がデザインネックハイトＤＮＨよりも小さい例を示している。しかし、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離は、デザインネックハイトＤＮＨと等しくてもよいし、デザインネックハイトＤＮＨよりも大きくてもよい。これらの例は、後で第１および第２の変形例として示す。

また、図１および図３に示したように、トラック幅規定部１６Ａは、基板１の上面により近い面である第１の底面Ｂ１を有している。また、図１および図４に示したように、幅広部１６Ｂは、基板１の上面に近い面である第２の底面Ｂ２を有している。第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。

次に、図７Ａないし図１４Ｂを参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図７Ａないし図１４Ｂにおいて、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図７Ａないし図１４Ｂでは、収容層１２よりも下の部分を省略している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図５に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、非磁性層８１、第２の上部シールド層８２および絶縁層８３を順に形成する。次に、絶縁層８３の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって平坦化する。

図７Ａないし図７Ｄは、次の工程を示す。図７Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図７Ｂは、図７Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図７Ｃは、図７Ａに示した積層体の７Ｃ−７Ｃ線断面図である。図７Ｄは、図７Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、後に収容溝１２ａが形成されることにより収容層１２となる非磁性層１２Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層１２Ｐの上に、収容溝規定層１３を形成する。収容溝規定層１３の厚みは、例えば２０〜１００ｎｍの範囲内である。

次に、収容溝規定層１３の上に、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成するためのマスク３１を形成する。このマスク３１は、開口部１３ａおよび収容溝１２ａに対応した形状の開口部を有している。マスク３１は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスク３１を用いて、収容溝規定層１３を選択的にエッチングする。これにより、収容溝規定層１３に、貫通した開口部１３ａが形成される。この開口部１３ａは、後に形成される磁極層１６の平面形状に対応した形状をなしている。

次に、マスク３１および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、非磁性層１２Ｐのうち収容溝規定層１３の開口部１３ａから露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層１２Ｐに、後にエッチングされることによって収容溝１２ａとなる初期溝１２Ｐａを形成する。次に、マスク３１を除去する。収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁は、非磁性層１２Ｐの上面における初期溝１２Ｐａの縁の真上に配置されている。

非磁性層１２Ｐのエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。この工程では、初期溝１２Ｐａの壁面のうち磁極層１６の第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に対向する部分の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内、好ましくは８°〜１２°の範囲内になるようにする。

図８Ａないし図８Ｄは、次の工程を示す。図８Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図８Ｂは、図８Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図８Ｃは、図８Ａに示した積層体の８Ｃ−８Ｃ線断面図である。図８Ｄは、図８Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、積層体の上面全体の上に、後に一部がエッチングされることによって非磁性膜１４となる被エッチング膜１４Ｐを形成する。被エッチング膜１４Ｐは初期溝１２Ｐａ内にも形成される。被エッチング膜１４Ｐは、例えば、スパッタ法または化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）によって形成される。被エッチング膜１４Ｐの厚みは、精度よく制御することができる。ＣＶＤを用いて被エッチング膜１４Ｐを形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。この場合には、被エッチング膜１４Ｐの厚みの制御をより精度よく行うことができる。また、ＡＬＣＶＤを用いて被エッチング膜１４Ｐを形成する場合には、被エッチング膜１４Ｐの材料としては、特にアルミナが好ましい。半導体材料を用いて被エッチング膜１４Ｐを形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて被エッチング膜１４Ｐを形成することが好ましい。また、被エッチング膜１４Ｐの材料としての半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。

図９Ａないし図９Ｄは、次の工程を示す。図９Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図９Ｂは、図９Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図９Ｃは、図９Ａに示した積層体の９Ｃ−９Ｃ線断面図である。図９Ｄは、図９Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、被エッチング膜１４Ｐのうち、後に非磁性膜１４の第１の部分１４１および第２の部分１４２となる部分を覆うマスク３２を形成する。マスク３２は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。

図１０Ａないし図１０Ｄは、次の工程を示す。図１０Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図１０Ｃは、図１０Ａに示した積層体の１０Ｃ−１０Ｃ線断面図である。図１０Ｄは、図１０Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、マスク３２および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、被エッチング膜１４Ｐにおいてマスク３２によって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングして、非磁性膜１４の第１ないし第４の部分１４１〜１４４を形成する。これにより、被エッチング膜１４Ｐは非磁性膜１４となる。また、このとき、同時に、マスク３２および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、非磁性層１２Ｐの一部もエッチングして、収容溝１２ａを完成させる。これにより、初期溝１２Ｐａは収容溝１２ａとなり、非磁性層１２Ｐは収容層１２となる。被エッチング膜１４Ｐと非磁性層１２Ｐのエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。

この工程により、収容層１２と非磁性膜１４とを有する収容部１５が完成する。図１５は、この収容部１５を示す斜視図である。この収容部１５は、後にその中に磁極層１６が形成される溝部を有している。

図１１Ａないし図１１Ｄは、次の工程を示す。図１１Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図１１Ｃは、図１１Ａに示した積層体の１１Ｃ−１１Ｃ線断面図である。図１１Ｄは、図１１Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に磁極層１６の第１層１６１となる第１の磁性層１６１Ｐを形成する。この第１の磁性層１６１Ｐは、例えば、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成される。スパッタ法によって第１の磁性層１６１Ｐを形成する場合には、コリメーションスパッタやロングスロースパッタを用いることが好ましい。

次に、第１の磁性層１６１Ｐの上に、後に磁極層１６の第２層１６２となる第２の磁性層１６２Ｐを形成する。この第２の磁性層１６２Ｐは、例えばフレームめっき法によって形成される。その際、第１の磁性層１６１Ｐは、めっき用の電極として用いられる。なお、第２の磁性層１６２Ｐは、パターニングしていないめっき層を形成した後、このめっき層をエッチングによってパターニングして形成してもよい。

図１２Ａないし図１２Ｄは、次の工程を示す。図１２Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図１２Ｃは、図１２Ａに示した積層体の１２Ｃ−１２Ｃ線断面図である。図１２Ｄは、図１２Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を、例えば０．５〜１．２μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、収容溝規定層１３が露出するまで被覆層、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨する。これにより、残った磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となり、磁極層１６が完成する。

図１３Ａおよび図１３Ｂは、次の工程を示す。図１３Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、特にＡＬＣＶＤを用いることが好ましい。また、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、ギャップ層１８の材料としては、特にアルミナが好ましい。

次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上にヨーク層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

次に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるように、コイル２３を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２３を形成してもよい。

次に、コイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２４を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２３が露出するまで絶縁層２５を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２３および絶縁層２４，２５の上面を平坦化する。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、次の工程を示す。図１４Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図１４Ｂは、図１４Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。この工程では、まず、コイル２３および絶縁層２４，２５の上に絶縁層２６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド２０を完成させる。

次に、図５に示したように、積層体の上面全体を覆うように保護層２７を形成する。次に、保護層２７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１６およびシールド２０は、コイル２３が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１６は、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド２０は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１６に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド２０は、媒体対向面３０に配置された磁極層１６（トラック幅規定規定部１６Ａ）の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有している。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、シールド２０の端面は、磁極層１６の端面に対して、ギャップ層１８による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面３０における磁極層１６のギャップ層１８側の端部の位置によって決まる。シールド２０は、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。

また、本実施の形態では、図３に示したように、媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。

また、本実施の形態では、非磁性材料よりなる収容層１２の収容溝１２ａ内に、非磁性膜１４を介して磁極層１６が配置される。非磁性膜１４は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第１の部分１４１と、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第２の部分１４２とを有している。そのため、トラック幅規定部１６Ａの幅は、収容溝１２ａのうちトラック幅規定部１６Ａを収容する部分における幅よりも小さくなる。これにより、収容溝１２ａを容易に形成することが可能になると共に、トラック幅規定部１６Ａの幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。

以下、本実施の形態における磁極層１６と収容部１５の特徴について説明する。収容部１５は、磁極層１６の少なくとも一部を収容する。収容部１５は、収容層１２と非磁性膜１４とを有している。収容層１２は、上面で開口し磁極層１６の少なくとも一部を収容する収容溝１２ａを有している。非磁性膜１４は、収容溝１２ａ内において、収容層１２と磁極層１６との間に配置されている。磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部１６Ａと、トラック幅規定部１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部１６Ｂとを有している。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内である。

トラック幅規定部１６Ａは、第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２とを有している。幅広部１６Ｂは、第１の側面Ｓ１に続く第３の側面Ｓ３と、第２の側面Ｓ２に続く第４の側面Ｓ４とを有している。収容層１２は、収容溝１２ａを形成する第１の壁面ＷＳ１と第２の壁面ＷＳ２とを有している。第１の壁面ＷＳ１は、第１の側面Ｓ１および第３の側面Ｓ３に対向し、第２の壁面ＷＳ２は、第２の側面Ｓ２および第４の側面Ｓ４に対向している。非磁性膜１４は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第１の部分１４１と、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第２の部分１４２と、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第３の部分１４３と、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第４の部分１４４とを有している。

非磁性膜１４において、第３の部分１４３の厚みは第１の部分１４１の厚みよりも小さく、第４の部分１４４の厚みは第２の部分１４２の厚みよりも小さい。そのため、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１との間隔は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１との間隔よりも小さく、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２との間隔は、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２との間隔よりも小さい。

ここで、図１６および図１７を参照して、本実施の形態に対する第１および第２の比較例について説明する。図１６は、第１の比較例における磁極層２１６の一部を示す平面図である。既に説明したように、第１の比較例では、フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、非磁性膜１４を形成することなく磁極層２１６を形成している。磁極層２１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部２１６Ａと、このトラック幅規定部２１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部２１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部２１６Ｂとを有している。第１の比較例のように、フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、非磁性膜１４を形成することなく磁極層２１６を形成する場合には、磁極層２１６の側面のうちトラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂとの境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、図１６に示したように、磁極層２１６のうちトラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂとの境界近傍の部分は、媒体対向面３０から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。そこで、第１の比較例では、図１６を参照して既に説明した方法により、トラック幅規定部２１６Ａと幅広部２１６Ｂの境界位置およびデザインネックハイトＤＮＨを定義する。

図１７は、第２の比較例における磁極層３１６の一部を示す平面図である。第２の比較例では、フォトリソグラフィを用いてパターニングした収容溝内に、均一な厚みの非磁性膜３１４を形成した後に磁極層３１６を形成している。磁極層３１６は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部３１６Ａと、このトラック幅規定部３１６Ａの端部に接続され、トラック幅規定部３１６Ａの幅よりも大きい幅を有する幅広部３１６Ｂとを有している。第１の比較例と同様に、第２の比較例においても、磁極層３１６の側面のうちトラック幅規定部３１６Ａと幅広部３１６Ｂとの境界近傍の部分を精度よく形成することは難しい。そのため、図１７に示したように、磁極層３１６のうちトラック幅規定部３１６Ａと幅広部３１６Ｂとの境界近傍の部分は、媒体対向面３０から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすい。そこで、第２の比較例においても、第１の比較例と同様の方法により、トラック幅規定部３１６Ａと幅広部３１６Ｂの境界位置およびデザインネックハイトＤＮＨを定義する。

第１および第２の比較例では、いずれも、磁極層２１６，３１６のうちトラック幅規定部２１６Ａ，３１６Ａと幅広部２１６Ｂ，３１６Ｂとの境界近傍の部分は、媒体対向面３０から離れるに従って幅が徐々に大きくなる形状になりやすく、トラック幅規定部２１６Ａ，３１６Ａと幅広部２１６Ｂ，３１６Ｂとの境界位置は明確ではない。また、一般的に、第１および第２の比較例では、媒体対向面３０の位置にばらつきに関わらずにトラック幅をほぼ一定にするためには、デザインネックハイトＤＮＨを１００ｎｍ以上とする必要がある。これらのことから、第１および第２の比較例では、トラック幅とネックハイトを、いずれも小さい値とし、且つこれらを精度よく制御することは難しい。そのため、第１および第２の比較例では、トラック幅とネックハイトを制御して記録特性を向上させることは難しい。

これに対し、本実施の形態では、前述の磁極層１６と収容部１５の特徴により、媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１６Ａの端面によって規定されるトラック幅を容易に小さくすることができると共に、第１および第２の比較例と比較して、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃの位置が明確になる。そのため、本実施の形態によれば、ネックハイトＮＨおよびトラック幅を、いずれも小さい値とし、且つこれらを精度よく制御することが可能になる。特に、本実施の形態では、ネックハイトＮＨを、１０〜２０ｎｍといった小さな値にし、且つ精度よく制御することが可能である。このように、本実施の形態によれば、トラック幅を精度よく規定でき、且つネックハイトＮＨを精度よく制御してオーバーライト特性等の記録特性を向上させることが可能になる。

また、本実施の形態では、幅広部１６Ｂのうち、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃの近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な磁極層１６の断面積を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。この効果は、特に、第３の側面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１よりも小さく、第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２よりも小さい場合に顕著になる。

また、本実施の形態では、トラック幅規定部１６Ａは第１の底面Ｂ１を有し、幅広部１６Ｂは第２の底面Ｂ２を有し、第２の底面Ｂ２は、第１の底面Ｂ１に比べて基板１の上面に近い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを小さくして、スキューに起因した問題の発生を効果的に防止しながら、幅広部１６Ｂの厚みを大きくして、磁極層１６によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。

［変形例］
以下、図１８および図１９を参照して、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。図１８は、第１の変形例における磁極層１６の一部を示す平面図である。図１９は、第２の変形例における磁極層１６の一部を示す平面図である。

図１８に示した第１の変形例では、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離が、デザインネックハイトＤＮＨと等しくなっている。

図１９に示した第２の変形例では、媒体対向面３０からトラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃまでの距離が、デザインネックハイトＤＮＨよりも大きくなっている。

第１および第２の変形例では、実効的なネックハイトは、デザインネックハイトＤＮＨと一致する。第１および第２の変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図６に示した磁気ヘッドと同様である。

［第２の実施の形態］
次に、図２０ないし図２２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図２０は、本実施の形態における磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す平面図である。図２１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面３０に平行な断面の一部を示す断面図である。なお、図２１は、図２０において２１−２１線で示す断面を示している。図２２は、本実施の形態における収容部１５を示す斜視図である。

本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃの近傍の一部の領域を除いて、第３の側面Ｓ３は第１の壁面ＷＳ１に接し、第４の側面Ｓ４は第２の壁面ＷＳ２に接している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図１０Ａないし図１０Ｄに示した被エッチング膜１４Ｐをエッチングする工程において、被エッチング膜１４Ｐのうちマスク３２によって覆われていない部分のほとんどを除去する。これにより、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃよりも媒体対向面３０から遠い領域では、境界１６Ｃの近傍の一部の領域を除いて、収容層１２の第１および第２の壁面ＷＳ１，ＷＳ２のほとんどの部分が露出する。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図１１Ａないし図１２Ｄに示した磁極層１６を形成する工程では、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃの近傍の一部の領域を除いて、第３の側面Ｓ３が第１の壁面ＷＳ１に接し、第４の側面Ｓ４が第２の壁面ＷＳ２に接するように、磁極層１６を形成する。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１および第２の各変形例と同様の変形も可能である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図２３ないし図２５を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図２３は、本実施の形態における磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す斜視図である。図２４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図２５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。本実施の形態における磁極層１６では、トラック幅規定部１６Ａは、基板１の上面からより遠い面である第１の上面Ｔ１を有し、幅広部１６Ｂは、基板１の上面からより遠い面である第２の上面Ｔ２を有している。第２の上面Ｔ２は、第１の上面Ｔ１に比べて基板１の上面から遠い位置に配置されている。

また、本実施の形態では、ギャップ層１８は、第１の上面Ｔ１の全体と第２の上面Ｔ２の一部を覆うように設けられている。シールド２０の第１層２０Ａは、ギャップ層１８を介して第１の上面Ｔ１の全体と第２の上面Ｔ２の一部とに対向するように屈曲した下面を有している。

次に、図２６を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。なお、図２６において、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図２６では、収容層１２よりも下の部分を省略している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図１２Ａないし図１２Ｄに示した工程までは、第１の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態では、この工程が終了した時点では、磁極層１６は完成していない。本実施の形態では、次に、図２６に示したように、磁極層１６となる磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上にマスク３３を形成する。マスク３３は、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面のうち、第２の上面Ｔ２となる部分を覆っている。このマスク３３は、例えば、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスク３３によって覆われていない領域において、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐ、非磁性膜１４および収容溝規定層１３をエッチングする。このエッチングは、例えば、収容層１２の上面が露出するまで行う。これにより、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの上面に上面Ｔ１，Ｔ２が形成されて、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となり、磁極層１６が完成する。次に、マスク３３を除去する。その後の工程は、図１３Ａないし図１４Ｂを参照して説明した工程と同様である。

本実施の形態では、トラック幅規定部１６Ａは、基板１の上面からより遠い面である第１の上面Ｔ１を有し、幅広部１６Ｂは、基板１の上面からより遠い面である第２の上面Ｔ２を有している。第２の上面Ｔ２は、第１の上面Ｔ１に比べて基板１の上面から遠い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１６の厚みを小さくして、スキューに起因した問題の発生を効果的に防止しながら、幅広部１６Ｂの厚みを大きくして、磁極層１６によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１および第２の各変形例と同様の変形も可能である。

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図２７および図２８を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図２７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図２８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。なお、図２７は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図２７において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の実施の形態における収容層１２の代わりに、コイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層４１と、この絶縁層４１の上に配置された底部形成層４２と、この底部形成層４２の上に配置された非磁性材料よりなる収容層４３とを備えている。絶縁層４１は、例えばアルミナによって形成されている。底部形成層４２の材料としては、例えば、Ｒｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＮｉＣｒ、Ｐｄ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＴａＯ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮｉＣｕ、ＮｉＰｄ、ＡｌＮ、ＡｌＦ、ＳｉＣ、ＴｉＣのいずれかを用いることができる。底部形成層４２の材料としては、特にＳｉＣが好ましい。収容層４３は、上面で開口する収容溝４３ａを有している。収容層４３の材料は、第１の実施の形態における収容層１２と同様である。

底部形成層４２は、収容層４３の下に配置されて収容層４３に接している。収容溝４３ａのうち、少なくとも、磁極層１６の幅広部１６Ｂを収容する部分の一部は収容層４３を貫通している。収容溝４３ａのうち収容層４３を貫通している部分の底部は、底部形成層４２の上面によって形成される。収容溝４３ａ内において、収容層４３と磁極層１６との間には、非磁性膜１４が設けられている。本実施の形態では、収容部１５は、収容層４３と非磁性膜１４とを有している。磁極層１６の少なくとも一部は、この収容部１５の溝部内に収容されている。

また、本実施の形態では、非磁性膜１４のうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａの下に配置された部分における上面は、媒体対向面３０から離れるに従って基板１の上面からの距離が小さくなるように媒体対向面３０に垂直な方向に対して傾いた部分（以下、傾斜部と言う。）を有している。トラック幅規定部１６Ａの底面Ｂ１は、上記傾斜部に対応して、媒体対向面３０から離れるに従って基板１の上面からの距離が小さくなるように媒体対向面３０に垂直な方向に対して傾いた部分を有している。

次に、図２９を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。なお、図２９において、記号ＡＢＳは、媒体対向面３０の目標位置に配置された仮想の面を示している。また、図２９では、絶縁層４１よりも下の部分を省略している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、図２９に示したように、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、絶縁層４１と底部形成層４２を順に形成し、次に、底部形成層４２の上に、後に収容溝４３ａが形成されることにより収容層４３となる非磁性層４３Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層４３Ｐの上に、収容溝規定層１３を形成する。次に、第１の実施の形態と同様に、マスク３１を用いて収容溝規定層１３をエッチングして、収容溝規定層１３に開口部１３ａを形成する。次に、第１の実施の形態と同様に、マスク３１および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、非磁性層４３Ｐのうち収容溝規定層１３の開口部１３ａから露出する部分を選択的にエッチングすることによって、非磁性層４３Ｐに、後にエッチングされることによって収容溝４３ａとなる初期溝４３Ｐａを形成する。次に、マスク３１を除去する。収容溝規定層１３の開口部１３ａの縁は、非磁性層４３Ｐの上面における初期溝４３Ｐａの縁の真上に配置されている。非磁性層４３Ｐのエッチング方法は、第１の実施の形態における非磁性層１２Ｐのエッチング方法と同様である。

図２９に示したように、非磁性層４３Ｐをエッチングする工程では、初期溝４３Ｐａのうち、少なくとも、後に磁極層１６の幅広部１６Ｂを収容する部分の一部は非磁性層４３Ｐを貫通するようにする。

本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態における非磁性層１２Ｐと収容層１２が本実施の形態では非磁性層４３Ｐと収容層４３に代わる点と、以下の工程が追加される点を除いて、第１の実施の形態において図８Ａないし図１４Ｂを参照して説明した工程と同様である。

本実施の形態における追加の工程は、図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程の後で実施される。すなわち、本実施の形態では、被エッチング膜１４Ｐをエッチングして図１０Ｃに示した形状の非磁性膜１４を形成した後、更に、非磁性膜１４のうち、後にその上にトラック幅規定部１６Ａが形成される部分における上面の一部をエッチングして、前述の傾斜部を形成する。この傾斜部は、例えば、図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程の後、マスク３２の一部と共に非磁性膜１４をエッチングしたり、マスク３２を除去した後に、新たに傾斜部形成用のマスクを形成して非磁性膜１４をエッチングしたりすることによって形成することができる。また、このエッチングは、例えば、ＣＦ_４、Ｃｌ_２およびＢＣｌ_３を含むエッチングガスを用いたＲＩＥによって行われる。なお、このエッチングの際、非磁性層４３Ｐの下には底部形成層４２が存在しているため、初期溝４３Ｐａが深くなることはない。

なお、本実施の形態において、上記の追加の工程を実施せずに、非磁性膜１４のうちのトラック幅規定部１６Ａの下に配置された部分における上面の形状、およびトラック幅規定部１６Ａの底面Ｂ１の形状を、第１の実施の形態と同様の形状としてもよい。

本実施の形態によれば、底部形成層４２によって、収容溝４３ａの最大の深さを精度よく制御することができる。これにより、本実施の形態によれば、磁極層１６の厚みを精度よく制御することが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１および第２の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、第３の実施の形態と同様に、磁極層１６に第１および第２の上面Ｔ１，Ｔ２を形成してもよい。

［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図３０を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図３０は、本実施の形態における磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す平面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、非磁性膜１４は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第１の部分１４１と、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第２の部分１４２のみを有している。また、本実施の形態では、第３の側面Ｓ３の全体が第１の壁面ＷＳ１に接し、第４の側面Ｓ４の全体が第２の壁面ＷＳ２に接している。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、図７Ａないし図７Ｄに示したように非磁性層１２Ｐに初期溝１２Ｐａを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、この初期溝１２Ｐａを形成する工程を第１のエッチング工程と呼ぶ。

図３１Ａないし図３１Ｄは、次の工程を示す。図３１Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図３１Ｂは、図３１Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３１Ｃは、図３１Ａに示した積層体の３１Ｃ−３１Ｃ線断面図である。図３１Ｄは、図３１Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、まず、初期溝１２Ｐａおよび開口部１３ａのうち、後にトラック幅規定部１６Ａが収容される部分を覆うマスク３４を形成する。このマスク３４は、例えば、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスク３４および収容溝規定層１３をエッチングマスクとして用いて、初期溝１２Ｐａのうちマスク３４によって覆われていない部分をエッチングすることによって、収容溝１２ａを完成させる。これにより、非磁性層１２Ｐは収容層１２となる。この工程を、第２のエッチング工程と呼ぶ。第２のエッチング工程は、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。なお、第２のエッチング工程は、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングのような異方性エッチングに限らず、等方性エッチングを用いて行ってもよい。この場合の等方性エッチングは、ウェットエッチングでもよいしドライエッチングでもよい。ウェットエッチングの場合には、アルカリ性のエッチング液が用いられる。次に、マスク３４を除去する。

本実施の形態において、第１のエッチング工程では、収容溝１２ａのうち、磁極層１６における第１の側面Ｓ１、第２の側面Ｓ２および第１の底面Ｂ１に対向する部分が形成される。また、第２のエッチング工程では、収容溝１２ａのうち、磁極層１６における第３の側面Ｓ３、第４の側面Ｓ４および第２の底面Ｂ２に対向する部分が形成される。

図３２Ａないし図３２Ｄは、次の工程を示す。図３２Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図３２Ｂは、図３２Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３２Ｃは、図３２Ａに示した積層体の３２Ｃ−３２Ｃ線断面図である。図３２Ｄは、図３２Ａに示した積層体の面ＡＢＳおよび基板の上面に垂直な断面を示す断面図である。

この工程では、まず、収容溝１２ａのうち、後に幅広部１６Ｂが収容される部分を覆うマスク３５を形成する。次に、収容層１２の第１および第２の壁面ＷＳ１，ＷＳ２のうち、マスク３５によって覆われていない部分を覆うように非磁性膜１４を形成する。図３２Ａおよび図３２Ｂに示したように、非磁性膜１４は、第１の部分１４１と第２の部分１４２を含んでいる。次に、マスク３５を除去する。

本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態において図１１Ａないし図１４Ｂを参照して説明した工程と同様である。

本実施の形態によれば、第１の部分１４１と第２の部分１４２のみを有する非磁性膜１４を形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとの境界１６Ｃの位置が明確になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１および第２の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、第３の実施の形態と同様に、磁極層１６に第１および第２の上面Ｔ１，Ｔ２を形成してもよい。また、本実施の形態において、第４の実施の形態と同様に、収容層１２の代わりに、絶縁層４１、底部形成層４２および収容層４３を設けてもよい。

［第６の実施の形態］
次に、本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図３３ないし図３５を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図３３は、本実施の形態における磁極層１６のうちの媒体対向面３０の近傍における部分を示す平面図である。図３４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図３５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。なお、図３４は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図３４において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の実施の形態における収容層１２の代わりに、コイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６１と、この絶縁層６１の上に配置された非磁性材料よりなる収容層６８とを備えている。絶縁層６１と収容層６８は、それぞれ例えばアルミナによって形成されている。収容層６８は、上面で開口し磁極層１６の少なくとも一部を収容する収容溝６８ａを有している。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の実施の形態における非磁性膜１４の代わりに、非磁性膜６３，６４およびシード層６６を備えている。非磁性膜６３，６４およびシード層６６は、収容溝６８ａ内において、収容層６８と磁極層１６との間に配置されている。また、非磁性膜６３，６４およびシード層６６は、収容層６８側から非磁性膜６３，６４およびシード層６６の順に配置されている。非磁性膜６３，６４およびシード層６６の各厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。

非磁性膜６３およびシード層６６の材料としては、例えば、第１の実施の形態における収容溝規定層１３に用いられる非磁性金属材料と同じものを用いることができる。なお、シード層６６の材料は、磁性層１６と同様に磁性材料であってもよい。非磁性膜６４の材料としては、例えば、第１の実施の形態における非磁性膜１４の材料と同じものを用いることができる。非磁性膜６３，６４は、本発明における非磁性膜に対応する。また、収容層６８および非磁性膜６３，６４は、本実施の形態における収容部６０を構成する。なお、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、収容溝規定層１３を備えていない。

第１の実施の形態と同様に、磁極層１６は、トラック幅規定部１６Ａと幅広部１６Ｂとを有している。トラック幅規定部１６Ａは、トラック幅方向の両側に位置する第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２とを有している。幅広部１６Ｂは、第１の側面Ｓ１に続く第３の側面Ｓ３と、第２の側面Ｓ２に続く第４の側面Ｓ４とを有している。収容層６８は、第１の実施の形態における収容層１２と同様に、収容溝６８ａを形成する第１の壁面ＷＳ１と第２の壁面ＷＳ２とを有している。第１の壁面ＷＳ１は、第１の側面Ｓ１および第３の側面Ｓ３に対向し、第２の壁面ＷＳ２は、第２の側面Ｓ２および第４の側面Ｓ４に対向している。

非磁性膜６４は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１の間に配置された第１の部分６４１と、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２の間に配置された第２の部分６４２のみを有している。そのため、第３の側面Ｓ３と第１の壁面ＷＳ１との間隔は、第１の側面Ｓ１と第１の壁面ＷＳ１との間隔よりも小さく、第４の側面Ｓ４と第２の壁面ＷＳ２との間隔は、第２の側面Ｓ２と第２の壁面ＷＳ２との間隔よりも小さい。

次に、図３６Ａないし図４４Ｃを参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。

図３６Ａないし図３６Ｃは、次の工程を示す。図３６Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図３６Ｂは、図３６Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３６Ｃは、図３６Ａに示した積層体の３６Ｃ−３６Ｃ線断面図である。なお、図３６Ａは、図３６Ｂおよび図３６Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。

この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、絶縁層６１を形成する。次に、この絶縁層６１の上に、フレーム６２を形成する。フレーム６２は、後にその中に磁極層１６が形成される溝部を有している。フレーム６２は、例えば、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。フレーム６２の厚みは、例えば０．８μｍである。

図３７Ａないし図３７Ｃは、次の工程を示す。図３７Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図３７Ｂは、図３７Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３７Ｃは、図３７Ａに示した積層体の３７Ｃ−３７Ｃ線断面図である。なお、図３７Ａは、図３７Ｂおよび図３７Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。この工程では、まず、例えばスパッタ法またはＡＬＣＶＤによって、積層体の上面全体の上に、非磁性膜６３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に一部がエッチングされることによって非磁性膜６４となる被エッチング膜６４Ｐを形成する。被エッチング膜６４Ｐの形成方法は、第１の実施の形態における被エッチング膜１４Ｐの形成方法と同様である。

図３８Ａないし図３８Ｃは、次の工程を示す。図３８Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の一部を切り欠いた平面図である。図３８Ｂは、図３８Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３８Ｃは、図３８Ａに示した積層体の３８Ｃ−３８Ｃ線断面図である。なお、図３８Ａにおいてハッチングを付した部分は、図３８Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。

この工程では、まず、被エッチング膜６４Ｐのうち、後に非磁性膜６４の第１の部分６４１および第２の部分６４２となる部分を覆うマスク６５を形成する。マスク６５は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、被エッチング膜６４Ｐにおいてマスク６５によって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングする。これにより、被エッチング膜６４Ｐのうち、後に磁極層１６の幅広部１６Ｂが形成される領域に配置された部分が除去され、被エッチング膜６４Ｐは非磁性膜６４となる。

図３９Ａないし図３９Ｃは、次の工程を示す。図３９Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の一部の断面図である。図３９Ｂは、図３９Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図３９Ｃは、図３９Ａに示した積層体の３９Ｃ−３９Ｃ線断面図である。なお、図３９Ａは、図３９Ｂおよび図３９Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。この工程では、マスク６５を除去する。

図４０Ａないし図４０Ｃは、次の工程を示す。図４０Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図４０Ｂは、図４０Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図４０Ｃは、図４０Ａに示した積層体の４０Ｃ−４０Ｃ線断面図である。なお、図４０Ａは、図４０Ｂおよび図４０Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。

この工程では、まず、例えばスパッタ法またはＡＬＣＶＤによって、積層体の上面全体の上に、シード層６６を形成する。次に、このシード層６６の上に、後に磁極層１６となる磁性層１６Ｐを形成する。磁性層１６Ｐの厚みは、例えば１．５〜２．５μｍである。磁性層１６Ｐは、例えばフレームめっき法によって形成される。その際、シード層６６は、めっき用の電極として用いられる。なお、磁性層１６Ｐは、パターニングしていないめっき層を形成した後、このめっき層をエッチングによってパターニングして形成してもよい。次に、例えばＣＭＰによって、シード層６６が露出するまで、磁性層１６Ｐを研磨する。

図４１Ａないし図４１Ｃは、次の工程を示す。図４１Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図４１Ｂは、図４１Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図４１Ｃは、図４１Ａに示した積層体の４１Ｃ−４１Ｃ線断面図である。なお、図４１Ａは、図４１Ｂおよび図４１Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。この工程では、例えばイオンビームエッチングによって、フレーム６２が露出するまで、積層体の上面全体をエッチングする。

図４２Ａないし図４２Ｃは、次の工程を示す。図４２Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図４２Ｂは、図４２Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図４２Ｃは、図４２Ａに示した積層体の４２Ｃ−４２Ｃ線断面図である。なお、図４２Ａは、図４２Ｂおよび図４２Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。この工程では、フレーム６２を除去する。

図４３Ａないし図４３Ｃは、次の工程を示す。図４３Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の断面図である。図４３Ｂは、図４３Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図４３Ｃは、図４３Ａに示した積層体の４３Ｃ−４３Ｃ線断面図である。なお、図４３Ａは、図４３Ｂおよび図４３Ｃにおいて破線で示した位置における断面を表わしている。

この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に研磨されることによって収容層６８となる非磁性層６８Ｐを形成する。次に、磁性層１６Ｐの周辺の領域において、非磁性層６８Ｐの上に研磨停止層６９を形成する。研磨停止層６９の材料としては、例えばＴａが用いられる。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる被覆層７０を形成する。

図４４Ａないし図４４Ｃは、次の工程を示す。図４４Ａは、磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。図４４Ｂは、図４４Ａに示した積層体の面ＡＢＳにおける断面を示す断面図である。図４４Ｃは、図４４Ａに示した積層体の４４Ｃ−４４Ｃ線断面図である。この工程では、例えばＣＭＰによって、研磨停止層６９が露出するまで被覆層７０、非磁性層６８Ｐ、非磁性膜６３，６４、シード層６６および磁性層１６Ｐを研磨して、これらの上面を平坦化する。これにより、非磁性層６８Ｐは収容層６８となり、磁性層１６Ｐは磁極層１６となる。収容層６８の厚みは、例えば０．２〜０．２７μｍの範囲内である。また、この工程により、収容層６８および非磁性膜６３，６４を有する収容部６０が完成する。このように、本実施の形態では、収容層６８は、フレーム６２の除去後に、磁極層１６および非磁性膜６３，６４の周囲に形成される。

本実施の形態におけるその後の工程は、第１の実施の形態において図１３Ａないし図１４Ｂを参照して説明した工程と同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態における第１および第２の各変形例と同様の変形も可能である。また、本実施の形態において、第３の実施の形態と同様に、磁極層１６に第１および第２の上面Ｔ１，Ｔ２を形成してもよい。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル９，２３の代わりに、磁極層１６を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面の一部を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面に平行な断面の一部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図７Ａないし図７Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図７Ａないし図７Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図７Ａないし図７Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図７Ａないし図７Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８Ａないし図８Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８Ａないし図８Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８Ａないし図８Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８Ａないし図８Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９Ａないし図９Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９Ａないし図９Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９Ａないし図９Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９Ａないし図９Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０Ａないし図１０Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１Ａないし図１１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１Ａないし図１１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１Ａないし図１１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１Ａないし図１１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２Ａないし図１２Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２Ａないし図１２Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂに示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における収容部を示す斜視図である。 第１の比較例における磁極層の一部を示す平面図である。 第２の比較例における磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態の第１の変形例における磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の変形例における磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面に平行な断面の一部を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態における収容部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３１Ａないし図３１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３１Ａないし図３１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３１Ａないし図３１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３１Ａないし図３１Ｄに示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に磁気ヘッドにおける磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図３６Ａないし図３６Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３６Ａないし図３６Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３６Ａないし図３６Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３７Ａないし図３７Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３７Ａないし図３７Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３７Ａないし図３７Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３８Ａないし図３８Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３８Ａないし図３８Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３８Ａないし図３８Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３９Ａないし図３９Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３９Ａないし図３９Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３９Ａないし図３９Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４０Ａないし図４０Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４０Ａないし図４０Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４０Ａないし図４０Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４１Ａないし図４１Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４１Ａないし図４１Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４１Ａないし図４１Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４２Ａないし図４２Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４２Ａないし図４２Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４２Ａないし図４２Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４３Ａないし図４３Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４３Ａないし図４３Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。 図４３Ａないし図４３Ｃに示した工程に続く工程を示す説明図である。

符号の説明

１２…収容層、１２ａ…収容溝、１３…収容層規定層、１４…非磁性膜、１５…収容部、１６…磁極層、１６Ａ…トラック幅規定部、１６Ｂ…幅広部、Ｓ１…第１の側面、Ｓ２…第２の側面、Ｓ３…第３の側面、Ｓ４…第４の側面、Ｗ１…第１の壁面、Ｗ２…第２の壁面。

Claims (33)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
   前記収容部は、非磁性材料よりなり、上面で開口し前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝を有する収容層と、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを有し、
   前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の前記端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
   前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、トラック幅を規定し、
   前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内であり、
   前記トラック幅規定部は、第１および第２の側面を有し、
   前記幅広部は、前記第１の側面に続く第３の側面と、前記第２の側面に続く第４の側面とを有し、
   前記収容層は、前記収容溝を形成する第１および第２の壁面を有し、前記第１の壁面は、前記第１および第３の側面に対向し、前記第２の壁面は、前記第２および第４の側面に対向し、
   前記非磁性膜は、前記第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、前記第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有し、
   前記第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、前記第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さく、
   前記第１および第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化し、
   前記第２および第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化することを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
2. 前記非磁性膜は、更に、前記第３の側面と第１の壁面の間に配置された第３の部分と、前記第４の側面と第２の壁面の間に配置された第４の部分とを有し、
   前記第３の部分の厚みは前記第１の部分の厚みよりも小さく、前記第４の部分の厚みは前記第２の部分の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
3. 前記第３の側面は第１の壁面に接し、前記第４の側面は第２の壁面に接していることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
4. 前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
5. 更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
   前記トラック幅規定部の端面は、前記基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
6. 前記第３の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
   前記第４の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
7. 更に、前記収容溝に連続する貫通した開口部を有し、前記収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、前記収容溝規定層の開口部の縁は、前記収容層の上面における前記収容溝の縁の真上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
8. 更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
   前記トラック幅規定部は、前記基板の上面により近い面である第１の底面を有し、前記幅広部は、前記基板の上面により近い面である第２の底面を有し、前記第２の底面は、第１の底面に比べて前記基板の上面に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
9. 更に、非磁性材料よりなり、前記収容層と前記基板との間に配置されて前記収容層に接する底部形成層を備え、前記収容溝のうち、少なくとも、前記幅広部を収容する部分の一部は前記収容層を貫通していることを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
10. 更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
    前記トラック幅規定部は、前記基板の上面からより遠い面である第１の上面を有し、前記幅広部は、前記基板の上面からより遠い面である第２の上面を有し、前記第２の上面は、第１の上面に比べて前記基板の上面から遠い位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
11. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部とを備え、
    前記収容部は、非磁性材料よりなり、上面で開口し前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝を有する収容層と、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを有し、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の前記端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
    前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、トラック幅を規定し、
    前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内であり、
    前記トラック幅規定部は、第１および第２の側面を有し、
    前記幅広部は、前記第１の側面に続く第３の側面と、前記第２の側面に続く第４の側面とを有し、
    前記収容層は、前記収容溝を形成する第１および第２の壁面を有し、前記第１の壁面は、前記第１および第３の側面に対向し、前記第２の壁面は、前記第２および第４の側面に対向し、
    前記非磁性膜は、前記第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、前記第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有し、
    前記第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、前記第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さく、
    前記第１および第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化し、
    前記第２および第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化する垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
    前記収容部を形成する工程と、前記収容部を形成する工程の後で前記磁極層を形成する工程と、前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記収容部を形成する工程は、前記収容層を形成する工程と、前記非磁性膜を形成する工程とを含み、
    前記非磁性膜を形成する工程は、
    後に一部がエッチングされることによって前記非磁性膜となる被エッチング膜を形成する工程と、
    前記被エッチング膜のうち、後に前記第１および第２の部分となる部分を覆うマスクを形成する工程と、
    前記被エッチング膜において前記マスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングする工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
12. 前記非磁性膜は、更に、前記第３の側面と第１の壁面の間に配置された第３の部分と、前記第４の側面と第２の壁面の間に配置された第４の部分とを有し、前記第３の部分の厚みは前記第１の部分の厚みよりも小さく、前記第４の部分の厚みは前記第２の部分の厚みよりも小さく、
    前記被エッチング膜をエッチングする工程では、前記非磁性膜の第１ないし第４の部分が形成されるように前記被エッチング膜をエッチングすることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
13. 前記被エッチング膜をエッチングする工程では、前記被エッチング膜において前記マスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部が除去されることによって前記収容層の第１および第２の壁面の各々の一部が露出するように、前記被エッチング膜をエッチングし、
    前記磁極層を形成する工程では、前記第３の側面が第１の壁面に接し、前記第４の側面が第２の壁面に接するように、前記磁極層を形成することを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
14. 前記被エッチング膜をエッチングする工程では、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて前記被エッチング膜をエッチングすることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
15. 前記被エッチング膜をエッチングする工程では、同時に前記収容溝を完成させることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
16. 前記被エッチング膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
17. 前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
18. 前記磁気ヘッドは、更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
    前記トラック幅規定部の端面は、前記基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
19. 前記第３の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
    前記第４の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項１８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
20. 前記磁気ヘッドは、更に、前記収容溝に連続する貫通した開口部を有し、前記収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、前記収容溝規定層の開口部の縁は、前記収容層の上面における前記収容溝の縁の真上に配置されており、
    前記収容層を形成する工程は、
    後に前記収容溝が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    前記非磁性層の上に前記収容溝規定層を形成する工程と、
    前記非磁性層のうち前記収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記収容溝を形成する工程とを含み、
    前記被エッチング膜をエッチングする工程では、前記マスクおよび前記収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、前記被エッチング膜をエッチングすることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
21. 前記磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、前記収容層の下に配置された底部形成層を備え、
    磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記収容層を形成する前に前記底部形成層を形成する工程を備え、
    前記収容層を形成する工程は、
    後に前記収容溝が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を、前記底部形成層の上に形成する工程と、
    前記非磁性層を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記収容溝を形成する工程とを含み、
    前記収容溝のうち、少なくとも、前記幅広部を収容する部分の一部は前記収容層を貫通していることを特徴とする請求項１１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
22. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部とを備え、
    前記収容部は、非磁性材料よりなり、上面で開口し前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝を有する収容層と、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを有し、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の前記端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
    前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、トラック幅を規定し、
    前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内であり、
    前記トラック幅規定部は、第１および第２の側面を有し、
    前記幅広部は、前記第１の側面に続く第３の側面と、前記第２の側面に続く第４の側面とを有し、
    前記収容層は、前記収容溝を形成する第１および第２の壁面を有し、前記第１の壁面は、前記第１および第３の側面に対向し、前記第２の壁面は、前記第２および第４の側面に対向し、
    前記非磁性膜は、前記第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、前記第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有し、
    前記第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、前記第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さく、
    前記第１および第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化し、
    前記第２および第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化する垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
    前記収容部を形成する工程と、
    前記収容部を形成する工程の後で前記磁極層を形成する工程と、
    前記コイルを形成する工程とを備え、
    前記収容部を形成する工程は、
    前記収容層を形成する工程と、
    前記収容層の収容溝のうち、後に前記幅広部が収容される部分を覆うマスクを形成する工程と、
    前記第１および第２の壁面のうち前記マスクによって覆われていない部分を覆うように前記非磁性膜を形成する工程と、
    前記マスクを除去する工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
23. 前記磁気ヘッドは、更に、前記収容溝に連続する貫通した開口部を有し、前記収容層の上面の上に配置された収容溝規定層を備え、前記収容溝規定層の開口部の縁は、前記収容層の上面における前記収容溝の縁の真上に配置されており、
    前記収容層を形成する工程は、
    後に前記収容溝が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
    前記非磁性層の上に前記収容溝規定層を形成する工程と、
    前記非磁性層のうち前記収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に前記収容溝を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
24. 前記収容溝を形成する工程は、
    前記非磁性層のうち前記収容溝規定層の開口部から露出する部分を選択的にエッチングすることによって、前記非磁性層に、後にエッチングされることによって前記収容溝となる初期溝を形成する第１のエッチング工程と、
    前記初期溝のうち、後に前記トラック幅規定部が収容される部分を覆う第２のマスクを形成する工程と、
    前記第２のマスクおよび前記収容溝規定層をエッチングマスクとして用いて、前記初期溝のうち前記第２のマスクによって覆われていない部分をエッチングすることによって、前記収容溝を完成させる第２のエッチング工程とを含むことを特徴とする請求項２３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
25. 前記非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
26. 前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
27. 前記磁気ヘッドは、更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
    前記トラック幅規定部の端面は、前記基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
28. 前記第３の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
    前記第４の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面の前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項２７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
29. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
    前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
    前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部とを備え、
    前記収容部は、非磁性材料よりなり、上面で開口し前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容溝を有する収容層と、非磁性材料よりなり、前記収容溝内において、前記収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを有し、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の前記端部に接続され、前記トラック幅規定部の幅よりも大きい幅を有する幅広部とを有し、
    前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、トラック幅を規定有し、
    前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜３００ｎｍの範囲内であり、
    前記トラック幅規定部は、第１および第２の側面を有し、
    前記幅広部は、前記第１の側面に続く第３の側面と、前記第２の側面に続く第４の側面とを有し、
    前記収容層は、前記収容溝を形成する第１および第２の壁面を有し、前記第１の壁面は、前記第１および第３の側面に対向し、前記第２の壁面は、前記第２および第４の側面に対向し、
    前記非磁性膜は、前記第１の側面と第１の壁面の間に配置された第１の部分と、前記第２の側面と第２の壁面の間に配置された第２の部分とを有し、
    前記第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記第１の側面と第１の壁面との間隔よりも小さく、前記第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記第２の側面と第２の壁面との間隔よりも小さく、
    前記第１および第３の側面と第１の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化し、
    前記第２および第４の側面と第２の壁面との間隔は、前記トラック幅規定部と幅広部との境界の位置で変化する垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
    後にその中に前記磁極層が形成される溝部を有するフレームを形成する工程と、
    前記フレームの前記溝部内に、前記非磁性膜を形成する工程と、
    前記非磁性膜の形成後に、前記フレームの前記溝部内に、前記磁極層を形成する工程と、
    前記磁極層の形成後に、前記フレームを除去する工程と、
    前記フレームの除去後に、前記磁極層および非磁性膜の周囲に前記収容層を形成して、前記収容部を完成させる工程とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
    
    
30. 前記非磁性膜を形成する工程は、
    後に一部がエッチングされることによって前記非磁性膜となる被エッチング膜を形成する工程と、
    前記被エッチング膜のうち、後に前記第１および第２の部分となる部分を覆うマスクを形成する工程と、
    前記被エッチング膜において前記マスクによって覆われていない部分のうちの少なくとも一部をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項２９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
31. 前記被エッチング膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項３０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
32. 前記媒体対向面から前記トラック幅規定部と幅広部との境界までの距離は、１０〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項２９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
33. 前記磁気ヘッドは、更に、前記収容部、磁極層およびコイルが積層される基板を備え、
    前記トラック幅規定部の端面は、前記基板の上面により近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺とを有し、前記第２の辺はトラック幅を規定する幅を有し、前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項２９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。

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